JPS63134A - レチクルの検査方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ〉産業上の利用分野 本発明は半導体装置の製造に用いられるフォトマスクの
原板であるレチクルの検査方法に関する。

く口）従来の技術 半導体装置の高性能化、高集積化に伴い、回路パターン
は複雑になりかつ微細加工で作られるようになってきた
。そのため、現在では設計パターンをベースとしてＣＡ
Ｄ手法によりレチクルに所定回路パターンを形成してい
る。この回路パターンの形成は例えば特開昭６１−６９
１３１号公報に記４ｋ”れているように、パターンジェ
ネレータあるいは電子ビーム露光装置を使用して行なわ
れ、そしてマスク・マスクあるいはウェハ上のレジスト
への回路パターンの転写が反射型投影露光方式あるいは
縮小投影によるステップアンドレピート方式で行なわれ
ている。

そして上記パターンジェネレータによるレチクルへの回
路パターンの形成は、バリアプルアパーチャと呼ばれる
長さ及び幅が任意に設定可能なマスクで形成した矩形パ
ターンをＸ方向及びＹ方向に進退自在なＸＹステージに
円管されたレチクルの所定の位置に露光し、設計データ
に応じて前記矩形パターンの大きさと前記所定の位置を
変えて順次反復露光することにより形成する。従って前
記ＸＹステージに何らかの異常があると矩形パターンが
設計データに対してずれた位置に露光され、即半導体装
置の不良に結びつくために絶対に避けなければならない
。

従来よりこのようなレチクルの検査及び評価方法として
は、回路パターンの構造−部分ごとに寸法を測定しかつ
目視検査により行なわれていた。

（ハ）発明が解決しようとする問題点 しかしながら斯上した方法では検査に膨大な時間と労力
を要する欠点があった。また、回路パターンは製品ごと
に異るものであって、構成−部分でのパターン寸法を測
定して設計値と比較することは統一性が無くめんどうな
ことであった。

（ニ）問題点を解決するための手段 本発明は斯上した欠点に鑑みてなされ、レチクルの余白
部に反復露光の初期に形成した第１の検査パターンと該
第１のパターンに重畳あるいは隣接して反復露光の終期
に形成した第２の検査パターンとを具備し、この第１、
第２の検査パターンの位置関係を評価することによって
簡便なレチクルの検査方法を提供するものである。

（＊）作用 本発明によれば、ＣＡＤデータによるＸＹステージの制
御が、Ａ点からＢ点へ移動し更に０点へ移動する際Ｂ点
を基準として０点に移動するように制御されており、反
復露光の途中でＸＹステージに何らかの異常があるとそ
の後の矩形パターンは全て設計データとは異る位置に露
光されるため、反復露光の初期に形成した第１の検査パ
ターンに対して反復露光の終期に形成した第２の検査パ
ターンが正常な位置にあれば露光中ＸＹステージに何ら
異常が無かったことの証明となり、位置がずれていれば
何らかの異常があったことの証明になる。

（へ）実施例 以下、本発明を図面を参照しながら詳細に説明する。

第１図は本発明によるレチクルの概略を示す平面図であ
る。

レチクル基板（１）に通常方法、例えばパターンジェネ
レータ又は電子ビーム露光装置をＣＡＤ手法で操作して
レチクル（１）中央部に所定回路パターン（２）を形成
し、余白部には露光装置ヘセットする際の位置合せマー
クとなる十字形と１字形のフイドウシャルマーク（３）
を形成する。ここで本実施例ではより簡便さを増すため
にレチクルに必ず設けられるフィドウシャルマーク（３
）の−方（十字形）を第１の検査パターン（４）として
流用する。

そして所定回路パターン（２）を描画するに際し、まず
最初にフィドウシャルマーク（３）の十字形マークを第
１の検査パターン（４）として露光し、次にＣＡＤデー
タに従って所定回路パターン（２）を描画し、最後にフ
ィドウシャルマーク（３）の１字形マークを露光してか
ら第１の検査パターン（４）の略中央に重畳して第２の
検査パターン（５）を露光・形成する。

レチクル（１）に形成する所定回路パターン（２）は半
導体装置に形成されるパターンに比べ１０倍程度の倍率
で形成きれるので、実際には第２図に示す如く、第１の
検査パターン（４）は幅ａが約２５μｍ１長さｂが約６
００μｍの十字形マークとし、第２の検査マーク（５）
は１辺Ｃが約５０μｍの正方形マークとしである。

このようにして設けた本発明の特徴とする第１、第２の
検査パターン（４）（５）を用いれば、容易にＸＹステ
ージの確認が行なえる。つまり、第２の検査パターン（
５）が第１の検査パターン（４）に対して設計値どうり
中心に位置していれば露光中ＸＹステージに異常が無か
ったことの証明であり且つ所定回路パターン（２）が正
常に形成きれたことの証明である。仮にやや中心からず
れて形成されていたならば、そのずれを測定して得られ
た測定値が規格内であるか否かあるいは従来の如く所定
回路パターン（２）の構造の一部を測定して再度検討す
れば良い。これはＣＡＤデータによるＸＹステージの制
御が、Ａ点からＢ点に移動し更に、０点に移動する場合
、Ｂ点を基準として０点に移動するように制御されてお
り、反復露光の途中で１個所でもずれた位置に露光され
るとその後に露光される矩形パターンは全て前記ずれた
分だけ正規の位置からずれて露光される事実に基くもの
である。従って露光中ＸＹステージに何らかの異常があ
れば、第２の検査パターン（５）は第１の検査パターン
（４）に対して正規の位置よりずれた位置に露光きれる
ことになり、顕微鏡目視検査によって容易に観察・評価
を行なうことができる。そして第１と第２の検査パター
ン（４）と（５）の位置関係を評価することによって所
定回路パターン（２）を評価したとみなすことができ、
さらには第１、第２の検査パターン（４）（５）のどれ
か−辺（例えばａ辺）を測定して設計値と比較すること
により所定回路パターン（２）を構成するパターンの線
幅の評価をしたとみなすことも可能である。この場合で
も、長大な寸法を測定するのではないので、簡単に測定
できる。

尚本発明による第１、第２の検査パターン（４）（５）
は上記実施例のようにフィドウシャルマーク（３）を流
用したものに限られるものでは無く、例えば第３図や第
４図の如く第１と第２の検査パターンク４）と（５〉の
位置関係が顕微鏡目視検査により容易に認知し得るパタ
ーンであればどの様な形状でもかまわない。さらに本発
明はＸＹステージの異常のみならず、露光中の温度変化
によってレチクル基板（１）の大きさが変化したような
場合でも検出できる有筋なものである。

（ト）発明の詳細 な説明した如く、本発明によれば露光中のＸＹステージ
の異常の有無を測定することなく顕微鏡目視検査によっ
て容易に確認できる利点を有し、且つＸＹステージの確
認をすることによって所定回路パターン（２）が正常に
露光されたとみなすことができる利点を有する。また、
より厳密な評価をするならば、所定回路パターン（２）
の直接測定ではないが第１と第２の検査パターン（４）
と（５）の位置関係と線幅を測定することによって所定
回路パターン（２）の評価を簡便に行なうことができる
利点を有する。さらに上記実施例によれば、第１の検査
パターン（４）としてフィトウシケルマーク（３）を流
用するので、ＣＡＤデータを余分に増すことがない利点
をも有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明によるレチクルの平面図、第２図は第１
、第２の検査パターン（４）（５）の拡大平面図、第３
図及び第４図は他の第１、第２の検査パターン（４）（
５）の平面図である。 （１）はレチクル基板、（２）は所定回路パターン、（
３）はフィドウシャルマーク、（４）ハ第１の検査パタ
ーン、　（５）は第２の検査パターンである。 出願人　三洋電機株式会社　外１名 代理人　弁理士　西野卓嗣　外１名 第１１ 第４ｒ：３

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）矩形のパターンを反復露光してその中央部に所定
   回路パターンを形成したレチクルの余白部に前記反復露
   光の初期に露光した第１の検査パターンと該第１の検査
   パターンに重畳あるいは隣接して前記反復露光の終期に
   露光した第２の検査パターンとを具備し、前記第１、第
   ２の検査パターンの位置関係により前記所定回路パター
   ンの評価を行なうようにしたことを特徴とするレチクル
   の検査方法。