CN115185165B - 佐辅模型的构建方法、光学修正方法及装置、终端 - Google Patents

佐辅模型的构建方法、光学修正方法及装置、终端 Download PDF

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Abstract

一种佐辅模型的构建方法、光学修正方法及装置、终端，所述方法包括：确定设计图形及初始光学修正模型；获得所述设计图形对应的第一仿真图形；基于预设的卷积函数和第一数量个模型参数组构建第一数量个佐辅模型；将所述第一仿真图形分别输入到第一数量个佐辅模型以得到第一数量个第二仿真图形，或者，将所述设计图形分别输入到第一数量个佐辅模型以得到第一数量个第二仿真图形；分别确定第一数量个第二仿真图形、第一仿真图形与设计图形之间的偏差CD成本；根据所确定的偏差CD成本，从所述第一数量个佐辅模型中确定目标佐辅模型。本发明可以提高补偿效果，增强工艺制备后的保真度。

Description

佐辅模型的构建方法、光学修正方法及装置、终端
技术领域
本发明涉及计算机技术领域，尤其涉及一种佐辅模型的构建方法、光学修正方法及装置、终端。
背景技术
当集成电路的特征尺寸接近光刻机曝光的系统极限，即特征尺寸接近或小于光刻光源时，硅片上制造出的版图会出现明显的畸变，该现象称为光学邻近效应。为了应对光学邻近效应，提出了分辨率增强技术进行光学修正，例如可以包括光学邻近修正（OpticalProximity Correction，OPC）技术、掩模工艺修正（Mask Proximity Correction，MPC）技术、电子束邻近修正（Electron-beam Proximity Correction，EPC）技术等等。
以OPC为例，是在找到图形失真量与图形本身特性的关系基础上，计算出偏差（bias），随后将该偏差添加到主图形以对涉及版图所有各种图形进行全面的修改，以保证在曝光之后的半导体衬底上形成符合设计要求的图形，最大化晶圆上图案的保真度。
在现有技术中，可以基于规则表进行光学修正。具体地，与设计图形相对应的修正量被预先制成规则表，并根据规则表进行光学修正，当通过光学修正模型得到的模拟轮廓超出误差容限时，还可以通过修正规则表并重新执行光学修正。
然而，随着技术节点的进步，关键尺寸（Critical Dimension，CD）不断缩小，光学修正模型的精度以及制定规则表的复杂度越来越高，由于规则表的制定和修正均需要人工完成，因此需要耗费更多的人员工作时长，出现人为错误的可能性也相应提高，不仅容易影响光学修正效果，而且会延长产品生产时长，增加生产成本。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供一种佐辅模型的构建方法、光学修正方法及装置、终端，可以提高补偿效果，增强工艺制备后的保真度。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种佐辅模型的构建方法，包括：步骤A：确定设计图形及初始光学修正模型，并确定所述设计图形在预设关键位置的设计CD；步骤B：基于所述初始光学修正模型，获得所述设计图形对应的第一仿真图形，并确定所述第一仿真图形在所述预设关键位置的第一仿真CD；步骤C：基于预设的卷积函数和第一数量个模型参数组构建第一数量个佐辅模型，其中，不同的模型参数组中至少包含所述卷积函数中的参数，且不同的模型参数组中参数值不完全相同，其中，第一数量的值为不小于2的整数；步骤D：将所述第一仿真图形分别输入到第一数量个佐辅模型以得到第一数量个第二仿真图形，或者，将所述设计图形分别输入到第一数量个佐辅模型以得到第一数量个第二仿真图形，并分别确定每一个第二仿真图形在所述预设关键位置的第二仿真CD；步骤E：根据所述设计CD、第一仿真CD以及第二仿真CD，分别确定第一数量个第二仿真图形、所述第一仿真图形与所述设计图形之间的偏差CD成本；步骤F：根据所确定的偏差CD成本，从所述第一数量个佐辅模型中确定目标佐辅模型。
可选的，所述根据所确定的偏差CD成本，从所述第一数量个佐辅模型中确定目标佐辅模型，包括：如果存在一个或多个偏差CD成本小于等于第一预设偏差CD成本阈值，则确定目标佐辅模型，所述目标佐辅模型为偏差CD成本不大于第二预设偏差CD成本阈值的第二仿真图形对应的佐辅模型。
可选的，所述根据所确定的偏差CD成本，从所述第一数量个佐辅模型中确定目标佐辅模型，包括：如果存在一个或多个偏差CD成本小于等于第一预设偏差CD成本阈值，则确定目标佐辅模型，所述目标佐辅模型为偏差CD成本最小的第二仿真图形对应的佐辅模型。
可选的，所述的佐辅模型的构建方法还包括：如果所确定的偏差CD成本均大于预设偏差CD成本阈值，则重新确定第二数量个模型参数组中的各个预设参数值并执行步骤C至E重新确定目标佐辅模型，直至存在一个或多个偏差CD成本小于预设偏差CD成本阈值的模型参数组。
可选的，基于预设的卷积函数和第一数量个模型参数组构建第一数量个佐辅模型，包括：确定第一数量个模型参数组和每个模型参数组中的各个预设参数值；将每个模型参数组中的预设参数值，代入预设的卷积函数，以构建第一数量个佐辅模型。
可选的，每一个佐辅模型均采用所述高斯卷积函数以及图形函数构成；其中，所述图形函数选自：基于所述设计图形确定的图形函数以及基于所述第一仿真图形确定的图形函数。
可选的，采用下述高斯卷积函数构建所述第一数量个佐辅模型：
Figure 913422DEST_PATH_IMAGE001
其中，
Figure 462215DEST_PATH_IMAGE002
用于表示第i个佐辅模型，
Figure 550257DEST_PATH_IMAGE003
用于表示基于所述设计图形确定的图形函数或基于所述第一仿真图形确定的图形函数，(x,y)用于表示在所述设计图形或所述第一仿真图形上的位置坐标，qi用于表示第i个模型参数组，每个模型参数组包含第一参数x0i、第二参数y0i、第三参数
Figure 817290DEST_PATH_IMAGE004
以及第四参数
Figure 78507DEST_PATH_IMAGE005
，其中，i为正整数，且i小于等于所述第一数量。
可选的，在基于预设的卷积函数和第一数量个模型参数组构建第一数量个佐辅模型之前，所述方法还包括：预先确定所述模型参数组中的各个参数的预设取值范围；对于每组模型参数组中的参数，在所述预设取值范围内随机赋值。
可选的，分别确定第一数量个第二仿真图形、所述第一仿真图形与所述设计图形之间的偏差CD成本包括：对于每个第二仿真图形的每个预设关键位置，分别确定所述第一仿真CD和第二仿真CD的CD之和，以及确定该CD之和与所述设计CD的差值；对于每个第二仿真图形，基于各个预设关键位置的差值，确定偏差CD成本。
可选的，对于每个第二仿真图形，采用下述成本函数，计算所述偏差CD成本：
Figure 481806DEST_PATH_IMAGE006
其中，
Figure 740749DEST_PATH_IMAGE007
用于表示第i个第二仿真图形的偏差CD成本，
Figure 495079DEST_PATH_IMAGE008
用于表示所述第一仿真图形在第j个预设关键位置的CD，
Figure 45140DEST_PATH_IMAGE009
用于表示第i个第二仿真图形在第j个预设关键位置的CD，
Figure 568525DEST_PATH_IMAGE010
用于表示设计图形在第j个预设关键位置的CD，M用于表示所述预设关键位置的数量，其中，j为正整数，且1≤j≤M。
可选的，所述设计图形选自：掩膜版设计图形以及光刻设计图形。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种基于上述目标佐辅模型的光学修正方法，包括：将待修正图形输入到所述初始光学修正模型中，获取与所述待修正图形对应的第一修正仿真图形，并确定所述第一修正仿真图形在所述预设关键位置的第一修正仿真CD；基于上述的目标佐辅模型获得所述第一修正仿真图形对应的第二修正仿真图形，或者，基于上述的目标佐辅模型获得所述待修正图形对应的第二修正仿真图形，并确定所述第二修正仿真图形在所述预设关键位置的第二修正仿真CD；采用所述第一修正仿真CD以及第二修正仿真CD的和，对所述待修正图形进行修正。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种佐辅模型的构建装置，包括：设计CD确定模块，用于确定设计图形及初始光学修正模型，并确定所述设计图形在预设关键位置的设计CD；第一仿真CD确定模块，用于基于所述初始光学修正模型，获得所述设计图形对应的第一仿真图形，并确定所述第一仿真图形在所述预设关键位置的第一仿真CD；参数组确定模块，用于基于预设的卷积函数和第一数量个模型参数组构建第一数量个佐辅模型，其中，不同的模型参数组中至少包含所述卷积函数中的参数，且不同的模型参数组中参数值不完全相同，其中，第一数量的值为不小于2的整数；第二仿真CD确定模块，用于将所述第一仿真图形分别输入到第一数量个佐辅模型以得到第一数量个第二仿真图形，或者，将所述设计图形分别输入到第一数量个佐辅模型以得到第一数量个第二仿真图形，并分别确定每一个第二仿真图形在所述预设关键位置的第二仿真CD；偏差CD成本确定模块，用于根据所述设计CD、第一仿真CD以及第二仿真CD，分别确定第一数量个第二仿真图形、所述第一仿真图形与所述设计图形之间的偏差CD成本；佐辅模型确定模块，用于根据所确定的偏差CD成本，从所述第一数量个佐辅模型中确定目标佐辅模型。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种基于上述目标佐辅模型的光学修正装置，包括：第一修正仿真CD确定模块，用于将待修正图形输入到所述初始光学修正模型中，获取与所述待修正图形对应的第一修正仿真图形，并确定所述第一修正仿真图形在所述预设关键位置的第一修正仿真CD；第二修正仿真CD确定模块，用于基于上述目标佐辅模型获得所述第一修正仿真图形对应的第二修正仿真图形，或者，基于上述目标佐辅模型获得所述待修正图形对应的第二修正仿真图形，并确定所述第二修正仿真图形在所述预设关键位置的第二修正仿真CD；修正模块，用于采用所述第一修正仿真CD以及第二修正仿真CD的和，对所述待修正图形进行修正。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器运行时执行上述佐辅模型的构建方法的步骤，或者执行上述的基于目标佐辅模型的光学修正方法的步骤。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种终端，包括存储器和处理器，所述存储器上存储有能够在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器运行所述计算机程序时执行上述佐辅模型的构建方法的步骤，或者执行上述的基于目标佐辅模型的光学修正方法的步骤。
与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：
在本发明实施例中，基于所述初始光学修正模型，获得所述设计图形对应的第一仿真图形及其第一仿真CD，然后基于预设的卷积函数和第一数量个模型参数组构建佐辅模型，然后根据佐辅模型得到第二仿真图形，并分别确定第二仿真CD，然后针对每个第二仿真图形，确定第二仿真图形、第一仿真图形与设计图形之间的偏差CD成本，并根据偏差CD成本与预设偏差CD成本阈值的比较关系，确定修正效果最好的佐辅模型。采用上述方案，由于第二仿真图形是根据佐辅模型得到的，可以在第一仿真图形与设计图形之间存在偏差的情况下，利用第二仿真图形进行补偿，因此根据偏差CD成本选择目标佐辅模型，有利于选择补偿效果较好、能够在较大程度上弥补第一仿真图形与设计图形之间的偏差的佐辅模型，从而可以在后续经初始光学修正模型和佐辅模型对待修正图形修正后，更好地提高补偿效果，增强工艺制备后的保真度。
进一步，如果存在一个或多个偏差CD成本小于等于第一预设偏差CD成本阈值，则确定目标佐辅模型，所述目标佐辅模型为偏差CD成本不大于第二预设偏差CD成本阈值的第二仿真图形对应的佐辅模型，从而可以选择偏差CD成本较低的一个或多个第二仿真图形对应的佐辅模型，即为选择了一个或多个补偿效果较好、能够在较大程度上弥补第一仿真图形与设计图形之间的偏差的佐辅模型，从而可以在后续经初始光学修正模型和佐辅模型对待修正图形修正后，更好地提高补偿效果，增强工艺制备后的保真度。
进一步，如果存在一个或多个偏差CD成本小于等于第一预设偏差CD成本阈值，则确定目标佐辅模型，所述目标佐辅模型为偏差CD成本最小的第二仿真图形对应的佐辅模型，从而可以选择偏差CD成本最低的第二仿真图形对应的佐辅模型，即为选择了补偿效果最好、能够最大程度弥补第一仿真图形与设计图形之间的偏差的佐辅模型，从而可以在后续经初始光学修正模型和佐辅模型对待修正图形修正后，更好地提高补偿效果，增强工艺制备后的保真度。
进一步，如果所确定的偏差CD成本均大于预设偏差CD成本阈值，则重新确定第二数量个模型参数组中的各个预设参数值并执行步骤C至E重新确定目标佐辅模型，直至存在一个或多个偏差CD成本小于预设偏差CD成本阈值的模型参数组，从而可以采用多组模型参数组构建多个佐辅模型，并对其进行筛选，并在当前轮次中未能选出满足需求的补偿效果的佐辅模型时，丢弃已尝试过的模型参数组，重新确定预设参数值构成多组模型参数组，进而进行构建、筛选、确定或丢弃的步骤，从而获得满足补偿效果需求的佐辅模型。
进一步，图形函数可以选自基于所述设计图形确定的图形函数，还可以选自基于所述第一仿真图形确定的图形函数，从而可以利用已确定的图形确定佐辅模型，相比于采用标准图形确定佐辅模型，能够更加具有针对性，提高准确性。
进一步，在基于预设的卷积函数和第一数量个模型参数组构建第一数量个佐辅模型之前，所述方法还包括：预先确定所述模型参数组中的各个参数的预设取值范围；对于每组模型参数组中的参数，在所述预设取值范围内随机赋值，从而有利于快速获得大量预设参数值，可以提高预设参数值的确定效率。
进一步，通过确定第一修正仿真图形以及第一修正仿真CD，基于目标佐辅模型确定第二修正仿真图形以及第二修正仿真CD，可以采用第一修正仿真CD以及第二修正仿真CD的和，对所述待修正图形进行修正，由于目标佐辅模型为已经经过验证的补偿效果最好、能够最大程度弥补第一仿真图形与设计图形之间的偏差的佐辅模型，因此在第一修正仿真CD的基础上增加第二修正仿真CD，能够在对待修正图形修正后，有效提高补偿效果，增强工艺制备后的保真度。
附图说明
图1是现有技术中一种基于规则表进行光学修正的流程示意图；
图2是本发明实施例中一种佐辅模型的构建方法的流程图；
图3是本发明实施例中一种设计图形及其设计CD的示意图；
图4是本发明实施例中另一种佐辅模型的构建方法的流程图；
图5是本发明实施例中一种基于目标佐辅模型的光学修正方法的流程图；
图6是本发明实施例中一种基于佐辅模型进行光学修正的流程示意图；
图7是本发明实施例中一种佐辅模型的构建装置的结构示意图；
图8是本发明实施例中一种基于目标佐辅模型的光学修正装置的结构示意图。
具体实施方式
在现有技术中，可以基于规则表进行光学修正。具体地，与设计图形相对应的修正量被预先制成规则表，并根据规则表进行光学修正，当通过光学修正模型得到的模拟轮廓超出误差容限时，还可以通过修正规则表并重新执行光学修正。
参照图1，图1是现有技术中一种基于规则表进行光学修正的流程示意图。
具体地，在步骤S101中，可以形成设计图形布局，该设计图形布局可以包含一个或多个设计图形。在步骤S102中，可以进行光刻，在步骤S103中，形成晶圆图案，以实现将设计图形转移至晶圆上。
然后执行步骤S104，测量晶圆CD，具体地，可以在一个或多个预设关键位置测量关键尺寸（CD）。
在步骤S105中，构建光学修正模型，其中，该光学修正模型可以采用已有的模型作为原始版本。
具体地，以OPC为例，OPC建模可以测量各种处理条件的信息，例如光照条件、掩模类型和抗蚀剂特性等信息，并提取数据。
在步骤S106中，校准光学修正模型，具体地，可以采用常规的校准方式进行校准。
在步骤S107中，可以生成规则表（Rule Table），所述规则表中可以包含预设的修正规则，还可以包含与设计图形相对应的修正量。
在步骤S108中，可以基于规则表再构建光学修正模型。
具体地，可以根据规则表进行光学修正，例如利用修正量修正设计图形，然后进行OPC验证，当通过光学修正模型得到的模拟轮廓超出误差容限时，还可以通过修正规则表、再构建光学修正模型并且重新执行光学修正，以得到符合需求的规则表和光学修正模型。
在步骤S109中，确定目标布局（Target layout）。其中，目标布局中可以包含一个或多个待修正图形。
在步骤S110中，进行重定向。具体地，可以根据基于规则表构建得到的光学修正模型，对目标布局进行重定向（Retarget）。
在步骤S111中，确定调整后的目标布局。
在步骤S112中，对调整后的目标布局进行光学修正。
在步骤S113中，确定综合布局（Synthesized Layout）。
在步骤S114中，基于综合布局得到的图形，进行光刻处理。
其中，在虚线框框出的步骤S107至步骤S111中，由于设置了制定规则表、修正规则表、再构建光学修正模型并且重新执行光学修正等步骤，相比于采用步骤S106得到的校准后的光学修正模型直接进行光学修正，可以提高光学修正效果。
然而本发明的发明人经过研究发现，随着技术节点的进步，CD不断缩小，光学修正模型的精度以及制定规则表的复杂度越来越高，由于规则表的制定和修正均需要人工完成，因此需要耗费更多的人员工作时长，出现人为错误的可能性也相应提高，不仅容易影响光学修正效果，而且会延长产品生产时长，增加生产成本。
在本发明实施例中，基于所述初始光学修正模型，获得所述设计图形对应的第一仿真图形及其第一仿真CD，然后基于预设的卷积函数和第一数量个模型参数组构建佐辅模型，然后根据佐辅模型得到第二仿真图形，并分别确定第二仿真CD，然后针对每个第二仿真图形，确定第二仿真图形、第一仿真图形与设计图形之间的偏差CD成本，并根据偏差CD成本与预设偏差CD成本阈值的比较关系，确定修正效果最好的佐辅模型。采用上述方案，由于第二仿真图形是根据佐辅模型得到的，可以在第一仿真图形与设计图形之间存在偏差的情况下，利用第二仿真图形进行补偿，因此根据偏差CD成本选择目标佐辅模型，有利于选择补偿效果较好、能够在较大程度上弥补第一仿真图形与设计图形之间的偏差的佐辅模型，从而可以在后续经初始光学修正模型和佐辅模型对待修正图形修正后，更好地提高补偿效果，增强工艺制备后的保真度。
为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
参照图2，图2是本发明实施例中一种佐辅模型的构建方法的流程图。所述佐辅模型的构建方法可以包括步骤S21至步骤S26：
步骤S21：确定设计图形及初始光学修正模型，并确定所述设计图形在预设关键位置的设计CD；
步骤S22：基于所述初始光学修正模型，获得所述设计图形对应的第一仿真图形，并确定所述第一仿真图形在所述预设关键位置的第一仿真CD；
步骤S23：基于预设的卷积函数和第一数量个模型参数组构建第一数量个佐辅模型，其中，不同的模型参数组中至少包含所述卷积函数中的参数，且不同的模型参数组中参数值不完全相同，其中，第一数量的值为不小于2的整数；
步骤S24：将所述第一仿真图形分别输入到第一数量个佐辅模型以得到第一数量个第二仿真图形，或者，将所述设计图形分别输入到第一数量个佐辅模型以得到第一数量个第二仿真图形，并分别确定每一个第二仿真图形在所述预设关键位置的第二仿真CD；
步骤S25：根据所述设计CD、第一仿真CD以及第二仿真CD，分别确定第一数量个第二仿真图形、所述第一仿真图形与所述设计图形之间的偏差CD成本；
步骤S26：根据所确定的偏差CD成本，从所述第一数量个佐辅模型中确定目标佐辅模型。
在步骤S21的具体实施中，确定设计图形以及初始光学修正模型。
其中，初始光学修正模型可以是常规的光学修正模型，例如现有的OPC模型、MPC模型、EPC模型等。
参照图3，图3是本发明实施例中一种设计图形及其设计CD的示意图。
具体地，该设计图形可以为规则形状，还可以为不规则的复杂形状，可以通过多个关键位置确定该设计图形的大小。
如图3示出的设计图形，可以通过设置四个关键位置（横向两个、纵向两个），以及根据设计CD（CD1、CD2、CD3至CD4），就能够确定设计图形的大小。可以理解的是，关键位置不限于图上示出的方式。
本发明实施例中，以一个设计图形为例来执行步骤S21-S26，以及其他步骤，从而一个设计图形对应一个第一仿真图形以及对应第一数量个第二仿真图形。而在实际应用中，由于设计图形数量众多，均可以以此过程顺次执行或者是采用多个初始光学修正模型以及配套的多个组别的佐辅模型（示例性的，以第一数量个佐辅模型为一组佐辅模型，一组佐辅模型与一个初始光学修正模型配套使用）进行，从而可以同时对模型构建流程的处理。
具体地，可以通过测量设计图形，确定预设的关键位置的设计CD，还可以基于设计图形确定图形函数（例如
Figure 998370DEST_PATH_IMAGE003
，涉及图形不同则图形函数的具体表达不同），然后根据图形函数（例如
Figure 974416DEST_PATH_IMAGE011
）计算得到预设的关键位置的设计CD，该部分对涉及图形的关键位置的CD量测和确定过程属于现有技术，本发明实施例不做赘述。
进一步地，设计图形可以选自：掩膜版设计图形以及光刻设计图形。
具体地，光刻设计图形可以用于将设计图形转移至晶圆（wafer）上，对于光刻设计图形，可以采用OPC模型确定设计CD。
掩膜版设计图形可以用于将设计图形转移至掩膜版（mask）上，对于掩膜版设计图形，可以采用MPC模型确定设计CD。
在步骤S22中，可以基于所述初始光学修正模型，获得所述设计图形对应的第一仿真图形。
具体地，可以将设计图形输入至初始光学修正模型，以得到初步修正后的图形，作为第一仿真图形，例如可以是在设计图形的基础上进行了变形（包括且不限于尺寸扩大、尺寸缩小等）。
具体地，可以通过测量第一仿真图形，确定预设的关键位置的第一仿真CD，还可以基于第一仿真图形确定图形函数（例如
Figure 577435DEST_PATH_IMAGE003
），然后根据图形函数（例如
Figure 220906DEST_PATH_IMAGE003
）计算得到预设的关键位置的第一仿真CD。
作为一个非限制性的例子，可以采用下述模型确定第一仿真图形：
Figure 556073DEST_PATH_IMAGE012
其中，I(x,y)用于表示第一仿真图形，例如可以为第一仿真图形的图形函数，
Figure 284994DEST_PATH_IMAGE013
用于表示初始光学修正模型，
Figure 363809DEST_PATH_IMAGE014
用于表示初始光学修正模型的模型参数，M(x,y)用于表示设计图形，例如可以为设计图形的图形函数，
Figure 671906DEST_PATH_IMAGE015
用于表示初始光学修正模型与设计图形之间的运算关系，例如可以为卷积运算关系。
本发明实施例中，采用不同的初始光学修正模型，则表达其函数表达F也不相同，且对采用的光学修正模型类型不做限定。
在步骤S23中，可以基于预设的卷积函数和第一数量个模型参数组构建第一数量个佐辅模型，其中，第一数量的值为不小于2的整数。
进一步地，基于预设的卷积函数和第一数量个模型参数组构建第一数量个佐辅模型的步骤可以包括：确定第一数量个模型参数组和每个模型参数组中的各个预设参数值；将每个模型参数组中的预设参数值，代入预设的卷积函数，以构建第一数量个佐辅模型。
具体地，不同的模型参数组中至少包含所述卷积函数中的参数，且不同的模型参数组中参数值不完全相同。
在一个非限制的具体实施例中，可以采用qi表示第i个模型参数组，预设的卷积函数中包含第一参数x0、第二参数y0、第三参数
Figure 177974DEST_PATH_IMAGE016
以及第四参数
Figure 456508DEST_PATH_IMAGE017
，则各个qi中可以均包含上述四个参数（第一参数x0i、第二参数y0i、第三参数
Figure 339014DEST_PATH_IMAGE018
以及第四参数
Figure 691498DEST_PATH_IMAGE005
），此外，不同的模型参数组中还可以根据情况额外包含其他适当的参数。
其中，不同的模型参数组中参数值不完全相同，以q1和q2为例，卷积函数包含的四个参数中，要存在一个或多个参数的参数值不同，如已知x01=x02、y01=y02、
Figure 634046DEST_PATH_IMAGE019
，则需要
Figure 885030DEST_PATH_IMAGE020
。
进一步地，在基于预设的卷积函数和第一数量个模型参数组构建第一数量个佐辅模型之前，所述方法还可以包括：确定每个模型参数组中的各个预设参数值。
更进一步地，确定每个模型参数组中的各个预设参数值的步骤可以包括：预先确定所述模型参数组中的各个参数的预设取值范围；对于每组模型参数组中的参数，在所述预设取值范围内随机赋值。
具体地，以模型参数组中包含第一参数x0、第二参数y0、第三参数
Figure 305647DEST_PATH_IMAGE016
以及第四参数
Figure 778216DEST_PATH_IMAGE021
为例，上述参数均用于指示CD修正量，可视为长度概念，因此可以预先确定所述模型参数组中的各个参数的可选长度的范围，例如第一参数x0、第二参数y0的取值可以为几个微米至几百微米，或者零点几微米至几十微米；例如第三参数
Figure 626087DEST_PATH_IMAGE016
以及第四参数
Figure 551317DEST_PATH_IMAGE017
的取值可以为零点几微米至几十微米，或者几个微米至几百微米。
在本发明实施例中，在基于预设的卷积函数和第一数量个模型参数组构建第一数量个佐辅模型之前，所述方法还包括：预先确定所述模型参数组中的各个参数的预设取值范围；对于每组模型参数组中的参数，在所述预设取值范围内随机赋值，从而有利于快速获得大量预设参数值，可以提高预设参数值的确定效率。
进一步地，每一个佐辅模型均采用所述高斯卷积函数以及图形函数构成；其中，所述图形函数选自：基于所述设计图形确定的图形函数以及基于所述第一仿真图形确定的图形函数。
在本发明实施例中，图形函数可以选自基于所述设计图形确定的图形函数，还可以选自基于所述第一仿真图形确定的图形函数，从而可以利用已确定的图形确定佐辅模型，相比于采用标准图形确定佐辅模型，能够更加具有针对性，提高准确性。
在本发明实施例中，通过采用第一仿真图形确定图形函数，进而构建第一数量个佐辅模型，可以利用初始光学修正模型对设计图形的修正结果（即第一仿真图形）构建佐辅模型，相比于采用设计图形确定图形函数，额外增多一轮修正，有助于提高修正效果。
更进一步地，可以采用下述高斯卷积函数构建所述第一数量个佐辅模型：
Figure 837942DEST_PATH_IMAGE001
其中，
Figure 165018DEST_PATH_IMAGE002
用于表示第i个佐辅模型，
Figure 449369DEST_PATH_IMAGE003
用于表示基于所述设计图形确定的图形函数或基于所述第一仿真图形确定的图形函数，(x,y)用于表示在所述设计图形或所述第一仿真图形上的位置坐标，qi用于表示第i个模型参数组，每个模型参数组包含第一参数x0i、第二参数y0i、第三参数
Figure 861896DEST_PATH_IMAGE004
以及第四参数
Figure 624316DEST_PATH_IMAGE005
，其中，i为正整数，且i小于等于所述第一数量。
需要指出的是，根据本发明实施例提供的佐辅模型
Figure 618947DEST_PATH_IMAGE022
，在四个参数确定以后，当图形函数（每个设计图形在设计完成后是确定的，那么对应的图形函数也是可以确定的）的表达式确定下来，则可以通过上述运算获得佐辅模型。此外，还可以采用其他适当的卷积函数，如高斯多项式卷积函数等构建所述第一数量个佐辅模型，本发明实施例中对于卷积函数的选择不做限制。
在本发明实施例中，通过选用高斯卷积函数，可以利用高斯卷积函数的平滑效应和展宽效应，提高佐辅模型的准确性。
继续参照图2，在步骤S24的具体实施中，将所述第一仿真图形分别输入到第一数量个佐辅模型，以得到第一数量个第二仿真图形，或者，将所述设计图形分别输入到第一数量个佐辅模型以得到第一数量个第二仿真图形，并分别确定每一个第二仿真图形在所述预设关键位置的第二仿真CD。
其中，如果在步骤S23中佐辅模型是基于第一仿真图形确定的图形函数构建的，则可以将第一仿真图形分别输入到第一数量个佐辅模型，以得到第一数量个第二仿真图形；如果在步骤S23中佐辅模型是基于设计图形确定的图形函数构建的，则可以将设计图形分别输入到第一数量个佐辅模型，以得到第一数量个第二仿真图形。
可以理解的是，可以是基于第一仿真图形或设计图形形成图形函数，然后将该图形函数输入佐辅模型。
具体地，可以通过测量第二仿真图形，确定预设的关键位置的第二仿真CD，还可以基于第二仿真图形的图形函数计算得到预设的关键位置的第二仿真CD。
在步骤S25的具体实施中，根据所述设计CD、第一仿真CD以及第二仿真CD，分别确定第一数量个第二仿真图形、所述第一仿真图形与所述设计图形之间的偏差CD成本。
具体地，针对每个设计图形，可以得到一个第一仿真图形与第一数量个第二仿真图形，其中，第二仿真图形与佐辅模型一一对应。
针对每个第二仿真图形，可以确定偏差CD成本，也可视为对应的佐辅模型的偏差CD成本。
进一步地，分别确定第一数量个第二仿真图形、所述第一仿真图形与所述设计图形之间的偏差CD成本的步骤可以包括：对于每个第二仿真图形的每个预设关键位置，分别确定所述第一仿真CD和第二仿真CD的CD之和，然后确定该CD之和与所述设计CD的差值；对于每个第二仿真图形，基于各个预设关键位置的差值，确定偏差CD成本。
更进一步地，对于每个第二仿真图形，可以采用下述成本函数，计算所述偏差CD成本：
Figure 74200DEST_PATH_IMAGE006
其中，
Figure 974022DEST_PATH_IMAGE007
用于表示第i个第二仿真图形的偏差CD成本，
Figure 540133DEST_PATH_IMAGE008
用于表示所述第一仿真图形在第j个预设关键位置的CD，
Figure 576222DEST_PATH_IMAGE023
用于表示第i个第二仿真图形在第j个预设关键位置的CD，
Figure 264692DEST_PATH_IMAGE010
用于表示设计图形在第j个预设关键位置的CD，M用于表示所述预设关键位置的数量，其中，j为正整数，且1≤j≤M。
可以理解的是，
Figure 464861DEST_PATH_IMAGE024
用于表示第一仿真CD和第二仿真CD的CD之和，
Figure 569083DEST_PATH_IMAGE025
用于表示该CD之和与所述设计CD的差值，
Figure 725258DEST_PATH_IMAGE026
用于表示该差值的绝对值的平方。
在步骤S26的具体实施中，根据所确定的偏差CD成本，从所述第一数量个佐辅模型中确定目标佐辅模型。
进一步地，所述根据所确定的偏差CD成本，从所述第一数量个佐辅模型中确定目标佐辅模型，包括：如果存在一个或多个偏差CD成本小于等于第一预设偏差CD成本阈值，则确定目标佐辅模型，所述目标佐辅模型为偏差CD成本不大于第二预设偏差CD成本阈值的第二仿真图形对应的佐辅模型。
其中，所述第一预设偏差CD成本阈值和第二预设偏差CD成本阈值可以根据先验修正产品确定或者根据相近工艺平台的历史产品确定。
作为一个非限制性的例子，所述第一预设偏差CD成本阈值可以大于等于第二预设偏差CD成本阈值。
在本发明实施例中，如果存在一个或多个偏差CD成本小于等于第一预设偏差CD成本阈值，则确定目标佐辅模型，所述目标佐辅模型为偏差CD成本不大于第二预设偏差CD成本阈值的第二仿真图形对应的佐辅模型，从而可以选择偏差CD成本较低的一个或多个第二仿真图形对应的佐辅模型，即为选择了一个或多个补偿效果较好、能够在较大程度上弥补第一仿真图形与设计图形之间的偏差的佐辅模型，从而可以在后续经初始光学修正模型和佐辅模型对待修正图形修正后，更好地提高补偿效果，增强工艺制备后的保真度。
进一步地，所述根据所确定的偏差CD成本，从所述第一数量个佐辅模型中确定目标佐辅模型，包括：如果存在一个或多个偏差CD成本小于等于第一预设偏差CD成本阈值，则确定目标佐辅模型，所述目标佐辅模型为偏差CD成本最小的第二仿真图形对应的佐辅模型。
在本发明实施例中，如果存在一个或多个偏差CD成本小于等于第一预设偏差CD成本阈值，则确定目标佐辅模型，所述目标佐辅模型为偏差CD成本最小的第二仿真图形对应的佐辅模型，从而可以选择偏差CD成本最低的第二仿真图形对应的佐辅模型，即为选择了补偿效果最好、能够最大程度弥补第一仿真图形与设计图形之间的偏差的佐辅模型，从而可以在后续经初始光学修正模型和佐辅模型对待修正图形修正后，更好地提高补偿效果，增强工艺制备后的保真度。
在本发明实施例中，基于所述初始光学修正模型，获得所述设计图形对应的第一仿真图形及其第一仿真CD，然后基于预设的卷积函数和第一数量个模型参数组构建佐辅模型，然后根据佐辅模型得到第二仿真图形，并分别确定第二仿真CD，然后针对每个第二仿真图形，确定第二仿真图形、第一仿真图形与设计图形之间的偏差CD成本，并根据偏差CD成本与预设偏差CD成本阈值的比较关系，确定修正效果最好的佐辅模型。采用上述方案，由于第二仿真图形是根据佐辅模型得到的，可以在第一仿真图形与设计图形之间存在偏差的情况下，利用第二仿真图形进行补偿，因此根据偏差CD成本选择目标佐辅模型，有利于选择补偿效果较好、能够在较大程度上弥补第一仿真图形与设计图形之间的偏差的佐辅模型，从而可以在后续经初始光学修正模型和佐辅模型对待修正图形修正后，更好地提高补偿效果，增强工艺制备后的保真度。
进一步地，所述的佐辅模型的构建方法还可以包括：如果所确定的偏差CD成本均大于预设偏差CD成本阈值，则重新确定第二数量个模型参数组中的各个预设参数值并执行步骤S23至步骤S25重新确定目标佐辅模型，直至存在一个或多个偏差CD成本小于预设偏差CD成本阈值的模型参数组。
参照图4，图4是本发明实施例中另一种佐辅模型的构建方法的流程图。所述另一种佐辅模型的构建方法可以包括图2示出的步骤S21至步骤S25，还可以包括步骤S46至步骤S48，以下对图4与图2中不同的内容进行说明。
在步骤S46中，判断是否存在一个或多个偏差CD成本小于等于预设偏差CD成本阈值，如果判断结果为是，则可以执行步骤S47，反正，则可以执行步骤S48。
在步骤S47中，确定目标佐辅模型。
具体地，可以参照图2中的步骤S26，确定偏差CD成本最低的第二仿真图形对应的佐辅模型作为目标佐辅模型，此处不再赘述。
在步骤S48中，可以重新确定第二数量个模型参数组中的各个预设参数值，然后返回执行步骤S23。
可以理解的是，在返回执行步骤S23至步骤S25时，由于确定的是第二数量个模型参数组，且第二数量与第一数量可以相同，还可以不同，因此会将第一数量替换为第二数量，改为构建第二数量的佐辅模型、得到第二数量的第二仿真图形，从而避免对后续轮次的佐辅模型的数量的限制。
需要指出的是，如果重新确定第二数量个模型参数组，并执行步骤S23至S25重新确定第二数量个佐辅模型后，仍然不存在一个或多个偏差CD成本小于预设偏差CD成本阈值的情况，则还可以继续重新确定第三数量个模型参数组，并执行步骤S23至S25重新确定第三数量个佐辅模型，直至存在一个或多个偏差CD成本小于预设偏差CD成本阈值的模型参数组。
可以理解的是，在具体实施中，还可以设置预设轮次阈值以及最长仿真时长，如果经过一轮或多轮构建佐辅模型后，仍然不存在一个或多个偏差CD成本小于预设偏差CD成本阈值的情况，可以在构建轮次达到预设轮次阈值，或总时长达到最长仿真时长时，停止重新确定模型参数组的步骤。
在本发明实施例中，如果所确定的偏差CD成本均大于预设偏差CD成本阈值，则重新确定第二数量个模型参数组中的各个预设参数值并执行步骤S23至步骤S25重新确定目标佐辅模型，直至存在一个或多个偏差CD成本小于预设偏差CD成本阈值的模型参数组，从而可以采用多组模型参数组构建多个佐辅模型，并对其进行筛选，并在当前轮次中未能选出满足需求的补偿效果的佐辅模型时，丢弃已尝试过的模型参数组，重新确定预设参数值构成多组模型参数组，进而进行构建、筛选、确定或丢弃的步骤，从而获得满足补偿效果需求的佐辅模型。
参照图5，图5是本发明实施例中一种基于目标佐辅模型的光学修正方法的流程图。所述目标佐辅模型可以是基于图2至图4示出的佐辅模型的构建方法中得到的目标佐辅模型。
其中，所述基于目标佐辅模型的光学修正方法可以包括步骤S51至步骤S53，以下对各个步骤进行说明。
步骤S51：将待修正图形输入到所述初始光学修正模型中，获取与所述待修正图形对应的第一修正仿真图形，并确定所述第一修正仿真图形在所述预设关键位置的第一修正仿真CD。
其中，所述初始光学修正模型可以继续采用在图2示出的步骤S22中的初始光学修正模型，由于在图形函数为基于所述第一仿真图形确定的图形函数时，目标佐辅模型的确定基础包含初始光学修正模型（根据初始光学修正模型确定的第一仿真图形），因此通过继续采用初始光学修正模型，可以提高仿真准确性和一致性。
具体地，可以通过测量第一修正仿真图形，确定预设的关键位置的第一修正仿真CD，还可以基于第一修正仿真图形的图形函数计算得到预设的关键位置的第一修正仿真CD。
步骤S52：基于目标佐辅模型获得所述第一修正仿真图形对应的第二修正仿真图形，或者，基于目标佐辅模型获得所述待修正图形对应的第二修正仿真图形，并确定所述第二修正仿真图形在所述预设关键位置的第二修正仿真CD。
具体地，以上述基于高斯卷积函数构建为例，目标佐辅模型可以表示如下：
Figure 584629DEST_PATH_IMAGE027
其中，
Figure 193465DEST_PATH_IMAGE028
用于表示目标佐辅模型（采用第m个佐辅模型表示），
Figure 366958DEST_PATH_IMAGE011
用于表示基于所述待修正图形确定的图形函数或基于所述第一修正仿真图形确定的图形函数，(x,y)用于表示在所述待修正图形或所述第一修正仿真图形上的位置坐标，qm用于表示第m个模型参数组，每个模型参数组包含第一参数x0m、第二参数y0m、第三参数
Figure 377639DEST_PATH_IMAGE029
以及第四参数
Figure 161574DEST_PATH_IMAGE030
。
具体地，可以通过测量第二修正仿真图形，确定预设的关键位置的第二修正仿真CD，还可以基于第二修正仿真图形的图形函数计算得到预设的关键位置的第二修正仿真CD。
步骤S53：采用所述第一修正仿真CD以及第二修正仿真CD的和，对所述待修正图形进行修正。
作为一个非限制性的例子，如第一修正仿真CD用于指示添加第一扩大长度，第二修正仿真CD用于指示添加第二扩大长度，则可以采用所述第一修正仿真CD以及第二修正仿真CD的和，对待修正图形的长度进行扩大，且扩大量为第一扩大长度和第二扩大长度之和。
在本发明实施例中，通过确定第一修正仿真图形以及第一修正仿真CD，基于目标佐辅模型确定第二修正仿真图形以及第二修正仿真CD，可以采用第一修正仿真CD以及第二修正仿真CD的和，对所述待修正图形进行修正，由于目标佐辅模型为已经经过验证的补偿效果最好、能够最大程度弥补第一仿真图形与设计图形之间的偏差的佐辅模型，因此在第一修正仿真CD的基础上增加第二修正仿真CD，能够在对待修正图形修正后，有效提高补偿效果，增强工艺制备后的保真度。
参照图6，图6是本发明实施例中一种基于佐辅模型进行光学修正的流程示意图。以下对与图1不同的内容进行说明。
在步骤S607中，构建佐辅模型。
具体地，可以采用步骤S106中确定的校准光学修正模型，作为初始光学修正模型，以构建佐辅模型。
在步骤S608中，确定目标佐辅模型。
具体地，可以参照图2及图4示出的步骤确定目标佐辅模型。
可以理解的是，可以在佐辅模型带来的补偿效果的基础上，执行图6示出的步骤S109至步骤S114。
需要指出的是，在一种非限制性的具体实施例中，还可以结合图1和图6示出的技术方案，既生成规则表，基于规则表再构建光学修正模型确定第一修正量，又构建佐辅模型以及确定目标佐辅模型，基于目标佐辅模型确定第二修正量，进而结合采用第一修正量和第二修正量对待修正图形进行修正。例如，可以采用第一修正量和第二修正量的和对待修正图形进行修正。
参照图7，图7是本发明实施例中一种佐辅模型的构建装置的结构示意图。所述佐辅模型的构建装置可以包括：
设计CD确定模块71，用于确定设计图形及初始光学修正模型，并确定所述设计图形在预设关键位置的设计CD；
第一仿真CD确定模块72，用于基于所述初始光学修正模型，获得所述设计图形对应的第一仿真图形，并确定所述第一仿真图形在所述预设关键位置的第一仿真CD；
参数组确定模块73，用于基于预设的卷积函数和第一数量个模型参数组构建第一数量个佐辅模型，其中，不同的模型参数组中至少包含所述卷积函数中的参数，且不同的模型参数组中参数值不完全相同，其中，第一数量的值为不小于2的整数；
第二仿真CD确定模块74，用于将所述第一仿真图形分别输入到第一数量个佐辅模型以得到第一数量个第二仿真图形，或者，将所述设计图形分别输入到第一数量个佐辅模型以得到第一数量个第二仿真图形，并分别确定每一个第二仿真图形在所述预设关键位置的第二仿真CD；
偏差CD成本确定模块75，用于根据所述设计CD、第一仿真CD以及第二仿真CD，分别确定第一数量个第二仿真图形、所述第一仿真图形与所述设计图形之间的偏差CD成本；
佐辅模型确定模块76，用于根据所确定的偏差CD成本，从所述第一数量个佐辅模型中确定目标佐辅模型。
关于该佐辅模型的构建装置的原理、具体实现和有益效果请参照前文所述的关于佐辅模型的构建方法的相关描述，此处不再赘述。
参照图8，图8是本发明实施例中一种基于目标佐辅模型的光学修正装置的结构示意图。所述基于目标佐辅模型的光学修正装置可以包括：
第一修正仿真CD确定模块81，用于将待修正图形输入到所述初始光学修正模型中，获取与所述待修正图形对应的第一修正仿真图形，并确定所述第一修正仿真图形在所述预设关键位置的第一修正仿真CD；
第二修正仿真CD确定模块82，用于基于目标佐辅模型获得所述第一修正仿真图形对应的第二修正仿真图形，或者，基于目标佐辅模型获得所述待修正图形对应的第二修正仿真图形，并确定所述第二修正仿真图形在所述预设关键位置的第二修正仿真CD；
修正模块83，用于采用所述第一修正仿真CD以及第二修正仿真CD的和，对所述待修正图形进行修正。
关于该基于目标佐辅模型的光学修正装置的原理、具体实现和有益效果请参照前文所述的基于目标佐辅模型的光学修正方法的相关描述，此处不再赘述。
本发明实施例还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器运行时执行上述方法的步骤。所述计算机可读存储介质例如可以包括非挥发性存储器（non-volatile）或者非瞬态（non-transitory）存储器，还可以包括光盘、机械硬盘、固态硬盘等。
具体地，在本发明实施例中，所述处理器可以为中央处理单元（centralprocessing unit，CPU），该处理器还可以是其他通用处理器、数字信号处理器（digitalsignal processor，DSP）、专用集成电路（application specific integrated circuit，ASIC）、现场可编程门阵列（field programmable gate array，FPGA）或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。
还应理解，本申请实施例中的存储器可以是易失性存储器或非易失性存储器，或可包括易失性和非易失性存储器两者。其中，非易失性存储器可以是只读存储器（read-only memory， ROM）、可编程只读存储器（programmable ROM，PROM）、可擦除可编程只读存储器（erasable PROM，EPROM）、电可擦除可编程只读存储器（electrically EPROM，EEPROM）或闪存。易失性存储器可以是随机存取存储器（random access memory，RAM），其用作外部高速缓存。通过示例性但不是限制性说明，许多形式的随机存取存储器（random accessmemory，RAM）可用，例如静态随机存取存储器（static RAM，SRAM）、动态随机存取存储器（DRAM）、同步动态随机存取存储器（synchronous DRAM，SDRAM）、双倍数据速率同步动态随机存取存储器（double data rate SDRAM，DDR SDRAM）、增强型同步动态随机存取存储器（enhanced SDRAM，ESDRAM）、同步连接动态随机存取存储器（synchlink DRAM，SLDRAM）和直接内存总线随机存取存储器（direct rambus RAM，DR RAM）。
本发明实施例还提供了一种终端，包括存储器和处理器，所述存储器上存储有能够在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器运行所述计算机程序时执行上述佐辅模型的构建方法的步骤，或者执行基于目标佐辅模型的光学修正方法的步骤。所述终端包括但不限于手机、计算机、平板电脑、服务器、云平台等终端设备。
应理解，本文中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，表示前后关联对象是一种“或”的关系。
本申请实施例中出现的“多个”是指两个或两个以上。
本申请实施例中出现的第一、第二等描述，仅作示意与区分描述对象之用，没有次序之分，也不表示本申请实施例中对设备个数的特别限定，不能构成对本申请实施例的任何限制。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (15)

1.一种佐辅模型的构建方法，其特征在于，包括：
步骤A：确定设计图形及初始光学修正模型，并确定所述设计图形在预设关键位置的设计关键尺寸；
步骤B：基于所述初始光学修正模型，获得所述设计图形对应的第一仿真图形，并确定所述第一仿真图形在所述预设关键位置的第一仿真关键尺寸；
步骤C：基于预设的卷积函数和第一数量个模型参数组构建第一数量个佐辅模型，其中，不同的模型参数组中至少包含所述卷积函数中的参数，且不同的模型参数组中参数值不完全相同，其中，第一数量的值为不小于2的整数；
步骤D：将所述第一仿真图形分别输入到第一数量个佐辅模型以得到第一数量个第二仿真图形，或者，将所述设计图形分别输入到第一数量个佐辅模型以得到第一数量个第二仿真图形，并分别确定每一个第二仿真图形在所述预设关键位置的第二仿真关键尺寸；
步骤E：根据所述设计关键尺寸、第一仿真关键尺寸以及第二仿真关键尺寸，分别确定第一数量个第二仿真图形、所述第一仿真图形与所述设计图形之间的偏差关键尺寸成本；
步骤F：根据所确定的偏差关键尺寸成本，从所述第一数量个佐辅模型中确定目标佐辅模型；
其中，分别确定第一数量个第二仿真图形、所述第一仿真图形与所述设计图形之间的偏差关键尺寸成本包括：
对于每个第二仿真图形的每个预设关键位置，分别确定所述第一仿真关键尺寸和第二仿真关键尺寸的关键尺寸之和，以及确定该关键尺寸之和与所述设计关键尺寸的差值；
对于每个第二仿真图形，基于各个预设关键位置的差值，确定偏差关键尺寸成本。
2.根据权利要求1所述的佐辅模型的构建方法，其特征在于，所述根据所确定的偏差关键尺寸成本，从所述第一数量个佐辅模型中确定目标佐辅模型，包括：
如果存在一个或多个偏差关键尺寸成本小于等于第一预设偏差关键尺寸成本阈值，则确定目标佐辅模型，所述目标佐辅模型为偏差关键尺寸成本不大于第二预设偏差关键尺寸成本阈值的第二仿真图形对应的佐辅模型。
3.根据权利要求1所述的佐辅模型的构建方法，其特征在于，所述根据所确定的偏差关键尺寸成本，从所述第一数量个佐辅模型中确定目标佐辅模型，包括：
如果存在一个或多个偏差关键尺寸成本小于等于第一预设偏差关键尺寸成本阈值，则确定目标佐辅模型，所述目标佐辅模型为偏差关键尺寸成本最小的第二仿真图形对应的佐辅模型。
4.根据权利要求1-3任一项所述的佐辅模型的构建方法，其特征在于，还包括：
如果所确定的偏差关键尺寸成本均大于预设偏差关键尺寸成本阈值，则重新确定第二数量个模型参数组中的各个预设参数值并执行步骤C至E重新确定目标佐辅模型，直至存在一个或多个偏差关键尺寸成本小于预设偏差关键尺寸成本阈值的模型参数组。
5.根据权利要求1所述的佐辅模型的构建方法，其特征在于，基于预设的卷积函数和第一数量个模型参数组构建第一数量个佐辅模型，包括：
确定第一数量个模型参数组和每个模型参数组中的各个预设参数值；
将每个模型参数组中的预设参数值，代入预设的卷积函数，以构建第一数量个佐辅模型。
6.根据权利要求1-3任一项所述的佐辅模型的构建方法，其特征在于，每一个佐辅模型均采用高斯卷积函数以及图形函数构成；
其中，所述图形函数选自：基于所述设计图形确定的图形函数以及基于所述第一仿真图形确定的图形函数。
7.根据权利要求5所述的佐辅模型的构建方法，其特征在于，
采用下述高斯卷积函数构建所述第一数量个佐辅模型：
Figure 454037DEST_PATH_IMAGE002
其中，
Figure 433494DEST_PATH_IMAGE004
用于表示第i个佐辅模型，
Figure 213231DEST_PATH_IMAGE006
用于表示基于所述设计图形确定的图形函数或基于所述第一仿真图形确定的图形函数，(x,y)用于表示在所述设计图形或所述第一仿真图形上的位置坐标，qi用于表示第i个模型参数组，每个模型参数组包含第一参数x0i、第二参数y0i、第三参数
Figure 608441DEST_PATH_IMAGE008
以及第四参数
Figure 422813DEST_PATH_IMAGE010
，其中，i为正整数，且i小于等于所述第一数量。
8.根据权利要求1所述的佐辅模型的构建方法，其特征在于，在基于预设的卷积函数和第一数量个模型参数组构建第一数量个佐辅模型之前，所述方法还包括：
预先确定所述模型参数组中的各个参数的预设取值范围；
对于每组模型参数组中的参数，在所述预设取值范围内随机赋值。
9.根据权利要求1所述的佐辅模型的构建方法，其特征在于，对于每个第二仿真图形，采用下述成本函数，计算所述偏差关键尺寸成本：
Figure 49536DEST_PATH_IMAGE012
其中，
Figure 316569DEST_PATH_IMAGE014
用于表示第i个第二仿真图形的偏差关键尺寸成本，
Figure 577786DEST_PATH_IMAGE016
用于表示所述第一仿真图形在第j个预设关键位置的关键尺寸，
Figure 246665DEST_PATH_IMAGE018
用于表示第i个第二仿真图形在第j个预设关键位置的关键尺寸，
Figure 240029DEST_PATH_IMAGE020
用于表示设计图形在第j个预设关键位置的关键尺寸，M用于表示所述预设关键位置的数量，其中，j为正整数，且1≤j≤M。
10.根据权利要求1所述的佐辅模型的构建方法，其特征在于，
所述设计图形选自：掩膜版设计图形以及光刻设计图形。
11.一种目标佐辅模型的光学修正方法，其特征在于，所述目标佐辅模型是基于权利要求1至9任一项所述的佐辅模型的构建方法得到的，所述方法包括：
将待修正图形输入到所述初始光学修正模型中，获取与所述待修正图形对应的第一修正仿真图形，并确定所述第一修正仿真图形在所述预设关键位置的第一修正仿真关键尺寸；
基于权利要求1至9任一项所述的目标佐辅模型获得所述第一修正仿真图形对应的第二修正仿真图形，或者，基于权利要求1至9任一项所述的目标佐辅模型获得所述待修正图形对应的第二修正仿真图形，并确定所述第二修正仿真图形在所述预设关键位置的第二修正仿真关键尺寸；
采用所述第一修正仿真关键尺寸以及第二修正仿真关键尺寸的和，对所述待修正图形进行修正。
12.一种佐辅模型的构建装置，其特征在于，包括：
设计关键尺寸确定模块，用于确定设计图形及初始光学修正模型，并确定所述设计图形在预设关键位置的设计关键尺寸；
第一仿真关键尺寸确定模块，用于基于所述初始光学修正模型，获得所述设计图形对应的第一仿真图形，并确定所述第一仿真图形在所述预设关键位置的第一仿真关键尺寸；
参数组确定模块，用于基于预设的卷积函数和第一数量个模型参数组构建第一数量个佐辅模型，其中，不同的模型参数组中至少包含所述卷积函数中的参数，且不同的模型参数组中参数值不完全相同，其中，第一数量的值为不小于2的整数；
第二仿真关键尺寸确定模块，用于将所述第一仿真图形分别输入到第一数量个佐辅模型以得到第一数量个第二仿真图形，或者，将所述设计图形分别输入到第一数量个佐辅模型以得到第一数量个第二仿真图形，并分别确定每一个第二仿真图形在所述预设关键位置的第二仿真关键尺寸；
偏差关键尺寸成本确定模块，用于根据所述设计关键尺寸、第一仿真关键尺寸以及第二仿真关键尺寸，分别确定第一数量个第二仿真图形、所述第一仿真图形与所述设计图形之间的偏差关键尺寸成本；
佐辅模型确定模块，用于根据所确定的偏差关键尺寸成本，从所述第一数量个佐辅模型中确定目标佐辅模型；
其中，所述偏差关键尺寸成本确定模块还用于对于每个第二仿真图形的每个预设关键位置，分别确定所述第一仿真关键尺寸和第二仿真关键尺寸的关键尺寸之和，以及确定该关键尺寸之和与所述设计关键尺寸的差值，对于每个第二仿真图形，基于各个预设关键位置的差值，确定偏差关键尺寸成本。
13.一种目标佐辅模型的光学修正装置，其特征在于，所述目标佐辅模型是基于权利要求1至9任一项所述的佐辅模型的构建方法得到的，所述装置包括：
第一修正仿真关键尺寸确定模块，用于将待修正图形输入到所述初始光学修正模型中，获取与所述待修正图形对应的第一修正仿真图形，并确定所述第一修正仿真图形在所述预设关键位置的第一修正仿真关键尺寸；
第二修正仿真关键尺寸确定模块，用于基于权利要求1至9任一项所述的目标佐辅模型获得所述第一修正仿真图形对应的第二修正仿真图形，或者，基于权利要求1至9任一项所述的目标佐辅模型获得所述待修正图形对应的第二修正仿真图形，并确定所述第二修正仿真图形在所述预设关键位置的第二修正仿真关键尺寸；
修正模块，用于采用所述第一修正仿真关键尺寸以及第二修正仿真关键尺寸的和，对所述待修正图形进行修正。
14.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器运行时执行权利要求1至10任一项所述佐辅模型的构建方法的步骤，或者执行权利要求11所述的目标佐辅模型的光学修正方法的步骤。
15.一种终端，包括存储器和处理器，所述存储器上存储有能够在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器运行所述计算机程序时执行权利要求1至10任一项所述佐辅模型的构建方法的步骤，或者执行权利要求11所述的目标佐辅模型的光学修正方法的步骤。
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