CN111999986B - Opc光强度验证模型生成方法及生成模块 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种OPC光强度验证模型生成方法，包括收集图形库中图形的聚焦和曝光矩阵数据；建立该图形的OPC光学模型和仿真验证光学模型；将晶圆扫描电镜图形中光强变化大于预设光强阈值的电路布局图像标记；获取仿真验证光学模型该标记电路布局图像的光强度物理量和OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度物理量；根据仿真验证光学模型中该标记电路布局图像的光强度物理量，修正OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度，使OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度趋势与仿真验证光学模型的光强度趋势一致；形成OPC光强度验证模型。本发明还公开了一种OPC光强度验证模型生成模块。本发明能适用于所有光学条件，能准确发现OPC光学模型的光强度薄弱点。

Description

OPC光强度验证模型生成方法及生成模块
技术领域
本发明涉及集成电路领域，特别是涉及一种OPC(光刻邻近校正)光强度验证模型生成方法。本发明还涉及一种OPC光强度验证模型生成模块。
背景技术
光学邻近修正(OPC)是一种光刻增强技术，OPC主要在半导体芯片的生产过程中使用，目的是为了保证曝光后硅片上得到的实际图形与设计图形一致。若不做光学邻近修正实际曝光后得到的图形将与设计图形有显著差异，如实际线宽度比设计的窄或宽，这些都可以通过改变掩模版来补偿成像；其他的失真,如圆角、光强度，受光学工具分辨率的制约，更加难以弥补。这些失真如果不纠正，可能大大改变生产出来的电路的电气性能。光学邻近修正通过移动掩模版上图形的边缘或添加额外的多边形来补偿这些失真。OPC模型(OPCmodel)主要由掩模模型(mask model，高技术节点OPC模型才使用)，光学模型(opticalmodel)及光阻模型(resist model)三部分组成。其中，光学模型(optical model)最能反映OPC模型的物理意义，它决定着最终OPC模型的各项性能。
目前光强度是由正常光学条件下建立模型所推导出，可作为及大多数条件下OPCV判定标准，但少数图形的光强度存在薄弱点则不适应此规格，因此必须建立更严禁的光强度验证模型以作为所有光学条件的标准。
发明内容
在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念,该简化形式的概念均为本领域现有技术简化，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
本发明要解决的技术问题是提供一种能适用于所有光学条件，能准确发现光强度薄弱点的OPC光强度验证模型生成方法。
本发明要解决的另一技术问题是提供一种能适用于所有光学条件，能准确发现光强度薄弱点的OPC光强度验证模型生成模块。
为解决上述技术问题，本发明提供的OPC光强度验证模型生成方法，包括以下步骤：
S1，收集图形库中图形的聚焦和曝光矩阵(FEM)数据；
S2，建立该图形的OPC光学模型；
S3，建立该图形的仿真验证光学模型；
S4，将晶圆扫描电镜图形中光强变化大于预设光强阈值的电路布局图像标记；
S5，获取仿真验证光学模型该标记电路布局图像的光强度物理量和OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度物理量；
S6，根据仿真验证光学模型中该标记电路布局图像的光强度物理量，修正OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度，使OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度趋势与仿真验证光学模型的光强度趋势一致；
S7，形成OPC光强度验证模型。
其中，预设光强度阈值为指定值，也可以通过标定获得，或通过经验值获得。
可选择的，进一步改进所述的OPC光强度验证模型生成方法，仿真验证光学模型是S-Litho仿真软件生成的S-Litho光学模型。
可选择的，进一步改进所述的OPC光强度验证模型生成方法，其能应用于逻辑器件和/或存储器件。
本发明提供一种OPC光强度验证模型生成模块，包括：
数据收集单元，其用于收集图形库中图形的聚焦和曝光矩阵(FEM)数据；
模型建立单元，其用于分别建立该图形的OPC光学模型和仿真验证光学模型；
标记单元，其用于将晶圆扫描电镜图形中光强变化大于预设光强阈值的电路布局图像标记；
光强度获取单元，其用于获取仿真验证光学模型该标记电路布局图像的光强度物理量和OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度物理量；
修正单元，根据仿真验证光学模型中该标记电路布局图像的光强度物理量，修正OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度，使OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度趋势与仿真验证光学模型的光强度趋势一致；
模型导出单元，其用于将形成的OPC光强度验证模型导出。
可选择的，进一步改进所述OPC光强度验证模型生成模块，其能通过计算机编程手段集成于0PC修正软件。
可选择的，进一步改进所述OPC光强度验证模型生成模块，其能通过脚本集成于0PC修正软件。
可选择的，进一步改进所述OPC光强度验证模型生成模块，仿真验证光学模型是S-Litho仿真软件生成的S-Litho光学模型。
可选择的，进一步改进所述OPC光强度验证模型生成模块，其能应用于逻辑器件和/或存储器件。
本发明收集图形库中图形的聚焦和曝光矩阵(FEM)数据后分别建立该图形的OPC光学模型和仿真验证光学模型；将晶圆扫描电镜图形中光强变化大于预设光强阈值的电路布局图像标记；这些标记出来的电路布局图像就是光强度薄弱点，获取仿真验证光学模型该标记电路布局图像的光强度物理量和OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度物理量；根据仿真验证光学模型中该标记电路布局图像的光强度物理量，修正OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度，使OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度趋势与仿真验证光学模型的光强度趋势一致；形成OPC光强度验证模型。
本发明生成的OPC光强度验证模型能适用于所有光学条件，通过本发明的验证模型能准确发现OPC光学模型中的光强度薄弱点。
附图说明
本发明附图旨在示出根据本发明的特定示例性实施例中所使用的方法、结构和/或材料的一般特性，对说明书中的描述进行补充。然而，本发明附图是未按比例绘制的示意图，因而可能未能够准确反映任何所给出的实施例的精确结构或性能特点，本发明附图不应当被解释为限定或限制由根据本发明的示例性实施例所涵盖的数值或属性的范围。下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1是本发明流程示意图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容充分地了解本发明的其他优点与技术效果。本发明还可以通过不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点加以应用，在没有背离发明总的设计思路下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。本发明下述示例性实施例可以多种不同的形式来实施，并且不应当被解释为只限于这里所阐述的具体实施例。应当理解的是，提供这些实施例是为了使得本发明的公开彻底且完整，并且将这些示例性具体实施例的技术方案充分传达给本领域技术人员。
第一实施例，如图1所示，本发明提供的OPC光强度验证模型生成方法，包括以下步骤：
S1，收集图形库中图形的聚焦和曝光矩阵(FEM)数据；
S2，建立该图形的OPC光学模型；
S3，建立该图形的仿真验证光学模型；
S4，将晶圆扫描电镜图形中光强变化大于预设光强阈值的电路布局图像标记；
S5，获取仿真验证光学模型该标记电路布局图像的光强度物理量和OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度物理量；
S6，根据仿真验证光学模型中该标记电路布局图像的光强度物理量，修正OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度，使OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度趋势与仿真验证光学模型的光强度趋势一致；
S7，形成OPC光强度验证模型。
第二实施例，本发明提供的OPC光强度验证模型生成方法，包括以下步骤：
S1，收集图形库中图形的聚焦和曝光矩阵(FEM)数据；
S2，建立该图形的OPC光学模型；
S3，建立该图形的S-Litho光学模型；
S4，将晶圆扫描电镜图形中光强变化大于预设光强阈值的电路布局图像标记；
S5，获取S-Litho光学模型该标记电路布局图像的光强度物理量和OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度物理量；
S6，根据S-Litho光学模型中该标记电路布局图像的光强度物理量，修正OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度，使OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度趋势与仿真验证光学模型的光强度趋势一致；
S7，形成OPC光强度验证模型。
本发明第二实施例能应用于逻辑器件和/或存储器件。
第三实施例，本发明提供一种OPC光强度验证模型生成模块，包括：
数据收集单元，其用于收集图形库中图形的聚焦和曝光矩阵(FEM)数据；
模型建立单元，其用于分别建立该图形的OPC光学模型和仿真验证光学模型；
标记单元，其用于将晶圆扫描电镜图形中光强变化大于预设光强阈值的电路布局图像标记；
光强度获取单元，其用于获取仿真验证光学模型该标记电路布局图像的光强度物理量和OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度物理量；
修正单元，根据仿真验证光学模型中该标记电路布局图像的光强度物理量，修正OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度，使OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度趋势与仿真验证光学模型的光强度趋势一致；
模型导出单元，其用于将形成的OPC光强度验证模型导出。
第四实施例，本发明提供一种OPC光强度验证模型生成模块，其能通过脚本集成于0PC修正软件，包括：
数据收集单元，其用于收集图形库中图形的聚焦和曝光矩阵(FEM)数据；
模型建立单元，其用于分别建立该图形的OPC光学模型和S-Litho光学模型；
标记单元，其用于将晶圆扫描电镜图形中光强变化大于预设光强阈值的电路布局图像标记；
光强度获取单元，其用于获取S-Litho光学模型该标记电路布局图像的光强度物理量和OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度物理量；
修正单元，根据S-Litho光学模型中该标记电路布局图像的光强度物理量，修正OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度，使OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度趋势与仿真验证光学模型的光强度趋势一致；
模型导出单元，其用于将形成的OPC光强度验证模型导出。
本发明第四实施例能应用于逻辑器件和/或存储器件。
除非另有定义，否则这里所使用的全部术语(包括技术术语和科学术语)都具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的意思相同的意思。还将理解的是，除非这里明确定义，否则诸如在通用字典中定义的术语这类术语应当被解释为具有与它们在相关领域语境中的意思相一致的意思，而不以理想的或过于正式的含义加以解释。
以上通过具体实施方式和实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种OPC光强度验证模型生成方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，收集图形库中图形的聚焦和曝光矩阵（FEM）数据；
S2，建立该图形的OPC光学模型；
S3，建立该图形的仿真验证光学模型；
S4，将晶圆扫描电镜图形中光强变化大于预设光强阈值的电路布局图像标记；
S5，获取仿真验证光学模型标记电路布局图像的光强度物理量和OPC光学模型中标记电路布局图像的光强度物理量；
S6，根据仿真验证光学模型中该标记电路布局图像的光强度物理量，修正OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度，使OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度趋势与仿真验证光学模型的光强度趋势一致；
S7，形成OPC光强度验证模型。
2.如权利要求1所述的OPC光强度验证模型生成方法，其特征在于：仿真验证光学模型是S-Litho仿真软件生成的S-Litho光学模型。
3.如权利要求1所述的OPC光强度验证模型生成方法，其特征在于：其能应用于逻辑器件和/或存储器件。
4.一种OPC光强度验证模型生成模块，其特征在于，包括：
数据收集单元，其用于收集图形库中图形的聚焦和曝光矩阵（FEM）数据；
模型建立单元，其用于分别建立该图形的OPC光学模型和仿真验证光学模型；
标记单元，其用于将晶圆扫描电镜图形中光强变化大于预设光强阈值的电路布局图像标记；
光强度获取单元，其用于获取仿真验证光学模型标记电路布局图像的光强度物理量和OPC光学模型中标记电路布局图像的光强度物理量；
修正单元，根据仿真验证光学模型中该标记电路布局图像的光强度物理量，修正OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度，使OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度趋势与仿真验证光学模型的光强度趋势一致；
模型导出单元，其用于将形成的OPC光强度验证模型导出。
5.如权利要求4所述OPC光强度验证模型生成模块，其特征在于：其能通过计算机编程手段集成于0PC修正软件。
6.如权利要求5所述OPC光强度验证模型生成模块，其特征在于：其能通过脚本集成于0PC修正软件。
7.如权利要求5所述OPC光强度验证模型生成模块，其特征在于：仿真验证光学模型是S-Litho仿真软件生成的S-Litho光学模型。
8.如权利要求5所述OPC光强度验证模型生成模块，其特征在于：其能应用于逻辑器件和/或存储器件。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007324273A (ja) * 2006-05-31 2007-12-13 Nec Electronics Corp シミュレーション方法およびシミュレーションシステム、ならびにマスクパターンの修正方法
CN104614930A (zh) * 2013-11-05 2015-05-13 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 建立opc模型的方法、光学邻近校准用户目标图形的方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8732629B2 (en) * 2009-10-30 2014-05-20 Synopsys, Inc. Method and system for lithography hotspot correction of a post-route layout
US9250538B2 (en) * 2014-01-03 2016-02-02 Globalfoundries Inc. Efficient optical proximity correction repair flow method and apparatus
DE102016218977B4 (de) * 2016-09-30 2020-11-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Ermittlung eines OPC-Modells

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007324273A (ja) * 2006-05-31 2007-12-13 Nec Electronics Corp シミュレーション方法およびシミュレーションシステム、ならびにマスクパターンの修正方法
CN104614930A (zh) * 2013-11-05 2015-05-13 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 建立opc模型的方法、光学邻近校准用户目标图形的方法

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