CN110119062B - 光学邻近修正方法、掩膜版制作方法及图形化工艺 - Google Patents

Abstract

一种光学邻近修正方法、掩膜版制作方法及图形化工艺，光学邻近修正方法包括：在本征图形组沿第一方向的一侧形成第一辅助图形，第一辅助图形和本征图形组相互分立且和第一图形相邻，所述第一辅助图形在第一方向上的宽度大于第二图形在第一方向上的宽度且小于第一图形在第一方向上的宽度；对本征图形组和第一辅助图形进行OPC修正，得到本征修正图形组和第一辅助修正图形，所述本征修正图形组包括若干沿第一方向排列的本征修正图形单元，本征修正图形单元包括沿第一方向排列的第一修正图形和第二修正图形。所述方法提高了第二修正图形的分辨率。

Description

光学邻近修正方法、掩膜版制作方法及图形化工艺

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光学邻近修正方法、掩膜版制作方法及图形化工艺。

背景技术

光刻技术是半导体制作技术中至关重要的一项技术，光刻技术能够实现将图形从掩膜版中转移到硅片表面，形成符合设计要求的半导体产品。光刻工艺包括曝光步骤、曝光步骤之后进行的显影步骤和显影步骤之后的刻蚀步骤。在曝光步骤中，光线通过掩膜版中透光的区域照射至涂覆有光刻胶的硅片上，光刻胶在光线的照射下发生化学反应；在显影步骤中，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度的不同，形成光刻图案，实现掩膜版图案转移到光刻胶上；在刻蚀步骤中，基于光刻胶层所形成的光刻图案对硅片进行刻蚀，将掩膜版的图案进一步转移至硅片上。

在半导体制造中，随着设计尺寸的不断缩小，设计尺寸越来越接近光刻成像系统的极限，光的衍射效应变得越来越明显，导致最终对设计图形产生光学影像退化，实际形成的光刻图案相对于掩膜版上的图案发生严重畸变，最终在硅片上经过光刻形成的实际图形和设计图形不同，这种现象称为光学邻近效应(OPE：Optical Proximity Effect)。

为了修正光学邻近效应，便产生了光学邻近校正(OPC：Optical ProximityCorrection)。光学邻近校正的核心思想就是基于抵消光学邻近效应的考虑建立光学邻近校正模型，根据光学邻近校正模型设计光掩模图形，这样虽然光刻后的光刻图形相对应光掩模图形发生了光学邻近效应，但是由于在根据光学邻近校正模型设计光掩模图形时已经考虑了对该现象的抵消，因此，光刻后的光刻图形接近于用户实际希望得到的目标图形。

然而，现有技术中光学邻近校正的图形的分辨率较低。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种光学邻近修正方法、掩膜版制作方法及图形化工艺，以提高第二修正图形的分辨率。

为解决上述问题，本发明提供一种光学邻近修正方法，包括：提供本征图形组，所述本征图形组包括若干沿着第一方向排列的本征图形单元，本征图形单元包括沿第一方向排列的第一图形和第二图形，第一图形和第二图形的延伸方向垂直于第一方向，第一图形在第一方向上的宽度大于第二图形在第一方向上的宽度；在本征图形组沿第一方向的一侧形成第一辅助图形，第一辅助图形和本征图形组相互分立且和第一图形相邻，所述第一辅助图形在第一方向上的宽度大于第二图形在第一方向上的宽度且小于第一图形在第一方向上的宽度；对本征图形组和第一辅助图形进行OPC修正，得到本征修正图形组和第一辅助修正图形，所述本征修正图形组包括若干沿第一方向排列的本征修正图形单元，本征修正图形单元包括沿第一方向排列的第一修正图形和第二修正图形。

可选的，所述第一辅助图形在第一方向上的宽度为第二图形在第一方向上的宽度的101％～293％；且所述第一辅助图形在第一方向上的宽度为第一图形在第一方向上的宽度的34％～99％。

可选的，第一图形在第一方向上的宽度为70纳米～95纳米；第二图形在第一方向上的宽度为25纳米～40纳米；所述第一辅助图形在第一方向上的宽度为26纳米～94纳米。

可选的，对于相邻的第一辅助图形和第一图形，第一辅助图形的中心至第一图形的中心的距离，等于相邻第一图形中心至第二图形中心的距离。

可选的，对本征图形组和第一辅助图形进行OPC修正的方法包括：提供OPC修正模型；根据OPC修正模型对本征图形组和第一辅助图形进行修正，得到本征中间修正图形组和第一辅助中间修正图形；获取本征中间修正图形组和本征图形组之间的第一边缘放置误差、以及第一辅助中间修正图形和第一辅助图形之间的第二边缘修正误差；若第一边缘放置误差大于阈值，或第二边缘修正误差大于阈值，则根据OPC修正模型对本征中间修正图形组和第一辅助中间修正图形进行修正，直至第一边缘放置误差和第二边缘修正误差均小于阈值；当第一边缘放置误差和第二边缘修正误差均小于阈值时，将本征中间修正图形组作为本征修正图形组，将第一辅助中间修正图形作为第一辅助修正图形。

可选的，所述OPC修正模型的获取方法包括：提供测试掩膜版，所述测试掩膜版中具有若干测试图形；对测试图形进行曝光，得到实际曝光图形；对实际曝光图形的尺寸进行测量，获得第一测试数据；对测试图形进行模拟曝光，得到测试模拟曝光图形；对测试模拟曝光图形的尺寸进行测量，获得第二测试数据；将第一测试数据和第二测试数据进行比较和拟合计算，得到OPC修正模型。

可选的，所述第一图形和第二图形均为长条状结构；第一图形具有相对的两条第一边和相对的两条第二边，第二边分别和相对的第一边连接，第一边的尺寸大于第二边的尺寸；第一图形在第一方向上的宽度等于第二边的尺寸；第二图形具有相对的两条第三边和相对的两条第四边，第四边分别和相对的第三边连接，第三边的尺寸大于第四边的尺寸，第二边的尺寸大于第四边的尺寸；第二图形在第一方向上的宽度等于第四边的尺寸。

可选的，所述第一辅助图形为长条状结构；所述第一辅助图形具有相对的两条第五边和两条第六边，第六边分别和相对的第五边连接，第五边的尺寸大于第六边的尺寸，第六边的尺寸大于第四边的尺寸且小于第二边的尺寸；所述第一辅助图形在第一方向上的宽度等于第六边的尺寸。

可选的，还包括：在对本征图形组和第一辅助图形进行OPC修正之前，在本征图形组沿第一方向的另一侧形成第二辅助图形，第二辅助图形和本征图形组相互分立且和第二图形相邻，所述第二辅助图形的宽度和第二图形的宽度之差为-5nm～5nm；在对本征图形组和第一辅助图形进行OPC修正的同时对第二辅助图形进行OPC修正，还得到第二辅助修正图形。

可选的，所述第二辅助图形的宽度等于第二图形的宽度，或者，所述第二辅助图形的宽度小于第二图形的宽度，或者，所述第二辅助图形的宽度大于第二图形的宽度。

可选的，对于相邻的第二辅助图形和第二图形，第二辅助图形的中心至第二图形的中心的距离，等于相邻第一图形中心至第二图形中心的距离。

本发明还提供一种掩膜版的制作方法，包括：根据上述光学邻近修正方法后得到的本征修正图形组和第一辅助修正图形制作掩膜版，所述掩膜版中具有对应本征修正图形组和第一辅助修正图形的图形结构。

本发明还提供一种图形化工艺，包括：提供待刻蚀材料层；在待刻蚀材料层上形成光刻胶层；采用上述掩膜版的制作方法所得到的掩膜版对光刻胶层进行曝光，在光刻胶层中形成对应本征修正图形组的第一光刻图形和对应第一辅助修正图形的第二光刻图形；在光刻胶层的第二光刻图形之间形成第一补偿光刻胶层。

可选的，还包括：以第一补偿光刻胶层和光刻胶层中的第一光刻图形为掩膜刻蚀待刻蚀材料层。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

本发明技术方案提供的光学邻近修正方法中，在本征图形组沿第一方向的一侧形成第一辅助图形，所述第一辅助图形在第一方向上的宽度大于第二图形在第一方向上的宽度且小于第一图形在第一方向上的宽度。在对本征图形组和第一辅助图形进行OPC修正的过程中，所述第一辅助图形能够改善邻近本征图形组的曝光条件。具体的，在对本征图形组和第一辅助图形进行OPC修正的过程中，第一辅助图形的尺寸作为本征图形组的边界条件，因此避免靠近第一辅助修正图形的第二修正图形的尺寸过小，避免靠近第一辅助修正图形的第二修正图形的尺寸超出建立OPC修正模型时使用的测试图形的下限尺寸。因此提高了第二修正图形的分辨率。

本发明技术方案提供的掩膜版的制作方法中，根据上述光学邻近修正方法后得到的本征修正图形组和第一辅助修正图形制作掩膜版，所述掩膜版中具有对应本征修正图形组和第一辅助修正图形的图形结构，避免掩膜版中对应第二修正图形的图形尺寸超出建立OPC修正模型时使用的测试图形的下限尺寸。因此提高了掩膜版中对应第二修正图形的图形结构的分辨率。

本发明技术方案提供的图形化工艺中，以上述方法所得到的掩膜版对光刻胶层进行曝光，在光刻胶层中形成对应本征修正图形组的第一光刻图形。这样能够降低第二图形和第一光刻图形中对应的图形之间的差别，避免第一光刻图形中出现较多的坏点(weakpoint)，满足工艺的要求。

附图说明

图1是一种光学邻近修正的目标图形；

图2是本发明一实施例中光学邻近修正的流程图；

图3至图5是本发明一实施例中光学邻近修正过程的示意图。

具体实施方式

正如背景技术所述，现有技术光学邻近修正得到的图形的分辨率较低。

一种光学邻近修正方法，包括：提供若图1所示的目标图形，目标图形包括第一图形100和第二图形110，第一图形100和第二图形沿第一方向交错排列，第一图形100和第二图形110为长条状，第一图形100和第二图形110的宽度方向与第一方向平行，第一图形100具有第一宽度H1，第二图形具有第二宽度H2，第一宽度H1大于第二宽度H2；对目标图形进行OPC修正，获得修正图形，所述修正图形包括对应第一图形100的第一修正图形和对应第二图形110的第二修正图形。

为了方便说明，将目标图形位于边缘的第一图形100称为边缘宽图形。边缘宽图形经过上述OPC修正后成为边缘宽修正图形。

由于第一宽度H1大于第二宽度H2，因此在经过OPC修正后获得的修正图形中，靠近边缘宽修正图形的第二修正图形的宽度很小，靠近边缘宽修正图形的第二修正图形的宽度超出建立OPC修正模型时使用的测试图形的下限尺寸，导致靠近边缘宽修正图形的第二修正图形的分辨率较差。具体的，将第二修正图形输入掩膜后，采用掩膜版进行曝光，当曝光的条件发生微小的变化时，就会导致由第二修正图形获得第二曝光图形存在较多的weak点，这样第二曝光图形和第二图形110形状的差别较大。使得第二曝光图形的尺寸不能满足工艺设计的要求。

在此基础上，本发明提供一种光学邻近修正方法，参考图2，包括：

S01:提供本征图形组，所述本征图形组包括若干沿着第一方向排列的本征图形单元，本征图形单元包括沿第一方向排列的第一图形和第二图形，第一图形和第二图形的延伸方向垂直于第一方向，第一图形在第一方向上的宽度大于第二图形在第一方向上的宽度；

S02:在本征图形组沿第一方向的一侧形成第一辅助图形，第一辅助图形和本征图形组相互分立且和第一图形相邻，所述第一辅助图形在第一方向上的宽度大于第二图形在第一方向上的宽度且小于第一图形在第一方向上的宽度；

S03:对本征图形组和第一辅助图形进行OPC修正，得到本征修正图形组和第一辅助修正图形，所述本征修正图形组包括若干沿第一方向排列的本征修正图形单元，本征修正图形单元包括沿第一方向排列的第一修正图形和第二修正图形。

上述光学邻近修正方法中，在对本征图形组和第一辅助图形进行OPC修正的过程中，所述第一辅助图形能够改善邻近本征图形组的曝光条件，因此避免靠近第一辅助修正图形的第二修正图形的尺寸过小，避免靠近第一辅助修正图形的第二修正图形的尺寸超出建立OPC修正模型时使用的测试图形的下限尺寸，提高了第二修正图形的分辨率。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

图3至图5是本发明一实施例中光学邻近修正过程的示意图。

参考图3，提供本征图形组，所述本征图形组包括若干沿着第一方向X排列的本征图形单元200，本征图形单元200包括沿第一方向X排列的第一图形201和第二图形202，第一图形201和第二图形202的延伸方向垂直于第一方向X，第一图形201在第一方向X上的宽度大于第二图形202在第一方向X上的宽度。

所述本征图形组为光刻胶层上设计需要的图形；所述光刻胶层用于刻蚀待层，在待刻蚀层中形成刻蚀图形。

本实施例中，所述第一图形201和第二图形202均为长条状结构。

第一图形201具有相对的两条第一边和相对的两条第二边，第二边分别和相对的第一边连接，第一边的尺寸大于第二边的尺寸。

第一图形201的延伸方向平行于第一边。第一图形201在第一方向X上的宽度等于第二边的尺寸。

第二图形202具有相对的两条第三边和相对的两条第四边，第四边分别和相对的第三边连接，第三边的尺寸大于第四边的尺寸，第二边的尺寸大于第四边的尺寸。

第二图形202的延伸方向平行于第三边，第二图形202在第一方向X上的宽度等于第四边的尺寸。

在一个实施例中，第一图形201在第一方向X上的宽度为70纳米～95纳米；第二图形202在第一方向X上的宽度为25纳米～40纳米。

参考图4，在本征图形组沿第一方向X的一侧形成第一辅助图形210，第一辅助图形210和本征图形组相互分立且和第一图形201相邻，所述第一辅助图形210在第一方向X上的宽度大于第二图形202在第一方向X上的宽度且小于第一图形201在第一方向X上的宽度。

本实施例中，所述第一辅助图形210为长条状结构。

所述第一辅助图形210具有相对的两条第五边和两条第六边，第六边分别和相对的第五边连接，第五边的尺寸大于第六边的尺寸，第六边的尺寸大于第四边的尺寸且小于第二边的尺寸。

所述第五边的尺寸等于第一边的尺寸和第三边的尺寸。

所述第一辅助图形210在第一方向X上的宽度等于第六边的尺寸。

所述第一辅助图形210在第一方向X上的宽度为第二图形202在第一方向X上的宽度的101％～293％，且所述第一辅助图形210在第一方向X上的宽度为第一图形201在第一方向X上的宽度的34％～99％。好处包括：最大限度的优化了邻近本征图形组的曝光条件，进一步提高了第二修正图形的分辨率。

在一个实施例中，第一图形201在第一方向X上的宽度为70纳米～95纳米；第二图形202在第一方向X上的宽度为25纳米～40纳米，所述第一辅助图形210在第一方向X上的宽度为26纳米～94纳米。

对于相邻的第一辅助图形210和第一图形201，第一辅助图形210的中心至第一图形201的中心的距离，等于相邻第一图形201中心至第二图形202中心的距离。

本实施例中，还包括：在本征图形组沿第一方向X的另一侧形成第二辅助图形211，第二辅助图形211和本征图形组相互分立且和第二图形202相邻，所述第二辅助图形211的宽度和第二图形202的宽度之差为-5nm～5nm。

所述第二辅助图形211具有相对的两条第七边和相对的两条第八边，第八边分别和相对的第七边连接，第七边的尺寸大于第八边的尺寸。

第二辅助图形211在第一方向X上的宽度等于第八边的尺寸。第七边的尺寸等于第一边的尺寸和第三边的尺寸。

所述第二辅助图形211的宽度和第二图形202的宽度之差为-5nm～5nm。选择此范围的意义在于：第二辅助图形211的宽度过小或过大，均不能起到改善与第二辅助图形211相邻的第二图形202曝光条件的作用。

所述第二辅助图形211的宽度等于第二图形202的宽度，或者，所述第二辅助图形的宽度小于第二图形的宽度，或者，所述第二辅助图形的宽度大于第二图形的宽度。

本实施例中，所述第二辅助图形211的宽度等于第二图形202的宽度。

对于相邻的第二辅助图形211和第二图形202，第二辅助图形211的中心至第二图形202的中心的距离，等于相邻第一图形201中心至第二图形202中心的距离。

在其它实施例中，形成第一辅助图形，而不形成第二辅助图形。

参考图5，对本征图形组和第一辅助图形210(参考图4)进行OPC修正，得到本征修正图形组和第一辅助修正图形230，所述本征修正图形组包括若干沿第一方向X排列的本征修正图形单元220，本征修正图形单元220包括沿第一方向X排列的第一修正图形221和第二修正图形221。

具体的，本征图形组经过所述OPC修正得到本征修正图形组，第一辅助图形210经过所述OPC修正得到第一辅助修正图形230。

本实施例中，还包括：在对本征图形组和第一辅助图形210进行OPC修正的同时对第二辅助图形211进行OPC修正，还得到第二辅助修正图形231。

对本征图形组和第一辅助图形210进行OPC修正的方法包括：提供OPC修正模型；根据OPC修正模型对本征图形组和第一辅助图形210进行修正，得到本征中间修正图形组和第一辅助中间修正图形；获取本征中间修正图形组和本征图形组之间的第一边缘放置误差、以及第一辅助中间修正图形和第一辅助图形之间的第二边缘修正误差；若第一边缘放置误差大于阈值，或第二边缘修正误差大于阈值，则根据OPC修正模型对本征中间修正图形组和第一辅助中间修正图形进行修正，直至第一边缘放置误差和第二边缘修正误差均小于阈值；当第一边缘放置误差和第二边缘修正误差均小于阈值时，将本征中间修正图形组作为本征修正图形组，将第一辅助中间修正图形作为第一辅助修正图形230。

本实施例中，还包括：根据OPC修正模型对本征图形组和第一辅助图形210进行修正的同时，根据OPC修正模型对第二辅助图形211进行修正，得到第二辅助中间修正图形；获取第二辅助中间修正图形和第二辅助图形之间的第三边放置误差；若第一边缘放置误差大于阈值，或第二边缘修正误差大于阈值，或第三边放置误差大于阈值，则根据OPC修正模型对本征中间修正图形组、第一辅助中间修正图形和第二辅助中间修正图形进行修正，直至第一边缘放置误差、第二边缘修正误差和第三边放置误差均小于阈值；当第一边缘放置误差、第二边缘修正误差和第三边放置误差均小于阈值时，将本征中间修正图形组作为本征修正图形组，将第一辅助中间修正图形作为第一辅助修正图形230，将第二辅助中间修正图形作为第二辅助修正图形231。

所述OPC修正模型的获取方法包括：提供测试掩膜版，所述测试掩膜版中具有若干测试图形；对测试图形进行曝光，得到实际曝光图形；对实际曝光图形的尺寸进行测量，获得第一测试数据；对测试图形进行模拟曝光，得到测试模拟曝光图形；对测试模拟曝光图形的尺寸进行测量，获得第二测试数据；将第一测试数据和第二测试数据进行比较和拟合计算，得到OPC修正模型。

本实施例中，在本征图形组沿第一方向的一侧形成第一辅助图形，所述第一辅助图形在第一方向上的宽度大于第二图形在第一方向上的宽度且小于第一图形在第一方向上的宽度。在对本征图形组和第一辅助图形进行OPC修正的过程中，所述第一辅助图形能够改善邻近本征图形组的曝光条件。具体的，在对本征图形组和第一辅助图形进行OPC修正的过程中，第一辅助图形的尺寸作为本征图形组的边界条件，因此避免靠近第一辅助修正图形的第二修正图形的尺寸过小，避免靠近第一辅助修正图形的第二修正图形的尺寸超出建立OPC修正模型时使用的测试图形的下限尺寸。因此提高了第二修正图形的分辨率。

相应的，本实施例还提供一种掩膜版的制作方法，包括：根据上述光学邻近修正方法后得到的本征修正图形组、第一辅助修正图形230和第二辅助修正图形231制作掩膜版，所述掩膜版中具有对应本征修正图形组、第一辅助修正图形230和第二辅助修正图形231的图形结构。本实施例提供的掩膜版的制作方法中，所述掩膜版中具有对应本征修正图形组、第一辅助修正图形和第二辅助修正图形的图形结构，避免掩膜版中第二修正图形的尺寸超出建立OPC修正模型时使用的测试图形的下限尺寸。因此提高了掩膜版中第二修正图形的分辨率。

相应的，本实施例还提供一种图形化工艺，包括：提供待刻蚀材料层；在待刻蚀材料层上形成光刻胶层；采用上述方法所得到的掩膜版对光刻胶层进行曝光，在光刻胶层中形成对应本征修正图形组的第一光刻图形、对应第一辅助修正图形的第二光刻图形、以及对应第二辅助修正图形的第三光刻图形；在光刻胶层的第二光刻图形之间形成第一补偿光刻胶层；在光刻胶层的第三光刻图形之间形成第二补偿光刻胶。

所述图形化工艺还包括：以第一补偿光刻胶层、第二补偿光刻胶层和光刻胶层中的第一光刻图形为掩膜刻蚀待刻蚀材料层。

本实施例提供的图形化工艺中，以上述方法所得到的掩膜版对光刻胶层进行曝光，在光刻胶层中形成对应本征修正图形组的第一光刻图形。这样能够降低第二图形和第一光刻图形中对应的图形之间的差别，避免第一光刻图形中出现较多的坏点(weakpoint)，满足工艺的要求。

相应的，当形成第一辅助图形，而不形成第二辅助图形时，本实施例还提供一种掩膜版的制作方法，包括：根据上述光学邻近修正方法后得到的本征修正图形组和第一辅助修正图形制作掩膜版，所述掩膜版中具有对应本征修正图形组和第一辅助修正图形的图形结构。

相应的，当形成第一辅助图形，而不形成第二辅助图形时，本实施例还提供一种图形化工艺，包括：提供待刻蚀材料层；在待刻蚀材料层上形成光刻胶层；采用上述方法所得到的掩膜版对光刻胶层进行曝光，在光刻胶层中形成对应本征修正图形组的第一光刻图形和对应第一辅助修正图形的第二光刻图形；在光刻胶层的第二光刻图形之间形成第一补偿光刻胶层。

所述图形化工艺还包括：以第一补偿光刻胶层和光刻胶层中的第一光刻图形为掩膜刻蚀待刻蚀材料层。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (14)

1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：

提供本征图形组，所述本征图形组包括若干沿着第一方向排列的本征图形单元，本征图形单元包括沿第一方向排列的第一图形和第二图形，第一图形和第二图形的延伸方向垂直于第一方向，第一图形在第一方向上的宽度大于第二图形在第一方向上的宽度；

在本征图形组沿第一方向的一侧形成第一辅助图形，第一辅助图形和本征图形组相互分立且和边缘的第一图形相邻，所述第一辅助图形在第一方向上的宽度大于第二图形在第一方向上的宽度且小于第一图形在第一方向上的宽度；

对本征图形组和第一辅助图形进行OPC修正，得到本征修正图形组和第一辅助修正图形，所述本征修正图形组包括若干沿第一方向排列的本征修正图形单元，本征修正图形单元包括沿第一方向排列的第一修正图形和第二修正图形。

2.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第一辅助图形在第一方向上的宽度为第二图形在第一方向上的宽度的101％～293％；且所述第一辅助图形在第一方向上的宽度为第一图形在第一方向上的宽度的34％～99％。

3.根据权利要求2所述的光学邻近修正方法，其特征在于，第一图形在第一方向上的宽度为70纳米～95纳米；第二图形在第一方向上的宽度为25纳米～40纳米；所述第一辅助图形在第一方向上的宽度为26纳米～94纳米。

4.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，对于相邻的第一辅助图形和第一图形，第一辅助图形的中心至第一图形的中心的距离，等于相邻第一图形中心至第二图形中心的距离。

5.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，对本征图形组和第一辅助图形进行OPC修正的方法包括：提供OPC修正模型；根据OPC修正模型对本征图形组和第一辅助图形进行修正，得到本征中间修正图形组和第一辅助中间修正图形；获取本征中间修正图形组和本征图形组之间的第一边缘放置误差、以及第一辅助中间修正图形和第一辅助图形之间的第二边缘修正误差；若第一边缘放置误差大于阈值，或第二边缘修正误差大于阈值，则根据OPC修正模型对本征中间修正图形组和第一辅助中间修正图形进行修正，直至第一边缘放置误差和第二边缘修正误差均小于阈值；当第一边缘放置误差和第二边缘修正误差均小于阈值时，将本征中间修正图形组作为本征修正图形组，将第一辅助中间修正图形作为第一辅助修正图形。

6.根据权利要求5所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述OPC修正模型的获取方法包括：提供测试掩膜版，所述测试掩膜版中具有若干测试图形；对测试图形进行曝光，得到实际曝光图形；对实际曝光图形的尺寸进行测量，获得第一测试数据；对测试图形进行模拟曝光，得到测试模拟曝光图形；对测试模拟曝光图形的尺寸进行测量，获得第二测试数据；将第一测试数据和第二测试数据进行比较和拟合计算，得到OPC修正模型。

7.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第一图形和第二图形均为长条状结构；

第一图形具有相对的两条第一边和相对的两条第二边，第二边分别和相对的第一边连接，第一边的尺寸大于第二边的尺寸；第一图形在第一方向上的宽度等于第二边的尺寸；第二图形具有相对的两条第三边和相对的两条第四边，第四边分别和相对的第三边连接，第三边的尺寸大于第四边的尺寸，第二边的尺寸大于第四边的尺寸；第二图形在第一方向上的宽度等于第四边的尺寸。

8.根据权利要求7所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第一辅助图形为长条状结构；所述第一辅助图形具有相对的两条第五边和两条第六边，第六边分别和相对的第五边连接，第五边的尺寸大于第六边的尺寸，第六边的尺寸大于第四边的尺寸且小于第二边的尺寸；所述第一辅助图形在第一方向上的宽度等于第六边的尺寸。

9.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，还包括：在对本征图形组和第一辅助图形进行OPC修正之前，在本征图形组沿第一方向的另一侧形成第二辅助图形，第二辅助图形和本征图形组相互分立且和第二图形相邻，所述第二辅助图形的宽度和第二图形的宽度之差为-5nm～5nm；在对本征图形组和第一辅助图形进行OPC修正的同时对第二辅助图形进行OPC修正，还得到第二辅助修正图形。

10.根据权利要求9所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第二辅助图形的宽度等于第二图形的宽度，或者，所述第二辅助图形的宽度小于第二图形的宽度，或者，所述第二辅助图形的宽度大于第二图形的宽度。

11.根据权利要求9所述的光学邻近修正方法，其特征在于，对于相邻的第二辅助图形和第二图形，第二辅助图形的中心至第二图形的中心的距离，等于相邻第一图形中心至第二图形中心的距离。

12.一种掩膜版的制作方法，其特征在于，包括：根据权利要求1至11任意一项光学邻近修正方法后得到的本征修正图形组和第一辅助修正图形制作掩膜版，所述掩膜版中具有对应本征修正图形组和第一辅助修正图形的图形结构。

13.一种图形化工艺，其特征在于，包括：提供待刻蚀材料层；在待刻蚀材料层上形成光刻胶层；采用权利要求12方法所得到的掩膜版对光刻胶层进行曝光，在光刻胶层中形成对应本征修正图形组的第一光刻图形和对应第一辅助修正图形的第二光刻图形；在光刻胶层的第二光刻图形之间形成第一补偿光刻胶层。

14.根据权利要求13所述的图形化工艺，其特征在于，还包括：以第一补偿光刻胶层和光刻胶层中的第一光刻图形为掩膜刻蚀待刻蚀材料层。

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