CN116339065A - 一种图形修正方法 - Google Patents
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Abstract
一种图形修正方法，包括：提供待修正版图，所述待修正版图具有若干第一区，若干所述第一区相互邻接，所述第一区内具有第一待修正图形，所述第一待修正图形的轮廓具有若干第一线段；以所述第一区为中心获取第二区，所述第一区位于第二区内，所述第二区内具有第一待修正图形和第一待修正图形之外的第二待修正图形，所述第二待修正图形的轮廓具有若干第二线段；对若干第二区分别进行第一修正，获取多个第一区中第一线段各自的最优偏移量；根据多个第一区中第一线段各自的最优偏移量，对所述待修正版图进行第二修正，获取修正版图。所述修正方法使得获取的第一区内第一线段的最优偏移量数据稳定且准确性较好。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种图形修正方法。
背景技术
为实现将图形从掩膜版中转移到硅片表面，通常需要经过曝光步骤、曝光步骤之后进行的显影步骤和显影步骤之后的刻蚀步骤。在曝光步骤中，光线通过掩膜版中透光的区域照射至涂覆有光刻胶的硅片上，光刻胶在光线的照射下发生化学反应；在显影步骤中，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度的不同，形成光刻图案，实现掩膜版图案转移到光刻胶上；在刻蚀步骤中，基于光刻胶层所形成的光刻图案对硅片进行刻蚀，将掩膜版的图案进一步转移至硅片上。
在半导体制造中，随着设计尺寸的不断缩小，设计尺寸越来越接近光刻成像系统的极限，光的衍射效应变得越来越明显，导致最终对设计图形产生光学影像退化，实际形成的光刻图案相对于掩膜版上的图案发生严重畸变，最终在硅片上经过光刻形成的实际图形和设计图形不同，这种现象称为光学邻近效应(OPE：Optical Proximity Effect)。
为了修正光学邻近效应，便产生了光学邻近修正(OPC：Optical ProximityCorrection)。光学邻近修正的核心思想就是基于抵消光学邻近效应的考虑建立光学邻近修正模型，根据光学邻近修正模型设计光掩模图形，这样虽然光刻后的光刻图形相对应光掩模图形发生了光学邻近效应，但是由于在根据光学邻近修正模型设计光掩模图形时已经考虑了对该现象的抵消，因此，光刻后的光刻图形接近于用户实际希望得到的目标图形。
然而，现有的修正方法对掩膜图形进行修正后进行曝光得到的光刻图形与目标图形间的尺寸精度仍然有待提高。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供一种图形修正方法，以提高尺寸精度。
为解决上述技术问题，本发明技术方案提供一种图形修正方法，包括：提供待修正版图，所述待修正版图具有若干第一区，若干所述第一区相互邻接，所述第一区内具有第一待修正图形，所述第一待修正图形的轮廓具有若干第一线段；以所述第一区为中心获取第二区，所述第一区位于第二区内，所述第二区内具有第一待修正图形和第一待修正图形之外的第二待修正图形，所述第二待修正图形的轮廓具有若干第二线段；对若干第二区分别进行第一修正，获取多个第一区中第一线段各自的最优偏移量；根据多个第一区中第一线段各自的最优偏移量，对所述待修正版图进行第二修正，获取修正版图。
可选的，对若干第二区分别进行第一修正，获取多个第一区中第一线段各自的最优偏移量的方法包括：获取第二区内若干第一线段和若干第二线段各自对应的第一边缘放置误差；对第二区内的若干第一线段和若干第二线段进行边缘放置误差修正，获取各第一边缘放置误差修正的第一修正边缘放置误差；获取第二区内任一第一线段或第二线段移动时对所有第一线段和第二线段边缘放置误差的影响的微扰矩阵方程；根据所述微扰矩阵方程和第一修正边缘放置误差，获取待修正版图第二区内若干第一线段和若干第二线段对应的第一初始最优偏移量；采用第一初始最优偏移量对待修正版图进行多次模拟曝光处理，获取多个第一区中第一线段各自的最优偏移量。
可选的，采用第一初始最优偏移量对待修正版图进行多次模拟曝光处理，获取各第一区内若干第一线段对应的第一最优偏移量的方法包括：根据第一初始最优偏移量对所述待修正版图进行模拟曝光，获取第一模拟曝光版图；获取第一模拟曝光版图第二区内若干所述第一线段和若干第二线段对应的第二边缘放置误差；对第一模拟曝光版图第二区内的若干第一线段和若干第二线段进行边缘放置误差修正，获取各第二边缘放置误差修正的第二修正边缘放置误差；根据所述微扰矩阵方程和第二修正边缘放置误差，获取待修正版图第二区内若干第一线段和若干第二线段对应的第二最优偏移量；重复多次获取待修正版图内若干第一线段和若干第二线段对应的第二最优偏移量之后，获取多个第一区中第一线段各自的最优偏移量。
可选的，所述重复多次的次数为2～3次。
可选的，获取第二区内任一第一线段或第二线段移动时对所有第一线段和第二线段边缘放置误差的影响的微扰矩阵方程的方法包括：多次以固定的偏移量移动第二区内的任一第一线段或第二线段，对所述待修正图形进行若干次模拟曝光，获取第二模拟曝光版图；获取第二模拟曝光版图第二区内若干第一线段和若干第二线段各自对应的若干次的第三边缘放置误差；获取若干次的第三边缘放置误差与第一边缘放置误差相比较的若干次的变化量；根据所述固定的偏移量和若干次的变化量获取第二区内任一第一线段或第二线段移动时对所有第一线段和第二线段边缘放置误差的影响的微扰矩阵方程。
可选的，获取所述微扰矩阵方程的方法包括：获取第二区内第j条线段的偏移量
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或者，所述影响因子
获得所述微扰矩阵方程。
可选的，根据所述微扰矩阵方程和第一修正边缘放置误差，获取待修正版图第二区内若干第一线段和若干第二线段对应的第一初始最优偏移量的方法包括：获取第二区内的若干第一线段和若干第二线段各自对应的第一边缘放置误差修正的第一修正边缘放置误差ΔEpen，n为大于1的自然数；根据所述微扰矩阵方程和第一修正边缘放置误差ΔEpen，获取第一初始最优偏移量Δfn，
可选的，获取第二区内的若干第一线段和若干第二线段各自对应的第一边缘放置误差修正的第一修正边缘放置误差ΔEpen的次数为2～3次。
可选的，所述第一区轮廓线的形状为第一正方形，所述第二区轮廓线的形状为第二正方形。
可选的，所述第一正方形的边长范围为1毫米～3毫米，所述第二正方形的边长范围为5毫米～10毫米。
可选的，还包括：获取修正版图之后对所述修正版图进行光学邻近效应修正。
与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下有益效果：
本发明的技术方案，通过以所述第一区为中心获取第二区，对若干第二区分别进行第一修正，获取多个第一区中第一线段各自的最优偏移量。一方面，所述第一线段对应的最优偏移量为从第二区内若干第一线段和若干第二线段对应的最优偏移量中提取获得。对所述第二区内的若干第一线段和第二线段同时进行修正，所述第二待修正图形的区域为缓冲区域，能够消除所述第一区的边缘效应，使得获取的第一区内第一线段的最优偏移量数据稳定且准确性较好。
另一方面，在多个小范围的第二区内进行图形修正，获得的修正版图精确度较好；另一方面，第一区包含有若干第一线段，对所述第一线段修正时，能够兼顾与第一线段相邻的其他线段的影响，获取的修正版图尺寸均匀性较好；再有，以第二区为单位经过多次修正后获取整个待修正版图内第一线段对应的最优偏移量，每次计算一个第二区内的最优偏移量，使得计算量减小，能够提升模型计算效率。
进一步，所述微扰矩阵方程使得在计算第二区内若干第一线段和若干第二线段对应的最优偏移量的过程中，兼顾第二区内全部第一线段和第二线段对某一线段修正时的影响，使得获取的修正图形轮廓较为光滑，波动较小。
进一步，获取第二区内若干第一线段和若干第二线段对应的最优偏移量的迭代次数为2～3次，迭代次数较少，计算量较小。
附图说明
图1至图4是本发明实施例中图形修正方法的流程示意图；
图5至图7是本发明实施例中图形修正方法中半导体结构的示意图。
具体实施方式
如背景技术所述，现有的修正方法对掩膜图形进行修正后进行曝光得到的光刻图形与目标图形间的尺寸精度仍然有待提高。
具体地，现有的修正方法通常采用两种模型，将待修正版图内图形分割成若干线段后，一种是全局优化模型，即同时对所有线段进行修正，优化模型为方差最小化公式
其中，Di为目标图形的轮廓，Wi为模拟曝光图形的轮廓，cost为Di和Wi方差最小化值，cost的最小值为0，当cost为0时，说明目标图形的轮廓和模拟曝光图形的轮廓一致，当cost小于一定阈值时，修正结束。这样修正的优点是获取的修正图形的轮廓尺寸均匀性较好，修正图形的轮廓较为光滑，缺点是不能确保每一条线段的边缘放置误差在预设范围内，即无法获取精确的修正图形。
另一种是单独对每一条线段进行修正，这样修正的优点是获取的修正图形能够确保每一条线段的边缘放置误差在预设范围内，但缺点是不能兼顾修正线段周边线段的相邻影响，使得获取的修正图形轮廓会有波动，不是光滑的轮廓图形。
为了解决上述问题，本发明技术方案提供一种图形修正方法，通过以所述第一区为中心获取第二区，对若干第二区分别进行第一修正，获取多个第一区中第一线段各自的最优偏移量。一方面，所述第一线段对应的最优偏移量为从第二区内若干第一线段和若干第二线段对应的最优偏移量中提取获得。对所述第二区内的若干第一线段和第二线段同时进行修正，所述第二待修正图形的区域为缓冲区域，能够消除所述第一区的边缘效应，使得获取的第一区内第一线段的最优偏移量数据稳定且准确性较好。
为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
图1至图4是本发明实施例中图形修正方法的流程示意图。
请参考图1，所述图形修正方法包括：
步骤S10：提供待修正版图，所述待修正版图具有若干第一区，若干所述第一区相互邻接，所述第一区内具有第一待修正图形，所述第一待修正图形的轮廓具有若干第一线段；
步骤S20：以所述第一区为中心获取第二区，所述第一区位于第二区内，所述第二区内具有第一待修正图形和第一待修正图形之外的第二待修正图形，所述第二待修正图形的轮廓具有若干第二线段；
步骤S30：对若干第二区分别进行第一修正，获取多个第一区中第一线段各自的最优偏移量；
步骤S40：根据多个第一区中第一线段各自的最优偏移量，对所述待修正版图进行第二修正，获取修正版图。
所述方法通过以所述第一区为中心获取第二区，对若干第二区分别进行第一修正，获取多个第一区中第一线段各自的最优偏移量。一方面，所述第一线段对应的最优偏移量为从第二区内若干第一线段和若干第二线段对应的最优偏移量中提取获得。对所述第二区内的若干第二线段同时进行修正，所述第二待修正图形的区域为缓冲区域，能够消除所述第一区的边缘效应，使得获取的第一区内第一线段的最优偏移量数据稳定且准确性较好
接下来，对各步骤进行分别说明。
请继续参考图1，请参考图5和图6，图5为第一区I和第二区II在待修正版图100内的分布示意图，图6为图5中第一区I和第二区II的放大示意图，执行步骤S10：提供待修正版图100，所述待修正版图100具有若干第一区I，若干所述第一区I相互邻接，所述第一区I内具有第一待修正图形A，所述第一待修正图形A的轮廓具有若干第一线段101。
所述待修正版图100为设计的掩模版图形，后续经过曝光后转移到光刻胶上。
若干所述第一区I相互邻接，从而在后续的修正过程中能遍布所述整个待修正版图100。
在本实施例中，所述第一区I轮廓线的形状为第一正方形。
所述第一正方形的边长范围为1毫米～3毫米。
请继续参考图1、图5和图6，执行步骤S20：以所述第一区I为中心获取第二区II，所述第一区I位于第二区II内，所述第二区II内具有第一待修正图形A和第一待修正图形A之外的第二待修正图形B，所述第二待修正图形B的轮廓具有若干第二线段102。
在本实施例中，所述第二区II轮廓线的形状为第二正方形。
所述第二正方形的边长范围为5毫米～10毫米。
以所述第一区I为中心获取第二区II，从而对所述第二区II内的若干第二线段102同时进行修正，所述第二待修正图形B的区域为缓冲区域，在消除所述第一区I的边缘效应时的均匀性较好，使得获取的第一区I内第一线段101的最优偏移量数据稳定且准确性较好。
请继续参考图1，执行步骤S30：对若干第二区II分别进行第一修正，获取多个第一区I中第一线段101各自的最优偏移量。
请参考图2，在本实施例中，对若干第二区II分别进行第一修正，获取多个第一区I中第一线段101各自的最优偏移量的方法包括：
步骤S301：获取第二区II内若干第一线段101和若干第二线段102各自对应的第一边缘放置误差；
步骤S302：对第二区II内的若干第一线段101和若干第二线段102进行边缘放置误差修正，获取各第一边缘放置误差修正的第一修正边缘放置误差；
步骤S303：获取第二区II内任一第一线段101或若干第二线段102移动时对所有第一线段101和第二线段102边缘放置误差的影响的微扰矩阵方程；
步骤S304：根据所述微扰矩阵方程和第一修正边缘放置误差，获取待修正版图100第二区II内第一线段101和若干第二线段102对应的第一初始最优偏移量；
步骤S305：采用第一初始最优偏移量对待修正版图100进行多次模拟曝光处理，获取多个第一区I中第一线段101各自的最优偏移量。
对所述第二区II内的若干第一线段101和第二线段102同时进行修正，所述第二待修正图形B的区域为缓冲区域，能够消除所述第一区I的边缘效应，使得获取的第一区I内第一线段101的最优偏移量数据稳定且准确性较好。
接下来，对各步骤进行分别说明。
请继续参考图2，执行步骤S301：获取第二区II内若干第一线段101和若干第二线段102各自对应的第一边缘放置误差。
获取第二区II内若干第一线段101和若干第二线段102各自对应的第一边缘放置误差的方法包括：对所述待修正版图进行模拟曝光，获取模拟曝光版图，所述模拟曝光版图内具有若干与待修正版图100对应的第一区和第二区，所述第一区内具有第一模拟图形，所述第二区内具有第一模拟图形和第二模拟图形，所述第一模拟图形具有与第一线段对应的第三线段，所述第二模拟图形具有与第二线段对应的第四线段；计算第一线段与第三线段之间、以及第二线段与第四线段之间第一边缘放置误差。
请继续参考图2，执行步骤S302：对第二区II内的若干第一线段101和若干第二线段102进行边缘放置误差修正，获取各第一边缘放置误差修正的第一修正边缘放置误差。
对第二区II内的若干第一线段101和若干第二线段102进行边缘放置误差修正的方法包括：根据所述第一边缘放置误差，反向移动所述第一线段101和若干第二线段102，获取各第一边缘放置误差修正的第一修正边缘放置误差。
请继续参考图2，执行步骤S303：获取第二区II内任一第一线段101或若干第二线段102移动时对所有第一线段101和第二线段102边缘放置误差的影响的微扰矩阵方程。
请参考图3，在本实施例中，获取第二区II内任一第一线段101或若干第二线段102移动时对所有第一线段101和第二线段102边缘放置误差的影响的微扰矩阵方程的方法包括：
步骤S3031：多次以固定的偏移量Δfn移动第二区II内的任一第一线段101或第二线段102，对所述待修正图形100进行若干次模拟曝光，获取第二模拟曝光版图(如图7所示)；
步骤S3032：获取第二模拟曝光版图第二区II内若干第一线段101和若干第二线段102各自对应的若干次的第三边缘放置误差；
步骤S3033：获取若干次的第三边缘放置误差与第一边缘放置误差相比较的若干次的变化量；
步骤S3034：根据所述固定的偏移量Δfn和若干次的变化量获取第二区II内任一第一线段101或第二线段102移动时对所有第一线段101和第二线段102边缘放置误差的影响的微扰矩阵方程。
所述微扰矩阵方程为第j条线段移动时对第i条线段边缘放置误差的影响因子。
所述微扰矩阵方程使得在计算第二区II内若干第一线段101和若干第二线段102对应的最优偏移量的过程中，兼顾第二区II内全部第一线段101和第二线段102对某一线段101修正时的影响，使得获取的修正图形轮廓较为光滑，波动较小。
获取所述微扰矩阵方程的方法包括：获取第二区II内第j条线段的偏移量
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请继续参考图2，执行步骤S304：根据所述微扰矩阵方程和第一修正边缘放置误差，获取待修正版图100第二区II内第一线段101和若干第二线段102对应的第一初始最优偏移量。
根据所述微扰矩阵方程和第一修正边缘放置误差，获取待修正版图100第二区II内第一线段101和若干第二线段102对应的第一初始最优偏移量的方法包括：获取第二区II内的若干第一线段101和若干第二线段102各自对应的第一边缘放置误差修正的第一修正边缘放置误差ΔEpen，n为大于1的自然数；根据所述微扰矩阵方程和第一修正边缘放置误差ΔEpen，获取第一初始最优偏移量Δfn，
获取待修正版图100第二区II内所有第一线段101和若干第二线段102各自对应的第一边缘放置误差的的第一修正边缘放置误差ΔEpen重复次数为2～3次。
请继续参考图2，执行步骤S305：采用第一初始最优偏移量对待修正版图100进行多次模拟曝光处理，获取多个第一区I中第一线段101各自的最优偏移量。
所述第一线段101各自对应的最优偏移量为从第二区II内若干第一线段101和若干第二线段102对应的最优偏移量中提取获得。
请参考图4，在本实施例中，采用第一初始最优偏移量对待修正版图100进行多次模拟曝光处理，获取多个第一区I中第一线段101各自的最优偏移量的方法包括：
步骤S3051：根据第一初始最优偏移量对所述待修正版图100进行模拟曝光，获取第一模拟曝光版图；
步骤S3052：获取第一模拟曝光版图第二区II内若干所述第一线段101和若干第二线段102对应的第二边缘放置误差；
步骤S3053：对第一模拟曝光版图第二区II内的若干第一线段101和若干第二线段102进行边缘放置误差修正，获取各第二边缘放置误差修正的第二修正边缘放置误差；
步骤S3054：根据所述微扰矩阵方程和第二修正边缘放置误差，获取待修正版图第二区内若干第一线段101和若干第二线段102对应的第二最优偏移量；
步骤S3055：重复多次获取待修正版图100内若干第一线段101和若干第二线段102对应的第二最优偏移量之后，获取多个第一区I中第一线段101各自的最优偏移量。
在本实施例中，所述重复次数为2～3次。所述重复次数较少，计算量较小。
在本实施例中，所述第二区II以第一区I为中心，所述第一区I相互邻接，从而获取待修正版图100内所有第一线段101和第二线段102对应的第二最优偏移量时，以坐标为基准每次计算一个第二区II内的第一区I内的第一线段101各自的最优偏移量，直至所有第一区I均计算完成，再重复上述过程2～3次，获取多个第一区I中第一线段101各自的最终的最优偏移量。
所述方法中，以第二区II为单位经过多次修正后获取整个待修正版图内第一线段101对应的最优偏移量，每次计算一个第二区II内的最优偏移量，使得计算量减小，能够提升模型计算效率。
请继续参考图1，执行步骤S40：根据多个第一区I中第一线段101各自的最优偏移量，对所述待修正版图100进行第二修正，获取修正版图。
所述方法中，在多个小范围的第二区II内进行图形修正，获得的修正版图精确度较好；另一方面，第一区I包含有若干第一线段101，对所述第一线段101修正时，能够兼顾与第一线段101相邻的其他线段的影响，获取的修正版图尺寸均匀性较好。
请继续参考图1，还包括：执行步骤S50：对所述修正版图进行光学邻近效应修正。
所述光学邻近效应修正为本技术领域常用的手段，在此不再赘述。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (11)
1.一种图形修正方法，其特征在于，包括：
提供待修正版图，所述待修正版图具有若干第一区，若干所述第一区相互邻接，所述第一区内具有第一待修正图形，所述第一待修正图形的轮廓具有若干第一线段；
以所述第一区为中心获取第二区，所述第一区位于第二区内，所述第二区内具有第一待修正图形和第一待修正图形之外的第二待修正图形，所述第二待修正图形的轮廓具有若干第二线段；
对若干第二区分别进行第一修正，获取多个第一区中第一线段各自的最优偏移量；
根据多个第一区中第一线段各自的最优偏移量，对所述待修正版图进行第二修正，获取修正版图。
2.如权利要求1所述的图形修正方法，其特征在于，对若干第二区分别进行第一修正，获取多个第一区中第一线段各自的最优偏移量的方法包括：获取第二区内若干第一线段和若干第二线段各自对应的第一边缘放置误差；对第二区内的若干第一线段和若干第二线段进行边缘放置误差修正，获取各第一边缘放置误差修正的第一修正边缘放置误差；获取第二区内任一第一线段或第二线段移动时对所有第一线段和第二线段边缘放置误差的影响的微扰矩阵方程；根据所述微扰矩阵方程和第一修正边缘放置误差，获取待修正版图第二区内若干第一线段和若干第二线段对应的第一初始最优偏移量；采用第一初始最优偏移量对待修正版图进行多次模拟曝光处理，获取多个第一区中第一线段各自的最优偏移量。
3.如权利要求2所述的图形修正方法，其特征在于，采用第一初始最优偏移量对待修正版图进行多次模拟曝光处理，获取各第一区内若干第一线段对应的第一最优偏移量的方法包括：根据第一初始最优偏移量对所述待修正版图进行模拟曝光，获取第一模拟曝光版图；获取第一模拟曝光版图第二区内若干所述第一线段和若干第二线段对应的第二边缘放置误差；对第一模拟曝光版图第二区内的若干第一线段和若干第二线段进行边缘放置误差修正，获取各第二边缘放置误差修正的第二修正边缘放置误差；根据所述微扰矩阵方程和第二修正边缘放置误差，获取待修正版图第二区内若干第一线段和若干第二线段对应的第二最优偏移量；重复多次获取待修正版图内若干第一线段和若干第二线段对应的第二最优偏移量之后，获取多个第一区中第一线段各自的最优偏移量。
4.如权利要求3所述的图形修正方法，其特征在于，所述重复多次的次数为2～3次。
5.如权利要求2所述的图形修正方法，其特征在于，获取第二区内任一第一线段或第二线段移动时对所有第一线段和第二线段边缘放置误差的影响的微扰矩阵方程的方法包括：多次以固定的偏移量移动第二区内的任一第一线段或第二线段，对所述待修正图形进行若干次模拟曝光，获取第二模拟曝光版图；获取第二模拟曝光版图第二区内若干第一线段和若干第二线段各自对应的若干次的第三边缘放置误差；获取若干次的第三边缘放置误差与第一边缘放置误差相比较的若干次的变化量；根据所述固定的偏移量和若干次的变化量获取第二区内任一第一线段或第二线段移动时对所有第一线段和第二线段边缘放置误差的影响的微扰矩阵方程。
6.如权利要求5所述的图形修正方法，其特征在于，获取所述微扰矩阵方程的方法包括：获取第二区内第j条线段的偏移量
j为取值1～n的自然数；获取当第j条线段偏移时，第i条线段边缘放置误差的变化量/>
i为取值1～n的自然数；根据所述偏移量/>
和变化量/>
获取第j条线段移动时对第i条线段边缘放置误差的影响因子/>
或者，所述影响因子/>
获得所述微扰矩阵方程。
7.如权利要求6所述的图形修正方法，其特征在于，根据所述微扰矩阵方程和第一修正边缘放置误差，获取待修正版图第二区内若干第一线段和若干第二线段对应的第一初始最优偏移量的方法包括：获取第二区内的若干第一线段和若干第二线段各自对应的第一边缘放置误差修正的第一修正边缘放置误差ΔEpen，n为大于1的自然数；根据所述微扰矩阵方程和第一修正边缘放置误差ΔEpen，获取第一初始最优偏移量Δfn，
8.如权利要求7所述的图形修正方法，其特征在于，获取第二区内的若干第一线段和若干第二线段各自对应的第一边缘放置误差修正的第一修正边缘放置误差ΔEpen的次数为2～3次。
9.如权利要求2所述的图形修正方法，其特征在于，所述第一区轮廓线的形状为第一正方形，所述第二区轮廓线的形状为第二正方形。
10.如权利要求9所述的图形修正方法，其特征在于，所述第一正方形的边长范围为1毫米～3毫米，所述第二正方形的边长范围为5毫米～10毫米。
11.如权利要求1所述的图形修正方法，其特征在于，还包括：获取修正版图之后对所述修正版图进行光学邻近效应修正。
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|---|---|---|---|
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117850154A (zh) * | 2024-03-07 | 2024-04-09 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 一种opc修正方法及opc修正系统 |
| CN117850154B (zh) * | 2024-03-07 | 2024-06-07 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 一种opc修正方法及opc修正系统 |
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2021
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