CN112782943B - 一种目标图形获取方法、装置及相关设备 - Google Patents

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Abstract

本申请提供了一种目标图形获取方法、装置及相关设备，涉及光刻技术领域。首先获取原始图形的参数，其中，原始图形中包括多个图形条，原始图形的参数包括每个图形条的宽度及相邻两个图形条之间的间距，再依据每个图形条的宽度及相邻两个图形条之间的间距对图形进行分区，并确定目标区域，最后在掩膜板与目标区域对应的位置增设散射条，以通过掩膜板在晶圆上刻蚀出目标图形，其中，目标图形与原始图形相同。本申请提供的目标图形获取方法、装置及相关设备具有光学临近效应的修正效果更好的优点。

Description

一种目标图形获取方法、装置及相关设备
技术领域
本申请涉及光刻技术领域，具体而言，涉及一种目标图形获取方法、装置及相关设备。
背景技术
在芯片制造时，需要通过光刻技术将掩膜板上设计的图形传输到硅晶圆上。在光刻过程中，首先通过曝光步骤，光通过掩膜板上的透光区域照射至涂有光阻的硅圆上，并与光阻发生一系列光化学反应；接着，通过显影步骤，形成光刻图形，实现掩膜板图形的转移；然后，通过刻蚀步骤，基于形成的光阻图形对硅片进行刻蚀，将掩膜板图形进一步转移至硅片上。
然而，随着设计尺寸的不断缩小，由于光的衍射效应、散射效应、干涉效应以及曝光机台分辨率极限的影响，从而在图形转移过程中使得光学临近效应愈发的明显，如不作适当的补偿和修正，将无法在硅晶片上获得需要的设计图形。
综上，现有技术中存在光学临近效应明显，无法获得需要图形的问题。
发明内容
本申请的目的在于提供一种目标图形获取方法、装置及相关设备，以解决现有技术中存在的光学临近效应明显，无法获得需要图形的问题。
为了实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：
第一方面，本申请实施例提供了一种目标图形获取方法，所述方法包括：
获取原始图形的参数，其中，所述原始图形中包括多个图形条，所述原始图形的参数包括每个图形条的宽度及相邻两个图形条之间的间距；
依据所述每个图形条的宽度及相邻两个图形条之间的间距对所述图形进行分区，并确定目标区域；
在掩膜板与目标区域对应的位置增设散射条，以通过所述掩膜板在晶圆上刻蚀出目标图形，其中，所述目标图形与所述原始图形相同。
第二方面，本申请实施例提供了一种目标图形获取装置，所述装置包括：
信息获取单元，用于获取原始图形的参数，其中，所述原始图形中包括多个图形条，所述原始图形的参数包括每个图形条的宽度及相邻两个图形条之间的间距；
目标区域确定单元，用于依据所述每个图形条的宽度及相邻两个图形条之间的间距对所述图形进行分区，并确定目标区域；
散射条控制单元，用于在掩膜板与目标区域对应的位置增设散射条，以通过所述掩膜板在晶圆上刻蚀出目标图形，其中，所述目标图形与所述原始图形相同。
第三方面，本申请实施例提供了一种电子设备，包括：存储器，用于存储一个或多个程序；处理器；当所述一个或多个程序被所述处理器执行时，实现上述的目标图形获取方法。
第四方面，本申请实施例还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述的目标图形获取方法。
相对于现有技术，本申请实施例具有以下有益效果：
本申请提供了一种目标图形获取方法、装置及相关设备，首先获取原始图形的参数，其中，原始图形中包括多个图形条，原始图形的参数包括每个图形条的宽度及相邻两个图形条之间的间距，再依据每个图形条的宽度及相邻两个图形条之间的间距对图形进行分区，并确定目标区域，最后在掩膜板与目标区域对应的位置增设散射条，以通过掩膜板在晶圆上刻蚀出目标图形，其中，目标图形与原始图形相同。由于本申请在获取原始图形的参数后，会根据原始图形的参数的确定需要增设散射条的目标区域，进而使目标图形与所述原始图形相同。并且，本申请依据原始图形的参数，选择性的增加散射条，使得对光学临近效应的修正效果更好。
为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它相关的附图。
图1为本申请实施例提供的电子设备的模块示意图。
图2为本申请实施例提供的目标图形获取方法的第一种示例性流程图。
图3为本申请实施例提供的目标图形获取方法的第二种示例性流程图。
图4为本申请实施例提供的目标图形获取方法的第三种示例性流程图。
图5为本申请实施例提供的目标图形获取装置的模块示意图。
图中：100-电子设备；101-处理器；102-存储器；103-通信接口；300-目标图形获取装置；310-信息获取单元；320-目标区域确定单元；330-散射条控制单元。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
下面结合附图，对本申请的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
正如背景技术中所述，在光刻过程中，随着设计尺寸的不断缩小，由于光的衍射效应、散射效应、干涉效应以及曝光机台分辨率极限的影响，从而在图形转移过程中使得光学临近效应愈发的明显，因此需要进行适当的补偿与修正。
目前业界的光学临近效应修正技术都是以设计的目标图形为起点，通过对原始目标图形在特定距离加散射条增大工艺窗口然后做光学临近效应修正，然后将修正的图形做到光掩膜板上，进而通过光刻技术将光掩膜板上的图形转移到硅晶圆上。
然而，随着图形的宽度进一步缩小以及图形和图形之间的距离进一步减小，考虑到散射条可能会在晶圆上曝出，无法在图形与图形间距较小的位置加入散射条，进而无法增大工艺窗口。在对这样环境的图形进行修正时，由于工艺窗口很小再加上受掩膜板图形规则的限制，此环境下的图形光学临近效应严重，通过光学修正程序语言很难将其修正到合适的范围，这样将会导致在晶圆上所得到的图形直线末端紧缩，或者线宽增加或缩减。
有鉴于此，为了实现更为有效的光学临近效应修正，本申请提供了一种目标图形获取方法，通过依据图形条的宽度及相邻两个图形条之间的间距实现目标区域的确定，然后在目标区域增设散射条的方式，实现光学临近效应修正。
需要说明的是，本申请提供的目标图形获取方法可以应用于电子设备100中，图1示出本申请实施例提供的电子设备100的一种示意性结构框图，电子设备100包括存储器102、处理器101和通信接口103，该存储器102、处理器101和通信接口103相互之间直接或间接地电性连接，以实现数据的传输或交互。例如，这些元件相互之间可通过一条或多条通讯总线或信号线实现电性连接。
存储器102可用于存储软件程序及模块，如本申请实施例提供的目标图形获取装置对应的程序指令或模块，处理器101通过执行存储在存储器102内的软件程序及模块，从而执行各种功能应用以及数据处理，进而执行本申请实施例提供的目标图形获取方法的步骤。该通信接口103可用于与其他节点设备进行信令或数据的通信。
其中，存储器102可以是，但不限于，随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)，只读存储器(Read Only Memory，ROM)，可编程只读存储器(Programmable Read-OnlyMemory，PROM)，可擦除只读存储器(Erasable Programmable Read-Only Memory，EPROM)，电可擦除可编程只读存储器(Electric Erasable Programmable Read-Only Memory，EEPROM)等。
处理器101可以是一种集成电路芯片，具有信号处理能力。该处理器101可以是通用处理器，包括中央处理器(Central Processing Unit，CPU)、网络处理器(NetworkProcessor，NP)等；还可以是数字信号处理器(Digital Signal Processing，DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、现场可编程门阵列(Field－Programmable Gate Array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。
可以理解，图1所示的结构仅为示意，电子设备100还可以包括比图1中所示更多或者更少的组件，或者具有与图1所示不同的配置。图1中所示的各组件可以采用硬件、软件或其组合实现。
下面以电子设备100为服务器作为示意性执行主体，对本申请实施例提供的目标图形获取方法进行示例性说明。
作为一种实现方式，请参阅图2，该目标图形获取方法包括：
S102，获取原始图形的参数，其中，原始图形中包括多个图形条，原始图形的参数包括每个图形条的宽度及相邻两个图形条之间的间距。
S104，依据每个图形条的宽度及相邻两个图形条之间的间距对图形进行分区，并确定目标区域。
S106，在掩膜板与目标区域对应的位置增设散射条，以通过掩膜板在晶圆上刻蚀出目标图形，其中，目标图形与原始图形相同。
其中，原始图形指经设计的标准图形，其包括多个图形条，作为一种实现方式，图形条的形状可以为长方形，多个图形条即组成了原始图形。
并且，在原始图形设计完成之后，服务器可获取原始图形的参数，包括每个图形条的宽度与相邻两个图形条之间的间距。需要说明的是，针对原始图形而言，每个图形条的宽度均可能不同。
由于若图形间距较小，则在加入散射条后，散射条可能曝光到晶圆上，影响目标图形，因此本申请在确定每个图形条的宽度及相邻两个图形条之间的间距，还会依据该数据进行分区，并从中确定目标区域，例如，将整个原始图形分为20个区域，并确定其中10个区域为目标区域。
在确定目标区域后，服务器还会在掩膜板中与目标区域对应的位置增设散射条，进而在目标区域内增大工艺窗口，然后进行光学临近效应的修正，使得通过掩膜板在晶圆上刻蚀出目标图形，且目标图形与原始图形相同。
需要说明的是，本申请所述的原始图形，指经设计人员设计出的标准图形，本申请所述的目标图形，指通过掩膜板在晶圆上刻蚀出的图形，例如采用光刻技术在晶圆上刻蚀出的图形。在实际应用中，由于存在光的衍射、干涉等效应，因此目标图形与原始图形无法完全一致。在此基础上，本申请所述的目标图形与原始图形相同，指的是目标图形与原始图形趋于相同，例如二者可能存在一定误差，但只要该误差在可控范围内，均可视为二者相同。
由于本申请在获取原始图形的参数后，会根据原始图形的参数确定需要增设散射条的目标区域，进而使目标图形与所述原始图形相同。并且，本申请依据原始图形的参数，选择性的增加散射条，使得对光学临近效应的修正效果更好。
此外，在上述实现方式的基础上，S104的步骤实际包括：
当图形条的宽度处于预设的第一区间，且相邻两个图形条之间的间距处于第二区间时，确定图形条所处的区域为非目标区域；
当图形条的宽度处于预设的第一区间，且相邻两个图形条之间的间距处于第三区间时，确定图形条所处的区域为目标区域；
当图形条的宽度处于预设的第四区间，且相邻两个图形条之间的间距处于第五区间时，确定图形条所处的区域为非目标区域；
当图形条的宽度处于预设的第四区间，且相邻两个图形条之间的间距处于第五区间时，确定图形条所处的区域为目标区域；
当图形条的宽度处于预设的第六区间时，确定图形条所处的区域为非目标区域。
即本申请中，通过划定图形条的宽度与相邻两个图形条之间的间距的区间的方式，实现确定该图形条与所处的区域是否为目标区域。在一种可选的实现方式中，服务器在获取原始图形后，可对原始图形进行分区，然后通过该区域内图形条的宽度与相邻两个图形条之间的间距确定该区域为目标区域或非目标区域。
作为一种实现方式，依据每个图形条的宽度及相邻两个图形条之间的间距对图形进行分区，并确定目标区域的步骤包括：
当图形条的宽度为35nm～45nm，且相邻两个图形条之间的间距小于或等于70nm时，确定图形条所处的区域为非目标区域。
当图形条的宽度为35nm～45nm，且相邻两个图形条之间的间距大于70nm时，确定图形条所处的区域为目标区域；
当图形条的宽度为45nm～55nm，且相邻两个图形条之间的间距小于或等于85nm时，确定图形条所处的区域为非目标区域。
当图形条的宽度为45nm～55nm，且相邻两个图形条之间的间距大于85nm时，确定图形条所处的区域为目标区域；
当图形条的宽度大于或等于55nm时，确定图形条所处的区域为目标区域。
其中，一般而言，图形文件中有各种尺寸的图形条，图形条的宽度一有如下几种35nm、37nm、40nm、42nm、45nm、50nm、55nm、60nm、70nm、80nm以及100nm等，由于小图形尺寸工艺窗口较低，需加散射条来增加小图形尺寸的工艺窗口，根据晶圆数据，当图形条宽度小于55nm且图形之间的间距大于70nm时加散射条，然而图形宽度在35nm到45nm范围的图形转弯处光学临近效应比较严重且工艺窗口较低，对于宽度35nm到45nm且图形间距大于70nm可以通过增加散射条来解决工艺窗口低的问题，但对于宽度35nm到45nm且图形间距小于70nm的图形转弯处光学临近效应较严重且无法加入散射条，对于此环境的图形可以采用其它方式实现光学临近效应修正。原因在于：
因为在小于70nm的间距时加入散射条，最终散射条可能会曝到晶圆上，造成缺陷。此宽度此间距下转弯处的工艺窗口较小且光学临近效应严重，但是无法通过加入散射条来解决工艺窗口小和光学临近效应的问题。同理原始图形的图像条宽度处在35到45nm间且图形条与图形条间距小于85nm时也是考虑到散射条可能会曝到晶圆上所以也是无法加入散射条。但原始图形宽度处在35到45nm间且图形与图形间距大于70nm以及原始图形宽度处在45到55nm间且图形与图形间距大于85nm时，可通过加入散射条来增加工艺窗口以及改善光学临近效应的问题。当宽度大于等于55nm时，图形本身工艺窗口就已经很大且光学临近效应不严重无需再加入散射条。
相比于传统的光学临近效应修正方法来说，本方法对尺寸间距小的小尺寸图形有非常好的修正效果，修正后使图形距离较小的位置不会发生边缘偏移，且可消除直线末端紧缩，线宽增加或缩减的问题，当然此方法也可同时兼顾尺寸较大的图形修正。不仅能够很好的修正图形还可缩短光学临近效应修正的时间，提高效率。
此外，作为一种实现方式，请参阅图3，在S104的步骤之后，该方法还包括：
S105，判断目标区域是否能够加入散射条，若能，则执行S106，若不能，则执行S108。
S106，在掩膜板与目标区域对应的位置增设散射条；
S108，对目标区域进行填充。
其中，服务器还会依据的原始图形的参数确定是否能够加入散射条，例如，目标区域的间距之间可能存在无法加入散射条的情况，或者，当加入散射条后，会对原始图形造成影响。
有鉴于此，当确定出目标区域后，本申请还会判断是否能够加入散射条，若能够加入散射条，则直接采用加散射条的方式实现光学临近效应修正，若不能，则采用其它方式进行光学临近效应修正。本申请中，采用对目标区域进行填充的方式实现光学邻近效应修正。
此外，在上述实现方式的基础上，请参阅图4，在S108之前，该方法还包括：
S107，判断目标区域是否处于图形的拐弯处，如果否，则执行S108，如果是，则执行S109。
S108，对目标区域进行填充，以使目标区域内的图形条的宽度达到预设宽度。
S109，对区域不做处理。
由于当目标区域处于图形的拐弯处时，其光学临近效应较为严重，因此需要对目标区域进行填充，以增大原始图形的工艺窗口。
因此，在目标区域无法加入散射条时，服务器还会判断目标区域是否位于图形的拐弯处，若位于图形的拐弯处，则需要对其进行填充，以使目标区域内的图形条的宽度达到预设宽度；若并不位于图形的拐弯处，则表示此处的光学临近效应并不严重，此时无需进行处理。
作为一种实现方式，本申请提供的预设宽度设置为55nm。因此，当服务器根据工艺参数建立光学临近效应修正模型和计算机程序语言识别出图形文档中已无法加入散射条且光学临近效应较严重的转弯处，对其转弯处做图形填充，使其填充后的图形宽度达到55nm，填充后的图形成为了新的原始文档，然后将图形文档中填充后的图形和没被做填充的其他图形组合成新的图形文档，解决了转弯处光学临近效益严重和工艺窗口小的问题。
此外，在执行上述步骤后，服务器还可通过已经建立好的光学临近效应修正模型，构建光学修正程序语言，然后对这个新的图形文档通过光学修正程序语言进行修正然后形成光掩膜板图形。通过仿真软件模拟工艺参数看形成的掩膜板图形经过曝光显影蚀刻等工艺过程后最终在晶圆上得到的图形。
基于上述的实现方式，请参阅图5，本申请还提供了一种目标图形获取装300，该装置包括：
信息获取单元310，用于获取原始图形的参数，其中，原始图形中包括多个图形条，原始图形的参数包括每个图形条的宽度及相邻两个图形条之间的间距。
可以理解地，通过信息获取单元310可以执行S102。
目标区域确定单元320，用于依据每个图形条的宽度及相邻两个图形条之间的间距对图形进行分区，并确定目标区域。
可以理解地，通过目标区域确定单元320可以执行S104。
散射条控制单元330，用于在掩膜板与目标区域对应的位置增设散射条，以通过掩膜板在晶圆上刻蚀出目标图形，其中，目标图形与原始图形相同。
可以理解地，通过散射条控制单元330可以执行S106。
可选的，目标区域确定单元320还用于当图形条的宽度处于预设的第一区间，且相邻两个图形条之间的间距处于第二区间时，确定图形条所处的区域为非目标区域；
当图形条的宽度处于预设的第一区间，且相邻两个图形条之间的间距处于第三区间时，确定图形条所处的区域为目标区域；
当图形条的宽度处于预设的第四区间，且相邻两个图形条之间的间距处于第五区间时，确定图形条所处的区域为非目标区域；
当图形条的宽度处于预设的第四区间，且相邻两个图形条之间的间距处于第五区间时，确定图形条所处的区域为目标区域；
当图形条的宽度处于预设的第六区间时，确定图形条所处的区域为非目标区域。
当然地，在上述实现方式中的每一步骤均有一对应的功能模块，由于上述实施例已经详细描述，因此在此不再进行赘述。
综上所述，本申请提供了一种目标图形获取方法、装置及相关设备，首先获取原始图形的参数，其中，原始图形中包括多个图形条，原始图形的参数包括每个图形条的宽度及相邻两个图形条之间的间距，再依据每个图形条的宽度及相邻两个图形条之间的间距对图形进行分区，并确定目标区域，最后在掩膜板与目标区域对应的位置增设散射条，以通过掩膜板在晶圆上刻蚀出目标图形，其中，目标图形与原始图形相同。由于本申请在获取原始图形的参数后，会根据原始图形的参数的确定需要增设散射条的目标区域，进而使目标图形与所述原始图形相同。并且，本申请依据原始图形的参数，选择性的增加散射条，使得对光学临近效应的修正效果更好。
在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露的装置和方法，也可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，附图中的流程图和框图显示了根据本申请实施例的装置、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或代码的一部分，所述模块、程序段或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。
也应当注意，在有些作为替换的实现方式中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个连续的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。
也要注意的是，框图和或流程图中的每个方框、以及框图和或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或动作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。
另外，在本申请实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。
所述功能如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本申请实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器、随机存取存储器、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (9)

1.一种目标图形获取方法，其特征在于，所述方法包括：
获取原始图形的参数，其中，所述原始图形中包括多个图形条，所述原始图形的参数包括每个图形条的宽度及相邻两个图形条之间的间距；
依据所述每个图形条的宽度及相邻两个图形条之间的间距对所述图形进行分区，并确定目标区域；
在掩膜板与目标区域对应的位置增设散射条，以通过所述掩膜板在晶圆上刻蚀出目标图形，其中，所述目标图形与所述原始图形相同；其中，
在依据所述每个图形条的宽度及相邻两个图形条之间的间距对所述图形进行分区，并确定目标区域的步骤之后，所述方法还包括：
判断所述目标区域是否能够加入散射条；
若能，则在掩膜板与目标区域对应的位置增设散射条；
若不能，则对所述目标区域进行填充。
2.如权利要求1所述的目标图形获取方法，其特征在于，所述依据所述每个图形条的宽度及相邻两个图形条之间的间距对所述图形进行分区，并确定目标区域的步骤包括：
当所述图形条的宽度处于预设的第一区间，且相邻两个图形条之间的间距处于第二区间时，确定所述图形条所处的区域为非目标区域；
当所述图形条的宽度处于预设的第一区间，且相邻两个图形条之间的间距处于第三区间时，确定所述图形条所处的区域为目标区域；
当所述图形条的宽度处于预设的第四区间，且相邻两个图形条之间的间距处于第五区间时，确定所述图形条所处的区域为非目标区域；
当所述图形条的宽度处于预设的第四区间，且相邻两个图形条之间的间距处于第五区间时，确定所述图形条所处的区域为目标区域；
当所述图形条的宽度处于预设的第六区间时，确定所述图形条所处的区域为非目标区域。
3.如权利要求2所述的目标图形获取方法，其特征在于，所述依据所述每个图形条的宽度及相邻两个图形条之间的间距对所述图形进行分区，并确定目标区域的步骤包括：
当所述图形条的宽度为35nm～45nm，且相邻两个图形条之间的间距小于或等于70nm时，确定所述图形条所处的区域为非目标区域；
当所述图形条的宽度为35nm～45nm，且相邻两个图形条之间的间距大于70nm时，确定所述图形条所处的区域为目标区域；
当所述图形条的宽度为45nm～55nm，且相邻两个图形条之间的间距小于或等于85nm时，确定所述图形条所处的区域为非目标区域；
当所述图形条的宽度为45nm～55nm，且相邻两个图形条之间的间距大于85nm时，确定所述图形条所处的区域为目标区域；
当所述图形条的宽度大于或等于55nm时，确定所述图形条所处的区域为目标区域。
4.如权利要求1所述的目标图形获取方法，其特征在于，在对所述目标区域进行填充的步骤之前，所述方法还包括：
判断所述目标区域是否处于图形的拐弯处；
若是，则对所述目标区域进行填充，以使所述目标区域内的图形条的宽度达到预设宽度。
5.如权利要求4所述的目标图形获取方法，其特征在于，所述对所述目标区域进行填充，以使所述目标区域内的图形条的宽度达到预设宽度的步骤包括：
对所述目标区域进行填充，以使所述目标区域内的图形条的宽度达到55nm。
6.一种目标图形获取装置，其特征在于，所述装置包括：
信息获取单元，用于获取原始图形的参数，其中，所述原始图形中包括多个图形条，所述原始图形的参数包括每个图形条的宽度及相邻两个图形条之间的间距；
目标区域确定单元，用于依据所述每个图形条的宽度及相邻两个图形条之间的间距对所述图形进行分区，并确定目标区域；
散射条控制单元，用于在掩膜板与目标区域对应的位置增设散射条，以通过所述掩膜板在晶圆上刻蚀出目标图形，其中，所述目标图形与所述原始图形相同；
所述装置 还包括：
判断单元，用于判断所述目标区域是否能够加入散射条；
若能，则在掩膜板与目标区域对应的位置增设散射条；
若不能，则对所述目标区域进行填充。
7.如权利要求6所述的目标图形获取装置，其特征在于，所述目标区域确定单元还用于当所述图形条的宽度处于预设的第一区间，且相邻两个图形条之间的间距处于第二区间时，确定所述图形条所处的区域为非目标区域；
当所述图形条的宽度处于预设的第一区间，且相邻两个图形条之间的间距处于第三区间时，确定所述图形条所处的区域为目标区域；
当所述图形条的宽度处于预设的第四区间，且相邻两个图形条之间的间距处于第五区间时，确定所述图形条所处的区域为非目标区域；
当所述图形条的宽度处于预设的第四区间，且相邻两个图形条之间的间距处于第五区间时，确定所述图形条所处的区域为目标区域；
当所述图形条的宽度处于预设的第六区间时，确定所述图形条所处的区域为非目标区域。
8.一种电子设备，其特征在于，包括：
存储器，用于存储一个或多个程序；
处理器；
当所述一个或多个程序被所述处理器执行时，实现如权利要求1-5中任一项所述的目标图形获取方法。
9.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1-5中任一项所述的目标图形获取方法。
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