CN116520632A - 版图修正方法、存储介质及终端 - Google Patents

版图修正方法、存储介质及终端 Download PDF

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CN116520632A
CN116520632A CN202310438642.9A CN202310438642A CN116520632A CN 116520632 A CN116520632 A CN 116520632A CN 202310438642 A CN202310438642 A CN 202310438642A CN 116520632 A CN116520632 A CN 116520632A
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王聪玉
金晓亮
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Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/36Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes

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Abstract

一种版图修正方法、存储介质及终端,其中版图修正方法包括:获取修正版图;对所述修正版图进行光学邻近修正验证处理,获取所述修正版图中的错误点;基于所述错误点获取第一局部区域,所述第一局部区域内具有若干待修正图形;对所述第一局部区域的所述待修正图形进行修正处理。基于所述错误点获取第一局部区域,所述第一局部区域内具有若干待修正图形,通过仅对所述第一局部区域的所述待修正图形进行修正处理,避免了全芯片区域的修正,进而有效提高了修正效率,而且避免了在原本修正准确的区域重新出现修正误差,提高了修正准确率。

Description

版图修正方法、存储介质及终端
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种版图修正方法、存储介质及终端。
背景技术
光刻技术是半导体制作技术中至关重要的一项技术,光刻技术能够实现将图形从掩膜版中转移到硅片表面,形成符合设计要求的半导体产品。光刻工艺包括曝光步骤、曝光步骤之后进行的显影步骤和显影步骤之后的刻蚀步骤。在曝光步骤中,光线通过掩膜版中透光的区域照射至涂覆有光刻胶的硅片上,光刻胶在光线的照射下发生化学反应;在显影步骤中,利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度的不同,形成光刻图案,实现掩膜版图案转移到光刻胶上;在刻蚀步骤中,基于光刻胶层所形成的光刻图案对硅片进行刻蚀,将掩膜版的图案进一步转移至硅片上。
在半导体制造中,随着设计尺寸的不断缩小,设计尺寸越来越接近光刻成像系统的极限,光的衍射效应变得越来越明显,导致最终对设计图形产生光学影像退化,实际形成的光刻图案相对于掩膜版上的图案发生严重畸变,最终在硅片上经过光刻形成的实际图形和设计图形不同,这种现象称为光学邻近效应(OPE:Optical Proximity Effect)。
为了修正光学邻近效应,便产生了光学邻近修正(OPC:Optical ProximityCorrection)。光学邻近修正的核心思想就是基于抵消光学邻近效应的考虑建立光学邻近修正模型,根据光学邻近修正模型设计光掩模图形,这样虽然光刻后的光刻图形相对应光掩模图形发生了光学邻近效应,但是由于在根据光学邻近修正模型设计光掩模图形时已经考虑了对该现象的抵消,因此,光刻后的光刻图形接近于用户实际希望得到的目标图形。
然而,现有技术中版图修正过程仍存在诸多问题。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供一种版图修正方法、存储介质及终端,以提高修正效率及修正准确率。
为解决上述问题,本发明的技术方案提供一种版图修正方法,包括:获取修正版图;对所述修正版图进行光学邻近修正验证处理,获取所述修正版图中的错误点;基于所述错误点在所述修正版图中获取第一局部区域,所述第一局部区域内具有若干待修正图形;对所述第一局部区域的所述待修正图形进行修正处理。
可选的,获取修正版图的方法包括:提供初始版图;对所述初始版图进行第一光学邻近修正,获取所述修正版图。
可选的,对所述第一局部区域的所述待修正图形进行修正处理的方法包括:提供光学邻近修正验证数据库;在所述光学邻近修正验证数据库中搜索与所述第一局部区域相适配的历史修正区域;当在所述光学邻近修正验证数据库搜索到所述历史修正区域时,将所述历史修正区域内若干图形的修正数据运用至所述第一局部区域内进行若干所述待修正图形的修正处理。
可选的,当在所述光学邻近修正验证数据库未搜索到所述历史修正区域时,对所述第一局部区域内的所述待修正图形进行第二光学邻近修正处理。
可选的,在对所述第一局部区域内的所述待修正图形进行第二光学邻近修正处理之后,还包括:将对所述第一局部区域内的所述待修正图形的第二光学邻近修正数据更新至所述光学邻近修正验证数据库中。
可选的,基于所述错误点获取第一局部区域的方法包括:以所述错误点为中心坐标点构建框选区域以获取所述第一局部区域。
可选的,所述第一局部区域包括:边长范围为1.5微米~2.5微米的正方形。
可选的,所述修正版图具有相对应的初始版图和目标版图,基于所述错误点在所述修正版图中获取第一局部区域的同时,还包括:在所述初始版图和所述目标版图中同时获取相对应的第二局部区域,所述初始版图中的所述第二局部区域和所述目标版图中的所述第二局部区域内具有若干与所述待修正图形相对应的参考图形。
可选的,在光学邻近修正验证数据库中搜索与所述第一局部区域相适配的历史修正区域的方法包括:制定所述初始版图和所述目标版图的索引信息;根据所述索引信息在所述光学邻近修正验证数据库中获取第一搜索范围数据;制定所述第二局部区域内若干所述参考图形的特征信息;根据所述特征信息在所述第一搜索范围数据内进行比对,搜索所述历史修正区域。
可选的,所述索引信息包括:制造厂、产品、工艺层次。
可选的,所述第二局部区域内若干所述参考图形的特征信息包括:各个所述参考图形的自身特征信息、以及相邻两个所述参考图形之间的关联特征信息。
可选的,相邻两个所述参考图形之间的关联特征信息是以相邻两个所述参考图形之间相邻两条边的各个顶点信息表示。
可选的,以相邻两个所述参考图形之间相邻两条边的各个顶点信息表示相邻两个所述参考图形之间的关联特征信息的方法包括:基于相邻两个所述参考图形之间相邻两条边构建虚拟四边形;获取所述虚拟四边形的自身特征信息,以所述虚拟四边形的自身特征信息作为相邻两个所述参考图形之间的关联特征信息。
可选的,所述自身特征信息包括:图形的顶点信息、以及图形的各条边的信息。
可选的,图形的各条边的信息是以各条边相对的两个所述顶点信息表示。
可选的,根据所述特征信息在所述第一搜索范围数据内进行比对,搜索所述历史修正区域的方法包括:将所述第二局部区域划分为第一区域以及若干第二区域,所述第一区域是以所述错误点为中心坐标点构建的正方形,以所述第一区域为基准,若干所述第二区域依次包围,且位于最内侧的所述第二区域包围所述第一区域;所述第一区域内的若干所述参考图形的特征信息与所述历史修正区域内相对应区域内的图形的特征信息相同;若干所述第二区域内的若干所述参考图形的特征信息与所述历史修正区域内相对应区域内的图形的特征信息误差率不超过预设误差率,且所述误差率与所述第二区域距所述错误点之间的距离呈正相关。
可选的,所述第一区域与所述第二局部区域的面积之比为:65%~75%。
可选的,所述预设误差率的范围为5%。
相应的,本发明技术方案中还提供一种存储介质,其上存储有计算机指令,其特征在于,所述计算机指令运行时执行上述任一项所述方法的步骤。
相应的,本发明技术方案中还提供一种终端,包括存储器和处理器,所述存储器上存储有能够在所述处理器上运行的计算机指令,其特征在于,所述处理器运行所述计算机指令时执行上述任一项所述方法的步骤。
与现有技术相比,本发明的技术方案具有以下优点:
本发明技术方案的版图修正方法中,基于所述错误点获取第一局部区域,所述第一局部区域内具有若干待修正图形,通过仅对所述第一局部区域的所述待修正图形进行修正处理,避免了全芯片区域的修正,进而有效提高了修正效率,而且避免了在原本修正准确的区域重新出现修正误差,提高了修正准确率。
进一步,对所述第一局部区域的所述待修正图形进行修正处理的方法包括:提供光学邻近修正验证数据库;在所述光学邻近修正验证数据库中搜索与所述第一局部区域相适配的历史修正区域;当在所述光学邻近修正验证数据库搜索到所述历史修正区域时,将所述历史修正区域内图形的修正数据运用至所述第一局部区域内进行若干所述待修正图形的修正处理。通过直接在所述光学邻近修正验证数据库调用历史修正数据,避免重复工作,进一步的提高了修正效率。
进一步,在对所述第一局部区域内的所述待修正图形进行第二光学邻近修正处理之后,还包括:将对所述第一局部区域内的所述待修正图形的第二光学邻近修正数据更新至所述光学邻近修正验证数据库中,以提升所述光学邻近修正验证数据库的覆盖性。
进一步,根据所述特征信息在所述第一搜索范围数据内进行比对,搜索所述历史修正区域的方法包括:将所述第二局部区域划分为第一区域以及若干第二区域,所述第一区域是以所述错误点为中心坐标点构建的正方形,以所述第一区域为基准,若干所述第二区域依次包围,且位于最内侧的所述第二区域包围所述第一区域;所述第一区域内的若干所述参考图形的特征信息与所述历史修正区域内相对应区域内的图形的特征信息相同;若干所述第二区域内的若干所述参考图形的特征信息与所述历史修正区域内相对应区域内的图形的特征信息误差率不超过预设误差率,且所述误差率与所述第二区域距所述错误点之间的距离呈正相关。通过降低搜索对比的要求,以保证在适用性的基础上尽可能的在所述光学邻近修正验证数据库直接调用历史修正数据,以提高修正效率。
附图说明
图1是本发明实施例的版图修正方法流程图;
图2至图10是本发明实施例中版图修正方法各步骤结构示意图。
具体实施方式
正如背景技术所述,现有技术中版图修正过程仍存在诸多问题。以下将进行具体说明。
目前版图修正过程中采用的光学邻近修正在对单个修正误差图形(error point)进行调试时,往往是对全芯片(fullchip)区域进行反复修正,耗时耗力。而且在进行全芯片区域修正的过程中,会遇到光学邻近修正许可(OPC license)不够等因素,排队等待许可也会影响调试的进度。另外对于全芯片中未出现修正误差的区域,在全芯片区域反复修正的过程中,新引入的修正代码(code)与原本的代码结合往往会起到反作用,使得原本修正准确的区域重新出现修正误差,进而影响光学邻近修正的准确率。
在此基础上,本发明提供一种版图修正方法、存储介质及终端,基于所述错误点获取第一局部区域,所述第一局部区域内具有若干待修正图形,通过仅对所述第一局部区域的所述待修正图形进行修正处理,避免了全芯片区域的修正,进而有效提高了修正效率,而且避免了在原本修正准确的区域重新出现修正误差,提高了修正准确率。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施例做详细地说明。
图1是本发明实施例的版图修正方法流程图,包括:
步骤S101,获取修正版图;
步骤S102,对所述修正版图进行光学邻近修正验证处理,获取所述修正版图中的错误点;
步骤S103,基于所述错误点获取第一局部区域,所述第一局部区域内具有若干待修正图形;
步骤S104,对所述第一局部区域的所述待修正图形进行修正处理。
以下结合附图对所述版图修正方法的各个步骤进行详细说明。
图2至图10是本发明实施例中版图修正方法各步骤结构示意图。
获取修正版图。获取所述修正版图的具体过程请参考图2至图3。
请参考图2,提供初始版图100。
需要说明的是,在本实施例中,所述初始版图100即为初始输入(input)且未经过任何修正的版图,在没有光学邻近效应的理想状态下,由所述初始版图100经过曝光、显影及刻蚀等步骤在晶圆上形成的器件图形应该与所述初始版图100上的图形呈现出等比例缩放。然后,由于光学邻近效应的存在,通过所述初始版图100在晶圆上形成的器件图形往往会出现较大的偏差,因此在后续的工艺中需要对所述初始版图100进行光学邻近修正处理。
请参考图3,对所述初始版图100进行第一光学邻近修正,获取所述修正版图200。
需要说明的是,在本实施例中,在集成电路制造中,经过第一光学邻近修正之后获取的所述修正版图200,在发送到掩模厂制造掩模之前,还需要进行光学邻近修正验证处理(OPC Verify),即对所述修正版图200做仿真计算,确定其符合工艺窗口的要求。
请参考图4,对所述修正版图200进行光学邻近修正验证处理,获取所述修正版图200中的错误点A。
需要说明的是,在本实施例中,对所述修正版图200进行光学邻近修正验证处理主要是验证所述修正版图200中是否存在图形之间的桥接(bridge check)以及图形自身的放置边缘误差(pinch check)等问题。当验证发现问题之后,则在对应图形的附近报出所述错误点A(error point),所述错误点A必须另行处理以符合工艺窗口的要求。
请参考图5,基于所述错误点A获取第一局部区域S1,所述第一局部区域S1内具有若干待修正图形201。
在本实施例中,基于所述错误点A获取第一局部区域S1的方法包括:以所述错误点A为中心坐标点构建框选区域以获取所述第一局部区域S1。
在本实施例中,所述第一局部区域S1包括:边长范围为1.5微米~2.5微米的正方形。
在本实施例中,所述修正版图200具有相对应的初始版图100和目标版图300,基于所述错误点A在所述修正版图200中获取第一局部区域S1的同时,还包括:在所述初始版图100和所述目标版图300中同时获取相对应的第二局部区域S2,所述初始版图100中的所述第二局部区域S2内具有若干与所述待修正图形201相对应的参考图形101,所述目标版图300中的所述第二局部区域S2内具有若干与所述待修正图形201相对应的参考图形301。
需要说明的是,在本实施例中,所述目标版图300即为在没有光学邻近效应的理想状态下,由所述初始版图100经过曝光、显影及刻蚀等步骤在晶圆上形成的器件图形应该与所述目标版图300上的图形完全一致。所述初始版图100中的图形和所述目标版图300中的图形均为规则的,且两者的图形是相似的,区别只是图形的大小不同。将所述修正版图200、所述初始版图100和所述目标版图300进行层叠,在所述修正版图200中截取所述第一局部区域S1时,对应的在所述初始版图100和所述目标版图300中同时截取所述第二局部区域S2。
在本实施例中,在获取所述第一局部区域S1之后,还包括:对所述第一局部区域S1的所述待修正图形201进行修正处理。具体过程请参考图6至图10。
在本实施例中,基于所述错误点A1获取第一局部区域S1,所述第一局部区域S1内具有若干待修正图形201,通过仅对所述第一局部区域S1的所述待修正图形201进行修正处理,避免了全芯片区域的修正,进而有效提高了修正效率,而且避免了在原本修正准确的区域重新出现修正误差,提高了修正准确率。
在本实施例中,对所述第一局部区域S1的所述待修正图形201进行修正处理的方法包括:提供光学邻近修正验证数据库(OPC Verify Database);在所述光学邻近修正验证数据库中搜索与所述第一局部区域S1相适配的历史修正区域;当在所述光学邻近修正验证数据库搜索到所述历史修正区域时,将所述历史修正区域内图形的修正数据运用至所述第一局部区域S1内进行若干所述待修正图形201的修正处理。通过直接在所述光学邻近修正验证数据库调用历史修正数据,进一步的提高了修正效率。
在本实施例中,在光学邻近修正验证数据库中搜索与所述第一局部区域S1相适配的历史修正区域的过程具体请参考图6至图8。
请参考图6,制定所述初始版图100和所述目标版图300的索引信息;根据所述索引信息在所述光学邻近修正验证数据库中获取第一搜索范围数据。
在本实施例中,所述索引信息包括:制造厂401、产品402、工艺层次403。
在本实施例中,在获取第一搜索范围之后,制定所述第二局部区域内若干所述参考图形的特征信息;根据所述特征信息在所述第一搜索范围数据内进行比对,搜索所述历史修正区域。具体过程请参考图7和图8。
在本实施例中,所述第二局部区域内若干所述参考图形的特征信息包括:各个所述参考图形的自身特征信息、以及相邻两个所述参考图形之间的关联特征信息。
在本实施例中,相邻两个所述参考图形之间的关联特征信息是以相邻两个所述参考图形之间相邻两条边的各个顶点信息表示。
在本实施例中,所述自身特征信息包括:图形的顶点信息、以及图形的各条边的信息。
在本实施例中,图形的各条边的信息是以各条边相对的两个所述顶点信息表示。
请参考图7,对于一个无向图形501来说,在邻接矩阵的表达方式中,所述无向图形501的各个顶点信息以合集{0,1,…,n-1}中的数字来表示,各条边的信息是以各条边相对的两个所述顶点信息表示。图7中的二维数组A的单元格内存储各条边的信息。如一个单元格A[i,j]存储边e的信息,其中边e的一个顶点u的顶点信息为i,另一个顶点v的顶点信息为j。如果没有这样的边,那么A[i,j]=None。对于所述无向图形501来说,二维数组A则是对称的,即A[I,j]=A[j,i]。
在本实施例中,以相邻两个所述参考图形之间相邻两条边的各个顶点信息表示相邻两个所述参考图形之间的关联特征信息的方法包括:基于相邻两个所述参考图形之间相邻两条边构建虚拟四边形;获取所述虚拟四边形的自身特征信息,以所述虚拟四边形的自身特征信息作为相邻两个所述参考图形之间的关联特征信息。
请参考图8,对于完整的图形abcd和图形efgh来说,其中Lab对应的是a、b顶点之间的边、Lbc对应的是b、c顶点之间的边、Lcd对应的是c、d顶点之间的边以及Lda对应的是d、a顶点之间的边;Lef对应的是e、f顶点之间的边、Lfg对应的是f、g顶点之间的边、Lgh对应的是g、h顶点之间的边以及Lhe对应的是h、e顶点之间的边,此时以图形矩阵A[a,d]和A[e,h]表示该两个图形的完整信息,即:
图形abcd和图形efgh相邻,且对应的边Lbc和边Leh相邻,因此在获取图形abcd和图形efgh之间的关联信息时,首先将顶点b和顶点e连接,顶点c和顶点h连接,构建虚拟四边形behc,此时虚拟四边形behc具有两条构建的边Lbe和边Lch,由于在虚拟四边形behc中,边Lbc和边Leh已分别在图形abcd和图形efgh中分别存储,无需重复存储,此时以图形矩阵A[b,c]表示虚拟四边形behc的完整信息,即:
需要说明的是,在本实施例中,将所述初始版图和所述目标版图中所述第二局部区域内的图形按照上述格式存储,在光学邻近修正验证过程遇到问题的时候使用BFS(广度优先搜索)算法遍历生成图形矩阵,在光学邻近修正验证数据库中匹配相同图形矩阵,以搜索所述历史修正区域。
在本实施例中,根据所述特征信息在所述第一搜索范围数据内进行比对,搜索所述历史修正区域的过程具体请参考图9,
请参考图9,将所述第二局部区域S2划分为第一区域S21以及若干第二区域S22,所述第一区域S21是以所述错误点A为中心坐标点构建的正方形,以所述第一区域S21为基准,若干所述第二区域S22依次包围,且位于最内侧的所述第二区域S22包围所述第一区域S21;所述第一区域S21内的若干所述参考图形101(图示中仅以初始版图为例,目标版图的处理过程与此保持一致)的特征信息与所述历史修正区域内相对应区域内的图形的特征信息相同;若干所述第二区域S22内的若干所述参考图形101的特征信息与所述历史修正区域内相对应区域内的图形的特征信息误差率不超过预设误差率,且所述误差率与所述第二区域距S22所述错误点A之间的距离呈正相关。
在本实施例中,通过降低搜索对比的要求,以保证在适用性的基础上尽可能的在所述光学邻近修正验证数据库直接调用历史修正数据,以提高修正效率。
在本实施例中,所述第一区域S21与所述第二局部区域S2的面积之比为:65%~75%。
在本实施例中,所述预设误差率的范围为5%。
请参考图10,当在所述光学邻近修正验证数据库未搜索到所述历史修正区域时,对所述第一局部区域S1内的所述待修正图形201进行第二光学邻近修正处理。
在本实施例中,在对所述第一局部区域内的所述待修正图形进行第二光学邻近修正处理之后,还包括:将对所述第一局部区域S1内的所述待修正图形201的第二光学邻近修正数据更新至所述光学邻近修正验证数据库中,以提升所述光学邻近修正验证数据库的覆盖性。
相应的,本发明实施例中还提供一种存储介质,其上存储有计算机指令,其特征在于,所述计算机指令运行时执行上述所述方法的步骤。
相应的,本发明实施例中还提供一种终端,包括存储器和处理器,所述存储器上存储有能够在所述处理器上运行的计算机指令,其特征在于,所述处理器运行所述计算机指令时执行上述所述方法的步骤。
虽然本发明披露如上,但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与修改,因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (20)

1.一种版图修正方法,其特征在于,包括:
获取修正版图;
对所述修正版图进行光学邻近修正验证处理,获取所述修正版图中的错误点;
基于所述错误点在所述修正版图中获取第一局部区域,所述第一局部区域内具有若干待修正图形;
对所述第一局部区域的所述待修正图形进行修正处理。
2.如权利要求1所述的版图修正方法,其特征在于,获取修正版图的方法包括:提供初始版图;对所述初始版图进行第一光学邻近修正,获取所述修正版图。
3.如权利要求1所述的版图修正方法,其特征在于,对所述第一局部区域的所述待修正图形进行修正处理的方法包括:提供光学邻近修正验证数据库;在所述光学邻近修正验证数据库中搜索与所述第一局部区域相适配的历史修正区域;当在所述光学邻近修正验证数据库搜索到所述历史修正区域时,将所述历史修正区域内图形的修正数据运用至所述第一局部区域内进行若干所述待修正图形的修正处理。
4.如权利要求3所述的版图修正方法,其特征在于,当在所述光学邻近修正验证数据库未搜索到所述历史修正区域时,对所述第一局部区域内的所述待修正图形进行第二光学邻近修正处理。
5.如权利要求4所述的版图修正方法,其特征在于,在对所述第一局部区域内的所述待修正图形进行第二光学邻近修正处理之后,还包括:将对所述第一局部区域内的所述待修正图形的第二光学邻近修正数据更新至所述光学邻近修正验证数据库中。
6.如权利要求1所述的版图修正方法,其特征在于,基于所述错误点获取第一局部区域的方法包括:以所述错误点为中心坐标点构建框选区域以获取所述第一局部区域。
7.如权利要求1所述的版图修正方法,其特征在于,所述第一局部区域包括:边长范围为1.5微米~2.5微米的正方形。
8.如权利要求3所述的版图修正方法,其特征在于,所述修正版图具有相对应的初始版图和目标版图,基于所述错误点在所述修正版图中获取第一局部区域的同时,还包括:在所述初始版图和所述目标版图中同时获取相对应的第二局部区域,所述初始版图中的所述第二局部区域和所述目标版图中的所述第二局部区域内具有若干与所述待修正图形相对应的参考图形。
9.如权利要求8所述的版图修正方法,其特征在于,在光学邻近修正验证数据库中搜索与所述第一局部区域相适配的历史修正区域的方法包括:制定所述初始版图和所述目标版图的索引信息;根据所述索引信息在所述光学邻近修正验证数据库中获取第一搜索范围数据;制定所述第二局部区域内若干所述参考图形的特征信息;根据所述特征信息在所述第一搜索范围数据内进行比对,搜索所述历史修正区域。
10.如权利要求9所述的版图修正方法,其特征在于,所述索引信息包括:制造厂、产品、工艺层次。
11.如权利要求9所述的版图修正方法,其特征在于,所述第二局部区域内若干所述参考图形的特征信息包括:各个所述参考图形的自身特征信息、以及相邻两个所述参考图形之间的关联特征信息。
12.如权利要求11所述的版图修正方法,其特征在于,相邻两个所述参考图形之间的关联特征信息是以相邻两个所述参考图形之间相邻两条边的各个顶点信息表示。
13.如权利要求12所述的版图修正方法,其特征在于,以相邻两个所述参考图形之间相邻两条边的各个顶点信息表示相邻两个所述参考图形之间的关联特征信息的方法包括:基于相邻两个所述参考图形之间相邻两条边构建虚拟四边形;获取所述虚拟四边形的自身特征信息,以所述虚拟四边形的自身特征信息作为相邻两个所述参考图形之间的关联特征信息。
14.如权利要求11或13所述的版图修正方法,其特征在于,所述自身特征信息包括:图形的顶点信息、以及图形的各条边的信息。
15.如权利要求14所述的版图修正方法,其特征在于,图形的各条边的信息是以各条边相对的两个所述顶点信息表示。
16.如权利要求9所述的版图修正方法,其特征在于,根据所述特征信息在所述第一搜索范围数据内进行比对,搜索所述历史修正区域的方法包括:将所述第二局部区域划分为第一区域以及若干第二区域,所述第一区域是以所述错误点为中心坐标点构建的正方形,以所述第一区域为基准,若干所述第二区域依次包围,且位于最内侧的所述第二区域包围所述第一区域;所述第一区域内的若干所述参考图形的特征信息与所述历史修正区域内相对应区域内的图形的特征信息相同;若干所述第二区域内的若干所述参考图形的特征信息与所述历史修正区域内相对应区域内的图形的特征信息误差率不超过预设误差率,且所述误差率与所述第二区域距所述错误点之间的距离呈正相关。
17.如权利要求16所述的版图修正方法,其特征在于,所述第一区域与所述第二局部区域的面积之比为:65%~75%。
18.如权利要求16所述的版图修正方法,其特征在于,所述预设误差率的范围为5%。
19.一种存储介质,其上存储有计算机指令,其特征在于,所述计算机指令运行时执行权利要求1~18任一项所述方法的步骤。
20.一种终端,包括存储器和处理器,所述存储器上存储有能够在所述处理器上运行的计算机指令,其特征在于,所述处理器运行所述计算机指令时执行权利要求1~18任一项所述方法的步骤。
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