CN117471842A - 光学邻近修正方法 - Google Patents

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CN117471842A CN202210855440.XA CN202210855440A CN117471842A CN 117471842 A CN117471842 A CN 117471842A CN 202210855440 A CN202210855440 A CN 202210855440A CN 117471842 A CN117471842 A CN 117471842A
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王晨
张戈
王兰芳
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李丹然
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Abstract

一种光学邻近修正方法，获取第一修正版图，第一修正版图中包括第一修正边和第二修正边；对第一修正版图进行第一曝光处理获取第一曝光版图，第一曝光版图包括第一曝光边和第二曝光边；提供目标版图，目标版图第一目标边和第二目标边；获取第一曝光边与第一目标边之间的第一边缘放置误差、第二曝光边与第二目标边之间的第二边缘放置误差，第一边缘放置误差大于预设边缘放置误差范围，第二边缘放置误差位于预设边缘放置误差范围内；采用光学邻近修正平移第一修正边以使得第一边缘放置误差位于预设边缘放置误差范围内，平移第二修正边以保持第一间距尺寸等于掩膜规则尺寸，第二边缘放置误差位于预设边缘放置误差范围内，以提升修正精度。

Description

光学邻近修正方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种光学邻近修正方法。
背景技术
光刻技术是半导体制作技术中至关重要的一项技术，光刻技术能够实现将图形从掩膜版中转移到硅片表面，形成符合设计要求的半导体产品。光刻工艺包括曝光步骤、曝光步骤之后进行的显影步骤和显影步骤之后的刻蚀步骤。在曝光步骤中，光线通过掩膜版中透光的区域照射至涂覆有光刻胶的硅片上，光刻胶在光线的照射下发生化学反应；在显影步骤中，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度的不同，形成光刻图案，实现掩膜版图案转移到光刻胶上；在刻蚀步骤中，基于光刻胶层所形成的光刻图案对硅片进行刻蚀，将掩膜版的图案进一步转移至硅片上。
在半导体制造中，随着设计尺寸的不断缩小，设计尺寸越来越接近光刻成像系统的极限，光的衍射效应变得越来越明显，导致最终对设计图形产生光学影像退化，实际形成的光刻图案相对于掩膜版上的图案发生严重畸变，最终在硅片上经过光刻形成的实际图形和设计图形不同，这种现象称为光学邻近效应(OPE：Optical Proximity Effect)。
为了修正光学邻近效应，便产生了光学邻近修正(OPC：Optical ProximityCorrection)。光学邻近修正的核心思想就是基于抵消光学邻近效应的考虑建立光学邻近修正模型，根据光学邻近修正模型设计光掩模图形，这样虽然光刻后的光刻图形相对应光掩模图形发生了光学邻近效应，但是由于在根据光学邻近修正模型设计光掩模图形时已经考虑了对该现象的抵消，因此，光刻后的光刻图形接近于用户实际希望得到的目标图形。
然而，现有技术的光学邻近修正仍存在诸多问题。
发明内容
本发明解决的技术问题是，提供一种光学邻近修正方法，以提升修正精度。
为解决上述技术问题，本发明的技术方案提供一种光学邻近修正方法，包括：获取第一修正版图，所述第一修正版图中包括第一修正图形和第二修正图形，所述第一修正图形包括第一修正边，所述第二修正图形包括第二修正边，所述第一修正边与所述第二修正边相邻且平行，所述第一修正边与所述第二修正边之间具有第一间距尺寸，且所述第一间距尺寸等于掩膜规则尺寸；对所述第一修正版图进行第一曝光处理获取第一曝光版图，所述第一曝光版图包括第一曝光图形和第二曝光图形，所述第一曝光图形包括与所述第一修正边相对应的第一曝光边，所述第二曝光图形包括与所述第二修正边相对应的第二曝光边；提供目标版图，所述目标版图包括第一目标图形和第二目标图形，所述第一目标图形包围所述第一曝光图形，所述第一目标图形包括与所述第一曝光边相对应的第一目标边，所述第二目标图形包围所述第二曝光图形，所述第二目标图形包括与所述第二曝光边相对应的第二目标边；获取所述第一曝光边与所述第一目标边之间的第一边缘放置误差、以及所述第二曝光边与所述第二目标边之间的第二边缘放置误差；提供预设边缘放置误差范围，所述第一边缘放置误差大于所述预设边缘放置误差范围，所述第二边缘放置误差位于所述预设边缘放置误差范围内；对所述第一修正版图进行若干次光学邻近修正，若干次所述光学邻近修正用于平移所述第一修正边以使得所述第一边缘放置误差位于所述预设边缘放置误差范围内，以及平移所述第二修正边以保持所述第一间距尺寸大于或等于所述掩膜规则尺寸，且使得所述第二边缘放置误差位于所述预设边缘放置误差范围内。
可选的，在获取所述第一边缘放置误差，且所述第一边缘放置误差大于所述预设边缘放置误差范围后，还包括：对所述第一修正边标记。
可选的，在对所述第一修正边进行标记后，还包括：以所述第一修正边为基准，对所述第二修正边进行标记。
可选的，以所述第一修正边为基准，对所述第二修正边进行标记的方法包括：以每个所述第一修正边为基准，获取搜索参数以确定搜索区域；当所述第二修正边与所述搜索区域具有重合部时，将所述第二修正边标记。
可选的，所述搜索参数包括：向内值M_in、向外值M_out、开始值M_start和结束值M_end，其中：所述向内值M_in为朝向靠近所述第一修正图形且与所述第一修正边垂直的方向，所述第一修正边与所述搜索区域边缘的距离；所述向外值M_out为朝向远离所述第一修正图形且与所述第一修正边垂直的方向，所述第一修正边与所述搜索区域边缘的距离；所述开始值M_start为朝向远离所述第一修正图形且与所述第一修正边平行的方向，所述第一修正边中第一端点与所述搜索区域边缘的距离；所述结束值M_end为朝向远离所述第一修正图形且与所述第一修正边平行的方向，所述第一修正边中第二端点与所述搜索区域边缘的距离；其中，所述第一端点和所述第二端点为所述第一修正边相对的两个端点。
可选的，所述向内值M_in等于0；向外值M_out等于所述掩膜规则尺寸加上外扩尺寸；所述开始值M_start等于0；所述结束值M_end等于0。
可选的，所述外扩尺寸为：1nm～3nm。
可选的，每次所述光学邻近修正的方法包括：将所述第一修正边朝向靠近所述第二修正图形的方向平移第一修正尺寸；将所述第二修正边朝向远离所述第一修正图形的方向平移第二修正尺寸。
可选的，所述第一修正尺寸等于所述第二修正尺寸。
可选的，所述第一修正尺寸为0.1nm～0.2nm；所述第二修正尺寸为0.1nm～0.2nm。
可选的，所述第一修正尺寸小于所述第二修正尺寸。
可选的，获取所述第一修正版图的方法包括：提供初始版图，所述初始版图中包括第一图形和第二图形，所述第一图形包括第一边，所述第二图形包括第二边，所述第一边与所述第二边相邻且平行；对所述初始版图进行初始光学邻近修正，获取所述第一修正版图，所述第一修正边与所述第一边相对应、所述第二修正边与所述第二边相对应。
可选的，获取所述第一边缘放置误差的方法包括：获取所述第一曝光边的第一采样点；获取所述第一目标边的第二采样点；获取所述第一采样点与所述第二采样点的第二间距尺寸，以所述第二间距尺寸作为所述第一边缘放置误差。
可选的，获取所述第二边缘放置误差的方法包括：获取所述第二曝光边的第三采样点；获取所述第二目标边的第四采样点；获取所述第三采样点与所述第四采样点的第三间距尺寸，以所述第三间距尺寸作为所述第二边缘放置误差。
与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：
本发明的技术方案提供的光学邻近修正方法中，对所述第一修正版图进行若干次光学邻近修正，若干次所述光学邻近修正用于平移所述第一修正边以使得所述第一边缘放置误差位于所述预设边缘放置误差范围内，以及平移所述第二修正边以保持所述第一间距尺寸大于或等于所述掩膜规则尺寸，且使得所述第二边缘放置误差位于所述预设边缘放置误差范围内。通过若干次所述光学邻近修正既使得所述第一边缘放置误差位于所述预设边缘放置误差范围内，又能够保持所述第一间距尺寸大于或等于所述掩膜规则尺寸，同时所述第二边缘放置误差位于所述预设边缘放置误差范围内，在可容忍范围内牺牲一部分所述第二边缘放置误差，以突破所述掩膜规则尺寸的限制，同时确保所述第一边缘放置误差达到设计需求，进而有效提升修正精度。
附图说明
图1至图3一种光学邻近修正方法的过程结构示意图；
图4是本发明实施例的光学邻近修正方法流程图；
图5至图11是本发明实施例的光学邻近修正方法具体过程各步骤的结构示意图。
具体实施方式
如背景技术所述，现有技术的光学邻近修正仍存在诸多问题。以下将结合附图进行具体说明。
图1至图3一种光学邻近修正方法的过程结构示意图。
请参考图1，获取第一修正版图，所述第一修正版图中包括第一修正图形1001和第二修正图形1002，所述第一修正图形1001包括第一修正边1001a，所述第二修正图形1002包括第二修正边1002a，所述第一修正边1001a与所述第二修正边1002a相邻且平行，所述第一修正边1001a与所述第二修正边1002a之间具有第一间距尺寸d1，且所述第一间距尺寸d1等于掩膜规则尺寸dr。
请参考图2，对所述第一修正版图进行第一曝光处理获取第一曝光版图，所述第一曝光版图包括第一曝光图形1011和第二曝光图形1012，所述第一曝光图形10111包括与所述第一修正边1001a相对应的第一曝光边1011a，所述第二曝光图形1012包括与所述第二修正边1002a相对应的第二曝光边1012a。
请参考图3，提供目标版图，所述目标版图包括第一目标图形1021和第二目标图形1022，所述第一目标图形1021包围所述第一曝光图形1011，所述第一目标图形1021包括与所述第一曝光边1011a相对应的第一目标边1021a，所述第二目标图形1022包围所述第二曝光图形1012，所述第二目标图形1022包括与所述第二曝光边1012a相对应的第二目标边1022a；获取所述第一曝光边1011a与所述第一目标边之间1021a的第一边缘放置误差EPE1、以及所述第二曝光边1012a与所述第二目标边1022a之间的第二边缘放置误差EPE2；提供预设边缘放置误差范围EPEspec，所述第一边缘放置误差EPE1大于所述预设边缘放置误差范围EPEspec，所述第二边缘放置误差EPE2位于所述预设边缘放置误差范围EPEspec内。
在本实施例中，由于所述第一边缘放置误差EPE1大于所述预设边缘放置误差范围EPEspec，使得最终形成的图形尺寸不符合设计需求，因此需要对所述第一修正边1001a进行平移以减小所述第一边缘放置误差EPE1至所述预设边缘放置误差范围EPEspec内。然而，由于所述第一目标图形1021包围所述第一曝光图形1011，减少所述第一边缘放置误差EPE1的光学邻近修正是将所述第一修正边1001a朝向所述第二修正图形1002平移一定尺寸。又因为所述第一修正边1001a和所述第二修正边1002a之间的第一间距d1已经达到了所述掩膜规则尺寸dr，无法继续再将所述第一修正边1001a朝向所述第二修正图形1002进行平移。
为解决上述技术问题，本发明的技术方案提供了一种光学邻近修正方法，通过若干次所述光学邻近修正既使得所述第一边缘放置误差位于所述预设边缘放置误差范围内，又能够保持所述第一间距尺寸大于或等于所述掩膜规则尺寸，同时所述第二边缘放置误差位于所述预设边缘放置误差范围内，在可容忍范围内牺牲一部分所述第二边缘放置误差，以突破所述掩膜规则尺寸的限制，同时确保所述第一边缘放置误差达到设计需求，进而有效提升修正精度。
为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
图4是本发明实施例的光学邻近修正方法流程图，包括：
步骤S101，获取第一修正版图，所述第一修正版图中包括第一修正图形和第二修正图形，所述第一修正图形包括第一修正边，所述第二修正图形包括第二修正边，所述第一修正边与所述第二修正边相邻且平行，所述第一修正边与所述第二修正边之间具有第一间距尺寸，且所述第一间距尺寸等于掩膜规则尺寸；
步骤S102，对所述第一修正版图进行第一曝光处理获取第一曝光版图，所述第一曝光版图包括第一曝光图形和第二曝光图形，所述第一曝光图形包括与所述第一修正边相对应的第一曝光边，所述第二曝光图形包括与所述第二修正边相对应的第二曝光边；
步骤S103，提供目标版图，所述目标版图包括第一目标图形和第二目标图形，所述第一目标图形包围所述第一曝光图形，所述第一目标图形包括与所述第一曝光边相对应的第一目标边，所述第二目标图形包围所述第二曝光图形，所述第二目标图形包括与所述第二曝光边相对应的第二目标边；
步骤S104，获取所述第一曝光边与所述第一目标边之间的第一边缘放置误差、以及所述第二曝光边与所述第二目标边之间的第二边缘放置误差；
步骤S105，提供预设边缘放置误差范围，所述第一边缘放置误差大于所述预设边缘放置误差范围，所述第二边缘放置误差位于所述预设边缘放置误差范围内；
步骤S106，对所述第一修正版图进行若干次光学邻近修正，若干次所述光学邻近修正用于平移所述第一修正边以使得所述第一边缘放置误差位于所述预设边缘放置误差范围内，以及平移所述第二修正边以保持所述第一间距尺寸大于或等于所述掩膜规则尺寸，且使得所述第二边缘放置误差位于所述预设边缘放置误差范围内。
以下结合附图对所述光学邻近修正方法的步骤进行详细说明。
图5至图11是本发明实施例的光学邻近修正方法具体过程各步骤的结构示意图。
获取第一修正版图，所述第一修正版图中包括第一修正图形和第二修正图形，所述第一修正图形包括第一修正边，所述第二修正图形包括第二修正边，所述第一修正边与所述第二修正边相邻且平行，所述第一修正边与所述第二修正边之间具有第一间距尺寸，且所述第一间距尺寸等于掩膜规则尺寸。获取所述第一修正版图的具体过程请参考图5至图6。
请参考图5，提供初始版图，所述初始版图中包括第一图形2001和第二图形2002，所述第一图形2001包括第一边2001a，所述第二图形2002包括第二边2002a，所述第一边2001a与所述第二边2002a相邻且平行。
在本实施例中，所述初始版图中的所述第一图形2001和所述第二图形2002为未经过任何光学邻近修正的图形。理论上在没有光学邻近效应的情况，所述第一图形2001与后续提供的第一目标图形相似，所述第二图形2002与后续提供的第二目标图形相似。
在本实施例中，所述第一图形2001为矩形，所述第一边2001a为矩形中的一条边。
在本实施例中，所述第二图形2002为矩形，所述第二边2002a为矩形中的一条边。
需要说明的是，在本实施例中，所述第一边2002a与所述第二边2001a相邻指的是：所述第一边2002a和所述第二边2001a之间具有相对投影，且所述第一边2002a和所述第二边2001a具有相对投影的片段之间没有其他边。
请参考图6，对所述初始版图进行初始光学邻近修正，获取所述第一修正版图，所述第一修正版图中包括第一修正图形2011和第二修正图形2012，所述第一修正图形2011包括第一修正边2011a，所述第二修正图形2012包括第二修正边2012a，所述第一修正边2011a与所述第二修正边2012a相邻且平行，所述第一修正边2011a与所述第一边2001a相对应、所述第二修正边2012a与所述第二边2002a相对应。
在本实施例中，所述初始光学邻近修正即为第一次光学邻近修正，所述初始光学邻近修正基于修正模型对所述初始版图中的所述第一图形2001和所述第二图形2002进行一定的变换，即将所述第一边2001a和所述第二边2001b、进行一定尺寸的平移，进而获取所述第一修正边2011a和所述第二修正边2012a。
在本实施例中，所述第一修正边2011a与所述第二修正边2012a之间具有第一间距尺寸d1，且所述第一间距尺寸d1等于掩膜规则尺寸dr。
需要说明的是，在本实施例中，在光学邻近修正过程中，需要进行掩膜尺寸检查(Mask Manufacturing Rule Check)，以保证最终图形收敛性及掩膜版制作精度。通常是根据设定的掩膜规则尺寸dr(Mask Rule Constraints，MRC)(包括线宽值和间距值)对经过光学邻近修正的掩膜版图中的线宽和间距进行检查。当所述第一间距尺寸d1小于所述掩膜规则尺寸dr时，会使得在制作掩膜版时容易产生错误或无法制作。
请参考图7，对所述第一修正版图进行第一曝光处理获取第一曝光版图，所述第一曝光版图包括第一曝光图形2021和第二曝光图形2022，所述第一曝光图形2021包括与所述第一修正边2011a相对应的第一曝光边2021a，所述第二曝光图形2022包括与所述第二修正边2012a相对应的第二曝光边2022a。
在本实施例中，所述第一曝光处理即为模拟曝光，即模拟具有光学邻近效应下的实际曝光。由于所述第一曝光处理中引入了光学邻近效应下的影响参数，进而使得获取的所述第一曝光图形2021较所述第一图形2001相比会产生一定的畸变、以及第二曝光图形2022较所述第二图形2002相比会产生一定的畸变。
请参考图8，提供目标版图，所述目标版图包括第一目标图形2031和第二目标图形2032，所述第一目标图形2031包围所述第一曝光图形2021，所述第一目标图形2031包括与所述第一曝光边2021a相对应的第一目标边2031a，所述第二目标图形2032包围所述第二曝光图形2022，所述第二目标图形2032包括与所述第二曝光边2022a相对应的第二目标边2032a。
在本实施例中，所述目标版图即在没有光学邻近效应的影响下获取的图形，所述第一目标图形2031与所述第一图形2001相似，所述第二目标图形与所述第二图形2002相似，即所述第一目标图形2031和所述第二目标图形均为矩形。
请参考图9，获取所述第一曝光边2021a与所述第一目标边2031a之间的第一边缘放置误差EPE1、以及所述第二曝光边2022a与所述第二目标边2032a之间的第二边缘放置误差EPE2。
需要说明的是，在本实施例中，由于受到光学邻近效应的影响，所述第一曝光图形2021无法做到与所述第一目标图形2031完全一致，因此通过引入边缘放置误差EPE，以衡量所述第一曝光图形2021与所述第一目标图形2031之间的差距、以及所述第二曝光图形和所述第二目标图形之间的差距。当边缘放置误差EPE位于某一范围内时，则认为这种差距时可以接受的。
在本实施例中，获取所述第一边缘放置误差EPE1的方法包括：获取所述第一曝光边2021a的第一采样点a1；获取所述第一目标边2031a的第二采样点a2；获取所述第一采样点a1与所述第二采样点a2的第二间距尺寸d2，以所述第二间距尺寸d2作为所述第一边缘放置误差EPE1。
在本实施例中，获取所述第二边缘放置误差EPE1的方法包括：获取所述第二曝光边2022a的第三采样点a3；获取所述第二目标边2032a的第四采样点a4；获取所述第三采样点a3与所述第四采样点a4的第三间距尺寸d3，以所述第三间距尺寸d3作为所述第二边缘放置误差EPE2。
请继续参考图9，提供预设边缘放置误差范围EPEspec，所述第一边缘放置误差EPE1大于所述预设边缘放置误差范围EPEspec，所述第二边缘放置误差EPE2位于所述预设边缘放置误差范围EPEspec内。
所述预设边缘放置误差范围EPEspec即为判断所述第一边缘放置误差EPE1和所述第二边缘放置误差EPE2的大小，当所述第一边缘放置误差EPE1和所述第二边缘放置误差EPE2均位于所述预设边缘放置误差范围EPEspec时，则认为这种差距是可以接受的。
然而，在本实施例中，所述第一边缘放置误差EPE1大于所述预设边缘放置误差范围EPEspec。因此，后续需要对所述第一修正图形2011继续进行光学邻近修正，以减小所述第一边缘放置误差EPE1至所述预设边缘放置误差范围EPEspec内。
请参考图10，在提供所述预设边缘放置误差范围EPEspec后，对所述第一修正边2011a标记；以所述第一修正边2011a为基准，对所述第二修正边2012a进行标记。
在本实施例中，以所述第一修正边2011a为基准，对所述第二修正边2012a进行标记的方法包括：以每个所述第一修正边2011a为基准，获取搜索参数以确定搜索区域S；当所述第二修正边2012a与所述搜索区域S具有重合部时，将所述第二修正边2012a标记。
在本实施例中，所述搜索参数包括：向内值M_in、向外值M_out、开始值M_start和结束值M_end，其中：所述向内值M_in为朝向靠近所述第一修正图形2011且与所述第一修正边2011a垂直的方向，所述第一修正边2011a与所述搜索区域S边缘的距离；所述向外值M_out为朝向远离所述第一修正图形2011且与所述第一修正边2011a垂直的方向，所述第一修正边2011a与所述搜索区域S边缘的距离；所述开始值M_start为朝向远离所述第一修正图形2011且与所述第一修正边2011a平行的方向，所述第一修正边2011a中第一端点O1与所述搜索区域S边缘的距离；所述结束值M_end为朝向远离所述第一修正图形2011且与所述第一修正边2011a平行的方向，所述第一修正边2011a中第二端点O2与所述搜索区域S边缘的距离；其中，所述第一端点O1和所述第二端点O2为所述第一修正边2011a相对的两个端点。
在本实施例中，所述向内值M_in等于0；向外值M_out等于所述掩膜规则尺寸dr加上外扩尺寸de；所述开始值M_start等于0；所述结束值M_end等于0。
在本实施例中，所述外扩尺寸de为：1nm～3nm。当所述外扩尺寸de大于3nm时，形成的所述搜索区域S容易框选出其他图形的边，在后续光学邻近修正时，进而将额外框选出的图形的边也进行平移，容易产生额外的问题。
请参考图11，对所述第一修正版图进行若干次光学邻近修正，若干次所述光学邻近修正用于平移所述第一修正边2011a以使得所述第一边缘放置误差EPE1位于所述预设边缘放置误差范围EPEspec内，以及平移所述第二修正边2012a以保持所述第一间距尺寸d1大于或等于所述掩膜规则尺寸dr，且使得所述第二边缘放置误差EPE2位于所述预设边缘放置误差范围EPEspec内。
在本实施例中，通过若干次所述光学邻近修正既使得所述第一边缘放置误差EPE1位于所述预设边缘放置误差范围EPEspec内，又能够保持所述第一间距尺寸d1大于或等于所述掩膜规则尺寸dr，同时所述第二边缘放置误差EPE2位于所述预设边缘放置误差范围EPEspec内，在可容忍范围内牺牲一部分所述第二边缘放置误差EPE2，以突破所述掩膜规则尺寸dr的限制，同时确保所述第一边缘放置误差EPE1达到设计需求，进而有效提升修正精度。
在本实施例中，每次所述光学邻近修正的方法包括：将所述第一修正边2011a朝向靠近所述第二修正图形2012的方向平移第一修正尺寸c1；将所述第二修正边2012a朝向远离所述第一修正图形2011的方向平移第二修正尺寸c2。
在本实施例中，为了保证所述第一间距尺寸d1不小于所述掩膜规则尺寸dr，所述第一修正尺寸c1等于所述第二修正尺寸c2。在其他实施例中，所述第一修正尺寸还可以小于所述第二修正尺寸。
在本实施例中，所述第一修正尺寸c1为0.1nm～0.2nm；所述第二修正尺寸c2为0.1nm～0.2nm。当所述第一修正尺寸c1和所述第二修正尺寸c2小于0.1nm时，会使得光学邻近修正的次数增加，进而影响修正效率；当所述第一修正尺寸c1和所述第二修正尺寸c2大于0.2nm时，每次平移的尺寸较大，进而造成的扰动较大，无法找到最佳的修正尺寸。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (14)

1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：
获取第一修正版图，所述第一修正版图中包括第一修正图形和第二修正图形，所述第一修正图形包括第一修正边，所述第二修正图形包括第二修正边，所述第一修正边与所述第二修正边相邻且平行，所述第一修正边与所述第二修正边之间具有第一间距尺寸，且所述第一间距尺寸等于掩膜规则尺寸；
对所述第一修正版图进行第一曝光处理获取第一曝光版图，所述第一曝光版图包括第一曝光图形和第二曝光图形，所述第一曝光图形包括与所述第一修正边相对应的第一曝光边，所述第二曝光图形包括与所述第二修正边相对应的第二曝光边；
提供目标版图，所述目标版图包括第一目标图形和第二目标图形，所述第一目标图形包围所述第一曝光图形，所述第一目标图形包括与所述第一曝光边相对应的第一目标边，所述第二目标图形包围所述第二曝光图形，所述第二目标图形包括与所述第二曝光边相对应的第二目标边；
获取所述第一曝光边与所述第一目标边之间的第一边缘放置误差、以及所述第二曝光边与所述第二目标边之间的第二边缘放置误差；
提供预设边缘放置误差范围，所述第一边缘放置误差大于所述预设边缘放置误差范围，所述第二边缘放置误差位于所述预设边缘放置误差范围内；对所述第一修正版图进行若干次光学邻近修正，若干次所述光学邻近修正用于平移所述第一修正边以使得所述第一边缘放置误差位于所述预设边缘放置误差范围内，以及平移所述第二修正边以保持所述第一间距尺寸大于或等于所述掩膜规则尺寸，且使得所述第二边缘放置误差位于所述预设边缘放置误差范围内。
2.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，在获取所述第一边缘放置误差，且所述第一边缘放置误差大于所述预设边缘放置误差范围后，还包括：对所述第一修正边标记。
3.如权利要求2所述的光学邻近修正方法，其特征在于，在对所述第一修正边进行标记后，还包括：以所述第一修正边为基准，对所述第二修正边进行标记。
4.如权利要求3所述的光学邻近修正方法，其特征在于，以所述第一修正边为基准，对所述第二修正边进行标记的方法包括：以每个所述第一修正边为基准，获取搜索参数以确定搜索区域；当所述第二修正边与所述搜索区域具有重合部时，将所述第二修正边标记。
5.如权利要求4所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述搜索参数包括：向内值M_in、向外值M_out、开始值M_start和结束值M_end，其中：
所述向内值M_in为朝向靠近所述第一修正图形且与所述第一修正边垂直的方向，所述第一修正边与所述搜索区域边缘的距离；
所述向外值M_out为朝向远离所述第一修正图形且与所述第一修正边垂直的方向，所述第一修正边与所述搜索区域边缘的距离；
所述开始值M_start为朝向远离所述第一修正图形且与所述第一修正边平行的方向，所述第一修正边中第一端点与所述搜索区域边缘的距离；
所述结束值M_end为朝向远离所述第一修正图形且与所述第一修正边平行的方向，所述第一修正边中第二端点与所述搜索区域边缘的距离；
其中，所述第一端点和所述第二端点为所述第一修正边相对的两个端点。
6.如权利要求5所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述向内值M_in等于0；向外值M_out等于所述掩膜规则尺寸加上外扩尺寸；所述开始值M_start等于0；所述结束值M_end等于0。
7.如权利要求6所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述外扩尺寸为：1nm～3nm。
8.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，每次所述光学邻近修正的方法包括：将所述第一修正边朝向靠近所述第二修正图形的方向平移第一修正尺寸；将所述第二修正边朝向远离所述第一修正图形的方向平移第二修正尺寸。
9.如权利要求8所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第一修正尺寸等于所述第二修正尺寸。
10.如权利要求9所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第一修正尺寸为0.1nm～0.2nm；所述第二修正尺寸为0.1nm～0.2nm。
11.如权利要求8所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第一修正尺寸小于所述第二修正尺寸。
12.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，获取所述第一修正版图的方法包括：提供初始版图，所述初始版图中包括第一图形和第二图形，所述第一图形包括第一边，所述第二图形包括第二边，所述第一边与所述第二边相邻且平行；对所述初始版图进行初始光学邻近修正，获取所述第一修正版图，所述第一修正边与所述第一边相对应、所述第二修正边与所述第二边相对应。
13.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，获取所述第一边缘放置误差的方法包括：获取所述第一曝光边的第一采样点；获取所述第一目标边的第二采样点；获取所述第一采样点与所述第二采样点的第二间距尺寸，以所述第二间距尺寸作为所述第一边缘放置误差。
14.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，获取所述第二边缘放置误差的方法包括：获取所述第二曝光边的第三采样点；获取所述第二目标边的第四采样点；获取所述第三采样点与所述第四采样点的第三间距尺寸，以所述第三间距尺寸作为所述第二边缘放置误差。
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