JP2806307B2 - レンズディストーションの測定用レチクル及びその測定方法 - Google Patents

レンズディストーションの測定用レチクル及びその測定方法

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JP2806307B2
JP2806307B2 JP7164256A JP16425695A JP2806307B2 JP 2806307 B2 JP2806307 B2 JP 2806307B2 JP 7164256 A JP7164256 A JP 7164256A JP 16425695 A JP16425695 A JP 16425695A JP 2806307 B2 JP2806307 B2 JP 2806307B2
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    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70591Testing optical components
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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はレンズディストーション
測定レチクル及び測定方法に関し、特に紫外線および
遠紫外線を用いた露光装置のレンズディストーションの
測定レチクル及び測定方法に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、半導体集積回路においては、半
導体基板(以下、ウェハと云う)上のパターン形成の過
程において、露光装置が使用されている。図5は、当該
露光装置の1例を示す概念図であり、縮小投影露光装置
および露光光学系の概略が示されている。図5におい
て、光源33より放射される露光光は、反射鏡34、フ
ライアイレンズ35、アパーチャ絞り36、レチクルブ
ラインド37、コンデンサーレンズ38、レチクル3
9、縮小投影レンズ40を経由して、ウェハステージ4
2上のウェハ41に所望の露光量だけ照射される。
【0003】従来は、図5に示されるような縮小投影露
光装置における理想格子に対するレンズディストーショ
ンの測定方法としては、図6に示されるフローチャート
による方法が用いられているのが通例である。以下に、
図6を参照して、従来のレンズディストーションの測定
方法について説明する。
【0004】始めに、露光領域を長方形で任意に調整す
ることのできるレチクルブラインド37を調節して、露
光領域を20mm角の最大値に設定する(ステップ6
1)。次に、フォトレジストが塗布されているウェハ4
1の表面に対応して、当該表面におけるレンズディスト
ーションの測定対象位置として、図7に示されるよう
に、40箇所に、測定マーク43を含む測定用パターン
が配置され、更に露光領域中心部にも中心部測定マーク
44が配置されるレチクル39を用いて、図8に示され
るように、ウェハ41における最大露光領域45に対し
てウェハステージ42を9回移動させて、その都度繰返
して露光する(ステップ62)。図7に示される測定マ
ーク43および中心部測定マーク44には、図9の拡大
図に示されるように、正方形のパターンによる主尺46
と副尺47があるが、ステップ62に次いで、ウェハ4
1をウェハステージ42に載せたままレチクルブライン
ド37を調節して、露光領域の中心部測定マーク44の
領域(50μm角程度)に対してのみ露光光が通るよう
にレチクルブラインド37を設定する(ステップ6
3)。そして、始めに露光した露光領域内に、図7に示
されるように配置された40箇所の測定マーク43のそ
れぞれに対して、(x,y)の各座標系とも10μmの
一定オフセット量をずらしながら露光を行う。その際、
測定マーク43(図7参照)において、レンズディスト
ーションを測定することができるように、上記の主尺4
6と副尺47(図9参照)は、図10(a)の主尺・副
尺重複部48に示されるように、相互に重なるように配
置される。このことを、始めに露光した全ての測定マー
ク43のそれぞれに対して、ウェハステージ42を理想
格子に沿って移動することにより繰返して行う(ステッ
プ64)。その後に、ウェハ41を現像し(ステップ6
5)、各測定マーク43と中心部測定マーク44のオフ
セット量を測定して、10μmの設定値との差を理想格
子に対するレンズディストーション値として求める(ス
テップ66)。
【0005】即ち、図10(b)に示されるように、主
尺46と副尺47との重複による主尺・副尺重複部48
において、xおよびyの両座標軸上におけるレンズディ
ストーションDisx およびDisy は、図10(b)の主
尺・副尺重複部の拡大図に示されるように、x1
2 、y1 およびy2 を用いて、それぞれ下記の
(1)、(2)式により求められる。
【0006】 Disx =(x1 −x2 )/2 ……………………(1) Disy =(y1 −y2 )/2 ……………………(2) なお、上述したように、始めに、ウェハ41における最
大露光領域45に対してウェハステージ42を9回移動
させて、その都度繰返して露光したのは、露光領域内の
1点につき9回の測定を行ってその平均値を求め、測定
誤差を低減することができるようにしているためであ
る。
【0007】また、一方において、ディストーション測
定における解像力および焦点深度等の向上を図るために
有効な変形照明法が知られている。一般に、同一露光装
置において生じるレンズのディストーションは、使用さ
れる照明法により変化する。この光学条件変更時におけ
るレンズディストーションの変化量を求める場合には、
図11のフローチャートに示されるように、まず、露光
装置に対する光学条件を所望の条件に設定する(ステッ
プ111)。次に、レチクルブラインド37を最大露光
領域45の全体に拡大し(ステップ112)、ウエハ4
1に対して9回、露光領域の全体に対して繰返して露光
する(ステップ113)。次いで、レチクルブラインド
37を露光領域の中心部の測定パターンに対してのみ開
放し(ステップ114)、ウエハ41上の各測定パター
ンにおける全ての位置に、ウエハステージ42を理想格
子状に移動させて、前記露光領域の中心部における測定
パターンに対応する露光を行う(ステップ115)。そ
してウエア41を現像して(ステップ116)、上述の
ようにディストーションの変化量を求めて、所望のレン
ズディストーションを測定し(ステップ117)、次い
で、照明にかかわる全ての光学条件に対応する測定が終
了したか否かを判定して(ステップ118)、全ての光
学条件についての測定が終了していない場合には、ステ
ップ111に戻り、再度ステップ111以降の測定手順
を繰返して実行し、また、全ての光学条件についての測
定が終了している場合には、ステップ119に移行し
て、各光学条件におけるレンズディストーション測定値
を比較照合することにより、それぞれの照明光学条件に
おけるレンズディストーションの差異を求めている。即
ち、各光学条件ごとに、理想格子に対するレンズディス
トーションを求めて、相互比較が行われている。
【0008】上述のように、従来、各光学条件系ごとに
理想格子に対するレンズディストーションを求めている
のは、当該変更照明法が実用化される以前においては、
各露光装置における照明条件が1つであり、レンズディ
ストーションの比較照合は、各露光装置間においてのみ
行われてきたからである。このように、各露光装置間に
おいて、直接的にレンズディストーションの比較測定を
行うためには、ウェハ41を各露光装置のウェハステー
ジ42の相互間において移動させることが必要となる。
従って、ウェアに対する二重露光を行う場合には、ウェ
ハ41を一旦ウェハステージ42から取外してから再度
露光しようとする際に、重ね合わせ誤差がレンズディス
トーションの値に比較して大きい値となってしまうため
に、その方法を採ることが不可能となり、このために、
各露光装置において、それぞれ理想格子に対するレンズ
ディストーションの測定が行われている。このような理
想格子に対するレンズディストーションの測定方法は、
前述のように、従来の変形照明法においても採用されて
いる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のレンズ
ディストーションの測定方法においては、各光学条件間
におけるレンズディストーション差異を求める際に、各
光学条件ごとに、理想格子に対するレンズディストーシ
ョンを求めているために、それに要する露光回数が多く
なり、これに伴ないウエハ枚数も光学条件の数と同数必
要となって、レンズディストーション測定に多大の時間
がかかるという欠点がある。
【0010】また、各光学条に対応するレンズディスト
ーションを、測定手法上、直接的に比較測定することが
できないために、どうしても測定誤差が大きくなり易い
という欠点がある。
【0011】
【課題を解決する手段】本発明のレンズディストーショ
ンの測定用レチクルは、レチクル上の露光領域内に複数
個配置された主尺と副尺とからなる測定用マークを有す
るレンズディストーションの測定用レチクルにおいて、
前記主尺は枠状の透光部で形成され、副尺に重ねた場合
副尺を十分囲む大きさで、かつ一方向に一定間隔で複数
並んで構成され、前記副尺は正方形の透光部で形成さ
れ、他方向に前記主尺間の2倍の間隔で複数並んで構成
され、前記主尺と前記副尺の各列の交差する角度は45
°となっていることを特徴とするとするものであり、ま
たレンズディストーションの測定方法は、縮小投影露光
装置を用いて複数の光学条件下において半導体基板を露
光処理し、前記複数の光学条件間のレンズディストーシ
ョン差を請求項1記載のレチクルを用いて測定するレン
ズディストーションの測定方法において、レンズディス
トーション測定対象の1つの半導体基板に対して、第1
の光学条件において露光処理をおこなった後、連続して
光学条件の変更を行い、第1の光学条件で露光された前
記レチクルの主尺と第2の露光での前記レチクルの副尺
が重なり合うように第1の光学条件の露光位置からx,
y座標ともにオフセットした位置で第2の露光処理を行
い、以降繰り返し所望の複数の光学条件により各々x,
y座標ともにオフセット露光処理をおこなった後、現像
された半導体基板を生成する第1の測定ステップと、前
記第1の測定ステップにおいて現像された半導体基板を
用いて、前記複数の異なる光学条件における前記半導体
基板に対応するレンズディストーションを測定し、これ
らの各光学条件におけるレンズディストーション測定値
を直接比較することにより、当該複数の光学条件間のレ
ンズディストーション差を求める第2の測定ステップ
と、を有することを特徴とするものである。
【0012】なお、前記第1の測定ステップとしては、
前記縮小投影露光装置のレチクルブラインドを最大露光
領域全体に拡げる第3の測定ステップと、前記半導体基
板に対する露光用基準光学条件として指定される第1の
光学条件を設定する第4の測定ステップと、前記半導体
基板における露光領域全体を、繰返して複数回露光する
第5の測定ステップと、前記半導体基板に対する前記複
数の光学条件に対応する露光処理が、全ての光学条件に
対して終了しているか否かを判定する第6の測定ステッ
プと、前記第6の測定ステップにおいて、前記複数の光
学条件に対応する全ての露光処理が未だ終了していない
場合に、前回の露光用の光学条件を次の光学条件に変更
する第7の測定ステップと、前記第7の測定ステップに
おいて変更された光学条件を受けて、前記半導体基板に
対する前回の露光位置から所定距離だけずらして、当該
半導体基板における露光領域全体を繰返して複数回露光
するとともに、当該露光処理終了後においては前記第6
の測定ステップに戻る第8の測定ステップと、前記第6
の測定ステップにおいて、前記複数の光学条件に対応す
る全ての露光処理が既に終了している場合に、前記半導
体基板を現像する第9の測定ステップと、を少なくとも
有するようにしてもよい。
【0013】或はまた、前記第1の測定ステップとして
は、前記縮小投影露光装置のレチクルブラインドを最大
露光領域全体に拡げる第10の測定ステップと、前記半
導体基板に対する露光用基準光学条件として指定される
第1の光学条件を設定する第11の測定ステップと、前
記半導体基板に対する前記複数の光学条件に対応する露
光処理が、全ての光学条件に対して終了しているか否か
を判定する第12の測定ステップと、前記第12の測定
ステップにおいて、前記複数の光学条件に対応する全て
の露光処理が未だ終了していない場合に、前回の露光用
の光学条件を次の光学条件に変更する第13の測定ステ
ップと、前記第13の測定ステップにおいて変更された
光学条件を受けて、前記半導体基板における前回の露光
位置から所定距離だけずらして、当該半導体基板におけ
る露光領域全体を繰返して複数回露光するとともに、当
該露光処理終了後においては前記第12の測定ステップ
に戻る第14の測定ステップと、前記第12の測定ステ
ップにおいて、前記複数の光学条件に対応する全ての露
光処理が既に終了している場合に、前記縮小投影露光装
置のレチクルブラインドを、露光領域の中心部の測定パ
ターンにのみ開放する第15の測定ステップと、前記半
導体基板上の各測定パターンの全ての位置にウェハース
テージを理想格子状に移動し、露光領域中心部の測定パ
ターンの露光を行う第16の測定ステップと、半導体基
板を現像する第17の測定ステップと、を少なくも有す
ることを特徴としてもよい。
【0014】更に、前記第8の測定ステップとしては、
基準となる前記第1の光学条件において露光した位置か
らx、yの両座標ともに10μmオフセットし、前記基
準の第1の光学条件において露光された測定マークの主
尺と、前記第7の測定ステップにおいて変更された光学
条件における測定マークの副尺とが重なるようにして、
当該半導体基板の露光領域全体を繰返して露光する測定
ステップを有するようにしてもよく、また、前記第14
の測定ステップも、同様に、基準となる前記第1の光学
条件において露光した位置からx、yの両座標ともに1
0μmオフセットし、前記基準の第1の光学条件におい
て露光された測定マークの主尺と、前記第13の測定ス
テップにおいて変更された光学条件における測定マーク
の副尺とが重なるようにして、当該半導体基板の露光領
域全体を繰返して露光する測定ステップを有するように
してもよい。
【0015】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
【0016】図1は本発明の第1の実施例における測定
手順を示すフローチャートである。本発明は、1ウェハ
に対する露光処理時に、複数の光学条件を適用して露光
を行うことにより、各光学条件間におけるレンズティス
トーション差を直接的に比較照合して、測定効率を改善
するレンズディストーションの測定方法を提供するもの
であり、本実施例においては、4種類の光学条件におい
てレンズディストーションを比較測定する場合について
説明するものとする。また、この場合に使用される測定
マークとしては、図3に示されるように、4組の主尺3
1と1つの副尺32が用意されている。
【0017】図1において、まず始めに、レチクルブラ
インド37を調節して、露光領域を最大露光領域45
(図8参照)に拡大して設定し(ステップ11)、光学
条件としては、基準となる第1の光学条件に設定する
(ステップ12)。次いで、従来技術の場合と同様に、
フォトレジストが塗布されているウェハ41の表面に対
応して、当該表面におけるレンズディストーションの測
定対象位置として、図7に示されるように、40箇所
に、測定マーク43を含む測定用パターンが配置され、
更に露光領域中心部にも中心部測定マーク44が配置さ
れるレチクル39を用いて、図8に示されるように、ウ
ェハ41における最大露光領域45に対してウェハステ
ージ42を9回移動させて、その都度繰返して露光を行
う(ステップ13)。次いで、第1、第2、第3および
第4の光学条件を含む全ての光学条件について、ウェハ
41に対する露光が終了したか否かを判定して(ステッ
プ14)、未だ全ての光学条件におけるウェハ41に対
する露光が終了していない場合には、ステップ15に移
行し、光学条件を次の光学条件に変更して、ウェハ41
における最大露光領域45に対してウェハステージ42
を9回移動させて、その都度繰返して露光を行う。この
場合に、例えば、ステップ14において、第1の光学条
件に対応する露光が終了しているものと判定される場合
には、光学条件を第2の光学条件に変更するとともに、
第2の光学条件に対する条件変更に対応して、露光位置
を、前回の第1の光学条件において露光した位置から、
x、y座標ともに10μmづつオフセットして、基準と
なる光学条件において、測定マーク43(図7参照)の
主尺46(図9参照)と、第2の光学条件における副尺
47(図9参照)とが重なり合うように設定し、ウェハ
41における最大露光領域45に対してウェハステージ
42を9回移動させて、その都度繰返して露光を行う。
【0018】次いで、ステップ14に戻り、再度全ての
光学条件について、ウェハ41に対する露光が終了した
か否かを判定して、第4の光学条件に対応する露光が終
了するまでは、ステップ15およびステップ16の手順
を繰返して実行する。そして、ステップ14において、
全ての光学条件に対応する露光が終了しているものと判
定され、露光の終了したウェハ41を現像すると(ステ
ップ17)、図4に示されるように10箇所の主尺・副
尺重複部33が現われる。次いで、これらの10箇所の
主尺・副尺重複部33の全てについて、主尺と副尺との
ずれを測定することにより、前記4種類の光学条件の相
互間におけるレンズディストーション差を測定する(ス
テップ18)。以上の手順により、4種類の光学条件間
のレンズディストーション差が求められる。
【0019】次に、本発明の第2の実施例について説明
する。図2は本発明の第2の実施例における測定手順を
示すフローチャートである。なお、本実施例において
は、理想格子に対する3種類の光学条件においてレンズ
ディストーションを比較測定する場合について説明する
ものとする。また、この場合に使用される測定マーク4
3(図7参照)としては、図3に示されるように、4組
の主尺31と1つの副尺32が用意されている。
【0020】図2において、始めに、レチクルブライン
ド37を調節して、露光領域を最大露光領域45(図8
参照)に拡大して設定し(ステップ21)、光学条件と
しては、基準となる第1の光学条件に設定する(ステッ
プ22)。次いで、第1、第2および第3の光学条件を
含む全ての光学条件について、ウェハ41に対する露光
が終了したか否かを判定して(ステップ23)、全ての
光学条件におけるウェハ41に対する露光が終了してい
ない場合には、光学条件を次の光学条件に変更して(ス
テップ24)、ウェハ41における最大露光領域45に
対してウェハステージ42を9回移動させ、その都度繰
返して露光を行う。但し、その際には、露光位置を、前
回の光学条件において露光した位置から、x、y座標と
もに10μmづつオフセットして、基準となる第1の光
学条件において露光された測定マーク43(図7参照)
の主尺46(図9参照)と、第2(または第3)の光学
条件における副尺47(図9参照)とを重なり合うよう
に設定し、ウェハ41における最大露光領域45に対し
てウェハステージ42を9回移動させて、その都度繰返
して露光を行う。例えば、ステップ23において、第1
の光学条件に対応する露光が終了しているものと判定さ
れる場合には、ステップ24においては光学条件は第2
の光学条件に変更され、またステップ23において、第
1および第2の光学条件に対応する露光が終了している
ものと判定される場合には、ステップ24においては光
学条件は第3の光学条件に変更されて、それぞれの光学
条件に対応するステップ24およびステップ25の測定
手順が実行される。
【0021】ステップ23において、全ての光学条件に
ついて、ウェハ41に対する露光が終了したものと判定
される場合には、ウェハ41をウェハステージ42に載
せたままレチクルブラインド37を調節して、露光領域
の中心部測定マーク44の領域(50μm角程度)に対
してのみ露光光が通るようにレチクルブラインド37を
設定する(ステップ26)。そして、始めに露光した露
光領域内に、図7に示されるように配置された40箇所
の測定マーク43のそれぞれに対して、(x,y)の各
座標系とも10μmの一定オフセット量をずらしながら
露光を行う。その際、測定マーク43(図7参照)にお
いて、レンズディストーションを測定することができる
ように、上記の主尺46と副尺47(図9参照)は、図
10(a)の主尺・副尺重複部48に示されるように、
相互に重なるように配置される。このことを、始めに露
光した全ての測定マーク43のそれぞれに対して、ウェ
ハステージ42を理想格子に沿って移動することにより
繰返して行う(ステップ27)。その後において、ウェ
ハ41を現像し(ステップ28)、現像の結果現われる
10箇所の主尺・副尺重複部33(図4参照)の全てに
ついて、主尺31と副尺32とのずれを測定することに
より、前記3種類の光学条件の相互間におけるレンズデ
ィストーション差を測定する(ステップ29)。以上の
手順により、前記3種類の光学条件間のレンズディスト
ーション差が求められる。
【0022】即ち、本発明によれば、レンズディストー
ション測定対象の半導体基板に対応して、1つの半導体
基板に対し、複数の露光光学条件において露光処理を行
い、これらの各光学条件において得られたレンズディス
トーションを、相互に直接比較照合することにより、露
光処理を短時間において行うことができ、またレンズデ
ィストーション差の測定を正確に行うごとが可能とな
る。
【0023】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、1枚の
ウェハに対する露光処理時に、複数の光学条件を適用し
て露光を行うことにより、各光学条件の相互間における
レンズティストーション差を直接的に比較照合すること
が可能となり、これにより、レンズディストーションの
計測に要する時間を短縮化することができるとともに、
当該レンズディストーション計測精度を向上させること
ができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例における測定手順のフロ
ーチャートを示す図である。
【図2】本発明の第2の実施例における測定手順のフロ
ーチャートを示す図である。
【図3】第1および第2の実施例における主尺および副
尺を含む測定マークを示す図である。
【図4】第1および第2の実施例における主尺・副尺重
複部、主尺および副尺を含む測定マークを示す図であ
る。
【図5】縮小投影露光装置の概略図である。
【図6】理想格子に対する従来のレンズディストーショ
ン測定手順のフローチャートを示す図である。
【図7】レチクル上における測定マークおよび中心部測
定マークを示す図である。
【図8】ウェハ上における露光領域を示す配置図であ
る。
【図9】主尺および副尺を含む測定マークを含む測定マ
ークの拡大図である。
【図10】主尺・副尺重複部およびその寸法図である。
【図11】従来例における測定手順のフローチャートを
示す図である。
【符号の説明】
11〜18、21〜29、61〜66、111〜119
測定ステップ 30、46 主尺 31、47 副尺 32、48 主尺・副尺重複部 33 光源 34 反射鏡 35 フライアイレンズ 36 アパーチャ絞り 37 レチクルブラインド 38 ゴンデンサ−レンズ 39 レチクル 40 縮小投影レンズ 41 ウェハ 42 ウェハステージ 43 測定マーク 44 中心部測定マーク 45 最大露光領域
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G01M 11/02 G03F 7/20 521 H01L 21/30

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 レチクル上の露光領域内に複数個配置さ
    れた主尺と副尺とからなる測定用マークを有するレンズ
    ディストーションの測定用レチクルにおいて、前記主尺
    は枠状の透光部で形成され、副尺に重ねた場合副尺を十
    分囲む大きさで、かつ一方向に一定間隔で複数並んで構
    成され、前記副尺は正方形の透光部で形成され、他方向
    に前記主尺間の2倍の間隔で複数並んで構成され、前記
    主尺と前記副尺の各列の交差する角度は45°となって
    いることを特徴とするレンズディストーションの測定用
    レチクル。
  2. 【請求項2】 縮小投影露光装置を用いて複数の光学条
    件下において半導体基板を露光処理し、前記複数の光学
    条件間のレンズディストーション差を請求項1記載のレ
    チクルを用いて測定するレンズディストーションの測定
    方法において、レンズディストーション測定対象の1つ
    の半導体基板に対して、第1の光学条件において露光処
    理をおこなった後、連続して光学条件の変更を行い、第
    1の光学条件で露光された前記レチクルの主尺と第2の
    露光での前記レチクルの副尺が重なり合うように第1の
    光学条件の露光位置からx,y座標ともにオフセットし
    た位置で第2の露光処理を行い、以降繰り返し所望の複
    数の光学条件により各々x,y座標ともにオフセット露
    光処理をおこなった後、現像された半導体基板を生成す
    る第1の測定ステップと、前記第1の測定ステップにお
    いて現像された半導体基板を用いて、前記複数の異なる
    光学条件における前記半導体基板に対応するレンズディ
    ストーションを測定し、これらの各光学条件におけるレ
    ンズディストーション測定値を直接比較することによ
    り、当該複数の光学条件間のレンズディストーション差
    を求める第2の測定ステップと、を有することを特徴と
    するレンズディストーションの測定方法。
  3. 【請求項3】 前記第1の測定ステップが、前記縮小投
    影露光装置のレチクルブラインドを最大露光領域全体に
    拡げる第3の測定ステップと、 前記半導体基板に対する露光用基準光学条件として指定
    される第1の光学条件を設定する第4の測定ステップ
    と、 前記半導体基板における露光領域全体を、繰り返して複
    数回露光する第5の測定ステップと、 前記半導体基板に対する前記複数の光学条件に対応する
    露光処理が、全ての光学条件に対して終了しているか否
    かを判定する第6の測定ステップと、 前記第6の測定ステップにおいて、前記複数の光学条件
    にに対応する全ての露光処理が未だ終了していない場合
    に、前回の露光用の光学条件を次の光学条件に変更する
    第7の測定ステップと、 前記第7の測定ステップにおいて変更された光学条件を
    受けて、前記半導体基板に対する前回の露光位置から所
    定距離だけずらして、当該半導体基板における露光領域
    全体を繰り返して複数回露光するとともに、当該露光処
    理終了後においては前記第6の測定ステップに戻る第8
    の測定ステップと、 前記第6の測定ステップにおいて、前記複数の光学条件
    に対応する全ての露光処理が既に終了している場合に、
    前記半導体基板を現像する第9の測定ステップと、を少
    なくとも有することを特徴とする請求項2記載のレンズ
    ディストーションの測定方法。
  4. 【請求項4】 前記第1の測定ステップが、前記縮小投
    影露光装置のレチクルブラインドを最大露光領域全体に
    拡げる第10の測定ステップと、 前記半導体基板に対する露光用基準光学条件として指定
    される第1の光学条件を設定する第11の測定ステップ
    と、 前記半導体基板に対する前記複数の光学条件に対応する
    露光処理が、全ての光学条件に対して終了しているか否
    かを判定する第12測定ステップと、 前記第12の測定ステップにおいて、前記複数の光学条
    件に対応する全ての露光処理が未だ終了していない場合
    に、前回の露光用の光学条件を次の光学条件に変更する
    第13の測定ステップと、 前記第13の測定ステップにおいて変更された光学条件
    を受けて、前記半導体基板における前回の露光位置から
    所定距離だけずらして、当該半導体基板における露光領
    域全体を繰り返して複数回露光するとともに、当該露光
    処理終了後においては前記第12の測定ステップに戻る
    第14の測定ステップと、 前記第12の測定ステップにおいて、前記複数の光学条
    件に対応する全ての露光処理が既に終了している場合
    に、前記縮小投影露光装置のレチクルブラインドを、露
    光領域の中心部の測定パターンにのみ開放する第15の
    測定ステップと、 前記半導体基板上の各測定パターンの全ての位置にウェ
    ハースタージを理想格子状に移動し、露光領域中心部の
    測定パターンの露光を行う第16の測定ステップと、を
    少なくとも有することを特徴とする請求項2記載のレン
    ズディストーションの測定方法。
  5. 【請求項5】 前記第8の測定ステップが、基準となる
    前記第1の光学条件において露光した位置からx,yの
    両座標ともに10μmオフセットし、前記基準の第1の
    光学条件において露光された測定マークの主尺と、前記
    第7の測定ステップにおいて変更された光学条件におけ
    る測定マークの副尺とが重なるようにして、当該半導体
    基板の露光領域全体を繰り返して露光する測定ステップ
    を有することを特徴とする請求項3記載のレンズディス
    トーションの測定方法。
  6. 【請求項6】 前記第14の測定ステップが、基準とな
    る前記第1の光学条件において露光した位置からx,y
    の両座標ともに10μmオフセットし、前記基準の第1
    の光学条件において露光された測定マークの主尺と、前
    記第13の測定ステップにおいて変更された光学条件に
    おける測定マークの副尺とが重なるようにして、当該半
    導体基板の露光領域全体を繰り返して露光する測定ステ
    ップを有することを特徴とする請求項4記載のレンズデ
    ィストーションの測定方法。
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