CN113835293B - 光学邻近修正方法和掩膜版的制作方法 - Google Patents
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- G03F7/70441—Optical proximity correction [OPC]
Abstract
一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法，其中光学邻近修正方法包括：提供目标图形；根据若干经验规则，分别对所述目标图形进行模拟修正，获取与各经验规则对应的模拟修正图形；根据若干模拟修正图形，获取参考经验规则；根据所述参考经验规则，对所述目标图形进行所述第一修正处理，获取第一目标修正图形；对所述第一目标修正图形进行第二修正处理，获取第二目标修正图形，所述第二目标修正图形的第一边缘放置误差在预设范围之内。所述方法能够有效提升光学邻近修正后的图形效果。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种光学邻近修正方法、掩膜版的制作方法及光学邻近修正方法。
背景技术
光刻技术是半导体制作技术中至关重要的一项技术，光刻技术能够实现将图形从掩膜版中转移到硅片表面，形成符合设计要求的半导体产品。光刻工艺包括：曝光步骤、曝光步骤之后进行的显影步骤和显影步骤之后的刻蚀步骤。在曝光步骤中，光线通过掩膜版中透光的区域照射至涂覆有光刻胶的硅片上，光刻胶在光线的照射下发生化学反应；在显影步骤中，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度的不同，形成光刻图案，实现掩膜版图案转移到光刻胶上；在刻蚀步骤中，基于光刻胶层所形成的光刻图案对硅片进行刻蚀，将掩膜版的图案进一步转移至硅片上。
在半导体制造中，随着设计尺寸的不断缩小，设计尺寸越来越接近光刻成像系统的极限，光的衍射效应变得越来越明显，导致最终对设计图形产生光学影像退化，实际形成的光刻图案相对于掩膜版上的图案发生严重畸变，最终在硅片上经过光刻形成的实际图形和设计图形不同，这种现象称为光学邻近效应(OPE：Optical Proximity Effect)。
为了修正光学邻近效应，便产生了光学邻近校正(OPC：Optical ProximityCorrection)。光学邻近校正的核心思想就是基于抵消光学邻近效应的考虑建立光学邻近校正模型，根据光学邻近校正模型设计光掩模图形，这样虽然光刻后的光刻图形相对应光掩模图形发生了光学邻近效应，但是由于在根据光学邻近校正模型设计光掩模图形时已经考虑了对该现象的抵消，因此，光刻后的光刻图形接近于用户实际希望得到的目标图形。
然而，现有技术中经过光学邻近校正后的图形效果仍有待提升。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供一种光学邻近修正方法和掩膜版的制作方法，以提升光学邻近修正后的图形效果。
为解决上述技术问题，本发明技术方案提供一种光学邻近修正的方法，包括：提供目标图形；根据若干经验规则，分别对所述目标图形进行模拟修正，获取与各经验规则对应的模拟修正图形；根据若干模拟修正图形，获取参考经验规则；根据所述参考经验规则，对所述目标图形进行第一修正处理，获取第一目标修正图形；对所述第一目标修正图形进行第二修正处理，获取第二目标修正图形，所述第二目标修正图形的第一边缘放置误差在预设范围之内。
可选的，根据若干经验规则，分别对所述目标图形进行模拟修正，获取与各经验规则对应的模拟修正图形的方法包括：根据经验规则，分别对所述目标图形的边缘进行偏移处理，获取与各经验规则对应的模拟偏移图形；分别对各模拟偏移图形进行模拟曝光，获取与各经验规则对应的模拟修正图形。
可选的，所述偏移处理的偏移量X包括：奈奎斯特值/3、奈奎斯特值/6或者奈奎斯特值/12。
可选的，根据若干模拟修正图形，获取参考经验规则的方法包括：获取各模拟修正图形的第二边缘放置误差；获取若干第二边缘放置误差中的最小值；将所述最小值对应的模拟修正图形作为参考图形；将所述参考图形对应的经验规则作为参考经验规则。
可选的，所述第二修正处理的方法包括：根据若干模拟修正图形，获取第二修正模型；根据所述第二修正模型，对所述第一目标修正图形进行多次光学邻近修正迭代。
可选的，根据若干模拟修正图形，获取第二修正模型的方法包括：根据各经验规则进行的N次偏移，获取N个偏移量X、以及与各经验规则对应的N个模拟修正图形的位置信息C(X)；根据N个偏移量X和N个位置信息C(X)，获取修正系数dc/dx；根据修正系数dc/dx，得到第二修正模型为：
Xi表示第二修正处理中的第i次光学邻近修正的偏移量，Ci-1-T表示第二修正处理中进行的第i-1次光学邻近修正的第三边缘放置误差，T表示目标图形的位置信息。
可选的，根据N个偏移量X和N个位置信息C(X)，获取所述修正系数dc/dx，
C0表示偏移量为0时的模拟修正图形的位置信息，C3表示根据经验规则，偏移量X为奈奎斯特值/3的模拟修正图形的位置信息，C6表示根据经验规则，偏移量X为奈奎斯特值/6的模拟修正图形的位置信息，C12表示根据经验规则，偏移量X为奈奎斯特值/12的模拟修正图形的位置信息。
可选的，根据所述第二修正模型，对所述第一目标修正图形进行多次光学邻近修正迭代的方法包括：获取目标修正图形；获取目标修正图形的第三边缘放置误差；根据第二修正模型和第三边缘放置误差，对所述目标修正图形进行一次光学邻近修正，获取光学邻近修正图形；获取光学邻近修正图形的第一边缘放置误差；当所述光学邻近修正图形的第一边缘放置误差在预设范围之外时，进行下一次光学邻近修正。
可选的，获取目标修正图形的方法为：进行第一次光学邻近修正时，将第一目标修正图形作为目标修正图形。
可选的，获取目标修正图形的方法为：进行第一次光学邻近修正以后的任一次光学邻近修正时，将前一次光学邻近修正后的光学邻近修正图形作为下一次光学邻近修正的目标修正图形。
可选的，获取目标修正图形的第三边缘放置误差的方法为：进行第一次光学邻近修正时，将第二边缘放置误差最小值作为所述第三边缘放置误差。
可选的，获取目标修正图形的第三边缘放置误差的方法为：进行第一次光学邻近修正以后的任一次光学邻近修正时，将前一次光学邻近修正后的第一边缘放置误差作为下一次光学邻近修正的第三边缘放置误差。
可选的，获取光学邻近修正图形的第一边缘放置误差的方法包括：对光学邻近修正图形进行曝光模拟，获取曝光图形；根据曝光图形和目标图形的差值，获取光学邻近修正图形的第一边缘放置误差。
可选的，获取第二目标修正图形的方法包括：当所述光学邻近修正图形的第一边缘放置误差在预设范围之内时，将所述光学邻近修正图形的第一边缘放置误差对应的光学邻近修正图形作为第二目标修正图形。
相应的，本发明技术方案还提供一种掩膜版的制作方法，包括：提供目标图形；根据若干经验规则，分别对所述目标图形进行模拟修正，获取与各经验规则对应的模拟修正图形；根据若干模拟修正图形，获取参考经验规则；根据所述参考经验规则，对所述目标图形进行所述第一修正处理，获取第一目标修正图形；对所述第一目标修正图形进行第二修正处理，获取第二目标修正图形，所述第二目标修正图形的第一边缘放置误差在预设范围之内；根据所述第二目标修正图形，制作掩膜版。
与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下有益效果：
本发明技术方案提供的光学邻近修正方法中，根据所述参考经验规则，对所述目标图形进行第一修正处理，获取第一目标修正图形，由于所述参考经验规则提高了获得的第一目标修正图形的准确性，即，第一目标修正图形更加接近于最终获得的第二目标修正图形，有效提高了第一修正处理的收敛性，有利于提升修正后的图形效果。同时，所述第一修正处理的质量提高，有利于提高后续第二修正处理的收敛性，从而利于降低后续进行第二修正处理的迭代次数，有助于节省工艺时间。
进一步，根据第二修正模型，对所述第一目标修正图形进行第二修正处理。由于所述第二修正模型是对第一修正处理的反馈结果进行分析获得的修正模型，所述第二修正模型的准确性较高，从而提高了每次光学邻近修正的质量，使得每次光学邻近修正的收敛性较高，从而减少当第一边缘放置误差在预设范围之内时所需进行的光学邻近修正的迭代次数，节省了工艺时间，缩短了工艺周期。
附图说明
图1至图2是一种光学邻近修正方法各步骤的结构示意图；
图3是本发明一实施例中的光学邻近修正方法的流程示意图；
图4至图6是本发明一实施例中光学邻近修正方法各步骤的结构示意图。
具体实施方式
首先，对现有半导体结构的性能较差的原因结合附图进行详细说明，图1是一种光学邻近修正方法各步骤的结构示意图。
请参考图1，提供目标图形100；根据经验规则，对所述目标图形进行第一修正处理，获取第一目标修正图形110；对所述第一目标修正图形110进行若干次光学邻近修正，获得第二目标修正图形120。
请参考图2，对所述第二目标修正图形120进行模拟曝光，获取所述第二目标修正图形120的曝光图形130。
上述方法中，根据所述经验规则，对所述目标图形100进行第一修正处理，通过所述经验规则获得奈奎斯特值Nyquist，
由于奈奎斯特值Nyquist为经典理论值，具有较好的适应性和准确性，有利于提高光学邻近修正的图形效果。
然而，对于某些目标图形，所述第一修正处理的收敛性仍较差，经过后续进行多次光学邻近修正，获得的第二目标修正图形120的边缘放置误差仍较大，使得光学邻近修正的图形效果仍较差。
为了解决所述技术问题，本发明实施例提供一种光学邻近修正方法，包括：根据若干经验规则，分别对所述目标图形进行模拟修正，获取与各经验规则对应的模拟修正图形；根据若干模拟修正图形，获取参考经验规则；根据所述参考经验规则，对所述目标图形进行所述第一修正处理，获取第一目标修正图形；对所述第一目标修正图形进行第二修正处理，获取第二目标修正图形，所述第二目标修正图形的第一边缘放置误差在预设范围之内。所述第一修正模型能够提高第一修正处理的质量，有效提高了第一修正处理的收敛性，有利于提升修正后的图形效果，同时，利于降低后续进行第二修正处理的迭代次数，有助于节省工艺时间。所述方法能够有效提升光学邻近修正后的图形效果。
为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
请参考图3，图3是本发明一实施例中的光学邻近修正方法的流程示意图，包括：
步骤S01，提供目标图形；
步骤S02，根据若干经验规则，分别对所述目标图形进行模拟修正，获取与各经验规则对应的模拟修正图形；
步骤S03，根据若干模拟修正图形，获取参考经验规则；
步骤S04，根据所述参考经验规则，对所述目标图形进行所述第一修正处理，获取第一目标修正图形；
步骤S05，对所述第一目标修正图形进行第二修正处理，获取第二目标修正图形，所述第二目标修正图形的第一边缘放置误差在预设范围之内。
根据所述参考经验规则，对所述目标图形进行所述第一修正处理，获取第一目标修正图形的过程中，由于所述参考经验规则提高了获得的第一目标修正图形的准确性，即，第一目标修正图形更加接近于最终获得的第二目标修正图形，有效提高了第一修正处理的收敛性，有利于提升修正后的图形效果。同时，所述第一修正处理的质量提高，有利于提高后续第二修正处理的收敛性，从而利于降低后续进行第二修正处理的迭代次数，有助于节省工艺时间。
以下结合附图对所述光学邻近修正方法的各步骤进行详细说明。
图4至图6是本发明一实施例中光学邻近修正方法各步骤的结构示意图。
请参考图4，提供目标图形200。
所述目标图形200用于在后续光学邻近修正中获得曝光图形和调整，以获得光学邻近效应对图形的影响，并通过修改所述目标图形200进行光学邻近修正。
所述目标图形200是为光刻胶层设计的图形。
接着，根据若干经验规则，分别对所述目标图形200进行模拟修正，获取与各经验规则对应的模拟修正图形，具体获取模拟修正图形的过程请参考图4。
请参考图4，根据若干经验规则，分别对所述目标图形200的边缘进行偏移处理，获取与各经验规则对应的模拟偏移图形。
在本实施例中，所述偏移处理的偏移量X包括：奈奎斯特值/3、奈奎斯特值/6或者奈奎斯特值/12。
具体的，偏移量为奈奎斯特值/3时，对应的模拟偏移图形为第一模拟偏移图形211；偏移量为奈奎斯特值/6，对应的模拟偏移图形为第二模拟偏移图形212；偏移量为奈奎斯特值/12，对应的模拟偏移图形为第三模拟偏移图形213。
在其他实施例中，还可以根据经验规则获得的更多偏移量，分别对目标图形进行偏移处理。
所述奈奎斯特值Nyquist的计算公式为，
得到若干模拟偏移图形之后，分别对各模拟偏移图形进行模拟曝光，获取与各经验规则对应的模拟修正图形。
在本实施例中，根据经验规则，对所述目标图形200的边缘进行了三次偏移处理，因此，获取了三个与各经验规则对应的模拟修正图形。
根据若干模拟修正图形，获取参考经验规则的方法包括：获取各模拟修正图形的第二边缘放置误差；获取若干第二边缘放置误差中的最小值；将所述最小值对应的模拟修正图形作为参考图形；将所述参考图形对应的经验规则作为参考经验规则。
各模拟修正图形的第二边缘放置误差指的是，各模拟修正图形和目标图形200的边缘位置的差值。
在本实施例中，获取到第二边缘放置误差最小值对应的模拟修正图形，是对目标图形200进行的偏移量为奈奎斯特值/12所获得的模拟偏移图形213，从而将偏移量为奈奎斯特值/12作为参考经验规则。
请参考图5，根据所述参考经验规则，对所述目标图形200进行所述第一修正处理，获取第一目标修正图形220。
在本实施例中，根据参考经验规则，对所述目标图形进行的第一修正处理的偏移量为奈奎斯特值/12。
由于所述参考经验规则提高了获得的第一目标修正图形220的准确性，即，第一目标修正图形220更加接近于最终获得的第二目标修正图形，有效提高了第一修正处理的收敛性，有利于提升修正后的图形效果。
获取第一目标修正图形220之后，对所述第一目标修正图形220进行第二修正处理，获取第二目标修正图形，所述第二目标修正图形的第一边缘放置误差在预设范围之内。
所述第二修正处理的方法包括：根据若干模拟修正图形，获取第二修正模型；根据所述第二修正模型，对所述第一目标修正图形220进行多次光学邻近修正迭代。
根据若干模拟修正图形，获取第二修正模型的方法包括：根据各经验规则进行的N次偏移，获取N个偏移量X和与各经验规则对应的N个模拟修正图形的位置信息C(X)；根据N个偏移量X和N个位置信息C(X)，获取修正系数dc/dx；根据修正系数dc/dx，得到第二修正模型为，
Xi表示第二修正处理中的第i次光学邻近修正的偏移量，Ci-1-T表示第二修正处理中进行的第i-1次光学邻近修正的第三边缘放置误差，T表示目标图形200的位置信息。
根据N个偏移量X和N个位置信息C(X)，获取所述修正系数dc/dx，
在本实施例中，进行了三次模拟修正，且三次的偏移量包括：奈奎斯特值/3(即：Nyquist/3)，奈奎斯特值/6(即：Nyquist/6)，奈奎斯特值/12(即：Nyquist/12)。其中，C0表示偏移量为0时的模拟修正图形的位置信息，C3表示根据经验规则，偏移量X为奈奎斯特值/3的模拟修正图形的位置信息，C6表示根据经验规则，偏移量X为奈奎斯特值/6的模拟修正图形的位置信息，C12表示根据经验规则，偏移量X为奈奎斯特值/12的模拟修正图形的位置信息。
在其他实施例中，还可以进行四次以上的模拟修正，根据获得的若干所述模拟修正图形，获得第二修正模型。
请参考图6，根据所述第二修正模型，对所述第一目标修正图形220进行多次光学邻近修正迭代，获取第二目标修正图形230，所述第二目标修正图形230的第一边缘放置误差在预设范围之内。
根据所述第二修正模型，对所述第一目标修正图形220进行多次光学邻近修正迭代的方法包括：获取目标修正图形；获取目标修正图形的第三边缘放置误差；根据第二修正模型和第三边缘放置误差，对所述目标修正图形进行一次光学邻近修正，获取光学邻近修正图形；获取光学邻近修正图形的第一边缘放置误差；当所述光学邻近修正图形的第一边缘放置误差在预设范围之外时，进行下一次光学邻近修正。
具体的，获取第二目标修正图形230的方法包括：当光学邻近修正图形的所述第一边缘放置误差在预设范围之内时，将所述第一边缘放置误差对应的光学邻近修正图形作为第二目标修正图形。
在本实施例中，根据第二修正模型，进行了10次所述光学邻近修正，得到所述第二目标修正图形230，且所述第二目标修正图形230的第一边缘放置误差满足在预设范围之内。
通过对光学邻近修正图形进行模拟曝光，获得曝光图形。
在本实施例中，所述曝光图形240，是进行第10次光学邻近修正时，对光学邻近修正图形进行模拟曝光而获得的，所述曝光图形240和目标图形200的差值为第一边缘放置误差，且所述第一边缘放置误差在预设范围之内，将所述第一边缘放置误差对应的光学邻近修正图形作为第二目标修正图形230。
根据第二修正模型，对所述第一目标修正图形220进行第二修正处理。由于所述第二修正模型是对第一修正处理的反馈结果进行分析获得的修正模型，所述第二修正模型的准确性较高，从而提高了每次光学邻近修正的质量，使得每次光学邻近修正的收敛性较高，从而减少当第一边缘放置误差在预设范围之内时所需要进行的光学邻近修正的迭代次数，节省了工艺时间，缩短了工艺周期。
具体的，获取目标修正图形的方法为：进行第一次光学邻近修正时，将第一目标修正图形210作为目标修正图形。
具体的，获取目标修正图形的方法为：进行第一次光学邻近修正以后的任一次光学邻近修正时，将前一次光学邻近修正后的光学邻近修正图形作为下一次光学邻近修正的目标修正图形。
具体的，获取目标修正图形的第三边缘放置误差的方法为：进行第一次光学邻近修正时，将第二边缘放置误差最小值作为所述第三边缘放置误差。
具体的，获取目标修正图形的第三边缘放置误差的方法为：进行第一次光学邻近修正以后的任一次光学邻近修正时，将前一次光学邻近修正后的第一边缘放置误差作为下一次光学邻近修正的第三边缘放置误差。
具体的，获取光学邻近修正图形的第一边缘放置误差的方法包括：对光学邻近修正图形进行曝光模拟，获取曝光图形；根据曝光图形和目标图形的差值，获取所述光学邻近修正图形的第一边缘放置误差。
相应的，本发明实施例还提供一种掩膜版的制作方法，其特征在于，包括：提供目标图形；根据若干经验规则，分别对所述目标图形进行模拟修正，获取与各经验规则对应的模拟修正图形；根据若干模拟修正图形，获取参考经验规则；根据所述参考经验规则，对所述目标图形进行所述第一修正处理，获取第一目标修正图形；对所述第一目标修正图形进行第二修正处理，获取第二目标修正图形，所述第二目标修正图形的第一边缘放置误差在预设范围之内；根据所述第二目标修正图形，制作掩膜版。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (10)
1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：
提供目标图形；
根据若干经验规则，分别对所述目标图形进行模拟修正，包括分别对所述目标图形的边缘进行偏移处理，获取与各经验规则对应的模拟偏移图形；分别对各模拟偏移图形进行模拟曝光，获取与各经验规则对应的模拟修正图形；
根据若干模拟修正图形，获取参考经验规则，包括获取各模拟修正图形的第二边缘放置误差；获取若干第二边缘放置误差中的最小值；将所述最小值对应的模拟修正图形作为参考图形；将所述参考图形对应的经验规则作为参考经验规则；
根据所述参考经验规则，对所述目标图形进行第一修正处理，获取第一目标修正图形；
对所述第一目标修正图形进行第二修正处理，包括根据各经验规则进行N次偏移，获取N个偏移量X、以及与各经验规则对应的N个模拟修正图形的位置信息C(X)；根据N个偏移量X和N个位置信息C(X)，获取修正系数dc/dx，
C0表示偏移量为0时的模拟修正图形的位置信息，C3表示根据经验规则，偏移量X为奈奎斯特值/3的模拟修正图形的位置信息，C6表示根据经验规则，偏移量X为奈奎斯特值/6的模拟修正图形的位置信息，C12表示根据经验规则，偏移量X为奈奎斯特值/12的模拟修正图形的位置信息；根据修正系数dc/dx，得到第二修正模型为，
Xi表示第二修正处理中的第i次光学邻近修正的偏移量，Ci-1-T表示第二修正处理中进行的第i-1次光学邻近修正的第三边缘放置误差，T表示目标图形的位置信息；根据所述第二修正模型，对所述第一目标修正图形进行多次光学邻近修正迭代；获取第二目标修正图形，所述第二目标修正图形的第一边缘放置误差在预设范围之内。
2.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述偏移处理的偏移量X包括：奈奎斯特值/3、奈奎斯特值/6或者奈奎斯特值/12。
3.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，根据所述第二修正模型，对所述第一目标修正图形进行多次光学邻近修正迭代的方法包括：获取目标修正图形；获取目标修正图形的第三边缘放置误差；根据第二修正模型和第三边缘放置误差，对所述目标修正图形进行一次光学邻近修正，获取光学邻近修正图形；获取光学邻近修正图形的第一边缘放置误差；当所述光学邻近修正图形的第一边缘放置误差在预设范围之外时，进行下一次光学邻近修正。
4.如权利要求3所述的光学邻近修正方法，其特征在于，获取目标修正图形的方法为：进行第一次光学邻近修正时，将第一目标修正图形作为目标修正图形。
5.如权利要求3所述的光学邻近修正方法，其特征在于，获取目标修正图形的方法为：进行第一次光学邻近修正以后的任一次光学邻近修正时，将前一次光学邻近修正后的光学邻近修正图形作为下一次光学邻近修正的目标修正图形。
6.如权利要求3所述的光学邻近修正方法，其特征在于，获取目标修正图形的第三边缘放置误差的方法为：进行第一次光学邻近修正时，将第二边缘放置误差最小值作为所述第三边缘放置误差。
7.如权利要求3所述的光学邻近修正方法，其特征在于，获取目标修正图形的第三边缘放置误差的方法为：进行第一次光学邻近修正以后的任一次光学邻近修正时，将前一次光学邻近修正后的第一边缘放置误差作为下一次光学邻近修正的第三边缘放置误差。
8.如权利要求3所述的光学邻近修正方法，其特征在于，获取光学邻近修正图形的第一边缘放置误差的方法包括：对光学邻近修正图形进行曝光模拟，获取曝光图形；根据曝光图形和目标图形的差值，获取光学邻近修正图形的第一边缘放置误差。
9.如权利要求3所述的光学邻近修正方法，其特征在于，获取第二目标修正图形的方法包括：当所述光学邻近修正图形的第一边缘放置误差在预设范围之内时，将所述光学邻近修正图形的第一边缘放置误差对应的光学邻近修正图形作为第二目标修正图形。
10.一种掩膜版的制作方法，其特征在于，包括：
提供目标图形；
根据若干经验规则，分别对所述目标图形进行模拟修正，包括分别对所述目标图形的边缘进行偏移处理，获取与各经验规则对应的模拟偏移图形；分别对各模拟偏移图形进行模拟曝光，获取与各经验规则对应的模拟修正图形；
根据若干模拟修正图形，获取参考经验规则，包括获取各模拟修正图形的第二边缘放置误差；获取若干第二边缘放置误差中的最小值；将所述最小值对应的模拟修正图形作为参考图形；将所述参考图形对应的经验规则作为参考经验规则；
根据所述参考经验规则，对所述目标图形进行第一修正处理，获取第一目标修正图形；
对所述第一目标修正图形进行第二修正处理，包括根据各经验规则进行N次偏移，获取N个偏移量X、以及与各经验规则对应的N个模拟修正图形的位置信息C(X)；根据N个偏移量X和N个位置信息C(X)，获取修正系数dc/dx，
C0表示偏移量为0时的模拟修正图形的位置信息，C3表示根据经验规则，偏移量X为奈奎斯特值/3的模拟修正图形的位置信息，C6表示根据经验规则，偏移量X为奈奎斯特值/6的模拟修正图形的位置信息，C12表示根据经验规则，偏移量X为奈奎斯特值/12的模拟修正图形的位置信息；根据修正系数dc/dx，得到第二修正模型为，
Xi表示第二修正处理中的第i次光学邻近修正的偏移量，Ci-1-T表示第二修正处理中进行的第i-1次光学邻近修正的第三边缘放置误差，T表示目标图形的位置信息；根据所述第二修正模型，对所述第一目标修正图形进行多次光学邻近修正迭代；获取第二目标修正图形，所述第二目标修正图形的第一边缘放置误差在预设范围之内；
根据所述第二目标修正图形，制作掩膜版。
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