CN117234030B - 光刻图形校准方法、装置、介质及产品 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及一种光刻图形校准方法、装置、介质及产品,光刻图形校准方法包括:获取光刻图形校准的标准阈值,标准阈值为在曝光后光刻胶损失量小于损失量阈值的情况下,获取曝光后版图的背景强度与光学临近效应标准阈值的比值;在对待校准版图进行光学临近效应修正后,获取待校准版图的校准参考量,校准参考量为背景强度与光学临近效应标准阈值的比值;在校准参考量大于标准阈值,及待校准版图的中部的光学临近效应满足光学临近效应标准阈值要求的情况下,在待校准版图的中部外围增加多个周向环绕中部的目标亚分辨率辅助图形;调节目标亚分辨率辅助图形的尺寸及/或间距,至校准参考量小于或等于标准阈值,减少外围光刻胶的损失。
Description
技术领域
本申请涉及光刻技术领域,特别是涉及一种光刻图形校准方法、装置、介质及产品。
背景技术
在光刻工艺中,掩膜上的图形通过曝光系统投影在光刻胶上,由于光学系统的不完善性和衍射效应,光刻胶上的图形和掩模上的图形不完全一致,需要光学邻近效应修正(Optical Proximity Correction,OPC) 对掩膜上的图形做修正,使得投影到光刻胶上的图形尽量符合设计要求。光学邻近效应修正包括在掩模图案中的器件结构图案邻近区域设计亚分辨率辅助图形(sub-resolution assist features,SRAF),以使相应的光刻胶图案符合光刻工艺窗口的要求。辅助图形的图案小于光刻机分辨率,只对光线其散射作用,而不会被转移到光刻胶上。
但是在传统技术中,未被添加亚分辨辅助图形的区域,由于背景强度过高,会造成光刻胶损失过多,形成光刻胶高度差,降低光刻图形的一致性。
发明内容
基于此,有必要针对上述背景技术中的问题,提供一种至少可以改善光刻胶高度差的光刻图形校准方法、装置、介质及产品。
为实现上述目的及其他目的,根据本申请的各种实施例,本申请的一方面提供了一种光刻图形校准方法,用于对待校准版图添加周向环绕其中部的目标亚分辨率辅助图形,待校准版图的中部包括主图形及周向环绕主图形的多个原始亚分辨率辅助图形;光刻图形校准方法包括:获取光刻图形校准的标准阈值,标准阈值为在曝光后光刻胶损失量小于损失量阈值的情况下,曝光后版图的背景强度与光学临近效应标准阈值的比值;其中,光学临近效应标准阈值为曝光后版图的线宽达到目标值的标准曝光能量阈值;在对待校准版图进行光学临近效应修正后,获取待校准版图的校准参考量,校准参考量为曝光后待校准版图的背景强度与光学临近效应标准阈值的比值;在校准参考量大于标准阈值的情况下,在待校准版图的中部外围增加多个周向环绕中部的目标亚分辨率辅助图形;调节目标亚分辨率辅助图形的尺寸及/或间距,至校准参考量小于或等于标准阈值。
于上述实施例中光刻图形校准方法中,通过在校准参考量大于标准阈值的情况下,在待校准版图的中部外围增加多个周向环绕中部的目标亚分辨率辅助图形,降低外围光刻胶受到的背景强度,再调节目标亚分辨率辅助图形的尺寸及/或间距,至校准参考量小于或等于标准阈值,减少外围光刻胶的损失,因此,避免待校准版图周围产生光刻胶高度差,提高产品良率。
在一些实施例中,在待校准版图的中部外围增加多个周向环绕中部的目标亚分辨率辅助图形,包括:在中部的沿第一方向的相对两侧增加多个沿第二方向延伸且沿第一方向间隔的第一子图形;第一方向与第二方向垂直;在中部的沿第二方向的相对两侧增加多个沿第一方向间隔排布的第一子图形,以及位于第一子图形与中部之间的至少一个第二子图形,第二子图形沿第一方向延伸;第一子图形及第二子图形用于共同构成目标亚分辨率辅助图形,通过在第二方向和第一方向上,在待校准版图的中部外围增加多个周向环绕中部的目标亚分辨率辅助图形,降低背景强度。
在一些实施例中,在待校准版图的中部外围增加多个周向环绕中部的目标亚分辨率辅助图形,包括:在中部的沿第一方向的相对两侧增加多个沿第一方向延伸且沿第二方向间隔排布的第三子图形,以及至少一个沿第二方向延伸的第四子图形,第四子图形位于第三子图形与中部之间;在中部的沿第二方向的相对两侧增加多个沿第二方向间隔排布的第三子图形;第三子图形及第四子图形用于共同构成目标亚分辨率辅助图形,通过在第一方向和第二方向上,在待校准版图的中部外围增加多个周向环绕中部的目标亚分辨率辅助图形,降低背景强度。
在一些实施例中,光刻图形校准方法还包括:调节原始亚分辨率辅助图形的尺寸及/或间距,至主图形的线宽达到目标值。
在一些实施例中,原始亚分辨率辅助图形包括:位于主图形的沿第一方向相对两侧的沿第二方向延伸的第一图案,以及位于主图形的沿第二方向相对两侧的沿第一方向延伸的第二图案,中部的原始亚分辨率辅助图形可以使稀疏的主图形在光学角度上呈现密集图形,在掩模图形中图形比较稀疏的主图形周围插入原始亚分辨率辅助图形,可以提高焦深和工艺窗口均匀性,并且,由于原始亚分辨率辅助图形小于光刻机分辨率,原始亚分辨率辅助图形在曝光时只对光线其散射作用,不会被转移到光刻胶上。
在一些实施例中,中部的原始亚分辨率辅助图形为中心对称图形。
本申请的另一方面提供了一种光刻图形校准装置,用于对待校准版图添加周向环绕其中部的目标亚分辨率辅助图形,待校准版图的中部包括主图形及周向环绕主图形的多个原始亚分辨率辅助图形;光刻图形校准装置包括标准阈值获取模块、校准参考量获取模块、图形添加模块及图形调节模块,标准阈值获取模块用于获取光刻图形校准的标准阈值,标准阈值为在曝光后光刻胶损失量小于损失量阈值的情况下,曝光后版图的背景强度与光学临近效应标准阈值的比值;其中,光学临近效应标准阈值为曝光后版图的线宽达到目标值的标准曝光能量阈值;校准参考量获取模块用于在对待校准版图进行光学临近效应修正后,获取待校准版图的校准参考量,校准参考量为曝光后待校准版图的背景强度与光学临近效应标准阈值的比值;图形添加模块用于在校准参考量大于标准阈值的情况下,在待校准版图的中部外围增加多个周向环绕中部的目标亚分辨率辅助图形;图形调节模块用于调节目标亚分辨率辅助图形的尺寸及/或间距,至校准参考量小于或等于标准阈值。
于上述实施例中光刻图形校准装置中,通过图形添加模块在校准参考量大于标准阈值的情况下,在待校准版图的中部外围增加多个周向环绕中部的目标亚分辨率辅助图形,降低外围光刻胶受到的背景强度,再调节目标亚分辨率辅助图形的尺寸及/或间距,至校准参考量小于或等于标准阈值,减少外围光刻胶的损失,因此,避免待校准版图周围产生光刻胶高度差,提高产品良率。
在一些实施例中,图形添加模块包括第一子模块及/或第二子模块,第一子模块用于在中部的沿第一方向的相对两侧增加多个沿第二方向延伸且沿第一方向间隔的第一子图形;第一方向与第二方向垂直;以及在中部的沿第二方向的相对两侧增加多个沿第一方向间隔排布的第一子图形,以及位于第一子图形与中部之间的至少一个第二子图形,第二子图形沿第一方向延伸;第一子图形及第二子图形用于共同构成目标亚分辨率辅助图形;第二子模块用于在中部的沿第一方向的相对两侧增加多个沿第一方向延伸且沿第二方向间隔排布的第三子图形,以及至少一个沿第二方向延伸的第四子图形,第四子图形位于第三子图形与中部之间;在中部的沿第二方向的相对两侧增加多个沿第二方向间隔排布的第三子图形;第三子图形及第四子图形用于共同构成目标亚分辨率辅助图形,第一子模块和第二子模块提供了两种不同的目标亚分辨率辅助图形添加方式,为降低校准参考量提供更多方法,提高降低校准参考量的可行性,提高校准参考量的降低率。
本申请的再一方面提供了一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,计算机程序被处理器执行时实现上述任一光刻图形校准方法的步骤。
本申请的又一方面提供了一种计算机程序产品,包括计算机程序,计算机程序被处理器执行时实现上述任一光刻图形校准方法的步骤。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请实施例的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请一实施例中提供的一种光刻图形校准方法的实施示意图;
图2为本申请另一实施例中提供的一种光刻图形校准方法的实施示意图;
图3为本申请一实施例中提供的一种光刻图形校准方法的应用环境图;
图4为本申请一实施例中提供的一种光刻图形校准方法的流程示意图;
图5为本申请一实施例中提供的一种光刻图形校准方法的版图示意图;
图6为本申请另一实施例中提供的一种光刻图形校准方法的版图示意图;
图7为本申请再一实施例中提供的一种光刻图形校准方法的版图示意图;
图8为本申请一实施例中提供的一种光刻图形校准方法的晶圆验证结果图;
图9为本申请另一实施例中提供的一种光刻图形校准方法的晶圆验证结果图;
图10为本申请再一实施例中提供的一种光刻图形校准方法的晶圆验证结果图;
图11为本申请一实施例中提供的一种添加辅助图形装置的结构示意图;
图12为本申请另一实施例中提供的一种添加辅助图形装置的结构示意图;
图13为本申请一实施例中提供的一种光刻图形校准方法的流程示意图;
图14为本申请一实施例中提供的一种计算机设备的结构示意图。
附图标记说明:
10、待校准版图;21、第一子图形;22、第二子图形;23、第三子图形;24、第四子图形;30、主图形;40、原始亚分辨率辅助图形;41、第一图案;42、第二图案;43、第三图案;B、背景强度;T、光学临近效应标准阈值;R、待校准版图的校准参考量;100、光刻图形校准装置;110、标准阈值获取模块;120、校准参考量获取模块;130、图形添加模块;140、图形调节模块;131、图形添加模块的第一子模块;132、图形添加模块的第二子模块。
具体实施方式
为了便于理解本申请,下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是,本申请可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施方式。相反地,提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的,不是旨在于限制本申请。
在使用本文中描述的“包括”、“具有”、和“包含”的情况下,除非使用了明确的限定用语,例如“仅”、“由……组成”等,否则还可以添加另一部件。除非相反地提及,否则单数形式的术语可以包括复数形式,并不能理解为其数量为一个。
在本申请中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
此外,术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
传统技术中,请参考图1-图2,添加辅助图形的方式是在目标图像的周围添加辅助图形,在曝光之后,目标图形在晶圆上会形成沟槽(trench),并期望目标图形周围光刻胶不受背景强度(background intensity)的影响而损失。背景强度的强弱会对光刻胶产生很大的影响,背景强度过高会造成光刻胶损失。如图1所示,背景强度较低时,目标图形沟槽的周围光刻胶无损失;如图2所示,背景强度较高时,靠近目标图形沟槽且加有原始亚分辨率辅助图形的地方的光刻胶无损失,距离较远的且未加辅助图形的地方,光刻胶有部分损失,导致光刻胶形成一个高度差H。
本申请实施例提供的一种光刻图形校准方法,可以应用于如图3所示的应用环境中。其中,终端104与服务器102通过网络进行通信,服务器102与服务器接收端通讯连接,终端104也可以直接与服务器接收端通讯连接,通讯连接的方式包括有线或无线连接。
例如,光刻图形校准方法应用于终端104,终端104从服务器接收端中获取光刻图形校准的标准阈值及待校准版图的校准参考量,根据光刻图形校准的标准阈值及待校准版图的校准参考量的大小,判断校准参考量是否大于标准阈值,如果校准参考量大于标准阈值,终端104则在待校准版图添加周向环绕其中部的目标亚分辨率辅助图形,待校准版图的中部包括主图形及周向环绕主图形的多个原始亚分辨率辅助图形。随后终端104调节目标亚分辨率辅助图形的尺寸及/或间距,至校准参考量小于或等于标准阈值,并将校准参考量发送给服务器102进行储存。预设仿真信息可以包括用户向终端104输入的参数信息及/或设置信息等。其中,终端104可以但不限于是各种个人计算机、笔记本电脑、智能手机、平板电脑、物联网设备,物联网设备可为智能音箱、智能电视、智能空调、智能车载设备等。便携式可穿戴设备可为智能手表、智能手环、头戴设备等。服务器102可以用独立的服务器或者是多个服务器组成的服务器集群来实现。终端104和服务器102可以通过有线或无线通信方式进行直接或间接的连接,例如通过网络连接。
又例如,光刻图形校准方法应用于服务器102,服务器102从服务器接收端中获取光刻图形校准的标准阈值及待校准版图的校准参考量,根据光刻图形校准的标准阈值及待校准版图的校准参考量的大小,判断校准参考量是否大于标准阈值,如果校准参考量大于标准阈值,终端104则在待校准版图添加周向环绕其中部的目标亚分辨率辅助图形,待校准版图的中部包括主图形及周向环绕主图形的多个原始亚分辨率辅助图形。随后终端104调节目标亚分辨率辅助图形的尺寸及/或间距,至校准参考量小于或等于标准阈值,服务器102完成校准参考量后将校准参考量进行储存。
如图4所示,在本申请的一个实施例中,提供一种光刻图形校准方法,本实施例以该光刻图形校准方法应用于处理器进行举例说明,可以理解的是,该处理器可位于终端或服务器上。
基于此,请参考图4,本申请提供一种光刻图形校准方法,用于对待校准版图添加周向环绕其中部的目标亚分辨率辅助图形,待校准版图的中部包括主图形及周向环绕主图形的多个原始亚分辨率辅助图形;光刻图形校准方法包括:
步骤S102:获取光刻图形校准的标准阈值,标准阈值为在曝光后光刻胶损失量小于损失量阈值的情况下,曝光后版图的背景强度与光学临近效应标准阈值的比值,其中,光学临近效应标准阈值为曝光后版图的线宽达到目标值的标准曝光能量阈值;
步骤S104:在对待校准版图进行光学临近效应修正后,获取待校准版图的校准参考量,校准参考量为曝光后待校准版图的背景强度与光学临近效应标准阈值的比值;
步骤S106:在校准参考量大于标准阈值的情况下,在待校准版图的中部外围增加多个周向环绕中部的目标亚分辨率辅助图形;
步骤S108:调节目标亚分辨率辅助图形的尺寸及/或间距,至校准参考量小于或等于标准阈值。
作为示例,请继续参考图4,通过在校准参考量大于标准阈值的情况下,在待校准版图的中部外围增加多个周向环绕中部的目标亚分辨率辅助图形,降低外围光刻胶受到的背景强度,再调节目标亚分辨率辅助图形的尺寸及/或间距,至校准参考量小于或等于标准阈值,减少外围光刻胶的损失,因此,避免待校准版图周围产生光刻胶高度差,提高产品良率。
作为示例,请继续参考图4,步骤S106中添加的辅助图形如果与待校准版图的间距违反预设规则时,该辅助图形会被删除,避免产生辅助图形与待校准版图的间距过近或重叠而导致的校准不准确,提高校准的准确率。
在一些实施例中,请参考图5,步骤S106中在待校准版图10的中部外围增加多个周向环绕中部的目标亚分辨率辅助图形,包括:
步骤S1061a:在中部的沿第一方向的相对两侧增加多个沿第二方向延伸且沿第一方向间隔的第一子图形21;第一方向(例如ox方向)与第二方向(例如oy方向)垂直;
步骤S1062a:在中部的沿第二方向的相对两侧增加多个沿第一方向间隔排布的第一子图形21,以及位于第一子图形21与中部之间的至少一个第二子图形22,第二子图形22沿第一方向延伸;第一子图形21及第二子图形22用于共同构成目标亚分辨率辅助图形。
表格 1
作为示例,请参考图5及表格1,第一方向为ox方向,第二方向为oy方向,使用该方法布置辅助图形后,如表格1所示,测试1和测试2控制间距和长度是相同的,都为间距为76nm,长度为130nm,调节宽度的不同,测试1的宽度为24nm,测试2的宽度为22nm,得出测试1的校准参考量为36.1%,测试2的校准参考量为33.7%,测试2的校准参考量更低;测试3保持宽度为22nm,长度为130nm,将间距调节为50nm,得出的测试3的校准参考量为24.8 %,测试3的校准参考量更低;测试4保持宽度为22nm,间距为50nm,将长度调节为150nm,得出的测试4的校准参考量为24 %,测试4的校准参考量更低;测试5保持间距为50nm,长度为150nm,将宽度调节为20nm,得出的测试5的校准参考量为29.8%,测试5的校准参考量更高,因此,通过多次调节目标亚分辨率辅助图形的尺寸及/或间距,得出将添加的目标亚分辨率辅助图形的宽度设为22nm,间距设为50nm,长度设为150nm为最佳组合,得到的最低校准参考量为24%。
在一些实施例中,请参考图6,步骤S106中在待校准版图10的中部外围增加多个周向环绕中部的目标亚分辨率辅助图形,包括:
步骤S1061b:在中部的沿第一方向的相对两侧增加多个沿第一方向延伸且沿第二方向间隔排布的第三子图形23,以及至少一个沿第二方向延伸的第四子图形24,第四子图形24位于第三子图形23与中部之间;
步骤S1062b:在中部的沿第二方向的相对两侧增加多个沿第二方向间隔排布的第三子图形23;第三子图形23及第四子图形24用于共同构成目标亚分辨率辅助图形。
作为示例,请参考图6及表格1,按照该方法添加的目标亚分辨率辅助图形后,设置目标亚分辨率辅助图形最佳组合的宽度、长度及间距,将宽度设为22nm,间距设为50nm,长度设为150nm,最终得到的校准参考量为32%。同样的宽度、长度及间距下,选用步骤S106a得到的校准参考量比选用步骤S106b的得到校准参考量低,步骤S106a的效果更好。
在一些实施例中,请参考图7,待校准版图的中部包括主图形30及周向环绕主图形30的多个原始亚分辨率辅助图形40;光刻图形校准方法还包括:
调节原始亚分辨率辅助图形40的尺寸及/或间距,至主图形30的线宽达到目标值。
在一些实施例中,请继续参考图7,原始亚分辨率辅助图形40包括位于主图形30的沿第一方向相对两侧的沿第二方向延伸的第一图案41,以及位于主图形30的沿第二方向相对两侧的沿第一方向延伸的第二图案42。
作为示例,请继续参考图7,原始亚分辨率辅助图形40还包括第三图形43,第三图形43位于相邻的第一图形41与第二图形42之间,第三图形43可以保护边角部分的目标图形不变形,原始亚分辨率辅助图形40可以使稀疏的主图形30在光学角度上呈现密集图形,在掩模图形中图形比较稀疏的主图形30周围插入原始亚分辨率辅助图形40,可以提高焦深和工艺窗口均匀性,并且,由于原始亚分辨率辅助图形40小于光刻机分辨率,原始亚分辨率辅助图形40在曝光时只对光线其散射作用,不会被转移到光刻胶上。
在一些实施例中,请继续参考图7,待校准版图中部的原始亚分辨率辅助图形40为中心对称图形。
作为示例,请参考图8-图10,确定最佳的光刻图形校准方法后,可以在晶圆上验证该光刻图形校准方法,在曝光后光刻胶损失量小于损失量阈值的情况下,曝光后版图的背景强度B为0.0336,光学临近效应标准阈值T为0.1002,光刻图形校准的标准阈值Spec=0.0336/0.1002=33.5%。在一种基于经验的光刻图形校准方法中,在不增加外围多个周向环绕中部的目标亚分辨率辅助图形的情况下,背景强度B为0.0643,光学临近效应标准阈值T为0.1015,校准参考量R=0.0643/0.1015=63.3%;在另一种基于经验的光刻图形校准方法中,在增加外围多个周向环绕中部的目标亚分辨率辅助图形的情况下,背景强度B为0.0244,光学临近效应标准阈值T为0.1015,校准参考量R=0.0244/0.1015=24%,因此,在背景上添加多个周向环绕中部的目标亚分辨率辅助图形可以降低外围光刻胶受到的背景强度B,减少外围光刻胶的损失,因此,避免待校准版图周围产生光刻胶高度差,提高产品良率。
在一些实施例中,请参考图11,本申请提供了一种光刻图形校准装置100,用于对待校准版图添加周向环绕其中部的目标亚分辨率辅助图形,待校准版图的中部包括主图形及周向环绕主图形的多个原始亚分辨率辅助图形;光刻图形校准装置100包括标准阈值获取模块110、校准参考量获取模块120、图形添加模块130及图形调节模块140,标准阈值获取模块110用于获取光刻图形校准的标准阈值,标准阈值为在曝光后光刻胶损失量小于损失量阈值的情况下,获取曝光后版图的背景强度与光学临近效应标准阈值的比值;其中,光学临近效应标准阈值为曝光后版图的线宽达到目标值的标准曝光能量阈值;校准参考量获取模块120用于在对待校准版图进行光学临近效应修正后,获取待校准版图的校准参考量,校准参考量为曝光后待校准版图的背景强度与光学临近效应标准阈值的比值;图形添加模块130用于在校准参考量大于标准阈值的情况下,在待校准版图的中部外围增加多个周向环绕中部的目标亚分辨率辅助图形;图形调节模块140用于调节目标亚分辨率辅助图形的尺寸及/或间距,至校准参考量小于或等于标准阈值。
作为示例,请继续参考图11,通过图形添加模块130在校准参考量大于标准阈值的情况下,在待校准版图的中部外围增加多个周向环绕中部的目标亚分辨率辅助图形,降低外围光刻胶受到的背景强度,再调节目标亚分辨率辅助图形的尺寸及/或间距,至校准参考量小于或等于标准阈值,减少外围光刻胶的损失,因此,避免待校准版图周围产生光刻胶高度差,提高产品良率。
在一些实施例中,请参考图12,图形添加模块130包括第一子模块131及/或第二子模块132,第一子模块131用于在中部的沿第一方向的相对两侧增加多个沿第二方向延伸且沿第一方向间隔的第一子图形;第一方向与第二方向垂直;以及在中部的沿第二方向的相对两侧增加多个沿第一方向间隔排布的第一子图形,以及位于第一子图形与中部之间的至少一个第二子图形,第二子图形沿第一方向延伸;第一子图形及第二子图形用于共同构成目标亚分辨率辅助图形;第二子模块132用于在中部的沿第一方向的相对两侧增加多个沿第一方向延伸且沿第二方向间隔排布的第三子图形,以及至少一个沿第二方向延伸的第四子图形,第四子图形位于第三子图形与中部之间;在中部的沿第二方向的相对两侧增加多个沿第二方向间隔排布的第三子图形;第三子图形及第四子图形用于共同构成目标亚分辨率辅助图形。
作为示例,请继续参考图12,第一子模块131和第二子模块132提供了两种不同的目标亚分辨率辅助图形添加方式,为降低校准参考量提供更多方法,提高降低校准参考量的可行性,提高校准参考量的降低率。
上述基于光刻图形校准装置中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机设备中的处理器中,也可以以软件形式存储于计算机设备中的存储器中,以便于处理器调用执行以上各个模块对应的操作。
作为示例,请参考图13,本实施例的光刻图形校准方法先输入主图形及周向环绕主图形的多个原始亚分辨率辅助图形,再调节中部的原始亚分辨率辅助图形的尺寸及/或间距,至中部的光学临近效应满足光学临近效应标准阈值要求;其中,光学临近效应标准阈值为曝光后版图的线宽达到目标值的标准曝光能量阈值;在曝光后光刻胶损失量小于损失量阈值的情况下,获取曝光后版图的背景强度与光学临近效应标准阈值的比值,获取光刻图形校准的标准阈值;在对待校准版图进行光学临近效应修正后,获取待校准版图的校准参考量,校准参考量为背景强度与光学临近效应标准阈值的比值;在校准参考量大于标准阈值的情况下,在待校准版图的中部外围增加多个周向环绕中部的目标亚分辨率辅助图形,调节目标亚分辨率辅助图形的尺寸及/或间距,至校准参考量小于或等于标准阈值,在校准参考量小于或等于标准阈值后,对该版图进行晶圆验证;在校准参考量小于标准阈值,及待校准版图的中部的光学临近效应满足光学临近效应标准阈值要求的情况下,直接对该版图进行晶圆验证。
在一个实施例中,提供了一种计算机设备,其内部结构图可以如图14所示。该计算机设备包括通过系统总线连接的处理器、存储器、通信接口、显示屏和输入装置。其中,该计算机设备的处理器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质、内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统和计算机程序。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的通信接口用于与外部的终端进行有线或无线方式的通信,无线方式可通过WIFI、移动蜂窝网络、NFC(近场通信)或其他技术实现。该计算机程序被处理器执行时以实现一种光刻图形校准方法。该计算机设备的显示屏可以是液晶显示屏或者电子墨水显示屏,该计算机设备的输入装置可以是显示屏上覆盖的触摸层,也可以是计算机设备外壳上设置的按键、轨迹球或触控板,还可以是外接的键盘、触控板或鼠标等。
本领域技术人员可以理解,图14中示出的结构,仅仅是与本申请方案相关的部分结构的框图,并不构成对本申请方案所应用于其上的计算机设备的限定,具体的计算机设备可以包括比图中所示更多或更少的部件,或者组合某些部件,或者具有不同的部件布置。
在一个实施例中,提供了一种计算机设备,包括存储器和处理器,存储器中存储有计算机程序,处理器执行计算机程序时实现上述光刻图形校准方法中任一项的方法的步骤。
在一个实施例中,提供了一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,计算机程序被处理器执行时实现上述光刻图形校准方法中任一项的方法的步骤。
在一个实施例中,提供了一种计算机程序产品,包括计算机程序,该计算机程序被处理器执行时实现上述光刻图形校准方法中任一项的方法的步骤。
需要说明的是,本申请所涉及的用户信息(包括但不限于用户设备信息、用户个人信息等)和数据(包括但不限于用于分析的数据、存储的数据、展示的数据等),均为经用户授权或者经过各方充分授权的信息和数据。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程,是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成,所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中,该计算机程序在执行时,可包括如上述各方法的实施例的流程。其中,本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、数据库或其它介质的任何引用,均可包括非易失性和易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可包括只读存储器(Read-OnlyMemory,ROM)、磁带、软盘、闪存、光存储器、高密度嵌入式非易失性存储器、阻变存储器(ReRAM)、磁变存储器(Magneto-resistive Random Access Memory,MRAM)、铁电存储器(Ferroelectric Random Access Memory,FRAM)、相变存储器(Phase Change Memory,PCM)、石墨烯存储器等。易失性存储器可包括随机存取存储器(Random Access Memory,RAM)或外部高速缓冲存储器等。作为说明而非局限,RAM可以是多种形式,比如静态随机存取存储器(Static Random Access Memory,SRAM)或动态随机存取存储器(Dynamic RandomAccess Memory,DRAM)等。本申请所提供的各实施例中所涉及的数据库可包括关系型数据库和非关系型数据库中至少一种。非关系型数据库可包括基于区块链的分布式数据库等,不限于此。本申请所提供的各实施例中所涉及的处理器可为通用处理器、中央处理器、图形处理器、数字信号处理器、可编程逻辑器、基于量子计算的数据处理逻辑器等,不限于此。以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上实施例仅表达了本申请的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对公开专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本申请的保护范围。
Claims (10)
1.一种光刻图形校准方法,其特征在于,用于对待校准版图添加周向环绕其中部的目标亚分辨率辅助图形,所述待校准版图的中部包括主图形及周向环绕所述主图形的多个原始亚分辨率辅助图形;所述方法包括:
在调节中部的原始亚分辨率辅助图形的尺寸及/或间距,至中部的光学临近效应满足光学临近效应标准阈值要求后,获取光刻图形校准的标准阈值,所述标准阈值为在曝光后光刻胶损失量小于损失量阈值的情况下,曝光后版图的背景强度与所述光学临近效应标准阈值的比值;其中,所述光学临近效应标准阈值为所述曝光后版图的线宽达到目标值的标准曝光能量阈值;
在对待校准版图进行光学临近效应修正后,获取所述待校准版图的校准参考量,所述校准参考量为曝光后待校准版图的背景强度与所述光学临近效应标准阈值的比值;
在所述校准参考量大于所述标准阈值的情况下,在所述待校准版图的中部外围增加多个周向环绕所述中部的所述目标亚分辨率辅助图形;其中,添加的目标亚分辨率辅助图形在与所述待校准版图的间距违反预设规则的情况下被删除;
调节所述目标亚分辨率辅助图形的尺寸及/或间距,至所述校准参考量小于或等于所述标准阈值。
2.根据权利要求1所述的光刻图形校准方法,其特征在于,在所述待校准版图的中部外围增加多个周向环绕所述中部的目标亚分辨率辅助图形,包括:
在所述中部的沿第一方向的相对两侧增加多个沿第二方向延伸且沿所述第一方向间隔的第一子图形;所述第一方向与所述第二方向垂直;
在所述中部的沿所述第二方向的相对两侧增加多个沿所述第一方向间隔排布的所述第一子图形,以及位于所述第一子图形与所述中部之间的至少一个第二子图形,所述第二子图形沿所述第一方向延伸;所述第一子图形及所述第二子图形用于共同构成所述目标亚分辨率辅助图形。
3.根据权利要求1所述的光刻图形校准方法,其特征在于,在所述待校准版图的中部外围增加多个周向环绕所述中部的所述目标亚分辨率辅助图形,包括:
在所述中部的沿第一方向的相对两侧增加多个沿所述第一方向延伸且沿第二方向间隔排布的第三子图形,以及至少一个沿所述第二方向延伸的第四子图形,所述第四子图形位于所述第三子图形与所述中部之间;
在所述中部的沿所述第二方向的相对两侧增加多个沿所述第二方向间隔排布的所述第三子图形;所述第三子图形及所述第四子图形用于共同构成所述目标亚分辨率辅助图形。
4.根据权利要求1-3任一项所述的光刻图形校准方法,其特征在于,所述方法还包括:
调节所述原始亚分辨率辅助图形的尺寸及/或间距,至所述主图形的线宽达到所述目标值。
5.根据权利要求4所述的光刻图形校准方法,其特征在于,所述原始亚分辨率辅助图形包括:
位于所述主图形的沿所述第一方向相对两侧的沿所述第二方向延伸的第一图案,以及
位于所述主图形的沿所述第二方向相对两侧的沿所述第一方向延伸的第二图案。
6.根据权利要求5所述的光刻图形校准方法,其特征在于,所述原始亚分辨率辅助图形为中心对称图形。
7.一种光刻图形校准装置,其特征在于,用于对待校准版图添加周向环绕其中部的目标亚分辨率辅助图形,所述待校准版图的中部包括主图形及周向环绕所述主图形的多个原始亚分辨率辅助图形;所述装置包括:
标准阈值获取模块,用于在调节中部的原始亚分辨率辅助图形的尺寸及/或间距,至中部的光学临近效应满足光学临近效应标准阈值要求后,获取光刻图形校准的标准阈值,所述标准阈值为在曝光后光刻胶损失量小于损失量阈值的情况下,曝光后版图的背景强度与所述光学临近效应标准阈值的比值;其中,所述光学临近效应标准阈值为所述曝光后版图的线宽达到目标值的标准曝光能量阈值;
校准参考量获取模块,用于在对待校准版图进行光学临近效应修正后,获取所述待校准版图的校准参考量,所述校准参考量为曝光后待校准版图的背景强度与所述光学临近效应标准阈值的比值;
图形添加模块,用于在所述校准参考量大于所述标准阈值的情况下,在所述待校准版图的中部外围增加多个周向环绕所述中部的所述目标亚分辨率辅助图形;其中,添加的目标亚分辨率辅助图形在与所述待校准版图的间距违反预设规则的情况下被删除;
图形调节模块,用于调节所述目标亚分辨率辅助图形的尺寸及/或间距,至所述校准参考量小于或等于所述标准阈值。
8.根据权利要求7所述的光刻图形校准装置,其特征在于,所述图形添加模块包括:
第一子模块,用于在所述中部的沿第一方向的相对两侧增加多个沿第二方向延伸且沿所述第一方向间隔的第一子图形;所述第一方向与所述第二方向垂直;以及在所述中部的沿所述第二方向的相对两侧增加多个沿所述第一方向间隔排布的所述第一子图形,以及位于所述第一子图形与所述中部之间的至少一个第二子图形,所述第二子图形沿所述第一方向延伸;所述第一子图形及所述第二子图形用于共同构成所述目标亚分辨率辅助图形;或
第二子模块,用于在所述中部的沿第一方向的相对两侧增加多个沿所述第一方向延伸且沿第二方向间隔排布的第三子图形,以及至少一个沿所述第二方向延伸的第四子图形,所述第四子图形位于所述第三子图形与所述中部之间;
在所述中部的沿所述第二方向的相对两侧增加多个沿所述第二方向间隔排布的所述第三子图形;所述第三子图形及所述第四子图形用于共同构成所述目标亚分辨率辅助图形。
9.一种计算机可读存储介质,其特征在于,其上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1-6任一项所述的方法的步骤。
10.一种计算机设备,其特征在于,包括存储器和处理器,所述存储器中存储有计算机程序,所述处理器执行计算机程序时实现权利要求1-6任一项所述的方法的步骤。
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