JP2002075830A - 荷電粒子線露光方法、レチクル及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高いパターン寸法精度を達成でき、コストを
低く抑えることのできる荷電粒子線露光方法等を提供す
る。 【解決手段】 感応基板上に形成すべき設計パターンを
設定（Ｓ２１）し、それについて近接効果補正のための
パターン形状補正を計算する（Ｓ２２）。次に、上記パ
ターン形状補正の計算結果を参考にしてレチクルパター
ンデータを作製する（Ｓ２３）。そのレチクルパターン
データをもとに実際に使用するレチクルを作製する（Ｓ
２４）。この際、可変成形ビーム式の電子線描画装置を
用い、ドーズ調整を施す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路等
のリソグラフィーに用いられる荷電粒子線露光方法に関
する。また、そのような荷電粒子線露光方法に用いるレ
チクルに関する。さらに、そのような荷電粒子線露光方
法を用いてリソグラフィー工程を行うデバイス製造方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】現在のところ、半導体集積回路のリソグ
ラフィーにおける各ウェハ（感応基板）への露光は、紫
外線を用いるいわゆるステッパーによるものが主流であ
る。荷電粒子線露光は、ステッパーにパターン原版とし
て装着されるレチクルの描画には用いられるが、ウェハ
の量産リソグラフィー工程にはまだ用いられていない。
しかし、最近では、より高集積・超微細パターンを露光
するため、各ウェハの露光にも電子線転写露光を用いる
との提案がなされている。

【０００３】しかしながら、電子線露光はスループット
が低いのが欠点とされており、その欠点を解消すべく様
々な技術開発がなされてきた。現在では、セルプロジェ
クション、キャラクタープロジェクションあるいはブロ
ック露光と呼ばれる図形部分一括露光方式が実用化され
ている。図形部分一括露光方式では、繰り返し性のある
回路小パターン（ウェハ上で５μm 角程度）を、同様の
小パターンが複数種類形成されたレチクルを用いて、１
個の小パターンを一単位として繰り返し転写露光を行
う。しかし、この方式でも、繰り返し性のないパターン
部分については可変成形方式の描画を行う。そのため、
ウェハの量産リソグラフィー工程で望まれる程度のスル
ープットは得られない。

【０００４】図形部分一括露光方式よりも飛躍的に高ス
ループットをねらう電子線転写露光方式として、一個の
半導体チップ全体の回路パターンを備えたレチクルを準
備し、そのレチクルのある範囲に電子線を照射し、その
照射範囲のパターンの像を投影レンズにより縮小転写す
る電子線縮小転写装置が提案されている。

【０００５】この種の装置では、レチクルの全範囲に一
括して電子線を照射して一度にパターンを転写しようと
すると、精度良くパターンを転写することができない。
また、原版となるレチクルの製作が困難である。そこ
で、最近精力的に検討されている方式は、１ダイ（ウェ
ハ上のチップ）又は複数ダイを一度に露光するのではな
く、光学系としては大きな光学フィールドを持つが、パ
ターンは小さな領域（サブフィールド）に分割して転写
露光するという方式である（ここでは分割転写方式と呼
ぶこととする）。この際この小領域毎に、被露光面上に
結像される前記小領域の像の焦点やフィールドの歪み等
の収差等を補正しながら露光する。これにより、ダイ全
体の一括転写に比べて、光学的に広い領域にわたって解
像度並びに精度の良い露光を行うことができる。

【０００６】ところで、荷電粒子線をウェハ等の感応基
板に照射して露光する際には、いわゆる近接効果が生じ
る。近接効果は、基板からの反射電子によって、実際の
露光量が近傍のパターン分布に応じて変化する現象であ
る。近接効果の原因は、感応基板面中に入射した荷電粒
子から発生した電子が散乱しながら広がり、周囲の非露
光部にエネルギーを与えることによる。

【０００７】荷電粒子線露光装置でレチクルパターンを
ウェハ上に転写する際に近接効果が起こると、ウェハ上
に形成されるパターンの線幅に誤差が生じる。この誤差
を修正して線幅を所望の寸法とするために、補正計算を
行ってレチクル上のレチクルパターンの寸法を加減する
ことがある。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ウェハ
上に形成されるパターンの更なる微細化により、レチク
ルの作製には一層の高精度が要求されている。例えば４
分の１の縮小転写装置の場合には、レチクルに１nm近く
のアドレス・ユニット（位置の最小単位）が必要にな
る。それにより、レチクル作製を行うレチクル描画装置
にも１nm近くのアドレス・ユニットが必要になる。つま
り、レチクル描画用のデータの単位が１nmとなる。

【０００９】レチクル描画装置のアドレス・ユニットを
１nmとすると、レチクル描画装置の偏向器のＤＡＣのビ
ット長が大きくなり、ＤＡＣのコストが増大する。ま
た、こうすると整定時間を短くできないという欠点があ
る。レチクル描画用のデータの単位を１nmとすると、レ
チクル描画用のデータ量が膨大になる。それにより、デ
ータを格納するメモリ容量が多く必要になり、コストが
増大する。

【００１０】本発明は、このような問題に鑑みてなされ
たものであって、高いパターン寸法精度を達成でき、コ
ストを低く抑えることのできる荷電粒子線露光方法等を
提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明の第１の荷電粒子線露光方法は、 感応基板
上の特定範囲に転写すべきデバイスパターンをレチクル
上に形成し、 前記レチクルを荷電粒子線ビームで照明
し、 前記レチクルを通過又は反射した荷電粒子線ビー
ムを前記感応基板に当てることにより前記パターンを前
記感応基板上の特定範囲に転写する荷電粒子線露光方法
であって； 前記転写露光時における近接効果により発
生するパターン寸法誤差を補正するために前記レチクル
上のパターン要素の線幅を本来の設計値から補正（リサ
イズ）するにあたって、前記レチクル描画の際のドーズ
量を制御することにより前記線幅を補正することを特徴
とする。

【００１２】本発明の第２の荷電粒子線露光方法は、
感応基板上の特定範囲に転写すべきデバイスパターンを
レチクル上に形成し、 前記レチクルを荷電粒子線ビー
ムで照明し、 前記レチクルを通過又は反射した荷電粒
子線ビームを前記感応基板に当てることにより前記パタ
ーンを前記感応基板上の特定範囲に転写する荷電粒子線
露光方法であって； 前記転写露光時における近接効果
により発生するパターン寸法誤差を補正するために前記
レチクル上のパターン要素の線幅を本来の設計値から補
正（リサイズ）するにあたって、前記レチクル描画の際
のドーズ量及び描画線幅の双方を制御することにより前
記線幅を補正することを特徴とする。

【００１３】本発明の第１のレチクルは、 感応基板上
の特定範囲に転写すべきデバイスパターンが形成された
レチクルであって； 転写露光時における近接効果によ
り発生するパターン寸法誤差を補正するために前記レチ
クル上のパターン要素の線幅を本来の設計値から補正
（リサイズ）するにあたって、前記レチクル描画の際の
ドーズ量を制御することにより前記線幅が補正されてい
ることを特徴とする。

【００１４】本発明の第２のレチクルは、 感応基板上
の特定範囲に転写すべきデバイスパターンが形成された
レチクルであって； 転写露光時における近接効果によ
り発生するパターン寸法誤差を補正するために前記レチ
クル上のパターン要素の線幅を本来の設計値から補正
（リサイズ）するにあたって、前記レチクル描画の際の
ドーズ量及び描画線幅の双方を制御することにより前記
線幅が補正されていることを特徴とする。

【００１５】本発明のデバイス製造方法は、 荷電粒子
線を用いるリソグラフィー工程において、上記方法によ
り露光を行うことを特徴とする。

【００１６】

【発明の実施の形態】まず、図面を参照しつつ本発明の
背景技術の一つである分割転写方式の電子線投影露光技
術の概要を説明する。図６は、分割転写方式の電子線投
影露光装置の光学系全体における結像関係及び制御系の
概要を示す図である。

【００１７】光学系の最上流に配置されている電子銃１
０１は、下方に向けて電子線を放射する。電子銃１０１
の下方には２段のコンデンサレンズ１０２、１０３が備
えられており、電子線は、これらのコンデンサレンズ１
０２、１０３によって収束されブランキング開口１０７
にクロスオーバー像C.O.を結像する。

【００１８】二段目のコンデンサレンズ１０３の下に
は、矩形開口１０４が備えられている。この矩形開口
（照明ビーム成形開口）１０４は、レチクル（マスク）
１１０の一つのサブフィールド（露光の１単位となるパ
ターン小領域）を照明する照明ビームのみを通過させ
る。この開口１０４の像は、レンズ１０９によってレチ
クル１１０に結像される。

【００１９】ビーム成形開口１０４の下方には、ブラン
キング偏向器１０５が配置されている。同偏向器１０５
は、必要時に照明ビームを偏向させてブランキング開口
１０７の非開口部に当て、ビームがレチクル１１０に当
たらないようにする。ブランキング開口１０７の下に
は、照明ビーム偏向器１０８が配置されている。この偏
向器１０８は、主に照明ビームを図６の横方向（Ｘ方
向）に順次走査して、照明光学系の視野内にあるレチク
ル１１０の各サブフィールドの照明を行う。偏向器１０
８の下方には、照明レンズ１０９が配置されている。照
明レンズ１０９は、レチクル１１０上にビーム成形開口
１０４を結像させる。

【００２０】レチクル１１０は、実際には光軸垂直面内
（Ｘ−Ｙ面）に広がっており、多数のサブフィールドを
有する。レチクル１１０上には、全体として一個の半導
体デバイスチップをなすパターン（チップパターン）が
形成されている。レチクル１１０は移動可能なレチクル
ステージ１１１上に載置されており、レチクル１１０を
光軸垂直方向（ＹＸ方向）に動かすことにより、照明光
学系の視野よりも広い範囲に広がるレチクル上の各サブ
フィールドを照明することができる。レチクルステージ
１１１には、レーザ干渉計を用いた位置検出器１１２が
付設されており、レチクルステージ１１１の位置をリア
ルタイムで正確に把握することができる。

【００２１】レチクル１１０の下方には投影レンズ１１
５及び１１９並びに偏向器１１６が設けられている。レ
チクル１１０の１つのサブフィールドを通過した電子線
は、投影レンズ１１５、１１９、偏向器１１６によって
ウェハ１２３上の所定の位置に結像される。ウェハ１２
３上には、適当なレジストが塗布されており、レジスト
に電子線のドーズが与えられ、レチクル上のパターンが
縮小されてウェハ１２３上に転写される。

【００２２】レチクル１１０とウェハ１２３の間を縮小
率比で内分する点にクロスオーバー像C.O.が形成され、
同クロスオーバー像位置にはコントラスト開口１１８が
設けられている。同開口１１８は、レチクル１１０の非
パターン部で散乱された電子線がウェハ１２３に到達し
ないよう遮断する。

【００２３】ウェハ１２３の直上には反射電子検出器１
２２が配置されている。この反射電子検出器１２２は、
ウェハ１２３の被露光面やステージ上のマークで反射さ
れる電子の量を検出する。例えばレチクル１１０上のマ
ークパターンを通過したビームでウェハ１２３上のマー
クを走査し、その際のマークからの反射電子を検出する
ことにより、レチクル１１０と１２３の相対的位置関係
を知ることができる。

【００２４】ウェハ１２３は、静電チャック（図示され
ず）を介して、ＸＹ方向に移動可能なウェハステージ１
２４上に載置されている。上記レチクルステージ１１１
とウェハステージ１２４とを、互いに逆の方向に同期走
査することにより、投影光学系の視野を越えて広がるチ
ップパターン内の各部を順次露光することができる。な
お、ウェハステージ１２４にも、上述のレチクルステー
ジ１１１と同様の位置検出器１２５が装備されている。

【００２５】上記各レンズ１０２、１０３、１０９、１
１５、１１９及び各偏向器１０５、１０８、１１６は、
各々のコイル電源制御部１０２ａ、１０３ａ、１０９
ａ、１１５ａ、１１９ａ及び１０５ａ、１０８ａ、１１
６ａを介してコントローラ１３１によりコントロールさ
れる。また、レチクルステージ１１１及びウェハステー
ジ１２４も、ステージ制御部１１１ａ、１２４ａを介し
て、制御部１３１によりコントロールされる。ステージ
位置検出器１１２、１２５は、アンプやＡ／Ｄ変換器等
を含むインターフェース１１２ａ、１２５ａを介してコ
ントローラ１３１に信号を送る。また、反射電子検出器
１２２も同様のインターフェース１２２ａを介してコン
トローラ１３１に信号を送る。

【００２６】コントローラ１３１は、ステージ位置の制
御誤差を把握し、その誤差を像位置調整偏向器１１６で
補正する。これにより、レチクル１１０上のサブフィー
ルドの縮小像がウェハ１２３上の目標位置に正確に転写
される。そして、ウェハ１２３上で各サブフィールド像
が繋ぎ合わされて、レチクル上のチップパターン全体が
ウェハ上に転写される。

【００２７】次に、本発明の１実施例に係る近接効果補
正方法について説明する。図１は、本発明の１実施例に
係る近接効果補正方法に従ってレチクルを作製し、その
レチクルを用いてウェハに露光を行う工程のフローチャ
ートである。まず初めに、感応基板上に形成すべき設計
パターンを設定する（Ｓ２１）。この設計パターンにつ
いて近接効果補正のためのパターン形状補正を計算する
（Ｓ２２）。次に、上記パターン形状補正の計算結果を
参考にしてレチクルパターンデータを作製する（Ｓ２
３）。そのレチクルパターンデータをもとに実際に使用
するレチクルを作製する（Ｓ２４）。この際、可変成形
ビーム式の電子線描画装置を用い、ドーズ調整を施す。
そして、このレチクルを用いて、セルプロジェクション
又は分割転写方式の電子線投影露光装置を用いて感応基
板に露光を行う（Ｓ２５）。

【００２８】図３（Ａ）は、本発明の実施例に係る近接
効果補正方法においてウェハ（感応基板）上に実現する
所定のパターン（設計パターン）を示す平面図である。
図中には、左から右に向かって、細い線パターン（ライ
ン）１、細いスペース２、幅の広い線パターン（パッ
ド）３、幅の広いスペース４、細い線パターン（ライ
ン）５が示されている。ライン１、ライン５及びスペー
ス２の幅は１００nmである。パッド３の幅は５０μmで
ある。スペース４の幅は７０μmである。なお、図の縮
尺は分かり易くするために調整してある。

【００２９】このようなパターンを含んだ２５０μm角
のサブフィールドを分割投影方式の荷電粒子線光学系で
転写する。光学系の倍率としては一般的に１／４や１／
５が用いられることが多いが、ここでは簡単のため１対
１の１００kV電子線転写光学系を前提に考える。

【００３０】図３（Ｂ）は、レチクルを通過した直後の
エネルギープロファイルを示す図である。縦軸（Ｙ軸）
はエネルギー、横軸（Ｘ軸）は横方向の位置である。レ
チクル通過直後のエネルギープロファイルＤＷ（ｘ）
は、ｘの関数であり、次の式で表される。 ＤＷ（ｘ）=1.0（0.0≦ｘ≦0.1、0.2≦ｘ≦50.2、120.2
≦ｘ≦120.3） ＤＷ（ｘ）=0.0（ｘ<0.0、0.1<ｘ<0.2、50.2<ｘ<120.
2、120.3<ｘ）

【００３１】入射した荷電粒子により発生した電子は感
応基板中で散乱し、近接効果を引き起こす。散乱後に感
応基板に蓄積されるエネルギー量Ｅ（ｘ）は、例えば次
のような式で表される。 Ｅ（ｘ）＝Ｅｂ（ｘ）＋Ｅｆ（ｘ） ただし、ＤＲ（ｘ）は、感応基板面に入射する直前のエ
ネルギープロファイルである。ここでηは後方散乱係
数、σbは後方散乱径、σfは前方散乱径である。荷電粒
子として電子を用い、加速電圧を１００keVとしたとき
のそれぞれの典型的な値として、η=0.4、σb=31.2μ
m、σf=7nmを計算に使用する。

【００３２】図４は、近接効果の考慮された場合におい
て最終的に感応基板に蓄積されるエネルギー量Ｅ（ｘ）
を示す図である。図４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞ
れ、ｘ=-0.1〜0.3μm、ｘ=50.0〜50.4μm、ｘ=120.0〜1
20.4μmの範囲についてのエネルギープロファイルＥ
（ｘ）を示した図である。

【００３３】プロセスの製造誤差がない理想的な場合に
は、このエネルギープロファイルの適切に定められた閾
値を越す部分ではパターンが形成され、越さない部分で
は形成されないと考えることができる。図４中の４０、
４１、４２のラインは、それぞれの領域で形成されるパ
ターン各部のエッジ位置が所定位置と一致するように引
かれた閾値である。閾値４０と４１の値はほぼ同じであ
るが、閾値４２は他の２つと大きく異なるため、４０、
４１近辺に閾値をとった場合には、図２に示した線パタ
ーン５は所定の線幅より細くなる。逆に、４２で示され
る閾値をとると図３に示した線パターン１が太くなり、
スペース２は狭くなり、パッド３の幅が太くなる。ま
た、線幅が変わるとともに、当然、パターン各部のエッ
ジ位置は所定の位置から大きく外れることになる。

【００３４】本発明の１実施例においては、図１に示し
たように、このデータをもとに実際に使用するレチクル
にドーズ補正を施して作製する。例えば、４０、４１近
辺に閾値をとった場合には、図２に示した線パターン５
は所定の線幅より細くなる。そこで、線パターン５に対
応するレチクルパターンを形成する際に、ドーズ量を調
整して、レチクルの出来上がりパターンの寸法を大きく
する。そうすると、感応基板の線パターン５に蓄積され
るエネルギー量Ｅ（ｘ）は、ドーズ補正を施す前の図４
の状態よりも大きくなる。

【００３５】図５は、ドーズ補正を施して作製したレチ
クルを用いて露光を行った際のエネルギープロファイル
Ｅ（ｘ）を示した図である。図５（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）
はそれぞれ、ｘ=-0.1〜0.3μm、ｘ=50.0〜50.4μm、ｘ=
120.0〜120.4μmの範囲についてのエネルギープロファ
イルＥ（ｘ）を示した図である。実線で示すのがドーズ
補正を施して作製したレチクルを用いた場合のエネルギ
ープロファイルであり、図５（Ｃ）の破線で示すのが図
４の状態のエネルギープロファイルである。図５（Ｃ）
には、図５（Ａ）、（Ｂ）の閾値４０、４１と等しい位
置に、閾値４２´を示してある。

【００３６】感応基板の線パターン５に蓄積されるエネ
ルギー量Ｅ（ｘ）は、図５（Ｃ）に示すように、ドーズ
補正を施す前の図４の状態よりも大きくなる。閾値４２
´において、補正前のエネルギー量５１は所望の幅と比
べると半分くらいしか閾値を越えていないが、補正後の
エネルギー量５２は、ｘ=120.2〜120.3μmの範囲で閾値
を越えている。このようにレチクル作製時のドーズ量を
調整することにより、所望のパターンが得られる。

【００３７】次に、本発明の他の実施例に係る近接効果
補正方法について説明する。図２は、本発明の他の実施
例に係る近接効果補正方法の工程を示すフローチャート
である。まず初めに、感応基板上に形成すべき設計パタ
ーンを設定する（Ｓ２１′）。この設計パターンについ
て近接効果補正のためのパターン形状補正を計算する
（Ｓ２２′）。次に、上記パターン形状補正の計算結果
を参考にしてレチクルパターンデータを作製する（Ｓ２
３′）。そのレチクルパターンデータをもとに実際に使
用するレチクルを作製する（Ｓ２４′）。この際、可変
成形ビーム式の電子線描画装置を用い、ドーズ調整及び
線幅補正を施す。線幅補正とは、レチクルに形成するパ
ターンの幅を予め増減させ、感応基板上に形成するパタ
ーンの幅を補正する方法である。そして、このレチクル
を用いて、セルプロジェクション又は分割転写方式の電
子線投影露光装置を用いて感応基板に露光を行う（Ｓ２
５′）。

【００３８】本実施例においては、図４のデータをもと
に実際に使用するレチクルにドーズ補正及び線幅補正を
施して作製する。まず、図４のデータをもとに、１０ｎ
ｍ単位の精度で線幅補正を行う。次に、細かい精度でレ
チクルにドーズ補正を行う。この併用方法によれば、よ
り高精度に補正を行うことができる。

【００３９】次に上記説明した電子線転写露光装置を利
用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図７は、
微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パ
ネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の
製造のフローを示す。

【００４０】ステップ１（回路設計）では、半導体デバ
イスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）で
は、設計した回路パターンを形成したマスクを製作す
る。この時、パターンについて局部的にリサイズを施す
ことにより近接効果や空間電荷効果によるビームボケの
補正を行ってもよい。一方、ステップ３（ウェハ製造）
では、シリコン等の材料を用いてウェハを製造する。

【００４１】ステップ４（酸化）では、ウェハの表面を
酸化させる。ステップ５（ＣＶＤ）では、ウェハ表面に
絶縁膜を形成する。ステップ６（電極形成）では、ウェ
ハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ７（イオ
ン打ち込み）では、ウェハにイオンを打ち込む。ステッ
プ８（レジスト処理）では、ウェハに感光剤を塗布す
る。ステップ９（電子ビーム露光）では、ステップ２で
作ったマスクを用いて電子ビーム転写装置によって、マ
スクの回路パターンをウェハに焼付露光する。ステップ
１０（光露光）では、同じくステップ２で作った光露光
用マスクを用いて、光ステッパーによってマスクの回路
パターンをウェハに焼付露光する。この前又は後に、電
子ビームの後方散乱電子を均一化する近接効果補正露光
を行ってもよい。ステップ９において、上述の近接効果
補正方法を利用する。

【００４２】ステップ１１（現像）では、露光したウェ
ハを現像する。ステップ１２（エッチング）では、レジ
スト像以外の部分を選択的に削り取る。ステップ１３
（レジスト剥離）では、エッチングがすんで不要となっ
たレジストを取り除く。ステップ４からステップ１３を
繰り返し行うことによって、ウェハ上に多重に回路パタ
ーンが形成される。

【００４３】ステップ１４（組立）は、後工程と呼ば
れ、上の工程によって作製されたウェハを用いて半導体
チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシン
グ、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。ステップ１５（検査）では、ステ
ップ１４で作製された半導体デバイスの動作確認テス
ト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て
半導体デバイスが完成しこれが出荷（ステップ１６）さ
れる。

【００４４】以上、図１〜図７を参照しつつ、分割転写
方式の電子線投影露光装置を例にとり、本発明の実施の
形態に係る荷電粒子線露光方法等について説明した。し
かし、本発明はこれに限定されるものではなく、セルプ
ロジェクション露光方式及びイオンビーム転写露光方式
等にも適用できる。

【００４５】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、高いパターン寸法精度を達成でき、コストを
低く抑えることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の１実施例に係る近接効果補正方法に従
ってレチクルを作製し、そのレチクルを用いてウェハに
露光を行う工程のフローチャートである。

【図２】本発明の他の実施例に係る近接効果補正方法の
工程を示すフローチャートである。

【図３】図３（Ａ）は、本発明の１実施例に係る近接効
果補正方法においてウェハ（感応基板）上に実現する所
定のパターン（設計パターン）を示す平面図である。図
３（Ｂ）は、レチクルを通過した直後のエネルギープロ
ファイルを示す図である。

【図４】近接効果の考慮された場合において最終的に感
応基板に蓄積されるエネルギー量Ｅ（ｘ）を示す図であ
る。

【図５】ドーズ補正を施して作製したレチクルを用いて
露光を行った図である。

【図６】分割転写方式の電子線投影露光装置の光学系全
体における結像関係及び制御系の概要を示す図である。

【図７】微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チッ
プ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマ
シン等）の製造のフローを示す。

【符号の説明】

１、５ 線パターン（ライン） ２、４ スペー
ス ３ 線パターン（パッド） ４０、４１、４
２、４２´ 閾値 ５１、５２ エネルギー量 １０１ 電子銃 １０２，１０３
コンデンサレンズ １０４ 照明ビーム成形開口 １０５ ブラ
ンキング偏向器 １０７ ブランキング開口 １０８ 照明
ビーム偏向器 １０９ コンデンサレンズ １１０ レチク
ル（マスク） １１１ レチクルステージ １１２ レチク
ルステージ位置検出器 １１５ 第１投影レンズ １１６ 像位置
調整偏向器 １１８ コントラスト開口 １１９ 第２投
影レンズ １２２ 反射電子検出器 １２３ ウェハ １２４ ウェハステージ １２５ ウェハ
ステージ位置検出器 １３１ コントローラ １４１ 小メンブレイン領域 １４２ サブフ
ィールド １４３ スカート １４４ マイナ
ーストライプ １４５ グリレージ １４７ ストラ
ット １４９ メジャーストライプ １５０ チップ １５２ サブフィールド １５９ ストラ
イプ

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 感応基板上の特定範囲に転写すべきデバ
   イスパターンをレチクル上に形成し、 前記レチクルを荷電粒子線ビームで照明し、 前記レチクルを通過又は反射した荷電粒子線ビームを前
   記感応基板に当てることにより前記パターンを前記感応
   基板上の特定範囲に転写する荷電粒子線露光方法であっ
   て；前記転写露光時における近接効果により発生するパ
   ターン寸法誤差を補正するために前記レチクル上のパタ
   ーン要素の線幅を本来の設計値から補正（リサイズ）す
   るにあたって、前記レチクル描画の際のドーズ量を制御
   することにより前記線幅を補正することを特徴とする荷
   電粒子線露光方法。
2. 【請求項２】 感応基板上の特定範囲に転写すべきデバ
   イスパターンをレチクル上に形成し、 前記レチクルを荷電粒子線ビームで照明し、 前記レチクルを通過又は反射した荷電粒子線ビームを前
   記感応基板に当てることにより前記パターンを前記感応
   基板上の特定範囲に転写する荷電粒子線露光方法であっ
   て；前記転写露光時における近接効果により発生するパ
   ターン寸法誤差を補正するために前記レチクル上のパタ
   ーン要素の線幅を本来の設計値から補正（リサイズ）す
   るにあたって、前記レチクル描画の際のドーズ量及び描
   画線幅の双方を制御することにより前記線幅を補正する
   ことを特徴とする荷電粒子線露光方法。
3. 【請求項３】 感応基板上の特定範囲に転写すべきデバ
   イスパターンが形成されたレチクルであって；転写露光
   時における近接効果により発生するパターン寸法誤差を
   補正するために前記レチクル上のパターン要素の線幅を
   本来の設計値から補正（リサイズ）するにあたって、前
   記レチクル描画の際のドーズ量を制御することにより前
   記線幅が補正されていることを特徴とするレチクル。
4. 【請求項４】 感応基板上の特定範囲に転写すべきデバ
   イスパターンが形成されたレチクルであって；転写露光
   時における近接効果により発生するパターン寸法誤差を
   補正するために前記レチクル上のパターン要素の線幅を
   本来の設計値から補正（リサイズ）するにあたって、前
   記レチクル描画の際のドーズ量及び描画線幅の双方を制
   御することにより前記線幅が補正されていることを特徴
   とするレチクル。
5. 【請求項５】 荷電粒子線を用いるリソグラフィー工程
   において、請求項１又は２記載の方法により露光を行う
   ことを特徴とするデバイス製造方法。