CN115903368A - 光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质 - Google Patents

Abstract

一种光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质，光学邻近修正方法包括：提供目标图形；将目标图形的边分割为多个第一线段，包括两端点、位于两端点间的第一采样点；利用第一线段，对目标图形进行第一光学邻近修正处理，形成第一初始修正后图形、相应第一模拟图形；判断端点处，第一模拟图形的边缘放置误差是否达到修正标准；未达到修正标准时，在端点处设立第二采样点，在第二采样点两侧截取部分长度的第一线段平移至目标位置，构成第二线段，剩余第一线段作为第三线段，形成第二初始修正后图形；利用第二线段和第三线段，对第二初始修正后图形进行第二光学邻近修正处理，形成光罩图形。本发明提高光学邻近修正的效果。

Description

光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质。

背景技术

为实现将图形从掩膜版中转移到硅片表面，通常需要经过曝光步骤、曝光步骤之后进行的显影步骤和显影步骤之后的刻蚀步骤。在曝光步骤中，光线通过掩膜版中透光的区域照射至涂覆有光刻胶的硅片上，光刻胶在光线的照射下发生化学反应；在显影步骤中，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度的不同，形成光刻图案，实现图案从掩膜版到光刻胶上的转移；在刻蚀步骤中，基于光刻胶层所形成的光刻图案对硅片进行刻蚀，将掩膜版的图案进一步转移至硅片上。

然而随着器件的尺寸日益缩小，在经过光刻制程之后，芯片表面的图案与原始光罩图案之间的差异也随之增大。为了避免光学邻近效应造成芯片上的图案与掩膜版图案不一致，目前解决的方法通常是对掩膜版图案进行光学邻近修正(optical proximitycorrection，OPC)，然后再依据修正过的掩膜版图案进行图案转移。在OPC修正程序中，通常需要进行掩膜尺寸检查(Mask Manufacturing Rule Check)，以保证最终图形收敛性及掩膜版制作精度。

但是，目前光学邻近修正的效果仍有待提高。

发明内容

本发明实施例解决的问题是提供一种光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质，提高光学邻近修正的效果。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种光学邻近修正方法，包括：提供目标图形；将所述目标图形的轮廓对应的边分割为多个依次相连的第一线段，所述第一线段包括两个端点、以及位于所述两个端点之间的第一采样点；利用多个所述第一线段，对所述目标图形进行第一光学邻近修正处理，直至所述第一采样点处的边缘放置误差的绝对值位于第一阈值范围内，形成第一初始修正后图形、以及与所述第一初始修正后图形相对应的第一模拟图形；判断每个所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差是否达到修正标准；当所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差达到修正标准时，将所述第一初始修正后图形作为光罩图形；当所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差未达到修正标准时，在所述端点位置处设立第二采样点，且在所述第二采样点两侧的相邻第一线段中，截取相邻所述第一采样点之间的部分长度的所述第一线段并平移至目标位置，用于构成第二线段，所述第二采样点位于所述第二线段上，剩余所述第一线段作为第三线段，所述第三线段与所述第二线段交替设置，形成第二初始修正后图形；利用多个所述第二线段和第三线段，对所述第二初始修正后图形进行第二光学邻近修正处理，直至所述第一采样点和第二采样点处的边缘放置误差的绝对值均位于第二阈值范围内，形成光罩图形。

相应的，本发明实施例还提供一种光学邻近修正系统，包括：提供单元，用于提供目标图形；第一分割单元，用于将目标图形的轮廓对应的边分割为多个依次相连的第一线段，所述第一线段包括两个端点、以及位于所述两个端点之间的第一采样点；第一光学邻近修正单元，用于利用多个所述第一线段，对所述目标图形进行第一光学邻近修正处理，直至所述第一采样点处的边缘放置误差的绝对值位于第一阈值范围内，形成第一初始修正后图形、以及与所述第一初始修正后图形相对应的第一模拟图形；判断单元，用于判断每个所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差是否达到修正标准，且当所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差达到修正标准时，将所述第一初始修正后图形作为光罩图形；第二分割单元，用于当所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差未达到修正标准时，在所述端点位置处设立第二采样点，且在所述第二采样点两侧的相邻第一线段中，截取相邻所述第一采样点之间的部分长度的所述第一线段并平移至目标位置，用于构成第二线段，所述第二采样点位于所述第二线段上，剩余所述第一线段作为第三线段，所述第三线段与所述第二线段交替设置，形成第二初始修正后图形；第二光学邻近修正单元，用于利用多个所述第二线段和第三线段，对所述第二初始修正后图形进行第二光学邻近修正处理，直至所述第一采样点和第二采样点处的边缘放置误差的绝对值位于第二阈值范围内，形成光罩图形。

相应的，本发明实施例还提供一种掩膜版，包括利用本发明实施例提供的光学邻近修正方法获得的图形。

相应的，本发明实施例还提供一种设备，包括至少一个存储器和至少一个处理器，所述存储器存储有一条或多条计算机指令，其中，所述一条或多条计算机指令被所述处理器执行以实现本发明实施例提供的光学邻近修正方法。

相应的，本发明实施例还提供一种存储介质，所述存储介质存储有一条或多条计算机指令，所述一条或多条计算机指令用于实现本发明实施例提供的光学邻近修正方法。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：

本发明实施例提供的光学邻近修正方法中，当所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差未达到修正标准时，在所述端点位置处设立第二采样点，且在所述第二采样点两侧的相邻第一线段中，截取相邻所述第一采样点之间的部分长度的所述第一线段并平移至目标位置，用于构成第二线段，所述第二采样点位于所述第二线段上，剩余所述第一线段作为第三线段，所述第三线段与所述第二线段交替设置，形成第二初始修正后图形，利用多个所述第二线段和第三线段，对所述第二初始修正后图形进行第二光学邻近修正处理，直至所述第一采样点和第二采样点处的边缘放置误差的绝对值均位于第二阈值范围内，形成光罩图形；相比于仅利用多个第一线段，对所述目标图形进行光学邻近修正处理的方案，本发明实施中，利用所述多个第二线段和第三线段，对所述第一初始修正后图形进行第二光学邻近修正处理，也就是说，进一步细化了可用于对所述第一修正后图形进行第二光学修正处理的边，提高了进行所述第二光学修正处理的修正精度，并且，相比于仅设有第一采样点的方案，本发明实施例设有更多更密集的第一采样点和第二采样点，使得所述第一采样点和第二采样点处的边缘放置误差的绝对值均位于第二阈值范围内，有利于减小图形整体的边缘放置误差，改善了图形整体的尺寸均匀性(critical dimensionuniformidty，CDU)，例如，能够改善所述第一模拟图形容易产生的波纹形状缺陷的情况，从而提高光学邻近修正的效果，相应提升了形成于晶圆上的掩膜图形与目标图形的匹配度。

附图说明

图1是一种光学邻近修正方法的流程图；

图2至图5是一种光学邻近修正方法中各步骤对应的示意图；

图6是本发明光学邻近修正方法一实施例的流程图；

图7至图17是本发明光学邻近修正方法一实施例中各步骤对应的示意图；

图18是本发明光学邻近修正系统一实施例的功能框图；

图19是本发明提供的设备一实施例的硬件结构图。

具体实施方式

目前光学邻近修正的效果有待提高。现结合一种光学邻近修正方法分析光学邻近修正的效果有待提高的原因。

图1是一种光学邻近修正方法的流程图。结合参考图2至图5，示出了所述光学邻近修正方法中各步骤对应的示意图，所述光学邻近修正方法包括：

参考图2，图2是步骤s1对应的示意图，步骤s1：提供目标图形10。

参考图3，图3是步骤s2对应的示意图，步骤s2：将所述目标图形10的轮廓对应的边分割为多个依次相连的线段11，所述线段11包括两个端点A、以及位于所述两个端点A之间的采样点B。

结合参考图4和图5，图4和图5是步骤s3对应的示意图，步骤s3：利用多个所述线段11，对所述目标图形10进行光学邻近修正处理，直至所述采样点B处的边缘放置误差(edgeplacement error，EPE)的绝对值位于阈值范围内，形成光罩图形21、以及与所述光罩图形21相对应的光罩模拟图形31。

其中，图5中的虚线表示目标图形10的位置。

在半导体领域中，边缘放置误差是用来衡量修正质量的指标，边缘放置误差的绝对值越小，就意味着曝光后的图形与设计图形越接近，在修正过程中，为了减少边缘移动的任意性，通过移动线段11来减小边缘放置误差。然而，不同线段11上的采样点B的位置处，所述边缘放置误差的大小参差不齐，在移动所述线段11时，不同线段11的移动距离差距较大，容易导致虽然在所述采样点B的位置处，所述边缘放置误差位于所述阈值范围内，但是在所述线段11的端点A位置处，所述边缘放置误差却较大，且在所述线段11上，所述端点A位于所述采样点B的两侧，则容易导致所述线段11两端点A的位置处的边缘放置误差为正负相反的数值(如图5中A1和A2所示)，导致图形整体的尺寸均匀性较差，所述光罩模拟图形31容易产生波纹形状的缺陷，从而影响光学邻近修正的效果。

为了解决所述技术问题，本发明实施例提供一种光学邻近修正方法。参考图6，示出了本发明光学邻近修正方法一实施例的流程图。

本实施例中，所述光学邻近修正方法包括以下基本步骤：

步骤S1：提供目标图形；

步骤S2：将所述目标图形的轮廓对应的边分割为多个依次相连的第一线段，所述第一线段包括两个端点、以及位于所述两个端点之间的第一采样点；

步骤S3：利用多个所述第一线段，对所述目标图形进行第一光学邻近修正处理，直至所述第一采样点处的边缘放置误差的绝对值位于第一阈值范围内，形成第一初始修正后图形、以及与所述第一初始修正后图形相对应的第一模拟图形；

步骤S4：判断每个所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差是否达到修正标准；

步骤S5：当所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差达到修正标准时，将所述第一初始修正后图形作为光罩图形；

步骤S6：当所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差未达到修正标准时，在所述端点位置处设立第二采样点，且在所述第二采样点两侧的相邻第一线段中，截取相邻所述第一采样点之间的部分长度的所述第一线段并平移至目标位置，用于构成第二线段，所述第二采样点位于所述第二线段上，剩余所述第一线段作为第三线段，所述第三线段与所述第二线段交替设置，形成第二初始修正后图形；

步骤S7：利用多个所述第二线段和第三线段，对所述第二初始修正后图形进行第二光学邻近修正处理，直至所述第一采样点和第二采样点处的边缘放置误差的绝对值均位于第二阈值范围内，形成光罩图形。

相比于仅利用多个第一线段，对所述目标图形进行光学邻近修正处理的方案，本实施例中，利用所述多个第二线段和第三线段，对所述第一初始修正后图形进行第二光学邻近修正处理，也就是说，进一步细化了可用于对所述第一修正后图形进行第二光学修正处理的边，提高了进行所述第二光学修正处理的修正精度，并且，相比于仅设有第一采样点的方案，本实施例设有更多更密集的第一采样点和第二采样点，使得所述第一采样点和第二采样点处的边缘放置误差的绝对值均位于第二阈值范围内，有利于减小图形整体的边缘放置误差，改善了图形整体的尺寸均匀性，例如，能够改善所述第一模拟图形容易产生的波纹形状缺陷的情况，从而提高光学邻近修正的效果，相应提升了形成于晶圆上的掩膜图形与目标图形的匹配度。

为使本发明实施例的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

图7至图17是本发明光学邻近修正方法一实施例中各步骤对应的示意图。

参考图7，执行步骤S1：提供目标图形100。

所述目标图形100指的是设计图形，用于作为光刻模拟所获得的曝光图形的边缘放置误差的参考基准。

在对所述目标图形100进行光学邻近修正后，所获得的图形用于制作掩膜版，从而利用掩膜版进行光刻工艺，以在晶圆上形成对应的掩膜图形。

本实施例中，所述提供目标图形100的步骤中，所述目标图形100的延伸方向为第一方向(如图7中X方向)，且所述目标图形100的轮廓具有沿所述第一方向延伸的边。

在半导体领域中，由于掩膜版可制造性规则限制(Mask Making Constraints，MRC)，通常对线条(line)图形中，延伸较长的边中，邻近拐角(corner)和线条端部(lineend)位置处的修正量较大，因此，本实施例中，针对具有沿所述第一方向延伸的边的目标图形100进行光学邻近修正处理，有利于显著改善光学邻近效应。

本实施例中，所述目标图形100沿第一方向延伸，则所述目标图形100为线条图形，后续将目标图形100的轮廓对应的边分割为具有一定长度尺寸的第一线段，且所述目标图形100的轮廓具有沿所述第一方向延伸的边，则主要对于沿所述第一方向延伸的边进行分割。

参考图8，执行步骤S2：将所述目标图形100的轮廓对应的边分割为多个依次相连的第一线段101，所述第一线段101包括两个端点P、以及位于所述两个端点P之间的第一采样点S1。

在后续对所述目标图形100进行光学邻近修正的过程中，为了减少边缘移动的任意性，通过调整线段的位置(例如，平移线段)来减小边缘放置误差。本实施例中，后续调整所述第一线段101的位置进行光学邻近修正。

本实施例中，将所述目标图形100的轮廓对应的边分割为多个第一线段101的步骤中，将所述目标图形100沿所述第一方向延伸的边分割为多个第一线段101，相应的，所述第一线段101的延伸方向也为第一方向。

需要说明的是，所述第一线段101的长度不宜过大，也不宜过小。如果所述第一线段101的长度过大，则将所述目标图形100的轮廓对应的边分割成的第一线段101过少，相应所述第一采样点S1也过少，影响后续通过所述第一线段101进行光学邻近修正的精度；如果所述第一线段101的长度过小，则将所述目标图形100的轮廓对应的边分割成的第一线段101过多，相应所述第一采样点S1也过多，过度增加了后续进行光学邻近修正的运算量，而且，后续还需要对所述第一线段101再次分割，则所述第一线段101的长度过小，导致再次分割后的第二线段和第三线段数量较多，进一步增加了后续进行光学邻近修正的运算量，同时，还容易导致第二线段和第三线段的长度过小，基于掩膜版写入规则(Mask WritingRule)，容易导致后续第二光学邻近修正处理后的目标图形对掩膜版写入的友好度较低，从而导致所述目标图形难以被写入于掩膜版中，此外，还容易导致目标图形的边缘更加零碎，增加掩膜制造的成本。为此，本实施例中，所述第一线段101的长度为40nm至200nm。

所述第一采样点S1，用于作为比较目标图形100与曝光后的第一模拟图形之间的差异的具体位置，从而获得用于判断光学邻近修正是否完成的边缘位置误差。

同时，后续通过计算所述第一采样点S1位置处的边缘位置误差，来移动所述第一线段101，因此，每个所述第一线段101都包括第一采样点S1。

本实施例中，将所述目标图形100的轮廓对应的边分割为多个第一线段101的步骤中，所述第一采样点S1位于相对应的所述第一线段101的中心位置处，直观易检测且操作简便。

需要说明的是，对线条图形中延伸较长的边进行修正时，对靠近所述线条图形端部位置处的修正难度通常较大，且修正量较大，因此，本实施例中，将所述目标图形100沿所述第一方向延伸的边分割为多个第一线段101的步骤中，靠近所述图形端部位置处的第一线段101的长度较小，远离所述线条图形端部位置处的第一线段101的长度较大。

结合参考图9至图11，执行步骤S3：利用多个所述第一线段101，对所述目标图形100进行第一光学邻近修正处理，直至所述第一采样点S1处的边缘放置误差E1的绝对值位于第一阈值范围内，形成第一初始修正后图形210、以及与所述第一初始修正后图形210相对应的第一模拟图形310。

所述第一初始修正后图形210可以作为目标图形，同时，所述第一模拟图形110作为目标模拟图形；或者，所述第一初始修正后图形210还可以作为后续进行第二光学邻近修正处理的基础。

本实施例中，采用基于模型的光学邻近修正(model-based OPC，MB-OPC)处理，对所述目标图形100进行第一光学邻近修正处理。在修正处理过程中，使用光学模型和光刻胶光化学反应模型计算出目标图形100相应曝光后的初始模拟图形，基于模型的光学邻近修正处理将目标图形100的轮廓对应的边识别出来，曝光后的初始模拟图形与识别出的目标图形100轮廓进行对比，之间的差别称为边缘放置误差(edge placement error，EPE)。边缘放置误差是用来衡量修正质量的指标，边缘放置误差越小，就意味着曝光后的图形与目标图形100越接近。

在其他实施例中，还可以利用基于经验规则的光学邻近修正(Rule-based OPC)，或基于模型与基于经验规则混用的光学邻近修正，进行所述第一光学邻近修正处理。在另一些实施例中，还可以选用其他合适的光学邻近修正方式。

需要说明的是，在所述第一采样点S1处，所述第一模拟图形310的边缘放置误差E1大于0时，表示所述第一模拟图形310中与所述第一采样点S1相对应的位置位于所述目标图形100外侧，所述第一模拟图形310的边缘放置误差E1小于0时，表示所述第一模拟图形310中与所述第一采样点S1相对应的位置位于所述目标图形100内侧，所述第一模拟图形310的边缘放置误差E1等于0时，表示所述第一模拟图形310中与所述第一采样点S1相对应的位置位于所述目标图形100上，则所述第一采样点S1处的边缘放置误差E1可以为正值，也可以为负值，只要满足E1的绝对值在第一阈值范围内。

需要说明的是，所述第一阈值范围不宜过大，也不宜过小，如果所述第一阈值范围过大，则所述第一采样点S1处的边缘放置误差E1的绝对值位于第一阈值范围内时，所述第一模拟图形310与目标图形100的图形轮廓差距仍较大，难以起到光学邻近修正的修正效果；如果所述第一阈值的范围过小，使得所述第一光学邻近修正处理的修正精度提高至不必要的高度，大大增加了所述第一光学邻近修正处理的运算量，对所述第一光学邻近修正处理的修正造成困难。为此，本实施例中，利用多个所述第一线段101，对所述目标图形100进行第一光学邻近修正处理的步骤中，所述第一阈值范围为0.1nm至0.5nm。

具体地，参考图9，利用多个所述第一线段101，对所述目标图形100进行第一光学邻近修正处理的步骤包括：进行一次或多次第一修正操作，直至所述边缘放置误差E1的绝对值位于所述第一阈值范围内。

进行多次第一修正操作循环的迭代处理，直至所述第一采样点S1处的边缘放置误差E1收敛，即所述边缘放置误差E1的绝对值位于所述第一阈值范围内。

参考图9，所述第一修正操作包括：对所述目标图形100进行模拟曝光，获得初始模拟图形110。

所述初始模拟图形110用于与所述目标图形100进行比较，获得模拟曝光图形对应的边缘放置误差。

继续参考图9，计算在所述第一采样点S1的位置处，所述初始模拟图形110的边缘放置误差E1。

相应的，在所述第一采样点S1位置处，所述初始模拟图形110的边缘放置误差E1大于0时，表示所述初始模拟图形110位于所述目标图形100外侧，所述初始模拟图形110的边缘放置误差E1小于0时，表示所述初始模拟图形110位于所述目标图形100内侧，所述初始模拟图形110的边缘放置误差E1等于0时，表示所述初始模拟图形110位于所述目标图形100上。

参考图10，根据所述边缘放置误差E1，调整所述第一线段101的位置。

具体地，沿垂直于所述第一线段101的方向，当所述边缘放置误差E1大于0时，调整所述第一线段101的位置的步骤包括：将对应所述第一线段101向所述目标图形100内移动；当所述边缘放置误差E1小于0时，调整所述第一线段101的位置的步骤包括：将对应所述第一线段101向所述目标图形100外移动；当所述边缘放置误差E1等于0时，调整所述第一线段101的位置的步骤包括：维持对应所述第一线段101的位置，也即不移动所述第一线段101。

需要说明的是，在进行一次第一修正操作后，循环迭代的下一次第一修正操作中，以上一次第一修正操作中移动所述第一线段101后的目标图形100作为目标图形100进行模拟曝光。也就是说，调整所述第一线段101的位置后获得的目标图形100，用于作为下一次第一修正操作中进行模拟曝光所采用的目标图形100。

其中，当所述初始模拟图形110的边缘放置误差E1的绝对值位于所述第一阈值范围内时，以调整所述第一线段101的位置后的目标图形100作为第一初始修正后图形210，以所述初始模拟图形110作为第一模拟图形310。

参考图11，执行步骤S4：判断每个所述端点P位置处，所述第一模拟图形310的边缘放置误差是否达到修正标准。

判断每个所述端点P位置处，所述第一模拟图形310的边缘放置误差是否达到修正标准，后续根据判断结果采取措施，使得每个所述端点P位置处的第一模拟图形310都能达到修正标准。

具体地，判断每个所述端点P位置处，所述第一模拟图形310的边缘放置误差是否达到修正标准的步骤包括：判断每个所述端点P位置处，所述第一模拟图形310的边缘放置误差是否满足第一预设条件，所述第一预设条件为：

δ1×δ2＜0，其中，δ1为所述第一线段101任一端点P处，所述第一模拟图形310的边缘放置误差，δ2为所述第一线段101另一端点P处，所述第一模拟图形310的边缘放置误差。

具体地，在所述端点P处，所述第一模拟图形310的边缘放置误差大于0时，表示所述第一模拟图形310位于所述目标图形100外侧，所述第一模拟图形310的边缘放置误差小于0时，表示所述第一模拟图形310位于所述目标图形100内侧，所述第一模拟图形310的边缘放置误差等于0时，表示所述第一模拟图形310位于所述目标图形100上，则δ1×δ2＜0，表示经过所述第一线段101两端点P处的第一模拟图形310呈波浪形貌，有可能会影响图形整体的尺寸均匀性，也就是说，所述第一光学邻近修正处理的效果有可能不佳。

因此，当每个所述端点P位置处，所述第一模拟图形310的边缘放置误差未满足所述第一预设条件时，所述第一模拟图形310的边缘放置误差达到修正标准，也就是说，所述第一光学邻近修正处理的效果较佳。

当每个所述端点P位置处，所述第一模拟图形310的边缘放置误差满足所述第一预设条件时，所述端点P位置处，所述第一模拟图形310的边缘放置误差有可能未达到修正标准，需要进一步判断是否需要进行第二光学邻近修正处理。

本实施例中，当每个所述端点P位置处，所述第一模拟图形310的边缘放置误差满足所述第一预设条件时，判断每个所述端点P位置处，所述第一模拟图形310的边缘放置误差是否满足第二预设条件，所述第二预设条件为：|δ1－δ2|＞预设值，所述预设值为5nm至10nm。

其中，|δ1－δ2|表示所述第一模拟图形310在第一线段101两端点P处，沿垂直于所述第一线段101方向的间距。

|δ1－δ2|较小时，虽然所述第一模拟图形310呈波浪形貌，但波浪的形貌较小，所述第一模拟图形310的尺寸均匀性仍较好，而|δ1－δ2|的值较大，则表示经过所述第一线段101两端点P处的第一模拟图形310不仅呈波浪形貌，而且波浪的形貌较大，图形整体的尺寸均匀性较差，也就是说，所述第一光学邻近修正处理的效果不佳。

因此，当每个所述端点P位置处，所述第一模拟图形310的边缘放置误差未满足所述第二预设条件时，所述第一模拟图形310的边缘放置误差达到修正标准，也就是说，所述第一光学邻近修正处理的效果较佳。

当每个所述端点P位置处，所述第一模拟图形310的边缘放置误差满足所述第二预设条件时，所述端点P位置处，所述第一模拟图形310的边缘放置误差未达到修正标准，需要进行第二光学邻近修正处理。

需要说明的是，所述预设值不宜过大，也不宜过小。如果所述预设值过大，则当|δ1－δ2|的值虽然处于小于或等于预设值的范围，但仍较大的时候，应当需要进行第二光学邻近修正处理，但是根据预设条件，却无需进行第二光学邻近修正处理，影响所述目标图形100的修正结果；如果所述预设值过小，则当所述预设条件过于苛刻，容易导致在第一光学邻近修正处理的效果达到可接受程度的情况下，进行不必要的第二光学邻近修正，从而导致光学邻近修正的效率降低。为此，本实施例中，所述预设值为5nm至10nm。

本实施例中，当同时满足上述第一预设条件和第二预设条件时，判定所述第一模拟图形的边缘放置误差未达到修正标准，当不满足第一预设条件时，无需进行第二预设条件的判断，判定所述第一模拟图形的边缘放置误差达到修正标准，当满足第一预设条件，但不满足第二预设条件时，则判定所述第一模拟图形的边缘放置误差达到修正标准。

而且，本实施例中，当所述第一模拟图形310的边缘放置误差满足所述第一预设条件时，才进一步判断所述第一模拟图形310的边缘放置误差满足第二预设条件，有利于在利用第二光学邻近修正处理提高修正精度的同时，减小判断每个所述端点P位置处，所述第一模拟图形310的边缘放置误差是否达到修正标准的计算量，提高计算效率。

当所述端点P位置处，所述第一模拟图形310的边缘放置误差达到修正标准时，执行步骤S5：将所述第一初始修正后图形210作为光罩图形。

结合参考图12和图13，当所述端点P位置处，所述第一模拟图形310的边缘放置误差达到修正标准时，执行步骤S6。

在所述端点P位置处设立第二采样点S2，在所述第二采样点S2两侧的相邻第一线段101中，截取相邻所述第一采样点S1之间的部分长度的所述第一线段101并平移至目标位置，用于构成第二线段102，所述第二采样点S2位于所述第二线段102上，剩余所述第一线段101作为第三线段103，所述第三线段103与所述第二线段102交替设置，形成第二初始修正后图形220。

相比于仅利用多个第一线段，对所述目标图形进行光学邻近修正处理的方案，本实施例中，利用所述多个第二线段102和第三线段103，对所述第一初始修正后图形210进行第二光学邻近修正处理，也就是说，进一步细化了可用于对所述第一修正后图形210进行第二光学修正处理的边，提高了进行所述第二光学修正处理的修正精度，并且，相比于仅设有第一采样点的方案，本实施例设有更多更密集的第一采样点S1和第二采样点S2，后续进度希尔光学邻近修正处理后，使得所述第一采样点S1和第二采样点S2处的边缘放置误差的绝对值均位于第二阈值范围内，有利于减小图形整体的边缘放置误差，改善了图形整体的尺寸均匀性，例如，能够改善所述第一模拟图形310容易产生的波纹形状缺陷的情况，从而提高光学邻近修正的效果，相应提升了形成于晶圆上的掩膜图形与目标图形的匹配度。

需要说明的是，基于掩膜版写入规则(Mask Writing Rule)，所述第二线段102的长度最小值不宜过小，从而使得后续第二光学邻近修正处理后的目标图形对掩膜版写入的友好度高，所述目标图形能够制作在掩膜版中。为此，本实施例中，所述第二线段102的长度最小值为20nm。

还需要说明的是，所述第二线段102的长度不宜过大，也不宜过小。如果所述第二线段102的长度过大，则剩余所述第一线段101的长度过小，也就是说，所述第三线段103的长度过小，增加了后续进行第二光学邻近修正处理的运算量，同时，更小的第三线段103容易导致目标图形边缘更加零碎，增加掩膜制造的成本；如果所述第二线段102的长度过小，则不利于后续目标图形的写入，而且，所述第二线段102的长度过小，也增加了后续进行第二光学邻近修正处理的运算量，同时，更小的第二线段102容易导致目标图形边缘更加零碎，增加掩膜制造的成本。为此，本实施例中，所述第二线段102的长度为20nm至40nm。

本实施例中，在所述第二采样点S2两侧的相邻第一线段101中，分别截取相邻所述第一采样点S1之间长度相等的所述第一线段101并平移至目标位置，用于构成第二线段102，所述第二采样点S2位于所述第二线段102的中心位置处，直观易检测且操作简便。

参考图13，所述目标位置为相邻所述第一线段101在第二方向(如图13中Y方向所示)上的中间位置，所述第二方向与所述第一方向相垂直，也即第二方向垂直于第一线段101的延伸方向。

所述第二线段102形成于相邻所述第一线段101在第二方向上的中间位置，有利于获得图形均匀性较好的第二初始修正后图形220。

结合参考图14至图16，执行步骤S7：利用多个所述第二线段102和第三线段103，对所述第二初始修正后图形220进行第二光学邻近修正处理，直至所述第一采样点S1和第二采样点S2处的边缘放置误差的绝对值均位于第二阈值范围内，形成光罩图形230。

本实施例中，采用基于模型的光学邻近修正处理，对所述第二初始修正后图形220进行第二光学邻近修正处理。在其他实施例中，还可以利用基于经验规则的光学邻近修正处理，或基于模型与基于经验规则混用的光学邻近修正处理，进行所述第二光学邻近修正处理。在另一些实施例中，还可以选用其他合适的光学邻近修正处理方式。

本实施例中，相应形成所述光罩图形230所对应的光罩模拟图形330。需要说明的是，在所述第一采样点S1处，所述边缘放置误差E2大于0时，表示所述目标模拟图形330位于所述目标图形100外侧，所述目标模拟图形330的边缘放置误差E2小于0时，表示所述目标模拟图形330位于所述目标图形100内侧，所述目标模拟图形330的边缘放置误差E2等于0时，表示所述目标模拟图形330位于所述目标图形100上，对于在所述第二采样点S2处同理，则所述第一采样点S1和第二采样点S2处的边缘放置误差E2和E3可以为正，也可以为负，只要满足E2和E3的绝对值均在第二阈值范围内。

需要说明的是，所述第二阈值范围不宜过大，也不宜过小，如果所述第二阈值范围过大，则所述第一采样点S1和第二采样点S2处的边缘放置误差E2和E3的绝对值均位于第二阈值范围内时，所述目标模拟图形330与目标图形100的图形轮廓差距仍较大，难以起到第二光学邻近修正处理的修正效果；如果所述第二阈值的范围过小，使得所述第二光学邻近修正处理的修正精度提高至不必要的高度，大大增加了所述第二光学邻近修正处理的运算量，对所述第二光学邻近修正处理的修正造成困难。为此，本实施例中，利用多个所述第二线段102和第三线段103，对所述第二初始修正后图形220进行第二光学邻近修正处理的步骤中，所述第二阈值范围为0.1nm至0.5nm。

具体地，参考图14，利用多个所述第二线段102和第三线段103，对所述第二初始修正后图形220进行第二光学邻近修正处理的步骤包括：进行一次或多次第二修正操作，直至所述边缘放置误差E2和E3的绝对值均位于所述第二阈值范围内。

进行多次第二修正操作循环的迭代处理，直至所述第一采样点S1和第二采样点S2处的边缘放置误差E2和E3收敛，即所述边缘放置误差E2和E3的绝对值均位于所述第二阈值范围内。

参考图14，所述第二修正操作包括：对所述第二初始修正后图形220进行模拟曝光，获得第二模拟图形320。

所述第二模拟图形320用于与所述第二初始修正后图形220进行比较，获得模拟曝光图形对应的边缘放置误差。

继续参考图14，计算在所述第一采样点S1和第二采样点S2的位置处，所述第二模拟图形320的边缘放置误差E2和E3。

相应的，在所述第一采样点S1位置处，所述第二模拟图形320的边缘放置误差E2大于0时，表示所述第二模拟图形320位于所述目标图形100外侧，所述第二模拟图形320的边缘放置误差E2小于0时，表示所述第二模拟图形320位于所述目标图形100内侧，所述第二模拟图形320的边缘放置误差E2等于0时，表示所述第二模拟图形320位于所述目标图形100上，在所述第二采样点S2位置处同理。

参考图15，根据所述边缘放置误差E2和E3，调整所述第二线段102和第三线段103的位置。

具体地，沿所述第二方向，当所述边缘放置误差E2大于0时，调整所述第二线段102的位置的步骤包括：将对应所述第二线段102向所述目标图形100内移动；当所述边缘放置误差E2小于0时，调整所述第二线段102的位置的步骤包括：将对应所述第二线段102向所述目标图形100外移动；当所述边缘放置误差E2等于0时，调整所述第二线段102的位置的步骤包括：维持对应所述第二线段102的位置，也即不移动所述第二线段102，相应的，对于所述边缘放置误差E3以及相对应的第三线段103同理。

需要说明的是，在进行一次第二修正操作后，循环迭代的下一次第二修正操作中，以上一次第二修正操作中移动所述第二线段102和第三线段103后的第二初始修正后图形220作为第二初始修正后图形220进行模拟曝光。也就是说，调整所述第一线段101的位置后获得的目标图形100，用于作为下一次第一修正操作中进行模拟曝光所采用的目标图形100。

其中，当所述第二模拟图形320的边缘放置误差E2和E3的绝对值均位于所述第二阈值范围内时，以调整所述第二线段102和第三线段103的位置后的第二初始修正后图形220作为光罩图形230，以所述第二模拟图形320作为光罩模拟图形330。

参考图17，形成所述光罩图形230后，还包括：在所述光罩图形230周围添加辅助图形400。

本实施例中，所述光罩图形230为可曝光图形，所述辅助图形400为不可曝光图形，为此，所述辅助图形400为散射条(Scattering Bar，SB)，且所述辅助图形400的线宽大于或等于掩膜版写入规则的最小线宽，且小于或等于光刻工艺的分辨率，使得所述辅助图形可以被写入模板，但不会被曝光。

在光罩图形230周围设置散射条，有利于改善光强对比、减小边缘放置误差(EdgePlacement Error，EPE)，而且还有利于提高焦深，从而改善光刻工艺窗口。

本实施例中，通过进行两次光学邻近修正，从而提高光学邻近修正的精度，且对传统光学邻近修正的改动较小，兼容性较高。

相应的，本发明还提供一种光学邻近修正系统。图18是本发明光学邻近修正系统一实施例的功能框图。

本实施例中，所述光学邻近修正系统50包括：提供单元501，用于提供目标图形；第一分割单元502，用于将目标图形的轮廓对应的边分割为多个依次相连的第一线段，所述第一线段包括两个端点、以及位于所述两个端点之间的第一采样点；第一光学邻近修正单元505，用于利用多个所述第一线段，对所述目标图形进行第一光学邻近修正处理，直至所述第一采样点处的边缘放置误差的绝对值位于第一阈值范围内，形成第一初始修正后图形、以及与所述第一初始修正后图形相对应的第一模拟图形；判断单元506，用于判断每个所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差是否达到修正标准，且当所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差达到修正标准时，将所述第一初始修正后图形作为光罩图形；第二分割单元507，用于当所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差未达到修正标准时，在所述端点位置处设立第二采样点，且在所述第二采样点两侧的相邻第一线段中，截取相邻所述第一采样点之间的部分长度的所述第一线段并平移至目标位置，用于构成第二线段，所述第二采样点位于所述第二线段上，剩余所述第一线段作为第三线段，所述第三线段与所述第二线段交替设置，形成第二初始修正后图形；第二光学邻近修正单元，用于利用多个所述第二线段和第三线段，对所述第二初始修正后图形进行第二光学邻近修正处理，直至所述第一采样点和第二采样点处的边缘放置误差的绝对值位于第二阈值范围内，形成光罩图形。

提供单元501所提供的所述目标图形指的是设计图形，用于作为光刻模拟所获得的曝光图形的边缘放置误差的参考基准。

在对所述目标图形进行光学邻近修正后，所获得的图形用于制作掩膜版，从而利用掩膜版进行光刻工艺，以在晶圆上形成对应的掩膜图形。

本实施例中，所述提供目标图形的步骤中，所述目标图形的延伸方向为第一方向，且所述目标图形的轮廓具有沿所述第一方向延伸的边。

在半导体领域中，由于掩膜版可制造性规则限制，通常对线条图形中，延伸较长的边中，邻近拐角和线条端部位置处的修正量较大，因此，本实施例中，针对具有沿所述第一方向延伸的边的目标图形进行光学邻近修正处理，有利于显著改善光学邻近效应。

本实施例中，所述目标图形沿第一方向延伸，则所述目标图形为线条图形，后续将目标图形的轮廓对应的边分割为具有一定长度尺寸的第一线段，且所述目标图形的轮廓具有沿所述第一方向延伸的边，则主要对于沿所述第一方向延伸的边进行分割。

第一分割单元502，用于将目标图形的轮廓对应的边分割为多个依次相连的第一线段，所述第一线段包括两个端点、以及位于所述两个端点之间的第一采样点。

在后续对所述目标图形进行光学邻近修正的过程中，为了减少边缘移动的任意性，通过调整线段的位置(例如，平移线段)来减小边缘放置误差。本实施例中，后续调整所述第一线段的位置进行光学邻近修正。

本实施例中，将所述目标图形的轮廓对应的边分割为多个第一线段的步骤中，将所述目标图形沿所述第一方向延伸的边分割为多个第一线段，相应的，所述第一线段的延伸方向也为第一方向。

需要说明的是，所述第一线段的长度不宜过大，也不宜过小。如果所述第一线段的长度过大，则将所述目标图形的轮廓对应的边分割成的第一线段过少，相应所述第一采样点也过少，影响后续通过所述第一线段进行光学邻近修正的精度；如果所述第一线段的长度过小，则将所述目标图形的轮廓对应的边分割成的第一线段过多，相应所述第一采样点也过多，过度增加了后续进行光学邻近修正的运算量，而且，后续还需要对所述第一线段再次分割，则所述第一线段的长度过小，导致再次分割后的第二线段和第三线段数量较多，进一步增加了后续进行光学邻近修正的运算量，同时，还容易导致第二线段和第三线段的长度过小，基于掩膜版写入规则，容易导致后续第二光学邻近修正处理后的目标图形对掩膜版写入的友好度较低，从而导致所述目标图形难以被写入于掩膜版中，此外，还容易导致目标图形的边缘更加零碎，增加掩膜制造的成本。为此，本实施例中，所述第一线段的长度为40nm至200nm。

所述第一采样点，用于作为比较目标图形与曝光后的第一模拟图形之间的差异的具体位置，从而获得用于判断光学邻近修正是否完成的边缘位置误差。

同时，后续通过计算所述第一采样点位置处的边缘位置误差，来移动所述第一线段，因此，每个所述第一线段都包括第一采样点。

本实施例中，将所述目标图形的轮廓对应的边分割为多个第一线段的步骤中，所述第一采样点位于相对应的所述第一线段的中心位置处，直观易检测且操作简便。

需要说明的是，对线条图形中延伸较长的边进行修正时，对靠近所述线条图形端部位置处的修正难度通常较大，且修正量较大，因此，本实施例中，将所述目标图形沿所述第一方向延伸的边分割为多个第一线段的步骤中，靠近所述图形端部位置处的第一线段的长度较小，远离所述线条图形端部位置处的第一线段的长度较大。

第一光学邻近修正单元503，用于利用多个所述第一线段，对所述目标图形进行第一光学邻近修正处理，直至所述第一采样点处的边缘放置误差的绝对值位于第一阈值范围内，形成第一初始修正后图形、以及与所述第一初始修正后图形相对应的第一模拟图形

所述第一初始修正后图形可以作为目标图形，同时，所述第一模拟图形作为目标模拟图形；或者，所述第一初始修正后图形还可以作为后续进行第二光学邻近修正处理的基础。

本实施例中，采用基于模型的光学邻近修正处理，对所述目标图形进行第一光学邻近修正处理。在修正处理过程中，使用光学模型和光刻胶光化学反应模型计算出目标图形相应曝光后的初始模拟图形，基于模型的光学邻近修正处理将目标图形的轮廓对应的边识别出来，曝光后的初始模拟图形与识别出的目标图形轮廓进行对比，之间的差别称为边缘放置误差。边缘放置误差是用来衡量修正质量的指标，边缘放置误差越小，就意味着曝光后的图形与目标图形越接近。

在其他实施例中，还可以利用基于经验规则的光学邻近修正，或基于模型与基于经验规则混用的光学邻近修正，进行所述第一光学邻近修正处理。在另一些实施例中，还可以选用其他合适的光学邻近修正方式。

需要说明的是，在所述第一采样点处，所述第一模拟图形的边缘放置误差E1大于0时，表示所述第一模拟图形中与所述第一采样点相对应的位置位于所述目标图形外侧，所述第一模拟图形中与所述第一采样点相对应的位置的边缘放置误差E1小于0时，表示所述第一模拟图形中与所述第一采样点相对应的位置位于所述目标图形内侧，所述第一模拟图形的边缘放置误差E1等于0时，表示所述第一模拟图形位于所述目标图形上，则所述第一采样点处的边缘放置误差E1可以为正值，也可以为负值，只要满足E1的绝对值在第一阈值范围内。

需要说明的是，所述第一阈值范围不宜过大，也不宜过小，如果所述第一阈值范围过大，则所述第一采样点处的边缘放置误差E1的绝对值位于第一阈值范围内时，所述第一模拟图形与目标图形的图形轮廓差距仍较大，难以起到光学邻近修正的修正效果；如果所述第一阈值的范围过小，使得所述第一光学邻近修正处理的修正精度提高至不必要的高度，大大增加了所述第一光学邻近修正处理的运算量，对所述第一光学邻近修正处理的修正造成困难。为此，本实施例中，利用多个所述第一线段，对所述目标图形进行第一光学邻近修正处理的步骤中，所述第一阈值范围为0.1nm至0.5nm。

具体地，利用多个所述第一线段，对所述目标图形进行第一光学邻近修正处理的步骤包括：进行一次或多次第一修正操作，直至所述边缘放置误差E1的绝对值位于所述第一阈值范围内。

进行多次第一修正操作循环的迭代处理，直至所述第一采样点处的边缘放置误差E1收敛，即所述边缘放置误差E1的绝对值位于所述第一阈值范围内。

所述第一修正操作包括：对所述目标图形进行模拟曝光，获得初始模拟图形。

所述初始模拟图形用于与所述目标图形进行比较，获得模拟曝光图形对应的边缘放置误差。

计算在所述第一采样点的位置处，所述初始模拟图形的边缘放置误差E1。

相应的，在所述第一采样点位置处，所述初始模拟图形的边缘放置误差E1大于0时，表示所述初始模拟图形位于所述目标图形外侧，所述初始模拟图形的边缘放置误差E1小于0时，表示所述初始模拟图形位于所述目标图形内侧，所述初始模拟图形的边缘放置误差E1等于0时，表示所述初始模拟图形位于所述目标图形上。

根据所述边缘放置误差E1，调整所述第一线段的位置。

具体地，沿垂直于所述第一线段的方向，当所述边缘放置误差E1大于0时，调整所述第一线段的位置的步骤包括：将对应所述第一线段向所述目标图形内移动，当所述边缘放置误差E1小于0时，调整所述第一线段的位置的步骤包括：将对应所述第一线段向所述目标图形外移动，当所述边缘放置误差E1等于0时，调整所述第一线段的位置的步骤包括：维持对应所述第一线段的位置，也即不移动所述第一线段。

需要说明的是，在进行一次第一修正操作后，循环迭代的下一次第一修正操作中，以上一次第一修正操作中移动所述第一线段后的目标图形作为目标图形进行模拟曝光。也就是说，调整所述第一线段的位置后获得的目标图形，用于作为下一次第一修正操作中进行模拟曝光所采用的目标图形。

其中，当所述初始模拟图形的边缘放置误差E1的绝对值位于所述第一阈值范围内时，以调整所述第一线段的位置后的目标图形作为第一初始修正后图形，以所述初始模拟图形作为第一模拟图形。

判断单元504，用于判断每个所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差是否达到修正标准，且当所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差达到修正标准时，将所述第一初始修正后图形作为目标图形。

判断每个所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差是否达到修正标准，后续根据判断结果采取措施，使得每个所述端点位置处的第一模拟图形都能达到修正标准。

具体地，判断每个所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差是否达到修正标准的步骤包括：判断每个所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差是否满足第一预设条件，所述第一预设条件为：

δ1×δ2＜0，其中，δ1为所述第一线段任一端点处，所述第一模拟图形的边缘放置误差，δ2为所述第一线段另一端点处，所述第一模拟图形的边缘放置误差。

具体地，在所述端点处，所述第一模拟图形的边缘放置误差大于0时，表示所述第一模拟图形位于所述目标图形外侧，所述第一模拟图形的边缘放置误差小于0时，表示所述第一模拟图形位于所述目标图形内侧，所述第一模拟图形的边缘放置误差等于0时，表示所述第一模拟图形位于所述目标图形上，则δ1×δ2＜0，表示经过所述第一线段两端点处的第一模拟图形呈波浪形貌，有可能会影响图形整体的尺寸均匀性，也就是说，所述第一光学邻近修正处理的效果有可能不佳。

因此，当每个所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差未满足所述第一预设条件时，所述第一模拟图形的边缘放置误差达到修正标准，也就是说，所述第一光学邻近修正处理的效果较佳。

当每个所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差满足所述第一预设条件时，所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差有可能未达到修正标准，需要进一步判断是否需要进行第二光学邻近修正处理。

本实施例中，当每个所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差满足所述第一预设条件时，判断每个所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差是否满足第二预设条件，所述第二预设条件为：|δ1－δ2|＞预设值，所述预设值为5nm至10nm。

其中，|δ1－δ2|表示所述第一模拟图形在第一线段两端点处，沿垂直于所述第一线段方向的间距。

|δ1－δ2|较小时，虽然所述第一模拟图形呈波浪形貌，但波浪的形貌较小，所述第一模拟图形的尺寸均匀性仍较好，而|δ1－δ2|的值较大，则表示经过所述第一线段两端点处的第一模拟图形不仅呈波浪形貌，而且波浪的形貌较大，图形整体的尺寸均匀性较差，也就是说，所述第一光学邻近修正处理的效果不佳。

因此，当每个所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差未满足所述第二预设条件时，所述第一模拟图形的边缘放置误差达到修正标准，也就是说，所述第一光学邻近修正处理的效果较佳。

当每个所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差满足所述第二预设条件时，所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差未达到修正标准，需要进行第二光学邻近修正处理。

需要说明的是，所述预设值不宜过大，也不宜过小。如果所述预设值过大，则当|δ1－δ2|的值虽然处于小于或等于预设值的范围，但仍较大的时候，应当需要进行第二光学邻近修正处理，但是根据预设条件，却无需进行第二光学邻近修正处理，影响所述目标图形的修正结果；如果所述预设值过小，则当所述预设条件过于苛刻，容易导致在第一光学邻近修正处理的效果达到可接受程度的情况下，进行不必要的第二光学邻近修正处理，从而导致光学邻近修正的效率降低。为此，本实施例中，所述预设值为5nm至10nm。

本实施例中，当同时满足上述第一预设条件和第二预设条件时，判定所述第一模拟图形的边缘放置误差未达到修正标准，当不满足第一预设条件时，无需进行第二预设条件的判断，判定所述第一模拟图形的边缘放置误差达到修正标准，当满足第一预设条件，但不满足第二预设条件时，则判定所述第一模拟图形的边缘放置误差达到修正标准。

而且，本实施例中，当所述第一模拟图形的边缘放置误差满足所述第一预设条件时，才进一步判断所述第一模拟图形的边缘放置误差满足第二预设条件，有利于在利用第二光学邻近修正处理提高修正精度的同时，减小判断每个所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差是否达到修正标准的计算量，提高计算效率。

当所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差达到修正标准时，将所述第一初始修正后图形作为光罩图形。

当所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差达到修正标准时，进入第二分割单元505。

第二分割单元505，用于当所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差未达到修正标准时，在所述端点位置处设立第二采样点，在所述第二采样点两侧的相邻第一线段中，截取相邻所述第一采样点之间的部分长度的所述第一线段并平移至目标位置，用于构成第二线段，所述第二采样点位于所述第二线段上，剩余所述第一线段作为第三线段，所述第三线段与所述第二线段交替设置，形成第二初始修正后图形。

相比于仅利用多个第一线段，对所述目标图形进行光学邻近修正处理的方案，本实施例中，利用所述多个第二线段和第三线段，对所述第一初始修正后图形进行第二光学邻近修正处理，也就是说，进一步细化了可用于对所述第一修正后图形进行第二光学修正处理的边，提高了进行所述第二光学修正处理的修正精度，并且，相比于仅设有第一采样点的方案，本实施例设有更多更密集的第一采样点和第二采样点，后续进度希尔光学邻近修正处理后，使得所述第一采样点和第二采样点处的边缘放置误差的绝对值均位于第二阈值范围内，有利于减小图形整体的边缘放置误差，改善了图形整体的尺寸均匀性，例如，能够改善所述第一模拟图形容易产生的波纹形状缺陷的情况，从而提高光学邻近修正的效果，相应提升了形成于晶圆上的掩膜图形与目标图形的匹配度。

需要说明的是，基于掩膜版写入规则，所述第二线段的长度最小值不宜过小，从而使得后续第二光学邻近修正处理后的目标图形对掩膜版写入的友好度高，所述目标图形能够制作在掩膜版中。为此，本实施例中，所述第二线段的长度最小值为20nm。

还需要说明的是，所述第二线段的长度不宜过大，也不宜过小。如果所述第二线段的长度过大，则剩余所述第一线段的长度过小，也就是说，所述第三线段的长度过小，增加了后续进行第二光学邻近修正处理的运算量，同时，更小的第三线段容易导致目标图形边缘更加零碎，增加掩膜制造的成本；如果所述第二线段的长度过小，则不利于后续目标图形的写入，而且，所述第二线段的长度过小，也增加了后续进行第二光学邻近修正处理的运算量，同时，更小的第二线段容易导致目标图形边缘更加零碎，增加掩膜制造的成本。为此，本实施例中，所述第二线段的长度为20nm至40nm。

本实施例中，在所述第二采样点两侧的相邻第一线段中，分别截取相邻所述第一采样点之间长度相等的所述第一线段并平移至目标位置，用于构成第二线段，所述第二采样点位于所述第二线段的中心位置处，直观易检测且操作简便。

所述目标位置为相邻所述第一线段在第二方向上的中间位置，所述第二方向与所述第一方向相垂直，也即第二方向垂直于第一线段的延伸方向。

所述第二线段形成于相邻所述第一线段在第二方向上的中间位置，有利于获得图形均匀性较好的第二初始修正后图形。

第二光学邻近修正单元506，用于利用多个所述第二线段和第三线段，对所述第二初始修正后图形进行第二光学邻近修正处理，直至所述第一采样点和第二采样点处的边缘放置误差的绝对值位于第二阈值范围内，形成光罩图形。

本实施例中，采用基于模型的光学邻近修正处理，对所述第二初始修正后图形进行第二光学邻近修正处理。在其他实施例中，还可以利用基于经验规则的光学邻近修正处理，或基于模型与基于经验规则混用的光学邻近修正处理，进行所述第二光学邻近修正处理。在另一些实施例中，还可以选用其他合适的光学邻近修正处理方式。

本实施例中，相应形成所述光罩图形所对应的光罩模拟图形。需要说明的是，在所述第一采样点处，所述边缘放置误差E2大于0时，表示所述目标模拟图形位于所述目标图形外侧，所述目标模拟图形的边缘放置误差E2小于0时，表示所述目标模拟图形位于所述目标图形内侧，所述目标模拟图形的边缘放置误差E2等于0时，表示所述目标模拟图形位于所述目标图形上，对于在所述第二采样点处同理，则所述第一采样点和第二采样点处的边缘放置误差E2和E3可以为正，也可以为负，只要满足E2和E3的绝对值均在第二阈值范围内。

需要说明的是，所述第二阈值范围不宜过大，也不宜过小，如果所述第二阈值范围过大，则所述第一采样点和第二采样点处的边缘放置误差E2和E3的绝对值均位于第二阈值范围内时，所述目标模拟图形与目标图形的图形轮廓差距仍较大，难以起到第二光学邻近修正处理的修正效果；如果所述第二阈值的范围过小，使得所述第二光学邻近修正处理的修正精度提高至不必要的高度，大大增加了所述第二光学邻近修正处理的运算量，对所述第二光学邻近修正处理的修正造成困难。为此，本实施例中，利用多个所述第二线段和第三线段，对所述第二初始修正后图形进行第二光学邻近修正处理的步骤中，所述第二阈值范围为0.1nm至0.5nm。

具体地，利用多个所述第二线段和第三线段，对所述第二初始修正后图形进行第二光学邻近修正处理的步骤包括：进行一次或多次第二修正操作，直至所述边缘放置误差E2和E3的绝对值均位于所述第二阈值范围内。

进行多次第二修正操作循环的迭代处理，直至所述第一采样点和第二采样点处的边缘放置误差E2和E3收敛，即所述边缘放置误差E2和E3的绝对值均位于所述第二阈值范围内。

所述第二修正操作包括：对所述第二初始修正后图形进行模拟曝光，获得第二模拟图形。

所述第二模拟图形用于与所述第二初始修正后图形进行比较，获得模拟曝光图形对应的边缘放置误差。

计算在所述第一采样点和第二采样点的位置处，所述第二模拟图形320的边缘放置误差E2和E3。

相应的，在所述第一采样点位置处，所述第二模拟图形的边缘放置误差E2大于0时，表示所述第二模拟图形320位于所述目标图形外侧，所述第二模拟图形320的边缘放置误差E2小于0时，表示所述第二模拟图形位于所述目标图形内侧，所述第二模拟图形的边缘放置误差E2等于0时，表示所述第二模拟图形位于所述目标图形上，在所述第二采样点位置处同理。

根据所述边缘放置误差E2和E3，调整所述第二线段和第三线段的位置。

具体地，沿所述第二方向，当所述边缘放置误差E2大于0时，调整所述第二线段的位置的步骤包括：将对应所述第二线段向所述目标图形内移动；当所述边缘放置误差E2小于0时，调整所述第二线段的位置的步骤包括：将对应所述第二线段向所述目标图形外移动；当所述边缘放置误差E2等于0时，调整所述第二线段的位置的步骤包括：维持对应所述第二线段的位置，也即不移动所述第二线段，相应的，对于所述边缘放置误差E3以及相对应的第三线段同理。

需要说明的是，在进行一次第二修正操作后，循环迭代的下一次第二修正操作中，以上一次第二修正操作中移动所述第二线段和第三线段后的第二初始修正后图形作为第二初始修正后图形进行模拟曝光。也就是说，调整所述第一线段的位置后获得的目标图形，用于作为下一次第一修正操作中进行模拟曝光所采用的目标图形。

其中，当所述第二模拟图形的边缘放置误差E2和E3的绝对值均位于所述第二阈值范围内时，以调整所述第二线段和第三线段的位置后的第二初始修正后图形作为光罩图形，以所述第二模拟图形作为光罩模拟图形。

本实施例中，通过进行两次光学邻近修正，从而提高光学邻近修正的精度，且对传统光学邻近修正的改动较小，兼容性较高。

相应地，本发明还提供一种掩膜版，包括：利用本发明实施例提供的光学邻近修正方法获得的图形。

由前述的实施例可知，相比于仅利用多个第一线段，对所述目标图形进行光学邻近修正处理的方案，本实施中，利用所述多个第二线段和第三线段，对所述第一初始修正后图形进行第二光学邻近修正处理，也就是说，进一步细化了可用于对所述第一修正后图形进行第二光学修正处理的边，提高了进行所述第二光学修正处理的修正精度，并且，相比于仅设有第一采样点的方案，本发明实施例设有更多更密集的第一采样点和第二采样点，使得所述第一采样点和第二采样点处的边缘放置误差的绝对值均位于第二阈值范围内，有利于减小图形整体的边缘放置误差，改善了图形整体的尺寸均匀性，例如，能够改善所述第一模拟图形容易产生的波纹形状缺陷的情况，从而提高光学邻近修正的效果，相应的，采用掩膜版在晶圆上形成掩膜图形后，提升了形成于晶圆上的掩膜图形与目标图形的匹配度。

本发明实施例还提供一种设备，该设备可以通过装载程序形式的上述光学邻近修正方法，以实现本发明实施例提供的光学邻近修正方法。本发明实施例提供的终端设备的一种可选硬件结构可以如图19所示，包括：至少一个处理器01，至少一个通信接口02，至少一个存储器03和至少一个通信总线04。

本实施例中，处理器01、通信接口02、存储器03、通信总线04的数量为至少一个，且处理器01、通信接口02、存储器03通过通信总线04完成相互间的通信。通信接口02可以为用于进行网络通信的通信模块的接口，如GSM模块的接口。处理器01可能是中央处理器CPU，或者是特定集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)，或者是被配置成实施本发明实施例的一个或多个集成电路。存储器03可能包含高速RAM存储器，也可能还包括非易失性存储器(non-volatile memory，NVM)，例如至少一个磁盘存储器。其中，存储器03存储有一条或多条计算机指令，所述一条或多条计算机指令被处理器01执行以实现本发明实施例提供的光学邻近修正方法。

需要说明的是，上述的实现终端设备还可以包括与本发明实施例公开内容可能并不是必需的其他器件(未示出)；鉴于这些其他器件对于理解本发明实施例公开内容可能并不是必需，本发明实施例对此不进行逐一介绍。

本发明实施例还提供一种存储介质，所述存储介质存储有一条或多条计算机指令，所述一条或多条计算机指令用于实现本发明实施例提供的光学邻近修正方法。

本发明的实施方式可通过例如硬件、固件、软件或其组合的各种手段来实现。在硬件配置方式中，根据本发明示例性实施方式的方法可通过一个或更多个专用集成电路(ASIC)、数字信号处理器(DSP)、数字信号处理器件(DSPD)、可编程逻辑器件(PLD)、现场可编程门阵列(FPGA)、处理器、控制器、微控制器、微处理器等来实现。在固件或软件配置方式中，本发明的实施方式可以模块、过程、功能等形式实现。软件代码可存储在存储器单元中并由处理器执行。存储器单元位于处理器的内部或外部，并可经由各种己知手段向处理器发送数据以及从处理器接收数据。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (19)

1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：

提供目标图形；

将所述目标图形的轮廓对应的边分割为多个依次相连的第一线段，所述第一线段包括两个端点、以及位于所述两个端点之间的第一采样点；

利用多个所述第一线段，对所述目标图形进行第一光学邻近修正处理，直至所述第一采样点处的边缘放置误差的绝对值位于第一阈值范围内，形成第一初始修正后图形、以及与所述第一初始修正后图形相对应的第一模拟图形；

判断每个所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差是否达到修正标准；

当所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差达到修正标准时，将所述第一初始修正后图形作为光罩图形；

当所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差未达到修正标准时，在所述端点位置处设立第二采样点，且在所述第二采样点两侧的相邻第一线段中，截取相邻所述第一采样点之间的部分长度的所述第一线段并平移至目标位置，用于构成第二线段，所述第二采样点位于所述第二线段上，剩余所述第一线段作为第三线段，所述第三线段与所述第二线段交替设置，形成第二初始修正后图形；

利用多个所述第二线段和第三线段，对所述第二初始修正后图形进行第二光学邻近修正处理，直至所述第一采样点和第二采样点处的边缘放置误差的绝对值均位于第二阈值范围内，形成光罩图形。

2.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述提供目标图形的步骤中，所述目标图形的延伸方向为第一方向，且所述目标图形的轮廓具有沿所述第一方向延伸的边；

将所述目标图形的轮廓所对应的边分割为多个第一线段的步骤中，将所述目标图形沿所述第一方向延伸的边分割为多个第一线段。

3.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，判断每个所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差是否达到修正标准的步骤包括：判断每个所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差是否满足第一预设条件，所述第一预设条件为δ1×δ2＜0，其中，δ1为所述第一线段任一端点处，所述第一模拟图形的边缘放置误差，δ2为所述第一线段另一端点处，所述第一模拟图形的边缘放置误差；

当每个所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差未满足所述第一预设条件时，所述第一模拟图形的边缘放置误差达到修正标准；

当每个所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差满足所述第一预设条件时，判断每个所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差是否满足第二预设条件，所述第二预设条件为|δ1－δ2|＞预设值，所述预设值为5nm至10nm；

当每个所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差未满足所述第二预设条件时，所述第一模拟图形的边缘放置误差达到修正标准；

当每个所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差满足所述第二预设条件时，所述第一模拟图形的边缘放置误差未达到修正标准。

4.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，将所述目标图形的轮廓对应的边分割为多个第一线段的步骤中，所述第一采样点位于相对应的所述第一线段的中心位置处。

5.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，在所述第二采样点两侧的相邻第一线段中，分别截取相邻所述第一采样点之间长度相等的所述第一线段并平移至目标位置，用于构成第二线段，所述第二采样点位于所述第二线段的中心位置处。

6.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，将所述目标图形的轮廓对应的边分割为多个第一线段的步骤中，所述第一线段的延伸方向为第一方向；

所述目标位置为相邻所述第一线段在第二方向上的中间位置，所述第二方向与所述第一方向相垂直。

7.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，利用多个所述第一线段，对所述目标图形进行第一光学邻近修正处理的步骤包括：进行一次或多次第一修正操作，直至所述边缘放置误差的绝对值位于所述第一阈值范围内，所述第一修正操作包括：对所述目标图形进行模拟曝光，获得初始模拟图形；

计算在所述第一采样点的位置处，所述初始模拟图形的边缘放置误差；

根据所述边缘放置误差，调整所述第一线段的位置；

其中，当所述初始模拟图形的边缘放置误差的绝对值位于所述第一阈值范围内时，以调整所述第一线段的位置后的目标图形作为第一初始修正后图形，以所述初始模拟图形作为第一模拟图形。

8.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，利用多个所述第二线段和第三线段，对所述第二初始修正后图形进行第二光学邻近修正处理的步骤包括：进行一次或多次第二修正操作，直至所述边缘放置误差的绝对值位于所述第二阈值范围内，所述第二修正操作包括：对所述第二初始修正后图形进行模拟曝光，获得第二模拟图形；

计算在所述第一采样点和第二采样点的位置处，所述第二模拟图形的边缘放置误差；

根据所述边缘放置误差，调整所述第二线段和第三线段的位置；

其中，当所述第二模拟图形的边缘放置误差的绝对值位于所述第二阈值范围内时，以调整所述第二线段和第三线段的位置后的第二初始修正后图形作为光罩图形，以所述第二模拟图形作为光罩模拟图形。

9.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，利用多个所述第一线段，对所述目标图形进行第一光学邻近修正处理的步骤中，所述第一阈值范围为0.1nm至0.5nm。

10.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，利用多个所述第二线段和第三线段，对所述第二初始修正后图形进行第二光学邻近修正处理的步骤中，所述第二阈值范围为0.1nm至0.5nm。

11.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第一线段的长度为40nm至200nm。

12.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第二线段的长度最小值为20nm。

13.如权利要求12所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第二线段的长度为20nm至40nm。

14.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述光学邻近修正方法还包括：形成所述光罩图形后，在所述光罩图形周围添加辅助图形。

15.如权利要求14所述的光学邻近修正方法，其特征在于，在所述光罩图形周围添加辅助图形的步骤中，所述辅助图形为散射条，所述辅助图形的线宽大于或等于掩膜版写入规则的最小线宽，且小于或等于光刻工艺的分辨率。

16.一种光学邻近修正系统，其特征在于，包括：

提供单元，用于提供目标图形；

第一分割单元，用于将目标图形的轮廓对应的边分割为多个依次相连的第一线段，所述第一线段包括两个端点、以及位于所述两个端点之间的第一采样点；

第一光学邻近修正单元，用于利用多个所述第一线段，对所述目标图形进行第一光学邻近修正处理，直至所述第一采样点处的边缘放置误差的绝对值位于第一阈值范围内，形成第一初始修正后图形、以及与所述第一初始修正后图形相对应的第一模拟图形；

判断单元，用于判断每个所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差是否达到修正标准，且当所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差达到修正标准时，将所述第一初始修正后图形作为光罩图形；

第二分割单元，用于当所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差未达到修正标准时，在所述端点位置处设立第二采样点，且在所述第二采样点两侧的相邻第一线段中，截取相邻所述第一采样点之间的部分长度的所述第一线段并平移至目标位置，用于构成第二线段，所述第二采样点位于所述第二线段上，剩余所述第一线段作为第三线段，所述第三线段与所述第二线段交替设置，形成第二初始修正后图形；

第二光学邻近修正单元，用于利用多个所述第二线段和第三线段，对所述第二初始修正后图形进行第二光学邻近修正处理，直至所述第一采样点和第二采样点处的边缘放置误差的绝对值位于第二阈值范围内，形成光罩图形。

17.一种掩膜版，其特征在于，包括：利用如权利要求1-15任一项所述的光学邻近修正方法获得的图形。

18.一种设备，其特征在于，包括至少一个存储器和至少一个处理器，所述存储器存储有一条或多条计算机指令，其中，所述一条或多条计算机指令被所述处理器执行以实现如权利要求1-15任一项所述的光学邻近修正方法。

19.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质存储有一条或多条计算机指令，所述一条或多条计算机指令用于实现如权利要求1-15任一项所述的光学邻近修正方法。

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