CN114594655A - 光学临近效应修正方法及系统和掩膜版 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种光学临近效应修正方法及系统和掩膜版，该方法包括：提供原始设计图形，其中，原始设计图形中包括多个条状图形；获取原始设计图形中的多个条状图形中的至少一个条状图形的孤立部分；在孤立部分的边添加第一偏移量，以使第一端部和非孤立部分之间呈现为第一台阶，并在孤立部分的边添加一个或多个第二偏移量，以使孤立部分的边具有一个或多个第二台阶。本发明实施例的光学临近效应修正方法，有效避免‘倒胶’现象，防止图形线条收缩(pinch)，从而提高OPC精度，提高线宽CDU，降低工艺风险，减小硅片上得到图形与掩模版图形之间的偏差，从而提高电路性能与产品良率。

Description

光学临近效应修正方法及系统和掩膜版

技术领域

本发明涉及光刻技术领域，更具体地涉及光学临近效应修正方法及系统和掩膜版。

背景技术

随着超大规模集成电路(Ultra Large Scale Integration，简称ULSI)的飞速发展，集成电路制造工艺变得越来越复杂和精细。其中光刻技术是集成电路制造工艺发展的驱动力，也是最为复杂的技术之一。相对于其他单个制造技术来说，光刻技术的提高对集成电路的发展具有重要意义。在光刻工艺开始之前，首先需要将图案通过特定设备复制到掩模版上，然后通过光刻机将掩模版上的图案结构复制到生产芯片的硅片上。但是由于半导体器件尺寸的缩小，曝光所用的波长大于物理版图设计的理想图形的尺寸和图形之间的间距，光波的干涉和衍射效应使得实际光刻产生的物理图形和物理版图设计的理想图形之间存在很大的差异，实际图形的形状和间距发生很大的变化，甚至影响电路的性能。

产生这种差异的一个重要原因是光刻所用光束波长大于物理版图设计的理想图形的尺寸和图形之间的间距时，光学波长大于物理版图设计的理想图形的尺寸和图形之间的间距时产生光学临近效应(Optical Proximity Effect,OPE)的作用。因此，为了解决所述问题可以对所述掩模版进行光学临近修正(Optical Proximity Correction，简称OPC)，所述OPC方法即为对光刻掩模版进行光刻前预处理，进行预先修改，使得修改补偿的量正好能够补偿曝光系统造成的光学临近效应。

在0.18μm及以下技术节点中，通常会存在‘条(Bar)’状图形，如图2所示，在‘Bar’状图形中会存在突出的孤立部分，传统的OPC修正方法是对孤立部分整体加偏移量(bias)，以防止‘倒胶’现象的发生，但由于光学效应的影响，也会引起图形线条‘收缩(pinch)’的风险，影响线宽均匀性(critcal dimension uniformity，简称CDU)，导致工艺窗口(PW，process window)降低，严重时甚至会导致电路失效。

鉴于上述问题的存在，本申请提出一种新的光学临近效应修正方法及系统和掩膜版。

发明内容

本发明实施例提供一种光学临近效应修正方法，所述光学临近效应修正方法包括：

提供原始设计图形，其中，所述原始设计图形中包括多个条状图形；

获取所述原始设计图形中的多个条状图形中的至少一个条状图形的孤立部分，其中，所述至少一个条状图形包括所述孤立部分和与所述孤立部分连接的非孤立部分，所述孤立部分包括与所述非孤立部分连接的第一端部和远离所述非孤立部分的第二端部；

在所述孤立部分的边添加第一偏移量，以使所述第一端部和所述非孤立部分之间呈现为第一台阶，并在所述孤立部分的边添加一个或多个第二偏移量，以使所述孤立部分的边具有一个或多个第二台阶。

在一个示例中，所述在所述孤立部分的边添加第一偏移量，以使所述第一端部和所述非孤立部分之间呈现为第一台阶，并在所述孤立部分的边添加一个或多个第二偏移量，以使所述孤立部分的边具有一个或多个第二台阶，包括：

在所述孤立部分的第一部分的边添加所述第一偏移量，在所述孤立部分的第二部分的边添加一个或多个第二偏移量，其中所述第一部分包括所述第一端部，所述第二部分包括所述第二端部。

在一个示例中，在所述孤立部分的第二部分的边添加多个第二偏移量，包括：

沿着所述第二部分的边从所述第一部分和所述第二部分的交界处向远离所述非孤立部分的方向依次添加多个第二偏移量。

在一个示例中，沿着所述第二部分的边添加的所述多个第二偏移量的长度依次增大。

在一个示例中，所述在所述孤立部分的边添加第一偏移量，以使所述第一端部和所述非孤立部分之间呈现为第一台阶，并在所述孤立部分的边添加一个或多个第二偏移量，以使所述孤立部分的边具有一个或多个第二台阶，包括：

在所述孤立部分的边整个添加所述第一偏移量，以使所述第一端部和所述非孤立部分之间呈现为第一台阶；

在所述孤立部分的边添加一个或多个第二偏移量，以至少使所述孤立部分的边具有一个或多个第二台阶。

在一个示例中，在所述孤立部分的边添加一个或多个第二偏移量，以至少使所述孤立部分的边具有一个或多个第二台阶，包括：

沿自所述第二端部向所述第二端部延伸第一长度的所述孤立部分的部分边添加一个或多个第二偏移量，其中，所述第一长度小于所述孤立部分的边的长度。

在一个示例中，所述孤立部分的两侧的预设范围内未设置其他图形。

在一个示例中，所述在所述孤立部分的边添加第一偏移量，以使所述第一端部和所述非孤立部分之间呈现为第一台阶，并在所述孤立部分的边添加一个或多个第二偏移量，以至少使所述孤立部分的边具有一个或多个第二台阶的步骤之后，还包括以下步骤：

在所述原始设计图形的边缘设置多个目标点；

根据OPC模型获得所述原始设计图形的修正图形，并对所述修正图形进行模拟，以获得图形模拟结果；

计算各个所述目标点处所述图形模拟结果和所述原始设计图形之间的差异；

根据所述差异以及目标点的权重，对所述修正图形进行调整，以获得调整后的修正图形，对所述调整后的修正图形进行模拟，以获得图形模拟结果，计算各个所述目标点处所述图形模拟结果和所述修正图形之间的差异；

反复执行所述根据所述差异以及目标点的权重，对所述修正图形进行调整，以获得调整后的修正图形，对所述调整后的修正图形进行模拟，以获得图形模拟结果，计算各个所述目标点处所述图形模拟结果和所述修正图形之间的差异的步骤进行迭代，直到获得最终的修正图形。

本申请再一方面还提供一种光学临近效应修正系统，所述光学临近效应修正系统包括：

存储器，用于存储可执行的程序指令；

处理器，用于执行所述存储器中存储的所述程序指令，使得所述处理器执行前述的光学临近效应修正方法。

本申请又一方面提供一种掩膜版，其特征在于，所述掩膜版包括：

本体；

设置于所述本体上的掩膜版图形，所述掩膜版图形为基于前述的光学临近效应修正方法所获得的修正图形。

本发明实施例的光学临近效应修正方法，通过在孤立部分加多个偏移量，进而形成第一台阶和一个或多个第二台阶，有效避免‘倒胶’现象，防止图形线条收缩(pinch)，从而提高OPC精度，提高线宽CDU，降低工艺风险，减小硅片上得到图形与掩模版图形之间的偏差，从而提高电路性能与产品良率。

附图说明

通过结合附图对本发明实施例进行更详细的描述，本发明的上述以及其它目的、特征和优势将变得更加明显。附图用来提供对本发明实施例的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中，相同的参考标号通常代表相同部件或步骤。

图1是根据常规的一种光学临近效应修正方法的流程图；

图2是一种‘条’状图形的示意图；

图3示出了另一种‘条’状图形的示意图；

图4示出了在图3所示的‘条’状图形的边添加偏移量的示意图；

图5示出了图4中的添加偏移量后的设计图像修正后的仿真模拟结果示意图；

图6示出了根据本发明一个实施例的一种光学临近效应修正方法的流程图；

图7a示出了根据本发明一个实施例的在孤立部分的边添加偏移量后的示意图；

图7b示出了对图7a中添加偏移量后的图形进行仿真模拟所获得的模拟结果的示意图；

图8是根据本发明实施例的光学临近效应修正系统的示意性框图。

具体实施方式

为了使得本发明的目的、技术方案和优点更为明显，下面将参照附图详细描述根据本发明的示例实施例。显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是本发明的全部实施例，应理解，本发明不受这里描述的示例实施例的限制。基于本发明中描述的本发明实施例，本领域技术人员在没有付出创造性劳动的情况下所得到的所有其它实施例都应落入本发明的保护范围之内。

在0.18um及以下技术节点的关键层次比如有源区层次(TO)，栅氧层次(GT)，金属连线层次(An)的关键尺寸(CD)越来越小，CD已经接近甚至小于光刻工艺中所使用的光波波长,因此光刻过程中,由于光的衍射和干涉现象,实际硅片上得到的光刻图形与掩膜版图形之间存在一定的变形和偏差，为了消除这种偏差，一种有效的方法是光学邻近效应矫正(OPC)方法。

常规的‘条’状图形(为简便，本文中也简写为条状图形)的OPC修正方法，如图1所示，包括以下步骤：(1)筛选出条状图形；(2)对条状图形孤立部分整体加偏移量；(3)根据OPC程式设定对设计图形外边进行解析分割(Dissection)；(4)在线条端以及邻边片段放置目标点(Target Point)；(5)根据OPC模型对图形进行模拟；(6)计算目标点的模拟结果与目标值之间的差异(EPE)；(7)根据EPE值对图形进行调整；(8)计算调整后图形的模拟结果与目标值的EPE；(9)根据新的EPE值再次调整；(10)反复数次之后得到最终修正图形。

在条状图形中(如图3所示)，在不违反掩模规则(mask rule check，简称MRC)的情况下，对孤立部分整体加偏移量(如图4所示)，由于光学效应的影响，会引起图形线条较为严重的‘收缩(pinch)’，进而影响线宽的CDU，如图5所示(图5为图4的仿真模拟结果)。

鉴于上述问题的存在，本申请实施例提供一种光学临近效应修正方法，该方法包括：提供原始设计图形，其中，所述原始设计图形中包括多个条状图形；获取所述原始设计图形中的多个条状图形中的至少一个条状图形的孤立部分，其中，所述至少一个条状图形包括所述孤立部分和与所述孤立部分连接的非孤立部分，所述孤立部分包括与所述非孤立部分连接的第一端部和远离所述非孤立部分的第二端部；在所述孤立部分的边添加第一偏移量，以使所述第一端部和所述非孤立部分之间呈现为第一台阶，并在所述孤立部分的边添加一个或多个第二偏移量，以使所述孤立部分的边具有一个或多个第二台阶。本申请的光学临近效应修正方法，通过在孤立部分添加多个偏移量，进而形成第一台阶和一个或多个第二台阶，有效避免‘倒胶’现象，防止图形线条收缩(pinch)，从而提高OPC精度，提高线宽CDU，降低工艺风险，从而提高电路性能与产品良率。

下面，参考附图6至图7b对本申请实施例中的光学临近效应修正方法进行描述。

作为示例，如图6所示，本申请实施例中的光学临近效应修正方法包括以下步骤：

首先，在步骤S1中，提供原始设计图形，其中，所述原始设计图形中包括多个条状图形。

原始设计图形是根据半导体制造工艺要求设计出的版图图案，其与由掩膜板上的图案转印至半导体衬底上所获得的图案大体上一致，例如其可以是预期形成在半导体衬底上的栅极的图案、或者，金属互连线的一层金属层的图案，而由于光学邻近效应，直接将该原始设计图形转印至半导体衬底上时，形成的图案与实际想要的图案存在差异，因此，需要对该原始设计图形进行修正，而由于版图图案很大，该原始设计图形还可以是对版图图案中的部分图案的截选。

多个条状图形间隔设置，为了简便，图7a和图7b中仅示出了3个相互平行的条状图形，但本发明的条状图形并不局限于此，还可以包括具有拐角的多个条状图形等，还可以是2个相互平行的条状图形、或者5个相互平行的条状图形，或者其他数量的条状图形。

示例性地，该条状图形可以是金属互连线中的金属层的图案，也可以是其他的例如栅极结构等的图案等。

接着，在步骤S2中，获取所述原始设计图形中的多个条状图形中的至少一个条状图形的孤立部分。

本申请的孤立部分可以是本领域技术人员熟知的任意的在条状图形中的孤立部分，例如该孤立部分可以如图7a和7b所示。在一个示例中，所述孤立部分的两侧的预设范围内未设置其他图形。在一个示例中，条状图形包括位于密集区内的部分和位于孤立区内的部分，其中，孤立部分为位于条状图形位于孤立区内的部分，其中，该孤立区内的条状图形的密度低于密集区内的条状图形的密度，也即在孤立区内的相邻条状图形之间的间距大于在密集区内的相邻条状图形之间的间距。

在一个示例中，如图7a所示，所述至少一个条状图形包括所述孤立部分和与所述孤立部分连接的非孤立部分，所述孤立部分包括与所述非孤立部分连接的第一端部和远离所述非孤立部分的第二端部。其中，在如图7a所示的图形中，包括3条条状图形，位于中间的条状图形包括孤立部分和非孤立部分，孤立部分的第一端部和其两侧的条状图形的一个端部对齐。值得一提的是，图7a中右上角的图为左下角图中方框部分的局部放大图。

接着，在步骤S3中，在所述孤立部分的边添加第一偏移量，以使所述第一端部和所述非孤立部分之间呈现为第一台阶，并在所述孤立部分的边添加一个或多个第二偏移量，以使所述孤立部分的边具有一个或多个第二台阶。

在一个示例中，添加一个或多个第二偏移量后所述孤立部分的边具有一个或多个第二台阶，例如图7a所示。添加多个第二偏移量时，多个第二偏移量还可以为不同的偏移量。

如图7a中的放大图中所示，所述孤立部分可以包括第一部分701和第二部分702，在一个示例中，所述在所述孤立部分的边添加第一偏移量，以使所述第一端部和所述非孤立部分之间呈现为第一台阶，并在所述孤立部分的边添加一个或多个第二偏移量，以使所述孤立部分的边具有一个或多个第二台阶，包括：在所述孤立部分的第一部分701的边添加所述第一偏移量，在所述孤立部分的第二部分702的边添加一个或多个第二偏移量，其中所述第一部分包括所述第一端部，所述第二部分包括所述第二端部。通过在第一部分的边添加第一偏移量，使得所述第一端部和所述非孤立部分之间呈现为第一台阶。

在一个示例中，在所述孤立部分的第二部分的边添加多个第二偏移量，包括：沿着所述第二部分的边从所述第一部分和所述第二部分的交界处向远离所述非孤立部分的方向依次添加多个第二偏移量，以使所述孤立部分的边具有多个第二台阶，沿着所述孤立部分的边添加的所述多个第二偏移量从第一端部向所述第二端部依次增大，从而使得添加所述多个第二偏移量后所述孤立部分的边具有多个第二台阶，其中，添加的第二偏移量的增加量可以不同，也可以相同，或者，增加量沿着孤立部分的边从第一端部向所述第二端部逐渐减小。增加量是指从第一端部向第二端部依次添加的后一个第二偏移量相比前一个第二偏移量的增加量。

可选地，第二偏移量可以大于第一偏移量，从而使得第二部分和第一部分的交界处呈现一个第二台阶。

在孤立部分的边添加的多个第二偏移量的数量可以根据实际需要合理设定，例如可以添加2个第二偏移量、3个第二偏移量、4个第二偏移量、5个第二偏移量、6个第二偏移量等，还可以是根据孤立部分的长度而选择适合的偏移量的添加个数，例如孤立部分的长度大于第一阈值长度，则对应的添加的多个第二偏移量的个数大于第一阈值数量，而孤立部分的长度小于等于第一阈值长度，则对应添加的多个第二偏移量的个数小于等于第一阈值数量。

在一个具体示例中，将第一部分的边添加第一偏移量后，将第二部分的边分割为长度不等或长度相同或部分长度相同部分长度不同的多个片段，每个片段对应添加一个第二偏移量，其中，所述第二偏移量大于所述第一偏移量。

在另一个示例中，所述在所述孤立部分的边添加第一偏移量，以使所述第一端部和所述非孤立部分之间呈现为第一台阶，并在所述孤立部分的边添加一个或多个第二偏移量，以使所述孤立部分的边具有一个或多个第二台阶，包括：在所述孤立部分的边整个添加所述第一偏移量，以使所述第一端部和所述非孤立部分之间呈现为第一台阶；在所述孤立部分的边添加一个或多个第二偏移量，以至少使所述孤立部分的边具有一个或多个第二台阶，例如，沿自所述第二端部向所述第二端部延伸第一长度的所述孤立部分的部分边添加一个或多个第二偏移量，其中，所述第一长度小于所述孤立部分的边的长度，其中，第二偏移量是在整个孤立部分添加了第一偏移量后再增加的偏移量，此种情况添加的第二偏移量每个片段对应添加的第二偏移量的可能不同，通常会小于每个片段对应添加的第二偏移量。

值得一提的是，在本申请中对于添加的偏移量的方式不做具体限定，对于其他的能够呈现出第一台阶和第二台阶的方式也可以适用于本申请。

值得说明的是，对偏移量的调整在不违反MRC的情况下进行，例如，对孤立部分边的尺寸的调整不得超过最小设计规则。设计规则是根据工艺能力和设计要求确定的最大或最小值，比如0.18μm工艺最小线宽和最小线间距不能少于0.18μm。例如，可以按照OPC规则表例如偏移量表在孤立部分的边添加偏移量。

通过上述步骤之后，在原始设计图形的孤立部分的边添加了第一偏移量和一个或多个第二偏移量，再基于该添加了偏移量的原始设计图形，进行后续的OPC修改过程。

进一步，本申请的光学临近效应修正方法还包括以下步骤：

在步骤S4中，在所述原始设计图形的边缘设置多个目标点。

可选地，所述边缘包括线条端和邻边片段。在一个示例中，所述设置目标步骤，还包括：对所述原始设计图形的边缘进行解析分割，以获得多个邻边片段及线条端；在所述线条端和所述邻边片段设置所述目标点。

对边界进行解析分割的方法可以基于本领域技术人员公知的任意适合的方法，在此不做限定。

接着，在步骤S5中，根据OPC模型获得所述原始设计图形的修正图形，并对所述修正图形进行模拟，以获得图形模拟结果。

根据所述原始设计图形的当前层例如栅极的特征尺寸确定光刻工艺参数。不同栅极工艺下进行的光刻工艺，所使用到的工艺规格都不相同，因此先要根据栅极工艺规格之后，还需要确定光刻工艺的具体参数。所述光刻工艺具体参数包括曝光光路的光学参数、光刻胶的材料参数以及刻蚀工艺的化学参数。所述曝光光路的光学参数主要指光路的数值孔径、缩放倍率以及曝光光源等具体参数。所述光刻胶的材料参数主要是指光刻胶材料的分辨率、曝光速率、光敏度等具体参数。所述刻蚀工艺的化学参数主要是指刻蚀剂的酸碱性以及化学性质等具体参数。由于制作不同等级特征尺寸所采用到的光刻工艺不同，因此需要对光刻工艺参数有个明确的定位。

根据所述光刻工艺参数确定光学邻近修正模型，建立光学邻近修正的运算程序。在确定完光刻工艺参数后，可以进行OPC建模。建模的基本流程如下：首先是在标片上放置预先设计的测试图形，收集到一组真实光刻晶片的数据。然后使用同样的测试图形，利用OPC建模工具进行模拟，如果模拟得到的图形尺寸与相对应的真实晶片数据能够很好的符合，那么就可以认为在这样一个有限的样品空间(sampling space)中，模拟得到的模型能够很好的描述整个曝光系统和化学效应，因此就能用来定量在预知情况下的OPE效应，从而可以用来进行OPC。在工厂端，由于厂家在多数情况下会对自家生产的产品工艺建有相应的数据库，因此建模过程也可简化为调取数据的过程，只需输入相对应的数据模型，就能调取到所需的OPC模型。在建完OPC模型后，还需要编写OPC处理的程序，以用于将适用的图形进行OPC处理。最后，根据OPC模型获得所述原始设计图形的修正图形，并对所述修正图形进行模拟，以获得图形模拟结果，该图像模拟结果例如为模拟轮廓(Simulation Contour)。

接着，在步骤S5中，计算各个所述目标点处所述图形模拟结果和所述原始设计图形之间的差异。

该差异可以为边缘放置误差，基于该边缘放置误差控制使图形模拟结果(例如模拟轮廓)符合规格要求。该差异的计算方法可以采用本领域技术人员熟知的任意适合的方法，在此不做具体限定。

接着，在步骤S6中，根据所述差异以及目标点的权重，对所述修正图形进行调整，以获得调整后的修正图形，对所述调整后的修正图形进行模拟，以获得图形模拟结果，计算各个所述目标点处所述图形模拟结果和所述修正图形之间的差异。

步骤S6也即包括：步骤S61根据所述差异以及目标点的权重，对所述修正图形进行调整，以获得调整后的修正图形；步骤S62对所述调整后的修正图形进行模拟，以获得图形模拟结果；以及步骤S63计算各个所述目标点处所述图形模拟结果和所述修正图形之间的差异。

根据各目标点的差异(EPE)和相应目标点所属区域的权重，对OPC修正图形进行调整。OPC修正过程中，当不同区域的修正需求产生冲突时，按权重高低分配修正需求，相应目标点所属区域的所述权重越高，越优先满足该目标点的修正需求。

对所述调整后的修正图形进行模拟，以获得图形模拟结果，该模拟过程可以参考前文中原始设计图形的模拟过程，其模拟的为调整后的修正图像通过光刻在光刻胶上形成的图形。

最后，在步骤S7中，反复执行调整步骤(也即步骤S6)进行迭代，直到获得最终的修正图形。

每次迭代时，计算各个所述目标点处所述图形模拟结果和所述修正图形之间的差异，根据该差异是否在预设阈值范围内，是否停止迭代，若在预设阈值范围内，则再次执行步骤S6中的相关步骤，若在阈值范围内，则将本次图形模拟结果作为最终的修正图形。

根据本申请实施例的方法在孤立部分的边添加不同长度的偏移量，呈台阶状生长，如图7a所示，再基于前述的修正方法对添加了偏移量的原始设计图形进行仿真模拟而获得了如图7b所示的模拟结果(例如模拟轮廓)，从图7b可以看出，通过本申请的方法可以有效避免图形线条收缩(pinch)，提高了线宽CDU。

综上所述，本申请的光学临近效应修正方法，通过在孤立部分添加第一偏移量和一个或多个第二偏移量，从而形成第一台阶和一个或多个第二台阶，有效避免‘倒胶’现象，防止图形线条收缩(pinch)，从而提高OPC精度，提高线宽CDU，降低工艺风险，提高光刻版图在晶圆上成像的准确度，从而减小实际硅片上得到的图形与掩模版图形之间的变形与偏差，以提高电路性能与产品良率。

另外，本申请还提供一种掩膜版，所述掩膜版包括本体，以及设置于所述本体上的掩膜版图形，所述掩膜版图形为基于前文所述的光学临近效应修正方法所获得的修正图形，因此，本申请的掩模版也具有前述光学临近效应修正方法的优点。

下面，参考附图8对本发明实施例的光学临近修正系统进行描述，其中，图8是根据本发明实施例的光学临近修正系统的示意性框图，该光学临近修正系统用于执行前文描述的光学临近效应修正方法。

本申请实施例的光学临近修正系统可以是单片机，该单片机可以包括具有数据处理能力的中央处理器CPU、随机存储器RAM、只读存储器ROM、多种I/O口和中断系统、定时器/计数器等。又例如该光学临近修正系统可以是笔记本电脑、台式电脑、仪器仪表、家用电器、医用设备、航空航天、汽车中的光学临近修正系统等。

作为示例，如图8所示，本申请的光学临近修正系统800包括一个或多个存储器801、一个或多个处理器802等，这些组件通过总线系统和/或其它形式的连接机构(未示出)互连。应当注意，图8所示的光学临近修正系统800的组件和结构只是示例性的，而非限制性的，根据需要，光学临近修正系统800也可以具有其他组件和结构。

存储器801用于存储相关光学临近修正过程中产生的各种数据信息和可执行程序指令，例如用于存储各种应用程序或实现各种具体功能的算法。可以包括一个或多个计算机程序产品，所述计算机程序产品可以包括各种形式的计算机可读存储介质，例如易失性存储器和/或非易失性存储器。所述易失性存储器例如可以包括随机存取存储器(RAM)和/或高速缓冲存储器(cache)等。所述非易失性存储器例如可以包括只读存储器(ROM)、硬盘、闪存等。

处理器802可以是中央处理单元(CPU)、图像处理单元(GPU)、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)或者具有数据处理能力和/或指令执行能力的其它形式的处理单元，并且可以控制光学临近修正系统800中的其它组件以执行期望的功能。例如，处理器能够包括一个或多个嵌入式处理器、处理器核心、微型处理器、逻辑电路、硬件有限状态机(FSM)、数字信号处理器(DSP)、图像处理单元(GPU)或它们的组合。

处理器802用于执行所述存储器801中存储的所述程序指令，使得所述处理器802执行前述实施例中的光学邻近效应修正方法，有关光学邻近效应修正方法的描述参考前文，在此不在重复描述。

在一个示例中，光学临近修正系统800还包括通信接口(未示出)，用于光学临近修正系统800中各个组件之间以及光学临近修正系统800的各个组件和该系统之外的其他装置之间进行通信。

通信接口是可以是目前已知的任意通信协议的接口，例如有线接口或无线接口，其中，通信接口可以包括一个或者多个串口、USB接口、以太网端口、WiFi、有线网络、DVI接口，设备集成互联模块或其他适合的各种端口、接口，或者连接。光学临近修正系统800还可以接入基于通信标准的无线网络，如WiFi、2G、8G、4G、5G或它们的组合。在一个示例性实施例中，通信接口经由广播信道接收来自外部广播管理系统的广播信号或广播相关信息。在一个示例性实施例中，所述通信接口还包括近场通信(NFC)模块，以促进短程通信。例如，在NFC模块可基于射频识别(RFID)技术，红外数据协会(IrDA)技术，超宽带(UWB)技术，蓝牙(BT)技术和其他技术来实现。

在一个示例中，所述光学临近修正系统800还包括输入装置(未示出)可以是用户用来输入指令的装置，并且可以包括键盘、轨迹球、鼠标、麦克风和触摸屏等中的一个或多个，或其它控制按钮构成的输入装置。

在一个示例中，所述光学临近修正系统800还包括输出装置(未示出)，可以向外部(例如用户)输出各种信息(例如图像或声音)，并且可以包括显示器、扬声器等中的一个或多个。

另外，本申请实施例还提供了一种计算机存储介质，例如计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序。在所述计算机存储介质上可以存储一个或多个计算机程序指令，处理器可以运行存储器存储的所述程序指令，以实现本文所述的本申请实施例中(由处理器实现)的功能以及/或者其它期望的功能，例如以执行根据本申请实施例的光学邻近效应修正方法相应步骤，在所述计算机可读存储介质中还可以存储各种应用程序和各种数据，例如所述应用程序使用和/或产生的各种数据等。

例如，所述计算机可读存储介质例如可以包括智能电话的存储卡、平板电脑的存储部件、个人计算机的硬盘、只读存储器(ROM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM)、便携式紧致盘只读存储器(CD-ROM)、USB存储器、或者上述存储介质的任意组合。所述计算机可读存储介质可以是一个或多个计算机可读存储介质的任意组合。

由于本申请实施例的光学临近修正系统和计算机存储介质可以执行前述的光学邻近效应修正方法相应步骤，因此，其也具有前述光学邻近效应修正方法的优点。

本领域普通技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本发明的范围。

在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的设备和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的设备实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个设备，或一些特征可以忽略，或不执行。

在此处所提供的说明书中，说明了大量具体细节。然而，能够理解，本发明的实施例可以在没有这些具体细节的情况下实践。在一些实例中，并未详细示出公知的方法、结构和技术，以便不模糊对本说明书的理解。

类似地，应当理解，为了精简本发明并帮助理解各个发明方面中的一个或多个，在对本发明的示例性实施例的描述中，本发明的各个特征有时被一起分组到单个实施例、图、或者对其的描述中。然而，并不应将该本发明的方法解释成反映如下意图：即所要求保护的本发明要求比在每个权利要求中所明确记载的特征更多的特征。更确切地说，如相应的权利要求书所反映的那样，其发明点在于可以用少于某个公开的单个实施例的所有特征的特征来解决相应的技术问题。因此，遵循具体实施方式的权利要求书由此明确地并入该具体实施方式，其中每个权利要求本身都作为本发明的单独实施例。

本领域的技术人员可以理解，除了特征之间相互排斥之外，可以采用任何组合对本说明书(包括伴随的权利要求、摘要和附图)中公开的所有特征以及如此公开的任何方法或者设备的所有过程或单元进行组合。除非另外明确陈述，本说明书(包括伴随的权利要求、摘要和附图)中公开的每个特征可以由提供相同、等同或相似目的的替代特征来代替。

此外，本领域的技术人员能够理解，尽管在此所述的一些实施例包括其它实施例中所包括的某些特征而不是其它特征，但是不同实施例的特征的组合意味着处于本发明的范围之内并且形成不同的实施例。例如，在权利要求书中，所要求保护的实施例的任意之一都可以以任意的组合方式来使用。

应该注意的是上述实施例对本发明进行说明而不是对本发明进行限制，并且本领域技术人员在不脱离所附权利要求的范围的情况下可设计出替换实施例。在权利要求中，不应将位于括号之间的任何参考符号构造成对权利要求的限制。单词“包含”不排除存在未列在权利要求中的元件或步骤。位于元件之前的单词“一”或“一个”不排除存在多个这样的元件。本发明可以借助于包括有若干不同元件的硬件以及借助于适当编程的计算机来实现。在列举了若干装置的单元权利要求中，这些装置中的若干个可以是通过同一个硬件项来具体体现。单词第一、第二、以及第三等的使用不表示任何顺序。可将这些单词解释为名称。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式或对具体实施方式的说明，本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种光学临近效应修正方法，其特征在于，所述光学临近效应修正方法包括：

提供原始设计图形，其中，所述原始设计图形中包括多个条状图形；

获取所述原始设计图形中的多个条状图形中的至少一个条状图形的孤立部分，其中，所述至少一个条状图形包括所述孤立部分和与所述孤立部分连接的非孤立部分，所述孤立部分包括与所述非孤立部分连接的第一端部和远离所述非孤立部分的第二端部；

在所述孤立部分的边添加第一偏移量，以使所述第一端部和所述非孤立部分之间呈现为第一台阶，并在所述孤立部分的边添加一个或多个第二偏移量，以使所述孤立部分的边具有一个或多个第二台阶。

2.如权利要求1所述的光学临近效应修正方法，其特征在于，所述在所述孤立部分的边添加第一偏移量，以使所述第一端部和所述非孤立部分之间呈现为第一台阶，并在所述孤立部分的边添加一个或多个第二偏移量，以使所述孤立部分的边具有一个或多个第二台阶，包括：

在所述孤立部分的第一部分的边添加所述第一偏移量，在所述孤立部分的第二部分的边添加一个或多个第二偏移量，其中所述第一部分包括所述第一端部，所述第二部分包括所述第二端部。

3.如权利要求2所述的光学临近效应修正方法，其特征在于，在所述孤立部分的第二部分的边添加多个第二偏移量，包括：

沿着所述第二部分的边从所述第一部分和所述第二部分的交界处向远离所述非孤立部分的方向依次添加多个第二偏移量。

4.如权利要求3所述的光学临近效应修正方法，其特征在于，沿着所述第二部分的边添加的所述多个第二偏移量的长度依次增大。

5.如权利要求1所述的光学临近效应修正方法，其特征在于，所述在所述孤立部分的边添加第一偏移量，以使所述第一端部和所述非孤立部分之间呈现为第一台阶，并在所述孤立部分的边添加一个或多个第二偏移量，以使所述孤立部分的边具有一个或多个第二台阶，包括：

在所述孤立部分的边整个添加所述第一偏移量，以使所述第一端部和所述非孤立部分之间呈现为第一台阶；

在所述孤立部分的边添加一个或多个第二偏移量，以至少使所述孤立部分的边具有一个或多个第二台阶。

6.如权利要求5所述的光学临近效应修正方法，其特征在于，在所述孤立部分的边添加一个或多个第二偏移量，以至少使所述孤立部分的边具有一个或多个第二台阶，包括：

沿自所述第二端部向所述第二端部延伸第一长度的所述孤立部分的部分边添加一个或多个第二偏移量，其中，所述第一长度小于所述孤立部分的边的长度。

7.如权利要求1所述的光学临近效应修正方法，其特征在于，所述孤立部分的两侧的预设范围内未设置其他图形。

8.如权利要求1所述的光学临近效应修正方法，其特征在于，所述在所述孤立部分的边添加第一偏移量，以使所述第一端部和所述非孤立部分之间呈现为第一台阶，并在所述孤立部分的边添加一个或多个第二偏移量，以至少使所述孤立部分的边具有一个或多个第二台阶的步骤之后，还包括以下步骤：

在所述原始设计图形的边缘设置多个目标点；

根据OPC模型获得所述原始设计图形的修正图形，并对所述修正图形进行模拟，以获得图形模拟结果；

计算各个所述目标点处所述图形模拟结果和所述原始设计图形之间的差异；

根据所述差异以及目标点的权重，对所述修正图形进行调整，以获得调整后的修正图形，对所述调整后的修正图形进行模拟，以获得图形模拟结果，计算各个所述目标点处所述图形模拟结果和所述修正图形之间的差异；

反复执行所述根据所述差异以及目标点的权重，对所述修正图形进行调整，以获得调整后的修正图形，对所述调整后的修正图形进行模拟，以获得图形模拟结果，计算各个所述目标点处所述图形模拟结果和所述修正图形之间的差异的步骤进行迭代，直到获得最终的修正图形。

9.一种光学临近效应修正系统，其特征在于，所述光学临近效应修正系统包括：

存储器，用于存储可执行的程序指令；

处理器，用于执行所述存储器中存储的所述程序指令，使得所述处理器执行如权利要求1至8任一项所述的光学临近效应修正方法。

10.一种掩膜版，其特征在于，所述掩膜版包括：

本体；

设置于所述本体上的掩膜版图形，所述掩膜版图形为基于如权利要求1至8任一项所述的光学临近效应修正方法所获得的修正图形。

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