CN114415466B - 一种版图图形的修正方法及系统 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种版图图形的修正方法及系统，其包括以下步骤：设置输入图形，且所述输入图形包括主图形和辅助图形；根据光刻机的光强阈值获取曝光阈值范围；将所述输入图形进行修正，并输出所述输入图形的光强图；判断所述辅助图形的光强是否小于最小曝光阈值；当所述辅助图形的光强小于最小曝光阈值时，获取修正后的输入图形；以及当所述辅助图形的光强等于或大于最小曝光阈值时，重新修正所述输入图形，直至所述辅助图形的光强阈值小于最小曝光阈值。通过本发明提供的一种版图图形的修正方法及系统，可提高曝光显影的准确率。

Description

一种版图图形的修正方法及系统

技术领域

本发明属于集成电路制造领域，特别涉及一种版图图形的修正方法及系统。

背景技术

在半导体设计的版图中，密集（dense）图形与稀疏（ISO）图形的光刻工艺窗口（Process Window）是不一致的，适用于版图中的密集图形的曝光条件不一定适用于稀疏图形的曝光。因此，对于同时包含密集图形和稀疏图形的复杂版图而言，共同工艺窗口（Common Window）比较小，在版图稀疏图形的周围放置辅助图形条，可提升主图形在光刻过程中的品质。

辅助图形条的尺寸小于光刻机的分辨率，在曝光时，只对光线起到散射作用，而不会在光刻胶上形成图像。因模型没有辅助图形条参与拟合，辅助图形条在进行光学临近效应修正时，易导致修正后的辅助图形被显示出来，进而影响曝光显影的准确性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种版图图形的修正方法及系统，通过本发明提供的版图图形的修正方法，可提高曝光显影的准确性。

为解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：

本发明提供一种版图图形的修正方法，至少包括以下步骤：

设置输入图形，且所述输入图形包括主图形和辅助图形；

根据光刻机的光强阈值获取曝光阈值范围；

修正所述输入图形进行，并输出所述输入图形的光强图；

判断所述辅助图形的光强是否小于最小曝光阈值；当所述辅助图形的光强小于最小曝光阈值时，获取修正后的模拟图形；以及当所述辅助图形的光强等于或大于最小曝光阈值时，重新修正所述输入图形，直至所述辅助图形的光强阈值小于最小曝光阈值。

在本发明一实施例中，所述主图形的尺寸大于光刻机的分辨率，所述辅助图形的尺寸小于光刻机的分辨率。

在本发明一实施例中，所述主图形包括矩形条，以及设置在矩形条两侧的凸部。

在本发明一实施例中，所述曝光阈值范围中，最小曝光阈值等于光刻机光强阈值的85%~90%。

在本发明一实施例中，判断所述辅助图形的光强是否小于最小曝光阈值的方法为：判断每组输入图形的光强图与曝光阈值范围的交点是否大于2。

在本发明一实施例中，所述版图图形的修正方法还包括：

获取输入图形的目标图形和模拟图形的拟合度；

其中，所述目标图形为主图形在晶圆上的目标图形，所述拟合度包括所述目标图形和所述模拟图形各点差值的均方根值。

在本发明一实施例中，所述版图图形的修正方法还包括：

保存拟合度，以及与拟合度对应的光学临近效应修正模型；以及

获取最佳光学临近效应修正模型，并以最佳光学临近效应修正模型修正所述输入图形。

在本发明一实施例中，获取所述最佳光学临近效应修正模型的方法包括：

设定预设阈值，当所述拟合度小于预设阈值时，将所述拟合度对应的光学临近效应修正模型作为所述最佳光学临近效应修正模型。

在本发明一实施例中，获取所述最佳光学临近效应修正模型的方法包括：

获取光学临近效应修正模型中内核参数的范围、以及输入图形在掩膜版上的位置信息的范围；

获取每个所述内核参数以及每个所述位置信息，所述光学临近效应修正模型对应的拟合度，并将拟合度最好时的光学临近效应修正模型作为所述最佳光学临近效应修正模型。

本发明还提供一种光学临近效应的修正系统，包括：

图形输入单元，用于设置输入图形，且所述输入图形包括主图形和辅助图形；

参数调整单元，用于获取曝光阈值范围；以及

执行单元，用于修正所述输入图形进行，并输出所述输入图形的光强图；并判断所述辅助图形的光强是否小于最小曝光阈值，当所述辅助图形的光强小于最小曝光阈值时，获取修正后的模拟图形；当所述辅助图形的光强等于或大于最小曝光阈值时，重新修正所述输入图形，直至所述辅助图形的光强阈值小于最小曝光阈值。

如上所述本发明提供的一种版图图形的修正方法及系统，在输入图形中设置辅助图形，并将辅助图形的光强图显示出来，并判定辅助图形的光强是否超过设置的曝光阈值范围。将输出辅助图形的光强小于曝光阈值范围时的模拟图形作为输出的模拟图形，增加曝光显影的准确性。

当然，实施本发明的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为一种版图图形的修正方法流程图。

图2为另一种版图图形的修正方法流程图。

图3为一种输入图形的示意图。

图4为另一种输入图形的示意图。

图5为辅助图形被曝光显影时的光强图。

图6为辅助图形未被曝光显影时的光强图。

图7为一种光学临近效应修正模型的获取系统结构图。

图8为一种计算机可读存储介质的框图。

图9为一种电子设备的结构原理框图。

标号说明：

100主图形；101辅助图形；201图形输入单元；202参数调整单元；203参数输入单元；204光学临近效应修正模型存储单元；205执行单元；206拟合度获取单元；207存储单元；208最佳光学临近效应修正模型获取单元；30计算机可读存储介质；300计算机指令；40处理器；50存储器；W1辅助图形的尺寸；W2主图形的尺寸。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

在半导体集成电路的制程中，首先进行电路设计，再将电路设计方案经过版图设计形成版图图形后，将版图图形转移至掩膜版上。具体例如可将版图图形通过电子束曝光机曝光，并将图形曝光至掩膜版上，然后经过显影、干法蚀刻等过程图形精确地定像在掩膜版上。在形成掩膜后，例如可以使用光刻的方式，将掩膜图形转移到晶圆上，可形成目标图形，即为所需的半导体集成电路。且为保证生产过程中设计图形的边缘得到完整的蚀刻，在光刻前，对掩膜图形采用光学邻近效应修正(optical proximity correction，OPC)，使得掩膜图形在晶圆上形成的目标图形与设计的版图图形高度拟合。

其中，光学邻近效应修正包括基于经验的光学邻近效应修正和基于模型的光学邻近效应修正。本申请以基于模型的光学邻近效应修正为例，基于模型的光学临近效应修正使用光学模型和光刻胶化学反应模型来模拟曝光后的掩膜图形，以及模拟通过蚀刻在晶圆上形成的目标图形，即模拟图形。基于模型的光学临近效应修正首先需要把掩膜图形的边缘识别出来，让每一个边缘可以自由移动，光学模型和光刻胶化学反应模型仿真出的模拟图形并和设计图形的目标图形对比，当他们之间的误差小就意味着模拟图形并和设计图形的目标图形接近，修正软件在运行时移动边缘位置，并实时获取模拟图形并和目标图形之间的误差。不断重复这一过程直到误差达到可以接受的值。

请参阅图1所示，本发明提供一种版图图形的修正方法，通过本发明提供的版图图形的修正方法，可提高制程的半导体器件的的质量。具体的，本发明提供的一种版图图形的修正方法包括步骤S101~S1091或S101~S1092。

S101、设置输入图形。

请参阅图2所示，在本发明一实施例中，输入图形包括主图形100和辅助图形101。且本发明并不限制主图形100和辅助图形101的数量，将辅助图形101设置在主图形100的一侧即可。在输入图形中，主图形的尺寸W2大于光刻机的分辨率，辅助图形的尺寸W1小于光刻机的分辨率。本发明中的输入图形可以为自行设置的光学临近效应修正模型的验证图形，也可以为实际设计的版图图形，本发明对此不作限制。

请参阅图1至图3所示，在本发明一具体实施例中，输入图形为自行设置的光学临近效应修正模型的验证图形。为保证目标图形的准确性，可设置多组输入图形，例如可将0至光刻机分辨率（不包括端点）的数值范围等分为n等份，在每组输入图形中，取每等份中的最大值作为辅助图形的尺寸W1。且还可以设置有多组图形，且每组输入图形的形状各不相同。在本实施例中，输入图形呈矩形的条状设置。在另一些实施例中，输入图形可以为其他形状的图形，例如为矩形、圆形、弧形、椭圆形或环形等图形。在其他实施例中，输入图形包括多个弯折部的图形。

请参阅图1所示，在本发明一具体实施例中，如图1所示，输入图形呈矩形条设置，且将光刻机分辨率的数值范围等分为例如10等份，则包括10组输入图形（图2和图3例如显示其中的3组）。每组输入图形中主图形100和辅助图形101之间的距离不同，且每组图输入图形中辅助图形的尺寸W1不同。在本实施例中，如图3所示，主图形100和辅助图形101均为矩形条。且在每组输入图形中，在主图形100的两侧，分别设置有一个辅助图形101，且辅助图形101与主图形100的距离大于光刻机的分辨率。在本发明另一实施例中，如图4所示，在每组输入图形中，主图形100呈矩形条设置，且在矩形的两端，设置有凸部。在每个主图形100的两侧，设置有一个辅助图形101，且辅助图形101呈矩形条设置，且辅助图形101与主图形100的距离大于光刻机的分辨率。

请参阅图1至图3所示，在本发明一实施例中，在掩膜版上形成输入图形100和监控图形101后，执行步骤S102、调节光刻机的参数。

请参阅图1、图2、图5和图6所示，调节光刻机内的参数包括设置光刻机的曝光阈值范围，且曝光阈值还包括标准曝光阈值A₀、最大曝光阈值A₂和最小曝光阈值A₁。如图5和图6所示，图中横坐标P为输入图形在掩膜版上的位置，纵坐标E为光强。其中，标准曝光阈值A₀为光刻机的光强阈值，当输入图形的光强值超过标准曝光阈值A₀时，在光刻时可被显影出来。当输入图形的光强值未超过标准曝光阈值A₀时，则在光刻时不会被显影出来。实际上，标准曝光阈值的大小与光刻机的分辨率对应，当输入图形的尺寸等于分辨率时，输入图形的光强值为标准曝光阈值。在本发明中，最大光强阈值A₂为标准曝光阈值A₀的110%~115%，具体例如115%。最小光强阈值A₁为标准曝光阈值A₀的85%~90%，具体例如85%。将曝光阈值范围设定在最小曝光阈值A₁和最大曝光阈值A₂之间，可进一步降低辅助图形101在修正后被显示曝光的概率。且使得通过光学邻近效应修正模型修正后的掩膜图案，在光刻后与输入图形的模拟图形拟合度更好。且曝光阈值范围的设置可进一步避免相邻掩膜图形之间的间隙经光学邻近效应修正未被显影，以及尺寸过小的图形经光学邻近效应修正被显影出来。

请参阅图1所示，在本发明一实施例中，在调节光刻机内的参数后，执行步骤S103、将输入图形信息以及晶圆的关键尺寸信息输入光学临近效应修正模型。

请参阅图1和图3所示，在本发明一实施例中，在步骤S103中，输入图形信息包括主图形100和辅助图形101及其关键尺寸信息、以及主图形100和辅助图形101在掩膜版上的位置信息等。其中，本实施例中的光学临近效应修正模型为通过经验值设置的初始光学临近效应修正模型，光学临近效应修正模型中设置有内核参数，可模拟输入图形在晶圆上的模拟图形。在光学临近效应修正模型中，还可以根据输入图形信息和晶圆的关键尺寸信息，获取输入图形在晶圆上的目标图形。且本发明中的目标图形只有主图形100，辅助图形101并不显示在晶圆上。

请参阅图1所示，本发明并不限制步骤S101、步骤S102和步骤S103的具体顺序，即可先设置输入图形，再输入设置光刻机的参数，以及输入图形和晶圆的关键尺寸信息。也可先设置光刻机的参数，再输入设置、以及输入测试图和晶圆的关键尺寸信息等。对其他顺序不作详细列举。

S104、调整光学临近效应修正模型中的参数，修正输入图形。

请参阅图1和图3所示，在本发明一实施例中，在步骤S104中，光学临近效应修正模型可根据光刻机的参数信息、掩膜的波长、能量等信息、光刻胶的信息以及掩膜信息，调整内核参数和输入图形在掩膜版上的位置范围，即调整输入图形的每个边缘移动的范围和输入图形在掩膜版上的位置范围。在本实施例中，即调整主图形100和辅助图形101的每个边缘位置，以及主图形100和辅助图形101在掩膜版上的位置。例如包括主图形100和辅助图形101在经过曝光前需要设置的每个边长的权重，在失真或圆角处需要通过改变掩膜图形进行补偿或擦除，以及输入图形在掩膜版上的位置信息。调整输入图形后，可模拟输入图形在经过光刻后在晶圆上的模拟图形，使得输出的模拟图形与输入图形的目标图形高度拟合。

请参阅图1所示，在本发明一实施例中，在步骤S104中，在修正输入图形时，可获取输入图形的光强图。在修正完输入图形后，可获取输入图形在晶圆上的模拟图形。

请参阅图1所示，在本发明一实施例中，当执行完成步骤S104后，执行步骤S105、判断辅助图形的光强是否小于最小曝光阈值，当辅助图形的光强小于最小曝光阈值时，执行步骤S106、获取修正后的模拟图形，当辅助图形的光强等于或大于最小曝光阈值时，返回步骤S104，直至辅助图形的光强小于最小曝光阈值。

请参阅图1和图3所示，在本实施例中，在判断输入图形的修正是否符合要求时，首先判断辅助图形101修正后的光强是否小于最小阈值，可保证输出后的辅助图形101只在曝光显影的过程中，提高焦深，进而改善光刻工艺窗口，以及改善光强对比，减小边缘放置误差（Edge Placement Error，EPE)。而不会造成修正后的辅助图形101被曝光显影在晶圆上，进而影响在晶圆上的模拟图形的品质。当辅助图形101的光强小于最小曝光阈值时，修正后的辅助图形101一定不会被曝光显影出来。当辅助图形101的光强等于或大于最小曝光阈值时，修正后的辅助图形101可能被曝光显影出来。本申请只保存辅助图形101的光强小于最小曝光阈值的修正后输入图形，可保证辅助图形101不被曝光显影出来。

请参阅图1和图3所示，在本实施例中，判断辅助图形101的光强是否小于最小曝光阈值的方法为：判断每组输入图形的光强图与曝光阈值的交点是否具有两个以上交点，即判断每组输入图形的光强图与曝光阈值的交点是否大于2。输入图形中主图形100的光强大于曝光阈值，辅助图形101的光强小于曝光阈值，进而输入图形与曝光阈值有两个交点。且通过判断输入图形与曝光阈值的交点判断输出的模拟图形是否符合要求，即可避免辅助图形101被曝光显影出来，也可避免主图形100在修正过程中有缺失部分，进而导致输出的模拟图形与目标图形有较大的差别。例如主图形100的光强值小于阈值最大曝光阈值范围时，可能存在设备原因导致曝光显影不准确的可能。本实施例通过判断交点的数量筛选输入图形的模拟图形，也可避免这种因设备原因导致的曝光显影不准确的可能性。在其他实施例中，判断辅助图形101的光强是否小于最小曝光阈值的方法可以依照主图形100的形状确定，本发明对此不作限制。

请参阅图1所示，在本发明一实施例中，为保证输出的模拟图形的准确性，本发明提供的修正方法还包括步骤S107、获取模拟图形和目标图形的拟合度，并保存与拟合度对应的光学临近效应修正模型。在本实施例中，拟合度R的表达式为：

R=RMS（目标图形-模拟图形）+阈值系数×加倍系数。

其中，RMS（目标图形-模拟图形）为目标图形和模拟图形各点差值的均方根值。阈值系数根据输入图形的光强图与曝光阈值的交点确定，当输入图形和与曝光阈值具有两个以上交点时，阈值系数为1，当输入图形和与曝光阈值仅有两个交点时，阈值系数为0。加倍系数为设置值，范围例如为80-150，具体例如为100。

请参阅图1和图3所示，在本实施例中，拟合度的设置可进一步滤除可能显示的辅助图形101。且在本实施例中，将拟合度与对应的光学临近效应模型对应保存，可根据需求获取拟合度更好的光学临近效应模型，或者获取设置的参数范围内，拟合度最好的光学临近效用模型，以实现对输入图形最合适的修正。且拟合度R的数值越小，模拟图形和目标图形的拟合度越好。

请参阅图1所示，在本发明一实施例中，当执行完成步骤S104至步骤S107后，可使用光学临近效应修正模型多次调整输入图形，获取多个模拟图形，以及模拟图形和目标图形之间的拟合度。其中，光学临近效应修正模型可通过调整输入图形的权重，位置信息等，调整输出的模拟图形。在本实施例中，在调整过程中，每次调整时，光学临近效应修正模型可根据多次输出的模拟图形，以及模拟图形与目标图形之间的拟合度，趋向拟合度好的方向调整，可加快调整时间。

请参阅图1所示，本发明可使用多种方法判定是否可结束调整过程，在本发明一实施例中，在执行完成步骤S106和步骤S107后，执行步骤S1081至骤S1091。获取最佳光学临近效应修正模型，并以最佳光学临近效应修正模型修正输入图形。且本实施实施例中，在步骤S103中，可设置有光学临近效应修正模型中内核参数的范围、以及版图图形在掩膜版上的位置信息的范围，且将每个参数的范围分为多个等份。

S1081、判断是否在光学临近效应修正模型中内核参数的范围、以及版图图形在掩膜版上的位置信息的范围中的所有位置，获取模拟图形和目标图形的拟合度，以及拟合度对应的光学临近效应修正模型。当已获取所有位置的模拟图形和目标图形的拟合度，以及对应的光学临近效应修正模型，执行步骤S1091，若未获取所有位置的模拟图形和目标图形的拟合度，以及对应的光学临近效应修正模型，返回步骤S104。

S1091、获取拟合度最好的光学临近效应修正模型，并将该模型作为光学临近效应修正模型作为最佳光学临近效应修正模型。

在本实施例中，将拟合度最小的光学临近效应模型作为最佳光学临近效应模型，并以最佳光学临近效应模型修正之后的输入图形。

请参阅图2所示，在本发明另一实施例中，当内核参数的范围以及位置信息的范围过大，或划分范围时等分过细时，获取光学临近效应修正模型的时间过长。本发明还提供一种版图图形的修正方法，可最大速度的获取符合需求的光学临近效应修正模型。具体过程包括步骤S101至步骤S107，以及步骤S1082至步骤S1092。进而获取最佳光学临近效应修正模型，并以最佳光学临近效应修正模型修正输入图形。

S1082、判断光学临近效应修正模型对应的拟合度是否小于预设阈值，若小于预设阈值，则执行步骤S1092、将拟合度小于预设阈值的光学临近效应修正模型作为光学临近效应修正模型。若大于或等于预设阈值，则返回步骤S104。

请参阅图2和图3所示，在本发明一实施例中，当存在辅助图形101小于曝光阈值的光学临近效应修正模型时，此时的光学临近效应修正模型为最佳光学临近效应修正模型。其中，预设阈值的大小为0~3nm，例如0~1nm，具体例如0nm、0.5nm、0.8nm等。

请参阅图2和图3所示，在本实施例中，在执行完成步骤S1092再执行步骤S104时，系统可根据多次输出的模拟图形，以及模拟图形与目标图形之间的拟合度，趋向拟合度好的方向调整。循环执行步骤S104至步骤S1092直至拟合度的阈值等于或大于设定阈值。

请参阅图3和图7所示，本发明还提供一种光学临近效应修正模型的获取系统，包括图形输入单元201、参数调整单元202、参数输入单元203、光学临近效应修正模型存储单元204、执行单元205、拟合度获取单元206、存储单元207和最佳光学临近效应修正模型获取单元208。其中，图形输入单元201用于设置输入图形，且输入图形包括主图形100和辅助图形101。参数调整单元202用于调整输入光刻机的参数，参数输入单元203用于将输入图形信息以及晶圆的关键尺寸信息输入光学临近效应修正模型。光学临近效应修正模型存储单元204用于存储多个光学临近效应修正模型。执行单元205用于调整光学临近效应修正模型中的参数，修正输入图形。并判断输出的辅助图形的光强是否小于最小曝光阈值，当辅助图形的光强小于最小曝光阈值时，获取修正后的模拟图形，当辅助图形的光强等于或大于最小曝光阈值时，重新调整光学临近效应修正模型中的参数，直至获取辅助图形的光强小于最小曝光阈值的模拟图形。拟合度获取单元206用于获取模拟图形和目标图形的拟合度。存储单元207用于保存拟合度以及与拟合度对应的光学临近效应修正模型。最佳光学临近效应修正模型获取单元208用于在存储单元207中获取最佳光学临近效应修正模型。

请参阅图8所示，本实施例还提出一种计算机可读存储介质30，计算机可读存储介质30存储有计算机指令300，计算机指令300用于使用所述版图图形的修正方法。计算机可读存储介质30可以是，电子介质、磁介质、光介质、电磁介质、红外介质或半导体系统或传播介质。计算机可读存储介质30还可以包括半导体或固态存储器、磁带、可移动计算机磁盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、硬磁盘和光盘。光盘可以包括光盘-只读存储器(CD-ROM)、光盘-读/写(CD-RW)和DVD。

请参阅图9所示，本发明还提供一种电子设备，包括处理器40和存储器50，存储器50存储有程序指令，处理器40运行程序指令实现所述版图图形的修正方法。处理器40可以是通用处理器，包括中央处理器（Central Processing Unit，简称CPU）、网络处理器（Network Processor，简称NP）等；还可以是数字信号处理器（Digital SignalProcessing，简称DSP）、专用集成电路（Application Specific Integrated Circuit，简称ASIC）、现场可编程门阵列（Field-Programmable Gate Array，简称FPGA）或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件；存储器50可能包含随机存取存储器（Random Access Memory，简称RAM），也可能还包括非易失性存储器（Non-VolatileMemory），例如至少一个磁盘存储器。存储器50也可以为随机存取存储器（Random AccessMemory，RAM）类型的内部存储器，处理器40、存储器50可以集成为一个或多个独立的电路或硬件，如：专用集成电路（Application SpecificIntegrated Circuit，ASIC）。需要说明的是，存储器50中的计算机程序可以通过软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备（可以是个人计算机，电子设备，或者网络设备等）执行本发明各个实施例方法的全部或部分步骤。

以上公开的本发明实施例只是用于帮助阐述本发明。实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施方式。显然，根据本说明书的内容，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地理解和利用本发明。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (8)

1.一种版图图形的修正方法，其特征在于，至少包括以下步骤：

设置输入图形，且所述输入图形包括主图形和辅助图形；

根据光刻机的光强阈值获取曝光阈值范围；

修正所述输入图形，并输出所述输入图形的光强图；

判断所述辅助图形的光强是否小于最小曝光阈值，且判断所述辅助图形的光强是否小于最小曝光阈值的方法为：判断每组输入图形的光强图与曝光阈值范围的交点是否大于2；当所述辅助图形的光强小于最小曝光阈值时，获取修正后的模拟图形；当所述辅助图形的光强等于或大于最小曝光阈值时，重新修正所述输入图形，直至所述辅助图形的光强阈值小于最小曝光阈值；

获取输入图形的目标图形和模拟图形的拟合度；其中，所述目标图形为主图形在晶圆上的目标图形，所述拟合度包括所述目标图形和所述模拟图形各点差值的均方根值；且所述拟合度的表达式为：R=RMS（目标图形-模拟图形）+阈值系数×加倍系数；其中，RMS（目标图形-模拟图形）为所述目标图形和所述模拟图形各点差值的均方根值，阈值系数根据所述输入图形的光强图与曝光阈值的交点确定。

2.根据权利要求1所述的一种版图图形的修正方法，其特征在于，所述主图形的尺寸大于光刻机的分辨率，所述辅助图形的尺寸小于光刻机的分辨率。

3.根据权利要求1所述的一种版图图形的修正方法，其特征在于，所述主图形包括矩形条，以及设置在矩形条两侧的凸部。

4.根据权利要求1所述的一种版图图形的修正方法，其特征在于，所述曝光阈值范围中，最小曝光阈值等于光刻机光强阈值的85%~90%。

5.根据权利要求1所述的一种版图图形的修正方法，其特征在于，所述版图图形的修正方法还包括：

保存所述拟合度，以及与所述拟合度对应的光学临近效应修正模型；以及

获取最佳光学临近效应修正模型，并以最佳光学临近效应修正模型修正所述输入图形。

6.根据权利要求5所述的一种版图图形的修正方法，其特征在于，获取所述最佳光学临近效应修正模型的方法包括：

设定预设阈值，当所述拟合度小于预设阈值时，将所述拟合度对应的光学临近效应修正模型作为所述最佳光学临近效应修正模型。

7.根据权利要求5所述的一种版图图形的修正方法，其特征在于，获取所述最佳光学临近效应修正模型的方法包括：

获取光学临近效应修正模型中内核参数的范围、以及输入图形在掩膜版上的位置信息的范围；

获取每个所述内核参数以及每个所述位置信息，所述光学临近效应修正模型对应的拟合度，并将拟合度最好时的光学临近效应修正模型作为所述最佳光学临近效应修正模型。

8.一种光学临近效应的修正系统，其特征在于，至少包括：

图形输入单元，用于设置输入图形，且所述输入图形包括主图形和辅助图形；

参数调整单元，用于获取曝光阈值范围；以及

执行单元，用于修正所述输入图形进行，并输出所述输入图形的光强图；并判断所述辅助图形的光强是否小于最小曝光阈值，其中，判断所述辅助图形的光强是否小于最小曝光阈值的方法为：判断每组输入图形的光强图与曝光阈值范围的交点是否大于2；当所述辅助图形的光强小于最小曝光阈值时，获取修正后的模拟图形；当所述辅助图形的光强等于或大于最小曝光阈值时，重新修正所述输入图形，直至所述辅助图形的光强阈值小于最小曝光阈值；并获取输入图形的目标图形和模拟图形的拟合度；其中，所述目标图形为主图形在晶圆上的目标图形，所述拟合度包括所述目标图形和所述模拟图形各点差值的均方根值；且所述拟合度的表达式为：R=RMS（目标图形-模拟图形）+阈值系数×加倍系数；其中，RMS（目标图形-模拟图形）为所述目标图形和所述模拟图形各点差值的均方根值，阈值系数根据所述输入图形的光强图与曝光阈值的交点确定。

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