CN113109991A - 目标版图的修正方法及掩膜版版图的形成方法 - Google Patents

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CN113109991A CN202010023431.5A CN202010023431A CN113109991A CN 113109991 A CN113109991 A CN 113109991A CN 202010023431 A CN202010023431 A CN 202010023431A CN 113109991 A CN113109991 A CN 113109991A
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Abstract

一种目标版图的修正方法、掩膜版版图的形成方法及其掩膜版，修正方法包括：提供初始目标版图，所述初始目标版图包括若干初始图形；对所述初始目标版图进行模拟曝光获取模拟曝光版图，所述模拟曝光版图上具有若干与初始图形对应的模拟曝光图形，所述模拟曝光版图包括沿第一方向排列的若干修正区；在至少一个所述修正区的模拟曝光图形中获取目标图形；获取所述目标图形对应的修正区的修正规则；通过所述修正规则对所述目标图形进行修正，获取修正图形。所述修正方法得到的掩膜版版图修正效果较好，精度较高。

Description

目标版图的修正方法及掩膜版版图的形成方法
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种目标版图的修正方法及掩膜版版图的形成方法。
背景技术
光刻技术是半导体制作技术中至关重要的一项技术，其能够实现将图形从掩模版中转移到硅片表面，形成符合设计要求的半导体产品。在光刻工艺过程中，首先，通过曝光步骤，光线通过掩模版中透光或反光的区域照射至涂覆了光刻胶的硅片上，并与光刻胶发生光化学反应；接着，通过显影步骤，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度，形成光刻图形，实现掩模版图案的转移；然后，通过刻蚀步骤，基于光刻胶层所形成的光刻图形对硅片进行刻蚀，将掩模版图案进一步转移至硅片上。
在先进光刻工艺中，可以使用极紫外(EUV)光作为光源。然而，采用极紫外光作为光源的光刻工艺制造的掩膜版，还存在许多的问题。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供一种目标版图的修正方法及掩膜版版图的形成方法，使得掩膜版的精度提升。
为解决上述技术问题，本发明技术方案提供一种目标版图的修正方法，包括：提供初始目标版图，所述初始目标版图包括若干初始图形；对所述初始目标版图进行模拟曝光获取模拟曝光版图，所述模拟曝光版图上具有若干与初始图形对应的模拟曝光图形，所述模拟曝光版图包括沿第一方向排列的若干修正区；在至少一个所述修正区的模拟曝光图形中获取目标图形；获取所述目标图形对应的修正区的修正规则；通过所述修正规则对所述目标图形进行修正，获取修正图形。
可选的，获取目标图形的方法包括：获取所述修正区内的每个所述模拟曝光图形相对于对应初始图形的边缘放置误差；获取所述目标图形，所述目标图形为所述修正区内边缘放置误差大于第一预设值时的所述模拟曝光图形。
可选的，所述初始目标版图包括沿第一方向排列的若干待修正区。
可选的，每一个待修正区具有对应的曝光模型；获取模拟曝光版图的方法包括：对每个待修正区采用对应的曝光模型进行模拟曝光，获得与每个待修正区对应的修正区；以所述修正区替代对应的待修正区，形成模拟曝光版图。
可选的，每个修正区具有对应的修正规则；获取所述目标图形对应修正区的修正规则的方法包括：获取目标修正区，所述目标修正区为所述目标图形所在的修正区；获取所述目标修正区对应的修正规则。
可选的，每个修正区对应的所述修正规则包括分割规则和偏移规则；所述分割规则包括将所述目标图形的轮廓分割成预设数量的线段，且每段所述线段具有预设长度；所述偏移规则包括将各段所述线段以预设偏移量进行偏移。
可选的，对所述目标图形进行修正的方法包括：将所述目标图形的轮廓分割成预设数量的若干线段；在所述若干线段中获取待修正线段，所述修正线段为边缘放置误差大于第一预设值时的线段；将所述待修正线段偏移所述预设偏移量，获取修正线段；以修正线段替代对应的待修正线段，形成所述第二修正图形。
本发明实施例还提供了一种掩膜版版图的形成方法，包括：提供目标版图；采用目标版图的修正方法对所述目标版图进行光学临近修正，形成掩膜版版图，所述目标版图的修正方法包括：提供初始目标版图，所述初始目标版图包括若干初始图形；对所述初始目标版图进行模拟曝光获取模拟曝光版图，所述模拟曝光版图上具有若干与初始图形对应的模拟曝光图形，所述模拟曝光版图包括沿第一方向排列的若干修正区；在至少一个所述修正区的模拟曝光图形中获取目标图形；获取所述目标图形对应的修正区的修正规则；通过所述修正规则对所述目标图形进行修正，获取修正图形。
可选的，获取目标图形的方法包括：获取所述修正区内的每个所述模拟曝光图形相对于对应初始图形的边缘放置误差；获取所述目标图形，所述目标图形为所述修正区内边缘放置误差大于第一预设值时的所述模拟曝光图形。
可选的，所述初始目标版图包括沿第一方向排列的若干待修正区。
可选的，每一个待修正区具有对应的曝光模型；获取模拟曝光版图的方法包括：对每个待修正区采用对应的曝光模型进行模拟曝光，获得与每个待修正区对应的修正区；以所述修正区替代对应的待修正区，形成模拟曝光版图。
可选的，每个修正区具有对应的修正规则；获取所述目标图形对应修正区的修正规则的方法包括：获取目标修正区，所述目标修正区为所述目标图形所在的修正区；获取所述目标修正区对应的修正规则。
可选的，每个修正区对应的所述修正规则包括分割规则和偏移规则；所述分割规则包括将所述目标图形的轮廓分割成预设数量的线段，且每段所述线段具有预设长度；所述偏移规则包括将各段所述线段以预设偏移量进行偏移。
可选的，对所述目标图形进行修正的方法包括：将所述目标图形的轮廓分割成预设数量的若干线段；在所述若干线段中获取待修正线段，所述修正线段为边缘放置误差大于第一预设值时的线段；将所述待修正线段偏移所述预设偏移量，获取修正线段；以修正线段替代对应的待修正线段，形成所述第二修正图形。
与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下有益效果：
本发明技术方案中的目标版图的修正方法，通过在至少一个所述修正区的模拟曝光图形中获取目标图形之后，获取所述目标图形对应的修正区的修正规则，再通过所述修正规则对所述目标图形进行修正，获取修正图形，最后获取目标版图。所述修正方法中，所述每个修正区具有对应的修正规则，从而对所述目标图形进行修正时，使得所述修正效果更为精准，避免所述EUV光刻技术的扫描狭缝效应使得修正效果产生波动，从而节省了计算量，提高了工作效率。
进一步，每一个待修正区具有对应的曝光模型，所述曝光模型能够对不同的待修正区进行分别的模拟曝光，使得所述不同待修正区的初始图形的曝光效果较好，更接近真实情况的曝光，从而所形成的模拟曝光图形能够被精确修正，使得修正效果较好。
附图说明
图1是本发明实施例中目标版图的修正方法的步骤示意图；
图2至图7是本发明实施例中目标版图修正过程的结构示意图；
图8是本发明实施例中掩膜版版图的示意图。
具体实施方式
如背景技术所述，现有的极紫外光(EUV)曝光技术形成的掩膜版，还存在许多的问题。具体的，极紫外光(EUV)曝光工艺通常以扫描方式进行，在极紫外光(EUV)曝光系统中，可以使用将光限制到掩膜的局部区域的狭缝来执行扫描，从而将掩膜版上的图形转移到基板上。所述狭缝具有弯曲结构，所述弯曲结构使得极紫外(EUV)反射光能够在掩膜版表面实现均匀照度分布。而由于狭缝具有弯曲结构，从而穿过狭缝不同位置的极紫外光的方位角不同，从而当所述极紫外光穿过狭缝照射到掩膜版，再由掩膜版反射到基板表面之后，使得掩膜版上同样的设计图形形成在基板上之后具有不同的尺寸，即存在扫描狭缝效应。
为了克服扫描狭缝效应，将所述掩膜版版图划分为多个区域，在各个区域建立不同的曝光模型，以克服由狭缝引起的扫描狭缝效应。
然而，在现有的OPC修正过程中，对所述掩膜版版图进行模拟曝光后获取模拟曝光版图之后，在对所述模拟曝光图形进行光学邻近修正时，所述光学邻近修正模型中与狭缝相关的极紫外光的方位角参数是固定的，从而采用所述光学邻近修正模型对所述掩膜版版图的各个区域进行修正时，所得到的修正结果偏差较大，所述光学邻近修正模型不适用于所有的掩膜版版图的修正。从而使得所述修正效果不好，无法精确修正各个区域的掩膜版版图，进而使得修正后得到的掩膜版版图，将掩膜版版图转移到掩膜版，再通过所述掩膜版在晶圆上形成的图形偏差较大，使得形成的器件的尺寸均匀性较差。
为了解决上述问题，本发明技术方案提供一种目标版图的修正方法和掩膜版版图的形成方法，通过在至少一个所述修正区的模拟曝光图形中获取目标图形之后，获取所述目标图形对应的修正区的修正规则，再通过所述修正规则对所述目标图形进行修正，获取修正图形，最后获取掩膜版版图。所述修正方法中，所述修正区具有对应的修正规则，从而对所述目标图形进行修正时，使得所述修正效果更为精准，避免所述EUV光刻技术的扫描狭缝效应使得修正效果产生波动，从而节省了计算量，提高了工作效率。
为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
图1是本发明实施例中目标版图的修正方法的步骤示意图。
请参考图1，所述目标版图的修正方法包括：
S1：提供初始目标版图，所述初始目标版图包括若干初始图形；
S2：对所述初始目标版图进行模拟曝光获取模拟曝光版图，所述模拟曝光版图上具有若干与初始图形对应的模拟曝光图形，所述模拟曝光版图包括沿第一方向排列的若干修正区；
S3：在至少一个所述修正区的模拟曝光图形中获取目标图形；
S4：获取所述目标图形对应的修正区的修正规则；
S5：通过所述修正规则对所述目标图形进行修正，获取修正图形。
所述修正方法中，所述修正区具有对应的修正规则，从而对所述目标图形进行修正时，使得所述修正效果更为精准，避免所述EUV光刻技术的扫描狭缝效应使得修正效果产生波动。
图2至图7是本发明实施例中目标版图修正过程的结构示意图。
请参考图2，提供初始目标版图100，所述初始目标版图100包括若干初始图形101。
所述初始目标版图100为初始设计图形，所述初始目标版图100经过修正后得到目标版图，所述目标版图为后续做在掩膜版上的图形。
所述初始目标版图100包括沿第一方向X排列的若干待修正区。
在本实施例中，所述初始目标版图100包括沿第一方向X排列的第一待修正区A1、第二待修正区A2和第三待修正区A3。
在其他实施例中，所述初始目标版图包括沿第一方向X排列的N个待修正区，所述N为大于1的自然数。
所述初始目标版图100包括沿第一方向X排列的若干待修正区，所述若干待修正区用于在各待修正区设置对应的曝光模型，以克服由狭缝位置引起的扫描狭缝效应，使得所述不同待修正区的初始图形的曝光效果较好，更接近真实情况的曝光，从而所述模拟曝光图形能够被精确修正，使得修正效果较好。
请参考图3，执行步骤S2，对所述初始目标版图100进行模拟曝光获取模拟曝光版图200，所述模拟曝光版图200上具有若干与初始图形101对应的模拟曝光图形201，所述模拟曝光版图200包括沿第一方向X排列的若干修正区。
在本实施例中，每一个待修正区具有对应的曝光模型。
受极紫外光(EUV)曝光工艺中的扫描狭缝效应影响，每一个待修正区具有对应的曝光模型，所述曝光模型能够对不同的待修正区进行分别的模拟曝光，使得所述不同待修正区的初始图形的曝光效果较好，更接近真实情况的曝光，从而所形成的模拟曝光图形能够被精确修正，使得修正效果较好。
在其他实施例中，所述若干待修正区采用一个或多个曝光模型进行模拟曝光形成对应的修正区，所述多个曝光模型的数量小于所述待修正区的数量。
获取模拟曝光版图200的方法包括：对每个待修正区采用对应的曝光模型进行模拟曝光，获得与每个待修正区对应的修正区；以所述修正区替代对应的待修正区，形成模拟曝光版图200。
在本实施例中，所述模拟曝光版图200包括沿第一方向X排列第一修正区B1、第二修正区B2和第三修正区B3，所述第一修正区B1、第二修正区B2和第三修正区B3对应所述初始目标版图的第一待修正区A1、第二待修正区A2和第三待修正区A3。
在其他实施例中，所述模拟曝光版图包括沿第一方向X排列的N个与所述待修正区对应的修正区。
请参考图4，获取模拟曝光版图200之后，在至少一个所述修正区的模拟曝光图形201中获取目标图形。
在本实施例中，所述目标图形包括第一目标图形202、第二目标图形203和第三目标图形204，所述第一目标图形202为第一修正区B1中的模拟曝光图形，所述第二目标图形203为第二修正区B2中的模拟曝光图形，所述第三目标图形204为第三修正区B3中的模拟曝光图形。
在其他实施例中，所述目标图形为一个或多个修正区中的一个或多个模拟曝光图形。
在本实施例中，获取目标图形的方法包括：获取所述修正区内的每个所述模拟曝光图形201相对于对应初始图形101的边缘放置误差；获取所述目标图形，所述目标图形为所述修正区内边缘放置误差大于第一预设值时的所述模拟曝光图形201。
所述第一预设值根据实际情况的工艺节点或精度要求设定。
边缘放置误差小于所述第一预设值的模拟曝光图形201形成的掩膜版版图，后续形成掩膜版后在晶圆上曝光后的图形满足精度要求，能够不进行再次修正；边缘放置误差大于所述第一预设值的模拟曝光图形201形成的掩膜版版图，后续形成掩膜版后在晶圆上曝光后的图形偏差较大，从而需要再次修正以获得精度更高的目标图形。
需要说明的是，边缘放置误差是指在光学邻近修正方法中，模拟光刻图形与目标光刻图形之间的误差，边缘放置误差是用于衡量光学邻近修正质量的指标。
在其他实施例中，能够依据其他的规则对所述模拟曝光图形进行判断和检测获取目标图形。
请参考图5，获取目标图形之后，获取所述目标图形对应的修正区的修正规则。
在本实施例中，每个修正区具有对应的修正规则。所述修正规则包括分割规则和偏移规则；所述分割规则包括将所述目标图形的轮廓分割成预设数量的线段，且每段所述线段具有预设长度；所述偏移规则包括将各段所述线段以预设偏移量进行偏移。
获取所述目标图形对应修正区的修正规则的方法包括：获取目标修正区，所述目标修正区为所述目标图形所在的修正区；获取所述目标修正区对应的修正规则。
在本实施例中，所述第一目标图形202对应第一修正区B1的第一修正规则R1，所述第二目标图形203对应第二修正区B2的第二修正规则R2，所述第三目标图形204对应第三修正区B3的第三修正规则R3。
所述每个修正区具有对应的修正规则，从而对所述目标图形进行修正时，使得所述修正效果更为精准，避免所述EUV光刻技术的扫描狭缝效应使得修正效果产生波动。
在本实施例中，所述第一修正规则R1、第二修正规则R2和第三修正规则R3可以在修正过程中根据实际情况自动调整。
在其他实施例中，所述第一修正规则、第二修正规则和第三修正规则可以预先设定。
获取所述目标图形对应的修正区的修正规则之后，通过所述修正规则对所述目标图形进行修正，获取修正图形。获取修正图形的过程请参考图6和图7。
请参考图6，将所述目标图形的轮廓分割成预设数量的若干线段；在所述若干线段中获取待修正线段，所述修正线段为边缘放置误差大于第一预设值时的线段。
在本实施例中，在第一目标图形202的轮廓中获取第一待修正线段M1，在第二目标图形203的轮廓中获取第二待修正线段M2，在第三目标图形204的轮廓中获取第三待修正线段M3。所述第一待修正线段M1、第二待修正线段M2以及第三待修正线段M3的长度不同。
在其他实施例中，所述第一待修正线段、第二待修正线段以及第三待修正线段的长度能够部分或全部相同。
在其他实施例中，能够将其他区域的目标图形的轮廓分割成其他预设长度的线段。
将所述目标图形的轮廓分割成预设数量的若干线段，每段所述线段具有预设长度，所述分割线段的规则与每个修正区相对应。从而后续在获取待修正线段之后，对所述待修正线段进行偏移时，所述修正效果更为精准，从而节省了计算量，提高了工作效率。
请参考图7，将所述待修正线段偏移所述预设偏移量，获取修正线段；以修正线段替代对应的待修正线段，形成所述修正图形。
在本实施例中，将所述第一待修正线段M1偏移第一预设偏移量，获取第一修正线段N1，以第一修正线段N1替代对应的第一待修正线段M1，形成所述第一修正图形302；将所述第二待修正线段M2偏移第二预设偏移量，获取第二修正线段N2，以第二修正线段N2替代对应的第二待修正线段M2，形成所述第二修正图形303；将所述第三待修正线段M3偏移第三预设偏移量，获取第三修正线段N3，以第三修正线段N3替代对应的第三待修正线段M3，形成所述第三修正图形304。
在本实施例中，所述第一预设偏移量、第二预设偏移量和第三预设偏移量不同。
在其他实施例中，所述第一预设偏移量、第二预设偏移量和第三预设偏移量能够部分或全部相同。
在其他实施例中，其他区域的目标图形的待修正线段能够偏移其他的预设偏移量。
所述预设偏移量为将所述待修正线段进行一次或多次的偏移后，所形成的修正图形模拟曝光后形成的图形相对于修正图形的边缘放置误差满足第一预设值的范围，设定在各个修正区的对应的修正规则中。
各个修正区对应的所述预设偏移量不同，在所述修正规则下对所述待修正线段进行一次或多次偏移进行修正，使得所述修正效果更为精准，避免所述EUV光刻技术的扫描狭缝效应使得修正效果产生波动，从而节省了计算量，提高了工作效率。
至此，采用所述目标版图的修正方法形成目标版图，所述每个修正区具有对应的修正规则，从而对所述目标图形进行修正时，使得所述修正效果更为精准，避免所述EUV光刻技术的扫描狭缝效应使得修正效果产生波动，从而节省了计算量，提高了工作效率。
图8是本发明实施例中掩膜版版图的示意图。
提供如图2所述的初始目标版图100，所述初始目标版图100包括若干初始图形101，所述初始目标版图100包括沿第一方向X排列的若干待修正区。
请参考图8，对所述初始目标版图100进行光学邻近修正，形成所述掩膜版版图300，所述掩膜版版图300包括若干掩膜版图形301。
对所述初始目标版图100进行光学邻近修正的方法包括如图1所述的步骤：
S1：提供初始目标版图，所述初始目标版图包括若干初始图形；
S2：对所述初始目标版图进行模拟曝光获取模拟曝光版图，所述模拟曝光版图上具有若干与初始图形对应的模拟曝光图形，所述模拟曝光版图包括沿第一方向排列的若干修正区；
S3：在至少一个所述修正区的模拟曝光图形中获取目标图形；
S4：获取所述目标图形对应的修正区的修正规则；
S5：通过所述修正规则对所述目标图形进行修正，获取修正图形。
对所述目标版图的修正过程请参考图2至图7，在此不再赘述。
所述修正方法得到的掩膜版版图300，修正效果较好；后续根据所述掩膜版版图300形成掩膜版，曝光显影后形成于晶圆上的图形精度较高，有利于提升后续形成的半导体器件的尺寸均匀性。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (14)

1.一种目标版图的修正方法，其特征在于，包括：
提供初始目标版图，所述初始目标版图包括若干初始图形；
对所述初始目标版图进行模拟曝光获取模拟曝光版图，所述模拟曝光版图上具有若干与初始图形对应的模拟曝光图形，所述模拟曝光版图包括沿第一方向排列的若干修正区；
在至少一个所述修正区的模拟曝光图形中获取目标图形；
获取所述目标图形对应的修正区的修正规则；
通过所述修正规则对所述目标图形进行修正，获取修正图形。
2.如权利要求1所述的目标版图的修正方法，其特征在于，获取目标图形的方法包括：获取所述修正区内的每个所述模拟曝光图形相对于对应初始图形的边缘放置误差；获取所述目标图形，所述目标图形为所述修正区内边缘放置误差大于第一预设值时的所述模拟曝光图形。
3.如权利要求1所述的目标版图的修正方法，其特征在于，所述初始目标版图包括沿第一方向排列的若干待修正区。
4.如权利要求3所述的目标版图的修正方法，其特征在于，每一个待修正区具有对应的曝光模型；获取模拟曝光版图的方法包括：对每个待修正区采用对应的曝光模型进行模拟曝光，获得与每个待修正区对应的修正区；以所述修正区替代对应的待修正区，形成模拟曝光版图。
5.如权利要求1所述的目标版图的修正方法，其特征在于，每个修正区具有对应的修正规则；获取所述目标图形对应修正区的修正规则的方法包括：获取目标修正区，所述目标修正区为所述目标图形所在的修正区；获取所述目标修正区对应的修正规则。
6.如权利要求1所述的目标版图的修正方法，其特征在于，每个修正区对应的所述修正规则包括分割规则和偏移规则；所述分割规则包括将所述目标图形的轮廓分割成预设数量的线段，且每段所述线段具有预设长度；所述偏移规则包括将各段所述线段以预设偏移量进行偏移。
7.如权利要求6所述的目标版图的修正方法，其特征在于，对所述目标图形进行修正的方法包括：将所述目标图形的轮廓分割成预设数量的若干线段；在所述若干线段中获取待修正线段，所述修正线段为边缘放置误差大于第一预设值时的线段；将所述待修正线段偏移所述预设偏移量，获取修正线段；以修正线段替代对应的待修正线段，形成所述第二修正图形。
8.一种掩膜版版图的形成方法，其特征在于，包括：
提供目标版图；
采用目标版图的修正方法对所述目标版图进行光学临近修正，形成掩膜版版图，所述目标版图的修正方法包括：
提供初始目标版图，所述初始目标版图包括若干初始图形；
对所述初始目标版图进行模拟曝光获取模拟曝光版图，所述模拟曝光版图上具有若干与初始图形对应的模拟曝光图形，所述模拟曝光版图包括沿第一方向排列的若干修正区；
在至少一个所述修正区的模拟曝光图形中获取目标图形；
获取所述目标图形对应的修正区的修正规则；
通过所述修正规则对所述目标图形进行修正，获取修正图形。
9.如权利要求8所述的掩膜版版图的形成方法，其特征在于，获取目标图形的方法包括：获取所述修正区内的每个所述模拟曝光图形相对于对应初始图形的边缘放置误差；获取所述目标图形，所述目标图形为所述修正区内边缘放置误差大于第一预设值时的所述模拟曝光图形。
10.如权利要求8所述的掩膜版版图的形成方法，其特征在于，所述初始目标版图包括沿第一方向排列的若干待修正区。
11.如权利要求10所述的掩膜版版图的形成方法，其特征在于，每一个待修正区具有对应的曝光模型；获取模拟曝光版图的方法包括：对每个待修正区采用对应的曝光模型进行模拟曝光，获得与每个待修正区对应的修正区；以所述修正区替代对应的待修正区，形成模拟曝光版图。
12.如权利要求8所述的掩膜版版图的形成方法，其特征在于，每个修正区具有对应的修正规则；获取所述目标图形对应修正区的修正规则的方法包括：获取目标修正区，所述目标修正区为所述目标图形所在的修正区；获取所述目标修正区对应的修正规则。
13.如权利要求8所述的掩膜版版图的形成方法，其特征在于，每个修正区对应的所述修正规则包括分割规则和偏移规则；所述分割规则包括将所述目标图形的轮廓分割成预设数量的线段，且每段所述线段具有预设长度；所述偏移规则包括将各段所述线段以预设偏移量进行偏移。
14.如权利要求13所述的掩膜版版图的形成方法，其特征在于，对所述目标图形进行修正的方法包括：将所述目标图形的轮廓分割成预设数量的若干线段；在所述若干线段中获取待修正线段，所述修正线段为边缘放置误差大于第一预设值时的线段；将所述待修正线段偏移所述预设偏移量，获取修正线段；以修正线段替代对应的待修正线段，形成所述第二修正图形。
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