CN110119061B - 光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法 - Google Patents

Abstract

一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法，光学邻近修正方法包括：提供目标刻蚀图形，所述目标刻蚀图形包括多个子目标刻蚀图形；提供偏移补偿模型；将子目标刻蚀图形的各边分割为若干分割边；根据所述偏移补偿模型，对各分割边进行补偿修正，得到补偿图形；获取补偿图形对应的掩膜层图形；对掩膜层图形进行OPC修正，得到修正图。形所述光学邻近修正方法提高了修正精度。

Description

光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法。

背景技术

光刻技术是半导体制作技术中至关重要的一项技术，光刻技术能够实现将图形从掩膜版中转移到硅片表面，形成符合设计要求的半导体产品。光刻工艺包括曝光步骤、曝光步骤之后进行的显影步骤和显影步骤之后的刻蚀步骤。在曝光步骤中，光线通过掩膜版中透光的区域照射至涂覆有光刻胶的硅片上，光刻胶在光线的照射下发生化学反应；在显影步骤中，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度的不同，形成光刻图案，实现掩膜版图案转移到光刻胶上；在刻蚀步骤中，基于光刻胶层所形成的光刻图案对硅片进行刻蚀，将掩膜版的图案进一步转移至硅片上。

在半导体制造中，随着设计尺寸的不断缩小，设计尺寸越来越接近光刻成像系统的极限，光的衍射效应变得越来越明显，导致最终对设计图形产生光学影像退化，实际形成的光刻图案相对于掩膜版上的图案发生严重畸变，最终在硅片上经过光刻形成的实际图形和设计图形不同，这种现象称为光学邻近效应(OPE：Optical Proximity Effect)。

为了修正光学邻近效应，便产生了光学邻近校正(OPC：Optical ProximityCorrection)。光学邻近校正的核心思想就是基于抵消光学邻近效应的考虑建立光学邻近校正模型，根据光学邻近校正模型设计光掩模图形，这样虽然光刻后的光刻图形相对应光掩模图形发生了光学邻近效应，但是由于在根据光学邻近校正模型设计光掩模图形时已经考虑了对该现象的抵消，因此，光刻后的光刻图形接近于用户实际希望得到的目标图形。

然而，现有技术中光学邻近校正的修正精度较低。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法，以提高修正精度。

为解决上述问题，本发明提供一种光学邻近修正方法，包括：提供目标刻蚀图形，所述目标刻蚀图形包括多个子目标刻蚀图形；提供偏移补偿模型；将子目标刻蚀图形的各边分割为若干分割边；根据所述偏移补偿模型，对各分割边进行补偿修正，得到补偿图形；获取补偿图形对应的掩膜层图形；对掩膜层图形进行OPC修正，得到修正图形。

可选的，所述子目标刻蚀图形呈长条状；所述若干分割边包括平行于第一方向的第一类型分割边和平行于第二方向的第二类型分割边，第二方向为子目标刻蚀图形的宽度方向，第一方向垂直于第二方向；所述补偿图形包括对应第一类型分割边的第一类型补偿分割边和对应第二类型分割边的第二类型补偿分割边；所述偏移补偿模型包括第一平均补偿模型和第二平均补偿模型，所述第一平均补偿模型用于获取各第一类型分割边沿第二方向的第一类型平均偏移量，第二平均补偿模型用于获取各第二类分割边沿第一方向的第二类型平均偏移量；所述第一类型补偿分割边为第一类型分割边沿第二方向平移第一类型平均偏移量而得到，所述第二类型补偿分割边为第二类型分割边沿第一方向平移第二类型平均偏移量而得到。

可选的，所述第一平均补偿模型包括：第一补偿模型，用于获取各第一类型分割边中各点的第一偏移量；第一平均模型，用于获取每个第一类型分割边中各点的第一偏移量的平均值作为对应第一类型分割边的第一类型平均偏移量。

可选的，所述修正图形用于写入掩膜版中；第一类型分割边中各点为第一类型分点，第一类型分点根据光学投影关系在掩膜版中对应至第一类型光罩点；第一类型分割边中各第一类型分点的第一偏移量x_ol＝k-θ_xy_wafer+M_xx_wafer-φ_xy_reticle+m_xx_reticle；其中，θ_x为第一类型分点位置的第二方向晶圆转动角系数，M_x为第一类型分点位置的第二方向晶圆膨胀系数，φ_x为第一类型光罩点位置的第二方向光罩转动角系数，m_x为第一类型光罩点位置的第二方向光罩膨胀系数，(x_wafer,y_wafer)为第一类型分点的坐标，(x_reticle,y_reticle)为第一类型光罩点的坐标，k为第一偏移常数；

第一类型分割边的第一类型平均偏移量

可选的，所述第二平均补偿模型包括：第二补偿模型，用于获取各第二类型分割边中各点的第二偏移量；第二平均模型，用于获取每个第二类型分割边中各点的第二偏移量的平均值作为对应第二类型分割边的第二类型平均偏移量。

可选的，所述修正图形用于写入掩膜版中；第二类分割边中各点为第二类型分点，第二类型分点根据光学投影关系在掩膜版中对应至第二类型光罩点；第二类型分割边中各第二类型分点的第二偏移量y_ol＝q+θ_yx_wafer+M_yy_wafer+φ_yx_reticle+m_yy_reticle；其中，θ_y为第二类型分点位置的第一方向晶圆转动角系数，M_y为第二类型分点位置的第一方向晶圆膨胀系数，φ_y为第二类型光罩点位置的第一方向光罩转动角系数，m_y为第二类型光罩点位置的第一方向光罩膨胀系数，(x_wafer,y_wafer)为第二类型分点的坐标，(x_reticle,y_reticle)为第二类型光罩点的坐标，q为第二偏移常数；

第二类型分割边的第二类型平均偏移量

可选的，还包括：制作刻蚀偏移表；根据刻蚀偏移表获取补偿图形对应的掩膜层图形。

可选的，所述刻蚀偏移表的制作方法包括：提供测试刻蚀层；提供若干测试掩膜层，所述测试掩膜层中具有若干测试子图形，测试子图形具有第一宽度和第一间距，不同测试掩膜层中的测试子图形的第一宽度不同或第一间距不同；设置若干刻蚀条件；在各刻蚀条件下以各测试掩膜层为掩膜刻蚀测试刻蚀层，在测试刻蚀层中形成刻蚀图形，刻蚀图形具有对应测试子图形尺寸的第二宽度和第二间距；根据第一宽度、第一间距、第二宽度和第二间距获取刻蚀图形和测试子图形之间的刻蚀偏移量；根据刻蚀偏移量随第二宽度和第二间距的变化关系建立刻蚀偏移表。

可选的，所述补偿图形包括若干子补偿图形，各子补偿图形包括若干补偿分割边；根据刻蚀偏移表获取补偿图形对应的掩膜层图形的方法包括：获取子补偿图形在补偿分割边位置对应的宽度值、以及子补偿图形与相邻子补偿图形之间的间距值；在刻蚀偏移表中查询第二宽度为所述宽度值且第二间距为所述间距值时对应的刻蚀偏移量值；沿垂直于补偿分割边的方向将补偿分割边平移刻蚀偏移量值，获得掩膜层图形。

可选的，对掩膜层图形进行OPC修正的方法包括：提供OPC修正模型；根据OPC修正模型对掩膜层图形进行修正，得到中间修正图形；获取中间修正图形和掩膜层图形之间的边缘放置误差；若边缘放置误差大于阈值，则根据OPC修正模型对中间修正图形进行修正直至边缘放置误差小于阈值；当边缘放置误差小于阈值时，将中间修正图形作为修正图形。

可选的，对掩膜层图形进行OPC修正的方法还包括：对掩膜层图形进行OPC修正的方法还包括：在对掩膜层图形进行修正以得到中间修正图形之前，在掩膜层图形周围设置若干散射条图形，所述散射条图形为不可曝光图形。

可选的，所述OPC修正模型的获取方法包括：提供测试掩膜版，所述测试掩膜版中具有若干测试图形；对测试图形进行曝光，得到实际曝光图形；对实际曝光图形的尺寸进行测量，获得测试数据；将测试图形的尺寸数据和测试数据进行比较和拟合计算，得到OPC修正模型。

本发明还提供一种掩膜版的制作方法，包括：根据上述光学邻近修正方法得到的修正图形制作掩膜版。

本发明还提供一种掩膜版的制作方法，包括：根据上述光学邻近修正方法得到的修正图形和散射条图形制作掩膜版。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

本发明技术方案提供的光学邻近修正方法中，考虑了目标刻蚀图形相对于前一层图形可能发生的偏差因素，根据所述偏移补偿模型，对各分割边进行补偿修正，得到补偿图形，之后获取补偿图形对应的掩膜层图形，对掩膜层图形进行OPC修正。因此OPC修正的过程将所述偏差因素一起进行修正，使得修正图形的精度较高。

本发明提供的掩膜版的制作方法，由上述光学邻近修正方法得到的修正图形制作掩膜版。对掩膜版曝光后获得的实际图形和前一层图形之间的位置偏差较小，使得掩膜版图形的精度较高。

附图说明

图1是本发明一实施例中光学邻近修正方法的流程图；

图2至图9是本发明一实施例中光学邻近修正过程的结构图。

具体实施方式

正如背景技术所述，现有的光学邻近修正方法的精度较差。

一种光学邻近修正方法，包括：提供目标刻蚀图形，所述目标刻蚀图形包括多个子目标刻蚀图形；根据刻蚀偏移表获取子目标刻蚀图形对应的掩膜层图形；对掩膜层图形进行OPC修正，得到修正图形。

以所述修正图形制作掩膜版，对掩膜版进行实际曝光获得实际曝光图形，实际曝光图形和前一层图形之间具有一定的位置偏差。上述位置偏差通常由目标刻蚀图形在工艺过程中发生热膨胀、以及掩膜版的位置偏移引起。而对掩膜层图形进行OPC修正的过程并未考虑所述位置偏差的因素的影响。因此导致光学邻近修正方法的修正精度较差。

在此基础上，本发明提供一种光学邻近修正方法，参考图1，包括：

S01:提供目标刻蚀图形，所述目标刻蚀图形包括多个子目标刻蚀图形；

S02：提供偏移补偿模型；

S03：将子目标刻蚀图形的各边分割为若干分割边；

S04：根据所述偏移补偿模型，对各分割边进行补偿修正，得到补偿图形；

S05：获取补偿图形对应的掩膜层图形；

S06：对掩膜层图形进行OPC修正，得到修正图形。

考虑了目标刻蚀图形相对于前一层图形可能发生的偏差因素，因此OPC修正的过程将所述偏差因素一起进行修正，使得修正图形的精度较高。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

图2至图9是本发明一实施例中光学邻近修正过程的结构图。

参考图2，提供目标刻蚀图形，所述目标刻蚀图形包括多个子目标刻蚀图形100。

所述目标刻蚀图形为待刻蚀材料层设计的刻蚀图形。

本实施例中，所述子目标刻蚀图形100呈长条状。

参考图3，将子目标刻蚀图形100的各边分割为若干分割边110。

本实施例中，所述若干分割边110包括平行于第一方向Y的第一类型分割边和平行于第二方向X的第二类型分割边，第二方向X为子目标刻蚀图形100的宽度方向，第一方向Y垂直于第二方向X。

本实施例中，将子目标刻蚀图形100的各边分割为第一分割边S111、第二分割边S112、第三分割边S113、第四分割边S114、第五分割边S115、第六分割边S116、第七分割边S117和第八分割边S118。相应的，所述第一类型分割边包括第一分割边S111、第二分割边S112、第三分割边S113、第五分割边S115、第六分割边S116和第七分割边S117。所述第二类型分割边包括第四分割边S114和第八分割边S118。

第一类型分割边中各点为第一类型分点，第一类型分点根据光学投影关系在掩膜版中对应至第一类型光罩点。后续得到的修正图形用于写入掩膜版中。

第二类分割边中各点为第二类型分点，第二类型分点根据光学投影关系在掩膜版中对应至第二类型光罩点。

参考图4，光源120和待刻蚀材料层130之间具有掩膜版140，掩膜版140和光源120之间具有第一透镜，第一透镜用于将光源120发出的发散的光线变为平行的光；待刻蚀材料层130和掩膜版140之间具有第二透镜，第二透镜用于将从掩膜版140出射的光汇聚在待刻蚀材料层130表面。

第一类型分点根据光学投影关系在掩膜版140中对应至第一类型光罩点，第二类型分点根据光学投影关系在掩膜版140中对应至第二类型光罩点。

为了方便说明，第一类型光罩点和第二类型光罩点的坐标为(x_reticle,y_reticle)，第一类型分点和第二类型分点的坐标为(x_wafer,y_wafer)，x_reticle＝S*x_wafer，y_reticle＝S*y_wafer。

S根据光源120、待刻蚀材料层130、掩膜版140、第一透镜和第二透镜的位置、以及第一透镜和第二透镜的光学参数来获取。

在一个实施例中，S＝4。

参考图5，提供偏移补偿模型。

所述偏移补偿模型包括第一平均补偿模型和第二平均补偿模型，所述第一平均补偿模型用于获取各第一类型分割边沿第二方向X的第一类型平均偏移量，第二平均补偿模型用于获取各第二类分割边沿第一方向Y的第二类型平均偏移量。

所述第一平均补偿模型包括：第一补偿模型，用于获取各第一类型分割边中各点的第一偏移量；第一平均模型，用于获取每个第一类型分割边中各点的第一偏移量的平均值作为对应第一类型分割边的第一类型平均偏移量。

所述第二平均补偿模型包括：第二补偿模型，用于获取各第二类型分割边中各点的第二偏移量；第二平均模型，用于获取每个第二类型分割边中各点的第二偏移量的平均值作为对应第二类型分割边的第二类型平均偏移量。

第一类型分割边中各第一类型分点的第一偏移量x_ol＝k-θ_xy_wafer+M_xx_wafer-φ_xy_reticle+m_xx_reticle， 公式(1)；

其中，θ_x为第一类型分点位置的第二方向晶圆转动角系数，M_x为第一类型分点位置的第二方向晶圆膨胀系数，φ_x为第一类型光罩点位置的第二方向光罩转动角系数，m_x为第一类型光罩点位置的第二方向光罩膨胀系数，(x_wafer,y_wafer)为第一类型分点的坐标，(x_reticle,y_reticle)为第一类型光罩点的坐标，k为第一偏移常数。

第一类型分割边的第一类型平均偏移量

y_j和y_i分别表示各第一类型分割边的两端的纵坐标，即y_j和y_i分别表示各第一类型分割边的两端在第一方向Y上的坐标。

第二类型分割边中各第二类型分点的第二偏移量y_ol＝q+θ_yx_wafer+M_yy_wafer+φ_yx_reticle+m_yy_reticle 公式(3)；

其中，θ_y为第二类型分点位置的第一方向晶圆转动角系数，M_y为第二类型分点位置的第一方向晶圆膨胀系数，φ_y为第二类型光罩点位置的第一方向光罩转动角系数，m_y为第二类型光罩点位置的第一方向光罩膨胀系数，(x_wafer,y_wafer)为第二类型分点的坐标，(x_reticle,y_reticle)为第二类型光罩点的坐标，q为第二偏移常数。

第二类型分割边的第二类型平均偏移量

x_j和x_i分别表示各第二类型分割边的两端的横坐标，即x_j和x_i分别表示各第二类型分割边的两端在第二方向X上的坐标。

第二方向晶圆转动角系数θ_x、第二方向晶圆膨胀系数M_x、第二方向光罩转动角系数φ_x、第二方向光罩膨胀系数m_x、第一偏移常数k、第一方向晶圆转动角系数θ_y、第一方向晶圆膨胀系数M_y、第一方向光罩转动角系数φ_y和第一方向光罩膨胀系数m_y第二偏移常数q通过下述方法获取。

具体的，提供测试晶圆和测试掩膜版，测试晶圆表面具有若干第一标记；在测试晶圆表面形成测试初始材料膜；在测试初始材料膜表面形成测试光刻胶膜；对测试掩膜版进行实际曝光，并进行显影，使测试光刻胶膜形成测试光胶层；以测试光刻胶层为掩膜刻蚀测试初始材料膜，使测试初始材料膜形成测试材料层，测试材料层中具有测试目标刻蚀图形，测试材料层中具有若干第二标记，第二标记的数量等于第一标记的数量，在理想情况下，第一标记和对应的第二标记之间的偏差应该为零；测试第一标记和第二标记的实际位置偏差；由此得到多组实际位置偏差测试数据、对应的第一标记的坐标和第二标记的坐标；将上述多组实际位置偏差测试数据和对应的第一标记的坐标和第二标记的坐标代入公式(1)、公式(2)、公式(3)和公式(4)中，进行拟合计算至收敛，得到θ_x、M_x、φ_x、m_x、k、θ_y、M_y、φ_y和m_y的数值。

参考图6，根据所述偏移补偿模型，对各分割边110进行补偿修正，得到补偿图形。

所述补偿图形包括若干子补偿图形，各子补偿图形包括若干补偿分割边150。

所述补偿图形包括对应第一类型分割边的第一类型补偿分割边和对应第二类型分割边的第二类型补偿分割边。

所述第一类型补偿分割边为第一类型分割边沿第二方向X平移第一类型平均偏移量而得到，所述第二类型补偿分割边为第二类型分割边沿第一方向Y平移第二类型平均偏移量而得到。

第一类型平均偏移量包括第一平均偏移量、第二平均偏移量、第三平均偏移量、第五平均偏移量、第六平均偏移量和第七平均偏移量。第二类型平均偏移量包括第四平均偏移量和第八平均偏移量。

具体的，根据第一平均补偿模型对第一分割边S111进行补偿修正，得到第一补偿分割边W111，第一补偿分割边W111由第一分割边S111沿第二方向X平移第一平均偏移量而得到；根据第一平均补偿模型对第二分割边S112进行补偿修正，得到第二补偿分割边W112，第二补偿分割边W112由第二分割边S112沿第二方向X平移第二平均偏移量而得到；根据第一平均补偿模型对第三分割边S113进行补偿修正，得到第三补偿分割边W113，第三补偿分割边W113由第三分割边S113沿第二方向X平移第三平均偏移量而得到；根据第一平均补偿模型对第五分割边S115进行补偿修正，得到第五补偿分割边W115，第五补偿分割边W115由第五分割边S115沿第二方向X平移第五平均偏移量而得到；根据第一平均补偿模型对第六分割边S116进行补偿修正，得到第六补偿分割边W116，第六补偿分割边W116由第六分割边S116沿第二方向X平移第六平均偏移量而得到；根据第一平均补偿模型对第七分割边S117进行补偿修正，得到第七补偿分割边W117，第七补偿分割边W117由第七分割边S117沿第二方向X平移第七平均偏移量而得到。

具体的，根据第二平均补偿模型对第四分割边S114进行补偿修正，得到第四补偿分割边W114，第四补偿分割边W114由第四分割边S114沿第一方向Y平移第四平均偏移量而得到；根据第二平均补偿模型对第八分割边S118进行补偿修正，得到第八补偿分割边W118，第八补偿分割边W118由第八分割边S118沿第一方向Y平移第八平均偏移量而得到。

参考图7，获取补偿图形对应的掩膜层图形160。

本实施例中，还包括：制作刻蚀偏移表(如图8)；根据刻蚀偏移表获取补偿图形对应的掩膜层图形160。

所述刻蚀偏移表的制作方法包括：提供测试刻蚀层；提供若干测试掩膜层，所述测试掩膜层中具有若干测试子图形，测试子图形具有第一宽度和第一间距，不同测试掩膜层中的测试子图形的第一宽度不同或第一间距不同；设置若干刻蚀条件；在各刻蚀条件下以各测试掩膜层为掩膜刻蚀测试刻蚀层，在测试刻蚀层中形成刻蚀图形，刻蚀图形具有对应测试子图形尺寸的第二宽度和第二间距；根据第一宽度、第一间距、第二宽度和第二间距获取刻蚀图形和测试子图形之间的刻蚀偏移量；根据刻蚀偏移量δij随第二宽度和第二间距的变化关系建立刻蚀偏移表。

具体的，刻蚀偏移表包括宽度坐标和间距坐标，刻蚀偏移表的宽度坐标为若干第二宽度区间，分别为[K1，K2)、[K2，K3)、[K3，K4)、[K4，K5)、[K5，K6)、[K6，K7)、[K7，K8)至[Ki，Kj)，刻蚀偏移表的间距坐标为若干第二间距区间，分别为[P1，P2)、[P2，P3)、[P3，P4)、[P4，P5)、[P5，P6)、[P6，P7)至[Pi，Pj)。

根据刻蚀偏移表获取补偿图形对应的掩膜层图形的方法包括：获取子补偿图形在补偿分割边位置对应的宽度值、以及子补偿图形与相邻子补偿图形之间的间距值；在刻蚀偏移表中查询第二宽度为所述宽度值且第二间距为所述间距值时对应的刻蚀偏移量值；沿垂直于补偿分割边的方向将补偿分割边平移刻蚀偏移量值，获得掩膜层图形。

参考图9，对掩膜层图形160进行OPC修正，得到修正图形170。

在一个实施例中，对掩膜层图形160进行OPC修正的方法包括：提供OPC修正模型；根据OPC修正模型对掩膜层图形进行修正，得到中间修正图形；获取中间修正图形和掩膜层图形之间的边缘放置误差；若边缘放置误差大于阈值，则根据OPC修正模型对中间修正图形进行修正直至边缘放置误差小于阈值；当边缘放置误差小于阈值时，将中间修正图形作为修正图形。

所述OPC修正模型的获取方法包括：所述OPC修正模型的获取方法包括：提供测试掩膜版，所述测试掩膜版中具有若干测试图形；对测试图形进行曝光，得到实际曝光图形；对实际曝光图形的尺寸进行测量，获得第一测试数据；对测试图形进行模拟曝光，获得测试模拟曝光图形；对测试模拟曝光图形的尺寸进行测量，获得第二测试数据；将第一测试数据和第二测试数据进行比较和拟合计算，得到OPC修正模型。

相应的，本实施例还提供一种掩膜版的制作方法，包括：根据上述光学邻近修正方法得到的修正图形制作掩膜版。

由上述光学邻近修正方法得到的修正图形制作掩膜版。对掩膜版曝光后获得的实际图形和前一层图形之间的位置偏差较小，使得掩膜版图形的精度较高。

在另一个实施例中，对掩膜层图形进行OPC修正的方法包括：提供OPC修正模型；在掩膜层图形周围设置若干散射条图形，所述散射条图形为不可曝光图形；设置散射条图形后，根据OPC修正模型对掩膜层图形进行修正，得到中间修正图形；获取中间修正图形和掩膜层图形之间的边缘放置误差；若边缘放置误差大于阈值，则根据OPC修正模型对中间修正图形进行修正直至边缘放置误差小于阈值；当边缘放置误差小于阈值时，将中间修正图形作为修正图形。

所述OPC修正模型的获取方法参照上述内容。

相应的，本实施例还提供一种掩膜版的制作方法，包括：根据上述光学邻近修正方法得到的修正图形和散射条图形制作掩膜版。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (12)

1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：

提供目标刻蚀图形，所述目标刻蚀图形包括多个子目标刻蚀图形，所述子目标刻蚀图形呈长条状；

提供偏移补偿模型，所述偏移补偿模型包括第一平均补偿模型和第二平均补偿模型，所述第一平均补偿模型用于获取各第一类型分割边沿第二方向的第一类型平均偏移量，第二平均补偿模型用于获取各第二类分割边沿第一方向的第二类型平均偏移量；所述第一类型补偿分割边为第一类型分割边沿第二方向平移第一类型平均偏移量而得到，所述第二类型补偿分割边为第二类型分割边沿第一方向平移第二类型平均偏移量而得到；

将子目标刻蚀图形的各边分割为若干分割边，所述若干分割边包括平行于第一方向的第一类型分割边和平行于第二方向的第二类型分割边，第二方向为子目标刻蚀图形的宽度方向，第一方向垂直于第二方向；

根据所述偏移补偿模型，对各分割边进行补偿修正，得到补偿图形，所述补偿图形包括对应第一类型分割边的第一类型补偿分割边和对应第二类型分割边的第二类型补偿分割边；

制作刻蚀偏移表；

根据刻蚀偏移表获取补偿图形对应的掩膜层图形；

对掩膜层图形进行OPC修正，得到修正图形。

2.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第一平均补偿模型包括：第一补偿模型，用于获取各第一类型分割边中各点的第一偏移量；第一平均模型，用于获取每个第一类型分割边中各点的第一偏移量的平均值作为对应第一类型分割边的第一类型平均偏移量。

3.根据权利要求2所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述修正图形用于写入掩膜版中；第一类型分割边中各点为第一类型分点，第一类型分点根据光学投影关系在掩膜版中对应至第一类型光罩点；

第一类型分割边中各第一类型分点的第一偏移量x_ol＝k-θ_xy_wafer+M_xx_wafer-φ_xy_reticle+m_xx_reticle；

其中，θ_x为第一类型分点位置的第二方向晶圆转动角系数，M_x为第一类型分点位置的第二方向晶圆膨胀系数，φ_x为第一类型光罩点位置的第二方向光罩转动角系数，m_x为第一类型光罩点位置的第二方向光罩膨胀系数，(x_wafer,y_wafer)为第一类型分点的坐标，(x_reticle,y_reticle)为第一类型光罩点的坐标，k为第一偏移常数；

第一类型分割边的第一类型平均偏移量

4.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第二平均补偿模型包括：第二补偿模型，用于获取各第二类型分割边中各点的第二偏移量；第二平均模型，用于获取每个第二类型分割边中各点的第二偏移量的平均值作为对应第二类型分割边的第二类型平均偏移量。

5.根据权利要求4所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述修正图形用于写入掩膜版中；第二类分割边中各点为第二类型分点，第二类型分点根据光学投影关系在掩膜版中对应至第二类型光罩点；

第二类型分割边中各第二类型分点的第二偏移量y_ol＝q+θ_yx_wafer+M_yy_wafer+φ_yx_reticle+m_yy_reticle；

其中，θ_y为第二类型分点位置的第一方向晶圆转动角系数，M_y为第二类型分点位置的第一方向晶圆膨胀系数，φ_y为第二类型光罩点位置的第一方向光罩转动角系数，m_y为第二类型光罩点位置的第一方向光罩膨胀系数，(x_wafer,y_wafer)为第二类型分点的坐标，(x_reticle,y_reticle)为第二类型光罩点的坐标，q为第二偏移常数；

第二类型分割边的第二类型平均偏移量

6.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述刻蚀偏移表的制作方法包括：提供测试刻蚀层；提供若干测试掩膜层，所述测试掩膜层中具有若干测试子图形，测试子图形具有第一宽度和第一间距，不同测试掩膜层中的测试子图形的第一宽度不同或第一间距不同；设置若干刻蚀条件；在各刻蚀条件下以各测试掩膜层为掩膜刻蚀测试刻蚀层，在测试刻蚀层中形成刻蚀图形，刻蚀图形具有对应测试子图形尺寸的第二宽度和第二间距；根据第一宽度、第一间距、第二宽度和第二间距获取刻蚀图形和测试子图形之间的刻蚀偏移量；根据刻蚀偏移量随第二宽度和第二间距的变化关系建立刻蚀偏移表。

7.根据权利要求6所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述补偿图形包括若干子补偿图形，各子补偿图形包括若干补偿分割边；根据刻蚀偏移表获取补偿图形对应的掩膜层图形的方法包括：获取子补偿图形在补偿分割边位置对应的宽度值、以及子补偿图形与相邻子补偿图形之间的间距值；在刻蚀偏移表中查询第二宽度为所述宽度值且第二间距为所述间距值时对应的刻蚀偏移量值；沿垂直于补偿分割边的方向将补偿分割边平移刻蚀偏移量值，获得掩膜层图形。

8.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，对掩膜层图形进行OPC修正的方法包括：提供OPC修正模型；根据OPC修正模型对掩膜层图形进行修正，得到中间修正图形；获取中间修正图形和掩膜层图形之间的边缘放置误差；若边缘放置误差大于阈值，则根据OPC修正模型对中间修正图形进行修正直至边缘放置误差小于阈值；当边缘放置误差小于阈值时，将中间修正图形作为修正图形。

9.根据权利要求8所述的光学邻近修正方法，其特征在于，对掩膜层图形进行OPC修正的方法还包括：在对掩膜层图形进行修正以得到中间修正图形之前，在掩膜层图形周围设置若干散射条图形，所述散射条图形为不可曝光图形。

10.根据权利要求8或9所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述OPC修正模型的获取方法包括：提供测试掩膜版，所述测试掩膜版中具有若干测试图形；对测试图形进行曝光，得到实际曝光图形；对实际曝光图形的尺寸进行测量，获得第一测试数据；对测试图形进行模拟曝光，获得测试模拟曝光图形；对测试模拟曝光图形的尺寸进行测量，获得第二测试数据；将第一测试数据和第二测试数据进行比较和拟合计算，得到OPC修正模型。

11.一种掩膜版的制作方法，其特征在于，包括：根据权利要求1至8任意一项光学邻近修正方法得到的修正图形制作掩膜版。

12.一种掩膜版的制作方法，其特征在于，包括：根据权利要求9的光学邻近修正方法得到的修正图形和散射条图形制作掩膜版。

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