CN110221514B - 光学邻近校正方法及掩膜版的制作方法 - Google Patents

Abstract

一种光学邻近校正方法及掩膜版的制作方法，光学邻近校正方法包括：若第一边缘误差在第一阈值范围外，第二边缘放置误差在第一阈值范围外，第三边缘放置误差在第二阈值范围外或第四边缘放置误差在第二阈值范围外，则根据第一光学邻近校正模型对第一底部中间修正图形进行修正且对第二底部中间修正图形进行修正，直至第一边缘放置误差和第二边缘放置误差均在第一阈值范围内且第三边缘放置误差和第四边缘放置误差均在第二阈值范围内。所述方法提高了第一修正图形和第二修正图形正的精度。

Description

光学邻近校正方法及掩膜版的制作方法

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光学邻近校正方法及掩膜版的制作方法。

背景技术

光刻技术是半导体制作技术中至关重要的一项技术，光刻技术能够实现将图形从掩膜版中转移到硅片表面，形成符合设计要求的半导体产品。光刻工艺包括曝光步骤、曝光步骤之后进行的显影步骤和显影步骤之后的刻蚀步骤。在曝光步骤中，光线通过掩膜版中透光的区域照射至涂覆有光刻胶的硅片上，光刻胶在光线的照射下发生化学反应；在显影步骤中，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度的不同，形成光刻图案，实现掩膜版图案转移到光刻胶上；在刻蚀步骤中，基于光刻胶层所形成的光刻图案对硅片进行刻蚀，将掩膜版的图案进一步转移至硅片上。

在半导体制造中，随着设计尺寸的不断缩小，设计尺寸越来越接近光刻成像系统的极限，光的衍射效应变得越来越明显，导致最终对设计图形产生光学影像退化，实际形成的光刻图案相对于掩膜版上的图案发生严重畸变，最终在硅片上经过光刻形成的实际图形和设计图形不同，这种现象称为光学邻近效应(OPE：Optical Proximity Effect)。

为了修正光学邻近效应，便产生了光学邻近校正(OPC：Optical ProximityCorrection)。光学邻近校正的核心思想就是基于抵消光学邻近效应的考虑建立光学邻近校正模型，根据光学邻近校正模型设计光掩模图形，这样虽然光刻后的光刻图形相对应光掩模图形发生了光学邻近效应，但是由于在根据光学邻近校正模型设计光掩模图形时已经考虑了对该现象的抵消，因此，光刻后的光刻图形接近于用户实际希望得到的目标图形。

然而，现有技术中光学邻近校正获得的修正图形的精度较差。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种光学邻近校正方法及掩膜版的制作方法，以提高第一修正图形和第二修正图形正的精度。

为解决上述问题，本发明提供一种光学邻近校正方法，包括：提供第一目标光刻掩膜图形和第二目标光刻掩膜图形，第一目标光刻掩膜图形具有第一底部图形和第一顶部图形，第二目标光刻掩膜图形具有第二底部图形和第二顶部图形，第一目标光刻掩膜图形和第二目标光刻掩膜图形重合的区域为重叠目标图形，所述重叠目标图形具有第三顶部图形和第三底部图形；提供第一光学邻近校正模型和第二光学邻近校正模型；根据第一光学邻近校正模型，对第一底部图形进行修正，得到第一底部中间修正图形，对第二底部图形进行修正，得到第二底部中间修正图形；根据第一光学邻近校正模型，对第一底部中间修正图形进行模拟曝光，得到第一底部模拟图形，对第二底部中间修正图形进行模拟曝光，得到第二底部模拟图形；根据第一底部模拟图形和第二底部模拟图形获取对应第三底部图形的第三底部模拟图形；根据第二光学邻近校正模型，对第一底部中间修正图形进行模拟曝光，得到第一顶部模拟图形，对第二底部中间修正图形进行模拟曝光，得到第二顶部模拟图形；根据第一顶部模拟图形和第二顶部模拟图形获取对应第三顶部图形的第三顶部模拟图形；获取第一底部模拟图形和第一底部图形之间的第一边缘放置误差、第二底部模拟图形和第二底部图形之间的第二边缘放置误差、第三底部模拟图形和第三底部图形之间的第三边缘放置误差、以及第三顶部模拟图形和第三顶部图形之间的第四边缘放置误差；若第一边缘误差在第一阈值范围外，或第二边缘放置误差在第一阈值范围外，或第三边缘放置误差在第一阈值范围外，或第四边缘放置误差在第二阈值范围外，则根据第一光学邻近校正模型，对第一底部中间修正图形进行修正，且对第二底部中间修正图形进行修正，直至第一边缘放置误差、第二边缘放置误差和第三边缘放置误差均在第一阈值范围内，且第四边缘放置误差在第二阈值范围内；当第一边缘放置误差、第二边缘放置误差和第三边缘放置误差均在第一阈值范围内，且第四边缘放置误差在第二阈值范围内时，将第一底部中间修正图形作为第一修正图形，将第二底部中间修正图形作为第二修正图形。

可选的，所述第一阈值范围为[-a，a]，其中，a大于零；所述第二阈值范围为[-b，b]，其中，b大于零；且a大于b。

可选的，a为2.2纳米～2.8纳米。

可选的，b为1.2纳米～1.8纳米。

可选的，所述第一目标光刻掩膜图形的厚度和第二目标光刻掩膜图形的厚度均为h；所述重叠目标图形的厚度为h；所述重叠目标图形具有特征尺寸方向；重叠目标图形在平行于特征尺寸方向和重叠目标图形的厚度的剖面内，所述重叠目标图形具有重叠顶边、重叠底边以及位于重叠底边和重叠顶边之间的重叠倾斜侧边，所述重叠倾斜侧边与重叠底边之间的夹角为θ；b＝a-h*ctanθ。

可选的，根据第一光学邻近校正模型，对第一底部中间修正图形进行修正，且对第二底部中间修正图形进行修正，直至第一边缘放置误差、第二边缘放置误差和第三边缘放置误差均在第一阈值范围内，且第四边缘放置误差在第二阈值范围内的方法包括：若第一边缘放置误差、第二边缘放置误差或第三边缘放置误差在第一阈值范围外，则根据第一光学邻近校正模型对第一底部中间修正图形进行修正，且对第二底部中间修正图形进行修正，直至第一边缘放置误差、第二边缘放置误差和第三边缘放置误差均在第一阈值范围内；当第一边缘放置误差、第二边缘放置误差和第三边缘放置误差均在第一阈值范围内后，判断第四边缘放置误差是否在第二阈值范围内；若第四边缘放置误差在第二阈值范围外，则根据第一光学邻近校正模型对第一底部中间修正图形进行修正，且对第二底部中间修正图形进行修正，直至第四边缘放置误差在第二阈值范围内。

可选的，还包括：在判断是否第一边缘误差在第一阈值范围外，或第二边缘放置误差在第一阈值范围外，或第三边缘放置误差在第一阈值范围外，或第四边缘放置误差在第二阈值范围外之前，判断第三顶部模拟图形的特征尺寸是否大于等于第三阈值；若第三顶部模拟图形的特征尺寸小于第三阈值，则扩大第一阈值范围，直至第三顶部模拟图形的特征尺寸小于第三阈值。

可选的，所述第三阈值为24纳米～26纳米。

可选的，所述第一光学邻近校正模型的获取方法包括：提供测试掩膜版，所述测试掩膜版中具有测试图形；提供测试衬底和位于测试衬底表面的测试光刻胶层，所述测试光刻胶层具有测试底面；获取测试图形在测试底面的第一标准空间像光强函数；基于第一标准空间像光强函数建立在测试底面的第一光学邻近校正模型；基于第一光学邻近校正模型对所述测试图形进行模拟曝光，获得第一模拟曝光图形；对所述测试图形进行实际曝光，在测试底面获得第一实际曝光图形；获取所述第一模拟曝光图形与第一实际曝光图形之间的第一位置偏差；若所述第一位置偏差在第四阈值范围外，调整第一光学邻近校正模型直至所述第一模拟曝光图形与第一实际曝光图形之间的第一位置偏差在第四阈值范围内。

可选的，所述第一光学邻近校正模型包括第一光刻胶模型；调整所述第一光学邻近校正模型的方法包括：增大或减小第一光刻胶模型中各项的系数。

可选的，所述测试光刻胶层具有测试顶面；所述第二光学邻近校正模型的获取方法包括：获取测试图形在测试顶面的第二标准空间像光强函数；基于第二标准空间像光强函数建立在测试顶面的第二光学邻近校正模型；基于第二光学邻近校正模型对所述测试图形进行模拟曝光，获得第二模拟曝光图形；对所述测试图形进行实际曝光，在测试顶面获得第二实际曝光图形；获取所述第二模拟曝光图形与第二实际曝光图形之间的第二位置偏差；若所述第二位置偏差在第五阈值范围外，调整第二光学邻近校正模型直至所述第二模拟曝光图形与第二实际曝光图形之间的第二位置偏差在第五阈值范围内。

可选的，所述第二光学邻近校正模型包括第二光刻胶模型；调整所述第二光学邻近校正模型的方法包括：增大或减小第二光刻胶模型中各项的系数。

本发明还提供一种掩膜版的制作方法，包括：根据上述任意一项方法获得的第一修正图形和第二修正图形制作掩膜版。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

本发明技术方案提供的光学邻近校正方法中，对第一底部图形和第二底部图形进行了修正，分别对应得到第一修正图形和第二修正图形。在进行修正的过程中，不仅考虑了对第一底部图形、第二底部图形和第三底部图形的限制条件，还考虑了对第三顶部图形的限制条件。具体的，不仅考虑了第一底部模拟图形和第一底部图形之间的第一边缘放置误差、第二底部模拟图形和第二底部图形之间的第二边缘放置误差以及第三底部模拟图形和第三底部图形之间的第三边缘放置误差的限制条件，还考虑了第三顶部图形之间的第四边缘放置误差的限制条件。使得获得的第一修正图形和第二修正图形的精度较高。

本发明技术方案提供的掩膜版的制作方法，根据上述方法获得的第一修正图形和第二修正图形制作掩膜版，使得掩膜版中图形结构的精度较高。

附图说明

图1是一种光学邻近校正方法的流程图；

图2至图3是本发明一实施例中光学邻近校正过程的示意图。

具体实施方式

正如背景技术所述，现有技术形成的修正图形的精度较差。

一种光学邻近校正方法，包括：提供第一目标光刻掩膜图形和第二目标光刻掩膜图形，第一目标光刻掩膜图形和第二目标光刻掩膜图形重合的区域为重叠目标图形；提供光学邻近校正模型；根据光学邻近校正模型，对第一目标光刻掩膜图形进行修正，得到第一中间修正图形，对第二目标光刻掩膜图形进行修正，得到第二中间修正图形；根据光学邻近校正模型，对第一中间修正图形进行模拟曝光，得到第一模拟图形，对第二中间修正图形进行模拟曝光，得到第二模拟图形；根据第一模拟图形和第二模拟图形获取对应重叠目标图形的第三模拟图形；获取第一模拟图形和第一目标光刻掩膜图形之间的第一边缘放置误差、第二模拟图形和第二目标光刻掩膜图形之间的第二边缘放置误差、以及第三模拟图形和重叠目标图形之间的第三边缘放置误差；若第一边缘误差、第二边缘放置误差或第三边缘放置误差在阈值范围外，则根据光学邻近校正模型，对第一中间修正图形进行修正，且对第二中间修正图形进行修正，直至第一边缘放置误差、第二边缘放置误差和第三边缘放置误差均在阈值范围内；当第一边缘放置误差、第二边缘放置误差和第三边缘放置误差均在阈值范围内时，将第一中间修正图形作为第一修正图形，将第二中间修正图形作为第二修正图形。

然而，上述方法中，得到的第一修正图形和第二修正图形的精度较差，原因在于：

第一目标光刻掩膜图形具有第一底部图形和第一顶部图形，第二目标光刻掩膜图形具有第二底部图形和第二顶部图形。重叠目标图形具有第三底部图形。

根据光学邻近校正模型，对第一目标光刻掩膜图形进行修正以得到第一中间修正图形的过程中，是对第一目标光刻掩膜图形的第一底部图形进行修正，对第二目标光刻掩膜图形进行修正以得到第二中间修正图形的过程中，是对第二目标光刻掩膜图形的第二底部图形进行修正。相应的，第一模拟图形、第二模拟图形、第三模拟图形分别对应第一底部图形、第二底部图形和第三底部图形。

在进行修正的过程中，仅考虑了对第一底部图形、第二底部图形和第三底部图形的限制条件，而没有考虑对第一目标光刻掩膜图形和第二目标光刻掩膜图形的顶部尺寸的限制，导致得到的第一修正图形和第二修正图形的精度较差。

具体的，根据第一修正图形和第二修正图形制作掩膜版，掩膜版中具有对应第一修正图形和第一掩膜版图形和对应第二修正图形和第二掩膜版图形。对掩膜版进行实际曝光，分别对应得到第一实际曝光图形和第二实际曝光图形。第一实际曝光图形的顶部图形和第一顶部图形之间的差异较大，第二实际曝光图形的顶部图形和第二顶部图形之间的差异较大。

在此基础上，本发明提供一种光学邻近校正方法，请参考图1，包括：

S01:提供第一目标光刻掩膜图形和第二目标光刻掩膜图形，第一目标光刻掩膜图形具有第一底部图形和第一顶部图形，第二目标光刻掩膜图形具有第二底部图形和第二顶部图形，第一目标光刻掩膜图形和第二目标光刻掩膜图形重合的区域为重叠目标图形，所述重叠目标图形具有第三顶部图形和第三底部图形；

S02:提供第一光学邻近校正模型和第二光学邻近校正模型；

S03:根据第一光学邻近校正模型，对第一底部图形进行修正，得到第一底部中间修正图形，对第二底部图形进行修正，得到第二底部中间修正图形；

S04:根据第一光学邻近校正模型，对第一底部中间修正图形进行模拟曝光，得到第一底部模拟图形，对第二底部中间修正图形进行模拟曝光，得到第二底部模拟图形；

S05:根据第一底部模拟图形和第二底部模拟图形获取对应第三底部图形的第三底部模拟图形；

S06:根据第二光学邻近校正模型，对第一底部中间修正图形进行模拟曝光，得到第一顶部模拟图形，对第二底部中间修正图形进行模拟曝光，得到第二顶部模拟图形；

S7:根据第一顶部模拟图形和第二顶部模拟图形获取对应第三顶部图形的第三顶部模拟图形；

S8:获取第一底部模拟图形和第一底部图形之间的第一边缘放置误差、第二底部模拟图形和第二底部图形之间的第二边缘放置误差、第三底部模拟图形和第三底部图形之间的第三边缘放置误差、以及第三顶部模拟图形和第三顶部图形之间的第四边缘放置误差；

S9:若第一边缘误差在第一阈值范围外，或第二边缘放置误差在第一阈值范围外，或第三边缘放置误差在第一阈值范围外，或第四边缘放置误差在第二阈值范围外，则根据第一光学邻近校正模型，对第一底部中间修正图形进行修正，且对第二底部中间修正图形进行修正，直至第一边缘放置误差、第二边缘放置误差和第三边缘放置误差均在第一阈值范围内，且第四边缘放置误差在第二阈值范围内；

S10:当第一边缘放置误差、第二边缘放置误差和第三边缘放置误差均在第一阈值范围内，且第四边缘放置误差在第二阈值范围内时，将第一底部中间修正图形作为第一修正图形，将第二底部中间修正图形作为第二修正图形。

所述方法提高了第一修正图形和第二修正图形正的精度。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

图2至图3是本发明一实施例中优化光学邻近校正模型过程的示意图。

参考图2，提供第一目标光刻掩膜图形100和第二目标光刻掩膜图形120，第一目标光刻掩膜图形100具有第一底部图形101和第一顶部图形102，第二目标光刻掩膜图形120具有第二底部图形121和第二顶部图形122，第一目标光刻掩膜图形100和第二目标光刻掩膜图形120重合的区域为重叠目标图形130，所述重叠目标图形130具有第三顶部图形131和第三底部图形132。

第一目标光刻掩膜图形设计用于双重化图形(LELE)工艺中的第一光刻掩膜层中的图形，第二目标光刻掩膜图形设计用于双重化图形(LELE)工艺中的第二光刻掩膜层中的图形；以第一光刻掩膜层为掩膜刻蚀待刻蚀层，在待刻蚀层中形成第一刻蚀图形；以第二光刻掩膜层为掩膜刻蚀待刻蚀层，在待刻蚀层中形成第二刻蚀图形。

其中，第一底部图形101对应第一光刻掩膜层的底部图形，第一顶部图形102对应第一光刻掩膜层的顶部图形。第二底部图形121对应第二光刻掩膜层的底部图形，第二顶部图形122对应第二光刻掩膜层的顶部图形。

第一光刻掩膜层中具有第一开口，第一开口的顶部特征尺寸大于第一开口的底部特征尺寸。第二光刻掩膜层中具有第二开口，第二开口的顶部特征尺寸大于第二开口的底部特征尺寸。

重叠目标图形130指的是：当第一目标光刻掩膜图形100中的标记图形和第二目标光刻掩膜图形120中的标记图形对准时，第二目标光刻掩膜图形120投影在第一目标光刻掩膜图形100上的图形，与第一目标光刻掩膜图形100重合的区域。

参考图3，提供第一光学邻近校正模型171和第二光学邻近校正模型172。

所述第一光学邻近校正模型的获取方法包括：提供测试掩膜版，所述测试掩膜版中具有测试图形；提供测试衬底和位于测试衬底表面的测试光刻胶层，所述测试光刻胶层具有测试底面；获取测试图形在测试底面的第一标准空间像光强函数；基于第一标准空间像光强函数建立在测试底面的第一光学邻近校正模型；基于第一光学邻近校正模型对所述测试图形进行模拟曝光，获得第一模拟曝光图形；对所述测试图形进行实际曝光，在测试底面获得第一实际曝光图形；获取所述第一模拟曝光图形与第一实际曝光图形之间的第一位置偏差；若所述第一位置偏差在第四阈值范围外，调整第一光学邻近校正模型直至所述第一模拟曝光图形与第一实际曝光图形之间的第一位置偏差在第四阈值范围内。

在垂直于测试衬底表面的方向上，测试光刻胶层具有相对的测试底面和测试顶面。所述测试底面为测试光刻胶层的底部表面，所述测试底面和测试衬底表面接触。所述测试顶面为测试光刻胶层的顶部表面。

所述第一光学邻近校正模型包括第一光刻胶模型；调整所述第一光学邻近校正模型的方法包括：增大或减小第一光刻胶模型中各项的系数。

获取所述第一模拟曝光图形与第一实际曝光图形之间的第一位置偏差的方法包括：测量第一模拟曝光图形的特征尺寸，获取第一模拟曝光图形的第一模拟测试数据；测量第一实际曝光图形的特征尺寸，获取第实际最终图形的第一实际测试数据；获取所述第一模拟测试数据和第一实际测试数据之间的第一位置偏差。

获取所述第一模拟曝光图形与第一实际曝光图形之间的第一位置偏差的方法还包括：在所述测试图形中选取若干个量测点，获取所述量测点对应的第一模拟测试数据和第一实际测试数据之间的第一位置偏差。

所述第二光学邻近校正模型的获取方法包括：获取测试图形在测试顶面的第二标准空间像光强函数；基于第二标准空间像光强函数建立在测试顶面的第二光学邻近校正模型；基于第二光学邻近校正模型对所述测试图形进行模拟曝光，获得第二模拟曝光图形；对所述测试图形进行实际曝光，在测试顶面获得第二实际曝光图形；获取所述第二模拟曝光图形与第二实际曝光图形之间的第二位置偏差；若所述第二位置偏差在第五阈值范围外，调整第二光学邻近校正模型直至所述第二模拟曝光图形与第二实际曝光图形之间的第二位置偏差在第五阈值范围内。

所述第二光学邻近校正模型包括第二光刻胶模型；调整所述第二光学邻近校正模型的方法包括：增大或减小第二光刻胶模型中各项的系数。

获取所述第二模拟曝光图形与第二实际曝光图形之间的第二位置偏差的方法包括：测量第二模拟曝光图形的特征尺寸，获取第二模拟曝光图形的第二模拟测试数据；测量第二实际曝光图形的特征尺寸，获取第实际最终图形的第二实际测试数据；获取所述第二模拟测试数据和第二实际测试数据之间的第二位置偏差。

获取所述第二模拟曝光图形与第二实际曝光图形之间的第二位置偏差的方法还包括：在所述测试图形中选取若干个量测点，获取所述量测点对应的第二模拟测试数据和第二实际测试数据之间的第二位置偏差。

接着，根据第一光学邻近校正模型，对第一底部图形101进行修正，得到第一底部中间修正图形；根据第一光学邻近校正模型，对第二底部图形101进行修正，得到第二底部中间修正图形。

接着，根据第一光学邻近校正模型，对第一底部中间修正图形进行模拟曝光，得到第一底部模拟图形；根据第一光学邻近校正模型，对第二底部中间修正图形进行模拟曝光，得到第二底部模拟图形；根据第一底部模拟图形和第二底部模拟图形获取对应第三底部图形的第三底部模拟图形。

接着，根据第二光学邻近校正模型，对第一底部中间修正图形进行模拟曝光，得到第一顶部模拟图形；根据第二光学邻近校正模型，对第二底部中间修正图形进行模拟曝光，得到第二顶部模拟图形；根据第一顶部模拟图形和第二顶部模拟图形获取对应第三顶部图形的第三顶部模拟图形。

接着，获取第一底部模拟图形和第一底部图形101之间的第一边缘放置误差、第二底部模拟图形和第二底部图形101之间的第二边缘放置误差、第三底部模拟图形和第三底部图形132之间的第三边缘放置误差、以及第三顶部模拟图形和第三顶部图形131之间的第四边缘放置误差。

若第一边缘误差在第一阈值范围外，或第二边缘放置误差在第一阈值范围外，或第三边缘放置误差在第一阈值范围外，或第四边缘放置误差在第二阈值范围外，则根据第一光学邻近校正模型，对第一底部中间修正图形进行修正，且对第二底部中间修正图形进行修正，直至第一边缘放置误差、第二边缘放置误差和第三边缘放置误差均在第一阈值范围内，且第四边缘放置误差在第二阈值范围内；

当第一边缘放置误差、第二边缘放置误差和第三边缘放置误差均在第一阈值范围内，且第四边缘放置误差在第二阈值范围内时，将第一底部中间修正图形作为第一修正图形，将第二底部中间修正图形作为第二修正图形。

第一阈值范围为[-a，a]，其中，a大于零；第二阈值范围为[-b，b]，其中，b大于零；其中，b大于零；且a大于b。

所述第一目标光刻掩膜图形的厚度和第二目标光刻掩膜图形的厚度均为h；所述重叠目标图形的厚度为h；所述重叠目标图形具有特征尺寸方向；重叠目标图形在平行于特征尺寸方向和重叠目标图形的厚度的剖面内，所述重叠目标图形具有重叠顶边、重叠底边以及位于重叠底边和重叠顶边之间的重叠倾斜侧边，所述重叠倾斜侧边与重叠底边之间的夹角为θ；b＝a-h*ctanθ。

在一个实施例中，a为2.2纳米～2.8纳米，如2.5纳米。

在一个实施例中，b为1.2纳米～1.8纳米，如1.5纳米。

在一个实施例中，第一阈值范围的优先级高于第二阈值范围的优先级。相应的，根据第一光学邻近校正模型，对第一底部中间修正图形进行修正，且对第二底部中间修正图形进行修正，直至第一边缘放置误差、第二边缘放置误差和第三边缘放置误差均在第一阈值范围内，且第四边缘放置误差在第二阈值范围内的方法包括：若第一边缘放置误差、第二边缘放置误差或第三边缘放置误差在第一阈值范围外，则根据第一光学邻近校正模型对第一底部中间修正图形进行修正，且对第二底部中间修正图形进行修正，直至第一边缘放置误差、第二边缘放置误差和第三边缘放置误差均在第一阈值范围内；当第一边缘放置误差、第二边缘放置误差和第三边缘放置误差均在第一阈值范围内后，判断第四边缘放置误差是否在第二阈值范围内；若第四边缘放置误差在第二阈值范围外，则根据第一光学邻近校正模型对第一底部中间修正图形进行修正，且对第二底部中间修正图形进行修正，直至第四边缘放置误差在第二阈值范围内。

本实施例中，还包括：在判断是否第一边缘误差在第一阈值范围外，或第二边缘放置误差在第一阈值范围外，或第三边缘放置误差在第一阈值范围外，或第四边缘放置误差在第二阈值范围外之前，判断第三顶部模拟图形的特征尺寸是否大于等于第三阈值；若第三顶部模拟图形的特征尺寸小于第三阈值，则扩大第一阈值范围，直至第三顶部模拟图形的特征尺寸小于第三阈值。

在一个实施例中，所述第三阈值为24纳米～26纳米。

本实施例中，对第一底部图形和第二底部图形进行了修正，分别对应得到第一修正图形和第二修正图形。在进行修正的过程中，不仅考虑了对第一底部图形、第二底部图形和第三底部图形的限制条件，还考虑了对第三顶部图形的限制条件，使得第一修正图形和第二修正图形的精度较高。

相应的，本发明另一实施例还提供一种掩膜版的制作方法，包括：根据上述方法获得的第一修正图形和第二修正图形制作掩膜版。

本实施例中，根据上述方法获得的第一修正图形和第二修正图形制作掩膜版，使得掩膜版中图形结构的精度较高。

在实际工艺中，根据第一修正图形和第二修正图形制作掩膜版，掩膜版中具有对应第一修正图形和第一掩膜版图形和对应第二修正图形和第二掩膜版图形。对掩膜版进行实际曝光，分别对应得到第一曝光图形和第二曝光图形。第一曝光图形的顶部图形和第一顶部图形之间的差异较小，第二曝光图形的顶部图形和第二顶部图形之间的差异较小。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (11)

1.一种光学邻近校正方法，其特征在于，包括：

提供第一目标光刻掩膜图形和第二目标光刻掩膜图形，第一目标光刻掩膜图形具有第一底部图形和第一顶部图形，第二目标光刻掩膜图形具有第二底部图形和第二顶部图形，第一目标光刻掩膜图形和第二目标光刻掩膜图形重合的区域为重叠目标图形，所述重叠目标图形具有第三顶部图形和第三底部图形；

提供第一光学邻近校正模型和第二光学邻近校正模型，其中提供第一光学邻近校正模型和第二光学邻近校正模型的步骤包括：提供测试掩膜版，所述测试掩膜版中具有测试图形；提供测试衬底和位于测试衬底表面的测试光刻胶层，所述测试光刻胶层具有测试顶面；获取测试图形在测试顶面的第二标准空间像光强函数；基于第二标准空间像光强函数建立在测试顶面的第二光学邻近校正模型；基于第二光学邻近校正模型对所述测试图形进行模拟曝光，获得第二模拟曝光图形；对所述测试图形进行实际曝光，在测试顶面获得第二实际曝光图形；获取所述第二模拟曝光图形与第二实际曝光图形之间的第二位置偏差；若所述第二位置偏差在第五阈值范围外，调整第二光学邻近校正模型直至所述第二模拟曝光图形与第二实际曝光图形之间的第二位置偏差在第五阈值范围内；

根据第一光学邻近校正模型，对第一底部图形进行修正，得到第一底部中间修正图形，对第二底部图形进行修正，得到第二底部中间修正图形；

根据第一光学邻近校正模型，对第一底部中间修正图形进行模拟曝光，得到第一底部模拟图形，对第二底部中间修正图形进行模拟曝光，得到第二底部模拟图形；

根据第一底部模拟图形和第二底部模拟图形获取对应第三底部图形的第三底部模拟图形；

根据第二光学邻近校正模型，对第一底部中间修正图形进行模拟曝光，得到第一顶部模拟图形，对第二底部中间修正图形进行模拟曝光，得到第二顶部模拟图形；

根据第一顶部模拟图形和第二顶部模拟图形获取对应第三顶部图形的第三顶部模拟图形；

获取第一底部模拟图形和第一底部图形之间的第一边缘放置误差、第二底部模拟图形和第二底部图形之间的第二边缘放置误差、第三底部模拟图形和第三底部图形之间的第三边缘放置误差、以及第三顶部模拟图形和第三顶部图形之间的第四边缘放置误差；

若第一边缘误差在第一阈值范围外，或第二边缘放置误差在第一阈值范围外，或第三边缘放置误差在第一阈值范围外，或第四边缘放置误差在第二阈值范围外，则根据第一光学邻近校正模型，对第一底部中间修正图形进行修正，且对第二底部中间修正图形进行修正，直至第一边缘放置误差、第二边缘放置误差和第三边缘放置误差均在第一阈值范围内，且第四边缘放置误差在第二阈值范围内；

当第一边缘放置误差、第二边缘放置误差和第三边缘放置误差均在第一阈值范围内，且第四边缘放置误差在第二阈值范围内时，将第一底部中间修正图形作为第一修正图形，将第二底部中间修正图形作为第二修正图形。

2.根据权利要求1所述的光学邻近校正方法，其特征在于，所述第一阈值范围为[-a，a]，其中，a为大于零的数；所述第二阈值范围为[-b，b]，其中，b为大于零的数；且a大于b。

3.根据权利要求2所述的光学邻近校正方法，其特征在于，a为2.2纳米~2.8纳米。

4.根据权利要求2所述的光学邻近校正方法，其特征在于，b为1.2纳米~1.8纳米。

5.根据权利要求1所述的光学邻近校正方法，其特征在于，根据第一光学邻近校正模型，对第一底部中间修正图形进行修正，且对第二底部中间修正图形进行修正，直至第一边缘放置误差、第二边缘放置误差和第三边缘放置误差均在第一阈值范围内，且第四边缘放置误差在第二阈值范围内的方法包括：若第一边缘放置误差、第二边缘放置误差或第三边缘放置误差在第一阈值范围外，则根据第一光学邻近校正模型对第一底部中间修正图形进行修正，且对第二底部中间修正图形进行修正，直至第一边缘放置误差、第二边缘放置误差和第三边缘放置误差均在第一阈值范围内；当第一边缘放置误差、第二边缘放置误差和第三边缘放置误差均在第一阈值范围内后，判断第四边缘放置误差是否在第二阈值范围内；若第四边缘放置误差在第二阈值范围外，则根据第一光学邻近校正模型对第一底部中间修正图形进行修正，且对第二底部中间修正图形进行修正，直至第四边缘放置误差在第二阈值范围内。

6.根据权利要求1所述的光学邻近校正方法，其特征在于，还包括：在判断是否第一边缘误差在第一阈值范围外，或第二边缘放置误差在第一阈值范围外，或第三边缘放置误差在第一阈值范围外，或第四边缘放置误差在第二阈值范围外之前，判断第三顶部模拟图形的特征尺寸是否大于等于第三阈值；若第三顶部模拟图形的特征尺寸小于第三阈值，则扩大第一阈值范围，直至第三顶部模拟图形的特征尺寸小于第三阈值。

7.根据权利要求6所述的光学邻近校正方法，其特征在于，所述第三阈值为24纳米~26纳米。

8.根据权利要求1所述的光学邻近校正方法，其特征在于，所述测试光刻胶层还具有与所述测试顶面相背的测试底面，所述第一光学邻近校正模型的获取方法还包括：获取测试图形在测试底面的第一标准空间像光强函数；基于第一标准空间像光强函数建立在测试底面的第一光学邻近校正模型；基于第一光学邻近校正模型对所述测试图形进行模拟曝光，获得第一模拟曝光图形；对所述测试图形进行实际曝光，在测试底面获得第一实际曝光图形；获取所述第一模拟曝光图形与第一实际曝光图形之间的第一位置偏差；若所述第一位置偏差在第四阈值范围外，调整第一光学邻近校正模型直至所述第一模拟曝光图形与第一实际曝光图形之间的第一位置偏差在第四阈值范围内。

9.根据权利要求8所述的光学邻近校正方法，其特征在于，所述第一光学邻近校正模型包括第一光刻胶模型；调整所述第一光学邻近校正模型的方法包括：增大或减小第一光刻胶模型中各项的系数。

10.根据权利要求1所述的光学邻近校正方法，其特征在于，所述第二光学邻近校正模型包括第二光刻胶模型；调整所述第二光学邻近校正模型的方法包括：增大或减小第二光刻胶模型中各项的系数。

11.一种掩膜版的制作方法，其特征在于，包括：根据权利要求1至10任意一项方法获得的第一修正图形和第二修正图形制作掩膜版。

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