CN108333865A - 掩膜版图形的修正方法 - Google Patents

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Abstract

一种掩膜版图形的修正方法，包括：提供芯片图形区，芯片图形区包括若干主图形；基于经验规则在各主图形周围的芯片图形区中设置第一辅助图形后，对芯片图形区进行第一光学邻近修正，使若干主图形修正为第一修正图形；在芯片图形区内设置若干个检测区，各个检测区连接相邻第一修正图形并经过第一辅助图形；对芯片图形区进行模拟曝光，获取模拟曝光后对应各个检测区的光强分布；根据辅助图形修正模型和获得的各个检测区的光强分布，将第一辅助图形修正为第二辅助图形；在获取第二辅助图形后，对第一修正图形进行第二光学临近修正，获取第二修正图形。所述方法对各个区域的散射条充分进行了优化，且提高了第二辅助图形的稳定性。

Description

掩膜版图形的修正方法
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种掩膜版图形的修正方法。
背景技术
光刻技术是半导体制作技术中至关重要的一项技术，光刻技术能够实现将图形从掩膜版中转移到硅片表面，形成符合设计要求的半导体产品。光刻工艺包括曝光步骤、曝光步骤之后进行的显影步骤和显影步骤之后的刻蚀步骤。在曝光步骤中，光线通过掩膜版中透光的区域照射至涂覆有光刻胶的硅片上，光刻胶在光线的照射下发生化学反应；在显影步骤中，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度的不同，形成光刻图案，实现掩膜版图案转移到光刻胶上；在刻蚀步骤中，基于光刻胶层所形成的光刻图案对硅片进行刻蚀，将掩膜版的图案进一步转移至硅片上。
在半导体制造中，随着设计尺寸的不断缩小，设计尺寸越来越接近光刻成像系统的极限，光的衍射效应变得越来越明显，导致最终对设计图形产生光学影像退化，实际形成的光刻图案相对于掩膜版上的图案发生严重畸变，最终在硅片上经过光刻形成的实际图形和设计图形不同，这种现象称为光学邻近效应(OPE：Optical Proximity Effect)。亚分辨率辅助图形(Sub-Resolution Assist Features)、光学临近修正(Optical ProximityCorrection，简称OPC)、反向光刻(Inverse Lithography Technology，简称ILT)、双重图形(Double Patterning)、自对准双重图形(Self-aligned Double Patterning)等技术手段均被用来提高光刻分辨率。
散射条(Scattering Bar，简称SB)是一种亚分辨率辅助图形，其利用主图形(MainFeature)周围设置辅助图形条，以提高主图形的光刻质量。其中，主图形为可曝光图形，而散射条为不可曝光图形。
然而，现有技术设置散射条的方法无法同时使得：对各个区域的散射条充分优化，且提高第二辅助图形的稳定性。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种掩膜版图形的修正方法，以对各个区域的散射条充分优化，且提高第二辅助图形的稳定性。
为解决上述问题，本发明提供一种掩膜版图形的修正方法，包括：提供芯片图形区，所述芯片图形区包括若干主图形；基于经验规则在各主图形周围的芯片图形区中设置第一辅助图形后，对所述芯片图形区进行第一光学邻近修正，使若干主图形修正为第一修正图形；在芯片图形区内设置若干个检测区，各个检测区连接相邻第一修正图形并经过第一辅助图形；对所述芯片图形区进行模拟曝光，获取模拟曝光后对应各个检测区的光强分布；根据辅助图形修正模型和各个检测区的光强分布，将所述第一辅助图形修正为第二辅助图形；在获取第二辅助图形后，对第一修正图形进行第二光学临近修正，获取第二修正图形。
可选的，相邻主图形之间的第一辅助图形的个数为一个或两个。
可选的，相邻主图形关于所述相邻主图形之间的第一辅助图形中心对称；所述检测区连接相邻第一修正图形以及所述相邻第一修正图形之间的第一辅助图形的中心。
可选的，所述检测区为一维图形或二维图形。
可选的，将所述第一辅助图形修正为第二辅助图形的方法包括：根据获得的各个检测区的光强分布，获取各个检测区对应的光强的最大值；通过所述辅助图形修正模型根据各个检测区对应的光强的最大值和第一辅助图形的尺寸，获取第二辅助图形的尺寸；将所述第二辅助图形对应设置在各第一修正图形周围的芯片图形区中。
可选的，所述第一辅助图形为长方形；所述第一辅助图形的长边面向所述第一修正图形；各个检测区连接相邻第一修正图形并经过第一辅助图形的长边；所述第二辅助图形为长方形。
可选的，所述辅助图形修正模型包括第一辅助图形修正模型和第二辅助图形修正模型；将所述第一辅助图形修正为第二辅助图形的方法还包括：设置阈值光强。
可选的，当获得的检测区对应的光强的最大值Ipeak小于阈值光强Ithr，第二辅助图形的宽度大于第一辅助图形的宽度；采用第一辅助图形修正模型，根据检测区对应的光强的最大值Ipeak和第一辅助图形的宽度w0获取第二辅助图形的宽度和第一辅助图形的宽度之差Δw，
可选的，当获得的检测区对应的光强的最大值Ipeak大于阈值光强Ithr，第二辅助图形的宽度小于第一辅助图形的宽度；采用第二辅助图形修正模型，根据检测区对应的光强的最大值Ipeak和第一辅助图形的宽度w0获取第二辅助图形的宽度和第一辅助图形的宽度之差Δw，
可选的，设置阈值光强的方法包括：设置阈值光强的方法包括：提供测试芯片图形区组，所述测试芯片图形区组包括若干测试芯片图形区，所述测试芯片图形区包括相邻的测试主图形，所述相邻测试主图形之间的距离在各测试芯片图形区中不同；提供测试辅助图形；将所述测试辅助图形设置在各个测试芯片图形区中所述相邻的测试主图形之间；设置测试辅助图形后，对各个测试芯片图形区进行曝光，获取临界测试芯片图形区，所述临界测试芯片图形区为测试芯片图形区的其中一个，所述临界测试芯片中的相邻的测试主图形之间的距离具有临界尺寸，所述临界尺寸为：在对各个测试芯片图形区进行曝光过程中，使测试芯片图形区中测试辅助图形可曝光的测试芯片图形区中，相邻的测试主图形之间的距离的最小值；在临界测试芯片图形区内设置测试检测区，测试检测区连接所述相邻的测试主图形并经过测试辅助图形；对临界测试芯片图形区进行测试模拟曝光，获取测试模拟曝光后对应测试检测区的光强分布；将测试模拟曝光后对应测试检测区的光强分布中光强最大值设置为阈值光强。
可选的，获取模拟曝光后对应各个检测区的光强分布的步骤包括：获取模拟曝光后对应各个检测区的光强；建立坐标系，所述坐标系用于定义各个检测区位置与对应的各个检测区的光强的关系；获取模拟曝光后各个检测区的光强在所述坐标系下与检测区位置的函数关系。
可选的，所述第一修正图形的尺寸大于光刻工艺的分辨率临界值；所述第二修正图形的尺寸大于光刻工艺的分辨率临界值。
可选的，所述第一辅助图形的尺寸小于光刻工艺的分辨率临界值；所述第二辅助图形的尺寸小于光刻工艺的分辨率临界值。
可选的，光刻工艺的分辨率临界值和所述第二辅助图形的尺寸的差值为3nm～8nm。
可选的，第一光学邻近修正的次数为5次～10次；第二光学邻近修正的次数为2次～10次。
与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：
本发明技术方案提供的掩膜版图形的修正方法中，利用经验规则在各主图形周围的芯片图形区中设置第一辅助图形，第一辅助图形为设置第二辅助图形确定了个数、位置和大致的尺寸。然后通过辅助图形修正模型对各个区域的第一辅助图形分别进行修正，获得第二辅助图形。各个第二辅助图形的尺寸在第一辅助图形的尺寸基础上均分别得到充分的优化，表现为：芯片图形区中的第二辅助图形为不可曝光图形，且使得各个第二辅助图形的边缘最大程度的接近第一修正图形的边缘，使得各个第二辅助图形的尺寸均最大程度的接近光刻工艺的分辨率临界值。其次，结合经验规则和辅助图形修正模型获取第二辅助图形，使得获取第二辅助图形的过程无需全部依赖模型计算，降低了图形的修正成本，提高图形的修正效率，提高了第二辅助图形的稳定性。
附图说明
图1是本发明实施例的掩膜版图形的修正方法的流程示意图；
图2至图9是本发明实施例的掩膜版图形的修正过程的示意图。
具体实施方式
如背景技术所述，现有技术设置散射条的方法无法同时使得：对各个区域的散射条充分优化，且提高第二辅助图形的稳定性。
一种设置散射条的方法包括：提供经过光学修正的主图形；基于经验规则(rulebased)，在主图形之间的间隙内插入若干散射条，所述主图形是能够被曝光的图形，所述散射条是不能被曝光的图形；在插入散射条之后，对主图形和散射条进行光学临近检测。
所述散射条基于经验规则插入所述主图形之间，即根据经验人为预设配置规则，结合主图形之间的间隙位置和形貌、以及需要插入的散射条个数和对应位置，在主图形之间的间隙内插入若干散射条。在设置散射条之后，再对散射条与主图形之间的位置进行检测；根据检测的情况对散射条的位置和尺寸进行调整，以使得散射条的图形为不可曝光图形。然而所述方法依据经验设置的散射条的宽度在各个主图形周围设置的散射条的尺寸是一致。而不同区域的主图形的形状以及相邻主图形之间的距离均有所差别。不同区域的主图形对散射条不可曝光情况下的尺寸限制程度不同。因此，当散射条的尺寸为固定值时，无法根据不同区域的主图形的差别而对散射条进行充分的优化，表现为：在芯片图形区中的散射条为不可曝光图形的情况下，部分区域的散射条的边缘最大程度的接近主图形的边缘，而部分区域的散射条的边缘无法最大程度的接近主图形的边缘。
为了克服基于经验规则设置的散射条的缺点，提出一种基于模型设置散射条方法，包括：提供全芯片的主图形；对全芯片的主图形进行全局扫描，获取全芯片主图形参数；提供预设模型；基于预设模型，根据所获取全芯片主图形参数计算出全芯片的散射条参数；根据计算出的散射条参数在全芯片的主图形之间插入散射条。所述基于模型设置散射条方法对散射条的个数、位置和宽度进行了优化，在各个主图形周围设置的散射条的宽度均分别进行了优化，充分利用了散射条的性能。
然而，所述预设模型的算法复杂，且基于模型设置散射条方法需要对整个芯片的主图形进行全局扫描并计算，因此需要大量的计算成本和时间，从而会致使制造成本大幅提高，不利于产业化推广。另外，基于模型设置散射条方法的稳定性较差，表现为：基于模型设置散射条方法全部依赖模型计算，缺乏适当的人为预设配置，会产生大量的缺陷点，增加了消除缺陷点的难度。
在此基础上，本发明提供一种掩膜版图形的修正方法，请参考图1，图1是本发明实施例的掩膜版图形的修正方法的流程示意图，包括：
S01：提供芯片图形区，所述芯片图形区包括若干主图形；
S02：基于经验规则在各主图形周围的芯片图形区中设置第一辅助图形后，对所述芯片图形区进行第一光学邻近修正，使若干主图形修正为第一修正图形；
S03：在芯片图形区内设置若干个检测区，各个检测区连接相邻第一修正图形并经过第一辅助图形；
S04：对所述芯片图形区进行模拟曝光，获取模拟曝光后对应各个检测区的光强分布；
S05：根据辅助图形修正模型和获得的各个检测区的光强分布，将所述第一辅助图形修正为第二辅助图形；
S06：在获取第二辅助图形后，对第一修正图形进行第二光学临近修正，获取第二修正图形。
所述方法中，利用经验规则在各主图形周围的芯片图形区中设置第一辅助图形，第一辅助图形为设置第二辅助图形确定了个数、位置和大致的尺寸。然后通过辅助图形修正模型对各个区域的第一辅助图形分别进行修正，获得第二辅助图形。各个第二辅助图形的尺寸在第一辅助图形的尺寸基础上均分别得到充分的优化，表现为：芯片图形区中的第二辅助图形为不可曝光图形，且使得各个第二辅助图形的边缘最大程度的接近第一修正图形的边缘，使得各个第二辅助图形的尺寸均最大程度的接近光刻工艺的分辨率临界值。其次，结合经验规则和辅助图形修正模型获取第二辅助图形，使得获取第二辅助图形的过程无需全部依赖模型计算，降低了图形的修正成本，提高图形的修正效率，提高了第二辅助图形的稳定性。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
图2至图9是本发明实施例的掩膜版图形的修正过程的示意图。
结合参考图2和图3，图3是图2中区域A的放大示意图，提供芯片图形区200，所述芯片图形区200包括若干主图形201。
在本实施例中，所述芯片图形区200用于制作芯片在光刻过程中使用的掩膜版，以所述掩膜版为掩膜能够对晶圆上的光刻胶进行曝光，以形成晶圆上各芯片区域的光刻胶图形，以所述光刻胶图形能够对晶圆的芯片区域进行刻蚀，用于在晶圆的芯片区域形成栅极、金属互连线或导电插塞等半导体结构。
其中，所述晶圆包括若干呈阵列排列的芯片区域，相邻芯片区域之间具有切割道。在本实施例中，所述芯片图形区200用于曝光形成单个芯片区域的光刻胶图形。
所述主图形201为可曝光图形，用于定义曝光形成的光刻胶图形，且所述主图形201的尺寸大于光刻工艺的分辨率临界值。在本实施例中，所述主图形201为条形状。
所述主图形201为待处理图形，为了使后续以所述主图形201曝光形成的光刻胶图形的尺寸、位置、以及边界形貌更为精确，后续需要对所述主图形进行光学临近修正。
参考图4，图4为在图3基础上的结构示意图，基于经验规则在各主图形201周围的芯片图形区200中设置第一辅助图形210。
所述第一辅助图形210为不可曝光图形，所述第一辅助图形210的尺寸小于光刻工艺的分辨率临界值。
在本实施例中，所述第一辅助图形210为散射条。
具体的，所述经验规则为根据经验设置的预设配置规则，所述第一辅助图形210根据所述预设配置规则设置到各主图形201周围。
在实际设置第一辅助图形210的过程中，会结合主图形201之间的间隙位置和形貌设置第一辅助图形210的位置、个数和尺寸。
第一辅助图形210为设置后续的第二辅助图形确定了个数、位置和大致的尺寸。
相邻主图形201关于所述相邻主图形201之间的第一辅助图形210中心对称。
本实施例中，以相邻主图形201之间的第一辅助图形210的数量为一个或两个作为示例。
根据经验规则在各个主图形周围设置的第一辅助图形210的尺寸是一致的。后续会对第一辅助图形210进行修正以获得第二辅助图形，使得第二辅助图形的尺寸得到充分的优化。
参考图5，基于经验规则在各主图形201周围的芯片图形区200中设置第一辅助图形210后，对所述芯片图形区200进行第一光学邻近修正，使若干主图形201(参考图4)修正为第一修正图形220。
所述第一光学临近修正用于对若干主图形201进行误差修正。
所述主图形201为可曝光图形，则进行第一光学邻近修正后获得的第一修正图形220为可曝光图形。所述第一修正图形220的尺寸大于光刻工艺的分辨率临界值。
在本实施例中，所述第一光学临近修正的步骤包括：获取所述主图形201及第一辅助图形210的尺寸参数；根据所述主图形201及第一辅助图形210的尺寸参数通过第一光学临近修正模型进行计算，获取第一修正图形220。
其中，获取第一光学临近修正模型的步骤包括：首先采用以芯片图形区200制作的测试掩模版进行曝光，获取第一曝光图形；测量所述第一曝光图形的尺寸，并获得第一测试数据；将所述第一测试数据与测试掩膜版的图形数据进行比较和拟合，建立第一光学邻近修正模型。
第一光学邻近修正的次数为5次～10次，5次、8次或10次。选择此范围的意义在于：所述第一光学邻近修正的次数能够满足对若干主图形201进行误差修正的要求，且使得第一光学邻近修正的次数较少。
参考图6，在芯片图形区200内设置若干个检测区230，各个检测区230连接相邻第一修正图形220并经过第一辅助图形210。
所述检测区230为一维图形或二维图形。本实施例中，所述检测区230为一维图形，即所述检测区230为检测线。
当所述检测区230为二维图形时，所述检测区230连接相邻第一修正图形220并经过所述相邻主图形201之间的全部第一辅助图形210，或者，所述检测区230连接相邻第一修正图形220并经过所述相邻主图形201之间的部分第一辅助图形210。
本实施例中，所述检测区230连接相邻第一修正图形220以及所述相邻第一修正图形220之间的第一辅助图形210的中心。
本实施例中，所述第一辅助图形210为长方形；所述第一辅助图形210的长边面向所述第一修正图形220。各个检测区230连接相邻第一修正图形220并经过第一辅助图形210的长边；相应的，后续第二辅助图形为长方形。
参考图7，进行第一光学邻近修正后，对所述芯片图形区200进行模拟曝光，获取模拟曝光后对应各个检测区230的光强分布。
获取模拟曝光后对应各个检测区230的光强分布的步骤包括：获取模拟曝光后对应各个检测区230的光强；建立坐标系，所述坐标系用于定义各个检测区230位置与对应的各个检测区230的光强的关系；获取模拟曝光后各个检测区230的光强在所述坐标系下与检测区230位置的函数关系。
本实施例中，以所述检测区230为检测线时，对所述芯片图形区200进行模拟曝光，获取模拟曝光后对应各个检测区230的光强分布作为示例进行说明。
图7示出了以所述检测区230为检测线时，对所述芯片图形区200进行模拟曝光后获取的某一检测区230的光强分布，采用的坐标系为直角坐标系。其中x轴表示检测线的位置，检测线位置的单位为nm，所述y轴表示检测区230的光强值，光强值的单位为坎德拉。
图7中M在所述坐标系下对应的光强值为阈值光强Ithr。
所述阈值光强Ithr的意义在于：在曝光过程中，当采用光强大于或等于阈值光强Ithr的光线照射光刻胶时，光刻胶的性质发生变化，从而在光刻胶中形成曝光图形；在曝光过程中，当采用光强小于阈值光强Ithr光线照射光刻胶时，光刻胶的性质不发生变化，不会在光刻胶中形成曝光图形。
参考图8，根据辅助图形修正模型和各个检测区230的光强分布，将所述第一辅助图形210修正为第二辅助图形240。
在本实施例中，所述第二辅助图形240为散射条，利用曝光过程中，曝光光线发生干涉衍射的现象，增强曝光图形的对比度，提高曝光图形的边界形貌。
所述第二辅助图形240为不可曝光图形，所述第二辅助图形240的尺寸小于光刻工艺的分辨率临界值。
将所述第一辅助图形210修正为第二辅助图形240的方法包括：根据获得的各个检测区230的光强分布，获取各个检测区230对应的光强的最大值；通过所述辅助图形修正模型根据各个检测区230对应的光强的最大值和第一辅助图形210的尺寸，获取第二辅助图形240的尺寸；将所述第二辅助图形240对应设置在各第一修正图形220周围的芯片图形区200中。
所述辅助图形修正模型包括第一辅助图形修正模型和第二辅助图形修正模型。
将所述第一辅助图形修正为第二辅助图形的方法还包括：设置阈值光强Ithr。
设置阈值光强的方法包括：提供测试芯片图形区组，所述测试芯片图形区组包括依次排列的若干测试芯片图形区，所述测试芯片图形区包括相邻的测试主图形，所述相邻测试主图形之间的距离在各测试芯片图形区中不同；提供测试辅助图形；将所述测试辅助图形设置在各个测试芯片图形区中所述相邻的测试主图形之间；设置测试辅助图形后，对各个测试芯片图形区进行曝光，获取临界测试芯片图形区，所述临界测试芯片图形区为测试芯片图形区的其中一个，所述临界测试芯片中的相邻的测试主图形之间的距离具有临界尺寸，所述临界尺寸为：在对各个测试芯片图形区进行曝光过程中，使测试芯片图形区中测试辅助图形可曝光的测试芯片图形区中，相邻的测试主图形之间的距离的最小值；在临界测试芯片图形区内设置测试检测区，测试检测区连接所述相邻的测试主图形并经过测试辅助图形；对临界测试芯片图形区进行测试模拟曝光，获取测试模拟曝光后对应测试检测区的光强分布；将测试模拟曝光后对应测试检测区的光强分布中光强最大值设置为阈值光强。
当获得的检测区230对应的光强的最大值Ipeak小于阈值光强Ithr，第二辅助图形240的宽度大于第一辅助图形220的宽度；采用第一辅助图形修正模型，根据检测区230对应的光强的最大值Ipeak和第一辅助图形220的宽度w0获取第二辅助图形240的宽度和第一辅助图形220的宽度之差Δw，
当获得的检测区230对应的光强的最大值Ipeak大于阈值光强Ithr，第二辅助图形240的宽度小于第一辅助图形220的宽度；采用第二辅助图形修正模型，根据检测区对应的光强的最大值Ipeak和第一辅助图形的宽度w0获取第二辅助图形240的宽度和第一辅助图形220的宽度之差Δw，
所述辅助图形修正模型的算法较为简单，使得对第一辅助图形220的修正过程较为简单。
利用经验规则设置在各主图形201周围的芯片图形区200中设置第一辅助图形220，第一辅助图形220为设置第二辅助图形240确定了个数、位置和大致的尺寸。然后通过辅助图形修正模型对各个区域的第一辅助图形220分别进行修正，获得第二辅助图形240。各个第二辅助图形240的尺寸在第一辅助图形220的尺寸基础上均分别得到充分的优化，表现为：芯片图形区200中的第二辅助图形240为不可曝光图形，且使得各个第二辅助图形240依据所相邻的主图形而最大程度的靠近光刻工艺的分辨率临界值。
具体的，本实施例中，光刻工艺的分辨率临界值和所述第二辅助图形240的尺寸的差值为3nm～8nm。
其次，结合经验规则和辅助图形修正模型获取第二辅助图形240，无需全部依赖模型计算，因此能够提高第二辅助图形240的稳定性。
参考图9，在获取第二辅助图形240后，对第一修正图形220(参考图8)进行第二光学临近修正，获取第二修正图形250。
所述第二修正图形250为可曝光图形，所述第二修正图形250的尺寸大于光刻工艺的分辨率临界值。
所述第二次光学临近修正用于对第一修正图形220进行误差修正。
所述第二光学邻近修正的次数为2次～10次，如2次、5次、8次或10次。选择此范围的意义在于：所述第二光学邻近修正的次数能够满足对第一修正图形220进行误差修正的要求，且使得第二光学邻近修正的次数较少。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (15)

1.一种掩膜版图形的修正方法，其特征在于，包括：
提供芯片图形区，所述芯片图形区包括若干主图形；
基于经验规则在各主图形周围的芯片图形区中设置第一辅助图形后，对所述芯片图形区进行第一光学邻近修正，使若干主图形修正为第一修正图形；
在芯片图形区内设置若干个检测区，各个检测区连接相邻第一修正图形并经过第一辅助图形；
对所述芯片图形区进行模拟曝光，获取模拟曝光后对应各个检测区的光强分布；
根据辅助图形修正模型和各个检测区的光强分布，将所述第一辅助图形修正为第二辅助图形；
在获取第二辅助图形后，对第一修正图形进行第二光学临近修正，获取第二修正图形。
2.根据权利要求1所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，相邻主图形之间的第一辅助图形的个数为一个或两个。
3.根据权利要求1所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，相邻主图形关于所述相邻主图形之间的第一辅助图形中心对称；所述检测区连接相邻第一修正图形以及所述相邻第一修正图形之间的第一辅助图形的中心。
4.根据权利要求1所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，所述检测区为一维图形或二维图形。
5.根据权利要求1所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，将所述第一辅助图形修正为第二辅助图形的方法包括：根据获得的各个检测区的光强分布，获取各个检测区对应的光强的最大值；通过所述辅助图形修正模型根据各个检测区对应的光强的最大值和第一辅助图形的尺寸，获取第二辅助图形的尺寸；将所述第二辅助图形对应设置在各第一修正图形周围的芯片图形区中。
6.根据权利要求5所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，所述第一辅助图形为长方形；所述第一辅助图形的长边面向所述第一修正图形；各个检测区连接相邻第一修正图形并经过第一辅助图形的长边；所述第二辅助图形为长方形。
7.根据权利要求6所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，所述辅助图形修正模型包括第一辅助图形修正模型和第二辅助图形修正模型；将所述第一辅助图形修正为第二辅助图形的方法还包括：设置阈值光强。
8.根据权利要求7所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，当获得的检测区对应的光强的最大值Ipeak小于阈值光强Ithr，第二辅助图形的宽度大于第一辅助图形的宽度；采用第一辅助图形修正模型，根据检测区对应的光强的最大值Ipeak和第一辅助图形的宽度w0获取第二辅助图形的宽度和第一辅助图形的宽度之差Δw，
9.根据权利要求7所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，当获得的检测区对应的光强的最大值Ipeak大于阈值光强Ithr，第二辅助图形的宽度小于第一辅助图形的宽度；采用第二辅助图形修正模型，根据检测区对应的光强的最大值Ipeak和第一辅助图形的宽度w0获取第二辅助图形的宽度和第一辅助图形的宽度之差Δw，
10.根据权利要求7所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，设置阈值光强的方法包括：提供测试芯片图形区组，所述测试芯片图形区组包括若干测试芯片图形区，所述测试芯片图形区包括相邻的测试主图形，所述相邻测试主图形之间的距离在各测试芯片图形区中不同；提供测试辅助图形；将所述测试辅助图形设置在各个测试芯片图形区中所述相邻的测试主图形之间；设置测试辅助图形后，对各个测试芯片图形区进行曝光，获取临界测试芯片图形区，所述临界测试芯片图形区为测试芯片图形区的其中一个，所述临界测试芯片中的相邻的测试主图形之间的距离具有临界尺寸，所述临界尺寸为：在对各个测试芯片图形区进行曝光过程中，使测试芯片图形区中测试辅助图形可曝光的测试芯片图形区中，相邻的测试主图形之间的距离的最小值；在临界测试芯片图形区内设置测试检测区，测试检测区连接所述相邻的测试主图形并经过测试辅助图形；对临界测试芯片图形区进行测试模拟曝光，获取测试模拟曝光后对应测试检测区的光强分布；将测试模拟曝光后对应测试检测区的光强分布中光强最大值设置为阈值光强。
11.根据权利要求1所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，获取模拟曝光后对应各个检测区的光强分布的步骤包括：获取模拟曝光后对应各个检测区的光强；建立坐标系，所述坐标系用于定义各个检测区位置与对应的各个检测区的光强的关系；获取模拟曝光后各个检测区的光强在所述坐标系下与检测区位置的函数关系。
12.根据权利要求1所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，所述第一修正图形的尺寸大于光刻工艺的分辨率临界值；所述第二修正图形的尺寸大于光刻工艺的分辨率临界值。
13.根据权利要求1所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，所述第一辅助图形的尺寸小于光刻工艺的分辨率临界值；所述第二辅助图形的尺寸小于光刻工艺的分辨率临界值。
14.根据权利要求13所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，光刻工艺的分辨率临界值和所述第二辅助图形的尺寸的差值为3nm～8nm。
15.根据权利要求1所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，第一光学邻近修正的次数为5次～10次；第二光学邻近修正的次数为2次～10次。
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