JPS63288018A - 電子ビーム露光方法 - Google Patents
電子ビーム露光方法Info
- Publication number
- JPS63288018A JPS63288018A JP63082326A JP8232688A JPS63288018A JP S63288018 A JPS63288018 A JP S63288018A JP 63082326 A JP63082326 A JP 63082326A JP 8232688 A JP8232688 A JP 8232688A JP S63288018 A JPS63288018 A JP S63288018A
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- JP
- Japan
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- exposed
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- mask
- patterns
- electron beam
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- Granted
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 abstract 5
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 abstract 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
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- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野〕
この発明は、フォトマスクにパターンを形成する電子ビ
ーム露光方法に関するものである。
ーム露光方法に関するものである。
集結回路などの半導体装置を製造する場合、−ｍにフォ
トリングラフィ技術によりパターン形成がおこなわれる
。
トリングラフィ技術によりパターン形成がおこなわれる
。
近年この種の装置の集積度が高（なる一方、パターン精
度、重ね合わせ精度等、増々フォトマスクの品質精度が
向上し、製造工程の煩雑化している。このため、微細加
工が容易で高精度、高速マスクメーキングが可能な電子
ビーム露光装置により作成されはじめている。電子ビー
ム露光装置（ＥＢｎ光装置）は、ＥＢデーターに従い所
定のスキャン幅で各チップを連続的に露光することによ
り、フォトマスクを作成している。
度、重ね合わせ精度等、増々フォトマスクの品質精度が
向上し、製造工程の煩雑化している。このため、微細加
工が容易で高精度、高速マスクメーキングが可能な電子
ビーム露光装置により作成されはじめている。電子ビー
ム露光装置（ＥＢｎ光装置）は、ＥＢデーターに従い所
定のスキャン幅で各チップを連続的に露光することによ
り、フォトマスクを作成している。
以下、従来のフォトマスクの製造および検査方法につい
ての説明する。第１図にその一例示す。
ての説明する。第１図にその一例示す。
ラスタースキャンタイプのＥＢｉ光装置は図に示すよう
に所定のスキャンタイプ幅で、ラスクー（３）をスキャ
ンしつつ、フォトマスクｆｉ＋全面を露光しパターン（
２）を形成している。従って、１チツプのデーターは、
何ストライプにも分割され露光されるので、必ずチップ
内は、ストライプの継ぎ部分が問題となってくる。また
従来の先方法によるフォトマスク作成方法とは異なり、
毎回ＥＢデータ−に従い作成するのでパターンの保障が
問題となっている。このような方法でフォトマスクを作
成しているため、パターンの継ぎ部の検査は毎回不可欠
であり、全ストライプについてそれが保障されなければ
ならなかった。さらに、従来の方法ではスキャン幅を正
確に測る方法がなく、測定が不可能であった。
に所定のスキャンタイプ幅で、ラスクー（３）をスキャ
ンしつつ、フォトマスクｆｉ＋全面を露光しパターン（
２）を形成している。従って、１チツプのデーターは、
何ストライプにも分割され露光されるので、必ずチップ
内は、ストライプの継ぎ部分が問題となってくる。また
従来の先方法によるフォトマスク作成方法とは異なり、
毎回ＥＢデータ−に従い作成するのでパターンの保障が
問題となっている。このような方法でフォトマスクを作
成しているため、パターンの継ぎ部の検査は毎回不可欠
であり、全ストライプについてそれが保障されなければ
ならなかった。さらに、従来の方法ではスキャン幅を正
確に測る方法がなく、測定が不可能であった。
以上のように従来のフォトマスク作成方法では正確な継
ぎ部分の測定および、スキャン幅の測定が、各マスクに
ついて行なうことができず、精度のよいフォトマスクを
作成することができないという欠点があった。
ぎ部分の測定および、スキャン幅の測定が、各マスクに
ついて行なうことができず、精度のよいフォトマスクを
作成することができないという欠点があった。
この発明は以上のような欠点を除去するためにになされ
たもので、正規パターン以外の正規配列外にモニターパ
ターンを配列させ、電子ビーム露光の精度を確認できる
フォトマスクを形成するための電子ビーム露光方法を提
供することを目的としている。
たもので、正規パターン以外の正規配列外にモニターパ
ターンを配列させ、電子ビーム露光の精度を確認できる
フォトマスクを形成するための電子ビーム露光方法を提
供することを目的としている。
以下の実施例について説明する。第２図はこのの発明に
よるフォトマスク作成方法の一実施例を示す図である。
よるフォトマスク作成方法の一実施例を示す図である。
まず、ＥＢデーターに従いモニターパターン［４１を描
画するが、各モニターパターン（４）第２図右下に示す
のように４つ（４＾） （４Ａ ’ ） （４Ｂ）（４
Ｂ ”）に分割されて構成されており、マスクｆｌｌの
４角に設けられている。まず、マスク（１１の左下のモ
ニタパータン（４）の左下部分（４）をスキャン幅（５
）で露光し、同様に順次右下のモニターパータン（４）
の左下部分（４Ａ）右上のモニターパターン（４）の左
下部分（４＾）、左上のモニターパターン（４）の左下
部分（４Ａ）と露光する０次いでマスク＋１１左下のモ
ニターパターン（４）の左上部分（４＾′）を上記と同
じスキャン幅で露光する。このときスキャン幅は上記と
同じ幅であるが露光させる部分は図示しているように下
端の４分の１の幅の部分だけである。
画するが、各モニターパターン（４）第２図右下に示す
のように４つ（４＾） （４Ａ ’ ） （４Ｂ）（４
Ｂ ”）に分割されて構成されており、マスクｆｌｌの
４角に設けられている。まず、マスク（１１の左下のモ
ニタパータン（４）の左下部分（４）をスキャン幅（５
）で露光し、同様に順次右下のモニターパータン（４）
の左下部分（４Ａ）右上のモニターパターン（４）の左
下部分（４＾）、左上のモニターパターン（４）の左下
部分（４Ａ）と露光する０次いでマスク＋１１左下のモ
ニターパターン（４）の左上部分（４＾′）を上記と同
じスキャン幅で露光する。このときスキャン幅は上記と
同じ幅であるが露光させる部分は図示しているように下
端の４分の１の幅の部分だけである。
同様に右下、右上、左上のモニターパターン（４）の左
上部分（４Ａ ’ ）をスキャンニングして露光する。
上部分（４Ａ ’ ）をスキャンニングして露光する。
このようにして４個所のモニターパターン（４）の各左
側部分の露光が完了後、本パターン（２）をマスス（１
）全面に渡り順次露光してい＜、ＥＢデータに従って本
パターン（２）を全部露光完了後再びモニターパターン
（４）露光する。つまり、４個所の内方下のモニターパ
−タ（４）における右下部分（４Ｂ）、をスキンして露
光し、右下、右上左上と同じ部分を順次スキンして露光
する。最後にモニターパターン（４）の右上部分を（４
Ｂ ’ ）を、４つのモニターパターンの内の左下から
順次右下、右上、左上と露光する。右上、左上と露光す
る。このような方法をとれば、ストライプの継ぎ部を必
ずチェックすることができ、また、ストライプ内のおよ
び、ストライプ界面の精度のチェックが可能である。
側部分の露光が完了後、本パターン（２）をマスス（１
）全面に渡り順次露光してい＜、ＥＢデータに従って本
パターン（２）を全部露光完了後再びモニターパターン
（４）露光する。つまり、４個所の内方下のモニターパ
−タ（４）における右下部分（４Ｂ）、をスキンして露
光し、右下、右上左上と同じ部分を順次スキンして露光
する。最後にモニターパターン（４）の右上部分を（４
Ｂ ’ ）を、４つのモニターパターンの内の左下から
順次右下、右上、左上と露光する。右上、左上と露光す
る。このような方法をとれば、ストライプの継ぎ部を必
ずチェックすることができ、また、ストライプ内のおよ
び、ストライプ界面の精度のチェックが可能である。
モニターパターン（４）は露光の最初と最後に露光され
るので（４＾）（４＾’ ） （４Ｂ） （４Ｂ ’
）の位置ずれからマスクパターンの長時間ドリフト量が
解ける。
るので（４＾）（４＾’ ） （４Ｂ） （４Ｂ ’
）の位置ずれからマスクパターンの長時間ドリフト量が
解ける。
なお、上記実施例では、モニターパターン（４）をマス
ク内の４個所に配置したが、これ以外の配置でもよく、
同様の効果を奏する また、モニターパターン（４１（４Ａ） （４＾’）（
４Ｂ）（４Ｂ ’ ）の２分割、２ストライプによる方
法にっいて述べたが、これ以外でもよく同様の効果を奏
する。さらにモニターパターン内パターン形状について
図に示すようなパターンについて述べたが、これ以外で
もよ（同様の効果を奏する。
ク内の４個所に配置したが、これ以外の配置でもよく、
同様の効果を奏する また、モニターパターン（４１（４Ａ） （４＾’）（
４Ｂ）（４Ｂ ’ ）の２分割、２ストライプによる方
法にっいて述べたが、これ以外でもよく同様の効果を奏
する。さらにモニターパターン内パターン形状について
図に示すようなパターンについて述べたが、これ以外で
もよ（同様の効果を奏する。
本発明によれば、ＥＢ露光装置により作成された電子ビ
ーム露光の精度を正確に定量的に把握できるため高精度
なフォトマスクの作成が容易となった。特に、ＥＢｉＦ
ｌ光装置で問題となるスキャン幅、ストライプ継ぎ部の
精度がモニターパターンをチェックすることにより、正
確に把握でき、装置の精度をチェックする上で非常に有
効な手段である。モニターパターンを実際に作図露光す
るのに要する時間は極めて短く、本パターンを作図露光
するのに何ら支障を期たさない。
ーム露光の精度を正確に定量的に把握できるため高精度
なフォトマスクの作成が容易となった。特に、ＥＢｉＦ
ｌ光装置で問題となるスキャン幅、ストライプ継ぎ部の
精度がモニターパターンをチェックすることにより、正
確に把握でき、装置の精度をチェックする上で非常に有
効な手段である。モニターパターンを実際に作図露光す
るのに要する時間は極めて短く、本パターンを作図露光
するのに何ら支障を期たさない。
第１図は従来のＥＢ露光装置によるフォトマスクの作成
方法およびフォトマスクを示す説明図、第２図は本発明
によるＥＢｎ光装置の描画方法および、フォトマスクを
示す説明図である０図にお（３）はラスター、（４）は
モニターパターン（４Ａ） （４Ａ ’ ）（４Ｂ）
（４Ｂ’） はモニターパターン内のチェックパターン
、（５）はストライプである。 なお図中同一符号は、同一または相当部分を示す。 代 理 人 大 岩 増 雄第１図
方法およびフォトマスクを示す説明図、第２図は本発明
によるＥＢｎ光装置の描画方法および、フォトマスクを
示す説明図である０図にお（３）はラスター、（４）は
モニターパターン（４Ａ） （４Ａ ’ ）（４Ｂ）
（４Ｂ’） はモニターパターン内のチェックパターン
、（５）はストライプである。 なお図中同一符号は、同一または相当部分を示す。 代 理 人 大 岩 増 雄第１図
Claims (1)
- 電子ビーム露光の精度を確認するためのモニタパターン
を、正規パターン以外に露光形成する電子ビーム露光方
法において、電子ビームを所定ストライプ数スキャンニ
ングして正規パターンを形成するストライプのスキャン
ニングで、モニターパターンを形成するためのスキャン
ニングを２回行って２つのモニタパターンを形成し、か
つこの２つのモニタパターンは隣接または近傍に位置し
て形成されるようにして成る電子ビーム露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63082326A JPS63288018A (ja) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | 電子ビーム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63082326A JPS63288018A (ja) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | 電子ビーム露光方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57217177A Division JPS59105647A (ja) | 1982-12-09 | 1982-12-09 | 電子ビーム露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63288018A true JPS63288018A (ja) | 1988-11-25 |
| JPH0442819B2 JPH0442819B2 (ja) | 1992-07-14 |
Family
ID=13771432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63082326A Granted JPS63288018A (ja) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | 電子ビーム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63288018A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59105647A (ja) * | 1982-12-09 | 1984-06-19 | Mitsubishi Electric Corp | 電子ビーム露光方法 |
-
1988
- 1988-04-05 JP JP63082326A patent/JPS63288018A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59105647A (ja) * | 1982-12-09 | 1984-06-19 | Mitsubishi Electric Corp | 電子ビーム露光方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0442819B2 (ja) | 1992-07-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |