CN115933305B - 一种光掩模版图形的修正方法、装置、设备及介质 - Google Patents

Abstract

本发明涉及半导体技术领域，提供一种光掩模版图形的修正方法、装置、设备及介质，包括：获取初始掩模版图，所述初始掩模版图包括多个稀疏图形；调整某一个所述稀疏图形的所处位置，使得该所述稀疏图形周围满足预设条件；分别获取该所述稀疏图形周围的边缘放置误差的容忍度值；调整该所述稀疏图形周围的边缘放置误差的容忍度值的绝对值之和，使所述绝对值之和小于预设值，该所述稀疏图形位置调整完成；分别调整其余稀疏图形的位置，直至所有稀疏图形位置都调整好后，取得所述所有稀疏图形的位置，生成目标掩模版图。通过本发明公开的一种光掩模版图形的修正方法、装置、设备及介质，能够达到较好的收敛度。

Description

一种光掩模版图形的修正方法、装置、设备及介质

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种光掩模版图形的修正方法、装置、设备及介质。

背景技术

光学邻近效应修正（Optical Proximity Correction，OPC）技术是指为了避免光学邻近效应而对目标图形进行修正的技术。在目标图形的周围添加亚分辨率辅助图形（Scattering Bar，SB）后，由于受到周围图形环境的影响，目标图形经过OPC修正后会变成长边与短边差异较大的矩形，不能达到较好的收敛度。因此，在将目标图形刻印在掩模版上之前，需要对目标图形进行修正。现有的大多修正技术，修正效果不理想，不能达到较好的收敛度。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种光掩模版图形的修正方法、装置、设备及介质，能够达到较好的收敛度。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种光掩模版图形的修正方法，包括：

获取初始掩模版图，所述初始掩模版图包括多个稀疏图形；

调整某一个所述稀疏图形的所处位置，使得该所述稀疏图形的周围满足预设条件；

分别获取该所述稀疏图形周围的边缘放置误差的容忍度值；

调整该所述稀疏图形周围的边缘放置误差的容忍度值的绝对值之和，使所述绝对值之和小于预设值，该所述稀疏图形位置调整完成；以及

分别调整其余稀疏图形的位置，直至所有稀疏图形位置都调整好后，取得所述所有稀疏图形的位置，生成目标掩模版图。

在本发明一实施例中，所述稀疏图形的周围分别表示为第一边、第二边、第三边以及第四边，所述预设条件包括第一预设条件、第二预设条件、第三预设条件以及第四预设条件。

在本发明一实施例中，所述第一预设条件表示为所述第一边与距离其最近的其他稀疏图形的间距小于或等于第一距离阈值，所述第一边投影到距离其最近的其他稀疏图形上的投影长度与第一边长度的比值小于第一投影阈值。

在本发明一实施例中，所述第二预设条件表示为所述第二边与距离其最近的其他稀疏图形的间距大于第二距离阈值。

在本发明一实施例中，所述第三预设条件表示为所述第三边与距离其最近的其他稀疏图形的间距大于第三距离阈值。

在本发明一实施例中，所述第四预设条件表示为所述第四边与距离其最近的其他稀疏图形的间距小于或等于第四距离阈值，所述第四边投影到距离其最近的其他稀疏图形上的投影长度与第四边长度的比值大于或等于第二投影阈值。

在本发明一实施例中，所述调整该所述稀疏图形周围的边缘放置误差的容忍度值的绝对值之和，使所述绝对值之和小于预设值，该所述稀疏图形位置调整完成的步骤包括：

判断该所述稀疏图形周围的边缘放置误差的容忍度值的绝对值之和是否小于预设值；

若大于或等于所述预设值，则分别调整该所述稀疏图形周围的边缘放置误差的容忍度值，直至该所述稀疏图形周围的边缘放置误差的容忍度值的绝对值之和小于预设值为止，获取该所述稀疏图形的所处位置；

若小于所述预设值，获取该所述稀疏图形的所处位置，并调整下一稀疏图形的所处位置。

本发明还提供一种光掩模版图形的修正装置，包括：

版图获取模块，用于获取初始掩模版图，所述初始掩模版图包括多个稀疏图形；

子调整模块，用于调整某一个所述稀疏图形的所处位置，使得该所述稀疏图形的周围满足预设条件；

容忍度获取模块，用于分别获取该所述稀疏图形周围的边缘放置误差的容忍度值；

判断模块，用于调整该所述稀疏图形周围的边缘放置误差的容忍度值的绝对值之和，使所述绝对值之和小于预设值，该所述稀疏图形位置调整完成；以及

总调整模块，用于分别调整其余稀疏图形的位置，直至所有稀疏图形位置都调整好后，取得所述所有稀疏图形的位置，生成目标掩模版图。

本发明还提供一种计算机设备，包括存储器、修正器以及存储在所述存储器中并可在所述修正器上运行的计算机程序，所述修正器执行所述计算机程序时实现所述光掩模版图形的修正方法的步骤。

本发明还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被修正器执行时实现所述光掩模版图形的修正方法的步骤。

如上所述，本发明提供一种光掩模版图形的修正方法，通过调整稀疏图形的分布位置，能够改变稀疏图形在光学邻近效应修正过程中长短边的生长方向，被掩模规则值约束的稀疏图形的收敛度得到提升。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1显示为本发明的一种光掩模版图形的修正方法的流程图。

图2显示为图1中步骤S40的流程图。

图3显示为本发明的一种光掩模版图形的修正方法的模拟流程图。

图4显示为本发明的一种光掩模版图形的修正方法的实验结果示意图。

图5显示为本发明的一种光掩模版图形的修正装置的结构示意图。

图6是本发明一实施例中计算机设备的一结构示意图。

图7是本发明一实施例中计算机设备的另一结构示意图。

元件标号说明：

10、版图获取模块；20、子调整模块；30、容忍度获取模块；40、判断模块；50、总调整模块。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

请参阅图1-7。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。

请参阅图1所示，本发明提供了一种光掩模版图形的修正方法，其可应用于在光掩模版图刻印在掩模版上之前，对光掩模版图进行修正的场景上。掩模版（Mask Reticle），又称光罩，是半导体加工技术常用的光刻工艺所使用的图形母版。掩模版由不透明的遮光薄膜在透明基板上形成图形结构，再通过曝光过程将图形结构转移到晶圆上。其中，光掩模版图可包括密集图形与稀疏图形，密集图形的光刻工艺窗口是不同于稀疏图形的光刻工艺窗口，且密集图形曝光的光照条件也不同于稀疏图形曝光的光照条件。为减少晶圆中因图形密度不同引起的工艺差异，可以在稀疏图形的周围区域插入亚分辨率辅助图形，以提高焦深和工艺窗口均匀性。亚分辨率辅助图形的尺寸小于光刻系统成像分辨率，亚分辨率辅助图形可以是一些平行于稀疏图形的细长方形线条，亚分辨率辅助图形在曝光时不会形成光刻图形。

在本发明的一个实施例中，在稀疏图形的周围区域插入亚分辨率辅助图形后，需要对稀疏图形进行光学临近效应修正（Optical Proximity Correction，OPC），OPC是一种通过调整光刻掩模版上透光区域图形的拓扑结构，或者在掩模版上添加细小的亚分辨率辅助图形，使得在光刻胶中的成像结果尽量接近目标图形的技术。目标图形经过OPC修正后，会变成长边与短边差异较大的矩形图形，且目标图形的被掩模规则值约束（maskruleconstraints，MRC）的边不能向外无限的移动，导致不能达成较好的收敛度和准确度。

请参阅图1所示，在本发明的一个实施例中，当执行光掩模版图形的修正方法的步骤S10时，即获取初始掩模版图，初始掩模版图包括多个稀疏图形。具体的，掩模版上设有光掩模版图，光掩模版图可以包括稀疏图形与密集图形。在光掩模版图刻印在掩模版上之前，需要对稀疏图形的分布位置进行调整，以使掩模版在曝光过程将图形结构转移到晶圆上后，晶圆上的稀疏图形的图形收敛度得到提升。当对刻印在掩模版上的稀疏图形的分布位置调整前，可以先获取初始掩模版图，初始掩模版图可以包括多个稀疏图形。

请参阅图1所示，在本发明的一个实施例中，当执行光掩模版图形的修正方法的步骤S20时，即调整某一个稀疏图形的所处位置，使得该稀疏图形的周围满足预设条件。具体的，可以先对某一个稀疏图形的所处位置进行调整，之后依次调整其余的稀疏图形的所处位置，以使所有的稀疏图形的所处位置都能被调整好。该稀疏图形的外围可以为三条边、四条边或更多侧边。以四条边为例进行说明，四条边可以依次定义为第一边、第二边、第三边以及第四边。第一边、第二边、第三边以及第四边可以按照顺时针方向依次相连形成一个矩形形状。第一边、第二边、第三边以及第四边也可以按照逆时针方向依次相连形成一个矩形形状。以第一边、第二边、第三边以及第四边按照逆时针方向依次相连形成一个矩形形状为例进行说明。第一边可以表示矩形的上底边，第二边可以表示为矩形的左侧边，第三边可以表示为矩形的下底边，第四边可以表示为矩形的右侧边。稀疏图形的第一边、第二边、第三边以及第四边需要分别满足第一预设条件、第二预设条件、第三预设条件以及第四预设条件。由于该稀疏图形的周围会有其余的稀疏图形，即该稀疏图形的四条边一侧会有可能不止一个稀疏图形。例如第一边的一侧可能会有不止一个稀疏图形，第二边的一侧也可能会有不止一个稀疏图形等。因此，距离第一边最近的稀疏图形可以表示为第一稀疏图形，距离第二边最近的稀疏图形可以表示为第二稀疏图形，距离第三边最近的稀疏图形可以表示为第三稀疏图形，距离第四边最近的稀疏图形可以表示为第四稀疏图形。

在本发明的一个实施例中，第一预设条件可以表示为第一边与第一稀疏图形之间的间距小于或等于第一距离阈值，第一边投影到第一稀疏图形上的投影长度与第一边长度的比值小于第一投影阈。第二预设条件可以表示为第二边与第二稀疏图形之间的间距大于第二距离阈值。第三预设条件可以表示为第三边与第三稀疏图形之间的间距大于第三距离阈值。第四预设条件可以表示为第四边与第四稀疏图形之间的间距小于或等于第四距离阈值，第四边投影到第四稀疏图形上的投影长度与第四边长度的比值大于或等于第二投影阈值。即第一预设条件可以表示为第一边与距离其最近的其他稀疏图形的间距小于或等于第一距离阈值，第一边投影到距离其最近的其他稀疏图形上的投影长度与第一边长度的比值小于第一投影阈值。第二预设条件可以表示为第二边与距离其最近的其他稀疏图形的间距大于第二距离阈值。第三预设条件可以表示为第三边与距离其最近的其他稀疏图形的间距大于第三距离阈值。第四预设条件可以表示为第四边与距离其最近的其他稀疏图形的间距小于或等于第四距离阈值，第四边投影到距离其最近的其他稀疏图形上的投影长度与第四边长度的比值大于或等于第二投影阈值。

在本发明的一个实施例中，第一距离阈值可以在50nm~65nm的范围之间，例如，第一距离阈值可以为50nm，也可以为65nm。第一投影阈值可以在20%~50%的范围之间，例如，第一投影阈值可以为20%，也可以为49%，还可以为50%。第二距离阈值可以在150nm~200nm的范围之间，例如，第二距离阈值可以为150nm，也可以为200nm。第三距离阈值可以在150nm~200nm的范围之间，例如，第三距离阈值可以为150nm，也可以为180nm，还可以为200nm。第四距离阈值可以在50nm~65nm的范围之间，例如，第四距离阈值可以为50nm，也可以为65nm。第二投影阈值可以在50%~100%的范围之间，例如，第二投影阈值可以为50%，也可以为100%。

请参阅图1及图2所示，在本发明的一个实施例中，当执行光掩模版图形的修正方法的步骤S30及S40时，即分别获取该稀疏图形周围的边缘放置误差的容忍度值，调整该稀疏图形周围的边缘放置误差的容忍度值的绝对值之和，使绝对值之和小于预设值，该稀疏图形位置调整完成。具体的，步骤S40可包括：

S41、判断该稀疏图形周围的边缘放置误差的容忍度值的绝对值之和是否小于预设值；

S42、若大于或等于预设值，则分别调整该稀疏图形周围的边缘放置误差的容忍度值，直至该稀疏图形周围的边缘放置误差的容忍度值的绝对值之和小于预设值为止，获取该稀疏图形的所处位置；

S43、若小于预设值，获取该稀疏图形的所处位置，并调整下一稀疏图形的所处位置。

在本发明的一个实施例中，可以分别获取该稀疏图形的四条边的边缘放置误差（edge placementerror，EPE）的容忍度值，EPE是光刻软件仿真出的曝光后光刻胶图形边缘与设计图形之间的差值，容忍度值可以是最大的差值，由于差值是在一定范围内的，因此差值的大小可以是不同的。此时该稀疏图形的第一边的边缘放置误差的容忍度值可以表示为a，第二边的边缘放置误差的容忍度值可以表示为b，第三边的边缘放置误差的容忍度值可以表示为c，第四边的边缘放置误差的容忍度值可以表示为d。该稀疏图形的四条边的边缘放置误差的容忍度值的绝对值之和可以表示为s，s=|a|+|b|+|c|+|d|。之后可以判断该稀疏图形的四条边的边缘放置误差的容忍度值的绝对值之和s是否小于预设值。若s大于或等于预设值，则分别调整该稀疏图形的四条边的边缘放置误差的容忍度值，直至该稀疏图形的四条边的边缘放置误差的容忍度值的绝对值之和s小于预设值为止，此时该稀疏图形的所处位置已经调整完成，可以对下一稀疏图形的所处位置进行调整。若该稀疏图形的四条边的边缘放置误差的容忍度值的绝对值之和s小于预设值，则调整下一稀疏图形的所处位置。

在本发明的一个实施例中，当执行光掩模版图形的修正方法的步骤S50时，即分别调整其余稀疏图形的位置，直至所有的稀疏图形位置都调整好后，取得所有的稀疏图形的位置，生成目标掩模版图。具体的，当调整好该稀疏图形的所处位置后，可以分别对该稀疏图形周围的稀疏图形的所处位置进行调整，直至所有的稀疏图形的位置均被调整完成后为止，此时可以对所有的稀疏图形的位置进行汇总，并得到目标掩模版图。

请参阅图3及图4所示，在本发明的一个实施例中，当应用光掩模版图形的修正方法对光掩模版图形进行修正时，可以先获取初始掩模版图（layout），之后可对初始掩模版图（layout）中的稀疏图形的位置进行（Special handle）调整，再对调整后的初始掩模版图（layout）进行初步OPC修正，并对修正结果进行模拟（Model）实验，判断修正结果中的边缘放置误差的容忍度值的绝对值之和EPE是否小于预设值Spec，如果小于预设值Spec，则重新对初始掩模版图layout中的稀疏图形的位置进行调整（Special handle），直至修正结果中的边缘放置误差的容忍度值的绝对值之和EPE大于预设值Spec为止，此时可以生成目标掩模版图。之后可对目标掩模版图进行晶圆曝光（Waferdata）验证，以判断通过目标掩模版图曝光后得到的图形能否更加接近目标图形。在对稀疏图形的四条边的边缘放置误差的容忍度值的绝对值之和进行模拟实验时，可以看出，当需要获得尺寸为115nm的图形时，稀疏图形的四条边的边缘放置误差的容忍度值的绝对值之和在4nm~4.5nm的范围内时模拟结果最为接近。其中，s表示稀疏图形的四条边的边缘放置误差的容忍度值的绝对值之和，X表示光罩上光掩模图形（Mask Critical Dimension）的宽度，Y表示光罩上光掩模图形（MaskCritical Dimension）的长度，Simulation表示晶圆上光掩模图形的尺寸的模拟结果，Y/X表示光罩上光掩模图形的长度与宽度的比值，Wafer CD表示晶圆上光掩模图形的尺寸的实验结果。

表1模拟实验结果

可见，在上述方案中，能够改变稀疏图形在光学邻近效应修正过程中长短边的生长方向，被掩模规则值约束的稀疏图形的收敛度得到提升，使曝光后得到的图形更加接近目标图形。

应理解，上述实施例中各步骤的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本发明实施例的实施过程构成任何限定。

请参阅图5所示，本发明还提供了一种光掩模版图形的修正装置，该修正装置与上述实施例中修正方法相对应。该修正装置可以包括：版图获取模块10、子调整模块20、容忍度获取模块30、判断模块40以及总调整模块50。

在本发明的一个实施例中，版图获取模块10可用于获取初始掩模版图，所述初始掩模版图包括多个稀疏图形。具体的，掩模版上设有光掩模版图，光掩模版图可以包括稀疏图形与密集图形。在光掩模版图刻印在掩模版上之前，需要对稀疏图形的分布位置进行调整，以使掩模版在曝光过程将图形结构转移到晶圆上后，晶圆上的稀疏图形的图形收敛度得到提升。当对刻印在掩模版上的稀疏图形的分布位置调整前，可以先获取初始掩模版图，初始掩模版图可以包括多个稀疏图形。

在本发明的一个实施例中，子调整模块20可用于调整某一个稀疏图形的所处位置，使得该稀疏图形的周围满足预设条件。具体的，稀疏图形的周围分别表示为第一边、第二边、第三边以及第四边，预设条件包括第一预设条件、第二预设条件、第三预设条件以及第四预设条件，第一预设条件可以表示为第一边与距离其最近的其他稀疏图形的间距小于或等于第一距离阈值，第一边投影到距离其最近的其他稀疏图形上的投影长度与第一边长度的比值小于第一投影阈值，第二预设条件可以表示为第二边与距离其最近的其他稀疏图形的间距大于第二距离阈值，第三预设条件可以表示为第三边与距离其最近的其他稀疏图形的间距大于第三距离阈值，第四预设条件可以表示为第四边与距离其最近的其他稀疏图形的间距小于或等于第四距离阈值，第四边投影到距离其最近的其他稀疏图形上的投影长度与第四边长度的比值大于或等于第二投影阈值；

在本发明的一个实施例中，容忍度获取模块30可用于分别获取该稀疏图形周围的边缘放置误差的容忍度值。具体的，可以分别获取该稀疏图形的四条边的边缘放置误差（edge placement error，EPE）的容忍度值，EPE是光刻软件仿真出的曝光后光刻胶图形边缘与设计图形之间的差值，容忍度值可以是最大的差值，由于差值是在一定范围内的，因此差值的大小可以是不同的。此时该稀疏图形的第一边的边缘放置误差的容忍度值可以表示为a，第二边的边缘放置误差的容忍度值可以表示为b，第三边的边缘放置误差的容忍度值可以表示为c，第四边的边缘放置误差的容忍度值可以表示为d。

在本发明的一个实施例中，判断模块40可用于调整该稀疏图形周围的边缘放置误差的容忍度值的绝对值之和，使绝对值之和小于预设值，该稀疏图形位置调整完成。具体的，可用于判断该稀疏图形周围的边缘放置误差的容忍度值的绝对值之和是否小于预设值，若大于或等于预设值，则分别调整该稀疏图形周围的边缘放置误差的容忍度值，直至该稀疏图形周围的边缘放置误差的容忍度值的绝对值之和小于预设值为止，获取该稀疏图形的所处位置，若小于预设值，则获取该稀疏图形的所处位置，并调整下一稀疏图形的所处位置；

在本发明的一个实施例中，总调整模块50可用于分别调整其余稀疏图形的位置，直至所有的稀疏图形位置都调整好后，取得所有的稀疏图形的位置，生成目标掩模版图。

本发明提供的一种光掩模版图形的修正装置，能够改变稀疏图形在光学邻近效应修正过程中长短边的生长方向，被掩模规则值约束的稀疏图形的收敛度得到提升，使曝光后得到的图形更加接近目标图形。

关于修正装置的具体限定可以参见上文中对于修正方法的限定，在此不再赘述。上述修正装置中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机设备中的修正器中，也可以以软件形式存储于计算机设备中的存储器中，以便于修正器调用执行以上各个模块对应的操作。

请参阅图6所示，本发明还提供了一种计算机设备，该计算机设备可以是服务端。该计算机设备包括通过系统总线连接的修正器、存储器、网络接口和数据库。其中，该计算机设备的修正器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性和/或易失性存储介质、内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统、计算机程序和数据库。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的网络接口用于与外部的客户端通过网络连接通信。该计算机程序被修正器执行时以实现一种光掩模版图形的修正方法的功能或步骤。

请参阅图7所示，本发明还提供了另一种计算机设备，该计算机设备可以是客户端。该计算机设备包括通过系统总线连接的修正器、存储器、网络接口、显示屏和输入装置。其中，该计算机设备的修正器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质、内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统和计算机程序。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的网络接口用于与外部服务器通过网络连接通信。该计算机程序被修正器执行时以实现一种光掩模版图形的修正方法的功能或步骤。

在本发明的一个实施例中，提供了一种计算机设备，包括存储器、修正器及存储在存储器上并可在修正器上运行的计算机程序，修正器执行计算机程序时实现以下步骤：

获取初始掩模版图，所述初始掩模版图包括多个稀疏图形；

调整某一个稀疏图形的所处位置，使得该稀疏图形的周围满足预设条件；

分别获取该稀疏图形周围的边缘放置误差的容忍度值；

调整该稀疏图形周围的边缘放置误差的容忍度值的绝对值之和，使绝对值之和小于预设值，该稀疏图形位置调整完成；

分别调整其余稀疏图形的位置，直至所有的稀疏图形位置都调整好后，取得所有的稀疏图形的位置，生成目标掩模版图。

在本发明的一个实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被修正器执行时实现以下步骤：

获取初始掩模版图，所述初始掩模版图包括多个稀疏图形；

调整某一个稀疏图形的所处位置，使得该稀疏图形周围满足预设条件；

分别获取该稀疏图形周围的边缘放置误差的容忍度值；

调整该稀疏图形周围的边缘放置误差的容忍度值的绝对值之和，使绝对值之和小于预设值，该稀疏图形位置调整完成；

分别调整其余稀疏图形的位置，直至所有的稀疏图形位置都调整好后，取得所有的稀疏图形的位置，生成目标掩模版图。

需要说明的是，上述关于计算机可读存储介质或计算机设备所能实现的功能或步骤，可对应参阅前述方法实施例中，为避免重复，这里不再一一描述。

本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和/或易失性存储器。非易失性存储器可包括只读存储器（ROM）、可编程ROM（PROM）、电可编程ROM（EPROM）、电可擦除可编程ROM（EEPROM）或闪存。易失性存储器可包括随机存取存储器（RAM）或者外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限，RAM以多种形式可得，诸如静态RAM（SRAM）、动态RAM（DRAM）、同步DRAM（SDRAM）、双数据率SDRAM（DDRSDRAM）、增强型SDRAM（ESDRAM）、同步链路（Synchlink） DRAM（SLDRAM）、存储器总线（Rambus）直接RAM（RDRAM）、直接存储器总线动态RAM（DRDRAM）、以及存储器总线动态RAM（RDRAM）等。

在本说明书的描述中，参考术语“本实施例”、“示例”、“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上公开的本发明实施例只是用于帮助阐述本发明。实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施方式。显然，根据本说明书的内容，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地理解和利用本发明。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (5)

1.一种光掩模版图形的修正方法，其特征在于，包括：

获取初始掩模版图，所述初始掩模版图包括多个稀疏图形；

调整某一个所述稀疏图形的所处位置，使得该所述稀疏图形的周围满足预设条件，其中，所述稀疏图形的周围分别表示为第一边、第二边、第三边以及第四边，所述预设条件包括第一预设条件、第二预设条件、第三预设条件以及第四预设条件，所述第一预设条件表示为所述第一边与距离其最近的其他稀疏图形的间距小于或等于第一距离阈值，所述第一边投影到距离其最近的其他稀疏图形上的投影长度与第一边长度的比值小于第一投影阈值，所述第二预设条件表示为所述第二边与距离其最近的其他稀疏图形的间距大于第二距离阈值，所述第三预设条件表示为所述第三边与距离其最近的其他稀疏图形的间距大于第三距离阈值，所述第四预设条件表示为所述第四边与距离其最近的其他稀疏图形的间距小于或等于第四距离阈值，所述第四边投影到距离其最近的其他稀疏图形上的投影长度与第四边长度的比值大于或等于第二投影阈值；

分别获取该所述稀疏图形周围的边缘放置误差的容忍度值；

调整该所述稀疏图形周围的边缘放置误差的容忍度值的绝对值之和，使所述绝对值之和小于预设值，该所述稀疏图形位置调整完成；以及

分别调整其余稀疏图形的位置，直至所有稀疏图形位置都调整好后，取得所述所有稀疏图形的位置，生成目标掩模版图。

2.根据权利要求1所述的光掩模版图形的修正方法，其特征在于，所述调整该所述稀疏图形周围的边缘放置误差的容忍度值的绝对值之和，使所述绝对值之和小于预设值，该所述稀疏图形位置调整完成的步骤包括：

判断该所述稀疏图形周围的边缘放置误差的容忍度值的绝对值之和是否小于预设值；

若大于或等于所述预设值，则分别调整该所述稀疏图形周围的边缘放置误差的容忍度值，直至该所述稀疏图形周围的边缘放置误差的容忍度值的绝对值之和小于预设值为止，获取该所述稀疏图形的所处位置；

若小于所述预设值，获取该所述稀疏图形的所处位置，并调整下一稀疏图形的所处位置。

3.一种光掩模版图形的修正装置，其特征在于，包括：

版图获取模块，用于获取初始掩模版图，所述初始掩模版图包括多个稀疏图形；

子调整模块，用于调整某一个所述稀疏图形的所处位置，使得该所述稀疏图形的周围满足预设条件，其中，所述稀疏图形的周围分别表示为第一边、第二边、第三边以及第四边，所述预设条件包括第一预设条件、第二预设条件、第三预设条件以及第四预设条件，所述第一预设条件表示为所述第一边与距离其最近的其他稀疏图形的间距小于或等于第一距离阈值，所述第一边投影到距离其最近的其他稀疏图形上的投影长度与第一边长度的比值小于第一投影阈值，所述第二预设条件表示为所述第二边与距离其最近的其他稀疏图形的间距大于第二距离阈值，所述第三预设条件表示为所述第三边与距离其最近的其他稀疏图形的间距大于第三距离阈值，所述第四预设条件表示为所述第四边与距离其最近的其他稀疏图形的间距小于或等于第四距离阈值，所述第四边投影到距离其最近的其他稀疏图形上的投影长度与第四边长度的比值大于或等于第二投影阈值；

容忍度获取模块，用于分别获取该所述稀疏图形周围的边缘放置误差的容忍度值；

判断模块，用于调整该所述稀疏图形周围的的边缘放置误差的容忍度值的绝对值之和，使所述绝对值之和小于预设值，该所述稀疏图形位置调整完成；以及

总调整模块，用于分别调整其余稀疏图形的位置，直至所有稀疏图形位置都调整好后，取得所述所有稀疏图形的位置，生成目标掩模版图。

4.一种计算机设备，包括存储器、修正器以及存储在所述存储器中并可在所述修正器上运行的计算机程序，其特征在于，所述修正器执行所述计算机程序时实现如权利要求1至2任一项所述光掩模版图形的修正方法的步骤。

5.一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被修正器执行时实现如权利要求1至2任一项所述光掩模版图形的修正方法的步骤。

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