CN116300297A - Opc模型及其建立方法和系统、opc方法、设备及存储介质 - Google Patents
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Abstract
一种OPC模型及其建立方法和系统、OPC方法、设备及存储介质，建立方法包括：提供测试图形；根据测试图形获得测试光罩；对测试光罩进行实际曝光，获得实际曝光图形；利用初始光学邻近修正模型对测试图形进行模拟曝光，获得模拟曝光图形，模拟曝光包括：对测试图形上的测试点和多个周围点的光强相关分布进行平滑化处理，且对周围点分别配置在平滑化处理中所占的权重；根据实际曝光图形和模拟曝光图形，确定实际曝光图形和模拟曝光图形的误差；基于误差对初始光学邻近修正模型进行校正，得到光学邻近修正模型。本发明更精准地建立光学邻近修正模型。
Description
技术领域
本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种OPC模型及其建立方法和系统、OPC方法、设备及存储介质。
背景技术
当集成电路的特征尺寸接近光刻机曝光的系统极限，即特征尺寸接近或小于光刻光源时，硅片上制造出的版图会出现明显的畸变，该现象称为光学邻近效应。为了应对光学邻近效应，提出了分辨率增强技术。光学邻近修正(Optical Proximity Correction，简称OPC)是目前在半导体先进制造技术中广泛采用的一种解析增强技术，光学邻近修正技术是在找到图形失真量与图形本身特性的关系基础上，运用物理和数学相结合的模型来拟合这一关系，随后基于该模型对涉及版图所有各种图形进行全面的修改，以保证在曝光之后的半导体衬底上形成符合设计要求的图形。
然而，现有技术中光学邻近修正采用的光学邻近修正模型的精度和自适应性仍有待提高。
发明内容
本发明实施例解决的问题是提供一种OPC模型及其建立方法和系统、OPC方法、设备及存储介质，更精准地建立光学邻近修正模型。
为解决上述问题，本发明实施例提供一种光学邻近修正模型的建立方法，包括：提供测试版图，测试版图包括测试图形；根据测试图形，获得相对应的测试光罩；对测试光罩进行实际曝光，获得实际曝光图形；利用初始光学邻近修正模型对测试图形进行模拟曝光，获得模拟曝光图形，模拟曝光包括：对测试图形上的每一个测试点和位于测试点四周的多个周围点的光强相关分布进行平滑化处理，且对与测试点距离相等的周围点分别配置在平滑化处理中所占的权重；根据实际曝光图形和相对应模拟曝光图形，确定实际曝光图形和相对应模拟曝光图形的误差；基于所述误差对所述初始光学邻近修正模型进行校正，得到光学邻近修正模型。
相应的，本发明实施例还提供一种光学邻近修正模型的建立系统，包括：版图提供模块，用于提供测试版图，测试版图包括测试图形；测试光罩制备模块，用于根据测试图形，获得相对应的测试光罩；实际曝光模块，用于对测试光罩进行实际曝光，获得实际曝光图形；模拟曝光模块，用于利用初始光学邻近修正模型对测试图形进行模拟曝光，获得模拟曝光图形，模拟曝光包括：对测试图形上的每一个测试点和位于测试点四周的多个周围点的光强相关分布进行平滑化处理，且对与测试点距离相等的周围点分别配置在平滑化处理中所占的权重；误差确定模块，用于根据实际曝光图形和相对应模拟曝光图形，确定实际曝光图形和相对应模拟曝光图形的误差；模型建立模块，用于基于所述误差对所述初始光学邻近修正模型进行校正，得到光学邻近修正模型。
相应的，本发明实施例还提供一种光学邻近修正模型，包括采用本发明实施例提供的光学邻近修正模型的建立方法获得的光学邻近修正模型。
相应的，本发明实施例还提供一种光学邻近修正方法，包括基于本发明实施例提供的光学邻近修正模型的建立方法建立的光学邻近修正模型的光学邻近修正方法。
相应的，本发明实施例还提供一种设备，包括至少一个存储器和至少一个处理器，存储器存储有一条或多条计算机指令，其中，一条或多条计算机指令被处理器执行以实现本发明实施例提供的光学邻近修正方法。
相应的，本发明实施例还提供一种存储介质，存储介质存储有一条或多条计算机指令，一条或多条计算机指令用于实现本发明实施例提供的光学邻近修正方法。
与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：
本发明实施例提供的光学邻近修正模型的建立方法中，模拟曝光包括：对测试图形上的每一个测试点和位于测试点四周的多个周围点的光强相关分布进行平滑化处理，且对与测试点距离相等的周围点分别配置在平滑化处理中所占的权重；相比于在平滑化处理中，对与测试点距离相等的周围点所占的权重统一分配为相等值的方案，本发明实施例中，各个周围点能够根据光强相关分布的情况，在平滑化处理中获得相匹配的权重分配，则能够根据光强相关分布的情况灵活调节各个周围点在平滑化处理中所占权重，从而使得光学邻近修正模型适应于各类形状的测试图形，同时，能够更精准地建立光学邻近修正模型，从而提高采用光学邻近修正模型进行光学邻近修正的效果。
可选方案中，高斯函数具有沿x轴的第一方差参数、以及沿y轴的第二方差参数，相比于高斯函数仅具有一个方差参数的方案，高斯函数具有两个方差参数，增加了高斯函数的可调参数，有利于灵活选择两个方差参数，适应于各类形状的图形，而且，在光学邻近修正模型的建立过程中，根据多个周围点的光强相关分布的情况，可以通过调节高斯函数的两个参数，获得更精准的高斯函数，从而更精准地分配各个周围点在平滑化中所占权重，更精准地建立光学邻近修正模型，进而提高采用光学邻近修正模型进行光学邻近修正的效果。
附图说明
图1是一种光学邻近修正模型的建立方法的流程图；
图2是本发明光学邻近修正模型的建立方法一实施例的流程图；
图3至图5是本发明光学邻近修正模型的建立方法一实施例中各步骤对应的示意图；
图6是本发明光学邻近修正模型的建立系统一实施例的功能框图；
图7是本发明提供的设备一实施例的硬件结构图。
具体实施方式
目前光学邻近修正模型的建立的精准度有待提高。现结合一种光学邻近修正模型的建立方法分析光学邻近修正模型的建立的精准度有待提高的原因。
图1是一种光学邻近修正模型的建立方法的流程图。光学邻近修正模型的建立方法包括：
步骤s1：提供测试版图，测试版图包括测试图形；
步骤s2：根据测试图形，获得相对应的测试光罩；
步骤s3：对测试光罩进行实际曝光，获得实际曝光图形；
步骤s4：利用初始光学邻近修正模型对测试图形进行模拟曝光，获得模拟曝光图形，模拟曝光包括：对测试图形上的每一个测试点和位于测试点四周的多个周围点的光强相关分布进行平滑化处理，且与测试点距离相等的周围点在平滑化处理中所占的权重相等；
步骤s5：比较实际曝光图形和相对应模拟曝光图形，获取实际曝光图形和相对应模拟曝光图形的误差；
步骤s6：判断误差是否满足预设阈值条件；
步骤s7：当误差未满足预设阈值条件时，根据误差，校正初始光学邻近修正模型，并返回执行模拟曝光、以及比较实际曝光图形和相对应模拟曝光图形的步骤；
步骤s8：当误差满足预设阈值条件时，将初始光学邻近修正模型作为光学邻近修正模型。
在实际曝光过程中，如果采用非完全对称的光源进行光照(例如：双极照明)时，测试图形上的光强相关分布不对称，而且，测试图形通常不是完全对称的图形，则测试图形上各测试点的光强相关分布通常不对称、且位于测试点四周的多个周围点的光强相关分布差异较大，从而在模拟曝光的步骤中，测试图形上位于每一个测试点四周的多个周围点的光强相关分布对测试点的影响的差距较大，但是，在对测试图形上的每一个测试点和位于测试点四周的多个周围点的光强相关分布进行平滑化处理的步骤中，与测试点距离相等的周围点在平滑化处理中所占的权重相等，则难以根据光强相关分布情况灵活调节各个周围点在平滑化处理中所占权重，从而难以适应于各类形状的测试图形，同时，对于位于测试点四周的光强相关分布差异较大的多个周围点，在平滑化处理中赋予相等的权重，容易导致获得的光学邻近修正模型的精度较差，从而导致采用光学邻近修正模型进行光学邻近修正的效果较差。
为了解决技术问题，本发明实施例提供一种光学邻近修正模型的建立方法。参考图2，示出了本发明光学邻近修正模型的建立方法一实施例的流程图。
本实施例中，光学邻近修正模型的建立方法包括以下基本步骤：
步骤S1：提供测试版图，测试版图包括测试图形；
步骤S2：根据测试图形，获得相对应的测试光罩；
步骤S3：对测试光罩进行实际曝光，获得实际曝光图形；
步骤S4：利用初始光学邻近修正模型对测试图形进行模拟曝光，获得模拟曝光图形，模拟曝光包括：对测试图形上的每一个测试点和位于测试点四周的多个周围点的光强相关分布进行平滑化处理，且对与测试点相等距离的周围点分别配置在平滑化处理中所占的权重；
步骤S5：根据实际曝光图形和相对应模拟曝光图形，确定实际曝光图形和相对应模拟曝光图形的误差；
步骤S6：基于所述误差对所述初始光学邻近修正模型进行校正，得到光学邻近修正模型。
相比于在平滑化处理中，对与测试点距离相等的周围点所占的权重统一分配为相等值的方案，本发明实施例中，各个周围点能够根据光强相关分布的情况，在平滑化处理中获得相匹配的权重分配，则能够根据光强相关分布的情况灵活调节各个周围点在平滑化处理中所占权重，从而使得光学邻近修正模型适应于各类形状的测试图形，同时，能够更精准地建立光学邻近修正模型，从而提高采用光学邻近修正模型进行光学邻近修正的效果。
为使本发明实施例的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
图3至图5是本发明光学邻近修正模型的建立方法一实施例中各步骤对应的示意图。
参考图3，执行步骤S1：提供测试版图100，测试版图100包括测试图形110。
测试图形110为转移至晶圆上的目标图形，测试图形110用于制作测试光罩，从而利用测试光罩进行光刻工艺，以在晶圆上形成对应的实际曝光图形。
本实施例中，测试版图100包括多个测试图形110。
为此，在后续比较实际曝光图形和相对应模拟曝光图形的尺寸的步骤中，不仅比较图形的关键尺寸(Critical Dimension，CD)，还需要比较多个图形之间的间距的关键尺寸。
本实施例中，测试图形110包括线条(line)图形或孔洞图形。
本实施例中，线条图形包括金属线图形或隔断图形。
本实施例中，孔洞图形包括接触孔(contact)图形或互连通孔(via)图形，孔洞图形的形状包括圆形、椭圆形或者近似圆形或椭圆形的不规则圆形。
执行步骤S2：根据测试图形110，获得相对应的测试光罩(未示出)。
测试光罩用于在后续实际曝光的步骤中，作为获得实际曝光图形的掩膜。
参考图4，执行步骤S3：对测试光罩进行实际曝光，获得实际曝光图形300。
具体地，在实际曝光的过程中，光线通过测试光罩中透光的区域照射至涂覆有光刻胶的硅片上，光刻胶在光线的照射下发生化学反应，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度的不同而显影，形成实际曝光图形，实现图案从测试光罩到光刻胶上的转移。
参考图5，执行步骤S4：利用初始光学邻近修正模型对测试图形110进行模拟曝光，获得模拟曝光图形200，模拟曝光包括：对测试图形110上的每一个测试点和位于测试点四周的多个周围点的光强相关分布进行平滑化处理，且对与测试点相等距离的周围点分别配置在平滑化处理中所占的权重。
相比于在平滑化处理中，对与测试点距离相等的周围点所占的权重统一分配为相等值的方案，本实施例中，各个周围点能够根据光强相关分布的情况，在平滑化处理中获得相匹配的权重分配，则能够根据光强相关分布的情况灵活调节各个周围点在平滑化处理中所占权重，从而使得光学邻近修正模型适应于各类形状的测试图形110，同时，能够更精准地建立光学邻近修正模型，从而提高采用光学邻近修正模型进行光学邻近修正的效果。
需要说明的是，测试点四周的多个周围点指的是，以测试点为中心，围绕在测试点四周的周围点，不仅限于位于测试图形110内部的点，还可以包括位于测试图形110外部的点，测试点与位于测试点四周的多个周围点呈矩阵分布。
还需要说明的是，在实际建模过程中，为了减少运算量，提高建模效率，可以选取测试图形110的局部区域作为测试区域，选择测试区域中的点作为测试点。
具体地，本实施例中，根据光学半径和平滑化处理的处理精度确定需要进行平滑化处理的多个周围点的个数，从而获得测试点与位于测试点四周的多个周围点构成的矩阵阶数。
通常，矩阵为方阵，有利于提高测试点和位于测试点四周的多个周围点的光强相关分布进行平滑化处理的均匀性。
本实施例中，光强相关分布至少包括原始光强，原始光强为测试点的空间光强。
相应的，对测试图形上的每一个测试点和位于测试点四周的原始光强进行平滑化处理。
本实施例中，光强相关分布还包括光酸(photo-acid)和光碱(photo-base)，光酸和光碱呈反比。
相应的，对测试图形上的每一个测试点和位于测试点四周的光酸和光碱也进行平滑化处理。
在半导体领域中，通常采用基于模型的光学邻近修正(model-based OPC，MB-OPC)处理，对目标图形进行光学邻近修正处理，具体地，使用光学模型和光刻胶光化学反应模型计算出目标图形相应曝光后的初始模拟图形，基于模型的光学邻近修正处理将目标图形的轮廓对应的边识别出来，而基于模型的光学邻近修正处理依赖于精确的光学邻近修正模型。
通常，光学邻近修正模型通过优化模型形式的拟合系数来构建，本实施例中，通过拟合获得的模拟曝光图形200与实际曝光图形300来优化模型形式的拟合系数。
需要说明的是，可以通过建模经验和实验数据获得初始的拟合系数，从而建立初始光学邻近修正模型。
本实施例中，初始光学邻近修正模型包括多个参数项，参数项为光强相关分布函数与相对应高核函数的卷积，高斯函数具有沿x轴的第一方差参数、以及沿y轴的第二方差参数，x轴与y轴相互垂直。
高斯函数具有沿x轴的第一方差参数、以及沿y轴的第二方差参数，相比于高斯函数仅具有一个方差参数的方案，高斯函数具有两个方差参数，增加了高斯函数的可调参数，有利于灵活选择两个方差参数，适应于各类形状的图形，而且，在光学邻近修正模型的建立过程中，根据多个周围点的光强相关分布的情况，可以通过调节高斯函数的两个参数，获得更精准的高斯函数，从而更精准地分配各个周围点在平滑化中所占权重，更精准地建立光学邻近修正模型，进而提高采用光学邻近修正模型进行光学邻近修正的效果。
本实施例中，以测试点为原点，建立高斯函数。
作为一种示例，高斯函数的表达式包括：
其中，Sa为第一方差参数，Sb为第二方差参数，x为测试点和周围点沿x轴的横坐标，y为测试点和周围点沿y轴的纵坐标。
其中，测试点的坐标为(0,0)。
需要说明的是，高斯函数的表达式并不局限于上述表达式。
本实施例中，高斯函数中，Sa与Sb不相等。
Sa与Sb不相等，则高斯函数的两个可调参数不相等，有利于适应于非对称形状的图形，而且，在光学邻近修正模型的建立过程中，也有利于适用于非对称的光源，从而更精准地建立光学邻近修正模型，进而提高采用光学邻近修正模型进行光学邻近修正的效果。
本实施例中，参数项为光强相关分布函数与相对应高核函数的卷积，则多个参数项用于分别对测试点进行高斯模糊处理，初始光学邻近修正模型包括多个参数项，则对每个测量点需要进行多次高斯模糊处理，根据实际建模过程中，测试图形110的形状和分布情况、以及光强相关分布的情况，设定初始光学邻近修正模型的参数项的数量。
具体地，光强相关分布函数为测试点与位于测试点四周的多个周围点的光强相关分布构成的矩阵，高斯函数用于对矩阵中的光强相关分布分别分配相应的权重。
本实施例中，初始光学邻近修正模型中的各参数项具有相应的系数。
系数为各个参数项在初始光学邻近修正模型中所占的比重，系数与高斯函数的第一方差参数和第二方差参数均为优化模型形式的拟合系数。
本实施例中，通过多个参数项建立初始光学邻近修正模型，将测试点与位于测试点四周的多个周围点的光强相关分布趋于均匀，从而获得测试点的有效光强相关分布。根据测试点的有效光强相关分布获得测试点的有效光强，用于确定模拟曝光图形200的轮廓。具体地，在模拟曝光的步骤中，当有效光强大于或等于印刷阈值(printing threshold)时，图形显示，当有效光强小于印刷阈值时，图形不显示，从而获得模拟曝光图形200。
需要说明的是，在实际建模过程中，为了方便数据处理，在计算有效光强时，先对光强相关分布函数进行归一化处理，再获得去量纲化的有效光强，为此，印刷阈值为无量纲的数值T。
需要说明的是，印刷阈值的数值T不宜过大，也不宜过小。如果T过大，则容易导致需要显示的图形却没有被显示，影响形成的模拟曝光图形200的准确性和完整性，从而影响模拟曝光图形200与实际曝光图形300的拟合效果；如果T过小，则容易导致不需要被显示的图形却被显示，影响形成的模拟曝光图形200的精度，从而影响模拟曝光图形200与实际曝光图形300的拟合效果。为此，本实施例中，预设阈值的数值T为0.1至0.3。
作为一种示例，初始光学邻近修正模型的表达式为：
其中，Ieffective为有效光强，
为卷积运算符号，I为原始光强，I-b为光碱，I+b为光酸，C1至C15为参数项相应的系数，Gs3至Gs15为半峰宽不同的高斯函数，/>
为光强梯度，/>
为光强曲率。
具体地，
至/>
为原始光强的参数项，/>
和
为光碱的参数项，/>
和/>
为光酸的参数项。
本实施例中，通过拟合模拟曝光图形200与实际曝光图形300，对初始光学邻近修正模型的表达式进行多次迭代，最终获得合适的系数、以及高斯函数中的第一方差参数和第二方差参数。
需要说明的是，初始光学邻近修正模型并不局限于上述表达式中所示出的模型。
执行步骤S5：根据实际曝光图形300和相对应模拟曝光图形200，确定实际曝光图形300和相对应模拟曝光图形200的误差。
误差用于判断模拟曝光图形200与实际曝光图形300是否拟合成功。
本实施例中，根据实际曝光图形300和相对应模拟曝光图形200，确定实际曝光图形300和相对应模拟曝光图形200的误差的步骤包括：分别获取实际曝光图形300和模拟曝光图形200中相对应的测量位置的关键尺寸；采用误差函数比较实际曝光图形300和相对应模拟曝光图形200的关键尺寸。
采用误差函数能够科学准确的比较实际曝光图形300和相对应模拟曝光图形200的关键尺寸，并且采用设定好的误差函数能够提高比较效率，节约运算时间。
本实施例中，误差函数为关键尺寸均方根。
模拟曝光图形200与实际曝光图形300拟合程度越高，关键尺寸均方根越小，则可以通过计算关键尺寸均方根的值，比较实际曝光图形300和相对应模拟曝光图形200的关键尺寸。
作为一种示例，关键尺寸均方根的表达式为
其中，wi为每个关键尺寸对应的200权重值，CDi，w为实际曝光图形300的关键尺寸，CDi，s为相对应的模拟曝光图形的关键尺寸。
本实施例中，分别获取实际曝光图形300和相对应模拟曝光图形200沿预设测量方向的关键尺寸，预设测量方向与水平方向呈任意角度。
具体地，在多个测试图形110上、以及测试图形110之间标记多个测量标(Gauge)120，测量标120与水平方向(如图3中X方向所示)呈任意角度。其中，测量标120的延伸方向即为测量方向。
测量标120用于标记在后续比较实际曝光图形和相对应模拟曝光图形的尺寸的步骤中，需要比较的关键尺寸的位置。
本实施例中，建立方法能够根据光强相关分布的情况灵活调节各个周围点在平滑化处理中所占权重，也就是说，建立方法能够各向异性地修正光学邻近修正模型，从而能够在各个方向对测试点的光强相关分布进行修正，有利于在预设测量方向与水平方向呈任意角度的情况下(也即测量标120与水平方向呈任意角度的情况下)，使得关键尺寸均方根收敛。
相比于测量标仅呈水平方向或竖直方向(如图3中Y方向所示)的方案，本实施例中，测量标120与水平方向呈任意角度(例如，测量标120与水平方向呈45°或135°)，扩大了测量标120的标注角度范围，则在后续通过测量标120获得关键尺寸的步骤中，可以从任意角度获得图形的关键尺寸，有利于根据测试图形110的形状灵活选择测量标120的测量方向，同时，在测量标120处，从多个方向进行测量，能够提高模拟曝光图形与实际曝光图形的拟合精度，从而更精准地建立光学邻近修正模型。
尤其，本实施例中，孔洞图形包括圆形、椭圆形或者近似圆形或椭圆形的不规则圆形，在对圆形、椭圆形或者近似圆形或椭圆形的不规则圆形的模拟曝光图形与实际曝光图形的拟合过程中，从多个角度获得图形的关键尺寸，有利于更精准地拟合带有圆弧状的图形轮廓，从而提高模拟曝光图形与实际曝光图形的拟合精度，进而更精准地建立光学邻近修正模型。
本实施例中，测量标120与实际曝光图形300相交有第一测量点310和第二测量点320；获取第一测量点310和第二测量点320的距离，作为实际曝光图形300的关键尺寸CDi,w。
实际曝光图形300的关键尺寸CDi,w用于作为模拟曝光图形与实际曝光图形相拟合的基准尺寸。
相应的，本实施例中，实际曝光图形300的关键尺寸CDi,w为显影后的光刻胶图形的特征尺寸(After Develop Inspection-Critical Dimension，ADI-CD)。
本实施例中，测量标120与模拟曝光图形200相交有第三测量点210和第四测量点220；获取第三测量点210和第四测量点220的距离，作为模拟曝光图形200的关键尺寸CDi,s。
模拟曝光图形200的关键尺寸CDi,s用于与实际曝光图形的关键尺寸CDi,w相拟合。
执行步骤S6：基于误差对初始光学邻近修正模型进行校正，得到光学邻近修正模型。
本实施例中，基于误差对初始光学邻近修正模型进行校正，得到光学邻近修正模型包括：判断误差是否满足预设阈值条件。
本实施例中，预设阈值条件包括：误差函数的值小于或等于预设值。
本实施例中，误差函数为关键尺寸均方根，模拟曝光图形200与实际曝光图形300拟合程度越高，关键尺寸均方根越小，则关键尺寸均方根收敛于预设值时，能够获得拟合程度较高的模拟曝光图形200与实际曝光图形300，从而获得光学邻近修正模型。
需要说明的是，预设值不宜过大，也不宜过小。如果预设值过大，则误差函数的值较大时，误差就已满足预设阈值条件，容易导致模拟曝光图形200与实际曝光图形300还未拟合成功，即停止校正初始光学邻近修正模型，从而导致获得的光学邻近修正模型的精准度较差；如果预设值过小，则预设阈值条件过于苛刻，使得在初始光学邻近修正模型已较为精准的情况下仍需要进行校正，增加了建模时间，造成了不必要的浪费，而且，还容易造成误差难以满足预设阈值条件，导致对初始光学邻近修正模型无限校正仍没有结果，从而难以获得光学邻近修正模型。为此，本实施例中，预设值为0.5nm至2.5nm。
还需要说明的是，根据测试版图100中测试图形110的形状、种类和分布情况，设定相应的预设值，当测试图形110较为简单时(例如，测试图形110为一维的线性图形)，预设值较小，当测试图形110较为复杂时(例如，测试图形110为二维的线性与通孔混合的图形)，预设值较大。
本实施例中，当误差未满足预设阈值条件时，根据误差校正初始光学邻近修正模型，并返回执行模拟曝光、以及根据实际曝光图形和相对应模拟曝光图形，确定所述实际曝光图形和相对应模拟曝光图形的误差的步骤。
误差表征了模拟曝光图形200与实际曝光图形300的拟合情况，当误差不满足预设阈值条件时，初始光学邻近修正模型还需要进一步校正，直至误差满足预设阈值条件。
具体地，通过调节权重和系数，对初始光学邻近修正模型的表达式进行多次迭代，不断拟合模拟曝光图形200与实际曝光图形300，直至误差函数的值小于或等于预设值，获得最终的权重和系数。
当误差满足预设阈值条件时，将初始光学邻近修正模型作为光学邻近修正模型。
相应的，本发明还提供一种光学邻近修正模型的建立系统。图6是本发明光学邻近修正模型的建立系统一实施例的功能框图。
本实施例中，光学邻近修正系统50包括：版图提供模块501，用于提供测试版图，测试版图包括测试图形；测试光罩制备模块502，用于根据测试图形，获得相对应的测试光罩；实际曝光模块503，用于对测试光罩进行实际曝光，获得实际曝光图形；模拟曝光模块504，用于利用初始光学邻近修正模型对测试图形进行模拟曝光，获得模拟曝光图形，模拟曝光包括：对测试图形上的每一个测试点和位于测试点四周的多个周围点的光强相关分布进行平滑化处理，且对与测试点距离相等的周围点分别配置在平滑化处理中所占的权重；误差确定模块505，用于根据实际曝光图形和相对应模拟曝光图形，确定实际曝光图形和相对应模拟曝光图形的误差；模型建立模块506，用于基于所述误差对所述初始光学邻近修正模型进行校正，得到光学邻近修正模型。
版图提供模块501用于提供测试版图，测试版图包括测试图形。
测试图形为转移至晶圆上的目标图形，测试图形用于制作测试光罩，从而利用测试光罩进行光刻工艺，以在晶圆上形成对应的实际曝光图形。
本实施例中，测试版图包括多个测试图形。
为此，在后续比较实际曝光图形和相对应模拟曝光图形的尺寸的步骤中，不仅比较图形的关键尺寸，还需要比较多个图形之间的间距的关键尺寸。
本实施例中，测试图形包括线条图形或孔洞图形。
本实施例中，线条图形包括金属线图形或隔断图形。
本实施例中，孔洞图形包括接触孔图形或互连通孔图形，孔洞图形的形状包括圆形、椭圆形或者近似圆形或椭圆形的不规则圆形。
测试光罩制备模块502用于根据测试图形，获得相对应的测试光罩。
测试光罩用于在后续实际曝光的步骤中，作为获得实际曝光图形的掩膜。
实际曝光模块503用于对测试光罩进行实际曝光，获得实际曝光图形。
具体地，在实际曝光的过程中，光线通过测试光罩中透光的区域照射至涂覆有光刻胶的硅片上，光刻胶在光线的照射下发生化学反应，利用感光和未感
光的光刻胶对显影剂的溶解程度的不同而显影，形成实际曝光图形，实现图案从测试光罩到光刻胶上的转移。
模拟曝光模块504用于利用初始光学邻近修正模型对测试图形进行模拟曝光，获得模拟曝光图形，模拟曝光包括：对测试图形上的每一个测试点和位于测试点四周的多个周围点的光强相关分布进行平滑化处理，且对与测试点相等距离的周围点分别配置在平滑化处理中所占的权重。
相比于在平滑化处理中，对与测试点距离相等的周围点所占的权重统一分配为相等值的方案，本实施例中，各个周围点能够根据光强相关分布的情况，在平滑化处理中获得相匹配的权重分配，则能够根据光强相关分布的情况灵活调节各个周围点在平滑化处理中所占权重，从而使得光学邻近修正模型适应于各类形状的测试图形，同时，能够更精准地建立光学邻近修正模型，从而提高采用光学邻近修正模型进行光学邻近修正的效果。
需要说明的是，测试点四周的多个周围点指的是，以测试点为中心，围绕在测试点四周的周围点，不仅限于位于测试图形内部的点，还可以包括位于测试图形外部的点，测试点与位于测试点四周的多个周围点呈矩阵分布。
还需要说明的是，在实际建模过程中，为了减少运算量，提高建模效率，可以选取测试图形的局部区域作为测试区域，选择测试区域中的点作为测试点。
具体地，本实施例中，根据光学半径和平滑化处理的处理精度确定需要进行平滑化处理的多个周围点的个数，从而获得测试点与位于测试点四周的多个周围点构成的矩阵阶数。
通常，矩阵为方阵，有利于提高测试点和位于测试点四周的多个周围点的光强相关分布进行平滑化处理的均匀性。
本实施例中，光强相关分布至少包括原始光强，原始光强为测试点的空间光强。
相应的，对测试图形上的每一个测试点和位于测试点四周的原始光强进行平滑化处理。
本实施例中，光强相关分布还包括光酸和光碱，光酸和光碱呈反比。
相应的，对测试图形上的每一个测试点和位于测试点四周的光酸和光碱也进行平滑化处理。
在半导体领域中，通常采用基于模型的光学邻近修正处理，对目标图形进行光学邻近修正处理，具体地，使用光学模型和光刻胶光化学反应模型计算出目标图形相应曝光后的初始模拟图形，基于模型的光学邻近修正处理将目标图形的轮廓对应的边识别出来，而基于模型的光学邻近修正处理依赖于精确的光学邻近修正模型。
通常，光学邻近修正模型通过优化模型形式的拟合系数来构建，本实施例中，通过拟合获得的模拟曝光图形与实际曝光图形来优化模型形式的拟合系数。
需要说明的是，可以通过建模经验和实验数据获得初始的拟合系数，从而建立初始光学邻近修正模型。
本实施例中，初始光学邻近修正模型包括多个参数项，参数项为光强相关分布函数与相对应高核函数的卷积，高斯函数具有沿x轴的第一方差参数、以及沿y轴的第二方差参数，x轴与y轴相互垂直。
高斯函数具有沿x轴的第一方差参数、以及沿y轴的第二方差参数，相比于高斯函数仅具有一个方差参数的方案，高斯函数具有两个方差参数，增加了高斯函数的可调参数，有利于灵活选择两个方差参数，适应于各类形状的图形，而且，在光学邻近修正模型的建立过程中，根据多个周围点的光强相关分布的情况，可以通过调节高斯函数的两个参数，获得更精准的高斯函数，从而更精准地分配各个周围点在平滑化中所占权重，更精准地建立光学邻近修正模型，进而提高采用光学邻近修正模型进行光学邻近修正的效果。
本实施例中，以测试点为原点，建立高斯函数。
作为一种示例，高斯函数的表达式包括：
其中，Sa为第一方差参数，Sb为第二方差参数，x为测试点和周围点沿x轴的横坐标，y为测试点和周围点沿y轴的纵坐标。
其中，测试点的坐标为(0,0)。
需要说明的是，高斯函数的表达式并不局限于上述表达式。
本实施例中，高斯函数中，Sa与Sb不相等。
Sa与Sb不相等，则高斯函数的两个可调参数不相等，有利于适应于非对称形状的图形，而且，在光学邻近修正模型的建立过程中，也有利于适用于非对称的光源，从而更精准地建立光学邻近修正模型，进而提高采用光学邻近修正模型进行光学邻近修正的效果。
本实施例中，参数项为光强相关分布函数与相对应高核函数的卷积，则多个参数项用于分别对测试点进行高斯模糊处理，初始光学邻近修正模型包括多个参数项，则对每个测量点需要进行多次高斯模糊处理，根据实际建模过程中，测试图形的形状和分布情况、以及光强相关分布的情况，设定初始光学邻近修正模型的参数项的数量。
具体地，光强相关分布函数为测试点与位于测试点四周的多个周围点的光强相关分布构成的矩阵，高斯函数用于对矩阵中的光强相关分布分别分配相应的权重。
本实施例中，初始光学邻近修正模型中的各参数项具有相应的系数。
系数为各个参数项在初始光学邻近修正模型中所占的比重，系数与高斯函数的第一方差参数和第二方差参数均为优化模型形式的拟合系数。
本实施例中，通过多个参数项建立初始光学邻近修正模型，将测试点与位于测试点四周的多个周围点的光强相关分布趋于均匀，从而获得测试点的有效光强相关分布。根据测试点的有效光强相关分布获得测试点的有效光强，用于确定模拟曝光图形的轮廓。具体地，在模拟曝光的步骤中，当有效光强大于或等于印刷阈值(printing threshold)时，图形显示，当有效光强小于印刷阈值时，图形不显示，从而获得模拟曝光图形。
需要说明的是，在实际建模过程中，为了方便数据处理，在计算有效光强时，先对光强相关分布函数进行归一化处理，再获得去量纲化的有效光强，为此，印刷阈值为无量纲的数值T。
需要说明的是，印刷阈值的数值T不宜过大，也不宜过小。如果T过大，则容易导致需要显示的图形却没有被显示，影响形成的模拟曝光图形的准确性和完整性，从而影响模拟曝光图形与实际曝光图形的拟合效果；如果T过小，则容易导致不需要被显示的图形却被显示，影响形成的模拟曝光图形的精度，从而影响模拟曝光图形与实际曝光图形的拟合效果。为此，本实施例中，预设阈值的数值T为0.1至0.3。
作为一种示例，初始光学邻近修正模型的表达式为：
其中，Ieffective为有效光强，
为卷积运算符号，I为原始光强，I-b为光碱，I+b为光酸，C1至C15为参数项相应的系数，Gs3至Gs15为半峰宽不同的高斯函数，/>
为光强梯度，/>
为光强曲率。
具体地，
至/>
为原始光强的参数项，/>
和
为光碱的参数项，/>
和/>
为光酸的参数项。
本实施例中，通过拟合模拟曝光图形与实际曝光图形，对初始光学邻近修正模型的表达式进行多次迭代，最终获得合适的系数、以及高斯函数中的第一方差参数和第二方差参数。
需要说明的是，初始光学邻近修正模型并不局限于上述表达式中所示出的模型。
本实施例中，测量标与模拟曝光图形相交有第三测量点和第四测量点；获取第三测量点和第四测量点的距离，作为模拟曝光图形的关键尺寸CDi,s。
模拟曝光图形的关键尺寸CDi,s用于与实际曝光图形的关键尺寸CDi,w相拟合。
比较模块505用于根据实际曝光图形和相对应模拟曝光图形，确定实际曝光图形和相对应模拟曝光图形的误差。
误差用于判断模拟曝光图形与实际曝光图形是否拟合成功。
本实施例中，分别获取实际曝光图形和模拟曝光图形中相对应的测量位置的关键尺寸；采用误差函数比较实际曝光图形和相对应模拟曝光图形的关键尺寸。
采用误差函数能够科学准确的比较实际曝光图形和相对应模拟曝光图形的关键尺寸，并且采用设定好的误差函数能够提高比较效率，节约运算时间。
本实施例中，误差函数为关键尺寸均方根。
模拟曝光图形与实际曝光图形拟合程度越高，关键尺寸均方根越小，则可以通过计算关键尺寸均方根的值，比较实际曝光图形和相对应模拟曝光图形的关键尺寸。
作为一种示例，关键尺寸均方根的表达式为
其中，wi为每个关键尺寸对应的200权重值，CDi，w为实际曝光图形的关键尺寸，CDi，s为相对应的模拟曝光图形的关键尺寸。
本实施例中，分别获取实际曝光图形和相对应模拟曝光图形沿预设测量方向的关键尺寸，预设测量方向与水平方向呈任意角度。
具体地，在多个测试图形上、以及测试图形之间标记多个测量标，测量标与水平方向呈任意角度。其中，测量标的延伸方向即为测量方向。
测量标用于标记在后续比较实际曝光图形和相对应模拟曝光图形的尺寸的步骤中，需要比较的关键尺寸的位置。
本实施例中，建立方法能够根据光强相关分布的情况灵活调节各个周围点在平滑化处理中所占权重，也就是说，建立方法能够各向异性地修正光学邻近修正模型，从而能够在各个方向对测试点的光强相关分布进行修正，有利于在预设测量方向与水平方向呈任意角度的情况下(也即测量标与水平方向呈任意角度的情况下)，使得关键尺寸均方根收敛。
相比于测量标仅呈水平方向或竖直方向的方案，本实施例中，测量标与水平方向呈任意角度(例如，测量标与水平方向呈45°或135°)，扩大了测量标的标注角度范围，则在后续通过测量标获得关键尺寸的步骤中，可以从任意角度获得图形的关键尺寸，有利于根据测试图形的形状灵活选择测量标的测量方向，同时，在测量标处，从多个方向进行测量，能够提高模拟曝光图形与实际曝光图形的拟合精度，从而更精准地建立光学邻近修正模型。
尤其，本实施例中，孔洞图形包括圆形、椭圆形或者近似圆形或椭圆形的不规则圆形，在对圆形、椭圆形或者近似圆形或椭圆形的不规则圆形的模拟曝光图形与实际曝光图形的拟合过程中，从多个角度获得图形的关键尺寸，有利于更精准地拟合带有圆弧状的图形轮廓，从而提高模拟曝光图形与实际曝光图形的拟合精度，进而更精准地建立光学邻近修正模型。
本实施例中，测量标与实际曝光图形相交有第一测量点和第二测量点；获取第一测量点和第二测量点的距离，作为实际曝光图形的关键尺寸CDi,w。
实际曝光图形的关键尺寸CDi,w用于作为模拟曝光图形与实际曝光图形相拟合的基准尺寸。
相应的，本实施例中，实际曝光图形的关键尺寸CDi,w为显影后的光刻胶图形的特征尺寸。
本实施例中，测量标与模拟曝光图形相交有第三测量点和第四测量点；获取第三测量点和第四测量点的距离，作为模拟曝光图形的关键尺寸CDi,s。
模拟曝光图形的关键尺寸CDi,s用于与实际曝光图形的关键尺寸CDi,w相拟合。
模型建立模块506用于基于误差对初始光学邻近修正模型进行校正，得到光学邻近修正模型。
本实施例中，模型建立模块506包括判断单元，用于判断误差是否满足预设阈值条件。
本实施例中，预设阈值条件包括：误差函数的值小于或等于预设值。
本实施例中，误差函数为关键尺寸均方根，模拟曝光图形与实际曝光图形拟合程度越高，关键尺寸均方根越小，则关键尺寸均方根收敛于预设值时，能够获得拟合程度较高的模拟曝光图形与实际曝光图形，从而获得光学邻近修正模型。
需要说明的是，预设值不宜过大，也不宜过小。如果预设值过大，则误差函数的值较大时，误差就已满足预设阈值条件，容易导致模拟曝光图形与实际曝光图形还未拟合成功，即停止校正初始光学邻近修正模型，从而导致获得的光学邻近修正模型的精准度较差；如果预设值过小，则预设阈值条件过于苛刻，使得在初始光学邻近修正模型已较为精准的情况下仍需要进行校正，增加了建模时间，造成了不必要的浪费，而且，还容易造成误差难以满足预设阈值条件，导致对初始光学邻近修正模型无限校正仍没有结果，从而难以获得光学邻近修正模型。为此，本实施例中，预设值为0.5nm至2.5nm。
还需要说明的是，根据测试版图中测试图形的形状、种类和分布情况，设定相应的预设值，当测试图形较为简单时(例如，测试图形为一维的线性图形)，预设值较小，当测试图形较为复杂时(例如，测试图形为二维的线性与通孔混合的图形)，预设值较大。
模型建立模块506还包括返回执行单元，用于当误差未满足预设阈值条件时，根据误差校正初始光学邻近修正模型，并返回执行模拟曝光、以及根据实际曝光图形，确定所述实际曝光图形和相对应模拟曝光图形的误差的步骤。
误差表征了模拟曝光图形与实际曝光图形的拟合情况，当误差不满足预设阈值条件时，初始光学邻近修正模型还需要进一步校正，直至误差满足预设阈值条件。
具体地，通过调节权重和系数，对初始光学邻近修正模型的表达式进行多次迭代，不断拟合模拟曝光图形与实际曝光图形，直至误差函数的值小于或等于预设值，获得最终的权重和系数。
模型建立模块506还用于当误差满足预设阈值条件时，将初始光学邻近修正模型作为光学邻近修正模型。
相应地，本发明实施例还提供一种光学邻近修正模型，包括采用本发明实施例提供的光学邻近修正模型的建立方法获得的光学邻近修正模型。
由前述的实施例可知，相比于在平滑化处理中，对与测试点距离相等的周围点所占的权重统一分配为相等值的方案，本发明实施例中，各个周围点能够根据光强相关分布的情况，在平滑化处理中获得相匹配的权重分配，则能够根据光强相关分布的情况灵活调节各个周围点在平滑化处理中所占权重，从而使得光学邻近修正模型适应于各类形状的测试图形，同时，能够更精准地建立光学邻近修正模型，从而提高采用光学邻近修正模型进行光学邻近修正的效果。
相应的，本发明实施例还提供一种光学邻近修正方法，包括基于本发明实施例提供的光学邻近修正模型的建立方法建立的光学邻近修正模型的光学邻近修正方法。
由前述的实施例可知，相比于在平滑化处理中，对与测试点距离相等的周围点所占的权重统一分配为相等值的方案，本发明实施例中，各个周围点能够根据光强相关分布的情况，在平滑化处理中获得相匹配的权重分配，则能够根据光强相关分布的情况灵活调节各个周围点在平滑化处理中所占权重，从而使得光学邻近修正模型适应于各类形状的测试图形，同时，能够更精准地建立光学邻近修正模型，从而提高采用光学邻近修正模型进行光学邻近修正的效果，进而提高光学邻近修正方法的修正效果。
本发明实施例还提供一种设备，该设备可以通过装载程序形式的上述光学邻近修正模型的建立方法，以实现本发明实施例提供的光学邻近修正模型的建立方法。本发明实施例提供的终端设备的一种可选硬件结构可以如图7所示，包括：至少一个处理器01，至少一个通信接口02，至少一个存储器03和至少一个通信总线04。
本实施例中，处理器01、通信接口02、存储器03、通信总线04的数量为至少一个，且处理器01、通信接口02、存储器03通过通信总线04完成相互间的通信。通信接口02可以为用于进行网络通信的通信模块的接口，如GSM模块的接口。处理器01可能是中央处理器CPU，或者是特定集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)，或者是被配置成实施本发明实施例的一个或多个集成电路。存储器03可能包含高速RAM存储器，也可能还包括非易失性存储器(non-volatile memory，NVM)，例如至少一个磁盘存储器。其中，存储器03存储有一条或多条计算机指令，一条或多条计算机指令被处理器01执行以实现本发明实施例提供的光学邻近修正模型的建立方法。
需要说明的是，上述的实现终端设备还可以包括与本发明实施例公开内容可能并不是必需的其他器件(未示出)；鉴于这些其他器件对于理解本发明实施例公开内容可能并不是必需，本发明实施例对此不进行逐一介绍。
本发明实施例还提供一种存储介质，存储介质存储有一条或多条计算机指令，一条或多条计算机指令用于实现本发明实施例提供的光学邻近修正模型的建立方法。
本发明实施例提供的光学邻近修正模型的建立方法中，相比于在平滑化处理中，对与测试点距离相等的周围点所占的权重统一分配为相等值的方案，本发明实施例中，各个周围点能够根据光强相关分布的情况，在平滑化处理中获得相匹配的权重分配，则能够根据光强相关分布的情况灵活调节各个周围点在平滑化处理中所占权重，从而使得光学邻近修正模型适应于各类形状的测试图形，同时，能够更精准地建立光学邻近修正模型，从而提高采用光学邻近修正模型进行光学邻近修正的效果，进而提高光学邻近修正方法的修正效果。
上述本发明的实施方式是本发明的元件和特征的组合。除非另外提及，否则元件或特征可被视为选择性的。各个元件或特征可在不与其它元件或特征组合的情况下实践。另外，本发明的实施方式可通过组合部分元件和/或特征来构造。本发明的实施方式中所描述的操作顺序可重新排列。任一实施方式的一些构造可被包括在另一实施方式中，并且可用另一实施方式的对应构造代替。对于本领域技术人员而言明显的是，所附权利要求中彼此没有明确引用关系的权利要求可组合成本发明的实施方式，或者可在提交本申请之后的修改中作为新的权利要求包括。
本发明的实施方式可通过例如硬件、固件、软件或其组合的各种手段来实现。在硬件配置方式中，根据本发明示例性实施方式的方法可通过一个或更多个专用集成电路(ASIC)、数字信号处理器(DSP)、数字信号处理器件(DSPD)、可编程逻辑器件(PLD)、现场可编程门阵列(FPGA)、处理器、控制器、微控制器、微处理器等来实现。在固件或软件配置方式中，本发明的实施方式可以模块、过程、功能等形式实现。软件代码可存储在存储器单元中并由处理器执行。存储器单元位于处理器的内部或外部，并可经由各种己知手段向处理器发送数据以及从处理器接收数据。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其他实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (19)
1.一种光学邻近修正模型的建立方法，其特征在于，包括：
提供测试版图，所述测试版图包括测试图形；
根据所述测试图形，获得相对应的测试光罩；
对所述测试光罩进行实际曝光，获得实际曝光图形；
利用初始光学邻近修正模型对所述测试图形进行模拟曝光，获得模拟曝光图形，所述模拟曝光包括：对所述测试图形上的每一个测试点和位于所述测试点四周的多个周围点的光强相关分布进行平滑化处理，且对与所述测试点距离相等的周围点分别配置在所述平滑化处理中所占的权重；
根据所述实际曝光图形和相对应模拟曝光图形，确定所述实际曝光图形和相对应模拟曝光图形的误差；
基于所述误差对所述初始光学邻近修正模型进行校正，得到光学邻近修正模型。
2.如权利要求1所述的光学邻近修正模型的建立方法，其特征在于，所述初始光学邻近修正模型包括多个参数项，所述参数项为光强相关分布函数与相对应高核函数的卷积，所述高斯函数具有沿x轴的第一方差参数、以及沿y轴的第二方差参数，所述x轴与y轴相互垂直。
3.如权利要求2所述的光学邻近修正模型的建立方法，其特征在于，所述高斯函数的表达式包括：
其中，Sa为所述第一方差参数，Sb为所述第二方差参数，x为所述测试点和周围点沿x轴的横坐标，y为所述测试点和周围点沿y轴的纵坐标。
4.如权利要求3所述的光学邻近修正模型的建立方法，其特征在于，所述高斯函数中，Sa与Sb不相等。
5.如权利要求1所述的光学邻近修正模型的建立方法，其特征在于，所述基于所述误差对所述初始光学邻近修正模型进行校正，包括：根据所述误差，调节所述初始光学邻近修正模型中的权重。
6.如权利要求1所述的光学邻近修正模型的建立方法，其特征在于，所述初始光学邻近修正模型中的各参数项具有相应的系数；
所述基于所述误差对所述初始光学邻近修正模型进行校正，包括：基于所述误差调节所述系数。
7.根据权利要求1所述的光学邻近修正模型的建立方法，其特征在于，所述基于所述误差对所述初始光学邻近修正模型进行校正，得到所述光学邻近修正模型，包括：
判断所述误差是否满足预设阈值条件；
当所述误差未满足预设阈值条件时，根据所述误差校正所述初始光学邻近修正模型，并返回执行所述模拟曝光、以及根据所述实际曝光图形和相对应模拟曝光图形，确定所述实际曝光图形和相对应模拟曝光图形的误差的步骤；
当所述误差满足预设阈值条件时，将所述初始光学邻近修正模型作为光学邻近修正模型。
8.如权利要求7所述的光学邻近修正模型的建立方法，其特征在于，所述根据所述实际曝光图形和相对应模拟曝光图形，确定所述实际曝光图形和相对应模拟曝光图形的误差，包括：分别获取所述实际曝光图形和所述模拟曝光图形中相对应的测量位置的关键尺寸；采用误差函数比较所述实际曝光图形和相对应模拟曝光图形的关键尺寸；
所述预设阈值条件包括：所述误差函数的值小于或等于预设值。
9.如权利要求8所述的光学邻近修正模型的建立方法，其特征在于，所述误差函数为关键尺寸均方根；
所述关键尺寸均方根的表达式为
其中，n为多个所述关键尺寸的数量，wi为每个所述关键尺寸对应的权重值，CDi，w为所述实际曝光图形的关键尺寸，CDi，s为相对应的所述模拟曝光图形的关键尺寸。
10.如权利要求8所述的光学邻近修正模型的建立方法，其特征在于，所述预设值为0.5nm至2.5nm。
11.如权利要求8所述的光学邻近修正模型的建立方法，其特征在于，所述关键尺寸的类型包括宽度或间隔。
12.如权利要求8所述的光学邻近修正模型的建立方法，其特征在于，提供所述测试版图的步骤中，所述测试版图包括多个测试图形；
分别获取所述实际曝光图形和相对应模拟曝光图形沿预设测量方向的关键尺寸，所述预设测量方向与水平方向呈任意角度。
13.如权利要求1所述的光学邻近修正模型的建立方法，其特征在于，所述光强相关分布至少包括原始光强。
14.如权利要求13所述的光学邻近修正模型的建立方法，其特征在于，所述光强相关分布还包括光酸和光碱。
15.一种光学邻近修正模型的建立系统，其特征在于，包括：
版图提供模块，用于提供测试版图，所述测试版图包括测试图形；
测试光罩制备模块，用于根据所述测试图形，获得相对应的测试光罩；
实际曝光模块，用于对所述测试光罩进行实际曝光，获得实际曝光图形；
模拟曝光模块，用于利用初始光学邻近修正模型对所述测试图形进行模拟曝光，获得模拟曝光图形，所述模拟曝光包括：对所述测试图形上的每一个测试点和位于所述测试点四周的多个周围点的光强相关分布进行平滑化处理，且对与所述测试点相等距离的周围点分别配置在所述平滑化处理中所占的权重；
误差确定模块，用于根据所述实际曝光图形和相对应模拟曝光图形，确定所述实际曝光图形和相对应模拟曝光图形的误差；
模型建立模块，用于基于所述误差对所述初始光学邻近修正模型进行校正，得到光学邻近修正模型。
16.一种采用如权利要求1-14任一项所述的方法建立的光学邻近修正模型。
17.一种基于如权利要求1-14任一项所述的方法建立的光学邻近修正模型的光学邻近修正方法。
18.一种设备，其特征在于，包括至少一个存储器和至少一个处理器，所述存储器存储有一条或多条计算机指令，其中，所述一条或多条计算机指令被所述处理器执行以实现如权利要求1-14任一项所述的光学邻近修正模型的建立方法。
19.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质存储有一条或多条计算机指令，所述一条或多条计算机指令用于实现如权利要求1-14任一项所述的光学邻近修正模型的建立方法。
Priority Applications (1)
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202111562568.9A CN116300297A (zh) | 2021-12-20 | 2021-12-20 | Opc模型及其建立方法和系统、opc方法、设备及存储介质 |
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|---|---|
| CN116300297A true CN116300297A (zh) | 2023-06-23 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111562568.9A Pending CN116300297A (zh) | 2021-12-20 | 2021-12-20 | Opc模型及其建立方法和系统、opc方法、设备及存储介质 |
Country Status (1)
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-
2021
- 2021-12-20 CN CN202111562568.9A patent/CN116300297A/zh active Pending
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