JPS59124127A - 電子線露光パタ−ンの評価方法 - Google Patents
電子線露光パタ−ンの評価方法Info
- Publication number
- JPS59124127A JPS59124127A JP57231932A JP23193282A JPS59124127A JP S59124127 A JPS59124127 A JP S59124127A JP 57231932 A JP57231932 A JP 57231932A JP 23193282 A JP23193282 A JP 23193282A JP S59124127 A JPS59124127 A JP S59124127A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- evaluation
- region
- drawn
- reticle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
- H01J37/3045—Object or beam position registration
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は電子線露光法で一描画した所要パターンを被描
画体上でその描画精度を評価する評価方法に関する。
画体上でその描画精度を評価する評価方法に関する。
（１） 従来技術と問題点
半導体集積回路（ＩＣ）などの半導体装置を製造する際
に、従来からフォトマスク上の所要パターンを半導体基
板に紫外線を照射して焼き伺けるいわゆるフォトプロセ
ヌがおこなわれていることハ良く知られている。このよ
うなフォトマスクに所要パターンを形成するマスク製作
工程においては、倍率１０倍に拡大した所要パターンを
設けたレチクルをガラス基板上に繰シ返えし縮小投影し
て（ヌテツプアンドレピートと呼ぶ）、多数の同一パタ
ーンをもったフォトマスクを作成する。その際、フォト
マスク上で各チップ相互の位置関係が正しいかどうかを
評価するためにバーニヤパターンがレチクルパターン周
囲に設けられる。
に、従来からフォトマスク上の所要パターンを半導体基
板に紫外線を照射して焼き伺けるいわゆるフォトプロセ
ヌがおこなわれていることハ良く知られている。このよ
うなフォトマスクに所要パターンを形成するマスク製作
工程においては、倍率１０倍に拡大した所要パターンを
設けたレチクルをガラス基板上に繰シ返えし縮小投影し
て（ヌテツプアンドレピートと呼ぶ）、多数の同一パタ
ーンをもったフォトマスクを作成する。その際、フォト
マスク上で各チップ相互の位置関係が正しいかどうかを
評価するためにバーニヤパターンがレチクルパターン周
囲に設けられる。
第１図はこのようなレチクｌレバターンの平面図を示し
ており、力゛ラス基板ｌ上の実パターン領域（実際に使
用するパターンが形成されている領域）２の周囲にバー
ニヤパターン３が設けられて、これはまた主尺３Ａや副
尺８Ｂに分かれておシ、フォトマスクを形成した後にフ
ォトマスク上のこれらのバーニヤパターンの整合状態を
検出して、フォトマスクの評価をおこなっていることが
知られている。
ており、力゛ラス基板ｌ上の実パターン領域（実際に使
用するパターンが形成されている領域）２の周囲にバー
ニヤパターン３が設けられて、これはまた主尺３Ａや副
尺８Ｂに分かれておシ、フォトマスクを形成した後にフ
ォトマスク上のこれらのバーニヤパターンの整合状態を
検出して、フォトマスクの評価をおこなっていることが
知られている。
一方、上記のようなフォト・マスクを使用して紫外線に
より全面を照射する一括露光法に代り、最近ＩＣの高密
度化に従って微細パターンの形成が可能な、電子線露光
法が使用されるようになってきた。
より全面を照射する一括露光法に代り、最近ＩＣの高密
度化に従って微細パターンの形成が可能な、電子線露光
法が使用されるようになってきた。
このような電子線露光法は、電子線をレンズでスポット
又は極小面積に収束し、これを偏向是査して順次にパタ
ーンを描いてゆく方法で、そのため上記の一括露光領域
を細かく、例えば格子状に分割してフィールド（領域）
を形成し、それぞれの１フィールド毎のパターンデータ
を電算機に格納しておいて、■フィールド毎に描画をお
こなう方法である。例えば電子線露光法でレチクルを作
成する場合には、第２図に示す実施例図のように多数の
フィールドｌＯに分けて、順次に各フィールド１０を矢
印方向に描画する。勿論、この場合各フィールドは同一
パターンではなく、それぞれ異なったパターンが描かれ
ている。
又は極小面積に収束し、これを偏向是査して順次にパタ
ーンを描いてゆく方法で、そのため上記の一括露光領域
を細かく、例えば格子状に分割してフィールド（領域）
を形成し、それぞれの１フィールド毎のパターンデータ
を電算機に格納しておいて、■フィールド毎に描画をお
こなう方法である。例えば電子線露光法でレチクルを作
成する場合には、第２図に示す実施例図のように多数の
フィールドｌＯに分けて、順次に各フィールド１０を矢
印方向に描画する。勿論、この場合各フィールドは同一
パターンではなく、それぞれ異なったパターンが描かれ
ている。
寸だ、レチクルのみならず、電子線露光法で半導体ウェ
ハーを直接露光する場合にも、半導体ウェハー面を多数
のフィールドに分けて各フィールドを順次に描画し、上
記のレチクルを電子線露光法で作成する場合と同様であ
る。そのだめ、この場合にも上記のレチクルに設けたバ
ーニヤパターンと同様の評価パターンを設けて、フィー
ルド相互の整合状態を評価することは、パターン精度を
知る」二で非常に有効となる。
ハーを直接露光する場合にも、半導体ウェハー面を多数
のフィールドに分けて各フィールドを順次に描画し、上
記のレチクルを電子線露光法で作成する場合と同様であ
る。そのだめ、この場合にも上記のレチクルに設けたバ
ーニヤパターンと同様の評価パターンを設けて、フィー
ルド相互の整合状態を評価することは、パターン精度を
知る」二で非常に有効となる。
（Ｃ）発明の目的
本発明はこのような観点から、％子線露光法において被
描画体例えば力゛ラス基板や半導体基板上に評価パター
ンを描画する方法を提案するものである。
描画体例えば力゛ラス基板や半導体基板上に評価パター
ンを描画する方法を提案するものである。
Ｃ句 誉朋の構献
その目的は、実パターン領域外に評価パターン領域を設
けて、単位フィールドの所定数毎に評価パターンを描画
し、それを評価する方法によって達成される。
けて、単位フィールドの所定数毎に評価パターンを描画
し、それを評価する方法によって達成される。
（ｅ）発明の実施例
ところで、電子線露光法においては、各フィールドｌＯ
の外周に余剰部分が存在しないため、そのフィールドの
周囲に評価パターンを設けることは不可能である。した
がって、全フィールドをすべて包含する実パターン領域
外に評価パターンを形成する。
の外周に余剰部分が存在しないため、そのフィールドの
周囲に評価パターンを設けることは不可能である。した
がって、全フィールドをすべて包含する実パターン領域
外に評価パターンを形成する。
第８図は本発明にがかる一実施例としてレチクルパター
ンの平面図を示しており、ガラス基板１１上の実パター
ン領域１２の外に評価パターン領域１３を設けである。
ンの平面図を示しており、ガラス基板１１上の実パター
ン領域１２の外に評価パターン領域１３を設けである。
この場合の実パターン領域１２は上記説明した実パター
ン領域２にバーニヤパターン３を加えた領域を意味して
おり、このようなレチクルをステップアンドレピート装
置でフォトマスクに焼き付ける場合には、その評価パタ
ーン領域Ｊ３を設けた部分はレチクルの取付は台で隠さ
れて露光されない周囲部分となる。
ン領域２にバーニヤパターン３を加えた領域を意味して
おり、このようなレチクルをステップアンドレピート装
置でフォトマスクに焼き付ける場合には、その評価パタ
ーン領域Ｊ３を設けた部分はレチクルの取付は台で隠さ
れて露光されない周囲部分となる。
かくして、第８図に示すようにフィールドｌＯａを描画
すれば、その直後で評価パターン領域１３に評価パター
ンを描画し、次いでフィールドｌＯｂを描画すると、そ
の後で再び評価パターン領域１３に同じく評価パターン
を描画し、順次にこのようにしてｌフィールド相互を描
く毎に評価パターンを描画する。またこのように１つの
フィールド毎に評価パターンを描画せずに、複数個のフ
ィールド例えばフィールド毎ｌｏａ、１０ｂ、ＩＯＱを
描画した後に１つの評価パターンを描画するというよう
に、３つのフィールド毎に評価パターンを描く。あるい
は、Ｘ方向に同行に並んだ多数のフィールド毎に評価パ
ターンを描いてもよい。
すれば、その直後で評価パターン領域１３に評価パター
ンを描画し、次いでフィールドｌＯｂを描画すると、そ
の後で再び評価パターン領域１３に同じく評価パターン
を描画し、順次にこのようにしてｌフィールド相互を描
く毎に評価パターンを描画する。またこのように１つの
フィールド毎に評価パターンを描画せずに、複数個のフ
ィールド例えばフィールド毎ｌｏａ、１０ｂ、ＩＯＱを
描画した後に１つの評価パターンを描画するというよう
に、３つのフィールド毎に評価パターンを描く。あるい
は、Ｘ方向に同行に並んだ多数のフィールド毎に評価パ
ターンを描いてもよい。
このような評価パターンは、従来のバーニヤパターンで
良くて、第４図（ａ）に示すように簡単なものは複数の
バー２１の並列でもかまわないし、また同図■）に示す
ように主尺２２と副尺２３とからなる評価パターンを交
互に繰りかえしてもよい。
良くて、第４図（ａ）に示すように簡単なものは複数の
バー２１の並列でもかまわないし、また同図■）に示す
ように主尺２２と副尺２３とからなる評価パターンを交
互に繰りかえしてもよい。
要するに、電算機に収納されているバクーンデータ内に
、このような評価パターンデータを実フィー／レドパタ
ーンデータに混って入れておいて、一定の描画毎に評価
パターン領域１３に評価パターンを描画する。
、このような評価パターンデータを実フィー／レドパタ
ーンデータに混って入れておいて、一定の描画毎に評価
パターン領域１３に評価パターンを描画する。
このようにして描画した評価パターンをレチクル完成後
に顕微鏡又は投影器などで拡大して検出し、そのレチク
ルのパターン精度を評価して品質を評価したシ、使用可
否をも判断する。かくすれば、パターン精度を定量的に
評価することができるから、電子線露光装置の調整が正
確になってパターン精度は一層向上することになる。
に顕微鏡又は投影器などで拡大して検出し、そのレチク
ルのパターン精度を評価して品質を評価したシ、使用可
否をも判断する。かくすれば、パターン精度を定量的に
評価することができるから、電子線露光装置の調整が正
確になってパターン精度は一層向上することになる。
上記例はレチクルを電子線露光法で形成する例であるが
、その他に前記したように半導体ウェハー」二に直接電
子線露光法をおこなう場合なども、ウェハー周縁に評価
パターン領域を設けて同様におこなうことが可能である
。
、その他に前記したように半導体ウェハー」二に直接電
子線露光法をおこなう場合なども、ウェハー周縁に評価
パターン領域を設けて同様におこなうことが可能である
。
（工°）発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明によれば電子線
露光法において各フィールドの相互位置がＸ方向又はＹ
方向にズレを生じたり、またある角度で回転したりする
と、それを評価パターンで直ちに検出して、評価するこ
とができるから、パターン精度が向上し工Ｃなどの高品
質化に極めて貢献するものである。
露光法において各フィールドの相互位置がＸ方向又はＹ
方向にズレを生じたり、またある角度で回転したりする
と、それを評価パターンで直ちに検出して、評価するこ
とができるから、パターン精度が向上し工Ｃなどの高品
質化に極めて貢献するものである。
第１図は従来のレチクルパターンの平面図、第２図は電
子線露光法によるフィールドの分割例を示す図、第３図
は本発明にかかるレチクルパターンの平面図、第４図は
評価パターン例を示す図である。 図中、１．１１はガラス基板、２，１２は実パターン領
域、３．３（〜、３（Ｂ）はバーニヤパターン、１０、
ｌｏａ、１０ｂ、ｌｏｃはフィールド、１３は評価パタ
ーン領域、２１．．２２．２３はパターン例である。 第１図 第２図 第 ３図 第４＠
子線露光法によるフィールドの分割例を示す図、第３図
は本発明にかかるレチクルパターンの平面図、第４図は
評価パターン例を示す図である。 図中、１．１１はガラス基板、２，１２は実パターン領
域、３．３（〜、３（Ｂ）はバーニヤパターン、１０、
ｌｏａ、１０ｂ、ｌｏｃはフィールド、１３は評価パタ
ーン領域、２１．．２２．２３はパターン例である。 第１図 第２図 第 ３図 第４＠
Claims (1)
- 所要パターンを複数のフィールドに分割して露光する電
子線露光方法において、実パターン領域外に評価パター
ン領域を設け、所定のフィールド単位毎に評価パターン
を描画し、該評価パターンを検出して、所要パターンの
描画精度を評価することを特徴とする電子線露光パター
ンの評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57231932A JPS59124127A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | 電子線露光パタ−ンの評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57231932A JPS59124127A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | 電子線露光パタ−ンの評価方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59124127A true JPS59124127A (ja) | 1984-07-18 |
Family
ID=16931317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57231932A Pending JPS59124127A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | 電子線露光パタ−ンの評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59124127A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5481472A (en) * | 1993-05-18 | 1996-01-02 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for automatically recognizing repeated shapes for data compaction |
| US6417516B1 (en) | 1999-03-26 | 2002-07-09 | Nec Corporation | Electron beam lithographing method and apparatus thereof |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5769742A (en) * | 1980-10-20 | 1982-04-28 | Sanyo Electric Co Ltd | Inspecting method for accuracy of pattern |
| JPS5835922A (ja) * | 1981-08-28 | 1983-03-02 | Toshiba Corp | 電子ビ−ム露光装置によるパタ−ン形成方法 |
-
1982
- 1982-12-29 JP JP57231932A patent/JPS59124127A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5769742A (en) * | 1980-10-20 | 1982-04-28 | Sanyo Electric Co Ltd | Inspecting method for accuracy of pattern |
| JPS5835922A (ja) * | 1981-08-28 | 1983-03-02 | Toshiba Corp | 電子ビ−ム露光装置によるパタ−ン形成方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5481472A (en) * | 1993-05-18 | 1996-01-02 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for automatically recognizing repeated shapes for data compaction |
| US6417516B1 (en) | 1999-03-26 | 2002-07-09 | Nec Corporation | Electron beam lithographing method and apparatus thereof |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0061536B1 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device having improved alignment marks and alignment marks for said method | |
| JP4073735B2 (ja) | リソグラフィ装置の投影システムの収差を測定する方法、およびデバイス製造方法 | |
| JPH06124872A (ja) | 像形成方法及び該方法を用いて半導体装置を製造する方法 | |
| US20020087943A1 (en) | Exposure method, exposure system and recording medium | |
| US20070028200A1 (en) | Method for performing place-and-route of contacts and vias in technologies with forbidden pitch requirements | |
| EP0459737A2 (en) | Reticle for a reduced projection exposure apparatus | |
| JPS59124127A (ja) | 電子線露光パタ−ンの評価方法 | |
| JPS6258621A (ja) | 微細パタ−ン形成方法 | |
| US20040009431A1 (en) | Method of exposing semiconductor device | |
| JPH01234850A (ja) | 半導体集積回路用フォトマスク | |
| JP3658142B2 (ja) | 計測方法およびデバイス製造方法 | |
| JP3576722B2 (ja) | 走査型露光装置及びそれを用いたデバイス製造方法 | |
| TWI330761B (en) | System and method for processing masks with oblique features | |
| JPH09270379A (ja) | フォーカス評価用レチクルおよびフォーカス評価方法 | |
| JP3342981B2 (ja) | 半導体装置の回路パターン転写方法及びこれに用いられる装置 | |
| US5373232A (en) | Method of and articles for accurately determining relative positions of lithographic artifacts | |
| JP2647835B2 (ja) | ウェハーの露光方法 | |
| CN110488573B (zh) | 一种晶圆光刻方法及晶圆光刻用光罩组件 | |
| JP2806307B2 (ja) | レンズディストーションの測定用レチクル及びその測定方法 | |
| JPH0258777B2 (ja) | ||
| JPS6172253A (ja) | ステツパ | |
| KR960011463B1 (ko) | 노광기의 촛점 및 평행도 측정 방법 | |
| JPS6152973B2 (ja) | ||
| JPS61117544A (ja) | ホトマスク | |
| CN116868127A (zh) | 针对光刻设备的新型接口定义 |