CN110361926B - 光学邻近效应修正模型及其建立方法和掩膜板的形成方法 - Google Patents

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    • G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes

Abstract

一种光学邻近效应修正模型及其建立方法和掩膜板的形成方法，建立方法包括：提供若干参考图形；对所述参考图形进行阈值获取处理，所述阈值获取处理的方法包括：以参考图形为掩膜进行第一模拟曝光处理，获取参考光强分布；根据所述参考图形获取测试掩膜板；以所述测试掩膜板为掩膜进行测试曝光处理，获取测试图形，所述测试图形具有测试尺寸；通过测试图形和参考光强分布获取阈值信息，所述阈值信息用于在所述参考光强分布中获取第一矫正图形，所述第一矫正图形具有第一矫正尺寸，所述第一矫正尺寸与所述测试尺寸相等；获取与所述参考图形对应的参考信息；建立参考信息和阈值信息的对应关系模型。所述方法建立的光学邻近效应修正模型的精度较高。

Description

光学邻近效应修正模型及其建立方法和掩膜板的形成方法
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种光学邻近效应修正模型及其建立方法和掩膜板的形成方法。
背景技术
光刻技术是半导体制作技术中至关重要的一项技术，能够实现将图形从掩模板中转移到硅片表面，形成符合设计要求的半导体产品。
随着设计尺寸的不断缩小，设计尺寸已经接近或者小于光刻过程中使用的光波波长，光的衍射效应和干涉效应变得越来越明显，导致实际形成的光刻图案相对于掩膜板上的图案发生严重畸变，最终在硅片上经过光刻形成的实际图形变得和设计图形不同，这种现象被称为光学邻近效应(OPE：Optical Proximity Effect)。
为了减小光学邻近效应引起的光刻图形的畸变，常用方法是光学邻近效应修正方法(optical proximity correction，OPC)。
光学邻近效应修正方法通常分为两大类：基于规则的方法和基于模型的方法。基于规则的方法需要事先建立矫正规则数据库，实际处理中只需通过查找数据库便可以得到矫正数据，实现对掩膜板图形的矫正，因此这种方法在处理大规模集成电路版图时速度快，功能强；基于模型的方法需要事先选择适当的光学模型，实际处理中利用光学模型模拟光刻成像的过程，实现对掩膜板图形的矫正，因此这种方法需要消耗较多的时间和空间，但是矫正结果的精确度较高。
然而，现有技术形成的数学模型进行的光学邻近效应矫正的精度较低且耗时较大。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种光学邻近效应修正模型及其建立方法和掩膜板的形成方法，能够提高光学邻近效应修正的精度、并降低时间成本。
为解决上述问题，本发明提供一种光学邻近效应修正模型的建立方法，包括：提供若干参考图形；对所述参考图形进行阈值获取处理，获取阈值信息和参考信息，所述阈值获取处理的方法包括：以参考图形为掩膜进行第一模拟曝光处理，获取参考光强分布；根据所述参考图形获取测试掩膜板；以所述测试掩膜板为掩膜进行测试曝光处理，获取测试图形，所述测试图形具有测试尺寸；通过测试图形和参考光强分布获取阈值信息，所述阈值信息用于在所述参考光强分布中获取第一矫正图形，所述第一矫正图形具有第一矫正尺寸，所述第一矫正尺寸与所述测试尺寸相等；获取与所述参考图形对应的参考信息；重复所述阈值获取处理至获取若干参考信息以及相应的阈值信息；建立参考信息和阈值信息的对应关系模型。
可选的，所述阈值信息包括光强阈值，所述参考光强分布中光强大于和等于所述光强阈值的位置信息构成的图形为第一矫正图形。
可选的，还包括：根据测试图形获取若干参考光强分布和的初始光强阈值。
可选的，所述阈值信息包括所述初始光强阈值和阈值误差，或者所述阈值信息包括光强阈值；获取所述阈值误差的方法包括：通过所述测试图形和参考光强分布获取测试光强阈值，所述参考光强分布中光强大于和等于所述测试光强阈值的位置信息构成的图形为所述第一矫正图形；根据所述测试光强阈值与初始光强阈值之差，获取阈值误差。
可选的，当所述阈值信息包括光强阈值时，获取所述光强阈值的方法包括：通过所述阈值误差对所述初始光强阈值进行补偿，获取光强阈值。
可选的，所述参考信息包括参考光强分布信息和参考几何特征信息中的一种或两种组合；获取所述参考光强分布信息的方法包括：获取参考光强分布信息处理和获取参考几何特征信息处理中的一种或两种组合；获取所述参考光强分布信息处理的方法包括：根据所述参考光强分布获取参考光强分布信息；获取所述参考几何特征信息处理的方法包括：根据所述参考图形获取参考几何特征信息。
可选的，所述参考光强分布信息包括：光强最大值、光强最小值、光强最小值的坐标、光强在拐点处的斜率和拐点坐标中的一种或多种组合。
可选的，当所述参考图形为多边形时，所述参考几何特征信息包括：所述参考图形各边边长、顶角角度和各顶角之间距离中的一种或多种组合；当所述参考图形为不规则图形时，所述参考几何特征信息包括：所述参考图形沿各方向尺寸中的一种或多种组合。
可选的，所述测试图形为多边形，所述测试尺寸包括所述测试图形各边的边长和测试图形的对角线长度中的一种或多种组合；所述第一矫正图形为多边形，所述第一矫正尺寸包括所述测试图形各边的边长和测试图形的对角线长度中的一种或多种组合。
可选的，还包括：提供光源信息；通过所述光源信息对所述参考图形进行第一模拟曝光处理；所述测试曝光处理的方法包括：根据所述光源信息获取测试光源；通过所述测试光源对所述测试掩膜板进行测试曝光处理。
可选的，所述光源信息包括光波波长、脉宽和功率。
本发明技术方案还提供一种光学邻近效应修正模型。
可选的，所述参考信息包括参考光强分布信息和参考几何特征信息中的一种或两种组合；所述参考光强分布信息包括：光强最大值、光强最小值、光强最小值的坐标、光强在拐点处的斜率和拐点坐标中的一种或多种组合；所述参考几何特征信息包括：各方向的尺寸中的一种或多种组合。
可选的，所述阈值信息包括光强阈值，所述参考光强分布中光强大于和等于所述光强阈值的位置信息构成的图形为第一矫正图形，所述第一矫正图形，所述第一矫正图形具有第一矫正尺寸，所述第一矫正尺寸与所述测试尺寸相等；或者，所述阈值信息包括初始光强阈值和阈值误差，所述初始光强阈值与阈值误差之和等于光强阈值，所述参考光强分布中光强大于和等于所述光强阈值的位置信息构成的图形为第一矫正图形，所述第一矫正图形。
本发明技术方案还提供一种掩膜板的形成方法，包括：提供目标图形；提供光学邻近效应修正模型；根据所述目标图形获取初始目标掩膜板图形；
根据所述光学邻近效应修正模型对所述初始目标掩膜板图形进行修正处理，获取目标掩膜板图形，所述修正处理的方法包括：以所述初始目标掩膜板图形为掩膜进行第二模拟曝光处理，获取目标光强分布；获取所述目标图形对应的对比信息，所述对比信息与所述参考信息对应；对所述对比信息在所述对应关系模型的参考信息中进行第一比较处理，获取目标参考信息；通过所述对应关系模型获取与所述目标参考信息对应的阈值信息，得到目标阈值信息；根据所述目标阈值信息和目标光强分布获取第二矫正图形；根据所述第二矫正图形与目标图形对所述初始目标掩膜图形进行矫正处理；重复第二模拟曝光处理至矫正处理的步骤，直至获取目标掩膜板图形；根据所述目标掩膜板图形形成掩膜板。
可选的，获取目标参考信息的方法包括：进行循环比较处理，所述循环比较处理的方法包括：使所述对比信息分别与所述参考信息进行比较，获取比较误差；重复所述循环比较的步骤至所述比较误差小于预设值时，获取进行本次循环比较处理的参考信息得到目标参考信息；或者，获取目标参考信息的方法包括：使所述对比信息分别与若干所述参考信息进行比较，获取若干比较误差；获取最小比较误差对应的参考信息作为目标参考信息。
可选的，所述光学邻近效应修正模型还包括光源信息；通过所述光源信息进行第二模拟曝光处理。
可选的，所述阈值信息包括光强阈值；获取所述第二矫正图形的方法包括：获取所述目标光强分布中光强大于和等于光强阈值的若干位置信息；根据若干所述位置信息构成的图形获取第二矫正图形。
可选的，所述阈值信息包括初始光强阈值和阈值误差；获取所述第二矫正图形的方法包括：通过所述阈值误差对所述初始光强阈值进行补偿，获取目标光强阈值；获取所述目标光强分布中光强大于或等于目标光强阈值的若干位置信息；根据若干所述位置信息构成的图形获取第二矫正图形。
可选的，所述参考信息包括参考光强分布信息；所述对比信息包括对比光强分布信息；还包括：根据所述目标光强分布获取对比光强分布信息；或者，所述参考信息包括参考几何特征信息；所述对比信息包括对比几何特征信息；还包括：根据所述目标图形获取所述对比几何特征信息。
与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：
本发明技术方案提供的光学邻近效应修正模型的建立方法中，通过所述测试图形和参考光强分布获取阈值信息，且所述第一矫正尺寸与所述测试尺寸相等。由于所述测试图形通过测试曝光处理获取，各参考信息对应的阈值信息通过相应的测试图形获取。所述第一矫正尺寸与所述测试尺寸相等，则所述第一矫正尺寸的误差较小，则所述阈值信息的误差较小，因此所述光学邻近效应修正模型的精度较高，能够增加光学邻近效应修正处理的精度。
本发明技术方案提供的掩膜板的形成方法中，所述光学邻近效应修正模型中阈值信息的误差较小，能够减小修正处理的循环次数，从而降低时间成本，且获取的目标掩膜板图形的精度较高，从而能够改善所述掩膜板的性能。
进一步，通过对所述初始光强阈值进行补偿，获取目标光强阈值，则所述目标光强阈值的精度较高。通过目标光强阈值和所述目标光强分布获取第二矫正图形，所述目标光强阈值的精度是第二矫正图形精度的关键参数，因此增加所述目标光强阈值的精度能够有效提高修正处理的精度。另外，仅需要对初始光强阈值进行补偿，补偿的参数量较小，从而能够简化计算复杂度。
进一步，所述参考信息包括参考光强分布信息，所述对比信息包括对比光强分布信息，则通过参考光强分布信息与对比光强分布信息进行对比处理，获取目标阈值信息。由于不同初始目标掩膜板图形获取的目标光强分布不相同，然而相应的对比光强分布信息可能相同，因此所述对比光强分布信息对应的目标图形较多，从而能够减少获取目标阈值信息失败的几率。
进一步，所述阈值信息包括光强阈值，获取光强阈值的方法简单，能够简化建立方法，从而节约时间成本。所述阈值信息包括光强阈值，在进行修正处理过程中，能够简化修正处理的方法，进而减少修正处理时间。
附图说明
图1是一种掩膜板的形成方法各步骤的流程图；
图2是本发明的光学邻近效应修正模型的建立方法一实施例各步骤的流程图；
图3是本发明的光学邻近效应修正模型的建立方法一实施例中阈值获取处理各步骤的流程图；
图4至图7是本发明的光学邻近效应模型的建立方法一实施例各步骤的结构示意图；
图8是本发明的掩膜板的形成方法一实施例中各步骤的流程图；
图9是本发明的掩膜板的形成方法一实施例中修正处理的各步骤的流程图；
图10至图12是本发明的掩膜板的形成方法一实施例中各步骤的结构示意图。
具体实施方式
掩膜板的形成方法存在诸多问题，例如：形成的掩膜板图形的精度较低、且时间成本较高。
现结合现有的掩膜板的形成方法，分析形成的掩膜板图形的精度较低、且时间成本较高的原因：
图1是一种掩膜板的形成方法各步骤的流程图。
请参考图1，所述掩膜板的形成方法包括：
步骤S01，提供数学模型，所述数学模型包括光强阈值和若干模拟图形；
步骤S02，提供目标图形，所述目标图形具有目标尺寸；
步骤S03，根据目标图形获取初始掩膜板图形；
步骤S04，通过所述数学模型对所述初始掩膜板图形进行光学邻近效应修正，获取掩膜板图形；
步骤S05，根据所述掩膜板图形形成掩膜板。
其中，所述光强阈值通过若干模拟图形通过数值模拟获得。由于建立所述数学模型的计算精度，导致通过所述数学模型获取的掩膜板图形存在校准误差，且不同模拟图形对应的校准误差不同。在建立所述数学模型的过程中能够获取通过所述数学模型获取的掩膜板图形的误差。在进行光学邻近效应修正的过程中，技术人员对目标图形和模拟图形的几何特征进行比较，从而确定所述校准误差，并将所述校准误差补偿至光学邻近效应修正的过程中，从而提高光学邻近效应修正的精度。
然而，由于所述模拟图形的个数有限，而目标图形的形状和目标尺寸具有多样性，因此容易导致所述目标图形与若干模拟图形的几何特征相差较大，从而导致获取校准误差失败。
初始目标掩膜图形初始目标掩膜图形将所述校准误差补偿至光学邻近效应修正的过程中的方法包括：通过所述校准误差对曝光过程形成的曝光图形的曝光尺寸进行校正。由于目标图形的形状往往较复杂，通过对曝光尺寸进行校正，容易导致校正之后的曝光图形仍然存在较大的误差，导致光学邻近效应修正的循环次数增加，且获取的掩膜板图形的精度较低。
为了解决上述问题，本发明提供一种光学邻近效应修正模型的建立方法，包括：提供若干参考图形；对所述参考图形进行阈值获取处理，获取阈值信息和参考信息；获取与所述参考图形对应的参考信息；重复所述阈值获取处理至获取若干参考信息以及相应的阈值信息；建立参考信息和阈值信息的对应关系模型。所述光学邻近效应修正模型精度较高。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
图2是本发明的光学邻近效应修正模型的建立方法一实施例中各步骤的流程图。
请参考图2，所述光学邻近效应修正模型的建立方法包括：
步骤S11，提供若干参考图形；
步骤S12，对所述参考图形进行阈值获取处理，获取阈值信息和参考信息；重复所述阈值获取处理至获取若干参考信息以及相应的阈值信息；
步骤S14，建立参考信息和阈值信息的对应关系模型。
图3是本发明的光学邻近效应修正模型的建立方法一实施例中阈值获取处理各个步骤的结构示意图。
请参考图3，所述阈值获取处理的方法包括：
步骤S21，以参考图形为掩膜进行第一模拟曝光处理，获取参考光强分布；
步骤S22，根据所述参考图形获取测试掩膜板；
步骤S23；以所述测试掩膜板为掩膜进行测试曝光处理，获取测试图形，所述测试图形具有测试尺寸；
步骤S24，通过测试图形和参考光强分布获取阈值信息，所述阈值信息用于在所述参考光强分布中获取第一矫正图形，所述第一矫正图形具有对应于所述测试尺寸为第一矫正尺寸，所述第一矫正尺寸与所述测试尺寸相等；
步骤S25，获取与所述参考图形对应的参考信息。
以下结合附图4至图7对所述光学邻近效应修正模型的建立方法进行详细说明。
请参考图4，提供若干参考图形100。
所述参考图形100选取在半导体光刻工艺中常用到的图形。所述参考图形100选取在半导体光刻工艺中常用到的图形能够减小后续获取的掩膜板图形的误差，从而能够减小光刻工艺的误差。
本实施例中，所述参考图形100具有参考尺寸。
当所述参考图形100为多边形时，所述参考尺寸包括：所述参考图形各边边长和各顶角之间距离中的一种或多种组合。
当所述参考图形100为不规则图形时，所述参考尺寸包括：所述参考图形沿各方向尺寸中的一种或多种组合。
所述方法还包括：提供参考条件信息。
本实施例中，所述参考条件信息包括：光源信息和光刻胶性能参数信息。
在形成掩膜板图形中获取对比光强分布的过程中，需要通过光源信息和光刻胶性质参数信息确定对比光强分布。
所述光源信息包括光波的波长、功率和脉宽。所述光刻胶性能参数包括：光刻胶的感光系数。
后续对所述参考图形进行阈值获取处理，获取阈值信息和参考信息。
以下结合附图5至图7对所述阈值获取处理进行详细说明。
请参考图5，以参考图形100为掩膜进行第一模拟曝光处理，获取参考光强分布Ij。
所述参考光强分布Ij为位置信息与参考光强的对应关系信息。
所述参考光强分布Ij用于后续获取阈值信息的依据。
获取所述参考光强分布Ij的方法包括：根据所述参考图形100建立参考位置坐标系，所述参考位置坐标系包括第一坐标轴xj和第二坐标轴(图中未示出)，所述第一坐标轴xj和第二坐标轴分别对应于所述参考图形的两个不同的参考尺寸；通过数值模拟获取各位置信息处的参考光强，建立参考光强与位置信息之间的函数关系，获取参考光强分布Ij。
本实施例以所述参考图形100为矩形为例进行说明。
建立参考位置坐标系的方法包括：使所述参考位置坐标系的原点与所述参考图形100中心对应；所述第一坐标轴xj和第二坐标轴(图中未示出)分别平行于所述参考图形100的两边。本实施例中，所述第一坐标轴xj和第二坐标轴垂直。
在其他实施例中，所述参考图形为圆型，所述位置坐标系为直角坐标系或圆坐标系。
请参考图6，根据所述参考图形100(如图5所示)获取测试掩膜板101；以所述测试掩膜板101为掩膜进行测试曝光处理，获取测试图形，所述测试图形具有测试尺寸d。
所述测试掩膜板101用于进行测试曝光处理，从而对所述初始光强阈值Ith0的精度进行检测和矫正。所述测试曝光处理用于获取测试尺寸从而检测所述初始光强阈值Ith0的精度，并获取阈值信息。
所述测试掩膜板中具有图形，所述测试掩膜板中的图形与所述参考图形100相同。
测试曝光处理之前还包括：提供测试基板，所述测试基板上具有测试光阻层。所述测试曝光处理以所述测试掩膜板101为掩膜对所述测试光阻层进行曝光，在所述测试光阻层中形成测试图形；对所述测试图形进行测量，获取测试尺寸d。
在所述测试曝光处理的步骤还包括：通过所述光源信息获取光源；通过所述光源进行所述测试曝光处理。
所述光源的波长与所述光源信息中的光波波长相等，所述光源的脉宽与所述光源信息中的脉宽相等；所述光源的功率与所述光源信息中的功率相等。
所述测试光阻层的参数信息与所述参考条件信息中相应参数相同。
后续通过测试图形和参考光强分布获取阈值信息，所述阈值信息用于在所述参考光强分布中获取第一矫正图形，所述第一矫正图形具有第一矫正尺寸，所述第一矫正尺寸与所述测试尺寸d相等。
本实施例中，所述阈值信息包括所述初始光强阈值和阈值误差。获取所述阈值信息的步骤如图5和图6所示。
返回参考图5，根据若干参考光强分布Ij(如图4所示)和若干参考图形100获取初始光强阈值Ith0。
获取初始光强阈值的步骤包括：提供参考光强阈值；获取若干参考光强分布Ij中光强大于或等于所述初始值的位置信息构成的若干初始图形，所述初始图形具有初始尺寸；分布对若干初始图形和相应的参考图形100进行第二比较处理，获取误差信息；当所述误差信息大于预设误差值时，根据所述误差信息对所述参考光强阈值进行修改处理；重复第二比较处理和修改处理的步骤至所述误差信息小于预设误差值，获取初始光强阈值Ith0。
本实施例中，所述误差信息为若干初始图形和相应的参考图形之间的误差值之和。
具体的，所述误差值为所述初始尺寸与沿初始尺寸方向的参考尺寸之差。
所述参考光强分布Ij中参考光强大于或等于所述初始光强阈值I0时的位置信息构成虚拟图形，所述虚拟图形具有虚拟尺寸，所述虚拟尺寸与所述参考尺寸具有误差值。所述初始光强阈值Ith0使若干参考光强分布Ij与所述初始光强阈值Ith0确定的若干误差值最小。
在通过第一模拟曝光处理获取所述参考光强分布Ij过程中，由于计算精度的限制，导致所述虚拟尺寸与所述参考尺寸具有误差值。
需要说明的是，在其他实施例中，阈值信息包括光强阈值，不包括所述初始光强阈值，则所述建立方法不包括：获取初始阈值的步骤。
继续参考图6，通过测试图形和参考光强分布Ij获取阈值信息，所述阈值信息用于在所述参考光强分布Ij中获取第一矫正图形，所述第一矫正图形具有对应于所述测试尺寸的第一矫正尺寸，所述第一矫正尺寸与所述测试尺寸相等。
本实施例中，所述阈值信息包括初始光强阈值Ith0和阈值误差Id。
本实施例中，获取所述阈值误差的步骤包括：通过所述测试图形在参考光强分布Ij中获取测试光强阈值Ith1，所述参考光强分布Ij中光强大于和等于所述测试光强阈值Ith1的位置信息构成的图形为第一矫正图形；根据所述测试光强阈值Ith1与初始光强阈值I0之差，获取阈值误差Id。
所述第一矫正图形具有对应于所述测试尺寸的第一矫正尺寸指的是：所述第一矫正尺寸与所述测试尺寸的方向相同。
本实施例中，以所述测试图形为矩形为例。所述测试图形还可以为圆形或其他多边形。如果所述测试尺寸为测试图形的长边边长，所述第一矫正尺寸为所述第一矫正图形沿所述测试尺寸方向上的尺寸。
所述测试尺寸d包括所述测试图形各边的边长和测试图形的对角线长度中的一种或多种组合。具体的，以所述测试尺寸d为测试图形的边长为例进行说明。当所述测试图形为圆形时，所述测试尺寸d为所述测试图形的直径。当所述测试图形为不规则图形时，所述测试尺寸包括所述测试图形沿各方向尺寸中的一种或多种组合。
所述第一矫正尺寸等于所述测试尺寸d，则所述参考光强分布Ij与所述测试光强阈值Ith1所确定的第一矫正图形与所述测试图形相同，从而后续通过所述测试光强阈值Ith1对所述初始光强阈值I0进行补偿之后，能够使通过光强阈值和相应的目标光强分布所确定的图形与所述测试图形相同，进而使根据目标光强阈值和目标光强分布形成的掩膜板为掩膜对光刻胶进行光刻获取的光刻图形与测试图形之间的误差较小，进而与相应的目标图形之间的误差较小，进而能够提高光刻精度。
根据所述测试光强阈值Ith1与所述初始光强阈值Ith0，获取阈值误差Id。
所述阈值误差Id等于所述测试光强阈值Ith1与初始光强阈值I0之差，即Id＝Ith1-I0。
本实施例中，所述阈值信息包括所述初始光强阈值Ith0。
在其他实施例中，所述阈值信息包括光强阈值，所述参考光强分布中光强大于和等于所述光强阈值的位置信息构成的图形为第一矫正图形。获取所述光强阈值的方法包括：根据所述测试图形在所述参考光强分布中获取光强阈值。
获取光强阈值的方法简单，能够简化建立方法，从而节约时间成本。所述阈值信息包括光强阈值，在进行修正处理过程中，能够简化修正处理的方法，进而减少修正处理时间。
或者，获取阈值信息的步骤包括：通过所述测试图形在所述参考光强分布中获取测试光强阈值，所述参考光强分布中光强大于和等于所述测试光强阈值的位置信息构成的图形为所述第一矫正图形；根据所述测试光强阈值与初始光强阈值之差，获取阈值误差；通过所述阈值误差对所述初始光强阈值进行补偿，获取光强阈值。
所述光强阈值等于初始光强阈值与阈值误差之和。所述光强阈值与所述测试光强阈值相同。
通过对所述初始光强阈值进行补偿，获取光强阈值，则所述光强阈值的精度较高。通过光强阈值和所述目标光强分布获取第二矫正图形，所述光强阈值的精度是第二矫正图形精度的关键参数，因此增加所述光强阈值的精度能够有效提高修正处理的精度。另外，仅需要对初始光强阈值进行补偿，补偿的参数量较小，从而能够简化计算复杂度。
通过所述测试图形和参考光强分布Id获取阈值信息，且所述第一矫正尺寸与所述测试尺寸d相等。由于所述测试图形通过测试曝光处理获取，各参考信息对应的阈值信息通过相应的测试图形获取。所述第一矫正尺寸与所述测试尺寸相等，则所述第一矫正尺寸的误差较小，则所述阈值信息的误差较小，因此所述光学邻近效应修正模型的精度较高。阈值信息是确定修正处理过程中。
请参考图7，获取与所述参考图形对应的参考信息。
本实施例中，所述参考信息包括参考光强分布信息。
获取与所述参考图形100对应的参考信息的方法包括获取所述参考光强分布信息处理。
获取所述参考光强分布信息处理的方法包括：根据所述参考光强分布Ij获取参考光强分布信息。
所述参考光强分布信息包括：光强的最大值Imaxj、光强的最小值Iminj、光强最小值Iminj的坐标、光强I在拐点处的斜率kij和拐点的坐标中的一种或多种组合。
具体的，本实施例中，所述参考光强分布信息包括：光强的最大值Imaxj、光强的最小值Iminj和光强I在拐点处的斜率kij。
在其他实施例中，所述参考信息包括参考几何特征信息，或者参考光强分布信息和参考几何特征信息两种组合。
获取所述参考光强分布信息的方法包括：获取参考几何特征信息处理；或者获取参考光强分布信息处理和获取参考几何特征信息处理两种组合。
获取参考几何特征信息处理的方法包括：据所述参考图形获取参考几何特征信息。
当所述参考图形为多边形时，所述几何特征信息包括：所述参考图形各边边长、顶角角度和各顶角之间距离中的一种或多种组合；当所述参考图形为不规则图形时，所述几何特征信息包括：所述参考图形沿各方向尺寸中的一种或多种组合。
建立参考信息和阈值信息的对应关系模型的对应关系模型。
所述参考光强分布Ij获取参考光强分布信息，从而能够建立参考光强分布信息和阈值信息的对应关系模型。在进行光学邻近效应修正过程中，能够根据目标图形的光强分布信息与所述对应关系模型中的参考光强分布信息比较，从而确定能够用于获取掩膜板图形的阈值信息，从而获取掩膜板图形。由于光刻工艺中，光刻胶上的光强分布决定形成于光刻胶中的光刻图形。
若干参考图形100的参考光强分布信息和阈值信息相互对应。建立所述对应关系模型能够使形成掩膜板图形的过程中，通过所述对应关系模型中的参考光强分布信息，能够获取相应的阈值信息，从而能够获取掩膜板图形。
本发明还提供一种掩膜板修正模型，包括：初始光强阈值I0和参考条件信息；参考光强分布、参考光强分布信息和光强阈值的对应关系模型。
所述参考光强分布信息包括：光强的最大值、光强的最小值、光强最小值的坐标、光强在拐点处的斜率和拐点的坐标中的一种或多种组合。
所述参考条件信息包括：光源信息和光刻胶性质参数信息。
本发明实施例还提供一种光学邻近效应修正模型，包括：参考信息和光强阈值的对应关系模型。
所述参考信息包括参考光强分布信息和参考几何特征信息中的一种或两种组合。
所述参考光强分布信息包括：光强最大值、光强最小值、光强最小值的坐标、光强在拐点处的斜率和拐点坐标中的一种或多种组合。
所述参考几何特征信息包括：各方向的尺寸中的一种或多种组合。
所述阈值信息包括光强阈值，所述参考光强分布中光强大于和等于所述光强阈值的位置信息构成的图形为第一矫正图形，所述第一矫正图形，所述第一矫正图形具有第一矫正尺寸，所述第一矫正尺寸与所述测试尺寸相等。
或者，所述阈值信息包括初始光强阈值和阈值误差，所述初始光强阈值与阈值误差之和等于光强阈值，所述参考光强分布中光强大于和等于所述光强阈值的位置信息构成的图形为第一矫正图形，所述第一矫正图形。
所述光学邻近效应修正模型，还包括：光源信息，所述光源信息包括光波波长、脉宽和功率；光刻胶性能参数信息。
通过所述测试图形和参考光强分布获取阈值信息，且所述第一矫正尺寸与所述测试尺寸相等。由于所述测试图形通过测试曝光处理获取，所述测试曝光处理与实际应用中的曝光处理相同。所述第一矫正尺寸与所述测试尺寸相等，则所述第一矫正尺寸的误差较小，则所述阈值信息的误差较小，因此所述光学邻近效应修正模型的精度较高，能够增加光学邻近效应修正处理的精度。
本实施例中的掩膜板修正模型由图2至图7所述的方法建立，在此不做赘述。
图8是本发明的掩膜板的形成方法一实施例各步骤的流程图。
请参考图8，所述掩膜板的形成方法包括：
步骤S31，提供目标图形；
步骤S32，提供光学邻近效应修正模型；
步骤S33，根据所述目标图形获取初始目标掩膜板图形；
步骤S34，根据所述光学邻近效应修正模型对所述初始目标掩膜板图形进行修正处理，获取目标掩膜板图形；
步骤S35，根据所述目标掩膜板图形形成掩膜板。
图10是本发明的掩膜板的形成方法一实施例中修正处理各步骤的流程图。
请参考图10，所述修正处理包括：
步骤S41，以所述初始目标掩膜板图形为掩膜进行第二模拟曝光处理，获取目标光强分布；
步骤S42，获取所述目标图形对应的对比信息，所述对比信息与所述参考信息对应；
步骤S43，使所述对比信息在所述对应关系模型的所述参考信息中进行第一比较处理，获取目标参考信息；
步骤S44，通过所述对应关系模型获取与所述目标参考信息对应的阈值信息，作为目标阈值信息；
步骤S45，根据所述目标阈值信息和目标光强分布获取第二矫正图形；
步骤S46，根据所述第二矫正图形与目标图形对所述初始目标掩膜图形进行矫正处理；重复第二模拟曝光处理至矫正处理的步骤，执行步骤S47，获取目标掩膜板图形。
以下结合图10至图12对所述掩膜板的形成方法进行详细说明。
图10至图12是本发明的掩膜板的形成方法一实施例各步骤的结构示意图。
请参考图10，提供目标图形200；提供光学邻近效应修正模型。
所述目标图形200为半导体工艺中需要形成于光刻胶中的图形。
所述目标图形200具有目标尺寸D2。
本实施例中，所述目标图形200为矩形，所述目标尺寸D2为所述目标图形的各边边长和对角线尺寸中的一种或多种组合。
在其他实施例中，所述目标图形为圆心，所述目标尺寸为目标图形的直径。所述目标图形为不规则图形，所述目标尺寸为目标图形沿任一方向的尺寸中的一种或多种组合。
本实施例中的光学邻近效应修正模型与图2至图7所示的方法建立的光学邻近效应修正模型相同，在此不做赘述。
继续参考图10，根据所述目标图形200(如图10所示)获取初始目标掩膜板图形210。
本实施例中，使所述初始目标掩膜板图形210与所述目标图形200的形状和尺寸相同。在其他实施例中，可以根据经验，使所述初始目标掩膜板图形与所述目标图形的形状和尺寸不相同。
本实施例中，所述初始目标掩膜板图形210具有初始目标掩膜图形尺寸D3，所述初始目标掩膜图形尺寸D3为所述初始目标掩膜图形210与所述目标尺寸D2对应方向的尺寸。
本实施例中，所述初始目标掩膜图形尺寸D3等于所述目标尺寸D2。
请参考图11，以所述初始目标掩膜板图形210为掩膜进行第二模拟曝光处理，获取目标光强分布I0。
所述目标光强分布I0为目标位置信息与目标光强的对应关系信息。
所述目标光强分布I0用于后续获取目标阈值信息的依据。
获取所述目标光强分布的方法包括：根据所述目标图形210建立目标位置坐标系，所述目标位置坐标系包括第三坐标轴x0和第四坐标轴，所述第三坐标轴x0和第四坐标轴分别对应于所述目标图形的两个目标尺寸方向；获取各位置信息处的目标光强；建立目标位置信息与目标光强的函数关系，得到目标光强分布I0。
由于所述目标图形200与所述初始目标掩膜图形210对应，则所述目标位置坐标系与所述初始目标掩膜图形210对应。
本实施例以所述目标图形200为矩形为例进行说明。
建立目标位置坐标系的方法包括：使所述目标位置坐标系的原点与所述目标图形200中心对应；所述第三坐标轴x1和第四坐标轴(图中未示出)分别平行于所述目标图形200的两边。
本实施例中，通过数值模拟建立目标位置信息与目标光强的函数关系，获取目标光强分布I0。
通过所述光源信息进行第二模拟曝光处理。
继续参考图11，获取与所述目标图形对应的对比信息，所述对比信息与所述参考信息对应。
本实施例中，所述参考信息包括参考光强分布信息；相应的，所述对比信息包括对比光强分布信息。
所述参考信息包括参考光强分布信息，所述对比信息包括对比光强分布信息，则通过参考光强分布信息与对比光强分布信息进行对比处理，获取目标阈值信息。由于不同初始目标掩膜板图形获取的目标光强分布不相同，然而相应的对比光强分布信息可能相同，因此所述对比光强分布信息对应的目标图形较多，从而能够减少获取目标阈值信息失败的几率。
所述阈值信息包括光强阈值，获取光强阈值的方法简单，能够简化建立方法，从而节约时间成本。所述阈值信息包括光强阈值，在进行修正处理过程中，能够简化修正处理的方法，进而减少修正处理时间。
所述对比光强分布信息与所述参考光强分布信息对应。所述参考光强分布信息包括：光强的最大值、光强的最小值、光强最小值的坐标、光强在拐点处的斜率和拐点的坐标中的一种或多种组合。
在其他实施例中，所述参考信息包括参考几何特征信息；所述对比信息包括对比几何特征信息；还包括：根据所述目标图形获取所述对比几何特征信息。其特征在于，当所述目标图形为多边形时，所述参考几何特征信息包括：所述目标图形各边边长、顶角角度和各顶角之间距离中的一种或多种组合；当所述目标图形为不规则图形时，所述对比几何特征信息包括：所述目标图形沿各方向尺寸中的一种或多种组合。所述对比几何特征信息可以为所述目标尺寸。
具体的，本实施例中，所述参考光强分布信息包括光强的最大值、光强的最小值和光强在拐点处的斜率。
所述对比光强分布信息包括：光强的最大值Imax0、光强的最小值Imin0、光强最小值Imin0的坐标、光强在拐点处的斜率k0和拐点的坐标中的一种或多种组合。具体的，本实施例中，所述对比光强分布信息包括：光强的最大值Imax0、光强的最小值Imin0和光强在拐点处的斜率k0。
请参考图12，使所述对比信息在所述对应关系模型的参考信息中进行第一比较处理，获取目标参考信息；通过所述对应关系模型获取与所述目标参考信息对应的阈值信息，作为目标阈值信息。
本实施例中，获取目标参考信息的方法包括：进行循环比较处理，所述循环比较处理的方法包括：使所述对比信息分别与所述对应关系模型中的参考信息进行比较，获取比较误差；重复所述循环比较的步骤至所述比较误差小于预设值时，获取进行本次循环比较处理的参考信息作为目标参考信息。
具体的，本实施例中，所述对比信息与所述参考信息进行比较的方法包括：使所述对比光强分布信息与所述参考光强分布信息进行比较，获取比较误差。
在其他实施例中，获取目标参考信息的方法包括：使所述对比信息分别与若干所述参考信息进行比较，获取若干比较误差；获取最小比较误差对应的参考信息，作为目标参考信息。
本实施例中，所述阈值信息包括初始光强阈值Ith0和阈值误差Id。所述目标阈值信息包括：对应于所述初始光强阈值Ith0的初始目标阈值信息；对应于所述阈值误差的目标阈值误差。
在其他实施例中，所述阈值信息包括光强阈值；相应的，所述目标阈值信息包括目标光强阈值。
本实施例中，当所述比较误差小于预设值时，获取进行本次循环比较处理的参考信息对应的阈值误差得到目标阈值误差，并获取对应的初始光强阈值Ith0得到初始目标光强阈值。
本实施例中，所述比较误差包括第一比较误差δ1、第二比较误差δ2和第三比较误差δ3。
所述第一比较处理的方法包括：获取所述对比光强分布信息的光强的最大值Imax0与所述参考光强分布信息的光强的最大值Imaxj之差，得到第一比较误差δ1；获取所述对比光强分布信息的光强的最小值Imin0与所述参考光强分布信息的光强最小值Iminj之差，得到第二比较误差δ2；获取所述对比光强分布信息的光强在拐点处的斜率k0与所述参考光强分布信息的光强在拐点处的斜率kij之差，得到第三比较误差δ3。
相应的，所述预设值包括：与所述第一比较误差δ1对应的第一预设值；与第二比较误差δ2对应的第二预设值；与所述第三比较误差δ3对应的第三预设值；
所述比较误差小于预设值包括：所述第一比较误差δ1的绝对值小于第一预设值，所述第二比较误差δ2的绝对值小于第二预设值，且所述第三比较误差δ3的绝对值小于第三预设值。
继续参考图12，根据所述目标阈值信息和目标光强分布I0获取第二矫正图形；根据所述第二矫正图形与目标图形对所述初始目标掩膜图形进行矫正处理。
需要说明的是，所述光学邻近效应修正模型中阈值信息的误差较小，能够减小修正处理的循环次数，从而降低时间成本，且获取的目标掩膜板图形的精度较高，从而能够改善所述掩膜板的性能。
本实施例中，获取所述第二矫正图形的方法包括：通过所述阈值误差对所述初始光强阈值Ith0进行补偿，获取目标光强阈值Ith2；获取所述目标光强分布中光强大于或等于目标光强阈值Ith2的若干位置信息；根据若干所述位置信息构成的图形获取第二矫正图形。
通过对所述初始光强阈值Ith0进行补偿，获取目标光强阈值Ith2，则所述目标光强阈值Ith2的精度较高。通过目标光强阈值Ith2和所述目标光强分布I0获取第二矫正图形，所述目标光强阈值Ith2的精度是第二矫正图形精度的关键参数，因此增加所述目标光强阈值Ith2的精度能够有效提高修正处理的精度。另外，仅需要对初始光强阈值Ith0进行补偿，补偿的参数量较小，从而能够简化计算复杂度。
在其他实施例中，所述阈值信息包括光强阈值；获取所述第二矫正图形的方法包括：获取所述目标光强分布中光强大于和等于光强阈值的若干位置信息；根据若干所述位置信息构成的图形获取第二矫正图形。
所述参考信息包括参考光强分布信息，所述对比信息包括目标光强分布信息，则通过参考光强分布信息与目标光强分布信息进行对比处理，获取目标阈值信息。由于不同初始目标掩膜板图形获取的目标光强分布不相同，然而相应的目标光强分布信息可能相同，因此所述目标光强分布信息对应的目标图形较多，从而能够减少获取阈值信息失败的几率。
本实施例中，所述第二矫正图形具有第二矫正尺寸，所述第二矫正尺寸与所述目标尺寸对应。
所述第二矫正尺寸与所述目标尺寸对应表示：所述第二矫正图形中第二矫正尺寸的方向与所述目标图形中目标尺寸的方向相同。
本实施例中，所述矫正处理的方法包括：当所述目标尺寸大于所述第二矫正尺寸时，增加所述初始掩膜板图形对应于所述第二矫正尺寸的初始掩膜尺寸；当所述目标尺寸小于所述第二矫正尺寸时，减小所述初始掩膜板图形对应于所述第二矫正尺寸的初始掩膜尺寸；当所述目标尺寸等于所述第二矫正尺寸时，使所述初始掩膜板图形对应于所述第二矫正尺寸的初始掩膜尺寸不变。
本实施例中，矫正处理之前，还包括：根据所述第二矫正图形和目标图形获取矫正误差。
本实施例中，所述矫正误差为目标尺寸与第二矫正尺寸之差。
重复第二模拟曝光处理至矫正处理的步骤，获取目标掩膜板图形。
本实施例中，重复第二模拟曝光处理至矫正处理的步骤至所述矫正误差小于预设矫正误差。
在其他实施例，进行所述修正处理之前，还包括：设定修正次数；重复第二模拟曝光处理的步骤大至修正次数。
所述目标掩膜板图形用于形成掩膜板。
根据所述目标光强分布和所述目标光强阈值Ith0，获取目标掩膜板图形；根据所述掩膜板图形形成掩膜板。
根据所述目标掩膜板图形形成掩膜板。
形成所述掩膜板的步骤包括：提供透光基板；在所述透光基板上形成遮光层；对所述遮光层进行刻蚀，在所述遮光层中形成多个开口，所述开口的形状和尺寸与所述目标掩膜板图形的形状和尺寸相同。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (17)

1.一种光学邻近效应修正模型的建立方法，其特征在于，包括：
提供若干参考图形；
对所述参考图形进行阈值获取处理，获取阈值信息和参考信息，所述阈值获取处理的方法包括：
以参考图形为掩膜进行第一模拟曝光处理，获取参考光强分布；
根据所述参考图形获取测试掩膜板；
以所述测试掩膜板为掩膜进行测试曝光处理，获取测试图形，所述测试图形具有测试尺寸；
通过测试图形和参考光强分布获取阈值信息，所述阈值信息用于在所述参考光强分布中获取第一矫正图形，所述第一矫正图形具有对应于所述测试尺寸的第一矫正尺寸，所述第一矫正尺寸与所述测试尺寸相等，所述阈值信息包括光强阈值，所述参考光强分布中光强大于和等于所述光强阈值的位置信息构成的图形为第一矫正图形；获取所述光强阈值的方法包括：根据所述测试图形在所述参考光强分布中获取光强阈值；
获取与所述参考图形对应的参考信息，所述参考信息包括参考光强分布信息和参考几何特征信息；
重复所述阈值获取处理至获取若干参考信息以及相应的阈值信息；
建立参考信息和阈值信息的对应关系模型。
2.如权利要求1所述的光学邻近效应修正模型的建立方法，其特征在于，还包括：根据若干测试图形和若干参考光强获取初始光强阈值。
3.如权利要求2所述的光学邻近效应修正模型的建立方法，其特征在于，所述阈值信息包括所述初始光强阈值和阈值误差；
获取所述阈值误差的方法包括：通过所述测试图形在所述参考光强分布中获取测试光强阈值，所述参考光强分布中光强大于和等于所述测试光强阈值的位置信息构成的图形为所述第一矫正图形；根据所述测试光强阈值与初始光强阈值之差，获取阈值误差。
4.如权利要求2所述的光学邻近效应修正模型的建立方法，其特征在于，所述阈值信息包括光强阈值；
获取所述光强阈值的方法包括：通过所述测试图形在所述参考光强分布中获取测试光强阈值，所述参考光强分布中光强大于和等于所述测试光强阈值的位置信息构成的图形为所述第一矫正图形；根据所述测试光强阈值与初始光强阈值之差，获取阈值误差；通过所述阈值误差对所述初始光强阈值进行补偿，获取光强阈值。
5.如权利要求1所述的光学邻近效应修正模型的建立方法，其特征在于，获取所述参考光强分布信息的方法包括：获取参考光强分布信息处理和获取参考几何特征信息处理中的一种或两种组合；
获取所述参考光强分布信息处理的方法包括：根据所述参考光强分布获取参考光强分布信息；
获取所述参考几何特征信息处理的方法包括：根据所述参考图形获取参考几何特征信息。
6.如权利要求5所述的光学邻近效应修正模型的建立方法，其特征在于，所述参考光强分布信息包括：光强最大值、光强最小值、光强最小值的坐标、光强在拐点处的斜率和拐点坐标中的一种或多种组合。
7.如权利要求5所述的光学邻近效应修正模型的建立方法，其特征在于，当所述参考图形为多边形时，所述参考几何特征信息包括：所述参考图形各边边长、顶角角度和各顶角之间距离中的一种或多种组合；
当所述参考图形为不规则图形时，所述参考几何特征信息包括：所述参考图形沿各方向的尺寸中的一种或多种组合。
8.如权利要求1所述的光学邻近效应修正模型的建立方法，其特征在于，所述测试图形为多边形，所述测试尺寸包括所述测试图形各边的边长和测试图形的对角线长度中的一种或多种组合；所述第一矫正尺寸为对应于所述测试尺寸的方向上，所述第一矫正图形的尺寸。
9.如权利要求1所述的光学邻近效应修正模型的建立方法，其特征在于，还包括：提供光源信息；通过所述光源信息进行第一模拟曝光处理；
所述测试曝光处理的方法包括：根据所述光源信息获取测试光源；通过所述测试光源对所述测试掩膜板进行测试曝光处理。
10.如权利要求9所述的光学邻近效应修正模型的建立方法，其特征在于，所述光源信息包括光波波长、脉宽和功率。
11.一种由权利要求1至10任意一项所述的方法形成的光学邻近效应修正模型。
12.如权利要求11所述的光学邻近效应修正模型，其特征在于，所述参考信息包括参考光强分布信息和参考几何特征信息中的一种或两种组合；
所述参考光强分布信息包括：光强最大值、光强最小值、光强最小值的坐标、光强在拐点处的斜率和拐点坐标中的一种或多种组合；
所述参考几何特征信息包括：参考图形沿各方向的尺寸中的一种或多种组合。
13.如权利要求11所述的光学邻近效应修正模型，其特征在于，所述阈值信息包括光强阈值，所述参考光强分布中光强大于和等于所述光强阈值的位置信息构成的图形为第一矫正图形，所述第一矫正图形，所述第一矫正图形具有第一矫正尺寸，所述第一矫正尺寸与测试尺寸相等；
或者，所述阈值信息包括初始光强阈值和阈值误差，所述初始光强阈值与阈值误差之和等于光强阈值，所述参考光强分布中光强大于和等于所述光强阈值的位置信息构成的图形为第一矫正图形，所述第一矫正图形具有第一矫正尺寸，所述第一矫正尺寸与测试尺寸相等。
14.一种掩膜板的形成方法，其特征在于，包括：
提供目标图形；
提供如权利要求11至13任意一项所述的光学邻近效应修正模型；
根据所述目标图形获取初始目标掩膜板图形；
根据所述光学邻近效应修正模型对所述初始目标掩膜板图形进行修正处理，获取目标掩膜板图形，所述修正处理的方法包括：
以所述初始目标掩膜板图形为掩膜进行第二模拟曝光处理，获取目标光强分布；
获取所述目标图形对应的对比信息，所述对比信息与所述参考信息对应；
使所述对比信息在所述对应关系模型的参考信息中进行第一比较处理，获取目标参考信息，获取目标参考信息的方法包括：进行循环比较处理，所述循环比较处理的方法包括：使所述对比信息分别与所述对应关系模型中的参考信息进行比较，获取比较误差；重复所述循环比较的步骤至所述比较误差小于预设值时，获取进行本次循环比较处理的参考信息作为目标参考信息；或者，获取目标参考信息的方法包括：使所述对比信息分别与若干所述参考信息进行比较，获取若干比较误差；获取最小比较误差对应的参考信息作为目标参考信息；
通过所述对应关系模型获取与所述目标参考信息对应的阈值信息，作为目标阈值信息；
根据所述目标阈值信息和目标光强分布获取第二矫正图形，所述阈值信息包括光强阈值，获取所述第二矫正图形的方法包括：获取所述目标光强分布中光强大于和等于光强阈值的若干位置信息；获取若干所述位置信息构成的图形作为第二矫正图形；
根据所述第二矫正图形与目标图形对所述初始目标掩膜图形进行矫正处理；
重复第二模拟曝光处理至矫正处理的步骤，直至获取目标掩膜板图形；根据所述目标掩膜板图形形成掩膜板。
15.如权利要求14所述的掩膜板的形成方法，其特征在于，所述光学邻近效应修正模型还包括光源信息；通过所述光源信息进行所述第二模拟曝光处理。
16.如权利要求14所述的掩膜板的形成方法，其特征在于，所述阈值信息包括初始光强阈值和阈值误差；
获取所述第二矫正图形的方法包括：通过所述阈值误差对所述初始光强阈值进行补偿，获取目标光强阈值；获取所述目标光强分布中光强大于或等于目标光强阈值的若干位置信息；获取若干所述位置信息构成的图形作为第二矫正图形。
17.如权利要求14所述的掩膜板的形成方法，其特征在于，所述参考信息包括参考光强分布信息；所述对比信息包括对比光强分布信息；还包括：根据所述目标光强分布获取对比光强分布信息；
或者，所述参考信息包括参考几何特征信息；所述对比信息包括对比几何特征信息；还包括：根据所述目标图形获取所述对比几何特征信息。
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