KR20110065493A

KR20110065493A - 캐릭터 투영 리소그래피를 이용한 레티클의 광학적 근접 보정, 설계 및 제조를 위한 방법

Info

Publication number: KR20110065493A
Application number: KR1020117007648A
Authority: KR
Inventors: 아키라 후지무라; 랜스 글레서; 타카시 미츠하시; 카즈유키 하기와라
Original assignee: 디2에스, 인코포레이티드
Priority date: 2008-09-01
Filing date: 2009-08-10
Publication date: 2011-06-15
Also published as: CN102138106A; JP5676449B2; JP2012501473A; TW201015234A; EP2321701A2; WO2010025031A2; WO2010025031A3

Abstract

근소하게 상이한 다수의 패턴들을 갖는 표면을 제조하기 위한 방법 및 시스템이 제시된다. 방법은 표면 상에 패턴들을 형성하기 위한 캐릭터들의 세트를 갖는 스텐실 마스크를 사용하는 단계, 및 캐릭터 가변 기술의 사용에 의해 발사 카운트 또는 총 기록 시간을 감소시키는 단계를 포함한다. 또한, 단절(fracturing), 마스크 데이터 마련, 또는 근접효과 보벙에 그러한 방법을 적용하는 것이 제시된다. 또한, 표면 상에 패턴의 설계의 광학적 근접 보정을 위한 방법이 제시되며, 기판에 대한 목표된 패턴들을 입력하는 단계 및 캐릭터들의 세트를 입력하는 단계를 포함하고, 캐릭터들 중 일부는 표면 상에 패턴을 형성하기 위해 사용될 수 있는 복합 캐릭터들이다. 글리프들을 생성하는 방법이 또한 제시된다.

Description

캐릭터 투영 리소그래피를 이용한 레티클의 광학적 근접 보정, 설계 및 제조를 위한 방법{METHOD FOR OPTICAL PROXIMITY CORRECTION, DESIGN AND MANUFACTURING OF A RETICLE USING CHARACTER PROJECTION LITHOGRAPHY}

본 출원은 1) "Method and System for Manufacturing a Reticle Using Character Projection Particle Beam Lithography"란 명칭으로 2008년 9월 1일자로 출원된 미국특허출원 일련번호 제12/202,364호; 2) "Method for Optical Proximity Correction Of A Reticle To Be Manufactured Using Charater Projection Lithography"란 명칭으로 2008년 9월 1일자로 출원된 미국특허출원 일련번호 제12/202,365호; 3) "Method And System For Design Of A Reticle To Be Manufactured Using Character Projection Lithography"란 명칭으로 2008년 9월 1일자로 출원된 미국특허출원 일련번호 제12/202,366호; 4) "Method And System For Manufacturing A Reticle Using Character Projection Lithography"란 명칭으로 2008년 11월 12일자로 제출된 미국특허출원 일련번호 제12/269,777호를 우선권으로 청구하며, 이들 모두는 모든 목적을 위하여 참조로 본 명세서에 포함된다.

본 개시물은 리소그래피(lithography)에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 캐릭터(character) 또는 셀 투영(cell projection) 리소그래피를 이용하는 레티클, 웨이퍼, 또는 임의의 다른 표면일 수 있는 표면의 설계 및 제조에 관한 것이다.

집적회로들과 같은 반도체 소자들의 제조 또는 형성에서, 광학적 리소그래피는 반도체 소자들을 제조하기 위해 사용될 수 있다. 광학적 리소그래피는 집적회로를 생성하도록 반도체 또는 실리콘 웨이퍼와 같은 기판에 패턴들을 전사(transfer)하기 위해 리소그래픽 마스크 또는 레티클이 사용되는 프린팅 프로세스이다. 다른 기판들은 평판 디스플레이들 또는 심지어 포토마스크들을 포함할 수 있다. 또한, 극자외선(EUV) 또는 X선 리소그래피는 광학적 리소그래피의 타입들로 고려된다. 레티클 또는 다수의 레티클들은 집적회로의 개별 층에 대응하는 회로 패턴을 포함할 수 있고, 이러한 패턴은 포토레지스트 또는 레지스트로서 공지된 감광 물질층으로 코팅된 기판 상의 특정 영역 위에 이미징될 수 있다. 패턴화된 층이 전사되면, 식각(etching), 이온-주입(도핑), 금속배선(metalization), 산화, 및 연마(polishing)와 같은 다양한 다른 프로세스들이 상기 층에 수행될 수 있다. 이러한 프로세스들은 기판 내의 개별 층을 마무리(finish)하기 위해 사용된다. 몇개의 층들이 요구되는 경우, 전체 프로세스 또는 이의 변형들은 각각의 새로운 층에 대해 반복될 것이다. 점진적으로, 다수의 소자들 또는 집적회로들의 조합이 기판 상에 존재할 것이다. 그 다음, 이러한 집적회로들은 다이싱(dicing) 또는 쏘잉(sawing)함으로써 서로로부터 분리될 수 있고, 그 다음 개별 패키지들 내에 장착될 수 있다. 보다 일반적인 경우, 기판 상의 패턴들은 디스플레이 픽셀들 또는 자성 기록 헤드들과 같은 아티팩트(artifact)들을 규정(define)하기 위해 사용될 수 있다.

집적회로들과 같은 반도체 소자들의 제조 또는 형성에서, 마스크리스(maskless) 직접 기록(direct write) 또한 반도체 소자들을 제조하기 위해 사용될 수 있다. 마스크리스 직접 기록은 패턴들이 집적회로를 생성하기 위해 반도체 또는 실리콘 웨이퍼와 같은 기판으로 전사되는 프린팅 프로세스이다. 다른 기판들은 평판 디스플레이들, 나노-임프린팅(nano-imprinting)을 위한 임프린트 마스크들, 또는 심지어 포토마스크를 포함할 수 있다. 층의 목표된 패턴들은 표면 상에 직접 기록되고, 이 경우 상기 표면 또한 기판이다. 패턴화된 층이 전사되면, 식각, 이온-주입(도핑), 금속배선, 산화, 및 연마와 같은 다양한 다른 프로세스들이 층에 수행될 수 있다. 이러한 프로세스들은 기판 내의 개별 층을 마무리하기 위해 사용된다. 몇몇 층들이 요구되면, 전체 프로세스 또는 이의 변형들이 각각의 새로운 층에 대해 반복될 것이다. 층들의 일부는 광학적 리소그래피를 사용하여 기록될 수 있는 반면에, 다른 층들은 동일한 기판을 제조하기 위해 마스크리스 직접 기록을 이용하여 기록될 수 있다. 점진적으로, 다수의 소자들 또는 집적회로들의 조합이 기판 상에 존재할 것이다. 그 다음, 이러한 집적회로들은 다이싱 또는 쏘잉함으로써 서로로부터 분리되고, 그 다음 개별 패키지들 내에 장착된다. 보다 일반적인 경우, 표면 상의 패턴들은 디스플레이 픽셀들 또는 자성 기록 헤드들과 같은 아트팩트들을 규정(define)하기 위해 사용될 수 있다.

나타낸 것처럼, 리소그래픽 마스크 또는 레티클은 기판 내에 집적될 회로 컴포넌트들에 대응하는 기하학적 패턴들을 포함한다. 레티클을 제조하기 위해 사용되는 패턴들은 CAD(컴퓨터-보조 설계) 소프트웨어 또는 프로그램들을 사용하여 생성될 수 있다. 패턴들을 설계함에 있어서 CAD 프로그램은 레티클을 생성하기 위해 미리 결정된 설계 규칙들의 세트를 따를 수 있다. 이러한 규칙들은 처리, 설계, 최종-용도(end-use) 제한들에 의해 설정된다. 최종-용도 제한의 일 예는 요구된 공급 전압에서 충분하게 동작할 수 없는 방식으로 트랜지스터의 기하학적 형상(geometry)을 규정하는 것이다. 특히, 설계 규칙들은 회로 소자들 또는 상호연결 라인들 사이의 공간 허용오차(tolerance)를 규정할 수 있다. 설계 규칙들은 예를 들어, 회로 소자들 또는 라인들이 바람직하지 않은 방식으로 서로 상호작용하지 않도록 보장하기 위해 사용된다. 예를 들어, 설계 규칙들은 라인들이 단락 회로를 유발할 수 있는 방식으로 서로 너무 근접하지 않도록 하기 위해 사용된다. 설계 규칙 제한들은 다른 것들 중에서, 신뢰가능하게 제조될 수 있는 최소 치수들을 반영한다. 이러한 작은 치수들을 참조할 때, 일반적으로 임계 치수(critical dimension)의 개념을 도입한다. 예를 들어, 이들은 2개의 라인들 사이에 최소 공간 또는 라인의 최소 폭으로서 규정되고, 그러한 치수들은 정교한 제어를 요구한다.

광학적 리소그래피에 의한 집적회로 제조의 한가지 목표는 레티클의 사용에 의해 기판 상에 최초 회로 설계를 재현(reproduce)하는 것이다. 집적회로 제조사들은 항상 가능한 효율적으로 반도체 웨이퍼 영역(real estate)을 사용하려고 시도하고 있다. 엔지니어들은 집적회로들이 보다 많은 회로 엘리먼트들을 포함하고 적은 전력을 사용하도록 허용하기 위해 회로들의 크기를 계속 축소하고 있다. 집적회로 임계 치수의 크기가 감소하고 이의 회로 밀도가 증가함에 따라, 이의 대응하는 마스크 패턴의 임계 치수들은 광학적 리소그래피에 사용되는 광학적 노광 툴(exposure tool)의 분해능(resolution) 제한에 근접한다. 회로 레이아웃의 임계 치수들이 더 작아지고 노광 툴의 분해능 값에 근접함에 따라, 레지스트층 상에 현상된(developed) 실제 회로 패턴과 마스크 패턴 사이의 정확한 복사(transcription)는 어려워진다. 광학적 리소그래피 프로세스에 사용되는 광 파장보다 더 작은 피쳐(feature)들을 갖는 패턴들을 전사하기 위한 광학적 리소그래피의 추가적인 사용을 위해, 광학적 근접 보정(optical proximity correction: OPC)으로서 공지된 프로세스가 개발되었다. OPC는 근접(proximate) 피쳐들을 갖는 피쳐들의 광학적 상호작용 및 광학적 굴절과 같은 효과들에 의해 유발되는 왜곡들을 보상하기 위해 마스크 상의 최초 레이아웃을 변경한다. OPC는 레티클로 수행되는 모든 분해능 향상 기술들을 포함한다.

OPC는 최초 마스크 패턴, 즉 설계와 기판 상의 최종 전사된 회로 패턴 사이의 차이들을 감소시키기 위해 서브-분해능(sub-resolution) 리소그래픽 피쳐들을 마스크 패턴들에 부가한다. 서브-리소그래픽 피쳐들은 최초 마스크 패턴과 상호작용하며 서로 상호작용하고 최종 전사된 회로 패턴을 개선하기 위한 근접 효과들을 보상한다. 패턴의 전사를 개선하기 위해 사용되는 한가지 피쳐는 서브-분해능 보조 피쳐(SRAF)이다. 패턴 간섭을 개선하기 위해 부가되는 다른 피쳐는 "세리프(serif)들"로서 지칭된다. 세리프들은 최종 전사된 이미지 내의 코너를 뾰족하게 하기 위해(sharpen) 패턴의 코너 상에 위치될 수 있는 작은 피쳐들이다. 광학적 리소그래피의 제한들은 서브-파장 체제(regime)로 매우 확장되고 있기 때문에, OPC 피쳐들은 훨씬 더 민감한 상호작용들 및 효과들을 보상하기 위해 점점 더 복잡해져야 한다. 그러나, 이미징 시스템들이 이들의 제한값들에 더 근접하게 가까워짐에 따라, 충분히 미세한 OPC 피쳐들을 갖는 레티클들을 형성하기 위한 능력은 중요해진다. 세리프들 또는 다른 OPC 피쳐들을 마스크 패턴에 부가하는 것이 바람직하지만, 마스크 패턴에서 총 피쳐들의 카운트(count)를 실질적으로 증가시킨다. 예를 들어, 사각형의 각각의 코너들에 세리프를 부가하는 것은 마스크 또는 레티클 패턴에 8개 이상의 사각형들을 부가한다. OPC 피쳐들을 부가하는 것은 매우 힘든 작업이고 고비용의 계산 시간을 요구하여 보다 고비용의 레티클들을 초래한다. OPC 패턴들이 복잡할 뿐만 아니라, 최소 라인 및 공간 치수들에 비해 광학적 근접 효과들이 긴 범위(long range)이기 때문에, 주어진 위치의 정확한 OPC 패턴들은 어떤 다른 기하학적 형상이 인접하는지에 크게 좌우된다. 따라서, 예를 들어, 라인 단부(line end)는 레티클 상에서 이에 인접한 것에 좌우되는 상이한 크기 세리프들을 가질 것이다. 이는 웨이퍼 상에 정확히 동일한 형상을 형성하기 위한 것이 목표인 경우에도 그러할 수 있다. 이러한 작지만 임계적인 편차(variation)들은 중요하고 다른 것들이 레티클 패턴들을 형성할 수 있는 것을 방지하였다. 주요 피쳐들 면에서, 즉 OPC 데코레이션 이전의 설계, 및 OPC 피쳐들을 반영하는 피쳐들 면에서 레티클 상에 기록될 OPC-데코레이트된(decorated) 패턴들을 논의하는 것이 통상적이며, 여기서 OPC 피쳐들은 세리프들, 조그(jog)들, 및 SRAF를 포함할 수 있다. 작은 편차들에 의해 의도된 것을 정량화하기 위해, 이웃들 간에 OPC 데코레이션의 전형적인 작은 편차는 주요 피쳐 크기의 5% 내지 80%일 수 있다. 명확화를 위하여, OPC의 설계의 편차들이 인용되고 있는 것이라는 점을 유의한다. 라인-엣지 거칠기(line-edge roughness) 및 코너 라운딩과 같은 제조 편차들은 또한 실제 표면 패턴들에 존재할 것이다. 이러한 OPC 편차들이 웨이퍼 상에 실질적으로 동일한 패턴들을 형성할 때, 이는 웨이퍼 상의 기하학적 형상이 특정된 에러 내에서 동일하게 타겟팅된다는 것을 의미하며, 상기 특정된 에러는 그 기하학적 형상이 수행하도록 설계되는 기능의 세부사항들, 예를 들어 트랜지스터 또는 배선에 좌우된다. 그럼에도 불구하고, 전형적인 사양(specification)은 주요 피쳐 범위의 2%-50% 내에 있다. 또한 변화들을 유발하는 많은 제조 인자들이 있지만, 그 전체 에러의 OPC 컴포넌트는 종종 방금 열거된 범위 내에 있다.

광학적 또는 입자 빔 시스템들을 이용하는 것을 포함하는, 레티클 상에 패턴들을 형성하기 위해 사용되는 다수의 기술들이 있다. 가장 통상적으로 사용되는 시스템은 가변 형상 빔(VSB) 타입으로서, 정밀한 전자 빔은 레티클의 레지스트-코팅된 표면 위에 형상화 및 지향된다. 이러한 형상들은 간단한 형상들로서 일반적으로 특정한 최소 및 최대 크기들의 사각형들 및 45도, 45도 및 90도의 특정한 최소 및 최대 크기들인 3개의 내각들을 갖는 삼각형들로 제한된다. 미리 결정된 위치들에서, 전자들의 선량(doses)은 이러한 간단한 형상들을 갖는 레지스트 내에 발사된다(shot). 이러한 타입의 시스템에 대한 총 기록 시간은 발사 횟수에 따라 증가된다. 제 2 타입의 시스템은 캐릭터 투영 시스템이다. 이 경우 직선형, 임의의-각진(arbitrary-angled) 선형, 원형, 환형, 부분 원형, 부분 환형, 또는 임의의 곡선형 형상들, 및 복합(complex) 형상들의 연결 세트 또는 복합 형상들의 연결 세트의 단절된 세트들의 그룹일 수 있는 다양한 형상들을 갖는 스텐실이 시스템 내에 존재한다. 전자 빔은 레티클 상에 보다 복잡한 패턴들(즉, 캐릭터들)을 효율적으로 형성하기 위해 스텐실을 통하여 발사될 수 있다. 이론적으로, 그러한 시스템은 각각의 시간-소모적인 발사로 보다 복잡한 형상들을 발사할 수 있기 때문에 VSB 시스템보다 더 고속일 수 있다. 따라서, VSB 시스템의 E 발사는 4번의 발사들을 수행하지만, 캐릭터 투영 시스템을 통한 1번의 발사로 수행될 수 있다. 형상화된 빔 시스템들은 캐릭터 투명의 특수한(간단한) 경우로서 고려될 수 있으며, 여기서 캐릭터들은 아주 간단한 캐릭터들, 일반적으로 사각형들 또는 45-45-90 삼각형들이다는 점을 유의한다. 또한, 캐릭터를 부분적으로 노광하는 것이 가능할 수 있다. 이는 예를 들어 입자 빔의 부분을 차단함으로써 수행될 수 있다. 예를 들어, 상술된 E는 F 또는 I로서 부분적으로 노광될 수 있으며, 여기서 빔의 상이한 부분들은 애퍼처(aperture)에 의해 컷오프된다. 매우 복잡한 레티클에서, 패턴을 거의 수십억개 및 종종 수조개의 기본 형상들로 분할해야 한다. 예를 들어, 캐릭터 투영 시스템에서 제한된 수의 캐릭터들 또는 VSB 시스템에 대한 간단한 사각형 형상들이 존재한다. 패턴의 기본 형상들(캐릭터들)의 총 경우들(instances)이 더 많아질수록, 기록 시간은 더 길어지고 보다 고비용이 된다. 그러나, 훨씬 더 작은 패턴들 중에 많은 미세한 편차들이 있는 OPC-데코레이션된 레티클과 같은 기록 표면들에서, 그러한 투영 시스템들은 오늘날 비실용적이다. 투영 기기에 의한 캐릭터들의 선택에 최소한의 시간이 소요되는 이용가능하게 제조될 수 있는 캐릭터들의 수는 제한되며, 오늘날 약 10-1000 캐릭터들만을 허용한다. 레티클 상에 배치되도록 요구되는 다소 가변하는 과잉(plethora) OPC 패턴들에 직면할 때, 이러한 작업을 달성할 수 있는 시스템 또는 방법은 이용가능하지 않았다.

따라서, 기판을 위해 사용되는 레티클을 마련 및 제조하는데 걸리는 시간과 비용을 감소시키는 것이 바람직하다. 보다 일반적으로, 임의의 표면을 마련 및 제조하는데 걸리는 시간과 비용을 감소시키는 것이 바람직하다. 또한, 표면으로 전사되도록 요구되는 다양한 패턴들을 갖는 표면을 생성 또는 제조하는데 필요한 복합 캐릭터들의 일부를 포함하는 스텐실 마스크를 갖는 것이 바람직하다. 예를 들어, 표면이 서로 간에 근소한 차이들만을 갖는 수천개의 패턴들을 가질 수 있는 것이 가능하다. 표면을 마련하기 위해, 근소한 차이들을 갖는 많은 이러한 패턴들을 생성할 수 있는 스텐실 마스크를 갖는 것이 바람직하다. 본 명세서에서 보다 완전하게 논의되는 것처럼, 이는 많은 근소한 편차들로 패턴들을 생성하기 위해 조합, 변형, 또는 조정될 수 있는 한 세트의 캐릭터들을 포함하는 스텐실 마스크를 이용함으로써 달성될 수 있다. 따라서, 표면을 마련하는 것과 연관된 전술한 문제점들을 제거하는 표면을 제조하기 위한 방법 및 시스템이 필요하다.

본 개시물의 한가지 형태로서, 근소하게 상이한 다수의 패턴들을 갖는 표면을 제조하기 위한 방법이 제시되며, 상기 방법은 상기 표면 상에 상기 패턴들을 형성하기 위한 캐릭터들의 세트로 표면을 기록하는 단계, 및 캐릭터 가변 기술을 이용하여 발사 카운트(shot count) 또는 총 기록 시간을 감소시키는 단계를 포함한다.

본 개시물의 다른 형태로서, 표면을 형성하기 위한 방법이 제시되며, 상기 방법은 표면 상에 형성될 다수의 패턴들을 설계하는 단계 ― 상기 패턴들은 근소하게 상이함 ―; 상기 다수의 패턴들로부터 사용될 캐릭터들의 세트를 결정하는 단계; 상기 캐릭터들의 세트를 갖는 스텐실 마스크를 마련하는 단계; 및 캐릭터 가변 기술을 이용하여 발사 카운트 또는 총 기록 시간을 감소시키는 단계를 포함한다.

본 개시물의 다른 형태로서, 근소하게 상이한 다수의 패턴들을 갖는 표면을 제조하기 위한 시스템이 제시되며, 상기 시스템은 표면 상에 패턴들을 형성하기 위한 캐릭터들의 세트를 갖는 스텐실 마스크, 및 캐릭터 가변 기술을 이용하여 발사 카운트 또는 총 기록 시간을 감소시키기 위한 디바이스(device)를 포함한다.

본 개시물의 한가지 형태로서, 표면 상의 패턴의 설계의 광학적 근접 보정을 위한 방법이 제시되며, 상기 방법은 기판에 대한 목표된 패턴들을 입력하는 단계, 및 캐릭터들의 세트를 입력하는 단계를 포함하며, 상기 캐릭터들 중 일부는 표면 상에 패턴들을 형성하기 위해 사용될 수 있는 복합 캐릭터들이다.

본 개시물의 다른 형태로서, 표면 상의 패턴들의 설계의 광학적 근접 보정을 위한 방법이 제시되며, 상기 방법은 가능한 글리프(glyph)들을 입력하는 단계를 포함하고, 상기 글리프들은 미리 결정된 캐릭터들에 기초하며, 상기 글리프들은 캐릭터 선량(dose)을 가변하거나 캐릭터 위치를 가변하거나 또는 캐릭터의 부분적인 노광을 적용하는 계산을 이용하여 결정된다.

본 발명의 또 다른 형태로서, 표면 상의 패턴의 설계의 광학적 근접 보정을 위한 시스템이 제시되며, 상기 시스템은 기판에 대한 목표된 패턴들 및 캐릭터들의 세트를 포함하고, 상기 캐릭터들 중 일부는 표면 상에 패턴들의 일부를 형성하기 위한 복합 캐릭터들이다.

본 개시물의 다른 형태로서, 단절(fracturing) 또는 마스크 데이터 마련 또는 근접효과 보정을 위한 방법이 제시되며, 상기 방법은 표면 상에 형성될 패턴들을 입력하는 단계 ― 상기 패턴들의 서브세트는 서로 근소하게 상이한 편차들임 ―; 캐릭터들의 세트를 선택하는 단계 ― 상기 캐릭터들 중 일부는 다수의 패턴들을 형성하기 위해 사용될 복합 캐릭터들임 ―; 및 캐릭터 가변 기술을 이용함으로써 발사 카운트 또는 총 기록 시간을 감소시키는 단계를 포함한다.

본 개시물의 다른 형태로서, 단절 또는 마스크 데이터 마련 또는 근접효과 보정을 위한 시스템이 제시되며, 상기 시스템은 표면 상에 형성될 패턴들을 입력하기 위한 디바이스 ― 상기 패턴들은 근소하게 상이함 ―; 및 캐릭터들의 세트를 선택하고 캐릭터 가변 기술을 사용함으로써 발사 카운트 및 총 기록 시간을 감소시키기 위한 디바이스 ― 상기 캐릭터들 중 일부는 다수의 패턴들을 형성하기 위해 사용될 복합 캐릭터들이고, 상기 캐릭터들의 세트는 스텐실 마스크 상에 피팅됨 ― 를 포함한다.

본 개시물의 이러한 장점들 및 다른 장점들은 첨부된 도면들과 연계하여 이하의 상세한 명세서를 고려한 후에 명백해질 것이다.

도 1은 표면을 제조하기 위해 사용되는 셀 투영 시스템이다.
도 2a는 표면 상에 배치될 패턴의 설계예를 도시한다.
도 2b는 도 2a에 도시된 설계예로부터 레티클 내에 형성된 패턴을 도시한다.
도 2c는 도 2b의 레티클을 사용하여 기판의 포토레지스트 내에 형성된 패턴을 도시하고, 광학적 근접 보정 없이, 이미지가 도 2a에 도시된 설계예와 거의 유사하지 않음을 나타낸다.
도 3a는 도 2a에 도시된 패턴의 광학적 근접 보정된 버전을 도시한다.
도 3b는 레티클 내에 형성된 후에 도 3a에 도시된 패턴의 광학적 근접 보정된 버전을 도시한다.
도 3c는 도 3b의 레티클을 사용하여 실리콘 웨이퍼의 포토레지스트 내에 형성된 패턴을 도시한다.
도 4a는 기판 상에 배치될 이상적인 패턴을 도시한다.
도 4b는 2개의 기본적인 스텐실 형상들을 도시한다.
도 4c는 중첩하는 방식으로 도 4b에 도시된 2개의 기본적인 스텐실 형상들을 도시한다.
도 4d는 도 4c에 도시된 중첩하는 스텐실 형상들을 사용함으로써 레티클 상에 형성된 패턴을 도시한다.
도 4e는 도 4d에 도시된 패턴을 사용함으로써 기판 상에 형성된 패턴을 도시한다.
도 5a는 스텐실 형상들 중 하나가 2개의 단절된 사각형들로 이루어지는 중첩하는 방식의 2개의 기본적인 스텐실 형상들을 도시한다.
도 5b는 도 5a에 도시된 중첩하는 스텐실 형상들을 사용함으로써 레티클 상에 형성된 패턴을 도시한다.
도 5c는 도 5b에 도시된 패턴을 사용함으로써 기판 상에 형성된 패턴을 도시한다.
도 6a는 레티클 상에 패턴을 형성하기 위한 스텐실 형상을 도시한다.
도 6b는 도 6a에 도시된 스텐실 형상을 사용함으로써 레티클 상에 형성된 패턴을 도시한다.
도 6c는 도 6b에 도시된 패턴을 사용함으로써 기판 상에 형성된 패턴을 도시한다.
도 7a는 표면 상에 패턴을 형성하기 위해 사용된 4개의 스텐실 형상들을 도시한다.
도 7b는 도 7a에 도시된 스텐실 형상들을 사용함으로써 표면 상에 형성된 패턴을 도시한다.
도 8a는 스텐실 마스크 상에 형성된 캐릭터들의 세트를 도시한다.
도 8b는 도 8a에 도시된 캐릭터들의 세트를 사용함으로써 표면 상에 형성된 패턴을 도시한다.
도 8c는 조정 캐릭터들의 세트를 도시한다.
도 8d는 실선 및 점선 형상들을 사용하여, 선량들의 가변 정도들을 도시하며, 이에 의해 각각의 캐릭터 및 조정 캐릭터들은 도 8a에 도시된 캐릭터들의 세트 및 도 8c에 도시된 조정 캐릭터들을 사용함으로써 표면의 레지스트에서 노광된다.
도 8e는 도 8a에 도시된 캐릭터들의 세트 및 도 8c에 도시된 조정 캐릭터들을 사용함으로써 표면 내에 형성된 패턴을 도시한다.
도 9는 실리콘 웨이퍼 상의 집적회로와 같은 기판을 제조하는데 사용하기 위한 표면을 마련하는 방법의 개념적인 흐름도를 도시한다.
도 10은 실리콘 웨이퍼 상의 집적회로와 같은 기판을 제조하는데 사용하기 위한 표면을 마련하는 방법의 다른 개념적인 흐름도를 도시한다.
도 11은 캐릭터들의 세트를 도시한다.
도 12는 형상 편차를 갖는 캐릭터들의 세트 및 조정 캐릭터들을 도시한다.
도 13은 위치 편차를 갖는 캐릭터들의 세트 및 조정 캐릭터들을 도시한다.
도 14는 조정 캐릭터들의 형상 편차에 의해 생성된 패턴들의 세트를 도시한다.
도 15는 조정 캐릭터들의 다양한 조사량(dosage amount)들에 의해 생성된 패턴들의 세트를 도시한다.
도 16은 단일 캐릭터의 다양한 조사량들에 의해 생성된 패턴들의 세트를 도시한다.
도 17은 조정 캐릭터들의 위치 편차에 의해 생성된 패턴들의 세트를 도시한다.
도 18은 실리콘 웨이퍼 상의 집적회로와 같은 기판을 제조하는데 사용하기 위한 표면을 마련하는 방법의 개념적인 흐름도를 도시한다.
도 19는 글리프들의 예들을 도시한다.
도 20은 파라미터화된 글리프들의 예들을 도시한다.

이제 동일한 번호들이 동일한 아이템들을 지칭하는 도면들을 참조하면, 도 1 내지 도 10은 입자빔 기록기 시스템, 이 경우 본 개시물에 따라 표면(12)을 제조하기 위해 캐릭터 투영을 사용하는 전자빔 기록기 시스템과 같은, 리소그래피 시스템의 일 실시예를 나타낸다. 전자빔 기록기 시스템(10)은 애퍼처 플레이트(18)를 향하여 전자빔(16)을 투영하는 전자빔 소스(14)를 갖는다. 플레이트(18)는 전자빔(16)이 통과하도록 허용하는 내부에 형성된 애퍼처(20)를 갖는다. 전자빔(16)이 애퍼처(20)를 관통하면, 이는 다른 사각형 애퍼처 플레이트 또는 스텐실 마스크(24)를 향하는 전자빔(22)으로서 렌즈들의 시스템(미도시됨)에 의해 편향 또는 지향된다. 스텐실 마스크(24)는 캐릭터들(28)의 다양한 타입들을 규정하는 다수의 애퍼처들(26)을 내부에 형성한다. 스텐실 마스크(24) 내에 형성된 각각의 캐릭터(28)는 표면(12) 내에 패턴을 형성하기 위해 사용될 수 있다. 전자빔(30)은 애퍼처들(26) 중 하나로부터 나와서 패턴(32)으로서 표면(12) 위에 지향된다. 표면(12)은 전자빔(30)과 반응하는 레지스트(미도시됨)로 코팅된다. 패턴(32)은 전자빔 시스템(10)의 한번의 발사를 이용함으로써 묘사(draw)된다. 이는 가변 형상 빔(VSB) 투영 시스템 또는 방법을 이용하는 것과 비교하여 패턴(32)을 완성하기 위한 총 기록 시간을 감소시킨다. 표면(12)은 레티클일 수 있다. 그 다음, 표면(12)은 집적회로 또는 칩을 제조하기 위한 실리콘 웨이퍼 위에 패턴(32)을 전사하기 위해, 스캐너와 같은 다른 디바이스 또는 기기에서 사용될 수 있다. 보다 일반적으로, 레티클(12)은 패턴(32)을 기판 위에 전사하기 위한 다른 디바이스 또는 기기에서 사용된다.

앞서 나타낸 것처럼, 반도체 및 다른 나노-기술 제조사들은 광학 리소그래피의 한계들에 도달하고 있기 때문에, 이상적인 패턴을 기판 위에 전사하는 것이 어렵다. 예를 들어, 도 2a는 기판의 레지스트 내에 형성될 회로를 나타내는 이상적인 패턴(40)을 도시한다. 패턴(40)이 상부에 형성되도록 시도하는 레티클이 제조될 때, 레티클은 패턴(40)의 완벽한 표현(representation)이 아니다. 패턴(40)을 표현하려고 시도하는 레티클 내에 형성될 수 있는 패턴(42)은 도 2b에 도시된다. 패턴(42)은 패턴(40)과 비교하여 보다 라운드형이고 단축된 피쳐들을 갖는다. 패턴(42)이 광학적 리소그래피 프로세스에서 사용될 때, 패턴(44)은 도 2c에 도시된 바와 같이 기판 상의 포토레지스트 내에 형성된다. 패턴(44)은 이상적인 패턴(40)에 매우 근접하지 않으며, 광학적 근접 보정이 왜 요구되는지를 입증한다.

패턴들(40, 44)에서의 차이를 보상하기 위한 노력으로서, 광학적 근접 보정이 사용된다. 광학적 근접 보정은 광학적 회절, 인접한 형상들과의 광학적 상호작용들, 및 레지스트 프로세스 효과들에 의해 생성되는 왜곡들을 보상하기 위해 레티클을 변경한다. 도 3a-3c는 패턴(44)의 보다 양호한 버전을 개발하기 위한 광학 리소그래피 프로세스를 향상시키기 위해 광학적 근접 보정이 어떻게 사용될 수 있는지를 보여준다. 특히, 도 3a는 패턴(40)의 변경된 버전인 패턴(50)을 도시한다. 패턴(50)은 코너의 선예도(sharpness)를 감소시키는 광학적 및 처리 효과들을 감소시키는 시도로서 여분의 영역을 제공하기 위해 패턴(50)의 다양한 코너들에 부가된 세리프 엘리먼트(serif element)(52)를 갖는다. 패턴(50)의 레티클이 제조될 때, 도 3b에 도시된 바와 같은 패턴(54)으로서 레티클 내에 나타날 수 있다. 광학적 근접 보정된 패턴(54)이 광학 리소그래피 디바이스에서 사용될 때, 도 3c에 도시된 바와 같은 출력 패턴(56)이 생성된다. 패턴(56)은 패턴(44)보다 이상적인 패턴(40)에 더 가깝고 이는 광학적 근접 보정 때문이다. 광학적 근접 보정을 사용하는 것이 유용하지만, 모든 패턴이 변경 또는 데코레이션되어야 하는 것이 요구될 수 있고, 이는 레티클 또는 포토마스크를 제조하는 시간과 비용을 증가시킨다. 또한, 레티클 상에 형성된 다양한 패턴들은 OPC가 적용될 때 이들 사이의 근소한 차이들을 적절히 가질 수 있고, 이는 레티클을 마련하는데 있어서 시간과 비용에 부가된다. 추가적으로, 패턴들에서 많은 양의 근소한 차이들 또는 편차들은 요구되는 캐릭터들의 수가 너무 크기 때문에 캐릭터 투영 시스템들을 사용하여 레티클을 제조하는 것을 관리불가능하게 할 수 있다.

이제 도 4a를 참조하면, 기판 상에 배치될 콘택(contact)과 같은 이상적인 패턴(60)이 도시된다. 이상적인 패턴(60)은 사각형 형상이다. 기판 위에 패턴(60)을 가능한 근접하게 전사하는 레티클을 제공하기 위한 시도로서, 이하의 단계들이 사용된다. 도 4b는 이상적인 패턴(60)을 레티클 위에 기록하기 위해 사용될 수 있는 2개의 기본 스텐실 형상들 또는 캐릭터들(62, 64)을 도시한다. 스텐실 형상(62)은 각각의 코너(70, 72, 74, 76)에 위치된 세리프(68)를 갖는 사각형 형상(66)이다. 스텐실 형상(64)은 코너들(70, 72, 74, 76) 중 하나 이상에서 세리프(68)의 형상을 변화 또는 변경시키기 위해 형상(62) 상에 재배치될 수 있는 조정 캐릭터이다. 예를 들어, 도 4c에서, 스텐실 형상(64)은 스텐실 형상(62)의 코너(74)에 중첩하는 것으로 도시된다. 스텐실 형상들(62, 64)은 레티클 위에 패턴을 기록하기 위해, 도 1에 도시된 전자빔 기록기 시스템(10)과 같은 셀 투영 디바이스에 사용될 때, 도 4d에 도시된 바와 같은 패턴(78)이 나타날 것이다. 패턴(78)은 임의의 다른 코너들에서 보다 더 연장되거나 돌출되는(pronounced) 코너(80)를 갖는다. 이는 코너(74)를 변경하기 위한 스텐실 형상(64)의 사용 때문이다. 포토마스크 또는 레티클 상에 있는 패턴(78)은 패턴(78)을 기판 위에 전사하기 위한 종래의 리소그래픽 디바이스에서 사용될 수 있다. 예를 들어, 레티클 상의 패턴(78)이 기판 상의 패턴(60)과 가능한 근접하게 형성하기 위해 광학적 근접 보정에 영향을 주는 인접한 형상들로 주어진 적정한 형상이었던 경우, 도 4e에 도시된 바와 같은 패턴(82)은 기판 위에 전사되는 패턴(78)의 결과이다. 패턴(82)은 이상적인 패턴(60)과 유사하거나 근사한다.

다양한 다른 패턴들은 스텐실 형상들(62, 64)의 사용으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 형상(64)의 2개의 경우들은 도 5a에 도시된 패턴(92)을 형성하기 위해 코너들(70, 74)을 중첩하는데 사용되는 하나의 캐릭터(90)로서 함께 조합될 수 있다. 스텐실 형상들(90, 92)은 레티클 상에 도 5b의 패턴(94)을 생성할 수 있는 중첩 발사(overlapping shot)들이다. 레티클 상의 패턴(94)이 기판 상의 패턴(60)에 가능한 근접하게 형성하기 위해 광학적 근접 보정에 영향을 주는 인접한 형상들로 주어진 적정한 형상일 때, 도 5c에 도시된 바와 같은 패턴(96)은 레티클 상의 패턴(94)이 기판을 투영하기 위해 사용될 때 기판 상에 나타난다. 패턴(96)은 이상적인 패턴(60)과 실질적으로 동일하다. 또한, 레티클 상에 형성된 다양한 패턴들을 추가적으로 변경 또는 조정하기 위하여, 전자빔 기록기 시스템(10)에 사용되는 선량을 변경 또는 가변하는 것이 가능하고 고려된다. 고려될 수 있는 것처럼, 적은 스텐실 형상들의 사용으로, 많은 수 또는 다양한(diversity) 형상들이 레티클과 같은 표면 상에 생성될 수 있다.

특히 이제 도 12를 참조하면, 16개의 캐릭터들(400, 402, 404, 406, 408, 410, 412, 414, 416, 418, 420, 422, 424, 426, 428, 430)의 세트는 캐릭터들이 캐릭터 투영 시스템에 의해 투영된 후에 표면 상에 나타나는 것으로 도시된다. 캐릭터(400)로 도시된 바와 같은, 표면 상의 "0 ear" 패턴은 "square"(452)로서 도 13에 도시된 바와 같은 사각형인 설계 상에 패턴을 투영하기 위해, "center CP"(450)로서 이의 설계가 도 13에 도시된 캐릭터로 투영되었다. 캐릭터(414)로 도시된 바와 같은 "2 ears" 패턴은 "ear at 23"(454)으로서 이의 설계가 도 13에 도시된 캐릭터로 투영되고 조정 캐릭터의 일 예이다. 유사하게, 캐릭터(400)와 조합하여 투영된 15개의 캐릭터들(402, 404, 406, 408, 410, 412, 414, 416, 418, 420, 422, 424, 426, 428, 430)은 표면 상에 도 14에 도시된 바와 같은, 15개의 패턴들(472, 474, 476, 478, 480, 482, 484, 486, 488, 490, 492, 494, 496, 498, 500)을 생성할 수 있다. 패턴(470)(도 14)은 특정 선량과 함께 캐릭터(400)를 투영함으로써 생성된다. 도 14의 15개의 패턴들(472, 474, 476, 478, 480, 482, 484, 486, 488, 490, 492, 494, 496, 498, 500)은 캐릭터들의 작은 세트로부터 표면 상에 생성될 수 있는 근소하게 상이한 패턴들의 큰 편차의 예들인 2개의 캐릭터 발사들의 조합에 의해 형성된 글리프들이다. 큰 편차에 대한 필요성에 대한 잠재적인 이유는 표면이 레티클 또는 포토마스크인 경우에 광학 리소그래피를 사용하여 점진적인 투영을 위한 광학적 근접 보정이다. 기판 상에 도 13에 도시된 바와 같은 시각형(452)을 투영하기 위해, 광학적 근접 보정에 대한 필요성 때문에, "0 ear"(400)(도 12)의 편차들인 근소하게 상이한 패턴들의 큰 편차가 레티클 상에 생성될 필요가 있다. 그러나, 본 개시물은 근소하게 상이한 패턴들의 큰 편차를 필요로 하는 이유와 무관하다.

조정 캐릭터들의 선량을 가변함으로써, 이러한 캐릭터들만을 통하여 표면 상에 발사될 수 있는 다양한 패턴들은 추가적으로 증가한다. 도 15는 10nm 내지 19nm의 임계 치수 편차들을 생성하는 0%, -30%, -60%, +50%, 및 +100%만큼 가변되는 선량의 경우들(530, 532, 534, 536, 538)을 나타낸다. 또한, "0 ear"(400)(도 12)로 나타낸 중심 캐릭터의 선량은 근소하게 상이한 패턴들의 추가적인 편차를 생성하기 위해 가변될 수 있다. 도 16은 -40%, -20%, 0%, +25% 및 +50%만큼 선량을 가변함으로써 표면 상에 생성될 수 있는 상이한 형상들(550, 552, 554, 556, 558)을 나타낸다. 형상(560)은 근소하게 상이한 패턴들이 선량을 가변함으로써 생성될 수 있다는 것을 추가적으로 입증하기 위해, 형상들(550, 552, 554, 556, 558)의 중첩을 도시한다. 각각의 패턴들(550, 552, 554, 556, 558)은 작은 수의 캐릭터 발사들을 조합함으로써 이용가능해지는 것으로 공지된 글리프들 또는 패턴들일 수 있다. 파라미터화된 글리프는 단일 디스크립션(single description)에서 다수의 글리프들을 설명하기 위해 보다 일반성을 갖는 더 조밀한(compact) 표현으로서 사용될 수 있다. 패턴(560)은 선량이 하나의 표현으로 다수의 글리프들을 표현하기 위한 파라미터일 수 있다는 것을 입증한다. 이러한 모든 가능한 글리프들(550, 552, 554, 556, 558)을 설명하는 단일 디스크립션인 파라미터화된 글리프는 보다 조밀하고 보다 유연한(flexible) 표현이다. 근소하게 상이한 패턴들은 또한 상이한 위치들에서 조정 캐릭터들의 동일한 기본 패턴들을 발사함으로써 생성될 수 있다. 도 17을 참조하면, 패턴(580) 및 패턴(582)은 도 12의 캐릭터(400)와 같은, 0 ear 캐릭터에 대한 상이한 위치들에서, 도 12에 도시된 캐릭터(404)와 같은 동일한 1 ear 캐릭터를 배치함으로써 구성된다. 캐릭터들의 다수의 변형들을 마련함으로써, 이 경우 센터 캐릭터의 변형들 및 조정 캐릭터들의 변형들을 마련하고 선량 및 상대적 위치들을 가변함으로써, 매우 많은 수의 근소하게 상이한 패턴들은 2개의 발사들만을 사용하면서 표면 상에 투영될 수 있다. 3개 이상의 발사들로, 표면 상에 투영될 수 있는 이용가능한 글리프 패턴들의 수가 기하학적으로 증가한다. 또한 패턴들(584, 586, 588, 590)과 같은 다른 패턴들은 도 17에 도시된다. 예를 들어, 패턴(584)은 도 12에 도시된 조정 캐릭터(412)를 사용하여 2 ears에 대해 표준 거리에 대한 캐릭터와 캐릭터(400)(도 12)를 조합함으로써 형성된다. 패턴(586)은 도 12의 조정 캐릭터(432)를 사용하여 2 ears에 대한 긴 거리의 캐릭터와 캐릭터(400)를 조합함으로써 형성된다. 패턴(588)은 도 12의 조정 캐릭터(424)를 사용하여 3 ears에 대한 표준 거리의 캐릭터와 도 12의 캐릭터(400)를 조합함으로써 형성된다. 패턴(590)은 도 12에 도시된 조정 캐릭터(434)를 사용하여 3 ears에 대한 긴 거리의 캐릭터와 도 12의 캐릭터(400)를 조합함으로써 형성된다.

이제 도 6a를 참조하면, 도 4a에 도시된 바와 같은 이상적인 패턴(60)을 닮기 위해, 실리콘 웨이퍼와 같은 기판 상에 패턴을 형성하려는 시도에서 사용될 수 있는 다른 스텐실 패턴(100)이 도시된다. 스텐실 패턴(100)은 각각의 코너(106, 108, 110, 112)에 세리프(104)를 갖는 스텐실 형상(102)을 포함한다. 스텐실 패턴(100)은 또한 각각의 코너들(106, 108, 110, 112)에 대각선으로 위치된 서브-분해능 보조 피쳐(SRAF)(114)를 갖는다. 스텐실 패턴(100)은 도 6b에 도시된 것처럼, 레티클 상에 패턴(116)을 형성하기 위해 사용된다. 그 다음 이제 도 6c를 참조하면, 패턴(116)은 기판 상에 패턴(118)을 형성하기 위해 사용된다. 패턴(118)은 이상적인 패턴(60)과 유사하다.

도 7a는 도 7b에 도시된 바와 같이 레티클 상에 정교한(sophisticated) 형상 또는 패턴(158)을 형성하기 위해 조합될 스텐실 마스크 상에 사용될 수 있는 4개의 스텐실 캐릭터들(150, 152, 154, 156)을 도시한다. 특히, 제 1 캐릭터(150)가 발사되거나 레티클 위에 투영된 다음, 제 2 캐릭터(152)가 발사되고, 그 다음 제 3 캐릭터(154), 그리고 마지막으로 제 4 캐릭터(156)가 발사된다. 캐릭터들은 곡선형 형상이고 직선형이 아니다. 이러한 방식으로, 패턴(158)과 같은 복합 패턴은 레티클 상에 형성될 수 있다. 스텐실 마스크 상의 형상들은 "캐릭터들"로 지칭될 수 있고, 레티클 상에 형성된 패턴은 "글리프"로 지칭될 수 있다. 또한, 캐릭터들(150, 152, 154, 156)과 같은 동일한 스텐실 캐릭터들을 사용함으로써 레티클 상에 형성된 패턴들의 보다 근소한 편차들을 생성하기 위해 형상 편차와 더불어 선량 제어를 사용하는 것이 가능할 수 있다. 다수의 캐릭터들의 조합은 생성될 수 있는 가능한 형상들 또는 패턴들의 편차를 증가시키기 위해 상이한 선량 편차들로 서로 중첩될 수 있다. 부가적으로, 캐릭터의 위치는 생성될 수 있는 가능한 형상들 또는 패턴들의 편차를 증가시키기 위해 변경될 수 있다. 캐릭터들(150, 152, 154, 156)의 형상들은 곡선형이기 때문에, 이는 캐릭터들(150, 152, 154, 156)을 레티클 상에 발사 또는 투영하여 패턴(158)과 같은 글리프 패턴을 기록하기 위해 입자빔 기록기 시스템에 의해 사용되어야 하는 발사들의 수를 감소시킨다. 예를 들어, 패턴(158)은 4개의 캐릭터들(150, 152, 154, 156)만을 사용함으로써 발사될 수 있다. 직선형 형상들이 사용된 경우이지만, 보다 많은 발사들 또는 VSB 발사들이 사용되어야 한다. 알 수 있는 것처럼, VSB 발사들 대신에 캐릭터들을 사용할 수 있는 것은 레티클을 마련하는 시간을 감소시킨다. 또한, 레티클 상에 패턴을 형성하기 위해 곡선형 형상들을 갖는 직선형 형상들을 사용하는 것이 가능할 수 있다. 캐릭터 투영의 이러한 피쳐는 매우 많은 다양한 형상들을 요구하는 표면들을 돌출하기 위한 캐릭터 투영 시스템들에 이용가능하지만, 단일 컴포넌트들로서 이용가능해질 수 있는 캐릭터들의 수는 충분히 크지 않다. 본 방법 및 시스템은 이용가능한 글리프 패턴들의 수를 현저하게 증가시키기 위해 잠재적으로 중첩하는 발사들을 갖는 선량, 위치, 또는 부분적인 투영 편차들과 다수의 캐릭터들을 조합한다. 이용가능한 패턴들로서 매우 제한된 수의 캐릭터들 대신에 이용가능한 패턴들로서 많은 수의 글리프들을 가짐으로써, 보다 복합 패턴들이 발사 카운트 또는 기록 시간들에 크게 영향을 주지 않으면서 표면 상에 투영될 수 있다. 대안적으로, 이에 따라 많은 수의 이용가능한 글리프들을 사용하는 것은 매우 복합 형상들을 갖는 표면이 적은 수의 발사들 및 기록 시간들로 발사되도록 허용한다.

이제 도 8a를 참조하면, 스텐실 마스크 상에 배치될 수 있는 캐릭터들(200)의 세트의 일 예가 도시된다. 캐릭터들(200)의 세트는 도 8b에 도시된 것처럼, 레티클 상에 패턴(202)을 형성하기 위해 사용될 수 있다. 패턴(202)은 캐릭터들(200)의 세트에 있는 하나 이상의 캐릭터들로부터 형성될 수 있다. 그러나, 레티클의 사용에 의해 실리콘 웨이퍼 상에 전사될 이상적인 패턴을 보다 양호하게 형성하기 위한 노력으로서, 도 8c에 도시된 바와 같은 조정 캐릭터들 또는 발사들(204)은 패턴(202)을 추가적으로 향상시키기 위해 사용될 수 있다. 도 8d는 레티클의 레지스트 내에 형성될 수 있는 조정 캐릭터들(204)과 조합된 패턴(202)의 일 예를 도시한다. 조정 캐릭터들(204)은 다른 캐릭터들(202)을 발사하기 위해 사용된 선량과 비교하여 볼 때 이러한 캐릭터들(204)에 대해 더 작은 선량을 표시하기 위해 점선들로 도시된다. 도 8e는 가변하는 선량들로 캐릭터들(200)의 세트 및 조정 캐릭터들(204)의 사용에 의해 레티클 내에 형성되는 패턴(206)을 도시한다. 캐릭터들(200)의 세트와 같은 제한된 수의 캐릭터들은 다수의 상이한 형상의 패턴들 또는 다수의 근소하게 상이한 형상의 패턴들을 형성하기 위해 사용될 수 있다.

도 9는 실리콘 웨이퍼 상에 집적회로와 같은 표면을 제조하는데 사용하기 위한 레티클을 마련하는 방법의 개념적인 흐름도(250)이다. 제 1 단계(252)로서, 집적회로의 물리적 설계와 같은 물리적 설계가 설계된다. 이는 집적회로에서와 같은 물리적 설계에서 발견되도록 요구되는 논리 게이트들, 트랜지스터들, 금속층들, 및 다른 아이템들을 포함할 수 있다. 그 다음, 단계(254)에서, 광학적 근접 보정이 결정된다. 본 개시물의 일 실시예에서, 이는 미리-계산된 글리프들 또는 파라미터화된 글리프들의 라이브러리를 입력으로 선택하는 단계를 포함할 수 있다. 이는 또한 대안적으로 또는 부가적으로, 단계(262)에서 스텐실(260) 상에 이용가능해지는 복합 캐릭터들을 포함하는 사전-설계된 캐릭터들의 라이브러리를 입력으로 선택하는 단계를 포함할 수 있다. 본 개시물의 일 실시예에서, OPC 단계(254)는 또한 발사 카운트 또는 기록 시간들의 동시적인 최적화를 포함할 수 있고, 단절 동작(fracturing operation), 발사 배치 동작, 선량 할당 동작을 포함할 수 있거나, 또는 발사 시퀀스 최적화 동작, 또는 다른 마스크 데이터 마련 동작들을 포함할 수도 있다. 광학적 근접 보정이 완료되면, 마스크 설계는 단계(256)에서 현상된다(developed). 그 다음, 단계(258)에서, 단절 동작, 발사 배치 동작, 선량 할당 동작, 또는 발사 시퀀스 최적화를 포함할 수 있는 마스크 데이터 마련 동작이 수행될 수 있다. OPC 단계(254) 또는 MDP 단계(258)의 단계들 중 어느 하나, 또는 이러한 2개의 단계들(254 또는 258)과 무관한 개별 프로그램은 레티클 상의 요구된 패턴들의 전부 또는 많은 부분을 기록하기 위해 부분적인 노광의 정도, 위치 및 선량을 가변하여 스텐실 상에 나타낼 필요가 있는 캐릭터들을 조합함으로써 작은 수의 발사들로 표면 상에 발사될 수 있는 스텐실 또는 많은 수의 글리프들 또는 파라미터화된 글리프들 상에 나타낼 필요가 있는 제한된 수의 스텐실 캐릭터들을 결정하기 위한 프로그램을 포함할 수 있다. 마스크 데이터 마련 단계(258) 또는 마스크 데이터 준비는 OPC를 포함하지 않는다는 점은 본 개시물에 걸쳐서 이해된다. 하나의 단계에서 마스크 데이터 마련의 임의의 또는 모든 다양한 동작들과 OPC를 조합하는 것이 본 개시물에서 고려된다. 단절 동작을 포함할 수 있는 마스크 데이터 마련 단계(258)는 또한 마스크 설계에 근접하게 매칭되는 마스크를 생성하기 위해 글리프들을 매칭하기 위한 패턴 매칭 동작을 포함할 수 있다. 마스크 데이터 마련은 또한 표면 상에 형성될 근소하게 상이한 패턴들을 입력하는 단계, 다수의 패턴들을 형성하기 위해 사용될 캐릭터들의 세트를 선택하는 단계를 포함할 수 있으며, 상기 캐릭터들의 세트는 스텐실 마스크 상에 피팅되고, 상기 캐릭터들의 세트는 캐릭터 선량의 가변 또는 캐릭터 위치의 가변, 또는 발사 카운트나 총 기록 시간을 감소시키기 위해 캐릭터들의 세트 내에 캐릭터의 부분적인 노광의 적용을 기반으로 한다. 표면 상의 근소하게 상이한 패턴들의 세트는 기판 상에 실질적으로 동일한 패턴을 생성하기 위해 설계될 수 있다. 또한, 캐릭터들의 세트는 캐릭터들의 미리 결정된 세트로부터 선택될 수 있다. 본 개시물의 일 실시예에서, 마스크 기록 단계(262) 동안 신속하게 선택될 수 있는 단계(270)에서 스텐실 상에 이용가능한 캐릭터들의 세트는 특정한 마스크 설계를 위해 마련될 수 있다. 그러한 실시예에서, 마스크 데이터 마련 단계(258)가 완료되면, 스텐실은 단계(260)에서 마련된다. 본 개시물의 다른 실시예에서, 스텐실은 MDP 단계(258) 이전에 또는 동시에 단계(260)에서 마련되고, 특정 마스크 설계와 무관할 수 있다. 본 실시예에서, 단계(270)에서 이용가능한 캐릭터들 및 스텐실 레이아웃은 많은 잠재적인 마스크 설계들(256)에 대해 범용으로 출력하기 위해 단계(272)에서 설계되어, 메모리들, 플래시 메모리들, 시스템 온 칩 설계들과 같은 물리적 설계(252)를 특성화하는 특정 OPC 프로그램(254) 또는 특정 MDP 프로그램(258) 또는 특정 타입들의 설계들, 또는 물리적 설계(252)로 설계되는 특정 프로세스 기술, 또는 물리적 설계(252)에 사용된 특정 셀 라이브러리, 또는 마스크 설계(256)에서 근소하게 상이한 패턴들의 상이한 세트들을 형성할 수 있는 임의의 다른 공통 특징들로 출력될 가능성이 있는 근소하게 상이한 패턴들을 포함한다. 스텐실은 조정 캐릭터들의 세트를 포함하는 단계(258)에서 결정된 제한된 수의 캐릭터들과 같은 캐릭터들의 세트를 포함할 수 있다. 스텐실이 완료되면, 스텐실은 전자빔 기록기 시스템과 같은 마스크 기록기 기기에서 표면을 생성하기 위해 사용된다. 이러한 특정 단계는 단계(262)로서 식별된다. 전자빔 기록기 시스템은 단계(264)에 도시된 것처럼, 표면 내에 패턴들을 형성하기 위해 스텐실을 통하여 전자들의 빔을 표면 위에 투영한다. 그 다음, 완성된 표면은 단계(266)에 도시된 광학 리소그래피 기기에서 사용될 수 있다. 마지막으로, 단계(268)에서, 실리콘 웨이퍼와 같은 기판이 제조된다. 앞서 설명된 것처럼, 단계(270)에서, 캐릭터들은 OPC 단계(254) 또는 MDP 단계(258)에 제공될 수 있다. 단계(270)는 또한 캐릭터 및 스텐실 설계 단계(272) 또는 글리프 생성 단계(274)에 캐릭터들을 제공한다. 캐릭터 및 스텐실 설계 단계(272)는 스텐실 단계(260) 및 캐릭터 단계(270)에 입력을 제공한다. 글리프 생성 단계(274)는 글리프들 또는 파라미터화된 글리프들 단계(276)에 정보를 제공한다. 또한, 논의된 것처럼, 글리프들 또는 파라미터화된 글리프들 단계(276)는 OPC 단계(254) 또는 MDP 단계(258)에 정보를 제공한다.

이제 도 10을 참조하면, 실리콘 웨이퍼 상에 집적회로와 같은 기판을 제조하는데 사용하기 위한 표면을 마련하는 방법의 다른 개념적인 흐름도(300)가 도시된다. 제 1 단계(302)에서, 집적회로의 물리적 설계와 같은 물리적 설계가 설계된다. 이는 설계자가 기판 위에 전사되길 원하는 이상적인 패턴일 수 있다. 그 다음, 단계(304)에서, 단계(302)에서 생성된 이상적인 패턴의 광학적 근접 보정이 결정된다. 이는 마련될 필요가 있는 글리프들을 선택하는 단계를 포함할 수 있다. 광학적 근접 보정은 또한 가능한 글리프들을 입력하는 단계를 포함할 수 있고, 글리프들은 미리 결정된 캐릭터들에 기초하며, 글리프들은 캐릭터 선량을 가변하거나 캐릭터 위치를 가변하거나 또는 캐릭터의 부분적인 노광을 적용하는 계산을 이용하여 결정된다. 추가적으로, 광학적 근접 보정은 가능한 글리프들로부터 글리프를 선택하는 단계, 선택된 글리프에 기초하여 기판 상의 패턴들을 컴퓨팅하는 단계, 및 컴퓨팅에서의 에러가 미리 결정된 임계값을 초과하는 경우 다른 글리프를 선택하는 단계를 포함할 수 있다. 미리 결정된 캐릭터들은 기하학적 패턴들의 리스트로부터 선택될 수 있다. 광학적 근접 보정이 완료되면, 마스크 설계는 단계(304)에서 현상된다. 그 다음, 단계(306)에서, 마스크 설계가 마련된다. 마스크 설계가 마련되면, 마스크 설계의 추가적인 개선은 마스크 데이터 마련 단계(308)에서 수행된다. 마스크 데이터 마련 단계(308)는 레티클 상에 모든 요구된 패턴들을 기록할 수 있도록 스텐실 상에 나타낼 필요가 있는 제한된 수의 스텐실 캐릭터들을 결정하기 위한 프로그램을 포함할 수 있다. 마스크 데이터 마련은 또한 마스크 설계에 근접하게 매칭되는 마스크를 생성하도록 글리프들을 매칭하기 위한 패턴 매칭을 포함할 수 있다. 패턴 매칭, 선량 할당, 및 등가성 검사(equivalence checking)의 한번의 반복만을 잠재적으로 포함하는 반복들이 수행될 수 있으며, 여기서 구성에 의한 보정(correct-by-construction) "결정론적" 계산이 수행된다. 이러한 단계들은 향상된 등가적인 마스크 설계를 마련하는 것을 보조할 것이다. 마스크가 향상되면, 등가적인 마스크 설계는 단계(310)에서 생성된다. 등가적인 마스크 설계가 마스크 설계에 실제적으로 등가적인지 여부를 결정하기 위해 사용될 수 있는 테스트들에 대한 2개의 동기(motivation)들이 있다. 하나의 동기는 마스크 검사를 패스하는 것이다. 다른 동기는 칩 또는 집적회로가 제조된 후에 적절히 기능할 것이라는 것을 확인하는 것이다. 패턴 매칭 동작이 매칭을 선언하는 근접성(closeness)은 등가성 기준의 세트에 의해 결정될 수 있다. 등가성 기준은 리소-등가성(litho-equivalence)에 의해 적어도 부분적으로 유도될 수 있다. 리소-등가성은 미리 결정된 기하학적 규칙들의 세트, 매칭을 선언하는 수학적 방정식들의 세트, 부분적인 매칭, 또는 매칭 없음에 의해, 또는 글리프의 리소그래피 시뮬레이션과 표면 설계 상의 패턴의 리소그래피 시뮬레이션을 구동함으로써 그리고 미리 결정된 기하학적 규칙들의 세트를 이용하여 2개의 결과들을 비교함으로써, 또는 매칭, 부분적인 매칭, 또는 매칭 없음을 선언하는 수학적 방정식들의 세트에 의해 결정될 수 있다. MDP 단계(308)는 결과적인 등가적 마스크 설계(310)가 등가성 기준에 수용가능하도록 보장하면서 발사 카운트 또는 기록 시간에 대해 최적화하기 위한 이용가능한 캐릭터들, 글리프들, 또는 파라미터화된 글리프들의 미리 결정된 세트를 사용할 수 있다. 다른 실시예에서, OPC 및 MDP는 구성에 의한 보정 방법에서 조합될 수 있고, 이 경우 등가적인 마스크 설계(310)와 별개로 생성되는 마스크 설계(306)가 존재하지 않을 수 있다. 등가적인 마스크 설계는 단계(312)에 도시된 바와 같이 스텐실을 마련하기 위해 사용될 수 있다. 스텐실이 완료되면, 스텐실은 전자빔 기록기 시스템과 같은 마스크 기록기 기기에서 레티클을 마련하기 위해 사용된다. 이러한 단계는 단계(314)로서 식별된다. 전자빔 기록기 시스템은 표면 내에 패턴들을 형성하기 위해 스텐실을 통하여 전자들의 빔을 표면 위에 투영한다. 표면은 단계(316)에서 완성된다. 완성된 표면은 집적회로를 제조하기 위한 실리콘 웨이퍼와 같은 기판에 표면 상에 형성된 패턴들을 전사하기 위해 단계(318)에 나타낸 광학적 리소그래피 기기에서 사용될 수 있다. 마지막으로, 단계(320)에서, 반도체 웨이퍼와 같은 기판이 제조된다. 앞서 설명된 것처럼, 단계(322)에서 캐릭터들은 OPC 단계(304) 또는 MDP 단계(308)에 제공될 수 있다. 단계(322)는 또한 글리프 생성 단계(326)에 캐릭터들을 제공한다. 캐릭터 및 스텐실 설계 단계(324)는 스텐실 단계(312) 또는 캐릭터 단계(322)에 입력을 제공한다. 캐릭터 단계(322)는 캐릭터 및 스텐실 설계 단계(324)에 입력을 제공할 수 있다. 글리프 생성 단계(326)는 글리프들 또는 파라미터화된 글리프들 단계(328)에 정보를 제공한다. 또한, 논의된 것처럼, 글리프들 또는 파라미터화된 글리프들 단계(328)는 OPC 단계(308) 또는 MDP 단계(308)에 정보를 제공한다.

이제 도 18을 참조하면, 실리콘 웨이퍼와 같은 기판 상에 직접 기록되는 표면을 마련하는 방법의 다른 개념적인 흐름도(700)가 도시된다. 제 1 단계(702)에서, 집적회로의 물리적 설계와 같은 물리적 설계가 설계된다. 이는 설계자가 기판 위에 전사되도록 원하는 이상적인 패턴일 수 있다. 그 다음, 단계(704)에서, 근접효과 보정(PEC), 및 다른 데이터 마련(DP) 단계들은 기판 기록 디바이스에 대한 입력 데이터를 마련하기 위해 수행되며, 여기서 물리적 설계의 결과는 근소하게 상이한 다수의 패턴들을 포함한다. 단계(704)는 또한 단계(724)로부터 가능한 글리프들 또는 파라미터화된 글리프들을 입력하는 단계를 포함할 수 있고, 상기 글리프들은 단계(718)로부터의 미리 결정된 캐릭터들에 기초할 수 있으며, 상기 글리프들은 캐릭터 선량을 가변하거나 캐릭터 위치를 가변하거나 또는 글리프 생성 단계(722)에서 캐릭터의 부분적인 노광을 적용하는 계산을 이용하여 결정된다. 단계(704)는 또한 단계(702)에서 생성된 물리적 설계에 근접하게 매칭되는 웨이퍼 이미지를 생성하도록 글리프들을 매칭하기 위한 패턴 매칭을 포함할 수 있다. 또한, 패턴 매칭, 선량 할당, 및 등가성 검사의 한번의 반복만을 잠재적으로 포함하는 반복들이 수행될 수 있으며, 여기서 구성에 의한 보정(correction-by-construction) "결정론적" 계산이 수행된다. 스텐실은 단계(708)에서 마련된 다음, 단계(710)에서 웨이퍼 기록기에 제공된다. 스텐실이 완료되면, 스텐실은 전자빔 기록기 시스템과 같은 웨이퍼 기록기 기기에서 웨이퍼를 마련하기 위해 사용된다. 이러한 단계는 단계(710)으로서 식별된다. 전자빔 기록기 시스템은 표면 내에 패턴들을 형성하기 위해 스텐실을 통하여 전자들의 빔을 표면 위에 투영한다. 표면은 단계(712)에서 완성된다. 추가적으로, 단계(718)에서, 캐릭터들은 PEC 및 데이터 마련 단계(704)에 제공될 수 있다. 단계(718)는 또한 글리프 생성 단계(722)에 캐릭터들을 제공한다. 캐릭터 및 스텐실 설계 단계(720)는 스텐실 단계(708) 또는 캐릭터 단계(718)에 입력을 제공한다. 캐릭터 단계(718)는 캐릭터 및 스텐실 설계 단계(720)에 입력을 제공할 수 있다. 글리프 생성 단계(722)는 글리프들 또는 파라미터화된 글리프들 단계(724)에 정보를 제공한다. 글리프들 또는 파라미터화된 글리프들 단계(724)는 PEC 및 데이터 마련 단계(704)에 정보를 제공한다. 단계(710)는 각 층의 처리를 위해 요구되는 바와 같은 반복된 애플리케이션을 포함할 수 있으며, 잠재적으로 일부는 도 9 및 도 10과 연계하여 설명된 방법들을 이용하여 처리되고, 다른 것들은 도 18과 관련하여 앞서 상술된 방법들을 이용하여 처리되거나, 또는 다른 것들은 실리콘 웨이퍼 상에 집적회로들을 제조하기 위한 임의의 다른 웨이퍼 기록 방법을 이용하여 형성된다.

도 11은 레티클 상에 다양한 패턴들을 형성하기 위해 스텐실 상에 캐릭터들의 세트로서 사용될 수 있는 다양한 다른 기본 템플릿 형상들 또는 캐릭터들(350, 352, 354, 356, 358, 360, 362)을 도시한다. 스텐실 캐릭터들은 캐릭터 투영을 이용할 때 3가지 방법들에 의해 근소하게 변형될 수 있다. 제 1 방법은 캐릭터의 형상 및 크기를 변형하는 것이다. 예를 들어, 가변 캐릭터 투영은 단일 캐릭터가 캐릭터의 일부분을 부분적으로 노광함으로써 가변될 수 있는 경우에 사용될 수 있다. 제 2 방법은 캐릭터의 주어진 형상 및 크기를 발사할 때 선량을 근소하게 변형하는 것이다. 입자 투영 발사의 "선량(dose)"은 셔터 속도이고, 주어진 발사가 레티클의 표면 상에 투영되고 있는 시간 길이이다. "선량 보정"은 임의의 주어진 캐릭터 투영 발사에 대한 선량이 예를 들어 근접효과 보정(PEC) 동안 근소하게 변형되는 프로세스 단계이다. 이러한 특정한 실시예에서, 다른 선량 보정과 더불어 또는 조합하여, 선량은 레티클 상의 패턴들 또는 글리프들을 형성하기 위해 레티클의 표면 위에 투영되는 캐릭터들의 크기 및 형상을 근소하게 변형하기 위해 의도적으로 변경된다. 또한, 매우 다양한 패턴들 또는 글리프들을 형성하기 위해, 캐릭터들(350, 352, 354, 356)의 다수의 중첩 발사들을 이용함으로써 레티클 위에 발사된 패턴들을 변형하는 것이 가능하다. 패턴들 또는 글리프들은 직선형, 거의-직선형, 선형, 또는 곡선형 형상일 수 있다. 추가적으로, 훨씬 더 다양한 패턴들 또는 글리프들을 생성하기 위해 중첩 캐릭터들의 사용과 조합하여 선량을 변형하는 것이 고려된다. 또한, 스텐실 캐릭터들의 세트는 표면 상에 훨씬 더 많은 패턴들 또는 글리프들을 형성하기 위해, 간단한 캐릭터의 일 예인 VSB 발사들을 통해 사용될 수 있다. VSB 발사들 및 캐릭터들은 매우 다양한 패턴들 또는 글리프들을 생성하기 위해 할당된 선량들과 조합될 수 있다. 스텐실 캐릭터들을 근소하게 변형하기 위한 제 3 방법은 위치 편차를 갖는 것이다. 캐릭터들(358, 360, 362)은 동일한 캐릭터의 위치들의 3개의 편차들을 도시한다. 캐릭터들의 기하학적 형상들 및 서로에 대한 캐릭터들의 상대적 위치와 더불어 선량들을 가변함으로써, 캐릭터 투영 캐릭터들의 주어진 집합으로부터 신속하게 발사될 수 있는 마스크 이미지 단편들(fragments)의 수는 증배된다. 작은 수의 캐릭터들을 요구하는 많은 수의 글리프들은 감소된 발사 카운트 및 기록 시간들로 복합 패턴들을 투영하기 위해 이용가능해질 수 있다.

캐릭터들의 세트의 사용에 의해, 직선형 형상들, 임의적인 각도들의 엣지들을 조합한 형상들, 및 임의적인 곡률(curvature)들을 포함하는 형상들의 연결 또는 비연결 그룹들을 포함하는 복합 형상들이 형성될 수 있다. 임의적인 곡률들은 원, 반원, 및 1/4-원(quarter-circle)을 포함할 수 있다. 캐릭터 투영 캐릭터들의 세트가 설계되어 레티클을 기록하는 입자빔 투영 시스템에 설치된 스텐실 내에 포함된다. 광학적 근접 보정 시스템은 많은 수의 패턴들을 생성하기 위해 부분적인 투영의 정도들 및 선량들을 잠재적으로 가변하는 VSB 발사들을 잠재적으로 포함하는 캐릭터 투영 캐릭터들의 조합을 선택하기 위해 사용될 수 있다. 캐릭터들의 세트는 특정한 반도체 제조 기술 노드와 같은 특정한 공동체들(commonalties)을 갖는 잠재적인 향후 설계들 및 설계들의 세트에 대해 보다 일반적으로 또는 특정한 설계에 대해 구체적으로 미리 설계될 수 있다. 광학적 근접 보정 시스템은 가변 선량들로 중첩 캐릭터들 각각을 단절(frature)할 수 있다. 이는 복합 형상들이 레티클 상에 생성되도록 허용한다.

또한, 광학적 근접 보정 시스템이 미리-컴퓨팅된 또는 미리-계산된 글리프들의 큰 라이브러리로 시작할 수 있는 것이 가능하다. 그 다음, 광학적 근접 보정 시스템은 집적회로의 최초 물리적 설계를 레티클 설계로 광학적 근접 보정 변환을 수행함에 있어서 가능한 많은 이용가능한 글리프들을 사용하려고 시도할 수 있다. 글리프들은 연관된 발사 카운트 및 기록 시간 최적화 값 또는 값들로 각각 마킹될 수 있고, 광학적 근접 보정 시스템, 마스크 데이터 마련 시스템, 또는 일부 독립적인 프로그램은 보다 적은 발사 카운트 또는 기록 시간을 선택함으로써 발사 카운트 또는 기록 시간에 대해 최적화할 수 있다. 이러한 최적화는 패턴을 매칭하기 위한 글리프들을 선택하는 특정한 순서로 발사 카운트 또는 기록 시간에 대해 선택하기 위한 최상의 글리프를 최적화하도록 각각의 글리프가 선택되는 그리디(greedy) 방식으로 수행될 수 있거나, 또는 글리프 선택의 교환들이 전체 발사 카운트 또는 기록 시간을 최적화하는 시뮬레이션된 어닐링을 이용하는 것과 같은 반복적인 최적화 방식으로 수행될 수 있다. 레티클 상에 형성될 일부 목표된 패턴들은 임의의 이용가능한 글리프들에 의해 불일치되게 여전히 유지될 수 있고 그러한 패턴들은 VSB 발사들의 사용에 의해 형성될 필요가 있을 수 있다는 것이 가능하다.

이제 도 19를 참조하면, 광학적 근접 보정, 단절, 근접효과 보정, 또는 마스크 데이터 마련의 임의의 다른 단계들에 의해 사용될 수 있는 글리프들(1000, 1002, 1004, 1006)의 예들이 도시된다. 이러한 글리프들(1000, 1002, 1004, 1006)은 동일한 캐릭터들의 조합에 의해 생성 또는 생성되지 않을 수 있거나, 이들은 4개의 상이한 캐릭터들로부터 생성된 글리프들일 수 있다. 글리프들을 생성하는 방법과 무관하게, 글리프들은 작은 수의 발사들 또는 기록 시간들로 생성될 수 있는 표면 상의 가능한 패턴들인 것으로 알려진 가능한 패턴들을 표현한다. 각각의 글리프는 글리프를 생성하는데 요구되는 캐릭터들에 대한 사양, 각각의 캐릭터들에 대한 부분적인 노광 명령들, 각 캐릭터의 투영 요구 선량, 및 캐릭터들의 상대적 위치들을 이와 연관되게 할 수 있다.

도 20은 파라미터화된 글리프들(1010, 1012)의 예들을 도시한다. 글리프(1010)는 가변될 수 있는 치수의 사양으로 설명된 일반적인 형상을 나타내며, 이 경우 길이 X는 10 내지 25의 길이 단위 값들로부터 가변된다. 글리프(1012)는 길이 X가 단지 예를 들어 10, 15, 20, 또는 25와 같은 특정 값들 중 하나일 수 있는 보다 제한적인 방식으로 동일한 일반적인 형상을 나타낸다. 파라미터화된 글리프(1010)는 이러한 디스크립션들이 파라미터화되지 않는 글리프들의 열거(enumeration) 방법에 실용적이지 않는 매우 다양한 가능한 글리프들을 허용한다는 것을 나타낸다.

글리프(1010)에 대한 파라미터화된 글리프 디스크립션의 일 예는 다음과 같을 수 있다:

글리프(1012)에 대한 파라미터화된 글리프 디스크립션의 일 예는 다음과 같을 수 있다:

이러한 예의 디스크립션들은 파라미터들의 어떤 값들이 "where ((x=10) or (x=15) or (x=20) or (x=25))" 또는 "where ((x=10) or ((x>10) and (x<25)) or (x=25))"와 같은 특정 기준을 충족시키는지를 결정하는 논리적 테스트를 산출하는 파라미터들을 기반으로 한다. 파라미터화된 글리프를 상술하는 많은 다른 방법들이 있다. 구성(constructive) 방법을 나타내는 다른 예는 다음과 같다:

본 명세서는 특정 실시예들과 관련하여 상세히 설명되었지만, 전술한 설명의 이해에 도달할 때, 통상의 당업자는 이러한 실시예들에 대한 변화들, 변경들, 및 등가물들을 용이하게 안출할 수 있다는 점을 인식할 것이다. 캐릭터 투영 리소그래피를 사용하여 레티클을 제조하기 위한 본 시스템 및 방법에 대한 이러한 그리고 다른 변형들 및 변화들은 첨부된 청구범위에서 보다 구체적으로 상술되는 본 청구대상의 사상과 범주를 벗어남이 없이 통상의 당업자에 의해 실시될 수 있다. 더욱이, 통상의 당업자는 전술한 설명이 단지 예에 의한 것이며 제한적인 것으로 의도되지 않는다는 점을 인식할 것이다. 따라서, 첨부된 청구범위 및 이들의 등가물들의 범주 내에 있는 그러한 변형들 및 변화들을 커버하는 것으로 의도된다.

Claims

표면을 제조하기 위한 방법으로서,
상기 표면은 근소하게 상이한 다수의 패턴들을 갖고, 상기 방법은,
상기 표면 상에 상기 패턴들을 형성하기 위해 스텐실 마스크(stencil mask) 상에 캐릭터들(characters)의 세트를 사용하는 단계; 및
캐릭터 가변 기술의 사용에 의해 발사 카운트(shot count) 또는 총 기록 시간을 감소시키는 단계
를 포함하는 표면을 제조하기 위한 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 캐릭터 가변 기술은 캐릭터 선량(dose)을 가변하는 것을 포함하는,
표면을 제조하기 위한 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 캐릭터들의 세트의 다수의 캐릭터들로부터의 발사들은 중첩되는(overlap),
표면을 제조하기 위한 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 캐릭터 가변 기술은 캐릭터 위치를 가변하는 것을 포함하는,
표면을 제조하기 위한 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 캐릭터 가변 기술은 상기 캐릭터들의 세트의 캐릭터의 부분적인 노광(exposure)을 적용하는 것을 포함하는,
표면을 제조하기 위한 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 표면은 레티클(reticle)인,
표면을 제조하기 위한 방법.
제 6 항에 있어서,
상기 표면 상의 근소하게 상이한 패턴들은 실질적으로 동일한 패턴들을 기판 상에 형성하는,
표면을 제조하기 위한 방법.
제 7 항에 있어서,
등가성 기준(equivalence criterion)은 상기 기판 상의 상기 패턴들이 실질적으로 동일한지 여부를 결정하는,
표면을 제조하기 위한 방법.
제 8 항에 있어서,
상기 등가성 기준은 리소그래피 시뮬레이션(lithography simulation)을 기반으로 하는,
표면을 제조하기 위한 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 표면은 기판인,
표면을 제조하기 위한 방법.
제 1 항에 있어서,
캐릭터 투영(projection) 리소그래피를 사용하는 단계를 더 포함하는,
표면을 제조하기 위한 방법.
제 1 항에 있어서,
표면 상에 형성될 다수의 패턴들을 설계하는(designing) 단계 ― 상기 패턴들은 근소하게 상이함 ―;
상기 다수의 패턴들로부터 사용될 캐릭터들의 세트를 설계하는 단계; 및
상기 캐릭터들의 세트를 갖는 스텐실 마스크를 마련하는 단계를 더 포함하는,
표면을 제조하기 위한 방법.
표면을 제조하기 위한 시스템으로서,
상기 표면은 근소하게 상이한 다수의 패턴들을 갖고, 상기 시스템은,
상기 표면 상에 상기 패턴들을 형성하기 위한 캐릭터들의 세트를 갖는 스텐실 마스크; 및
캐릭터 가변 기술의 사용에 의해 발사 카운트 또는 총 기록 시간을 감소시키기 위한 디바이스
를 포함하는 표면을 제조하기 위한 시스템.
제 13 항에 있어서,
상기 캐릭터 가변 기술은 캐릭터 선량(dose)을 가변하는 것을 포함하는,
표면을 제조하기 위한 시스템.
제 13 항에 있어서,
상기 캐릭터들의 세트의 다수의 캐릭터들로부터의 발사들은 중첩되는,
표면을 제조하기 위한 시스템.
제 13 항에 있어서,
상기 캐릭터 가변 기술은 캐릭터 위치를 가변하는 것을 포함하는,
표면을 제조하기 위한 시스템.
제 13 항에 있어서,
상기 캐릭터 가변 기술은 상기 캐릭터들의 세트의 캐릭터의 부분적인 노광을 적용하는 것을 포함하는,
표면을 제조하기 위한 시스템.
집적회로를 제조하기 위한 방법으로서,
상기 집적회로는 근소하게 상이한 다수의 패턴들을 갖는 표면을 갖고, 상기 방법은,
상기 표면 상에 상기 패턴들을 형성하기 위해 스텐실 마스크 상에 캐릭터들의 세트를 사용하는 단계; 및
캐릭터 가변 기술의 사용에 의해 발사 카운트 또는 총 기록 시간을 감소시키는 단계
를 포함하는 집적회로를 제조하기 위한 방법.
제 18 항에 있어서,
상기 캐릭터 가변 기술은 캐릭터 선량을 가변하는 것을 포함하는,
집적회로를 제조하기 위한 방법.
제 18 항에 있어서,
상기 캐릭터들의 세트의 다수의 캐릭터들로부터의 발사들은 중첩되는,
집적회로를 제조하기 위한 방법.
제 18 항에 있어서,
상기 캐릭터 가변 기술은 캐릭터 위치를 가변하는 것을 포함하는,
집적회로를 제조하기 위한 방법.
제 18 항에 있어서,
상기 캐릭터 가변 기술은 상기 캐릭터들의 세트의 캐릭터의 부분적인 노광을 적용하는 것을 포함하는,
집적회로를 제조하기 위한 방법.
제 18 항에 있어서,
캐릭터 투영 리소그래피를 사용하는 단계를 더 포함하는,
집적회로를 제조하기 위한 방법.
제 18 항에 있어서,
표면 상에 형성될 다수의 패턴들을 설계하는 단계 ― 상기 패턴들은 근소하게 상이함 ―;
상기 다수의 패턴들로부터 사용될 캐릭터들의 세트를 설계하는 단계; 및
상기 캐릭터들의 세트를 갖는 스텐실 마스크를 마련하는 단계를 더 포함하는,
집적회로를 제조하기 위한 방법.
광학적 리소그래피 프로세스를 사용하여 집적회로를 제조하기 위한 방법으로서,
상기 광학적 리소그래피 프로세스는 근소하게 상이한 다수의 패턴들을 갖는 레티클을 사용하고, 상기 방법은,
상기 레티클 상에 상기 패턴들을 형성하기 위해 스텐실 마스크 상에 캐릭터들의 세트를 사용하는 단계; 및
캐릭터 가변 기술의 사용에 의해 발사 카운트 또는 총 기록 시간을 감소시키는 단계
를 포함하는 광학적 리소그래피 프로세스를 사용하여 집적회로를 제조하기 위한 방법.
제 25 항에 있어서,
상기 캐릭터 가변 기술은 캐릭터 선량을 가변하는 것을 포함하는,
광학적 리소그래피 프로세스를 사용하여 집적회로를 제조하기 위한 방법.
제 25 항에 있어서,
상기 캐릭터들의 세트의 다수의 캐릭터들로부터의 발사들은 중첩되는,
광학적 리소그래피 프로세스를 사용하여 집적회로를 제조하기 위한 방법.
제 25 항에 있어서,
상기 캐릭터 가변 기술은 캐릭터 위치를 가변하는 것을 포함하는,
광학적 리소그래피 프로세스를 사용하여 집적회로를 제조하기 위한 방법.
제 25 항에 있어서,
상기 캐릭터 가변 기술은 상기 캐릭터들의 세트의 캐릭터의 부분적인 노광을 적용하는 것을 포함하는,
광학적 리소그래피 프로세스를 사용하여 집적회로를 제조하기 위한 방법.
제 25 항에 있어서,
상기 레티클 상의 근소하게 상이한 패턴들은 실질적으로 동일한 패턴들을 기판 상에 형성하는,
광학적 리소그래피 프로세스를 사용하여 집적회로를 제조하기 위한 방법.
제 30 항에 있어서,
등가성 기준은 상기 기판 상의 상기 패턴들이 실질적으로 동일한지 여부를 결정하는,
광학적 리소그래피 프로세스를 사용하여 집적회로를 제조하기 위한 방법.
제 31 항에 있어서,
상기 등가성 기준은 리소그래피 시뮬레이션을 기반으로 하는,
광학적 리소그래피 프로세스를 사용하여 집적회로를 제조하기 위한 방법.
제 25 항에 있어서,
캐릭터 투영 리소그래피를 사용하는 단계를 더 포함하는,
광학적 리소그래피 프로세스를 사용하여 집적회로를 제조하기 위한 방법.
제 25 항에 있어서,
레티클 상에 형성될 다수의 패턴들을 설계하는 단계 ― 상기 패턴들은 근소하게 상이함 ―;
상기 다수의 패턴들로부터 사용될 캐릭터들의 세트를 설계하는 단계; 및
상기 캐릭터들의 세트를 갖는 스텐실 마스크를 마련하는 단계를 더 포함하는,
광학적 리소그래피 프로세스를 사용하여 집적회로를 제조하기 위한 방법.
표면 상에 패턴들의 세트를 포함하는 설계의 광학적 근접 보정(optical proximity correction)을 위한 방법으로서,
상기 표면은 상기 패턴들의 세트를 기판에 전사(transfer)하기 위해 광학적 리소그래픽 프로세스에서 사용되고, 상기 방법은,
상기 기판에 대한 목표된 패턴들을 입력하는(inputting) 단계; 및
캐릭터들의 세트를 입력하는 단계 ― 상기 캐릭터들 중 일부는 상기 표면 상에 상기 패턴들을 형성하기 위해 사용될 수 있는 복합(complex) 캐릭터들임 ―
를 포함하는 광학적 근접 보정을 위한 방법.
제 35 항에 있어서,
상기 캐릭터들의 세트의 캐릭터의 부분적인 노광 또는 캐릭터 위치 또는 캐릭터 선량에서 편차(variation)를 계산하는 단계를 더 포함하는,
광학적 근접 보정을 위한 방법.
제 35 항에 있어서,
발사 카운트 또는 총 기록 시간을 결정하는 단계를 더 포함하고, 상기 발사 카운트 또는 상기 총 기록 시간은 감소되는,
광학적 근접 보정을 위한 방법.
제 35 항에 있어서,
상기 표면 상에 상기 패턴들을 형성하기 위해 상기 캐릭터들의 세트의 다수의 캐릭터들을 중첩하는(overlapping) 단계를 더 포함하는,
광학적 근접 보정을 위한 방법.
제 35 항에 있어서,
상기 표면 상의 상기 패턴들의 서브세트는 서로 근소하게 상이한 편차들인 패턴들로 구성되는,
광학적 근접 보정을 위한 방법.
제 39 항에 있어서,
상기 표면 상의 상기 근소하게 상이한 패턴들은 실질적으로 동일한 패턴들을 상기 기판 상에 형성하는,
광학적 근접 보정을 위한 방법.
제 40 항에 있어서,
등가성 기준은 상기 기판 상의 상기 패턴들이 실질적으로 동일한지 여부를 결정하는,
광학적 근접 보정을 위한 방법.
제 41 항에 있어서,
상기 등가성 기준은 리소그래피 시뮬레이션을 기반으로 하는,
광학적 근접 보정을 위한 방법.
표면 상에 패턴들의 세트를 포함하는 설계의 광학적 근접 보정을 위한 방법으로서,
상기 표면은 상기 패턴들의 세트를 기판에 전사하기 위한 광학적 리소그래픽 프로세스에서 사용되고, 상기 방법은,
가능한 글리프들(glyphs)을 입력하는 단계
를 포함하며, 상기 글리프들은 미리 결정된 캐릭터들의 세트의 캐릭터들을 기반으로 하고, 상기 글리프들은 캐릭터 선량을 가변하거나 캐릭터 위치를 가변하거나 또는 미리 결정된 캐릭터들의 세트의 캐릭터의 부분적인 노광을 적용하는 계산을 이용하여 결정되는,
광학적 근접 보정을 위한 방법.
제 43 항에 있어서,
상기 가능한 글리프들로부터 글리프를 선택하는 단계;
상기 선택된 글리프를 기반으로 상기 기판 상의 상기 전사된 패턴들을 컴퓨팅하는 단계; 및
상기 컴퓨팅하는 단계에서의 에러가 미리 결정된 임계값을 초과하는 경우 상기 가능한 글리프들로부터 다른 글리프를 선택하는 단계를 더 포함하는,
광학적 근접 보정을 위한 방법.
제 43 항에 있어서,
상기 가능한 글리프들은 파라미터화된 글리프들인,
광학적 근접 보정을 위한 방법.
글리프들을 생성하는 방법으로서,
상기 글리프들의 기초로서 미리 결정된 캐릭터들의 세트를 획득하는 단계; 및
부가적인 글리프들을 생성하기 위해, 캐릭터 선량의 편차 또는 캐릭터 위치의 편차 또는 상기 미리 결정된 캐릭터들의 세트의 캐릭터의 부분적인 노광의 적용을 계산하는 단계
를 포함하는 글리프들을 생성하는 방법.
제 46 항에 있어서,
상기 글리프들은 파라미터화된(parameterized) 글리프들인,
글리프들을 생성하는 방법.
제 46 항에 있어서,
상기 생성된 글리프들은 글리프들의 서브세트들을 포함하고, 각각의 상기 서브세트들의 상기 글리프들은 근소하게 상이한 다수의 패턴들을 포함하는,
글리프들을 생성하는 방법.
제 46 항에 있어서,
상기 미리 결정된 캐릭터들의 세트의 하나 이상의 캐릭터들로부터 다수의 중첩하는 발사들을 계산하는 단계를 더 포함하는,
글리프들을 생성하는 방법.
표면 상에 패턴들의 세트를 포함하는 설계의 광학적 근접 보정을 위한 시스템으로서,
상기 표면은 상기 패턴들의 세트를 기판에 전사하기 위해 광학적 리소그래픽 프로세스에서 사용되고, 상기 시스템은,
상기 기판에 대한 목표된(desired) 패턴들; 및
캐릭터들의 세트 ― 상기 캐릭터들 중 일부는 상기 패턴들 중 일부를 상기 표면 상에 형성하기 위한 복합 캐릭터들임 ―
를 포함하는 광학적 근접 보정을 위한 시스템.
제 50 항에 있어서,
상기 캐릭터들의 세트에서 캐릭터의 부분적인 노광 또는 캐릭터 선량 또는 캐릭터 위치의 편차를 계산하기 위한 디바이스를 더 포함하는,
광학적 근접 보정을 위한 시스템.
제 50 항에 있어서,
발사 카운트 또는 총 기록 시간을 결정하기 위한 디바이스를 더 포함하고,
상기 발사 카운트 또는 상기 총 기록 시간은 감소되는,
광학적 근접 보정을 위한 시스템.
제 50 항에 있어서,
상기 캐릭터들의 세트의 다수의 캐릭터들은 중첩되는,
광학적 근접 보정을 위한 시스템.
표면 상에 패턴들의 세트를 포함하는 설계의 광학적 근접 보정을 위한 시스템으로서,
상기 표면은 상기 패턴들의 세트를 기판에 전사하기 위한 광학적 리소그래피 프로세스에 사용되고, 상기 시스템은,
미리 결정된 캐릭터들의 세트의 캐릭터들을 기반으로 하며, 상기 시스템은,
가능한 글리프들을 입력하기 위한 디바이스를 포함하고,
상기 글리프들은 미리 결정된 캐릭터들의 세트의 캐릭터들을 기반으로 하며, 상기 글리프들은 캐릭터 선량을 가변하거나 캐릭터 위치를 가변하거나 또는 상기 미리 결정된 캐릭터들의 세트의 캐릭터의 부분적인 노광을 적용하는 계산을 이용하여 결정되는,
광학적 근접 보정을 위한 시스템.
제 54 항에 있어서,
글리프는 상기 가능한 글리프들로부터 선택되고, 상기 기판 상의 상기 전사된 패턴들은 상기 선택된 글리프에 기초하여 컴퓨팅되며, 다른 글리프는 상기 컴퓨텅 단계에서의 에러가 미리 결정된 임계값을 초과하는 경우 상기 가능한 글리프들로부터 선택되는,
광학적 근접 보정을 위한 시스템.
글리프들을 생성하기 위한 시스템으로서,
상기 글리프들의 기초로서 미리 결정된 캐릭터들의 세트를 획득하기 위한 디바이스; 및
상기 글리프들을 생성하기 위해 상기 미리 결정된 캐릭터들의 세트의 캐릭터의 부분적인 노광의 적용 또는 캐릭터 위치의 편차 또는 캐릭터 선량의 편차를 계산하기 위한 디바이스
를 포함하는 글리프들을 생성하기 위한 시스템.
제 56 항에 있어서,
상기 생성된 글리프들은 파라미터화된 글리프들인,
글리프들을 생성하기 위한 시스템.
제 56 항에 있어서,
상기 생성된 글리프들은 글리프들의 서브세트들을 포함하고, 각각의 상기 서브세트들의 상기 글리프들은 근소하게 상이한 다수의 패턴들을 형성하는,
글리프들을 생성하기 위한 시스템.
제 56 항에 있어서,
상기 미리 결정된 캐릭터들의 세트의 하나 이상의 캐릭터들로부터의 다수의 발사들은 상기 글리프들 중 적어도 하나를 생성하기 위해 중첩되는,
글리프들을 생성하기 위한 시스템.
단절(fracturing) 또는 마스크 데이터 마련 또는 근접효과 보정(proximity effect correction)을 위한 방법으로서,
표면 상에 형성될 패턴들을 입력하는 단계 ― 상기 패턴들의 서브세트는 서로의 근소하게 상이한 편차들임 ―; 및
캐릭터들의 세트를 선택하는 단계 ― 상기 캐릭터들 중 일부는 다수의 패턴들을 형성하기 위해 사용될 복합 캐릭터들임 ―
를 포함하고, 발사 카운트 또는 총 기록 시간은 캐릭터 가변 기술의 사용에 의해 감소되는,
단절 또는 마스크 데이터 마련 또는 근접효과 보정을 위한 방법.
제 60 항에 있어서,
상기 표면 상의 상기 근소하게 상이한 패턴들은 기판 상에 실질적으로 동일한 패턴을 형성하는,
단절 또는 마스크 데이터 마련 또는 근접효과 보정을 위한 방법.
제 61 항에 있어서,
등가성 기준은 상기 기판 상의 상기 패턴들이 실질적으로 동일한지 여부를 결정하는,
단절 또는 마스크 데이터 마련 또는 근접효과 보정을 위한 방법.
제 62 항에 있어서,
상기 등가성 기준은 리소그래피 시뮬레이션을 기반으로 하는,
단절 또는 마스크 데이터 마련 또는 근접효과 보정을 위한 방법.
제 60 항에 있어서,
상기 캐릭터들의 세트는 미리 결정되는,
단절 또는 마스크 데이터 마련 또는 근접효과 보정을 위한 방법.
제 64 항에 있어서,
가능한 글리프들을 입력하는 단계를 더 포함하고, 상기 글리프들은 상기 캐릭터들의 미리 결정된 세트를 기반으로 하는,
단절 또는 마스크 데이터 마련 또는 근접효과 보정을 위한 방법.
제 65 항에 있어서,
상기 글리프들은 파라미터화된 글리프들인,
단절 또는 마스크 데이터 마련 또는 근접효과 보정을 위한 방법.
제 65 항에 있어서,
하나 이상의 상기 입력 패턴들을 매칭(match)하기 위해 사용할 글리프들을 결정하는 단계를 더 포함하는,
단절 또는 마스크 데이터 마련 또는 근접효과 보정을 위한 방법.
제 65 항에 있어서,
발사 카운트 또는 기록 시간에 기초하여 단절 또는 마스크 데이터 마련 또는 근접효과 보정을 최적화하는 단계를 더 포함하는,
단절 또는 마스크 데이터 마련 또는 근접효과 보정을 위한 방법.
제 65 항에 있어서,
상기 글리프들은 글리프들의 서브세트들을 포함하고, 글리프들의 각 서브세트는 근소하게 상이한 다수의 패턴들을 포함하는,
단절 또는 마스크 데이터 마련 또는 근접효과 보정을 위한 방법.
제 60 항에 있어서,
상기 캐릭터 가변 기술은 캐릭터 선량을 가변하는 것인,
단절 또는 마스크 데이터 마련 또는 근접효과 보정을 위한 방법.
제 60 항에 있어서,
상기 캐릭터 가변 기술은 캐릭터 위치를 가변하는 것인,
단절 또는 마스크 데이터 마련 또는 근접효과 보정을 위한 방법.
제 60 항에 있어서,
상기 캐릭터 가변 기술은 상기 세트의 캐릭터들 중 하나의 부분적인 노광을 적용하는 것인,
단절 또는 마스크 데이터 마련 또는 근접효과 보정을 위한 방법.
제 60 항에 있어서,
상기 캐릭터 가변 기술은 캐릭터들을 중첩하는 것인,
단절 또는 마스크 데이터 마련 또는 근접효과 보정을 위한 방법.
단절 또는 마스크 데이터 마련 또는 근접효과 보정을 위한 시스템으로서,
표면 상에 형성될 패턴들을 입력하기 위한 디바이스 ― 상기 패턴들의 서브세트는 서로의 근소하게 상이한 편차들임 ―; 및
캐릭터들의 세트를 선택하기 위한 디바이스 ― 상기 캐릭터들 중 일부는 다수의 패턴들을 형성하기 위해 사용될 복합 캐릭터들임 ―
를 포함하고, 상기 캐릭터들의 세트는 스텐실 마스크 상에 피팅(fit)되며, 발사 카운트 또는 총 기록 시간은 캐릭터 가변 기술의 사용에 의해 감소되는,
단절 또는 마스크 데이터 마련 또는 근접효과 보정을 위한 시스템.
제 74 항에 있어서,
상기 표면 상의 상기 근소하게 상이한 패턴들은 기판 상에 실질적으로 동일한 패턴을 형성하는,
단절 또는 마스크 데이터 마련 또는 근접효과 보정을 위한 시스템.
제 75 항에 있어서,
등가성 기준은 상기 기판 상의 상기 패턴들이 실질적으로 동일한지 여부를 결정하는,
단절 또는 마스크 데이터 마련 또는 근접효과 보정을 위한 시스템.
제 76 항에 있어서,
상기 등가성 기준은 리소그래피 시뮬레이션을 기반으로 하는,
단절 또는 마스크 데이터 마련 또는 근접효과 보정을 위한 시스템.
제 74 항에 있어서,
가능한 글리프들을 입력하고 하나 이상의 상기 입력 패턴들을 매칭하기 위해 사용할 글리프들을 결정하기 위한 디바이스를 더 포함하는,
단절 또는 마스크 데이터 마련 또는 근접효과 보정을 위한 시스템.
제 78 항에 있어서,
발사 카운트 또는 기록 시간에 기초하여 단절 또는 마스크 데이터 마련 또는 근접효과 보정을 최적화하기 위한 디바이스를 더 포함하는,
단절 또는 마스크 데이터 마련 또는 근접효과 보정을 위한 시스템.
제 78 항에 있어서,
상기 글리프들은 글리프들의 서브세트들을 포함하고, 글리프들의 각 서브세트는 근소하게 상이한 다수의 패턴들을 포함하는,
단절 또는 마스크 데이터 마련 또는 근접효과 보정을 위한 시스템.
제 74 항에 있어서,
상기 캐릭터 가변 기술은 캐릭터 선량을 가변하는 것인,
단절 또는 마스크 데이터 마련 또는 근접효과 보정을 위한 시스템.
제 74 항에 있어서,
상기 캐릭터 가변 기술은 캐릭터 위치를 가변하는 것인,
단절 또는 마스크 데이터 마련 또는 근접효과 보정을 위한 시스템.
제 74 항에 있어서,
상기 캐릭터 가변 기술은 상기 세트의 캐릭터들 중 하나의 부분적인 노광을 적용하는 것인,
단절 또는 마스크 데이터 마련 또는 근접효과 보정을 위한 시스템.
제 74 항에 있어서,
상기 캐릭터 가변 기술은 캐릭터들을 중첩하는 것인,
단절 또는 마스크 데이터 마련 또는 근접효과 보정을 위한 시스템.