JPS5919318A - 転写パタ−ンの位置ずれ検査方法および転写パタ−ンマスク - Google Patents
転写パタ−ンの位置ずれ検査方法および転写パタ−ンマスクInfo
- Publication number
- JPS5919318A JPS5919318A JP57127552A JP12755282A JPS5919318A JP S5919318 A JPS5919318 A JP S5919318A JP 57127552 A JP57127552 A JP 57127552A JP 12755282 A JP12755282 A JP 12755282A JP S5919318 A JPS5919318 A JP S5919318A
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- Japan
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はパターン転写、特に同一のマスクにて複数個の
パターンを配列転写する場合に有効な転写パターンの位
置ずｎ検査方法お工び転写パターンマスクに関するもの
である。
パターンを配列転写する場合に有効な転写パターンの位
置ずｎ検査方法お工び転写パターンマスクに関するもの
である。
牛導体装置の製造技術においては、ホトマスクやウェー
ハの製造にパターン転写を行なっており、ホトマスクの
場合にはレチクルパターンを、またウェーハＫｄマスク
パターンを夫々転写はせてｂる。ところで、％にレチク
ルからホトマスクをパターン転写にて製造する場合には
所謂ステップアンドリピート法によって、レチクルパタ
ーンｆｅ縮小しながらマスク上に折目状に転写する方法
が利用さｎることが多い。しかしながら、このようにし
て形成されたパターンは、こｎがそのままウェーハ上に
形成さｎる回路素子パターンとして使用され、ウェーハ
エ程の完成後にはダイシング装置によって複数個の方杉
ベレットに切断されることになるため、各折目に相当す
る単位パターン（レチクルの縮小パターン）は隣接する
単位パターンとの間が常に一定のピッチ（縦、横の両方
向のピッチ）でしかも角度誤差が生じないように形成し
なければならない。
ハの製造にパターン転写を行なっており、ホトマスクの
場合にはレチクルパターンを、またウェーハＫｄマスク
パターンを夫々転写はせてｂる。ところで、％にレチク
ルからホトマスクをパターン転写にて製造する場合には
所謂ステップアンドリピート法によって、レチクルパタ
ーンｆｅ縮小しながらマスク上に折目状に転写する方法
が利用さｎることが多い。しかしながら、このようにし
て形成されたパターンは、こｎがそのままウェーハ上に
形成さｎる回路素子パターンとして使用され、ウェーハ
エ程の完成後にはダイシング装置によって複数個の方杉
ベレットに切断されることになるため、各折目に相当す
る単位パターン（レチクルの縮小パターン）は隣接する
単位パターンとの間が常に一定のピッチ（縦、横の両方
向のピッチ）でしかも角度誤差が生じないように形成し
なければならない。
このため、完成さｎ７ｔマスクではこれらのピッチや角
度の′Ｉｆ１１度を検査する必要がめり、従来から種々
の検査装置が提案されている。しかしながら、従来のも
のはいずれも各単位パターンのパターン全直接的に対比
観察する原理に基づくものが多く、このため観察糸が２
個必要とされる等構造が複雑なものになると共に検査作
業が難かしいという不具合がおる。ｌた、縦方同、＃ｉ
方向のピッチの検査Ｉｔ度の作業で行なうことも難かし
いという問題もある。
度の′Ｉｆ１１度を検査する必要がめり、従来から種々
の検査装置が提案されている。しかしながら、従来のも
のはいずれも各単位パターンのパターン全直接的に対比
観察する原理に基づくものが多く、このため観察糸が２
個必要とされる等構造が複雑なものになると共に検査作
業が難かしいという不具合がおる。ｌた、縦方同、＃ｉ
方向のピッチの検査Ｉｔ度の作業で行なうことも難かし
いという問題もある。
したがって本発明の目的は転写パターンの位置ずれｔ′
簡単に検出することができる転写パターンの位置すれ検
出方法およびこれに使用する転写パターンマスクを提供
することにある。
簡単に検出することができる転写パターンの位置すれ検
出方法およびこれに使用する転写パターンマスクを提供
することにある。
この目的を達成するために本発明方法は各単位ハターソ
ノ転写時に、隣接する単位パターンの各位置検出マーク
が重なり合う様にし、かつこれにより枠状に形成された
位置検出マークの形状を検査することにより各単位パタ
ーン間におけるピッチずｎや角度ずれ等の位置ずｎを検
出し得るようにしたものである。
ノ転写時に、隣接する単位パターンの各位置検出マーク
が重なり合う様にし、かつこれにより枠状に形成された
位置検出マークの形状を検査することにより各単位パタ
ーン間におけるピッチずｎや角度ずれ等の位置ずｎを検
出し得るようにしたものである。
また、本発明の転写パターンマスクは、マスクのパター
ン領域内に形成した位置検出マークと寸法の異なる位置
検出マーク全パターン領域外でかつ隣接する単位パター
ンのパターン領塚内に相当する位置に形成したものであ
る。
ン領域内に形成した位置検出マークと寸法の異なる位置
検出マーク全パターン領域外でかつ隣接する単位パター
ンのパターン領塚内に相当する位置に形成したものであ
る。
以下、本発明全図示の実施例により説明する。
先ず、本発明に係る転写パターンマスクについて説明し
、次にこのマスクを用いた本発明方法全説明する。第１
図は本発明の転写パターンマスクをレチクル１としてｍ
成した例で６９、略正方形に形成した不透明基板２の中
央位置に所定パターン領域３ｔ−長方形状に形成してい
る。このパターン領域３には素子回ｗＩｔ−構成するパ
ターンが形成さ扛るのは勿論であるが、その隅部には例
えば両型の位置検出マーク４全不透明パターンとして形
成している。本実施例ではこの位置検出マーク４はパタ
ーン領域３の右側上、下と左側下の三隅に夫々１個づつ
計３個形成している。葦た、前６ｃ不透明基板２のパタ
ーン領域３の周囲位置の不透明な部分には、透明な位置
検出マーク５ｔ−計３個形成している。こｎらの位置検
出マーク５に前記パターン領域内の位置検出マーク４工
りも−回り年式〈形成しており、かつパターン領域３の
外側の右側上と、左側上、下に夫々形成している。そし
て、この位置は、レチクル１を１ピツチ左または石に移
動したときに一方の位置検出マーク４又は５が存在して
いた位置に他方の位置検出マーク５又は４が移動位置さ
ｎる工うになっている。
、次にこのマスクを用いた本発明方法全説明する。第１
図は本発明の転写パターンマスクをレチクル１としてｍ
成した例で６９、略正方形に形成した不透明基板２の中
央位置に所定パターン領域３ｔ−長方形状に形成してい
る。このパターン領域３には素子回ｗＩｔ−構成するパ
ターンが形成さ扛るのは勿論であるが、その隅部には例
えば両型の位置検出マーク４全不透明パターンとして形
成している。本実施例ではこの位置検出マーク４はパタ
ーン領域３の右側上、下と左側下の三隅に夫々１個づつ
計３個形成している。葦た、前６ｃ不透明基板２のパタ
ーン領域３の周囲位置の不透明な部分には、透明な位置
検出マーク５ｔ−計３個形成している。こｎらの位置検
出マーク５に前記パターン領域内の位置検出マーク４工
りも−回り年式〈形成しており、かつパターン領域３の
外側の右側上と、左側上、下に夫々形成している。そし
て、この位置は、レチクル１を１ピツチ左または石に移
動したときに一方の位置検出マーク４又は５が存在して
いた位置に他方の位置検出マーク５又は４が移動位置さ
ｎる工うになっている。
次に、本発明方法を前記転写パターンマスクのｋＪ−、
ｌ−、！：合わせて説明する。転与パターンマスク、即
ちレチクルｌは第２図に示す工うに略水平に支持し、そ
の上ｆｉｌｌには光源６ｔ５下側には結像レンズ７を夫
々起重する。レチクルパターンが転写さｎるマスク８は
例えば表面にポジレジストを迩布し、前記結像レンズ７
による結像面位置に配設しｆ？：、ＸＹテーブル９上に
載置する。しかる上で、マスク８０１箇所にレチクルパ
ターンヲ転写（焼き付け）した後、ＸＹテーブル９を作
動してマスク８を横方向へ１ピンチ移動させ、先ＩＣ４
ｉ写した位置の障りに同様にして転写全行なう。以下、
これを繰り返し、マスクの９ｓ部−変で行なったら縦方
向に移動はせた上で再び横移動金繰Ｖ返せば、マスク８
に折目状にパターン転写を完成することができる。
ｌ−、！：合わせて説明する。転与パターンマスク、即
ちレチクルｌは第２図に示す工うに略水平に支持し、そ
の上ｆｉｌｌには光源６ｔ５下側には結像レンズ７を夫
々起重する。レチクルパターンが転写さｎるマスク８は
例えば表面にポジレジストを迩布し、前記結像レンズ７
による結像面位置に配設しｆ？：、ＸＹテーブル９上に
載置する。しかる上で、マスク８０１箇所にレチクルパ
ターンヲ転写（焼き付け）した後、ＸＹテーブル９を作
動してマスク８を横方向へ１ピンチ移動させ、先ＩＣ４
ｉ写した位置の障りに同様にして転写全行なう。以下、
これを繰り返し、マスクの９ｓ部−変で行なったら縦方
向に移動はせた上で再び横移動金繰Ｖ返せば、マスク８
に折目状にパターン転写を完成することができる。
そして、このとき、ｖｉ４接する単位パターン１０ａ。
１０ ｂ 間では、−のパターンの転写時にパターン領
域内に形成さｎた位置検出マーク４ｒＣは、次のパター
ンの転写時にパターン領域外の位置検出マーク５が重ね
て転写ざｎるので、給米として形成される位置検出マー
クパターンは、Ｍ３図に拡大図示する工うに、中を状（
枠状）をした位を検出マークパターン１１となる。
域内に形成さｎた位置検出マーク４ｒＣは、次のパター
ンの転写時にパターン領域外の位置検出マーク５が重ね
て転写ざｎるので、給米として形成される位置検出マー
クパターンは、Ｍ３図に拡大図示する工うに、中を状（
枠状）をした位を検出マークパターン１１となる。
したがって、この工うにして形成ざｎたマークパターン
１１は、本来では位置検出マーク番によって形成された
外縁縁４ａ、４ｂと、位置検出マーク５によって形成さ
れた内縁巌５ａ、５ｂとが平行でかつ同心的な位置関係
にめり、図示の＆Ｉ＋ａｍ ＋ｋ）１．ｋｌｌの寸法に
はａＩ＝ａ１ 、ｂＩ＝ｂｓの関係が確保される。しか
るに、−のパターンと次のパターンとの間にピッチすｎ
或いは角度ずれ、更には縦方向のずれが発生していると
、ａｔ ’？ａｍ或いはｂｔ’ｅｂｓの関係が生ずるこ
とになる。このため、マークパターン１１を拡大観察し
てａｌ ＋ ａｌ ｌ １）１ ＊ ｂｌの寸法
を目測丁れば大略的な位置ずれ會極めて簡単に検査でき
、更に各寸法全寸法測定器を用いて測定子ｎば高精度に
検査を行なうことができる。いすｎにしても、マークパ
ターン１１を独立して検査するだけで位置ずれの検＊を
行なうことができる。
１１は、本来では位置検出マーク番によって形成された
外縁縁４ａ、４ｂと、位置検出マーク５によって形成さ
れた内縁巌５ａ、５ｂとが平行でかつ同心的な位置関係
にめり、図示の＆Ｉ＋ａｍ ＋ｋ）１．ｋｌｌの寸法に
はａＩ＝ａ１ 、ｂＩ＝ｂｓの関係が確保される。しか
るに、−のパターンと次のパターンとの間にピッチすｎ
或いは角度ずれ、更には縦方向のずれが発生していると
、ａｔ ’？ａｍ或いはｂｔ’ｅｂｓの関係が生ずるこ
とになる。このため、マークパターン１１を拡大観察し
てａｌ ＋ ａｌ ｌ １）１ ＊ ｂｌの寸法
を目測丁れば大略的な位置ずれ會極めて簡単に検査でき
、更に各寸法全寸法測定器を用いて測定子ｎば高精度に
検査を行なうことができる。いすｎにしても、マークパ
ターン１１を独立して検査するだけで位置ずれの検＊を
行なうことができる。
因みにずれ倉Δａ、△ｂは次式により求められる。
Δａ−Ｃａｔ ａｌ ）／２ 、Δｂ＝（ｂｉ −ｂ
ｌ）／ ２ここで、パターン領域外に設けた位置検出マ
ーク５は、レチクルにおけるパターン領域３の上下方向
に形成しても工く、上下（縦）方向に隣接される単位パ
ターン間での位置ずれｔ検出できる。
ｌ）／ ２ここで、パターン領域外に設けた位置検出マ
ーク５は、レチクルにおけるパターン領域３の上下方向
に形成しても工く、上下（縦）方向に隣接される単位パ
ターン間での位置ずれｔ検出できる。
また、本発明はホトマスクを用いてウエーノ＼上にパタ
ーン転写を行なう場合にも適用できる。
ーン転写を行なう場合にも適用できる。
以上のように本発明は隣接する単位パターンの転写時に
夫々のパターン領域の内部と外部に設けた位置検出マー
クが１合する工うにし、これにより形成されたマークパ
ターンを検査して各単位パターン間での位置ずれを検査
する工うにしているので、位置ずれ検査を極めて簡単に
行なうことができると共に検査装置の構造を簡略化でき
、しかもＳｉ梢精度かつ迅速に検査上行なうことができ
るという効果を奏する。
夫々のパターン領域の内部と外部に設けた位置検出マー
クが１合する工うにし、これにより形成されたマークパ
ターンを検査して各単位パターン間での位置ずれを検査
する工うにしているので、位置ずれ検査を極めて簡単に
行なうことができると共に検査装置の構造を簡略化でき
、しかもＳｉ梢精度かつ迅速に検査上行なうことができ
るという効果を奏する。
第１図は本発明の転写パターンマスクの平面図、第２図
は本発明方法を説明するための転写状態を示す概略斜視
図、 第３図は位置検出マークパターンの拡大図である。 １・・・レチクル（転写パターンマスク）、３・・・パ
ターン領域、４，５・・・位置検出マーク、６・・・光
源、７・・・結像レンズ、８・・・マスク、９・・・Ｘ
Ｙｆ−７’ル、１０ａ 、１０ｂ・・・単位パターン、
１１・・・位置検出マークパターン。 第 ２ 図
は本発明方法を説明するための転写状態を示す概略斜視
図、 第３図は位置検出マークパターンの拡大図である。 １・・・レチクル（転写パターンマスク）、３・・・パ
ターン領域、４，５・・・位置検出マーク、６・・・光
源、７・・・結像レンズ、８・・・マスク、９・・・Ｘ
Ｙｆ−７’ル、１０ａ 、１０ｂ・・・単位パターン、
１１・・・位置検出マークパターン。 第 ２ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、転写パターンマスクのパターンｔ−７Ｎ定のピッチ
にて繰返して転写し友転写パターンの各単位パターン間
の位置ずれを検査するＶｃ＠シ、前記転写パターンマス
クのパターン領域の内外に夫々形成し足位置検出マーク
が、−の単位パターンと隣接する単位パターンの各転写
時に互に重合するようにして転写を行ない、これに工り
形成さｎた位置検出マークパターンを観察して位置ずｎ
を検査することを特徴とする転写パターンの位置ずれ検
査方法。 ２、パターン領域内外に形成した各位置検出マークは大
きさを相違式せてなる特許請求の範囲第１項記載の転写
パターンの位置ずれ検査方法。 ３、所定の回路パターンを形成したバタービ領域内に一
方の位置検出マークを形成すると共に、パターン領域外
には他方の位置検出マーク全形成し、これら両方のマー
クは隣り合って転写した単位パターン間で互に重合する
工うな相対位置に配置したことを特徴とする転写パター
ンマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57127552A JPS5919318A (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | 転写パタ−ンの位置ずれ検査方法および転写パタ−ンマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57127552A JPS5919318A (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | 転写パタ−ンの位置ずれ検査方法および転写パタ−ンマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5919318A true JPS5919318A (ja) | 1984-01-31 |
Family
ID=14962827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57127552A Pending JPS5919318A (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | 転写パタ−ンの位置ずれ検査方法および転写パタ−ンマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5919318A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6232614A (ja) * | 1985-08-03 | 1987-02-12 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 精度検査方法及び該検査機能を有する露光装置 |
| JPH0215545A (ja) * | 1988-07-01 | 1990-01-19 | Hitachi Ltd | Ｘ線マスクの欠陥検査方法及びその装置 |
| JP2001312069A (ja) * | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Canon Inc | 液晶パネル用走査型露光装置および走査型露光方法 |
-
1982
- 1982-07-23 JP JP57127552A patent/JPS5919318A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6232614A (ja) * | 1985-08-03 | 1987-02-12 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 精度検査方法及び該検査機能を有する露光装置 |
| JPH0215545A (ja) * | 1988-07-01 | 1990-01-19 | Hitachi Ltd | Ｘ線マスクの欠陥検査方法及びその装置 |
| JP2001312069A (ja) * | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Canon Inc | 液晶パネル用走査型露光装置および走査型露光方法 |
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