JPS5835922A - 電子ビ−ム露光装置によるパタ−ン形成方法 - Google Patents
電子ビ−ム露光装置によるパタ−ン形成方法Info
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- JPS5835922A JPS5835922A JP13512481A JP13512481A JPS5835922A JP S5835922 A JPS5835922 A JP S5835922A JP 13512481 A JP13512481 A JP 13512481A JP 13512481 A JP13512481 A JP 13512481A JP S5835922 A JPS5835922 A JP S5835922A
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子ビーム露光装置によるノ々ターフ形成方法
の改良に関する。
の改良に関する。
電子ビーム露光装置によってツヤターンを形成するＫは
、次のような方法が採用されている。
、次のような方法が採用されている。
まず、装置の偏光電極に電圧をかけ、電子ビームを一定
距離だけスキャンさせると同時に予めレジスト膜が被覆
された基板を載設してステージをビームスキャンと垂直
方向に移動させる。
距離だけスキャンさせると同時に予めレジスト膜が被覆
された基板を載設してステージをビームスキャンと垂直
方向に移動させる。
そして、ステージの移動を正方向、逆方向と繰プ返して
基板の所望領域に電子ビームをスキャンさせるととＫよ
ってノ豐ターン形成を行なう。
基板の所望領域に電子ビームをスキャンさせるととＫよ
ってノ豐ターン形成を行なう。
こうした方法において、ツヤターンを精度よく形成する
には、■各スキャン幅が適正であること、■正逆方向へ
ステージを移動する時に夫々のスキャン開始位置が適正
であること、■描画中、ビームのドリフトが一切なく、
かつ位置安定性が喪好であること、等が要求される。
には、■各スキャン幅が適正であること、■正逆方向へ
ステージを移動する時に夫々のスキャン開始位置が適正
であること、■描画中、ビームのドリフトが一切なく、
かつ位置安定性が喪好であること、等が要求される。
しかしながら、従来のΔターン形成・方法は、基板の所
望領域に目的とするツヤターンのみを描画するため、電
子ビーム露光装置にょるノ々ターン精度を的確に評価で
きないという問題があった。
望領域に目的とするツヤターンのみを描画するため、電
子ビーム露光装置にょるノ々ターン精度を的確に評価で
きないという問題があった。
本発明は上記事情に鑑みなされたもので、電子ビーム露
光装置による／母ターン精度をメインノ４ターンの形成
前後において的確に評価できるパターン形成方法を提供
しようとするものである。
光装置による／母ターン精度をメインノ４ターンの形成
前後において的確に評価できるパターン形成方法を提供
しようとするものである。
以下、本発明を第１図及び第２図図示の実施例に基づい
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
まず、レジスト膜（図示せず）が被覆されたガラス基板
１を図示しないステージ上に固定する。つづいて、電子
ビーム霧光装置の偏光電極に電圧をかけ、ビームを一定
距離Ｗだけスキャンさせると同時に、ステージを正方向
（８１方向）に移動させてメインΔターン形成予定部以
外の基板１領域に第２図に示す如く線状ツクターン素２
１ｓｊ３を描画する。更にビームをスキャンさせると同
時にステージを逆方向（Ｓｓ方向）Ｋ移動させて線状パ
ターン素２ｍｅ２４を描画す吟と共に矩形ＡＩパターン
素１〜３ｓからなるカクタスマーク３を描画する。ひき
つづき、再度ステージを正方向（Ｓｃ方向）ｋ移動させ
て矩形パターン素３・ 、３丁を描画すると共に線状ツ
クターン素２５．２・を描画する。こうしてメイン−タ
ーンの形成に先立ってメインパターン形成予定部以外の
基板１領域に線状Δターン素２１〜２・、矩形パターン
素３１〜３７からなる第１のサラパターンＬ上を形成す
る。このようなサブパターン４ａにおいて、線状７やタ
ーン素２！、２．のつなぎ部Ｘ、の状態をみることＫよ
って、ステージの移動を正方向から逆方向に変えた場合
のつなぎ精度を評価できる。
１を図示しないステージ上に固定する。つづいて、電子
ビーム霧光装置の偏光電極に電圧をかけ、ビームを一定
距離Ｗだけスキャンさせると同時に、ステージを正方向
（８１方向）に移動させてメインΔターン形成予定部以
外の基板１領域に第２図に示す如く線状ツクターン素２
１ｓｊ３を描画する。更にビームをスキャンさせると同
時にステージを逆方向（Ｓｓ方向）Ｋ移動させて線状パ
ターン素２ｍｅ２４を描画す吟と共に矩形ＡＩパターン
素１〜３ｓからなるカクタスマーク３を描画する。ひき
つづき、再度ステージを正方向（Ｓｃ方向）ｋ移動させ
て矩形パターン素３・ 、３丁を描画すると共に線状ツ
クターン素２５．２・を描画する。こうしてメイン−タ
ーンの形成に先立ってメインパターン形成予定部以外の
基板１領域に線状Δターン素２１〜２・、矩形パターン
素３１〜３７からなる第１のサラパターンＬ上を形成す
る。このようなサブパターン４ａにおいて、線状７やタ
ーン素２！、２．のつなぎ部Ｘ、の状態をみることＫよ
って、ステージの移動を正方向から逆方向に変えた場合
のつなぎ精度を評価できる。
同様に線状パターン素２４＊２にのつなぎ部Ｙ１の状態
をみることＫよってステージの移動を逆方向から正方向
に変えた場合のつなぎ精度を評価できる。また、矩形Δ
ターン素３１の左側の稜線と矩形／母ターン素３３の左
側の稜線の距離ａ１と、矩形ツクターン素３ｓの右側の
稜線と矩形パターン素３・の右側の稜線の距離ｂ１を測
定することによってスキャン幅の状態がわかる。
をみることＫよってステージの移動を逆方向から正方向
に変えた場合のつなぎ精度を評価できる。また、矩形Δ
ターン素３１の左側の稜線と矩形／母ターン素３３の左
側の稜線の距離ａ１と、矩形ツクターン素３ｓの右側の
稜線と矩形パターン素３・の右側の稜線の距離ｂ１を測
定することによってスキャン幅の状態がわかる。
更にカクタスマーク３を構成する矩形パターン素３１ｅ
３６Ｏコーナ部ｃ１或いは矩形パターン３：・３藝のコ
ーナ部ｄ１のつながシ状態からビームの形状を確認でき
る。したがって、これらの情報からメイン−ターンの形
成前の電子ビーム露光装置の光学系の状態がわかる。
３６Ｏコーナ部ｃ１或いは矩形パターン３：・３藝のコ
ーナ部ｄ１のつながシ状態からビームの形状を確認でき
る。したがって、これらの情報からメイン−ターンの形
成前の電子ビーム露光装置の光学系の状態がわかる。
次いで、ガラス基板１に電子ビームのスキャンとステー
ジの移動によシメインノ豐ターン５を描画する。その後
、基板１の第１のサブパターンＬ上に隣接した領域に諌
ΔターンＬ上と対をなす第２のサブ・母ターフ４ｂを同
様に形成する。
ジの移動によシメインノ豐ターン５を描画する。その後
、基板１の第１のサブパターンＬ上に隣接した領域に諌
ΔターンＬ上と対をなす第２のサブ・母ターフ４ｂを同
様に形成する。
即ち、電子ビーム露光装置の偏光電極に電圧をかけ、ビ
ームを一定距離Ｗだけスキャンさせる−と同時にステー
ジを正方向（Ｓ１方向）に移動させて、第１のサラパタ
ーンＬ上に隣接した基板１領域に第２図に示す如く矩形
ツクターン素３＄〜３１１を描画すると共に線状・母タ
ーン素２γ 。
ームを一定距離Ｗだけスキャンさせる−と同時にステー
ジを正方向（Ｓ１方向）に移動させて、第１のサラパタ
ーンＬ上に隣接した基板１領域に第２図に示す如く矩形
ツクターン素３＄〜３１１を描画すると共に線状・母タ
ーン素２γ 。
２、を描画する。更にビームをスキャンさせると同時に
ステージを逆方向（８ｍ方向）に移動させて線状パター
ン素ｆｆｉ＠＊Ｊ１＠を描画すると共に、矩形ツクター
ン素３１３〜３１・からなるカクタス！−り３′を描画
する。ひきつづき、再度ステージを正方向（８１方向）
に移動させて線状・譬ターン素２１１ ＠ ２０を描画
する。仁のような第２のサブパターン＜ｈにおいて、線
状パターン素２・ 、２書のつながシ部ｘ３の状態、線
状Δターン素２１・、２０のつながシ部Ｙ、の状態をみ
るととによって、ステージの移動を正方向から逆方向に
変えた場合、及び逆方向から正方向に変えた場合のつな
ぎ精度を評価できる。また、矩形Δターン素Ｊ１１＃Ｊ
１１の右側稜線間の距離１寓、矩形Δターン素３１・ｍ
３’１Ｂの左側稜線間の距離１ｍを測定することｋよ
ってスキャン幅の状態がわかる。更にカクタスマーク３
′を構成する矩形Δターン素Ｊｕｓｊｔａのコ一部Ｃ３
或いは矩形Δターン素ＪｌｌｓＪ１４の；−す部ｄｍの
つなが〕状態からメインｚ４ターン形成後のビービの形
状を確認できる。
ステージを逆方向（８ｍ方向）に移動させて線状パター
ン素ｆｆｉ＠＊Ｊ１＠を描画すると共に、矩形ツクター
ン素３１３〜３１・からなるカクタス！−り３′を描画
する。ひきつづき、再度ステージを正方向（８１方向）
に移動させて線状・譬ターン素２１１ ＠ ２０を描画
する。仁のような第２のサブパターン＜ｈにおいて、線
状パターン素２・ 、２書のつながシ部ｘ３の状態、線
状Δターン素２１・、２０のつながシ部Ｙ、の状態をみ
るととによって、ステージの移動を正方向から逆方向に
変えた場合、及び逆方向から正方向に変えた場合のつな
ぎ精度を評価できる。また、矩形Δターン素Ｊ１１＃Ｊ
１１の右側稜線間の距離１寓、矩形Δターン素３１・ｍ
３’１Ｂの左側稜線間の距離１ｍを測定することｋよ
ってスキャン幅の状態がわかる。更にカクタスマーク３
′を構成する矩形Δターン素Ｊｕｓｊｔａのコ一部Ｃ３
或いは矩形Δターン素ＪｌｌｓＪ１４の；−す部ｄｍの
つなが〕状態からメインｚ４ターン形成後のビービの形
状を確認できる。
を九、第１．第２のサブパターン４１＊４ｂの線状／ｆ
ターン素１６ａｌｌのつながシ部Ｅ。
ターン素１６ａｌｌのつながシ部Ｅ。
におけるパターンの段差の有無、同サブパターン４ｍ、
４にの矩形／４ターｙ素３マと矩形／ｆターン素３・の
距離ｅｓと前記距離＆１の差から描画中の位置安定性を
確認できる。
４にの矩形／４ターｙ素３マと矩形／ｆターン素３・の
距離ｅｓと前記距離＆１の差から描画中の位置安定性を
確認できる。
更に、現儂段階で第１のサブパターン４ｍのコーナ部・
１ 、ｄｌと第２のサプノ臂ターンＱのコーナ部・Ｈａ
ｄ＠の状態を比較することによって描画中のビーム電流
の安定性を確認できる。
１ 、ｄｌと第２のサプノ臂ターンＱのコーナ部・Ｈａ
ｄ＠の状態を比較することによって描画中のビーム電流
の安定性を確認できる。
しかして、メインノ臂ターンの形成前に第１のサブ／４
ターンＬ上を描画し、これに基づいて露光装置の光学系
の状態を評価できるため、光学系の修正が施された後の
状態でメイｙノ臂ターフ５が形成される。ｔた、メイン
／譬ターンの形成後に第１のサブ／４ターン１１に隣接
して第２のサブノやターン４ｂを描画することによって
、該サブ／４ターンＬ上自体、並びに第１．＠２のサブ
／４ターン４＊ ＃ ＜ｂの比較によシメイｙノ９ター
ンの描画中の状態を評価できる。その結果、高精度のメ
インノ４ターフ５の形成が可能となると共に１メインパ
ターン５の精度評価をチェックできる。
ターンＬ上を描画し、これに基づいて露光装置の光学系
の状態を評価できるため、光学系の修正が施された後の
状態でメイｙノ臂ターフ５が形成される。ｔた、メイン
／譬ターンの形成後に第１のサブ／４ターン１１に隣接
して第２のサブノやターン４ｂを描画することによって
、該サブ／４ターンＬ上自体、並びに第１．＠２のサブ
／４ターン４＊ ＃ ＜ｂの比較によシメイｙノ９ター
ンの描画中の状態を評価できる。その結果、高精度のメ
インノ４ターフ５の形成が可能となると共に１メインパ
ターン５の精度評価をチェックできる。
なお、本発明に用いられる基板は上記実施例の如くガラ
ス基板に限らず、半導体ウェハ等の他の基板を用いても
よい。
ス基板に限らず、半導体ウェハ等の他の基板を用いても
よい。
以上詳述した如く、本発明によれば電子ビーム露光装置
の光学系の精度をメイン戸々ターンの形成前後に適格に
評価でき、ひいては高精度のノ譬ターン形成とΔターン
精度評価を行なうことができ、微細／ダターンの形成が
不可欠な半導体装置やフオ）−ｒスフの製造に有効に利
用できる等顕著な効果を有する。
の光学系の精度をメイン戸々ターンの形成前後に適格に
評価でき、ひいては高精度のノ譬ターン形成とΔターン
精度評価を行なうことができ、微細／ダターンの形成が
不可欠な半導体装置やフオ）−ｒスフの製造に有効に利
用できる等顕著な効果を有する。
第１図は本発明方法によりノ々ターンが描画されたガラ
ス基板の説明図、第２図は第１図のサブパターンの拡大
説明図である。 １・−ガラス基板、２１〜２１ｓ・−線状ノヤターン素
、３１〜Ｓ１．−矩形ノイターン素、４ｍ−・・第１の
サブ／４ターン、４ｂ・・・第２のサブ／４ターン、５
・・・メイン／昔ターン。
ス基板の説明図、第２図は第１図のサブパターンの拡大
説明図である。 １・−ガラス基板、２１〜２１ｓ・−線状ノヤターン素
、３１〜Ｓ１．−矩形ノイターン素、４ｍ−・・第１の
サブ／４ターン、４ｂ・・・第２のサブ／４ターン、５
・・・メイン／昔ターン。
Claims (1)
- 電子ビーム露光装置によシ基板にパターンを形成する際
、前記基板のメインＩ４ターン形成予定部以外の領域に
所望の第１のサブツヤターンを描画した後、メインノ４
ターンを描画し、ひきつづき前記第１のサブ・母ターン
ＩＣ隣接すル領域に該サラツヤターンと対をなす第２の
サブパターンを描画することを特徴とする電子ビーム露
光装置によるパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56135124A JP2577339B2 (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 電子ビ−ム露光装置による基板に対するレジストパタ−ンの検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56135124A JP2577339B2 (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 電子ビ−ム露光装置による基板に対するレジストパタ−ンの検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5835922A true JPS5835922A (ja) | 1983-03-02 |
| JP2577339B2 JP2577339B2 (ja) | 1997-01-29 |
Family
ID=15144377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56135124A Expired - Lifetime JP2577339B2 (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 電子ビ−ム露光装置による基板に対するレジストパタ−ンの検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2577339B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59107511A (ja) * | 1982-12-13 | 1984-06-21 | Hitachi Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS59124127A (ja) * | 1982-12-29 | 1984-07-18 | Fujitsu Ltd | 電子線露光パタ−ンの評価方法 |
| JPS62162340A (ja) * | 1986-01-13 | 1987-07-18 | Oki Electric Ind Co Ltd | パタ−ン継ぎ合せ精度の評価方法 |
| JPS62263633A (ja) * | 1986-05-09 | 1987-11-16 | Mitsubishi Electric Corp | パタ−ン描画方法 |
| US9249479B2 (en) | 2009-03-11 | 2016-02-02 | A.L.M.T. Corp. | Method for producing sodium tungstate, method for collecting tungsten, apparatus for producing sodium tungstate, and method for producing sodium tungstate aqueous solution |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5630723A (en) * | 1979-08-21 | 1981-03-27 | Toshiba Corp | Pattern formation by electron beam exposing device |
-
1981
- 1981-08-28 JP JP56135124A patent/JP2577339B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5630723A (en) * | 1979-08-21 | 1981-03-27 | Toshiba Corp | Pattern formation by electron beam exposing device |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59107511A (ja) * | 1982-12-13 | 1984-06-21 | Hitachi Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS59124127A (ja) * | 1982-12-29 | 1984-07-18 | Fujitsu Ltd | 電子線露光パタ−ンの評価方法 |
| JPS62162340A (ja) * | 1986-01-13 | 1987-07-18 | Oki Electric Ind Co Ltd | パタ−ン継ぎ合せ精度の評価方法 |
| JPS62263633A (ja) * | 1986-05-09 | 1987-11-16 | Mitsubishi Electric Corp | パタ−ン描画方法 |
| US9249479B2 (en) | 2009-03-11 | 2016-02-02 | A.L.M.T. Corp. | Method for producing sodium tungstate, method for collecting tungsten, apparatus for producing sodium tungstate, and method for producing sodium tungstate aqueous solution |
| US9512504B2 (en) | 2009-03-11 | 2016-12-06 | A.L.M.T Corp. | Method for producing sodium tungstate, method for collecting tungsten, apparatus for producing sodium tungstate, and method for producing sodium tungstate aqueous solution |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2577339B2 (ja) | 1997-01-29 |
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