CN117111399B - 光学邻近修正方法、系统、计算机设备及介质 - Google Patents
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- 238000012937 correction Methods 0.000 title claims abstract description 125
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 82
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 54
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims abstract description 225
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 13
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 claims description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000012827 research and development Methods 0.000 abstract description 6
- 238000007689 inspection Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 5
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 238000012634 optical imaging Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003702 image correction Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
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Abstract
本申请涉及一种光学邻近修正方法、系统、计算机设备及介质，方法包括：获取包括阶梯线的初始版图图形，阶梯线包括依次连接的第一边、第二边及第三边；在初始版图图形的外围形成评价点，评价点包括位于第一边一侧的一组第一子评价点、第二边一侧的一组第二子评价点以及第三边一侧的一组第三子评价点；其中，第一子评价点、第二子评价点及第三子评价点中的至少一组为阶梯状评价点；基于评价点对初始版图图形进行光学邻近修正，以获取目标版图图形，目标版图图形的收敛度位于预设范围之内。上述方法能够对形状特殊或较复杂的图形进行更加精准的修正，从而提高修正准确率，以提高修正效率、减轻后续检查校正压力以及研发工作量。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造集成电路领域，特别是涉及一种光学邻近修正方法、系统、计算机设备及介质。
背景技术
光刻是集成电路制作的重要步骤，是将掩模上的图形转移到光刻胶并进一步转移到衬底上，由于光学成像系统衍射效应的存在，掩模图形将产生变形甚至无法分辨，这一现象被称为光学邻近效应(Optical Proximity Effect，简称OPE)。为提高成像分辨率和成像质量，可采用光学邻近修正(Optical Proximity Correction，简称OPC)。光学邻近修正中需要将掩模图形的所有边打断成一系列小线段并放置评价点，从而计算沿此移动方向上评价点的边缘放置误差(Edge Placement Error，简称EPE)。
然而，在部分形状复杂或特殊的图形中，原有评价点的放置位置及规则不能满足其修正需求，因此，如何提高这部分图形的光学邻近修正良率是亟需解决的问题。
发明内容
基于此，有必要针对上述背景技术中的问题，提供一种光学邻近修正方法、系统、计算机设备及介质，以提高部分图形在光学邻近修正后的收敛度，即提高其修正准确性，从而提高光刻规则检查（Lithography Rule Check，简称LRC）的速度，以提高研发效率。
为实现上述目的及其他相关目的，本申请的一方面提供了一种光学邻近修正方法，包括：获取包括阶梯线的初始版图图形，阶梯线包括依次连接的第一边、第二边及第三边；在初始版图图形的外围形成评价点，评价点包括位于第一边一侧的一组第一子评价点、第二边一侧的一组第二子评价点以及第三边一侧的一组第三子评价点；其中，第一子评价点、第二子评价点及第三子评价点中的至少一组为阶梯状评价点；基于评价点对初始版图图形进行光学邻近修正，以获取目标版图图形，目标版图图形的收敛度位于预设范围之内。
本申请意想不到的效果是，于上述实施例中的光学邻近修正方法中，获取包括阶梯线的初始版图图形，阶梯线至少包括顺序连接的第一边、第二边及第三边，阶梯线中至少包括开口方向相对的两个拐角，具有阶梯线的初始版图图形代表版图图形的形状较复杂，例如“L”形、“T”形或“H”形等形状中均具有阶梯线。于第一边、第二边及第三边中的至少一边附近形成一组阶梯状评价点，能够克服阶梯线中拐角较多、结构较复杂的问题，在基于阶梯状评价点进行光学邻近修正时，能够更精确地定位阶梯线的位置，从而使得初始版图图形中阶梯线的光学邻近修正结果更准确。在相关技术中放置评价点时，普遍将各评价点与对应的边设置为距离相同，在诸如矩形、梯形等简单结构的图形中能够经过修正得到准确的目标图形，但当图形的形状更为复杂时，与图形边等距离的评价点设置不能够精准地得到所需的版图图形，从而浪费大量的时间及成本。本申请提供的光学邻近修正方法能够改善上述问题，通过在阶梯线附近设置阶梯状评价点，从而能够对形状不常见或较复杂的图形进行更加精准的修正，从而提高目标图形的收敛度，即提高修正准确率，以提高修正效率、减轻后续检查校正压力以及研发工作量。
在其中一些实施例中，形成评价点的步骤包括：在阶梯线的第一边、第二边及第三边上分别形成至少两个分割点，至少两个分割点用于将所在边等分；在第一边一侧、第二边一侧及第三边一侧分别形成与分割点对应的一组第一子评价点、一组第二子评价点、一组第三子评价点；其中，第一子评价点、第二子评价点及第三子评价点中的至少一组为阶梯状评价点。
在其中一些实施例中，获取目标版图图形的步骤包括：基于评价点对初始版图图形进行光学邻近修正，以得到中间版图图形；判断中间版图图形的收敛度是否位于预设范围之内；若是，则中间版图图形即为目标版图图形。
在其中一些实施例中，若中间版图图形的收敛度位于预设范围之外，则再次于中间版图图形的外围执行形成评价点，并基于评价点对中间版图图形进行光学邻近修正的步骤，直至获取目标版图图形。
本申请的另一方面提供一种光学邻近修正系统，包括图形获取模块、评价点放置模块及修正模块；其中，图形获取模块用于获取包括阶梯线的初始版图图形，阶梯线包括依次连接的第一边、第二边及第三边；评价点放置模块与图形获取模块连接，用于在初始版图图形的外围形成评价点，评价点包括位于第一边一侧的一组第一子评价点、第二边一侧的一组第二子评价点以及第三边一侧的一组第三子评价点；其中，第一子评价点、第二子评价点及第三子评价点中的至少一组为阶梯状评价点；修正模块与评价点放置模块连接，基于评价点对初始版图图形进行光学邻近修正，以获取目标版图图形，目标版图图形的收敛度位于预设范围之内。
本申请意想不到的效果是，于上述实施例中的光学邻近修正系统中，图形获取模块获取包括阶梯线的初始版图图形，阶梯线至少包括顺序连接的第一边、第二边及第三边，阶梯线中至少包括开口方向相对的两个拐角，具有阶梯线的初始版图图形代表版图图形的形状较复杂，例如“L”形、“T”形或“H”形等形状中均具有阶梯线。评价点放置模块于第一边、第二边及第三边中的至少一边附近形成一组阶梯状评价点，能够克服阶梯线中拐角较多、结构较复杂的问题，在基于阶梯状评价点进行光学邻近修正时，能够更精确地定位阶梯线的位置，从而使得初始版图图形中阶梯线的光学邻近修正结果更准确，进而提高修正效率及良率。
在其中一些实施例中，评价点放置模块包括分割单元及放置单元；其中，分割单元与图形获取模块连接，用于在阶梯线的第一边、第二边及第三边上分别形成至少两个分割点，至少两个分割点用于将所在边等分；放置单元与分割模块连接，用于在第一边一侧、第二边一侧及第三边一侧分别形成与分割点对应的一组第一子评价点、一组第二子评价点、一组第三子评价点；其中，第一子评价点、第二子评价点及第三子评价点中的至少一组为阶梯状评价点。
在其中一些实施例中，修正模块包括图形修正单元及结果获取单元；其中，图形修正单元与评价点放置模块连接，基于评价点对初始版图图形进行光学邻近修正，以得到中间版图图形；结果获取单元与图形修正单元连接，用于判断中间版图图形的收敛度是否位于预设范围之内；若是，则中间版图图形即为目标版图图形。
在其中一些实施例中，结果获取单元还与评价点放置模块连接，并用于当中间版图图形的收敛度位于预设范围之外时，再次于中间版图图形的外围执行形成评价点，并基于评价点对中间版图图形进行光学邻近修正的步骤，直至获取目标版图图形。
本申请的再一方面还提供一种计算机设备，包括存储器和处理器，存储器存储有计算机程序，处理器执行计算机程序时实现本申请实施例中任一项所述的方法的步骤。
本申请的又一方面还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现本申请实施例中任一项所述的方法的步骤。
附图说明
为了更好地描述和说明这里公开的那些申请的实施例和/或示例，可以参考一幅或多幅附图。用于描述附图的附加细节或示例不应当被认为是对所公开的申请、目前描述的实施例和/或示例以及目前理解的这些申请的最佳模式中的任何一者的范围的限制。
图1显示为本申请一实施例中提供的一种光学邻近修正的原理示意图；
图2显示为本申请一实施例中提供的一种光学邻近修正方法的流程示意图；
图3a显示为本申请一实施例中提供的一种光学邻近修正方法中于初始版图图形外围放置阶梯状评价点的俯视图示意图；
图3b显示为本申请另一实施例中提供的一种光学邻近修正方法中于初始版图图形外围放置阶梯状评价点的俯视图示意图；
图3c显示为本申请又一实施例中提供的一种光学邻近修正方法中于初始版图图形外围放置阶梯状评价点的俯视图示意图；
图4显示为本申请另一实施例中提供的一种光学邻近修正方法的流程示意图；
图5显示为本申请一实施例中提供的一种光学邻近修正方法中于初始版图图形上形成分割点及放置阶梯状评价点的俯视图示意图；
图6显示为本申请又一实施例中提供的一种光学邻近修正方法的流程示意图；
图7a显示为本申请一实施例中提供的一种相关技术中改进前于初始版图图形外围放置评价点的俯视图示意图；
图7b显示为本申请一实施例中提供的一种相关技术中改进前不同修正过程的误差值的折线示意图；
图7c显示为本申请一实施例中提供的一种相关技术中改进前曝光容忍度范围的示意图；
图8a显示为本申请一实施例中提供的一种改进后于初始版图图形外围放置评价点的俯视图示意图；
图8b显示为本申请一实施例中提供的一种改进后不同修正过程的误差值的折线示意图；
图8c显示为本申请一实施例中提供的一种改进后曝光容忍度范围的示意图；
图9显示为本申请一实施例中提供的一种光学邻近修正系统的各部分连接关系的简单示意图；
图10显示为本申请另一实施例中提供的一种光学邻近修正系统的各部分连接关系的简单示意图。
附图标记说明：
11/12/13、初始版图图形；111/121/131、第一边；112/122/132、第二边；113/123/133、第三边；1122、分割点；1121/1231/1331、阶梯状评价点；20、图形获取模块；30、评价点放置模块；31、分割单元；32、放置单元；40、修正模块；41、图形修正单元；42、结果获取单元。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参考相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的首选实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“及／或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本申请的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
这里参考作为本申请的理想实施例(和中间结构)的示意图的横截面图来描述申请的实施例。这样，可以预期由于例如制造技术和/或容差导致的从所示形状的变化。因此，本申请的实施例不应当局限于在此所示的区的特定形状，而是包括由于例如制造导致的形状偏差，图中显示的区实质上是示意性的，它们的形状并不意图显示器件的区的实际形状且并不意图限定本申请的范围。
请参阅图1-图10。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本申请的基本构想，虽图示中仅显示与本申请中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
请参阅图1，芯片光刻工艺作为半导体制造技术的核心工艺，它的目的是将掩模上的图形通过光学成像系统转移到涂覆在硅基衬底的光刻胶并进一步转移到硅片上。由于光学成像系统衍射效应的存在，高阶衍射光无法通过光刻投影物镜参与成像，曝光图形可能无法分辨。为提高成像分辨率和成像质量，可以采用光学邻近修正，一般先将掩模图形的原设计边缘所有边打断成一系列小线段并放置格点，即评价点，以对打断的线段进行偏移修正，软件仿真出曝光后光刻胶的图形边缘并和设计图形对比，它们之间的差别称为边缘放置误差，其用来衡量修正质量的指标，边缘放置误差小就意味着曝光后的图形和设计图形接近，光学邻近修正的收敛度就越好。
随着节点的一步步推进，设计图形越来越复杂。目前，相关技术中对于优化OPC的流程，在对结果进行验证时，如果结果未达到目标，则需要重新进行优化；如果结果达到目标，则输出掩膜图形并发送到光罩厂制作光罩。然而，即便OPC引擎对分割的长度已经进行了优化，但是对于某些特殊或形状复杂的图形，收敛度依然较差，当曝光剂量或者曝光机台的聚焦发生偏移时，收敛度较差的位置会使得光刻胶断裂，降低产品良率。
基于上述背景技术中的问题，本申请提供一种光学邻近修正方法、系统、计算机设备及介质，以提高部分图形在光学邻近修正后的收敛度，即提高其修正准确性，从而提高光刻规则检查的速度，以提高研发效率。
作为示例，请参阅图2，本申请的一方面提供了一种光学邻近修正方法，包括：
步骤S2：获取包括阶梯线的初始版图图形，阶梯线包括依次连接的第一边、第二边及第三边；
步骤S4：在初始版图图形的外围形成评价点，评价点包括位于第一边一侧的一组第一子评价点、第二边一侧的一组第二子评价点以及第三边一侧的一组第三子评价点；其中，第一子评价点、第二子评价点及第三子评价点中的至少一组为阶梯状评价点；
步骤S6：基于评价点对初始版图图形进行光学邻近修正，以获取目标版图图形，目标版图图形的收敛度位于预设范围之内。
本申请意想不到的效果是，于上述实施例中的光学邻近修正方法中，获取包括阶梯线的初始版图图形，阶梯线至少包括顺序连接的第一边、第二边及第三边，阶梯线中至少包括开口方向相对的两个拐角，具有阶梯线的初始版图图形代表版图图形的形状较复杂，例如“L”形、“T”形或“H”形等形状中均具有阶梯线。于第一边、第二边及第三边中的至少一边附近形成一组阶梯状评价点，能够克服阶梯线中拐角较多、结构较复杂的问题，在基于阶梯状评价点进行光学邻近修正时，能够更精确地定位阶梯线的位置，从而使得初始版图图形中阶梯线的光学邻近修正结果更准确。在相关技术中放置评价点时，普遍将各评价点与对应的边设置为距离相同，在诸如矩形、梯形等简单结构的图形中能够经过修正得到准确的目标图形，但当图形的形状更为复杂时，与图形边等距离的评价点设置不能够精准地得到所需的版图图形，从而浪费大量的时间及成本。本申请提供的光学邻近修正方法能够改善上述问题，通过在阶梯线附近设置阶梯状评价点，从而能够对形状不常见或较复杂的图形进行更加精准的修正，从而提高目标图形的收敛度，即提高修正准确率，以提高修正效率、减轻后续检查校正压力以及研发工作量。
作为示例，在步骤S2中，请参阅图3a、图3b及图3c，获取包括阶梯线的初始版图图形，阶梯线包括依次连接的第一边、第二边及第三边，阶梯线表示初始版图图形中较为曲折复杂的边缘，还可以表示初始版图图形中大于180°的内角所对应的边。示例地，在图3a、图3b及图3c中，阶梯线表示初始版图图形中270°的内角所对应的边及其附近的边。在图3a中，初始版图图形11中的阶梯线可以包括第一边111、第二边112、第三边113；在图3b中，初始版图图形12中的阶梯线可以包括第一边121、第二边122、第三边123；在图3c中，初始版图图形13中的阶梯线可以包括第一边131、第二边132、第三边133。
作为示例，请继续参阅图3a、图3b及图3c，阶梯状评价点具体可以为：在初始版图图形中阶梯线其中一边的一侧，距离该边的距离各不相同，且距离按顺序逐渐增大或减小的一组评价点。示例地，阶梯状评价点可以为在图3a中的阶梯状评价点1121、在图3b中的阶梯状评价点1231、在图3c中的阶梯状评价点1331。
作为示例，请继续参阅图3a、图3b及图3c，在具有阶梯线的初始版图图形中，一组阶梯状评价点中评价点的数量至少为两个，且形成阶梯状评价点的边的数量可以为一个、两个或多个；除了形成阶梯状评价点的边之外，其他边均可以分别形成与该边距离相同的一组等距离评价点（未图示）。
作为示例，请参阅图4，在步骤S4中，形成评价点的步骤包括：
步骤S41：在阶梯线的第一边、第二边及第三边上分别形成至少两个分割点，至少两个分割点用于将所在边等分；
步骤S42：在第一边一侧、第二边一侧及第三边一侧分别形成与分割点对应的一组第一子评价点、一组第二子评价点、一组第三子评价点；其中，第一子评价点、第二子评价点及第三子评价点中的至少一组为阶梯状评价点。
在步骤S41中，请参阅图5，在初始版图图形11中的第二边112上，形成两个分割点1122，以将第二边112等分，并在与分割点1122对应的位置，即在分割点1122沿第二边112的一侧且垂直于第二边112的方向上，放置阶梯状评价点1121，阶梯状评价点1121与对应的分割点1122的距离沿靠近第三边113的方向逐渐增大。
作为示例，请参阅图6，在步骤S6中，获取目标版图图形的步骤包括：
步骤S61：基于评价点对初始版图图形进行光学邻近修正，以得到中间版图图形；
步骤S62：判断中间版图图形的收敛度是否位于预设范围之内；
步骤S63：若是，则中间版图图形即为目标版图图形。
作为示例，请参阅图6，在步骤S63之后，还包括：若中间版图图形的收敛度位于预设范围之外，则再次于中间版图图形的外围执行形成评价点，并基于评价点对中间版图图形进行光学邻近修正的步骤，直至获取目标版图图形，即对中间版图图形重复步骤S41-S62的步骤；其中，中间版图图形也包括与初始版图图形的阶梯线对应的阶梯线，即中间版图图形也包括与初始版图图形对应的第一边、第二边及第三边。
作为示例，在步骤S4之前，对包括阶梯线的初始版图图形进行评价点放置之前，还可以包括如下步骤：
步骤S2’：获取不包括阶梯线的初始版图图形；
步骤S3：对不包括阶梯线的初始版图图形进行评价点放置，以及对包括阶梯线的初始版图图形中除了阶梯线之外的边进行评价点放置，以使得各评价点与对应边的距离相同。
在上述除阶梯线外的边中，可以采用相关技术中普遍采用的评价点放置位置，以与阶梯状评价点结合，一起对初始版图图形的各边进行光学邻近修正。
作为示例，在步骤S6之后，还包括如下步骤：
步骤S7：基于目标图形制备掩膜图形，并至少对设置阶梯状评价点的边的收敛度进行记录。
上述对设置阶梯状评价点的边的收敛度进行记录，有利于判断阶梯状评价点的放置位置是否达到预设效果，以便于对其进行进一步的优化。
请参阅图7a、图7b、图7c、图8a、图8b、图8c及下表1，上述图中示出了相关技术中采用的光学邻近修正方法与本申请提供的光学邻近修正方法在修正效果上的差异，具体描述参考下述实施例。
表1
请参阅图7a、图7b及表1，图7a为相关技术中于初始版图图形的阶梯线上设置评价点的示意图，其中，各评价点与对应边的距离均为0，即各评价点均设置于对应边上，表1中L1与L2表示其中两个评价点与对应边的距离。在本实施例中，初始版图图形中的目标尺寸T为154nm，基于图7a中的评价点进行光学邻近修正后的模拟尺寸W1为146nm，误差值|W1-T|为8nm。图7b中示出了在采用图7a所示的评价点放置方法时的不同修正过程所得到的误差值，可以看出，误差值普遍位于1.8nm-8nm范围内，误差较大，修正效果有待提高。
请参阅图8a、图8b及表1，图8a为本申请中于初始版图图形的阶梯线上设置阶梯状评价点的示意图，其中，各评价点与对应边的距离呈阶梯状分布，表1中L1与L2表示图8a其中一条边上相邻的两个评价点与对应边的距离。图8b中示出了在采用图8a所示的评价点放置方法时的不同修正过程所得到的误差值。在本实施例中，初始版图图形中的目标尺寸T为154nm，基于图8a中的评价点进行光学邻近修正后的误差值|W2-T|最小为0.5nm，对应的模拟尺寸W2为154.5nm，L1为3nm，L2为1.5nm。可以看出，误差值普遍位于0.5nm-2nm范围内，边缘放置误差显著减小，修正准确率大幅提高。
作为示例，上述表1中通过改变具有阶梯线的初始版图图形的评价点的位置，减小了边缘放置误差，提升了图形的收敛度，并通过设置与对应边不同距离的评价点，并在不同修正过程中改变其距离，选出了能够使得误差值最小的阶梯状评价点的放置位置，从而提高了修正的准确率。
请参阅图7c及图8c，图7c及图8c中的椭圆区域的面积表示了曝光容忍度（Exposure Latitude，即EL），由于晶圆的尺寸设置在一定误差范围内，例如±10nm，不影响产品良率，超过这个范围，即曲线与椭圆之间区域的面积所表示的范围，例如+15nm，就会影响产品良率；所以曝光容忍度指的是在一定误差范围内曝光能量的范围，曝光容忍度越大，代表工艺越稳定，容错率越高。因此，可以看出，通过本申请提供的光学邻近修正方法，不仅可以提升收敛度，即减小误差值，还能够在保证光刻工艺窗口的情况下有效提高了曝光容忍度，以提高工艺优化过程的效率，同时还能够减轻光刻规则检查的时间，进而推进研发进度，提高芯片研发效率。
作为示例，请参阅图9，本申请的另一方面提供一种光学邻近修正系统，包括图形获取模块20、评价点放置模块30及修正模块40；其中，图形获取模块20用于获取包括阶梯线的初始版图图形，阶梯线包括依次连接的第一边、第二边及第三边；评价点放置模块30与图形获取模块20连接，用于在初始版图图形的外围形成评价点，评价点包括位于第一边一侧的一组第一子评价点、第二边一侧的一组第二子评价点以及第三边一侧的一组第三子评价点；其中，第一子评价点、第二子评价点及第三子评价点中的至少一组为阶梯状评价点；修正模块40与评价点放置模块30连接，基于评价点对初始版图图形进行光学邻近修正，以获取目标版图图形，目标版图图形的收敛度位于预设范围之内。
本申请意想不到的效果是，于上述实施例中的光学邻近修正系统中，图形获取模块20获取包括阶梯线的初始版图图形，阶梯线至少包括顺序连接的第一边、第二边及第三边，阶梯线中至少包括开口方向相对的两个拐角，具有阶梯线的初始版图图形代表版图图形形状较复杂，例如“L”形、“T”形或“H”形等形状中均具有阶梯线。评价点放置模块30于第一边、第二边及第三边中的至少一边附近形成一组阶梯状评价点，能够克服阶梯线中拐角较多、结构较复杂的问题，在基于阶梯状评价点进行光学邻近修正时，能够更精确地定位阶梯线的位置，从而使得初始版图图形中阶梯线的光学邻近修正结果更准确，进而提高修正效率及良率。
作为示例，请参阅图9、图3a、图3b及图3c，在图形获取模块20中，获取包括阶梯线的初始版图图形，阶梯线包括顺序连接的第一边、第二边及第三边，阶梯线表示初始版图图形中较为曲折复杂的边缘，还可以表示初始版图图形中大于180°的内角所对应的边。
作为示例，请参阅图10，评价点放置模块30包括分割单元31及放置单元32；其中，分割单元31与图形获取模块20连接，用于在阶梯线的第一边、第二边及第三边上分别形成至少两个分割点，至少两个分割点用于将所在边等分；放置单元32与分割模块连接，用于在第一边一侧、第二边一侧及第三边一侧分别形成与分割点对应的一组第一子评价点、一组第二子评价点、一组第三子评价点；其中，第一子评价点、第二子评价点及第三子评价点中的至少一组为阶梯状评价点。
作为示例，请继续参阅图10，修正模块40包括图形修正单元41及结果获取单元42；其中，图形修正单元41与评价点放置模块30连接，基于评价点对初始版图图形进行光学邻近修正，以得到中间版图图形；结果获取单元42与图形修正单元41连接，用于判断中间版图图形的收敛度是否位于预设范围之内；若是，则中间版图图形即为目标版图图形。
作为示例，请继续参阅图10，结果获取单元42还与评价点放置模块30连接，并用于当中间版图图形的收敛度位于预设范围之外时，再次于中间版图图形的外围执行形成评价点，并基于评价点对中间版图图形进行光学邻近修正的步骤，直至获取目标版图图形。
作为示例，光学邻近修正系统还包括图形制备模块及记录模块，图形制备模块用于基于目标图形制备掩膜图形，记录模块用于至少对设置阶梯状评价点的边的收敛度进行记录。上述对设置阶梯状评价点的边的收敛度进行记录，有利于判断阶梯状评价点的放置位置是否达到预设效果，以便于对其进行进一步的优化。
作为示例，本申请的再一方面还提供一种计算机设备，包括存储器和处理器，存储器存储有计算机程序，处理器执行计算机程序时实现本申请实施例中任一项所述的方法的步骤。
作为示例，本申请的又一方面还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现本申请实施例中任一项所述的方法的步骤。
作为示例，本申请还提供一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述半导体结构制备方法中任一项所述的方法的步骤。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性、易失性存储器或其组合。非易失性存储器可以包括只读存储器（Read-OnlyMemory，ROM）、磁带、软盘、闪存、光存储器、高密度嵌入式非易失性存储器、阻变存储器（ReRAM）、磁变存储器（Magnetoresistive Random Access Memory，MRAM）、铁电存储器（Ferroelectric Random Access Memory，FRAM）、相变存储器（Phase Change Memory，PCM）或石墨烯存储器等。易失性存储器可以包括随机存取存储器（Random Access Memory，RAM）或外部高速缓冲存储器等。作为说明而非局限，RAM可以是多种形式，比如静态随机存取存储器（Static Random Access Memory，SRAM）或动态随机存取存储器（Dynamic RandomAccess Memory，DRAM）等。本申请所提供的各实施例中所涉及的数据库可以包括关系型数据库、非关系型数据库或其组合。非关系型数据库可以包括基于区块链的分布式数据库等，不限于此。本申请所提供的各实施例中所涉及的处理器可以为通用处理器、中央处理器、图形处理器、数字信号处理器、可编程逻辑器或基于量子计算的数据处理逻辑器等，不限于此。
请注意，上述实施例仅出于说明性目的而不意味对本申请的限制。
应该理解的是，除非本文中有明确的说明，所述的步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，所述的步骤的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些子步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，所述方法包括：
获取包括阶梯线的初始版图图形，所述阶梯线包括依次连接的第一边、第二边及第三边；所述阶梯线中至少包括开口方向相对的两个拐角；
在所述初始版图图形的外围形成评价点，所述评价点包括位于所述第一边一侧的一组第一子评价点、所述第二边一侧的一组第二子评价点以及所述第三边一侧的一组第三子评价点；其中，所述第一子评价点、所述第二子评价点及所述第三子评价点中，位于所述初始版图图形中大于180度的内角所对应边的其中两组子评价点的至少一组为阶梯状评价点；所述阶梯状评价点为在所述初始版图图形中阶梯线其中一边的一侧，距离该边的距离各不相同，且距离按顺序逐渐增大或减小的一组评价点；
基于所述评价点对所述初始版图图形进行光学邻近修正，以获取目标版图图形，所述目标版图图形的收敛度位于预设范围之内。
2.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，形成所述评价点的步骤包括：
在所述阶梯线的所述第一边、所述第二边及所述第三边上分别形成至少两个分割点，至少两个所述分割点用于将所在边等分；
在所述第一边一侧、所述第二边一侧及所述第三边一侧分别形成与所述分割点对应的所述一组第一子评价点、所述一组第二子评价点、所述一组第三子评价点；其中，所述第一子评价点、所述第二子评价点及所述第三子评价点中的至少一组为阶梯状评价点。
3.根据权利要求1或2所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述获取目标版图图形的步骤包括：
基于所述评价点对所述初始版图图形进行光学邻近修正，以得到中间版图图形；
判断所述中间版图图形的收敛度是否位于所述预设范围之内；若是，则所述中间版图图形即为目标版图图形。
4.根据权利要求3所述的光学邻近修正方法，其特征在于，若所述中间版图图形的收敛度位于预设范围之外，则再次于所述中间版图图形的外围执行所述形成评价点，并基于所述评价点对所述中间版图图形进行所述光学邻近修正的步骤，直至获取目标版图图形。
5.一种光学邻近修正系统，其特征在于，包括：
图形获取模块，用于获取包括阶梯线的初始版图图形，所述阶梯线包括依次连接的第一边、第二边及第三边；所述阶梯线中至少包括开口方向相对的两个拐角；
评价点放置模块，与所述图形获取模块连接，用于在所述初始版图图形的外围形成评价点，所述评价点包括位于所述第一边一侧的一组第一子评价点、所述第二边一侧的一组第二子评价点以及所述第三边一侧的一组第三子评价点；其中，所述第一子评价点、所述第二子评价点及所述第三子评价点中，位于所述初始版图图形中大于180度的内角所对应边的其中两组子评价点的至少一组为阶梯状评价点；所述阶梯状评价点为在所述初始版图图形中阶梯线其中一边的一侧，距离该边的距离各不相同，且距离按顺序逐渐增大或减小的一组评价点；
修正模块，与所述评价点放置模块连接，基于所述评价点对所述初始版图图形进行光学邻近修正，以获取目标版图图形，所述目标版图图形的收敛度位于预设范围之内。
6.根据权利要求5所述的光学邻近修正系统，其特征在于，所述评价点放置模块包括：
分割单元，与所述图形获取模块连接，用于在所述阶梯线的所述第一边、所述第二边及所述第三边上分别形成至少两个分割点，至少两个所述分割点用于将所在边等分；
放置单元，与所述分割模块连接，用于在所述第一边一侧、所述第二边一侧及所述第三边一侧分别形成与所述分割点对应的所述一组第一子评价点、所述一组第二子评价点、所述一组第三子评价点；其中，所述第一子评价点、所述第二子评价点及所述第三子评价点中的至少一组为阶梯状评价点。
7.根据权利要求5或6所述的光学邻近修正系统，其特征在于，所述修正模块包括：
图形修正单元，与所述评价点放置模块连接，基于所述评价点对所述初始版图图形进行光学邻近修正，以得到中间版图图形；
结果获取单元，与所述图形修正单元连接，用于判断所述中间版图图形的收敛度是否位于所述预设范围之内；若是，则所述中间版图图形即为目标版图图形。
8.根据权利要求7所述的光学邻近修正系统，其特征在于，所述结果获取单元还与所述评价点放置模块连接，并用于当所述中间版图图形的收敛度位于预设范围之外时，再次于所述中间版图图形的外围执行所述形成评价点，并基于所述评价点对所述中间版图图形进行所述光学邻近修正的步骤，直至获取目标版图图形。
9.一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至4任一项所述的方法的步骤。
10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至4任一项所述的方法的步骤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202311387197.4A CN117111399B (zh) | 2023-10-25 | 2023-10-25 | 光学邻近修正方法、系统、计算机设备及介质 |
Applications Claiming Priority (1)
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| CN202311387197.4A CN117111399B (zh) | 2023-10-25 | 2023-10-25 | 光学邻近修正方法、系统、计算机设备及介质 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117111399A CN117111399A (zh) | 2023-11-24 |
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Family
ID=88795209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN202311387197.4A Active CN117111399B (zh) | 2023-10-25 | 2023-10-25 | 光学邻近修正方法、系统、计算机设备及介质 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117111399B (zh) |
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |