CN104614930B - 建立opc模型的方法、光学邻近校准用户目标图形的方法 - Google Patents

建立opc模型的方法、光学邻近校准用户目标图形的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104614930B
CN104614930B CN201310542524.9A CN201310542524A CN104614930B CN 104614930 B CN104614930 B CN 104614930B CN 201310542524 A CN201310542524 A CN 201310542524A CN 104614930 B CN104614930 B CN 104614930B
Authority
CN
China
Prior art keywords
model
segment
light intensity
spirte
spatial light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201310542524.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104614930A (zh
Inventor
曹清晨
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Original Assignee
Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp filed Critical Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority to CN201310542524.9A priority Critical patent/CN104614930B/zh
Publication of CN104614930A publication Critical patent/CN104614930A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104614930B publication Critical patent/CN104614930B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

一种建立OPC模型的方法和光学邻近校准用户目标图形的方法，其中，建立OPC模型的方法包括：提供具有多个子图形的测试图形和初始的OPC模型，其中，所述子图形分为多个片段，所述初始的OPC模型依据光学透镜系统参数和光刻参数建立；依据所述初始的OPC模型对所述测试图形进行模拟，得到所述各片段的空间光强参数；依据所述各片段的空间光强参数的分布情况对各片段进行分组；根据各组内对应的片段的空间光强参数，分别建立相对应的子空间模型。可以针对测试图形中的子图形的空间光强参数的不同，分别采用不同的子空间模型对其进行光学邻近校准有效提高后续形成在晶圆上的图形的质量。

Description

建立OPC模型的方法、光学邻近校准用户目标图形的方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种建立OPC模型的方法、光学邻近校准用户目标图形的方法。
背景技术
在半导体制造中，随着设计尺寸的不断缩小，光的衍射效应变得越来越明显，它的结果就是最终对设计图形产生的光学影像退化，最终在硅片上经过光刻形成的实际图形变得和设计图形不同，这种现象被称为OPE（Optical Proximity Effect，光学邻近效应）。
为了修正OPE现象，便产生了OPC（Optical Proximity Correction，光学邻近效应修正）。OPC的核心思想就是基于抵消OPE现象的考虑建立OPC模型，根据OPC模型设计光掩模图形，这样虽然光刻后的光刻图形相对应光掩模图形发生了OPC现象，但是由于在根据OPC模型设计光掩模图形时已经考虑了对该现象的抵消，因此，光刻后的光刻图形接近于用户实际希望得到的目标图形。
然而，实际制造过程中，采用现有OPC模型制造出的图形质量仍然有待提高。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种建立OPC模型的方法、光学邻近校准用户目标图形的方法，以进一步提高图形质量。
为解决上述问题，本发明提供一种建立OPC模型的方法，包括：提供具有多个子图形的测试图形和初始的OPC模型，其中，所述子图形分为多个片段，所述初始的OPC模型依据光学透镜系统参数和光刻参数建立；依据所述初始的OPC模型对所述测试图形进行模拟，得到所述各片段的空间光强参数；依据所述各片段的空间光强参数的分布情况对各片段进行分组；根据各组内对应的片段的空间光强参数，分别建立相对应的子空间模型。
可选的，得到所述各片段的空间光强参数的步骤为：以每个片段的中点为中心，在垂直图形边界的直线上取若干个图形内外区域的测试点，以上述各测试点的光强绘制的空间光强分布曲线；获取光刻胶曝光参考阈值；寻找光刻胶曝光参考阈值与该片段的空间光强分布曲线的交点；以所述交点为中心在第一空间范围内搜寻空间光强分布曲线的最大光强、最小光强，以及该交点处对应的斜率。
可选的，依据所述各片段的空间光强参数的分布情况对各片段进行分组的方法为：选取上述空间光强参数中的至少两个建立坐标系，根据各片段中的空间光强参数在坐标系中的位置分布对其进行分组。
可选的，所述子图形各片段的空间光强分布曲线为最佳聚焦平面的空间光强分布。
可选的，根据各组内对应的片段的空间光强参数，分别建立相对应的子空间模型的步骤包括：建立初始的子空间模型；采用所述初始的子空间模型对与之相对应的组内的子图形的片段进行模拟校准；根据校准结果修改所述初始的子空间模型直至模拟得到的子图形与实际的子图形一致。
可选的，所述测试图形至少包含了与用户目标图形中的微细图形相对应的多个子图形。
可选的，所述子图形分为多个片段，每一个片段的长度相等。
可选的，所述简化的光刻胶模型包括光刻胶曝光参考阈值。
相应的，本发明的技术方案还提供了一种光学邻近校准用户目标图形的方法，包括：提供用户目标图形、测试图形和采用如上述任一项方法建立的多个子空间模型，其中，所述测试图形至少包括与用户目标图形的微细图形相对应的子图形，所述子图形具有与其相对应的子空间模型；逐一获取与用户目标图形的微细图形相对应的子图形，并根据所述子图形获取各微细图形所对应的子空间模型，将该子空间模型作为对应的微细图形光学邻近校准时的模型。
与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：
由于本发明的实施例中根据测试图形中的子图形的各个片段的空间光强参数的分布情况，对各片段进行了分组，并分别建立了相对应的子空间模型。即可以针对测试图形中的子图形的空间光强参数的不同，分别采用不同的子空间模型对其进行光学邻近校准，代替了现有技术中仅采用一个OPC模型对测试图形进行光学邻近校准的方式，可以有效提高后续形成在晶圆上的图形的质量。
进一步的，通过逐一获取与用户目标图形的微细图形相对应的子图形，并根据所述子图形获取各微细图形所对应的子空间模型，将该子空间模型作为对应的微细图形光学邻近校准时的模型。有效缩短了光学邻近校准时间和制造时间，并且后续形成在晶圆上的图形的质量较高，有效提高了良率。
附图说明
图1是本发明实施例建立OPC模型的方法的流程示意图；
图2是本发明实施例对测试图形中的子图形进行划分片段的示意图；
图3是本发明实施例中一片段的空间光强分布曲线示意图；
图4是本发明实施例中各片段中的空间光强参数在坐标系中的位置分布示意图；
图5是本发明实施例的光学邻近校准用户目标图形的方法的流程示意图；
图6是本发明实施例的光学邻近校准用户目标图形时的结构示意图。
具体实施方式
正如背景技术所述，采用现有技术的OPC模型制造出的图形的质量有待提高。
经过研究得知，随着工艺尺寸的进一步减小，目标图形的最小线宽也逐渐减小。通常，最小线宽与光学透镜系统中的数值孔径（Numerical Aperture，NA）大小紧密相关，光学透镜系统中的数值孔径越大，形成的实际图形的最小线宽越小。然而，光学透镜系统中的数值孔径还与实际的工艺窗口（Process Window）相关联，光学透镜系统中的数值孔径越大，实际的工艺窗口则会减小，小的工艺窗口使得光刻工艺条件下降，最终影响形成的实际图形的良率。现有技术在建立OPC模型时，通常会折衷考虑数值孔径与工艺窗口的影响，选取一个适中的数值孔径的值，并以此为基准建立OPC模型。采用该OPC模型形成的实际图形则会存在部分图形质量较好，而另一部分图形质量较差的情况。
经过进一步分析，本申请中根据各子图形的关键参数，例如最大光强（Imax）、最小光强（Imin）和斜率（slope）中的至少两个参数，将测试图形中的各子图形进行分组，针对各组内的子图形分别建立各子OPC模型，使得每组子图形经各自对应的子OPC模型形成的图形质量较好。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
请参考图1，本发明实施例的建立OPC模型的方法包括如下步骤：
步骤S101，提供具有多个子图形的测试图形和初始的OPC模型，其中，所述子图形分为多个片段，所述初始的OPC模型依据光学透镜系统参数和光刻参数建立；
步骤S102，依据所述初始的OPC模型对所述测试图形进行模拟，得到所述各片段的空间光强参数；
步骤S103，依据所述各片段的空间光强参数的分布情况对各片段进行分组；
步骤S104，根据各组内对应的片段的空间光强参数，分别建立相对应的子空间模型。
其中，所述测试图形至少包含了与用户目标图形中的微细图形相对应的多个子图形，也就是说，用户目标图形中的每一个微细图形都可以在所述测试图形中找到与之相对应的子图形。在本发明的实施例中，所述测试图形为掩膜板上设计的图形，且为当前制造工艺水平或节点下所用到的所有类型的设计图形的集合，有利于后续建立的子空间模型具有更广泛的适应性，能够适应几乎所有用户的需求。
并且，为提高后续形成在晶圆上的图形的质量，将测试图形中的每一个子图形分成多个片段，后续分别对每一片段进行研究。在本发明的实施例中，为进一步提高后续形成在晶圆上的图形的质量，每一个子图形被等分成多个片段，即每一个片段的长度相等。具体地，请参考图2，图2示出了测试图形中的一子图形20。在本发明的实施例中，先对图2中的子图形20进行边切分，即按照相同的边切分的参数，例如步长，将修正后掩膜板图形20进行均等划分为若干片段。
所述初始的OPC模型包括初始的光学模型（Initial Optical Model）和简化的光刻胶模型（CTR Model）。其中，所述光学模型依据光学透镜系统的各个参数例如数值孔径、曝光波长、以及光阻叠层的种类、厚度、折射率、消光系数等建立得到；所述简化的光刻胶模型依据光刻胶曝光参考阈值（即光刻胶曝光时所需的最小能量）等参数建立得到，即所述简化的光刻胶模型包括光刻胶曝光参考阈值，所述光刻胶曝光参考阈值与光刻胶的材质、测试图形中的子图形的分布密度等因素相关。本发明的实施例中，所述初始的OPC模型为前述折衷考虑数值孔径与工艺窗口的影响后建立的OPC模型，即所述初始的OPC模型的建立方法与现有技术相同。并且，在已知光刻胶材质的情况下，光刻胶曝光参考阈值固定，即可得知光刻胶曝光时所需的最小能量。
依据所述初始的OPC模型对所述测试图形进行模拟，得到所述各片段的空间光强参数（Aerial Parameter）。本发明的实施例中，得到所述各片段的空间光强参数的具体方法为：以每个片段的中点（例如点A）为中心，在垂直图形边界的直线上取若干个图形内外区域的测试点（test spot）（未图示），以上述各测试点的光强绘制的空间光强分布曲线；遍历整个子图形20的所有片段，即可得到子图形20的光强信息。优选地，所述子图形各片段的空间光强分布曲线为最佳聚焦平面的空间光强分布，如此，相对于离焦的平面，光刻胶位于最佳聚焦平面可以获得最佳的关键尺寸，利于后续在晶圆上形成较好质量的图形。
请参考图3，图3为图2中的子图形的某一片段中点A及其图形内外临界区域的空间光强分图。点A所在片段的空间光强分布曲线与光刻胶曝光参考阈值Ire具有交点，以该交点为中心在第一空间范围L内搜寻空间光强分布曲线的最大光强Imax、最小光强Imin，以及该交点处对应的斜率K。
经过研究发现，对于子图形的每个片段来说，后续形成的与之对应的图形的对比度和质量的好坏，主要与上述几个空间光强参数有关。因此，在本发明的实施例中，可以通过研究各片段的空间光强参数的分布情况，对各片段进行分组，将同等条件下，形成的质量相同或相近的这些片段分为一组。
具体地，可以选取上述空间光强参数中的至少两个建立坐标系，根据各片段中的空间光强参数在坐标系中的位置分布对其进行分组。例如，请参考图4，以选取每个片段中的最大光强Imax和最小光强Imin建立坐标系为例进行示范性说明，图4示出了坐标系的每个片段中的最大光强Imax和最小光强Imin的分布情况。其中，所述坐标系的横坐标代表了最大光强Imax分布，纵坐标代表了最小光强Imin分布。所述坐标系中包含多个参考点，每一参考点的坐标则对应于一片段的最大光强和最小光强。本发明的实施例中，根据坐标系中各参考点的位置分布，可将最大光强在0-0.05，最小光强在0-0.06的作为第一组G1，将最大光强在0.1-0.2，最小光强在0-0.08的作为第二组G2。
需要说明的是，在本发明的其他实施例中，还可以按照上述方式将坐标系中的参考点分成更多个组，例如3个、4个、甚至更多，在此不再赘述。
根据前文分析可知，各组的参考点相对应的各个片段后续在晶圆上形成的图形质量一致。也就是说，与第一组G1的参考点相对应的各个片段后续在晶圆上形成的图形质量相同或相近，与第二组G2的参考点相对应的各个片段后续在晶圆上形成的图形质量相同或相近。因此，在完成上述分组后，我们只需根据各组内对应的片段的空间光强参数，分别建立相对应的子空间模型，即可找到可提高后续形成在晶圆上的图形质量的OPC模型。在本发明的实施例中，所述第一组G1与第一子空间模型相对应，第二组G2与第二子空间模型相对应。
所述依据各组内对应的片段的空间光强参数，建立子空间模型的步骤包括：建立初始的子空间模型；采用所述初始的子空间模型对与之相对应的组内的子图形的片段进行模拟校准；根据校准结果修改所述初始的子空间模型直至模拟得到的子图形与实际的子图形一致。更多关于建立子空间模型的方法请参考现有技术中建立OPC模型的方法，在此不再赘述。
上述步骤完成后，本发明实施例的OPC模型建立完成。由于本发明的实施例中根据测试图形中的子图形的各个片段的空间光强参数的分布情况，对各片段进行了分组，并分别建立了相对应的子空间模型。即可以针对测试图形中的子图形的空间光强参数的不同，分别采用不同的子空间模型对其进行光学邻近校准，代替了现有技术中仅采用一个OPC模型对测试图形进行光学邻近校准的方式，可以有效提高后续形成在晶圆上的图形的质量。
由于前述过程中已经根据测试图形中的子图形建立了多个子空间模型，后续当获取到用户目标图形后，只需将用户目标图形中的微细图形与前述测试图形中的子图形对应起来，通过寻找对应的子图形所对应的子空间模型即可得知用户目标图形中对应的微细图形所应采用的子空间模型。
请参考图5，图5示出了采用上述方法建立的OPC模型光学邻近校准用户目标图形的流程示意图，包括：
步骤S201，提供用户目标图形、测试图形和多个子空间模型，其中，所述测试图形至少包括与用户目标图形的微细图形相对应的子图形，所述子图形具有与其相对应的子空间模型；
步骤S202，逐一获取与用户目标图形的微细图形相对应的子图形，并根据所述子图形获取各微细图形所对应的子空间模型，将该子空间模型作为对应的微细图形光学邻近校准时的模型。
具体地，请参考图6，所述用户目标图形300具有的微细图形为P1、P2、……Pi、Pi+1……Pm，所述测试图形400具有的子图形为Q1、Q2、……Qj、Qj+1……Qn。其中，微细图形P1、P2……Pi与子图形Q1、Q2、……Qj相对应，微细图形Pi+1……Pm与子图形Qj+1……Qn相对应。若子图形Q1、Q2、……Qj对应于OPC模型500中的第一子空间模型，Qj+1……Qn对应于OPC模型500中的第二子空间模型，那么第一子空间模型作为微细图形为P1、P2、……Pi光学邻近校准时的模型，第二子空间模型作为微细图形Pi+1……Pm光学邻近校准时的模型。
采用上述方法来将用户目标图形的微细图形对应到相应的子空间模型中，有效缩短了光学邻近校准时间和制造时间，并且后续形成在晶圆上的图形的质量较高，有效提高了良率。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (8)

1.一种建立OPC模型的方法，其特征在于，包括：
提供具有多个子图形的测试图形和初始的OPC模型，其中，所述子图形分为多个片段，所述初始的OPC模型依据光学透镜系统参数和光刻参数建立；
依据所述初始的OPC模型对所述测试图形进行模拟，得到各片段的空间光强参数，得到各片段的空间光强参数的步骤为：以每个片段的中点为中心，在垂直图形边界的直线上取若干个图形内外区域的测试点，以上述各测试点的光强绘制空间光强分布曲线；获取光刻胶曝光参考阈值；寻找光刻胶曝光参考阈值与该片段的空间光强分布曲线的交点；以所述交点为中心在第一空间范围内搜寻空间光强分布曲线的最大光强、最小光强，以及该交点处对应的斜率；
依据所述各片段的空间光强参数的分布情况对各片段进行分组；
根据各组内对应的片段的空间光强参数，分别建立相对应的子空间模型。
2.如权利要求1所述的建立OPC模型的方法，其特征在于，依据所述各片段的空间光强参数的分布情况对各片段进行分组的方法为：选取上述空间光强参数中的至少两个建立坐标系，根据各片段中的空间光强参数在坐标系中的位置分布对其进行分组。
3.如权利要求1所述的建立OPC模型的方法，其特征在于，所述子图形各片段的空间光强分布曲线为最佳聚焦平面的空间光强分布。
4.如权利要求1所述的建立OPC模型的方法，其特征在于，根据各组内对应的片段的空间光强参数，分别建立相对应的子空间模型的步骤包括：建立初始的子空间模型；采用所述初始的子空间模型对与之相对应的组内的子图形的片段进行模拟校准；根据校准结果修改所述初始的子空间模型直至模拟得到的子图形与实际的子图形一致。
5.如权利要求1所述的建立OPC模型的方法，其特征在于，所述测试图形至少包含了与用户目标图形中的微细图形相对应的多个子图形。
6.如权利要求1所述的建立OPC模型的方法，其特征在于，所述子图形分为多个片段，每一个片段的长度相等。
7.如权利要求1所述的建立OPC模型的方法，其特征在于，所述初始的OPC模型包括初始的光学模型和简化的光刻胶模型，所述简化的光刻胶模型包括光刻胶曝光参考阈值。
8.一种光学邻近校准用户目标图形的方法，其特征在于，包括：
提供用户目标图形、测试图形和采用如权利要求1-7中任一项方法建立的多个子空间模型，其中，所述测试图形至少包括与用户目标图形的微细图形相对应的子图形，所述子图形具有与其相对应的子空间模型；
逐一获取与用户目标图形的微细图形相对应的子图形，并根据所述子图形获取各微细图形所对应的子空间模型，将该子空间模型作为对应的微细图形光学邻近校准时的模型。
CN201310542524.9A 2013-11-05 2013-11-05 建立opc模型的方法、光学邻近校准用户目标图形的方法 Active CN104614930B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310542524.9A CN104614930B (zh) 2013-11-05 2013-11-05 建立opc模型的方法、光学邻近校准用户目标图形的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310542524.9A CN104614930B (zh) 2013-11-05 2013-11-05 建立opc模型的方法、光学邻近校准用户目标图形的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104614930A CN104614930A (zh) 2015-05-13
CN104614930B true CN104614930B (zh) 2019-01-22

Family

ID=53149443

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310542524.9A Active CN104614930B (zh) 2013-11-05 2013-11-05 建立opc模型的方法、光学邻近校准用户目标图形的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104614930B (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105807555B (zh) * 2016-05-30 2019-08-20 上海华力微电子有限公司 一种提高opc修正精度的方法
CN106599388B (zh) * 2016-11-22 2019-08-20 上海华力微电子有限公司 一种用于产生二维opc测试图形的方法
CN110361926B (zh) * 2018-04-10 2022-11-18 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光学邻近效应修正模型及其建立方法和掩膜板的形成方法
CN110361927B (zh) * 2018-04-11 2023-02-10 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光刻模型生成方法以及opc修正方法
CN113050363A (zh) * 2019-12-27 2021-06-29 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光学邻近修正模型的建立方法以及光学邻近修正方法
CN111999986B (zh) * 2020-08-11 2023-02-03 上海华力集成电路制造有限公司 Opc光强度验证模型生成方法及生成模块
CN115373212B (zh) * 2022-09-15 2024-05-10 华芯程(杭州)科技有限公司 一种opc建模方法、装置、设备及计算机可读存储介质

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101013259A (zh) * 2006-02-03 2007-08-08 松下电器产业株式会社 光罩、使用该光罩的图案形成方法及光罩数据生成方法
CN101192252A (zh) * 2006-11-30 2008-06-04 国际商业机器公司 用于设计掩模的方法和设备
CN101196683A (zh) * 2006-12-04 2008-06-11 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光学近距修正的方法
US7689968B2 (en) * 2006-02-17 2010-03-30 Sony Corporation Proximity effect correction with regard to a semiconductor circuit design pattern
CN101750878A (zh) * 2008-12-22 2010-06-23 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光学邻近校正方法
CN103163728A (zh) * 2011-12-13 2013-06-19 上海华虹Nec电子有限公司 基于光刻工艺窗口的opc修正方法
CN103309149A (zh) * 2013-06-08 2013-09-18 上海华力微电子有限公司 光学临近效应修正方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101458719B (zh) * 2007-12-13 2010-12-22 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 校验光学邻近修正方法
CN101571669B (zh) * 2008-04-28 2012-12-12 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 基于模型的校验光学邻近修正的方法
US8234601B2 (en) * 2010-05-14 2012-07-31 International Business Machines Corporation Test pattern for contour calibration in OPC model build

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101013259A (zh) * 2006-02-03 2007-08-08 松下电器产业株式会社 光罩、使用该光罩的图案形成方法及光罩数据生成方法
US7689968B2 (en) * 2006-02-17 2010-03-30 Sony Corporation Proximity effect correction with regard to a semiconductor circuit design pattern
CN101192252A (zh) * 2006-11-30 2008-06-04 国际商业机器公司 用于设计掩模的方法和设备
CN101196683A (zh) * 2006-12-04 2008-06-11 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光学近距修正的方法
CN101750878A (zh) * 2008-12-22 2010-06-23 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光学邻近校正方法
CN103163728A (zh) * 2011-12-13 2013-06-19 上海华虹Nec电子有限公司 基于光刻工艺窗口的opc修正方法
CN103309149A (zh) * 2013-06-08 2013-09-18 上海华力微电子有限公司 光学临近效应修正方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN104614930A (zh) 2015-05-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104614930B (zh) 建立opc模型的方法、光学邻近校准用户目标图形的方法
KR101711695B1 (ko) 마스크 패턴의 결정 방법, 기록 매체, 및 정보 처리 장치
CN104570586B (zh) 光学邻近修正模型的获取方法
CN104111592B (zh) 一种基于微反射镜阵列实现可变自由照明光瞳的方法
CN106094423B (zh) 一种光刻工艺优化方法
TWI225282B (en) Test photomask, flare evaluation method, and flare compensation method
KR20050021931A (ko) 프로세스 근접 효과의 예측 모델의 작성 방법, 공정의관리 방법, 반도체 장치의 제조 방법 및 포토마스크의제조 방법
CN104950568B (zh) 光学邻近校正方法及双重图形曝光方法
CN110361926B (zh) 光学邻近效应修正模型及其建立方法和掩膜板的形成方法
CN113050363A (zh) 光学邻近修正模型的建立方法以及光学邻近修正方法
CN104570585B (zh) 光学邻近修正方法
CN106294935B (zh) 一种基于图形密度的工艺模型建模与修正方法
KR20180132103A (ko) 광 세기 변조 방법
CN104698761A (zh) 基于面积的opc模型校准方法
CN106033171A (zh) 用于晶圆上坏点的失效分析的方法
US8677288B2 (en) Test pattern selection method for OPC model calibration
DE102018125109A1 (de) Optische Nahbereichskorrektur und Photomasken
DE102012212664A1 (de) Verfahren zum Einstellen eines Beleuchtungssettings
CN105116683B (zh) 一种光学邻近效应修正离焦模型的校准方法
CN107703720B (zh) 一种完善光刻模型数据对测试图形覆盖范围的方法
CN104516192B (zh) 建立opc模型的方法、布局图形的检查方法
CN115857067A (zh) 一种逆向设计的超构表面器件及其制备、设计方法
JP2006332561A (ja) ベストフォーカス位置測定方法及び非点隔差測定方法
CN101738848A (zh) 基于可变光酸扩散长度建立opc模型的方法
CN102289156B (zh) 一种光刻机NA-Sigma配置的优化方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant