KR960011264B1 - 반도체 소자의 접촉창 형태 확인 방법 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

반도체 소자의 접촉창 형태 확인 방법

제1도는 본 발명에 따른 포토마스크 구조를 나타낸 평면도.

제2도는 본 발명에 따른 1차 노광후 접촉창이 형성된 웨이퍼 평면도.

제3도는 본 발명에 따른 2차 노광후 접촉창 잘린 상태의 웨이퍼 평면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 스크라이브 라인 2 : 보조패턴

3 : 웨이퍼 4 : 접촉창

4' : 확인용 접촉창.

본 발명은 반도체 제조용 웨이퍼를 비파괴적으로 검사하여 접촉창의 형태를 확인 할 수 있는 반도체 소자의 접촉창 형태 확인 방법에 관한 것이다.

감광막 및 노광기를 사용한 포토리소그래피(photolithography)공정 후 또는 상기 포토리소그래피 공정에 의해 형성된 감광막 마스크를 사용한 식각공정 후 접촉창 형성 상태를 확인하고자 하는 방법은 접촉창 배열부분을 정밀한 기계가 아닌 손으로 잘라서 확인하고자 하는 접촉창의 중앙 또는 필요한 부분이 잘릴때까지 시행착오를 범해가면서 샘플(sample)을 구한 다음에 접촉창의 형태와 크기를 확인 하였다.

그러나, 상기 설명과 같은 종래의 접촉창 형태 확인 방법은 웨이퍼를 파괴해야하며, 잘라야 할 부위를 정확히 자르지 못하여 접촉창 형태 확인을 정확히 할 수 없고 확인 하기까지의 시간이 너무 오래 걸리는 문제점이 있었다.

따라서 본 발명은 보조패턴이 형성된 포토마스크를 사용하여 두번에 걸친 노광공정을 수행 하므로써 접촉장을 잘라서 접촉창의 형태를 확인 할 수 있는 반도체 소자의 접촉창 형태 확인 방법을 제공함을 그 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위하여 안출된 본 발명은 반도체 소자의 접촉창 형태 확인 방법에 있어서, 스크라이브 라인 상에 소정의 형태를 갖는 보조패턴이 형성된 접촉창 포토마스크를 사용 접촉창 패턴을 1차 노광하는 제1단계, 상기 1차노광 후 웨이퍼를 노광기에서 언로딩 시키지 않고 노광기의 스테이지를 이용하여 상기 스크라이브 라인 상에 형성되어 있는 보조패턴을 상기 1차 노광한 접촉창 패턴에 중첩하여 노광 시키되 상기 1차 노광한 접촉창 패턴의 일부가 상기 보조패턴에 의해 노광되도록 하는 제2단계, 상기 웨이퍼를 현상하여 상기 보조패턴에 의해 일부 중첩되어 노광된 부위 즉, 잘린 형태의 접촉창 패턴을 형성하는 제3단계, 상기 잘린 형태의 접촉창 패턴을 측정장비를 사용하여 관찰하는 제4단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

이하, 첨부된 도면 제1도 내지 제3도를 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.

제1도는 본 발명에 사용되는 포토마스크 구조를 나타낸 평면도로서, 접촉창 형성을 위한 포토마스크의 스크라이브 라인(scribeline)(1)상에 사각형 형태의 소정크기를 갖는 보조패턴(2)을 형성한 것이다.

제2도는 본 발명에 따른 1차 노광후 접촉창이 형성된 웨이퍼 평면도로서, 상기 제1도와 같은 포토마스크를 사용해서 1차 노광 공정을 수행하여 웨이퍼(3)에 접촉창(4)을 형성한 상태의 단면도이다.

이어서, 제3도는 본 발명에 따른 2차 노광후 접촉창이 잘린 상태의 웨이퍼 평면도로서, 상기 1차 노광 후 웨이퍼를 노광기에서 언로딩(unloading)시키지 않고 노광기의 스테이지(stage) 이동으로 상기 포토마스크의 보조패턴을 웨이퍼의 접촉창 배열에 중첩시켜 접촉창 배열의 중앙 또는 원하는 부위에 오도록 하여 상기 보조패턴만 노광시키는 2차 노광공정을 수행하므로써 원하는 부위가 잘린 형태의 확인용 접촉창(4')을 형성하여 SEM(scanning electron microscope)등을 사용해서 포토리소그래프 공정 후 또는 식각공정 후 접촉창의 형태를 쉽게 확인 할 수 있다.

이때, 2차 노광은 가림막을 이용하여 상기 보조패턴만 노광하게되며, 스테이지 이동은 0.1~0.15㎛의 정확도를 가지고 있으므로 확인하고자 하는 접촉창의 원하는 부위를 정확히 자르는 노광을 실시 할 수 있다.

또한, 보조패턴과 웨이퍼의 접촉창 배열의 중첩에 필요한 거리는 설계용 캐드(CA : computer aided design)에서 쉽게 구할 수 있다.

본 발명에 따른 포토마스크상에 형성된 보조패턴의 크기는 접촉창 두개 정도를 잘를 있도 가 10~20㎛, 세로 5~10㎛ 정도의 크기로 한다.

상기 설명과 같이 본 발명은 포토리소그래프 후 웨이퍼상의 여러개 다이중에서 필요한 다이 한곳만 2차노광을 실시하여 해당다이 하나만 불량인 상태로 다음 공정을 진행시키고, 식각 후에도 접촉창 형태를 확인한 후 이후의 공정을 진행 시킴으로써 웨이퍼의 손실없이 즉, 비파괴적으로 접촉창 형태를 확인하는 효과가 있다.

또한, 확인하고자 하는 접촉창의 정확한 확인이 가능하며, 2차 노광하여 접촉창을 자른 후 바로 측정장비 SEM등을 이용하여 접촉창의 평면도, 측면도, 단면도등을 확인 할 수 있어 시간이 절약되는 효과가 있다.

Claims (2)

1. 반도체 소자의 접촉창 형태 확인 방법에 있어서, 스크라이브 라인 상에 소정의 형태를 갖는 보조패턴이 형성된 접촉창 포토마스크를 사용 접촉창 패턴을 1차 노광하는 제1단계, 상기 1차 노광 후 웨이퍼를 노광기에서 언로딩 시키지 않고 노광기의 스테이지를 이동하여 상기 스크라이브 라인 상에 형성되어 있는 보조패턴을 상기 1차 노광한 접촉창 패턴에 중첩하여 노광시키되 상기 1차 노광한 접촉창 패턴의 일부가 상기 보조패턴에 의해 노광되도록 하는 제2단계, 상기 웨이퍼를 현상하여 보조패턴에 의해 일부가 중첩되어 노광된 부위에 잘린 형태의 접촉창 패턴을 형성하는 제3단계, 상기 잘린 형태의 접촉창 패턴을 측정장비를 사용하여 관찰하는 제4단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 접촉창 형태 확인 방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 제3단계와 제4단계 사이에 웨이퍼의 상층막을 마스크로 사용 식각공정을 실시하여 하층막이 잘린 형태 접촉창 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 접촉창 형태 확인 방법.