JP2000275816A - フォトマスク基板およびフォトマスクの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 最終製品のアライメントパターンの劣化を考
慮することなく、パターンを描画する際の描画ビームの
位置精度を向上させる。 【解決手段】 フォトマスク基板１上の４隅に十字型の
補正用パターン４ａ〜４ｄを設ける。フォトマスク基板
１上に電子線レジストを塗布した後、補正用パターン４
ａ〜４ｄの位置座標を読み取る。電子線レジストに主尺
パターン３ａの形状を描画した後、補正用パターン４ａ
〜４ｄの位置座標を任意の回数、適時読み取り、主尺パ
ターン３ａの描画前の補正用パターン４ａ〜４ｄの位置
座標からの位置ずれを参照して、電子ビームの位置座標
を補正する。この補正用パターン４ａ〜４ｄの読み取
り、電子ビームの位置の補正および描画を繰り返し行
い、フォトマスク基板１上に所定形状の本パターン２を
描画する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、フォトマスク基
板およびフォトマスクの製造方法に関し、特に、フォト
マスクの製造における転写用パターンの描画に適用して
好適なものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＩＣやＬＳＩなどの半導体装置に
おける高集積化が進んでいる。このような高集積化が進
んだＩＣやＬＳＩを製造する場合、ウェーハ上には、通
常２０数層以上のパターンが転写される。

【０００３】また、ウェーハ上に形成されるパターンの
微細化が要求されるなか、ウェーハ上に転写されるパタ
ーンの重ね合わせ精度の高精度化も要求され、その誤差
の低減が求められている。この重ね合わせ精度における
誤差の要因としては、ウェーハ露光装置におけるステー
ジ精度をはじめ様々な要因が考えられるが、フォトマス
ク自体の描画位置精度に起因する複数層にわたる重ね合
わせの精度も重要な要因となっている。したがって、フ
ォトマスク上に描画されるパターンの位置精度に関し
て、ますます高い精度が求められている。

【０００４】このような高精度化の要求に応え、電子線
露光装置や光露光装置を用いてマスク基板上に描画され
るパターンの位置精度を向上させるために、マスク基板
を固定するステージ上あるいはマスクホルダー上に基準
マークを設け、この基準マークの相対的な位置を逐次参
照することによってパターン描画時の位置ずれを補正す
る方法が提案され、現在では良く知られた方法になって
いる。

【０００５】ところが、パターンの微細化に伴って描画
データが莫大になり、これに従い描画時間が長くなって
くると、電子線露光装置または光露光装置において、描
画される基板の温度変動、電気的変動および位置制御系
の変動などによる描画位置精度の低下が問題となってく
る。

【０００６】そこで、描画中の位置ずれの補正をさらに
高精度化するために、従来の、描画装置におけるステー
ジ上あるいはマスクホルダー上に基準マークを設けて描
画位置座標を補正する方法に代わり、マスク基板上に基
準マークを設け、描画中のパターン位置精度をより向上
させる方法が提案されている（特開平５−１４２７４６
号公報、文献１）。

【０００７】文献１に記載された描画方法においては、
描画中の位置精度を補正するための基準マークとして、
ウェーハ露光装置においてフォトマスクとウェーハ上の
パターンとのアライメントに用いるアライメントパター
ンが使用されている。

【０００８】すなわち、文献１に記載された描画方法に
おいては、フォトマスクにおける最終製品としてのアラ
イメントパターンを、描画位置座標の補正のための読み
取りに使用している。ところが、露光装置により基板上
のアライメントパターンを読み取る際、読み取りビーム
によりその上に塗布されたレジストが感光し、あらかじ
め作成されているアライメントパターンが劣化するとい
う問題が生じてしまう。

【０００９】そこで、文献１に記載された描画方法にお
いては、上述のアライメントパターンの劣化を防止する
ために、以下のような、電子線露光装置に適用する方法
と、光露光装置に適用する方法とが記載されている。す
なわち、電子線露光装置に適用する方法として、アライ
メントパターンの位置座標の読み取りの際の露光量を低
くする方法が記載されており、光露光装置に適用する方
法として、アライメントパターンの位置座標の読み取り
の際の光ビームを、デバイスパターンを描画するための
光ビームとは異なる波長の光ビームとする方法が記載さ
れている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者の知見によれば、上述のように、アライメントパター
ンの品質保護のために、アライメントパターンの位置座
標の読み取りの際の露光量を低くしたり、アライメント
パターンの位置座標の読み取りの際の光ビームを、デバ
イスパターンを描画するための光ビームとは異なる波長
の光ビームにしようとすると、通常のデバイスパターン
の描画に用いられるビームの制御に加え、読み取りの際
にもビームの制御を行う必要が生じてしまうという問題
がある。また、このアライメントパターンはフォトマス
クとウェーハ上のパターンとのアライメントに用いるた
め、非常に精度良く製造する必要があり、その精度の向
上も要求される。ところが、読み取りのためのビームを
アライメントパターンに照射している限り、劣化は避け
られず、やはり精度は低下してしまう。

【００１１】このように、フォトマスクの最終製品とし
てのアライメントパターンの品質保護は重要な問題であ
り、最終製品としてのアライメントパターンの品質を変
えることなく、描画の際の位置座標の高精度化を図るこ
とができる技術の開発が望まれている。

【００１２】したがって、この発明の目的は、パターン
を描画する際の描画ビームの位置精度を向上させること
ができるとともに、最終製品としてのアライメントパタ
ーンの品質を維持することができるフォトマスク基板お
よびフォトマスクの製造方法を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第１の発明は、フォトマスク基板におけ
る描画領域の外部に、描画ビームを用いて転写用パター
ンの形状を描画する際の描画ビームの位置の補正を行う
ための描画ビーム補正用パターンが設けられていること
を特徴とするフォトマスク基板である。

【００１４】この第１の発明において、最終製品のアラ
イメントパターンの品質の劣化を防止するために、典型
的には、描画ビーム補正用パターンは、転写用パターン
の形状を半導体基板に転写する際に転写用パターンと半
導体基板との位置合わせを行うためのアライメントパタ
ーンが設けられる位置とは異なる位置に、設けられてい
る。

【００１５】この発明の第２の発明は、基板上に塗布さ
れたレジストに、描画ビームを用いて転写用パターンの
形状を描画するようにしたフォトマスクの製造方法にお
いて、基板上に描画ビーム補正用パターンを形成した
後、基板上にレジストを塗布し、描画ビーム補正用パタ
ーンの位置座標を読み取り、読み取られた描画ビーム補
正用パターンの位置座標に対する描画ビームの相対的な
位置を制御しつつ、転写用パターンの形状を描画するよ
うにしたことを特徴とするものである。

【００１６】この第２の発明において、描画ビームの位
置座標のずれを補正し、描画位置精度を向上させるため
に、典型的には、描画ビームによる転写用パターンの形
状の描画を行っている間に、描画ビーム補正用パターン
の位置座標の読み取りを行い、転写用パターンの形状の
描画を行っている間に読み取られた描画ビーム補正用パ
ターンの位置座標の、転写用パターンの形状の描画を行
う前に読み取られた描画ビーム補正用パターンの位置座
標からのずれを参照して、描画ビームの位置座標を補正
する。

【００１７】この第２の発明において、描画ビームの制
御を容易にするために、典型的には、描画ビーム補正用
パターンの読み取りと、転写用パターンの形状の描画と
を電子ビームまたは光ビームを用いて行う。

【００１８】この第２の発明において、典型的には、基
板上に遮光膜を形成し、遮光膜上にレジストを塗布し、
レジストに描画ビームを用いて描画ビーム補正用パター
ンの形状を描画し、レジストを現像した後、エッチング
を行うことにより、描画ビーム補正用パターンを形成す
る。

【００１９】この第２の発明において、典型的には、集
束イオンビームを用いて基板上に光を透過しない堆積物
を生成させることにより、描画ビーム補正用パターンを
形成する。また、この堆積物の生成には、好適には、例
えばピレンやスチレンなどの有機物系のガスが用いられ
る。

【００２０】この発明において、典型的には、描画ビー
ム補正用パターンは、十字型や♯字型などの複数のライ
ンパターンから構成されているものであるが、描画ビー
ム補正用パターンの形状としては、十字型や♯字型以外
の形状のものを用いることも可能であり、例えば口字型
などの形状のものを用いることが可能である。

【００２１】上述のように構成されたこの発明によるフ
ォトマスク基板およびフォトマスクの製造方法によれ
ば、転写用パターンの描画領域の外に描画ビーム補正用
パターンが設けられたフォトマスク基板を用い、描画ビ
ーム補正用パターンの位置座標を読み取った後、描画ビ
ーム補正用パターンの位置座標に対する描画ビームの相
対的な位置座標を制御しつつ、転写用パターンの形状を
描画していることにより、描画中に、描画ビームの位置
座標の補正を適時行うことができる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態
の全図においては、同一または対応する部分には同一の
符号を付す。

【００２３】まず、この発明の第１の実施形態によるフ
ォトマスクについて説明する。図１に、この第１の実施
形態によるフォトマスクを示す。

【００２４】図１に示すように、この第１の実施形態に
よるフォトマスクにおいては、フォトマスク基板１に、
回路パターンやデバイスパターンなどの、ウェーハなど
に転写される本パターン２が設けられている。フォトマ
スク基板１の本パターン２の領域の外、かつ本パターン
２の外周の近傍には、評価パターン３が設けられてい
る。この評価パターン３は、図２Ａに示すように、例え
ば正方形の内側がさらに正方形でくり抜かれた主尺パタ
ーン３ａと、主尺パターン３ａのうちのくり抜かれた領
域の内側に設けられる、例えば正方形の副尺パターン３
ｂとから構成されている。また、本パターン２の領域の
外におけるフォトマスク基板１の４隅には、例えば十字
型の形状を有する補正用パターン４ａ、４ｂ、４ｃ、４
ｄが設けられている。

【００２５】次に、上述のように構成されたフォトマス
クの製造方法について説明する。まず、フォトマスクの
製造に用いられる、補正用パターンを有するフォトマス
ク基板１の製造方法について説明する。

【００２６】この第１の実施形態によるフォトマスク基
板の製造方法においては、まず、図３Ａに示すように、
例えば石英ガラスや合成石英ガラス（Ｑ_z ）などからな
るガラス基板５上に、例えばクロム（Ｃｒ）からなる遮
光膜６を形成した後、図３Ｂに示すように、遮光膜６上
に電子線レジスト７を塗布する。

【００２７】次に、図３Ｃに示すように、作成されたフ
ォトマスク基板を電子線露光装置の所定位置に載置し、
電子線レジスト７に電子ビームを照射することにより、
図１に示す本パターン２の形状を描画する描画領域（ウ
ェーハ転写における有効露光領域）の外の例えば４隅
に、例えば十字型の補正用パターン４ａ〜４ｄの形状を
描画する。この補正用パターン４ａ〜４ｄの形状の描画
位置は任意の位置でよいが、必要に応じて、後のフォト
マスクとウェーハ上のパターンとのアライメントに用い
られるアライメントパターンが形成される位置とは重な
らないような位置にする。

【００２８】次に、図３Ｄに示すように、この電子線レ
ジスト７を現像することによって、補正用パターン４ａ
〜４ｄの形状を有するレジストパターン８を形成する。

【００２９】次に、図３Ｅに示すように、このレジスト
パターン８をマスクとして、例えばウェットエッチング
法により、遮光膜６をエッチングする。これによって、
遮光膜６に補正用パターン４ａ〜４ｄが形成される。そ
の後、図３Ｆに示すように、レジストパターン８を除去
する。

【００３０】以上のようにして、ガラス基板５上の４隅
にそれぞれ例えば十字型の形状の補正用パターン４ａ〜
４ｄが設けられたフォトマスク基板１が製造される。

【００３１】次に、上述のようにして製造されたフォト
マスク基板１の描画領域に本パターン２を形成するフォ
トマスクの製造方法について説明する。

【００３２】まず、補正用パターン４ａ〜４ｄが設けら
れたフォトマスク基板１上に電子線レジスト（図示せ
ず）を塗布した後、再度電子線描画装置（図示せず）の
所定位置に載置する。次に、電子ビームにより補正用パ
ターン４ａ〜４ｄの位置を読み取った後、本パターン２
の描画領域の外の所定位置の電子線レジストに、主尺パ
ターン３ａの形状を描画する。

【００３３】次に、フォトマスク基板１の中央の領域の
電子線レジストに本パターン２の形状を描画する。すな
わち、電子線描画装置の所定のフォーマットにしたが
い、電子ビームを用いて、電子線レジストに本パターン
２の形状を所定領域にわたって描画した後、４箇所の補
正用パターン４ａ〜４ｄの位置を読み取る。次に、この
読み取った補正用パターン４ａ〜４ｄの位置座標と、主
尺パターン３ａの形状を描画する前に読み取った補正用
パターン４ａ〜４ｄの位置座標との相対座標を算出す
る。そして、この相対座標を参照して電子ビームの位置
ずれを補正し、本パターン２の形状の描画を再開する。

【００３４】上述の本パターン２の形状の描画、補正用
パターン４ａ〜４ｄの位置座標の読み取り、および電子
ビームの位置ずれの補正を順次繰り返し行い、本パター
ン２の描画領域の全面の電子線レジストに、本パターン
２の形状を描画する。

【００３５】次に、本パターン２の形状の描画が終了し
た後、主尺パターン３ａの形状のうちのくり抜かれた領
域の内側に、例えば副尺パターン３ｂの形状を描画す
る。

【００３６】次に、電子線レジストを現像することによ
って、本パターン２と、主尺パターン３ａおよび副尺パ
ターン３ｂからなる評価パターン３との形状を有するレ
ジストパターン（図示せず）が形成される。

【００３７】次に、このレジストパターンをマスクとし
て、例えばウェットエッチング法により遮光膜６をエッ
チングすることによって、遮光膜６に本パターン２およ
び評価パターン３を形成する。その後、レジストパター
ンを除去する。

【００３８】以上のようにして、この第１の実施形態に
よるフォトマスクが製造される。

【００３９】次に、上述のようにして製造されたフォト
マスクの描画位置精度を評価パターン３を用いて評価す
る。まず、描画位置精度の評価方法について以下に具体
的に説明する。

【００４０】すなわち、上述したように、電子ビームを
用いて、本パターン２の形状の描画前に主尺パターン３
ａの形状を描画し、本パターン２の形状の描画後に副尺
パターン３ｂの形状を描画する。その後、現像処理、エ
ッチング工程、レジストパターン剥離工程を経ることに
よって、図２Ａに示すように、遮光膜６からなる主尺パ
ターン３ａおよび副尺パターン３ｂが形成される。そし
て、図２Ｂに示すように、主尺パターン３ａの中心座標
と副尺パターン３ｂの中心座標とを測定し、それらの位
置誤差ｄｘ、ｄｙを求めることにより、描画位置精度を
求める。

【００４１】この評価方法により、上述のようにして製
造されたフォトマスクの描画位置精度を評価する。ま
た、比較のために、従来の技術を用いて製造されたフォ
トマスクの描画位置精度を評価する。従来技術を用いて
製造されたフォトマスクは、図４に示すように、フォト
マスク基板１上に、転写用の本パターン２と、主尺パタ
ーン３ａおよび副尺パターン３ｂからなる評価パターン
３とが設けられている。

【００４２】上述の描画位置精度の評価の結果、図４に
示す従来のフォトマスクにおける描画位置精度は、位置
誤差ｄｘ、ｄｙがともに１００ｎｍであったのに対し、
この第１の実施形態によるフォトマスクの製造方法を用
いて製造されたフォトマスクの描画位置精度は、位置誤
差ｄｘ、ｄｙがともに７０ｎｍであり、描画位置精度が
３０ｎｍ程度向上したことが確認された。

【００４３】以上説明したように、この発明の第１の実
施形態によるフォトマスク基板、およびこのフォトマス
ク基板を用いたフォトマスクの製造方法によれば、フォ
トマスク基板１の４隅にそれぞれ補正用パターン４ａ〜
４ｄを設け、これらの補正用パターン４ａ〜４ｄの位置
座標を適時読み取り、電子ビームの描画位置座標を補正
しながら、電子線レジストに本パターン２の形状を描画
するようにしていることにより、電子ビームの位置座標
の補正を適時行うことができるので、フォトマスクの製
造における本パターン２の描画位置精度の向上を図るこ
とができる。また、補正用パターンとして、ウェーハ転
写時に使用する最終製品のアライメントパターンを用い
ていないため、このアライメントパターンの品質劣化を
考慮する必要がないのみならず、ウェーハ転写時のアラ
イメントに関しても考慮する必要がなくなり、補正用パ
ターン４ａ〜４ｄの形成における位置精度を考慮する必
要がなくなる。これによって、補正用パターン４ａ〜４
ｄを任意の位置に、任意の形状、大きさで配置すること
が可能となる。

【００４４】次に、この発明の第２の実施形態によるフ
ォトマスクについて説明する。図５にこの第２の実施形
態によるフォトマスクを示す。

【００４５】図５に示すように、この第２の実施形態に
よるフォトマスクにおいては、第１の実施形態と同様
に、フォトマスク基板１上に本パターン２が設けられて
いるとともに、この本パターン２の領域の外、かつ本パ
ターン２の外周の近傍に評価パターン３が設けられてい
る。この評価パターン３は第１の実施形態におけると同
様のものである。また、フォトマスク基板１における本
パターン２の領域外の４隅には、例えば♯字型の形状を
有し、例えばＣｒからなる補正用パターン１１ａ、１１
ｂ、１１ｃ、１１ｄが設けられている。

【００４６】次に、上述のように構成されたフォトマス
クの製造方法について説明する。まず、フォトマスクの
製造に用いられる、補正用パターン１１ａ〜１１ｄを有
するフォトマスク基板１の製造方法について説明する。

【００４７】この第２の実施形態によるフォトマスク基
板の製造方法においては、例えば石英ガラスやＱ_z など
からなるガラス基板（図示せず）上に例えばＣｒからな
る遮光膜を形成する。次に、集束イオンビーム（ＦＩ
Ｂ）を用いて、例えば有機ガスを供給しながらイオンを
ガラス基板の例えば４隅に、所望の形状、この第２の実
施形態においては例えば♯字型の形状に照射することに
より、遮光性の堆積物を生成する。これにより、それぞ
れ♯字型の補正用パターン１１ａ〜１１ｄが形成され
る。以上のようにして、本パターン２の形状を描画する
ためのフォトマスク基板１が製造される。

【００４８】次に、上述のようにして製造されたフォト
マスク基板１の描画領域に本パターン２を形成するフォ
トマスクの製造方法について説明する。

【００４９】まず、補正用パターン１１ａ〜１１ｄが設
けられたフォトマスク基板１上に電子線レジスト（図示
せず）を塗布した後、このフォトマスク基板１を、再
度、電子線描画装置（図示せず）の所定位置に載置す
る。次に、電子ビームにより補正用パターン１１ａ〜１
１ｄの位置座標を読み取る。次に、本パターン２の描画
領域の外の所定位置の電子線レジストに、主尺パターン
３ａの形状を描画する。

【００５０】次に、フォトマスク基板１の中央の領域の
電子線レジストに、本パターン２の形状を描画する。す
なわち、電子線描画装置における所定のフォーマットに
従い、電子ビームを用いて、電子線レジストに本パター
ン２の形状を所定領域にわたって描画した後、４箇所の
補正用パターン１１ａ〜１１ｄの位置座標を読み取る。
ここで、この補正用パターン１１ａ〜１１ｄの位置座標
の読み取りの方法としては、補正用パターン１１ａ〜１
１ｄの♯字型の４つの交点の位置座標を測定するように
してもよく、また、それぞれの補正用パターン１１ａ〜
１１ｄを構成する４本の直線に囲まれた４角形の中心の
位置座標を測定するようにしてもよい。

【００５１】次に、上述のようにして読み取った補正用
パターン１１ａ〜１１ｄの位置座標と、主尺パターン３
ａを描画する前に読み取った補正用パターン１１ａ〜１
１ｄの位置座標との相対座標を算出する。そして、この
相対座標を参照することによって位置ずれを算出する。
この位置ずれの値を用いて電子ビームの位置を補正した
後、本パターン２の形状の描画を再開する。

【００５２】上述の本パターン２の形状の描画、補正用
パターン１１ａ〜１１ｄの位置座標の読み取り、および
電子ビームの位置ずれの補正を順次繰り返し行うことに
よって、電子線レジストの本パターン２の描画領域に、
本パターン２の形状を描画する。

【００５３】本パターン２の描画が終了した後、主尺パ
ターン３ａにおける正方形にくり抜かれた領域の内側
に、例えば正方形の副尺パターン３ｂを描画する。

【００５４】次に、電子線レジストを現像することによ
って、本パターン２および評価パターン３の形状を有す
るレジストパターン（図示せず）が形成される。次に、
このレジストパターンをマスクとして、例えばウェット
エッチング法により遮光膜６をエッチングする。これに
よって、遮光膜６に本パターン２および評価パターン３
が形成される。その後、レジストパターンを除去する。

【００５５】以上のようにして、この第２の実施形態に
よるフォトマスクが製造される。

【００５６】次に、第１の実施形態におけると同様にし
て、評価パターン３を用いて描画位置誤差ｄｘ、ｄｙを
求めることにより、描画位置精度の評価を行った。その
結果、従来の技術を用いて製造されたフォトマスクにお
ける描画位置精度は、第１の実施形態と同様に位置誤差
ｄｘ、ｄｙがともに１００ｎｍであったのに対し、この
第２の実施形態によるフォトマスクにおける描画位置精
度は、位置誤差ｄｘ、ｄｙがともに７０ｎｍであり、描
画位置精度が３０ｎｍ程度向上したことが確認された。

【００５７】この発明の第２の実施形態によるフォトマ
スク基板、およびこのフォトマスク基板を用いたフォト
マスクの製造方法によれば、フォトマスク基板１におけ
る本パターン２の描画領域の外に、♯字型の補正用パタ
ーン１１ａ〜１１ｄを設けていることにより、第１の実
施形態と同様の効果を得ることができる。

【００５８】以上、この発明の実施形態について具体的
に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定され
るものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の
変形が可能である。

【００５９】例えば、上述の実施形態において挙げた材
料、形状はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと
異なる材料、形状を用いてもよい。

【００６０】また、上述の第１および第２の実施形態に
おいて、評価パターン３を構成する主尺パターン３ａお
よび副尺パターン３ｂとして、正方形の形状のいわゆる
ボックスマークを用いているが、主尺パターン３ａおよ
び副尺パターン３ｂとして、例えば、複数のラインパタ
ーンから構成されるパターンを用いてもよく、それ以外
の形状のパターンを用いることも可能である。

【００６１】また、例えば上述の第１および第２の実施
形態においては、レジストとして電子線レジストを用
い、露光装置として電子線露光装置を用いているが、必
要に応じて、レジストとして光レジストを用い、露光装
置として光露光装置を用いることも可能であり、このと
き、補正用パターン４ａ〜４ｄ、１１ａ〜１１ｄの読み
取りと、転写用の本パターン２の形状の描画とを、光ビ
ームを用いて行う。

【００６２】また、例えば上述の第１および第２の実施
形態においては、４つの補正用パターンをそれぞれフォ
トマスク基板１の４隅に形成しているが、補正用パター
ンを設ける位置、個数および大きさは任意に設定するこ
とが可能である。

【００６３】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によるフ
ォトマスク基板およびフォトマスクの製造方法によれ
ば、基板上に描画ビーム補正用パターンを設け、この描
画ビーム補正用パターンの位置を適時読み取るととも
に、描画ビーム補正用パターンの位置座標に対する描画
ビームの相対的な位置座標を制御して、基板上に所定形
状のパターンを描画していることにより、パターンを描
画する際の描画ビームの照射位置の精度を向上させるこ
とができるとともに、最終製品としてのアライメントパ
ターンの品質を維持することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１の実施形態によるフォトマスク
を示す平面図である。

【図２】この発明の第１の実施形態によるフォトマスク
の描画位置精度を測定するための評価パターンを示す平
面図である。

【図３】この発明の第１の実施形態によるフォトマスク
基板の製造方法を説明するための断面図である。

【図４】この発明の第１の実施形態におけるフォトマス
クにおいて描画位置精度の比較を行うための従来のフォ
トマスクを示す平面図である。

【図５】この発明の第２の実施形態によるフォトマスク
を示す平面図である。

【符号の説明】

１・・・フォトマスク基板、２・・・本パターン、３・
・・評価パターン、３ａ・・・主尺パターン、３ｂ・・
・副尺パターン、４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ、１１ａ、１
１ｂ、１１ｃ、１１ｄ・・・補正用パターン

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 フォトマスク基板における描画領域の外
   部に、描画ビームを用いて上記転写用パターンの形状を
   描画する際の上記描画ビームの位置の補正を行うための
   描画ビーム補正用パターンが設けられていることを特徴
   とするフォトマスク基板。
2. 【請求項２】 上記転写用パターンの形状を半導体基板
   に転写する際に上記転写用パターンと上記半導体基板と
   の位置合わせを行うためのアライメントパターンが設け
   られる位置とは異なる位置に、上記描画ビーム補正用パ
   ターンが設けられていることを特徴とする請求項１記載
   のフォトマスク基板。
3. 【請求項３】 上記描画ビーム補正用パターンが、複数
   のラインパターンから構成されていることを特徴とする
   請求項１記載のフォトマスク基板。
4. 【請求項４】 基板上に塗布されたレジストに、描画ビ
   ームを用いて転写用パターンの形状を描画するようにし
   たフォトマスクの製造方法において、 上記基板上に描画ビーム補正用パターンを形成した後、
   上記基板上に上記レジストを塗布し、 上記描画ビーム補正用パターンの位置座標を読み取り、 上記読み取られた描画ビーム補正用パターンの位置座標
   に対する上記描画ビームの相対的な位置を制御しつつ、
   上記転写用パターンの形状を描画するようにしたことを
   特徴とするフォトマスクの製造方法。
5. 【請求項５】 上記描画ビームにより上記転写用パター
   ンの形状の描画を行っている間に、上記描画ビーム補正
   用パターンの位置座標の読み取りを行い、上記転写用パ
   ターンの形状の描画を行っている間に読み取られた上記
   描画ビーム補正用パターンの位置座標の、上記転写用パ
   ターンの形状の描画を行う前に読み取られた上記描画ビ
   ーム補正用パターンの位置座標からのずれを参照して、
   上記描画ビームの位置座標を補正するようにしたことを
   特徴とする請求項４記載のフォトマスクの製造方法。
6. 【請求項６】 上記描画ビーム補正用パターンの読み取
   りと、上記転写用パターンの形状の描画とを電子ビーム
   を用いて行うようにすることを特徴とする請求項４記載
   のフォトマスクの製造方法。
7. 【請求項７】 上記描画ビーム補正用パターンの読み取
   りと、上記転写用パターンの形状の描画とを光ビームを
   用いて行うようにすることを特徴とする請求項４記載の
   フォトマスクの製造方法。
8. 【請求項８】 上記基板上に遮光膜を形成し、上記遮光
   膜上にレジストを塗布し、上記レジストに上記描画ビー
   ムを用いて上記描画ビーム補正用パターンの形状を描画
   し、上記レジストを現像した後、エッチングを行うこと
   により、上記描画ビーム補正用パターンを形成するよう
   にしたことを特徴とする請求項４記載のフォトマスクの
   製造方法。
9. 【請求項９】 集束イオンビームを用いて上記基板上に
   光を透過しない堆積物を生成させることにより、上記描
   画ビーム補正用パターンを形成するようにしたことを特
   徴とする請求項４記載のフォトマスクの製造方法。