CN114415467B - 一种光学临近效应修正模型的获取方法及系统 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种光学临近效应修正模型的获取方法及系统，其包括以下步骤：建立初始模型；设置测试图形，并在所述测试图形的一侧设置监控图形，且所述测试图形和所述监控图形之间具有间隙；获取光刻机的曝光阈值范围；调整所述初始模型中的参数，修正所述测试图形和所述监控图形，并获取所述测试图形和所述监控图形的光强分布图，以及所述测试图形和所述监控图形在晶圆上的模拟图形；以及将所述间隙的光强值小于曝光阈值范围，且所述模拟图形与目标图形拟合度最高时的初始模型，作为光学临近效应修正模型。通过本发明提供的一种光学临近效应修正模型的获取方法及系统，可提高半导体制程的准确率。

Description

一种光学临近效应修正模型的获取方法及系统

技术领域

本发明属于集成电路制造领域，特别涉及一种光学临近效应修正模型的获取方法及系统。

背景技术

随着半导体制成行业的发展，在将版图转移到掩膜版上，再转移到晶圆上时，对分辨率的要求越来越高，可通过调节照射光的波长、光刻机、光刻胶以及掩膜的种类改善分辨率。

相移掩模(Phase Shift Mask, PSM)是同时利用光线的强度和相位来成像，得到更高分辨率的一种分辨率增强技术。当使用相移掩模技术进行图形转移时，使用相移掩模易于在设计图形边缘的暗区一侧形成一个光强小峰，称为边锋（side-lobe）。在较强的曝光能量下，边锋的能量可能会大于光刻胶曝光的阈值，当两个相邻图形的边锋叠加在一起时，会出现光刻胶损失，形成称为边锋效应。进而导致最终晶圆上形成的图形与设计图形不同。且边锋效应的出现的概率是随机的，在检测时会损耗大量的人力和时间。

发明内容

本发明的目的在于提供一种光学临近效应修正模型的获取方法及系统，通过本发明提供的光学临近效应修正模型的获取方法获取的光学临近效应修正模型，可避免边锋效应，提高半导体制程的准确率。

为解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：

本发明提供一种光学临近效应修正模型的获取方法，至少包括以下步骤：

设置测试图形，并在所述测试图形的一侧设置监控图形；

建立初始模型；

设置测试图形，并在所述测试图形的一侧设置监控图形，且所述测试图形和所述监控图形之间具有间隙；

获取光刻机的最小曝光阈值和最大曝光阈值；

获取所述测试图形和所述监控图形在晶圆上的目标图形；

调整所述初始模型中的参数，修正所述测试图形和所述监控图形，并获取所述测试图形和所述监控图形的光强分布图，以及所述测试图形和所述监控图形在晶圆上的模拟图形；以及

将所述间隙的光强值小于曝光阈值范围，且所述模拟图形与目标图形拟合度最高时的初始模型，作为光学临近效应修正模型。

在本发明一实施例中，所述监控图形与测试图形之间的距离大于光刻机的分辨率。

在本发明一实施例中，最大曝光阈值等于110%~120%的所述标准曝光阈值，且所述标准曝光阈值为光刻机的光强阈值。

在本发明一实施例中，最小曝光阈值等于80%~90%的所述标准曝光阈值，且所述标准曝光阈值为光刻机的光强阈值。

在本发明一实施例中，所述光学临近效应修正模型的获取方法还包括：通过测试图形和监控图形的关键尺寸信息，以及晶圆的关键尺寸信息，获取所述测试图形和所述监控图形在晶圆上的所述目标图形。

在本发明一实施例中，所述模拟图形与目标图形拟合度的表达式为：

R= -（RMS（目标图形-模拟图形）+阈值系数×加倍系数）；

其中，R为模拟图形与目标图形拟合度，RMS（目标图形-模拟图形）为目标图形和模拟图形各点差值的均方根值，阈值系数为0或1，加倍系数为预设值。

在本发明一实施例中，在获取所述光强分布图后，所述光学临近效应修正模型的获取方法还包括：获取光强分布子图，且所述光强分布子图为每个所述测试图形，以及所述测试图形对应的所述监控图形和所述间隙的光强分布图。

在本发明一实施例中，所述光学临近效应修正模型的获取方法还包括：

在所述初始模型中，设置每个所述测试图形和所述监控图形边缘移动的范围，以及所述测试图形和所述监控图形在掩膜版上的位置范围。

在本发明一实施例中，所述光学临近效应修正模型的获取方法还包括：

判断是否在每个所述测试图形和所述监控图形边缘移动的范围，以及每个所述测试图形和所述监控图形在掩膜版上的位置范围中的所有位置，获取所述模拟图形与所述目标图形拟合度；

直至获取所有位置的所述模拟图形与所述目标图形拟合度，再获取所述拟合度最高时的初始模型。

在本发明一实施例中，所述光学临近效应修正模型的获取方法包括：

将所述间隙的光强值小于曝光阈值范围，且所述模拟图形与目标图形拟合度小于预设阈值的初始模型，作为光学临近效应修正模型。

本发明还提供一种光学临近效应修正模型的获取系统，至少包括：

版图输入单元，用于设置测试图形，并在所述测试图形的一侧设置监控图形，且所述测试图形和所述监控图形之间具有间隙；

初始模型存储单元，用于存储建立的初始模型，并获取所述测试图形和所述监控图形在晶圆上的目标图形；

参数调整单元，用于获取光刻机的最小曝光阈值和最大曝光阈值；

执行单元，用于调整所述初始模型中的参数，修正所述测试图形和所述监控图形，并获取所述测试图形和所述监控图形的光强分布图，以及所述测试图形和所述监控图形在晶圆上的模拟图形；以及

光学临近效应修正模型获取单元，用于将间隙的光强值小于曝光阈值范围，且所述模拟图形与目标图形拟合度最高时的初始模型，作为光学临近效应修正模型。

如上所述本发明提供的一种光学临近效应修正模型的获取方法及系统，在输入图形中设置有监控图形，并调整光刻机的曝光阈值，获取拟合度最小的初始模型作为最终的光学临近效应修正模型，可避免边锋效应，提高半导体制程的准确率。

当然，实施本发明的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为一种光学临近效应修正模型的获取方法流程图。

图2为另一种光学临近效应修正模型的获取方法流程图。

图3为一种测试图形和监控图形的示意图。

图4为一种光强分布子图。

图5为另一种光强分布子图。

图6为边锋效果图。

图7为一种光学临近效应修正模型的获取系统结构图。

图8为一种计算机可读存储介质的框图。

图9为一种电子设备的结构原理框图。

标号说明：

100测试图形；101监控图形；102间隙；201版图输入单元；202参数调整单元；203参数输入单元；204初始模型存储单元；205执行单元；206拟合度获取单元；207存储单元；208光学临近效应修正模型获取单元；30计算机可读存储介质；300计算机指令；40处理器；50存储器。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

在半导体集成电路的制程中，首先进行电路设计，再将电路设计方案经过版图设计形成版图图形后，例如通过相移掩模将版图图形转移至掩膜版上。具体例如可将版图图形通过电子束曝光机曝光，并将图形曝光至涂油感光材料的掩膜版上，然后经过显影、干法蚀刻等过程图形精确地定像在掩膜版上，经清洗、检测处理后再涂胶，经第二次曝光后显影，对相移层进行干法蚀刻、相位检测等多个步骤最终形成相移掩膜。在形成掩膜后，例如可以使用光刻的方式，将掩膜图形转移到晶圆上，可形成目标图形，即为所需的半导体集成电路。且为保证生产过程中设计图形的边缘得到完整的蚀刻，在光刻前，例如采用光学邻近效应修正(optical proximity correction，OPC)模型对掩膜图形修正，使得掩膜图形在晶圆上形成的目标图形与设计的版图图形高度拟合。

其中，光学邻近效应修正包括基于经验的光学邻近效应修正和基于模型的光学邻近效应修正。本申请以基于模型的光学邻近效应修正为例，基于模型的光学临近效应修正使用光学模型和光刻胶化学反应模型来模拟曝光后的掩膜图形，以及模拟通过蚀刻在晶圆上形成的目标图形，即模拟图形。基于模型的光学临近效应修正首先需要把掩膜图形的边缘识别出来，让每一个边缘可以自由移动，光学模型和光刻胶化学反应模型仿真出的模拟图形并和设计图形的目标图形对比，当他们之间的误差小就意味着模拟图形并和设计图形的目标图形接近，修正软件在运行时移动边缘位置，并实时获取模拟图形并和目标图形之间的误差。不断重复这一过程直到误差达到可以接受的值。

请参阅图1所示，本发明提供一种光学临近效应修正模型的获取方法，通过本发明获取的光学临近效应修正模型，可避免相邻的版图图形在经过光学临近效应修正后，出现边锋效应，影响最终形成在晶圆上的目标图形。具体如图6所示，相邻距离过小的版图图形在经过光学临近效应修正模型修正后，在设计图形边缘的暗区一侧形成一个光强小峰，进而导致在后续流程中出现光刻胶损失，使得最终在晶圆上形成的目标图形与设计的版图图形具有较大差异。具体的，本发明提供的一种光学临近效应修正模型的获取方法包括步骤S101~S110。

S101、设置测试图形和监控图形。

请参阅图1至图3所示，设置的监控图形101和测试图形100可对基础模型进行验证，获取最佳的光学临近效应修正模型。本发明并不限制测试图形100的形状和数量，在本发明一实施例中，测试图形100包括多个平行设置的条状图形，每个条状图形的间距不同。在另一些实施例中，测试图形100可以为其他形状的图形，例如为矩形、圆形、弧形、椭圆形或环形等图形。在其他实施例中，测试图形100包括多个弯折部的图形。本发明并不限制测试图形100之间的距离和测试图形100的数量，且测试图形100的数量越多越好。相邻测试图形100之间的距离大于光刻机的分辨率即可，且可以使用多组测试图形100对初始模型进行多次验证，获取测试图形100和监控图形101在不同距离时，获取对应的或通用的光学临近效应修正模型。

请参阅图1至图3所示，在本发明一实施例中，监控图形101是为避免边锋效应设置的图形，且监控图形101的形状可以依照测试图形100的形状设置。监控图形101设置在测试图形100的一侧，且临近测试图形100设置。例如可将光刻机分辨率定义为监控图形101的标准尺寸，即当测试图形100或监控图形101的尺寸大于标准尺寸时，掩膜版上的测试图形100或监控图形101才会被光刻机识别。当监控图形101与测试图形100之间的间隙102尺寸大于标准尺寸时，间隙102才会被光刻机识别。在本实施例中，将监控图形101与测试图形100之间的距离（间隙102的尺寸）设置为大于标准尺寸，且小于例如3-10倍的标准尺寸。监控图形101的尺寸大于标准尺寸。在本实施例中，监控图形101例如为一个或多个5um×5um的正方形，且例如在每个测试图形100同侧的两端分别设置例如1个监控图形101。为方便描述，将每个测试图形100和其两侧的监控图形101设定为一组。且每组测试图形100和监控图形101之间的距离可在设定范围内依次增大，以模拟多种可能出现光刻胶损失的情况。

请参阅图1所示，在本发明一实施例中，在形成测试图形100和监控图形101后，执行步骤S102、调节光刻机的参数。

请参阅图1、图4和图5所示，调节光刻机内的参数包括设置光刻机的曝光阈值，且曝光阈值还包括标准曝光阈值A₀、最大曝光阈值A₂和最小曝光阈值A₁。其中，标准曝光阈值A₀为光刻机的光强阈值，当测试图形100或监控图形101处的光强值超过标准曝光阈值A₀时，在光刻时可被显影出来。当测试图形100或监控图形101处的光强值未超过标准曝光阈值A₀时，则在光刻时不会被显影出来。在本发明中，最大光强阈值A₂为标准曝光阈值A₀的例如110%~120%，具体又例如为115%。最小光强阈值A₁为标准曝光阈值A₀的例如80%~90%，具体又例如为85%。将曝光阈值设定在最小曝光阈值A₁和最大曝光阈值A₂之间，进一步扩大不符合曝光需求的条件。将通过光学邻近效应修正模型修正后的掩膜图案，在光刻后与版图设计图形拟合度更高。且可以避免相邻掩膜图形之间的间隙102经光学邻近效应修正未被显影，以及尺寸过小的图形经光学邻近效应修正被显影出来。

请参阅图1所示，在本发明一实施例中，在调节光刻机内的参数后，执行步骤S103、将测试图形信息、监控图形信息以及晶圆的关键尺寸信息输入初始模型。

请参阅图1和图3所示，在本发明一实施例中，在步骤S103中，测试图形信息、监控图形信息包括测试图形100和监控图形101及其关键尺寸信息、以及测试图形100和监控图形101在掩膜版上的位置信息等。在本申请中，在光刻机内建立有初始模型，初始模型为通过经验值设置的初始光学临近效应修正模型，初始模型中设置有内核参数，可模拟输入图形在晶圆上的模拟图形。在初始模型中，还可以根据测试图形信息、监控图形信息和晶圆的关键尺寸信息，获取测试图形100和监控图形101在晶圆上的目标图形。

S104、调整初始模型中的参数，输出测试图形和监控图形在晶圆上的模拟图形。

请参阅图1和图3所示，在本发明一实施例中，在步骤S104中，初始模型根据光刻机的参数信息、掩膜的波长、能量等信息、光刻胶的信息以及掩膜信息，调整内核参数和输入图形在掩膜版上的位置范围，即调整输入图形的每个边缘移动的范围和输入图形在掩膜版上的位置范围。在本实施例中，即调整测试图形100和监控图形101的每个边缘位置。例如包括测试图形100和监控图形101在经过曝光前需要设置的每个边长的权重，在失真或圆角处需要通过改变掩膜图形进行补偿或擦除，以及版图图形在掩膜版上的位置信息。调整输入图形后，可模拟输入图形在经过光刻后在晶圆上的模拟图形，使得输出的模拟图形与版图图形的目标图形高度拟合。

请参阅图1和图3所示，在本实施例中，因测试图形100和监控图形101的距离相近，在首次经过初始模型的调节后，易在测试图形100和监控图形101之间出现光刻胶损失。此时，输出的测试图形100和监控图形101在晶圆上的模拟图形，与测试图形100和监控图形101的目标图形的拟合度较低。且在本实施例中，拟合度中包括目标图形和模拟图形各点差值的均方根值（RMS），RMS值越小时，拟合度越高。

请参阅图1和图3所示，在本发明一实施例中，当再次循环到步骤S104时，初始模型中可根据上次输出的测试图形100和监控图形101的模拟图形，再次调整初始模型中的内核参数以及版图图形在掩膜版上的位置信息，使得输出的模拟图形与目标图形具有更高的拟合度。当重复多次后，可获取拟合度更高的模拟图形。

请参阅图1、图3至图5所示，在本发明一实施例中，在步骤S104中，当调整初始模型中的参数，输出测试图形100和监控图形101在晶圆上的模拟图形时，可同步获取测试图形100和监控图形101的光强分布图。此时，执行步骤S105、获取测试图形和监控图形的光强分布图，并判断测试图形和监控图形之间间隙的光强值是否小于曝光阈值范围。

请参阅图1、图3至图5所示，在本发明一实施例中，在本发明一实施例中，当获取每组测试图形100和对应监控图形101的光强分布图后，将测试图形和监控图形的光强分布图，划分为测试图形、测试图形对应的监控图形，以及测试图形和监控图形之间间隙的光强分布子图。判断每个光强分布子图中，光强分布子图与曝光阈值范围内每个曝光阈值的交点数量。其中，如图4和图5所示，图中横坐标P为输入图形在掩膜版上的位置，纵坐标E为光强。如图4所示，当存在光强分布子图与其中一个或多个曝光阈值的交点数量具有两个以上交点时，则测试图形100和监控图形101之间间隙102的光强值超过曝光阈值范围，或测试图形100中设置有超过光强阈值范围的间隙102。当所有光强分布子图与每个曝光阈值的交点数量最多只有两个交点时，且测试图形100和监控图形101之间间隙102的光强值不在曝光阈值范围内时，且测试图形100完好。如图5所示，当测试图形100和监控图形101之间间隙102的光强分布子图与在曝光阈值范围以下，则测试图形和监控图形之间间隙102的光强值是小于曝光阈值范围，即测试图形和监控图形之间间隙102的光强值小于曝光阈值范围内的所有值。

请参阅图1至图3所示，在本发明一实施例中，当测试图形100和监控图形101之间间隙102的光强值小于曝光阈值范围时，执行步骤S106、保存当前初始模型以及该初始模型中模拟图形和目标图形的拟合度。当测试图形100和监控图形101之间间隙102的光强值等于或大于曝光阈值范围时，执行步骤S107、保存当前初始模型，并更新该初始模型中模拟图形和目标图形的拟合度。

请参阅图1至图5所示，在本发明一实施例中，更新后拟合度R的表达式例如为：

R= -（RMS（目标图形-模拟图形）+阈值系数×加倍系数）。

其中，RMS（目标图形-模拟图形）为目标图形和模拟图形各点差值的均方根值。阈值系数根据测试图形100和监控图形101之间间隙102的光强值是否在曝光阈值范围确定，当测试图形100和监控图形101之间间隙102的光强值大于或等于曝光阈值范围时，阈值系数为1，当测试图形100和监控图形101之间间隙102的光强值小于曝光阈值范围内时，阈值系数为0。加倍系数为设置值，范围例如为80~150，具体例如为100。

请参阅图1至图5所示，在本发明一实施例中，当测试图形100和监控图形101之间间隙102的光强值等于或大于曝光阈值范围内时，即可能存在边锋效应时，测试图形100和监控图形101的拟合度大大降低，将远小于设置的预设阈值，可避免选定可输出边锋效应的初始模型作为光学临近效应修正模型。

请参阅图1所示，在本发明一实施例中，当执行完成步骤S106和步骤S107后，可使用初始模型多次调整测试图形100和监控图形101，获取多个模拟图形，以及模拟图形和目标图形之间的拟合度。其中，初始模型可通过调整测试图形100和监控图形101的权重，位置信息等，调整输出的模拟图形。在本实施例中，在调整过程中，每次调整时，初始模型可根据多次输出的模拟图形，以及模拟图形与目标图形之间的拟合度，趋向拟合度高的方向调整，可加快调整时间。

请参阅图1所示，本发明可使用多种方法判定是否可结束调整过程，在本发明一实施例中，在执行完成步骤S106和步骤S107后，执行步骤S1081至骤S1091。且本实施实施例中，在步骤S104中，可设置有初始模型中内核参数的范围、以及版图图形在掩膜版上的位置信息的范围，且将每个参数的范围分为多个等份。

S1081、判断是否在每个所述测试图形和所述监控图形边缘移动的范围，以及每个所述测试图形和所述监控图形在掩膜版上的位置范围中的所有位置，获取所述模拟图形与所述目标图形拟合度，当已在所有位置获取所述模拟图形与所述目标图形拟合度，执行步骤S1091，若未在所有位置获取所述模拟图形与所述目标图形拟合度，返回步骤S104。

S1091、获取拟合度最高的初始模型，并将该模型作为初始模型作为光学临近效应修正模型。

请参阅图2所示，在本发明另一实施例中，当内核参数的范围以及位置信息的范围过大，或划分范围时等分过细时，获取光学临近效应修正模型的时间过长。本发明还提供一种光学临近效应修正模型的获取方法，可最大速度的获取符合需求的光学临近效应修正模型。具体过程包括步骤S101至步骤S107，以及步骤S1082至步骤S110。

S1082、判断是否存在测试图形和监控图形之间间隙的光强值小于曝光阈值范围内对应的初始模型，当存在时，执行步骤S1092，当不存在时，返回步骤S104。

S1092、判断初始模型对应的拟合度是否等于或大于预设阈值，若等于或大于预设阈值，则执行步骤S110、将拟合度等于或大于预设阈值的初始模型作为光学临近效应修正模型，若小于预设阈值，则返回步骤S104。

请参阅图2和图3所示，在本发明一实施例中，当存在测试图形100和监控图形101之间间隙102的光强值小于曝光阈值范围对应的初始模型时，此时该初始模型在修正版图图形，并曝光显示模拟图形时不会出现因边锋效应。且使用该初始模型输出的模拟图形与目标图形的拟合度小于预设阈值时，则可获取光学临近效应修正模型。其中，预设阈值的大小可为-3~0nm，又例如为-1~0nm，具体例如为0nm、-0.5nm、-0.8nm等。

请参阅图2所示，在本实施例中，在执行完成步骤S1092再执行步骤S104时，系统可根据多次输出的模拟图形，以及模拟图形与目标图形之间的拟合度，趋向拟合度高的方向调整。循环执行步骤S104至步骤S1092直至拟合度的阈值等于或大于设定阈值。

请参阅图7所示，本发明还提供一种光学临近效应修正模型的获取系统，包括版图输入单元201、参数调整单元202、参数输入单元203、初始模型存储单元204、执行单元205、拟合度获取单元206、存储单元207和光学临近效应修正模型获取单元208。其中，版图输入单元201用于设置测图图形和监控图形。参数调整单元202用于调整输入光刻机的参数，参数输入单元203用于将输入测试图形信息、监控图形信息以及晶圆的关键尺寸信息输入初始模型。初始模型存储单元204用于存储多个初始模型，执行单元205用于调用初始模型，将测试图形信息、监控图形信息以及晶圆的关键尺寸信息输入初始模型，并调整初始模型中的参数，输出测试图形和监控图形在晶圆上的模拟图形以及测试图形和监控图形的光强分布图。拟合度获取单元206用于获取光强分布子图，并获取每个初始模型的输出的模拟图形和目标图形的拟合度。存储单元207用于存储验证后的初始模型和拟合度。光学临近效应修正模型获取单元208用于在存储单元207中获取最终的光学临近效应修正模型。

请参阅图8所示，本实施例还提出一种计算机可读存储介质30，计算机可读存储介质30存储有计算机指令300，计算机指令300用于使用所述光学临近效应修正模型的获取方法。计算机可读存储介质30可以是，电子介质、磁介质、光介质、电磁介质、红外介质或半导体系统或传播介质。计算机可读存储介质30还可以包括半导体或固态存储器、磁带、可移动计算机磁盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、硬磁盘和光盘。光盘可以包括光盘-只读存储器(CD-ROM)、光盘-读/写(CD-RW)和DVD。

请参阅图9所示，本发明还提供一种电子设备，包括处理器40和存储器50，存储器50存储有程序指令，处理器40运行程序指令实现所述光学临近效应修正模型的获取方法。处理器40可以是通用处理器，包括中央处理器（Central Processing Unit，简称CPU）、网络处理器（Network Processor，简称NP）等；还可以是数字信号处理器（Digital SignalProcessing，简称DSP）、专用集成电路（Application Specific Integrated Circuit，简称ASIC）、现场可编程门阵列（Field-Programmable Gate Array，简称FPGA）或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件；存储器50可能包含随机存取存储器（Random Access Memory，简称RAM），也可能还包括非易失性存储器（Non-VolatileMemory），例如至少一个磁盘存储器。存储器50也可以为随机存取存储器（Random AccessMemory，RAM）类型的内部存储器，处理器40、存储器50可以集成为一个或多个独立的电路或硬件，如：专用集成电路（Application SpecificIntegrated Circuit，ASIC）。需要说明的是，存储器50中的计算机程序可以通过软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备（可以是个人计算机，电子设备，或者网络设备等）执行本发明各个实施例方法的全部或部分步骤。

以上公开的本发明实施例只是用于帮助阐述本发明。实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施方式。显然，根据本说明书的内容，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地理解和利用本发明。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (10)

1.一种光学临近效应修正模型的获取方法，其特征在于，至少包括以下步骤：

建立初始模型；

设置测试图形，并在所述测试图形的一侧设置监控图形，且所述测试图形和所述监控图形之间具有间隙；

获取光刻机的最小曝光阈值和最大曝光阈值；

获取所述测试图形和所述监控图形在晶圆上的目标图形；

调整所述初始模型中的参数，修正所述测试图形和所述监控图形，并获取所述测试图形和所述监控图形的光强分布图，以及所述测试图形和所述监控图形在晶圆上的模拟图形；以及

将所述间隙的光强值小于曝光阈值范围，且所述模拟图形与目标图形拟合度最高时的初始模型，作为光学临近效应修正模型；

其中，所述模拟图形与目标图形拟合度的表达式为：

R= -（RMS（目标图形-模拟图形）+阈值系数×加倍系数）；

其中，R为模拟图形与目标图形拟合度，RMS（目标图形-模拟图形）为目标图形和模拟图形各点差值的均方根值，阈值系数为0或1，加倍系数为预设值。

2.根据权利要求1所述的一种光学临近效应修正模型的获取方法，其特征在于，所述监控图形与测试图形之间的距离大于光刻机的分辨率。

3.根据权利要求1所述的一种光学临近效应修正模型的获取方法，其特征在于，所述最大曝光阈值等于110%~120%的标准曝光阈值，且所述标准曝光阈值为光刻机的光强阈值。

4.根据权利要求1所述的一种光学临近效应修正模型的获取方法，其特征在于，所述最小曝光阈值等于80%~90%的标准曝光阈值，且所述标准曝光阈值为光刻机的光强阈值。

5.根据权利要求1所述的一种光学临近效应修正模型的获取方法，其特征在于，所述光学临近效应修正模型的获取方法还包括：通过测试图形和监控图形的关键尺寸信息，以及晶圆的关键尺寸信息，获取所述测试图形和所述监控图形在晶圆上的所述目标图形。

6.根据权利要求1所述的一种光学临近效应修正模型的获取方法，其特征在于，在获取所述光强分布图后，所述光学临近效应修正模型的获取方法还包括：获取光强分布子图，且所述光强分布子图为每个所述测试图形，以及所述测试图形对应的所述监控图形和所述间隙的光强分布图。

7.根据权利要求1所述的一种光学临近效应修正模型的获取方法，其特征在于，所述光学临近效应修正模型的获取方法还包括：

在所述初始模型中，设置每个所述测试图形和所述监控图形边缘移动的范围，以及所述测试图形和所述监控图形在掩膜版上的位置范围。

8.根据权利要求7所述的一种光学临近效应修正模型的获取方法，其特征在于，所述光学临近效应修正模型的获取方法还包括：

判断是否在每个所述测试图形和所述监控图形边缘移动的范围，以及每个所述测试图形和所述监控图形在掩膜版上的位置范围中的所有位置，获取所述模拟图形与所述目标图形拟合度；

直至获取所有位置的所述模拟图形与所述目标图形拟合度，再获取所述拟合度最高时的初始模型。

9.根据权利要求1所述的一种光学临近效应修正模型的获取方法，其特征在于，所述光学临近效应修正模型的获取方法包括：

将所述间隙的光强值小于曝光阈值范围，且所述模拟图形与目标图形拟合度小于预设阈值的初始模型，作为光学临近效应修正模型。

10.一种光学临近效应的修正系统，其特征在于，至少包括：

版图输入单元，用于设置测试图形，并在所述测试图形的一侧设置监控图形，且所述测试图形和所述监控图形之间具有间隙；

初始模型存储单元，用于存储建立的初始模型，并获取所述测试图形和所述监控图形在晶圆上的目标图形；

参数调整单元，用于获取光刻机的最小曝光阈值和最大曝光阈值；

执行单元，用于调整所述初始模型中的参数，修正所述测试图形和所述监控图形，并获取所述测试图形和所述监控图形的光强分布图，以及所述测试图形和所述监控图形在晶圆上的模拟图形；以及

光学临近效应修正模型获取单元，用于将间隙的光强值小于曝光阈值范围，且所述模拟图形与目标图形拟合度最高时的初始模型，作为光学临近效应修正模型；

其中，所述模拟图形与目标图形拟合度的表达式为：

R= -（RMS（目标图形-模拟图形）+阈值系数×加倍系数）；

其中，R为模拟图形与目标图形拟合度，RMS（目标图形-模拟图形）为目标图形和模拟图形各点差值的均方根值，阈值系数为0或1，加倍系数为预设值。

Images