CN111999986A - Opc光强度验证模型生成方法及生成模块 - Google Patents

Opc光强度验证模型生成方法及生成模块 Download PDF

Info

Publication number
CN111999986A
CN111999986A CN202010798558.4A CN202010798558A CN111999986A CN 111999986 A CN111999986 A CN 111999986A CN 202010798558 A CN202010798558 A CN 202010798558A CN 111999986 A CN111999986 A CN 111999986A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light intensity
opc
model
optical model
verification
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202010798558.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111999986B (zh
Inventor
敖振宇
曾鼎程
胡展源
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd filed Critical Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd
Priority to CN202010798558.4A priority Critical patent/CN111999986B/zh
Publication of CN111999986A publication Critical patent/CN111999986A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111999986B publication Critical patent/CN111999986B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/705—Modelling or simulating from physical phenomena up to complete wafer processes or whole workflow in wafer productions
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
    • G03F7/70441—Optical proximity correction [OPC]
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
    • G06F30/20—Design optimisation, verification or simulation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Evolutionary Computation (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

本发明公开了一种OPC光强度验证模型生成方法，包括收集图形库中图形的聚焦和曝光矩阵数据；建立该图形的OPC光学模型和仿真验证光学模型；将晶圆扫描电镜图形中光强变化大于预设光强阈值的电路布局图像标记；获取仿真验证光学模型该标记电路布局图像的光强度物理量和OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度物理量；根据仿真验证光学模型中该标记电路布局图像的光强度物理量，修正OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度，使OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度趋势与仿真验证光学模型的光强度趋势一致；形成OPC光强度验证模型。本发明还公开了一种OPC光强度验证模型生成模块。本发明能适用于所有光学条件，能准确发现OPC光学模型的光强度薄弱点。

Description

OPC光强度验证模型生成方法及生成模块
技术领域
本发明涉及集成电路领域，特别是涉及一种OPC(光刻邻近校正)光强度验证模型生成方法。本发明还涉及一种OPC光强度验证模型生成模块。
背景技术
光学邻近修正(OPC)是一种光刻增强技术，OPC主要在半导体芯片的生产过程中使用，目的是为了保证曝光后硅片上得到的实际图形与设计图形一致。若不做光学邻近修正实际曝光后得到的图形将与设计图形有显著差异，如实际线宽度比设计的窄或宽，这些都可以通过改变掩模版来补偿成像；其他的失真,如圆角、光强度，受光学工具分辨率的制约，更加难以弥补。这些失真如果不纠正，可能大大改变生产出来的电路的电气性能。光学邻近修正通过移动掩模版上图形的边缘或添加额外的多边形来补偿这些失真。OPC模型(OPCmodel)主要由掩模模型(mask model，高技术节点OPC模型才使用)，光学模型(opticalmodel)及光阻模型(resist model)三部分组成。其中，光学模型(optical model)最能反映OPC模型的物理意义，它决定着最终OPC模型的各项性能。
目前光强度是由正常光学条件下建立模型所推导出，可作为及大多数条件下OPCV判定标准，但少数图形的光强度存在薄弱点则不适应此规格，因此必须建立更严禁的光强度验证模型以作为所有光学条件的标准。
发明内容
在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念,该简化形式的概念均为本领域现有技术简化，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
本发明要解决的技术问题是提供一种能适用于所有光学条件，能准确发现光强度薄弱点的OPC光强度验证模型生成方法。
本发明要解决的另一技术问题是提供一种能适用于所有光学条件，能准确发现光强度薄弱点的OPC光强度验证模型生成模块。
为解决上述技术问题，本发明提供的OPC光强度验证模型生成方法，包括以下步骤：
S1，收集图形库中图形的聚焦和曝光矩阵(FEM)数据；
S2，建立该图形的OPC光学模型；
S3，建立该图形的仿真验证光学模型；
S4，将晶圆扫描电镜图形中光强变化大于预设光强阈值的电路布局图像标记；
S5，获取仿真验证光学模型该标记电路布局图像的光强度物理量和OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度物理量；
S6，根据仿真验证光学模型中该标记电路布局图像的光强度物理量，修正OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度，使OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度趋势与仿真验证光学模型的光强度趋势一致；
S7，形成OPC光强度验证模型。
其中，预设光强度阈值为指定值，也可以通过标定获得，或通过经验值获得。
可选择的，进一步改进所述的OPC光强度验证模型生成方法，仿真验证光学模型是S-Litho仿真软件生成的S-Litho光学模型。
可选择的，进一步改进所述的OPC光强度验证模型生成方法，其能应用于逻辑器件和/或存储器件。
本发明提供一种OPC光强度验证模型生成模块，包括：
数据收集单元，其用于收集图形库中图形的聚焦和曝光矩阵(FEM)数据；
模型建立单元，其用于分别建立该图形的OPC光学模型和仿真验证光学模型；
标记单元，其用于将晶圆扫描电镜图形中光强变化大于预设光强阈值的电路布局图像标记；
光强度获取单元，其用于获取仿真验证光学模型该标记电路布局图像的光强度物理量和OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度物理量；
修正单元，根据仿真验证光学模型中该标记电路布局图像的光强度物理量，修正OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度，使OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度趋势与仿真验证光学模型的光强度趋势一致；
模型导出单元，其用于将形成的OPC光强度验证模型导出。
可选择的，进一步改进所述OPC光强度验证模型生成模块，其能通过计算机编程手段集成于0PC修正软件。
可选择的，进一步改进所述OPC光强度验证模型生成模块，其能通过脚本集成于0PC修正软件。
可选择的，进一步改进所述OPC光强度验证模型生成模块，仿真验证光学模型是S-Litho仿真软件生成的S-Litho光学模型。
可选择的，进一步改进所述OPC光强度验证模型生成模块，其能应用于逻辑器件和/或存储器件。
本发明收集图形库中图形的聚焦和曝光矩阵(FEM)数据后分别建立该图形的OPC光学模型和仿真验证光学模型；将晶圆扫描电镜图形中光强变化大于预设光强阈值的电路布局图像标记；这些标记出来的电路布局图像就是光强度薄弱点，获取仿真验证光学模型该标记电路布局图像的光强度物理量和OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度物理量；根据仿真验证光学模型中该标记电路布局图像的光强度物理量，修正OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度，使OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度趋势与仿真验证光学模型的光强度趋势一致；形成OPC光强度验证模型。
本发明生成的OPC光强度验证模型能适用于所有光学条件，通过本发明的验证模型能准确发现OPC光学模型中的光强度薄弱点。
附图说明
本发明附图旨在示出根据本发明的特定示例性实施例中所使用的方法、结构和/或材料的一般特性，对说明书中的描述进行补充。然而，本发明附图是未按比例绘制的示意图，因而可能未能够准确反映任何所给出的实施例的精确结构或性能特点，本发明附图不应当被解释为限定或限制由根据本发明的示例性实施例所涵盖的数值或属性的范围。下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1是本发明流程示意图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容充分地了解本发明的其他优点与技术效果。本发明还可以通过不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点加以应用，在没有背离发明总的设计思路下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。本发明下述示例性实施例可以多种不同的形式来实施，并且不应当被解释为只限于这里所阐述的具体实施例。应当理解的是，提供这些实施例是为了使得本发明的公开彻底且完整，并且将这些示例性具体实施例的技术方案充分传达给本领域技术人员。
第一实施例，如图1所示，本发明提供的OPC光强度验证模型生成方法，包括以下步骤：
S1，收集图形库中图形的聚焦和曝光矩阵(FEM)数据；
S2，建立该图形的OPC光学模型；
S3，建立该图形的仿真验证光学模型；
S4，将晶圆扫描电镜图形中光强变化大于预设光强阈值的电路布局图像标记；
S5，获取仿真验证光学模型该标记电路布局图像的光强度物理量和OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度物理量；
S6，根据仿真验证光学模型中该标记电路布局图像的光强度物理量，修正OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度，使OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度趋势与仿真验证光学模型的光强度趋势一致；
S7，形成OPC光强度验证模型。
第二实施例，本发明提供的OPC光强度验证模型生成方法，包括以下步骤：
S1，收集图形库中图形的聚焦和曝光矩阵(FEM)数据；
S2，建立该图形的OPC光学模型；
S3，建立该图形的S-Litho光学模型；
S4，将晶圆扫描电镜图形中光强变化大于预设光强阈值的电路布局图像标记；
S5，获取S-Litho光学模型该标记电路布局图像的光强度物理量和OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度物理量；
S6，根据S-Litho光学模型中该标记电路布局图像的光强度物理量，修正OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度，使OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度趋势与仿真验证光学模型的光强度趋势一致；
S7，形成OPC光强度验证模型。
本发明第二实施例能应用于逻辑器件和/或存储器件。
第三实施例，本发明提供一种OPC光强度验证模型生成模块，包括：
数据收集单元，其用于收集图形库中图形的聚焦和曝光矩阵(FEM)数据；
模型建立单元，其用于分别建立该图形的OPC光学模型和仿真验证光学模型；
标记单元，其用于将晶圆扫描电镜图形中光强变化大于预设光强阈值的电路布局图像标记；
光强度获取单元，其用于获取仿真验证光学模型该标记电路布局图像的光强度物理量和OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度物理量；
修正单元，根据仿真验证光学模型中该标记电路布局图像的光强度物理量，修正OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度，使OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度趋势与仿真验证光学模型的光强度趋势一致；
模型导出单元，其用于将形成的OPC光强度验证模型导出。
第四实施例，本发明提供一种OPC光强度验证模型生成模块，其能通过脚本集成于0PC修正软件，包括：
数据收集单元，其用于收集图形库中图形的聚焦和曝光矩阵(FEM)数据；
模型建立单元，其用于分别建立该图形的OPC光学模型和S-Litho光学模型；
标记单元，其用于将晶圆扫描电镜图形中光强变化大于预设光强阈值的电路布局图像标记；
光强度获取单元，其用于获取S-Litho光学模型该标记电路布局图像的光强度物理量和OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度物理量；
修正单元，根据S-Litho光学模型中该标记电路布局图像的光强度物理量，修正OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度，使OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度趋势与仿真验证光学模型的光强度趋势一致；
模型导出单元，其用于将形成的OPC光强度验证模型导出。
本发明第四实施例能应用于逻辑器件和/或存储器件。
除非另有定义，否则这里所使用的全部术语(包括技术术语和科学术语)都具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的意思相同的意思。还将理解的是，除非这里明确定义，否则诸如在通用字典中定义的术语这类术语应当被解释为具有与它们在相关领域语境中的意思相一致的意思，而不以理想的或过于正式的含义加以解释。
以上通过具体实施方式和实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种OPC光强度验证模型生成方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，收集图形库中图形的聚焦和曝光矩阵(FEM)数据；
S2，建立该图形的OPC光学模型；
S3，建立该图形的仿真验证光学模型；
S4，将晶圆扫描电镜图形中光强变化大于预设光强阈值的电路布局图像标记；
S5，获取仿真验证光学模型该标记电路布局图像的光强度物理量和OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度物理量；
S6，根据仿真验证光学模型中该标记电路布局图像的光强度物理量，修正OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度，使OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度趋势与仿真验证光学模型的光强度趋势一致；
S7，形成OPC光强度验证模型。
2.如权利要求1所述的OPC光强度验证模型生成方法，其特征在于：仿真验证光学模型是S-Litho仿真软件生成的S-Litho光学模型。
3.如权利要求1所述的OPC光强度验证模型生成方法，其特征在于：其能应用于逻辑器件和/或存储器件。
4.一种OPC光强度验证模型生成模块，其特征在于，包括：
数据收集单元，其用于收集图形库中图形的聚焦和曝光矩阵(FEM)数据；
模型建立单元，其用于分别建立该图形的OPC光学模型和仿真验证光学模型；
标记单元，其用于将晶圆扫描电镜图形中光强变化大于预设光强阈值的电路布局图像标记；
光强度获取单元，其用于获取仿真验证光学模型该标记电路布局图像的光强度物理量和OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度物理量；
修正单元，根据仿真验证光学模型中该标记电路布局图像的光强度物理量，修正OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度，使OPC光学模型中该标记电路布局图像的光强度趋势与仿真验证光学模型的光强度趋势一致；
模型导出单元，其用于将形成的OPC光强度验证模型导出。
5.如权利要求4所述OPC光强度验证模型生成模块，其特征在于：其能通过计算机编程手段集成于0PC修正软件。
6.如权利要求5所述OPC光强度验证模型生成模块，其特征在于：其能通过脚本集成于0PC修正软件。
7.如权利要求5所述OPC光强度验证模型生成模块，其特征在于：仿真验证光学模型是S-Litho仿真软件生成的S-Litho光学模型。
8.如权利要求5所述OPC光强度验证模型生成模块，其特征在于：其能应用于逻辑器件和/或存储器件。
CN202010798558.4A 2020-08-11 2020-08-11 Opc光强度验证模型生成方法及生成模块 Active CN111999986B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010798558.4A CN111999986B (zh) 2020-08-11 2020-08-11 Opc光强度验证模型生成方法及生成模块

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010798558.4A CN111999986B (zh) 2020-08-11 2020-08-11 Opc光强度验证模型生成方法及生成模块

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111999986A true CN111999986A (zh) 2020-11-27
CN111999986B CN111999986B (zh) 2023-02-03

Family

ID=73462972

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010798558.4A Active CN111999986B (zh) 2020-08-11 2020-08-11 Opc光强度验证模型生成方法及生成模块

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111999986B (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007324273A (ja) * 2006-05-31 2007-12-13 Nec Electronics Corp シミュレーション方法およびシミュレーションシステム、ならびにマスクパターンの修正方法
US20120210280A1 (en) * 2009-10-30 2012-08-16 Synopsys, Inc. Method and System for Lithography Hotspot Correction of a Post-Route Layout
CN104614930A (zh) * 2013-11-05 2015-05-13 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 建立opc模型的方法、光学邻近校准用户目标图形的方法
US20150192866A1 (en) * 2014-01-03 2015-07-09 Globalfoundries Inc. Efficient optical proximity correction repair flow method and apparatus
US20180095358A1 (en) * 2016-09-30 2018-04-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Method and device for determining an opc model

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007324273A (ja) * 2006-05-31 2007-12-13 Nec Electronics Corp シミュレーション方法およびシミュレーションシステム、ならびにマスクパターンの修正方法
US20120210280A1 (en) * 2009-10-30 2012-08-16 Synopsys, Inc. Method and System for Lithography Hotspot Correction of a Post-Route Layout
CN104614930A (zh) * 2013-11-05 2015-05-13 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 建立opc模型的方法、光学邻近校准用户目标图形的方法
US20150192866A1 (en) * 2014-01-03 2015-07-09 Globalfoundries Inc. Efficient optical proximity correction repair flow method and apparatus
US20180095358A1 (en) * 2016-09-30 2018-04-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Method and device for determining an opc model

Also Published As

Publication number Publication date
CN111999986B (zh) 2023-02-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8166424B2 (en) Method for constructing OPC model
US7475383B2 (en) Method of fabricating photo mask
US8225237B2 (en) Method to determine process window
US7139996B2 (en) Mask pattern correction apparatus and mask pattern correction method and mask preparation method and method of production of a semiconductor device
US20130275928A1 (en) Method for correcting layout pattern and mask thereof
JP2004054052A (ja) 半導体集積回路製造用マスクパターンデータ生成方法およびその検証方法
CN102117010B (zh) 一种光学邻近修正方法
US6571383B1 (en) Semiconductor device fabrication using a photomask designed using modeling and empirical testing
US6901569B2 (en) Corrected mask pattern verification apparatus and corrected mask pattern verification
CN103309171B (zh) 产生方法和信息处理设备
US7300725B2 (en) Method for determining and correcting reticle variations
CN110824831A (zh) 改善临界尺寸一致性的方法与系统
CN111999986B (zh) Opc光强度验证模型生成方法及生成模块
US7544447B2 (en) Method of forming a mask pattern for a semiconductor device
JPH11202470A (ja) マスク製造のための近接効果補正方法
US7914958B2 (en) Semiconductor device manufacturing method
US6834262B1 (en) Scheme for improving the simulation accuracy of integrated circuit patterns by simulation of the mask
US7069535B2 (en) Optical proximity correction method using weighted priorities
Jang et al. Manufacturability evaluation of model-based OPC masks
CN117130220A (zh) 光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质
US8042068B2 (en) Method for processing optical proximity correction
US7774738B2 (en) Lithography method for forming a circuit pattern
CN110647008B (zh) 筛选sbar规则的方法
CN118331002B (zh) 基于反向光刻技术的sraf插入规则构建方法及系统
US20230408900A1 (en) Method for forming photomask

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant