JPH05204132A - レチクル及びその製造方法 - Google Patents
レチクル及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH05204132A JPH05204132A JP1148292A JP1148292A JPH05204132A JP H05204132 A JPH05204132 A JP H05204132A JP 1148292 A JP1148292 A JP 1148292A JP 1148292 A JP1148292 A JP 1148292A JP H05204132 A JPH05204132 A JP H05204132A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reticle
- wafer
- pattern
- exposure
- reticule
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Image Processing (AREA)
- Image Analysis (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 縮小投影のウエーハ露光に用いるレチクルに
関し、レチクル露光の隣合うショット領域相互間の寸法
の誤差を検査することが可能なレチクル及びその製造方
法の提供を目的とする。 【構成】 レチクルは、１で示され、レチクル１を製造
するレチクル露光の隣合うショット領域３に跨がるパタ
ーン４のショット領域３のつなぎ目に、ウエーハ露光に
よりウエーハ上で連接される隙間のスリット５を有する
ように構成し、製造方法は、レチクル露光の隣合うショ
ット領域３に跨がるパターン４に対して、ショット領域
３のつなぎ目にウエーハ露光によりウエーハ上で連接さ
れる隙間のスリット５を形成し、スリット５の隙間寸法
を測定して前記ショット領域３相互間の寸法の誤差を検
査するように構成する。２はレチクル１上のパターン領
域、６はウエーハ、７はパターン４の投影によるウエー
ハ６上のパターン、である。
関し、レチクル露光の隣合うショット領域相互間の寸法
の誤差を検査することが可能なレチクル及びその製造方
法の提供を目的とする。 【構成】 レチクルは、１で示され、レチクル１を製造
するレチクル露光の隣合うショット領域３に跨がるパタ
ーン４のショット領域３のつなぎ目に、ウエーハ露光に
よりウエーハ上で連接される隙間のスリット５を有する
ように構成し、製造方法は、レチクル露光の隣合うショ
ット領域３に跨がるパターン４に対して、ショット領域
３のつなぎ目にウエーハ露光によりウエーハ上で連接さ
れる隙間のスリット５を形成し、スリット５の隙間寸法
を測定して前記ショット領域３相互間の寸法の誤差を検
査するように構成する。２はレチクル１上のパターン領
域、６はウエーハ、７はパターン４の投影によるウエー
ハ６上のパターン、である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は縮小投影のウエーハ露光
に用いるレチクル及びその製造方法に関する。
に用いるレチクル及びその製造方法に関する。
【０００２】半導体装置の製造では、ウエーハ上のパタ
ーン形成に上記レチクルを用いる露光が賞用されている
が、パターンの微細化に伴いレチクルには厳しい精度が
要求されてきている。その対応には、レチクル検査の精
度向上が望まれる。
ーン形成に上記レチクルを用いる露光が賞用されている
が、パターンの微細化に伴いレチクルには厳しい精度が
要求されてきている。その対応には、レチクル検査の精
度向上が望まれる。
【０００３】
【従来の技術】従来のレチクル検査は、レチクル上に
設けた複数の特定パターン相互間の寸法測定、レチク
ル上のパターンと検査データのパターンとの照合、レ
チクル上の繰り返しパターン相互間の照合、などによっ
ている。上記はパターン全体としての大小の検査であ
る。上記，は、パターンにおける欠陥有無の検査が
主であり、パターンの部分的な位置ずれもそのずれがか
なり大きい場合に検出可能である。
設けた複数の特定パターン相互間の寸法測定、レチク
ル上のパターンと検査データのパターンとの照合、レ
チクル上の繰り返しパターン相互間の照合、などによっ
ている。上記はパターン全体としての大小の検査であ
る。上記，は、パターンにおける欠陥有無の検査が
主であり、パターンの部分的な位置ずれもそのずれがか
なり大きい場合に検出可能である。
【０００４】ところで、レチクルの製造におけるパター
ン形成のレチクル露光には、一般に電子ビーム露光を用
いている。この電子ビーム露光は、パターン領域を多数
に分割して露光のショット領域となし、そのショット領
域を連接させて個々に露光するものである。
ン形成のレチクル露光には、一般に電子ビーム露光を用
いている。この電子ビーム露光は、パターン領域を多数
に分割して露光のショット領域となし、そのショット領
域を連接させて個々に露光するものである。
【０００５】このため、レチクル露光において一部のシ
ョット領域に位置ずれが生ずると、部分的な位置ずれを
有するパターンが形成されてレチクルの精度が低下し、
製造する半導体装置の品質を低下させることになる。そ
こで、上記パターンの部分的な位置ずれもレチクル検査
によって検出することが望まれ、上記またはの検査
にその検出を期待するが、上記位置ずれがかなり大きく
ない限り検出することができない。
ョット領域に位置ずれが生ずると、部分的な位置ずれを
有するパターンが形成されてレチクルの精度が低下し、
製造する半導体装置の品質を低下させることになる。そ
こで、上記パターンの部分的な位置ずれもレチクル検査
によって検出することが望まれ、上記またはの検査
にその検出を期待するが、上記位置ずれがかなり大きく
ない限り検出することができない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記位置ずれを精度良
く検出するためには、レチクル露光の隣合うショット領
域相互間の寸法の誤差を検査することが可能になれば良
い。
く検出するためには、レチクル露光の隣合うショット領
域相互間の寸法の誤差を検査することが可能になれば良
い。
【０００７】そこで本発明は、縮小投影のウエーハ露光
に用いるレチクルに関し、レチクル露光の隣合うショッ
ト領域相互間の寸法の誤差を検査することが可能なレチ
クル及びその製造方法の提供を目的とする。
に用いるレチクルに関し、レチクル露光の隣合うショッ
ト領域相互間の寸法の誤差を検査することが可能なレチ
クル及びその製造方法の提供を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明によるレチクルは、縮小投影のウエーハ露光
に用いるレチクルであって、該レチクルを製造するレチ
クル露光の隣合うショット領域に跨がるパターンの前記
ショット領域のつなぎ目に、ウエーハ露光によりウエー
ハ上で連接される隙間のスリットを有することを特徴と
している。
に、本発明によるレチクルは、縮小投影のウエーハ露光
に用いるレチクルであって、該レチクルを製造するレチ
クル露光の隣合うショット領域に跨がるパターンの前記
ショット領域のつなぎ目に、ウエーハ露光によりウエー
ハ上で連接される隙間のスリットを有することを特徴と
している。
【０００９】また、製造方法は、縮小投影のウエーハ露
光に用いるレチクルの製造において、レチクル露光の隣
合うショット領域に跨がるパターンに対して、前記ショ
ット領域のつなぎ目にウエーハ露光によりウエーハ上で
連接される隙間のスリットを形成し、該スリットの隙間
寸法を測定して前記ショット相互間の寸法の誤差を検査
することを特徴としている。
光に用いるレチクルの製造において、レチクル露光の隣
合うショット領域に跨がるパターンに対して、前記ショ
ット領域のつなぎ目にウエーハ露光によりウエーハ上で
連接される隙間のスリットを形成し、該スリットの隙間
寸法を測定して前記ショット相互間の寸法の誤差を検査
することを特徴としている。
【００１０】
【作用】上記隣合うショット領域に跨がるパターンは、
上記スリットによりレチクル上で切り離されているが、
そのスリットの部分がウエーハ露光によりウエーハ上で
連接する。従って、このレチクルは、上記スリットが存
在してもウエーハ露光に対する機能に支障を来さない。
上記スリットによりレチクル上で切り離されているが、
そのスリットの部分がウエーハ露光によりウエーハ上で
連接する。従って、このレチクルは、上記スリットが存
在してもウエーハ露光に対する機能に支障を来さない。
【００１１】そして、このスリットが隣合うショット領
域のつなぎ目に位置することから、スリットの一方の端
は一方のショット領域の位置の指標となり、他方の端は
他方のショット領域の位置の指標となるので、スリット
の隙間寸法を測定することによりショット領域相互間の
寸法の誤差を検査することができる。即ち、その誤差
は、ショット領域相互間の寸法が正しく所定にある時の
スリット隙間寸法を所定隙間寸法として、測定した隙間
寸法と所定隙間寸法の差によって求められる。然も、上
記誤差の検査は、上記隙間寸法の測定が小間隔の測定で
あって高精度に行い得るので、所望の誤差を精度良く求
めることができる。
域のつなぎ目に位置することから、スリットの一方の端
は一方のショット領域の位置の指標となり、他方の端は
他方のショット領域の位置の指標となるので、スリット
の隙間寸法を測定することによりショット領域相互間の
寸法の誤差を検査することができる。即ち、その誤差
は、ショット領域相互間の寸法が正しく所定にある時の
スリット隙間寸法を所定隙間寸法として、測定した隙間
寸法と所定隙間寸法の差によって求められる。然も、上
記誤差の検査は、上記隙間寸法の測定が小間隔の測定で
あって高精度に行い得るので、所望の誤差を精度良く求
めることができる。
【００１２】
【実施例】以下本発明の実施例について図１を用いて説
明する。図１の（ａ）はレチクルの平面図、（ｂ）はパ
ターンに設けるスリットを示す平面図、（ｃ）はウエー
ハ上に形成されるパターンを示す平面図、である。図
中、１はレチクル、２はパターン領域、３はショット領
域、４は隣合うショット領域に跨がるパターン、５はス
リット、６はウエーハ、７はパターン４の投影によるウ
エーハ６上のパターン、を示す。
明する。図１の（ａ）はレチクルの平面図、（ｂ）はパ
ターンに設けるスリットを示す平面図、（ｃ）はウエー
ハ上に形成されるパターンを示す平面図、である。図
中、１はレチクル、２はパターン領域、３はショット領
域、４は隣合うショット領域に跨がるパターン、５はス
リット、６はウエーハ、７はパターン４の投影によるウ
エーハ６上のパターン、を示す。
【００１３】図１（ａ）において、実施例のレチクル１
は後述のスリット５を除けば従来と同様のものである。
そして、パターン領域２上のパターン（図示省略）は、
レチクル露光によって形成されておりその露光が先に述
べた電子ビーム露光であるので、連接するショット領域
３のパターンの合成になっている。
は後述のスリット５を除けば従来と同様のものである。
そして、パターン領域２上のパターン（図示省略）は、
レチクル露光によって形成されておりその露光が先に述
べた電子ビーム露光であるので、連接するショット領域
３のパターンの合成になっている。
【００１４】さて図１（ｂ）において、ここには本発明
によるスリット５を示してある。スリット５は、隣合う
ショット領域３に跨がるパターン４のショット領域３の
つなぎ目に設けてある。スリット５の隙間寸法は、ウエ
ーハ露光によりウエーハ上で連接される大きさにしてあ
り、ウエーハ露光の縮小倍率が１／５の場合に１μm程
度以下であれば良い。但し、ウエーハ露光の解像能が高
まればそれに合わせてより小さくする必要がある。
によるスリット５を示してある。スリット５は、隣合う
ショット領域３に跨がるパターン４のショット領域３の
つなぎ目に設けてある。スリット５の隙間寸法は、ウエ
ーハ露光によりウエーハ上で連接される大きさにしてあ
り、ウエーハ露光の縮小倍率が１／５の場合に１μm程
度以下であれば良い。但し、ウエーハ露光の解像能が高
まればそれに合わせてより小さくする必要がある。
【００１５】そして、このレチクル１を用いてウエーハ
露光を行えば、パターン４にスリット５が存在するにも
かかわらずウエーハ露光のぼけにより、図１（ｃ）に示
すように、ウエーハ６上にはパターン４の投影としてス
リット５に該当する部分が連接したパターン７が形成さ
れる。パターン７には上記連接部分がくびれるように若
干の食い込み７ａが生ずるが、その食い込み７ａはパタ
ーンの欠陥となるよりははるかに小さなものであり問題
にならない。
露光を行えば、パターン４にスリット５が存在するにも
かかわらずウエーハ露光のぼけにより、図１（ｃ）に示
すように、ウエーハ６上にはパターン４の投影としてス
リット５に該当する部分が連接したパターン７が形成さ
れる。パターン７には上記連接部分がくびれるように若
干の食い込み７ａが生ずるが、その食い込み７ａはパタ
ーンの欠陥となるよりははるかに小さなものであり問題
にならない。
【００１６】上述したスリット５は、図１（ｂ）におけ
る左側のショット領域３の露光によりパターン４のスリ
ット５より左側を形成し、右側のショット領域３の露光
により同じくパターン４の右側を形成することによって
形成する。従って、スリット５の左側の端は上記左側の
ショット領域３の位置の指標となり、同じく右側の端は
上記右側のショット領域３の位置の指標となる。
る左側のショット領域３の露光によりパターン４のスリ
ット５より左側を形成し、右側のショット領域３の露光
により同じくパターン４の右側を形成することによって
形成する。従って、スリット５の左側の端は上記左側の
ショット領域３の位置の指標となり、同じく右側の端は
上記右側のショット領域３の位置の指標となる。
【００１７】このことから、レチクル検査においてスリ
ット５の隙間寸法を測定するようにすれば、先に説明し
たように、両ショット領域３相互間の寸法の誤差を精度
良く求めることができて、ショット領域３の位置ずれに
よるレチクル１の精度低下に対する検査精度が向上す
る。
ット５の隙間寸法を測定するようにすれば、先に説明し
たように、両ショット領域３相互間の寸法の誤差を精度
良く求めることができて、ショット領域３の位置ずれに
よるレチクル１の精度低下に対する検査精度が向上す
る。
【００１８】然も、その検査は、スリット５を設ける箇
所を分散配置により配置可能箇所の数よりもはるかに少
なく例えば８箇所程度とすることができるので、長時間
を要しないで行うことができる。上記分散配置で良いの
は、ショット領域３の位置ずれが、レチクル露光の装置
の不調に起因しており、生ずるとなるとある程度連続し
て生ずるからである。
所を分散配置により配置可能箇所の数よりもはるかに少
なく例えば８箇所程度とすることができるので、長時間
を要しないで行うことができる。上記分散配置で良いの
は、ショット領域３の位置ずれが、レチクル露光の装置
の不調に起因しており、生ずるとなるとある程度連続し
て生ずるからである。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、縮
小投影のウエーハ露光に用いるレチクルに関し、レチク
ル露光の隣合うショット領域相互間の寸法の誤差を検査
することが可能なレチクル及びその製造方法の提供され
て、レチクル検査の精度向上が可能となり、製造する半
導体装置の上記誤差に伴う品質低下の防止を可能にさせ
る効果がある。
小投影のウエーハ露光に用いるレチクルに関し、レチク
ル露光の隣合うショット領域相互間の寸法の誤差を検査
することが可能なレチクル及びその製造方法の提供され
て、レチクル検査の精度向上が可能となり、製造する半
導体装置の上記誤差に伴う品質低下の防止を可能にさせ
る効果がある。
【図１】 実施例を説明するための図で、（ａ）はレチ
クルの平面図、（ｂ）はパターンに設けるスリットを示
す平面図、（ｃ）はウエーハ上に形成されるパターンを
示す平面図
クルの平面図、（ｂ）はパターンに設けるスリットを示
す平面図、（ｃ）はウエーハ上に形成されるパターンを
示す平面図
１ レチクル ２ パターン領域 ３ ショット領域 ４ 隣合うショット領域に跨がるパターン ５ スリット ６ ウエーハ ７ ウエーハ上のパターン ７ａ 食い込み
Claims (2)
- 【請求項１】 縮小投影のウエーハ露光に用いるレチク
ルであって、該レチクルを製造するレチクル露光の隣合
うショット領域に跨がるパターンの前記ショット領域の
つなぎ目に、ウエーハ露光によりウエーハ上で連接され
る隙間のスリットを有することを特徴とするレチクル。 - 【請求項２】 縮小投影のウエーハ露光に用いるレチク
ルの製造において、レチクル露光の隣合うショット領域
に跨がるパターンに対して、前記ショット領域のつなぎ
目にウエーハ露光によりウエーハ上で連接される隙間の
スリットを形成し、該スリットの隙間寸法を測定して前
記ショット領域相互間の寸法の誤差を検査することを特
徴とするレチクルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1148292A JPH05204132A (ja) | 1992-01-27 | 1992-01-27 | レチクル及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1148292A JPH05204132A (ja) | 1992-01-27 | 1992-01-27 | レチクル及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05204132A true JPH05204132A (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=11779274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1148292A Pending JPH05204132A (ja) | 1992-01-27 | 1992-01-27 | レチクル及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05204132A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6197452B1 (en) | 1997-09-17 | 2001-03-06 | Nec Corporation | Light exposure pattern mask with dummy patterns and production method of the same |
-
1992
- 1992-01-27 JP JP1148292A patent/JPH05204132A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6197452B1 (en) | 1997-09-17 | 2001-03-06 | Nec Corporation | Light exposure pattern mask with dummy patterns and production method of the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20001114 |