JPH10303117A - 電子線光学系 - Google Patents
電子線光学系Info
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- JPH10303117A JPH10303117A JP9124721A JP12472197A JPH10303117A JP H10303117 A JPH10303117 A JP H10303117A JP 9124721 A JP9124721 A JP 9124721A JP 12472197 A JP12472197 A JP 12472197A JP H10303117 A JPH10303117 A JP H10303117A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 38
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims description 52
- 238000004904 shortening Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- DPXJVFZANSGRMM-UHFFFAOYSA-N acetic acid;2,3,4,5,6-pentahydroxyhexanal;sodium Chemical compound [Na].CC(O)=O.OCC(O)C(O)C(O)C(O)C=O DPXJVFZANSGRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
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- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
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- H01J37/3007—Electron or ion-optical systems
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
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- H01J2237/31761—Patterning strategy
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- Lenses (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電子銃から試料面までの距離を短くすること
ができる電子線光学系を提供する。 【解決手段】 電子線光学系は、電子銃１の放射する電
子ビームを調整してレチクル９に導く複数のコンデンサ
レンズ２、３、８や、副視野制限開口６、副視野選択偏
向器１７、１８、及び、複数の投影レンズ１０、１１を
備える。レチクル９直前のコンデンサレンズ８の焦点距
離が、レチクル９直後の投影レンズ１０の焦点距離より
も短い。
ができる電子線光学系を提供する。 【解決手段】 電子線光学系は、電子銃１の放射する電
子ビームを調整してレチクル９に導く複数のコンデンサ
レンズ２、３、８や、副視野制限開口６、副視野選択偏
向器１７、１８、及び、複数の投影レンズ１０、１１を
備える。レチクル９直前のコンデンサレンズ８の焦点距
離が、レチクル９直後の投影レンズ１０の焦点距離より
も短い。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子線を用いてレ
チクル（マスク）のパターンを試料（ウェハー等）に転
写する転写装置に関する。特には、４ＧＤＲＡＭ以降の
高密度・微細パターンをも高スループットで形成できる
電子線を用いた転写装置に関する。
チクル（マスク）のパターンを試料（ウェハー等）に転
写する転写装置に関する。特には、４ＧＤＲＡＭ以降の
高密度・微細パターンをも高スループットで形成できる
電子線を用いた転写装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハに集積回路パターンを焼き
付けるリソグラフィー装置の一種として、所定のパター
ンを備えたマスクに電子線を照射し、その照射範囲のパ
ターンの像を二段の投影レンズによりウエハに縮小転写
する電子線縮小転写装置が知られている（例えば特開平
５−１６００１２号参照）。この種の装置では、マスク
の全範囲に一括して電子線を照射することができないの
で、光学系の視野を多数の小領域に分割し、小領域毎に
分割してパターン像を転写する（例えば米国特許第５２
６０１５１号参照）。なお、本明細書では、視野分割を
行なうときの分割前の視野を主視野、分割された一つ一
つの小領域を副視野と呼ぶ。
付けるリソグラフィー装置の一種として、所定のパター
ンを備えたマスクに電子線を照射し、その照射範囲のパ
ターンの像を二段の投影レンズによりウエハに縮小転写
する電子線縮小転写装置が知られている（例えば特開平
５−１６００１２号参照）。この種の装置では、マスク
の全範囲に一括して電子線を照射することができないの
で、光学系の視野を多数の小領域に分割し、小領域毎に
分割してパターン像を転写する（例えば米国特許第５２
６０１５１号参照）。なお、本明細書では、視野分割を
行なうときの分割前の視野を主視野、分割された一つ一
つの小領域を副視野と呼ぶ。
【０００３】この分割方式の電子線露光装置において
は、レチクル直前のコンデンサレンズにレチクル直後の
投影レンズとほぼ同じ焦点距離を持つレンズが用いられ
ていた。というのは、従来の可変整形方式やセルプロ方
式の電子線露光装置において、コンデンサレンズの球面
収差を小さくする必要があり、コンデンサレンズの焦点
距離が長くなっていたのが、そのまま引き継がれていた
からである。また、レチクル直前のコンデンサレンズと
レチクル直後の投影レンズを１種類のレンズで済ませた
いという設計の簡略化と生産上の要請もあった。
は、レチクル直前のコンデンサレンズにレチクル直後の
投影レンズとほぼ同じ焦点距離を持つレンズが用いられ
ていた。というのは、従来の可変整形方式やセルプロ方
式の電子線露光装置において、コンデンサレンズの球面
収差を小さくする必要があり、コンデンサレンズの焦点
距離が長くなっていたのが、そのまま引き継がれていた
からである。また、レチクル直前のコンデンサレンズと
レチクル直後の投影レンズを１種類のレンズで済ませた
いという設計の簡略化と生産上の要請もあった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、レチク
ル直前のコンデンサレンズとレチクル直後の投影レンズ
がほぼ同じ焦点距離を持つ場合には、電子銃から試料面
までの距離が長くなるため電子線露光装置の背が高くな
って、露光装置を通常のクリーンルーム内に収めること
ができないという問題点があった。また、副視野制限開
口からレチクルへの投影系が拡大系となるので、開口寸
法が小さくなるため、開口の製作精度への要求が厳しく
なるという問題点もあった。さらに、開口が小さくなる
と、そのエッジが強い電子ビーム照射を受けて温度上昇
し、開口寸法の精度が劣化するという問題点もあった。
ル直前のコンデンサレンズとレチクル直後の投影レンズ
がほぼ同じ焦点距離を持つ場合には、電子銃から試料面
までの距離が長くなるため電子線露光装置の背が高くな
って、露光装置を通常のクリーンルーム内に収めること
ができないという問題点があった。また、副視野制限開
口からレチクルへの投影系が拡大系となるので、開口寸
法が小さくなるため、開口の製作精度への要求が厳しく
なるという問題点もあった。さらに、開口が小さくなる
と、そのエッジが強い電子ビーム照射を受けて温度上昇
し、開口寸法の精度が劣化するという問題点もあった。
【０００５】他方、従来の視野分割を行う電子線露光装
置にあっては、光軸上に位置する副視野を選択した場合
と、光軸から離れた視野を選択した場合とで、ビーム開
口角が異なり、光軸から離れた視野を選択した場合の収
差が大きくなるという問題点もあった。
置にあっては、光軸上に位置する副視野を選択した場合
と、光軸から離れた視野を選択した場合とで、ビーム開
口角が異なり、光軸から離れた視野を選択した場合の収
差が大きくなるという問題点もあった。
【０００６】本発明は、このような従来の問題点に鑑み
てなされたもので、電子銃から試料面までの距離を短く
することができる電子線光学系を提供することを目的と
する。また、副視野制限開口からレチクルへは縮小光学
系となり、副視野制限開口への精度要求を緩和すること
のできる電子線光学系を提供することを目的とする。さ
らに、光軸から離れた位置にある副視野を選択した場合
にも開口角が実質的に増加しない光学系を提供すること
を目的とする。
てなされたもので、電子銃から試料面までの距離を短く
することができる電子線光学系を提供することを目的と
する。また、副視野制限開口からレチクルへは縮小光学
系となり、副視野制限開口への精度要求を緩和すること
のできる電子線光学系を提供することを目的とする。さ
らに、光軸から離れた位置にある副視野を選択した場合
にも開口角が実質的に増加しない光学系を提供すること
を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の第１態様の電子線光学系は、 光学系の主
視野を複数の副視野に分割し、レチクルのパターン像を
該副視野毎に分割して試料面に転写する電子線露光装置
における電子線光学系であって； 電子銃、電子銃の放
射する電子ビームを調整してレチクルに導く複数のコン
デンサレンズ、複数のコンデンサレンズ間に配置された
副視野制限開口、電子銃とレチクル間に配置された副視
野選択偏向器、及び、レチクル像を試料面上に縮小結像
させる複数の投影レンズ、を備え； 副視野制限開口と
レチクル間のレンズ系の焦点距離が、レチクル直後の投
影レンズの焦点距離よりも短いことを特徴とする。ここ
で、副視野制限開口とレチクル間のレンズ系の焦点距離
が、レチクル直後の投影レンズの焦点距離の１／２以下
であることが好ましい。なお、１／２までいかなくと
も、３／４あるいは２／３でも一定の効果はある。
め、本発明の第１態様の電子線光学系は、 光学系の主
視野を複数の副視野に分割し、レチクルのパターン像を
該副視野毎に分割して試料面に転写する電子線露光装置
における電子線光学系であって； 電子銃、電子銃の放
射する電子ビームを調整してレチクルに導く複数のコン
デンサレンズ、複数のコンデンサレンズ間に配置された
副視野制限開口、電子銃とレチクル間に配置された副視
野選択偏向器、及び、レチクル像を試料面上に縮小結像
させる複数の投影レンズ、を備え； 副視野制限開口と
レチクル間のレンズ系の焦点距離が、レチクル直後の投
影レンズの焦点距離よりも短いことを特徴とする。ここ
で、副視野制限開口とレチクル間のレンズ系の焦点距離
が、レチクル直後の投影レンズの焦点距離の１／２以下
であることが好ましい。なお、１／２までいかなくと
も、３／４あるいは２／３でも一定の効果はある。
【０００８】また、本発明の第２態様の電子線光学系
は、 光学系の主視野を複数の副視野に分割し、レチク
ルのパターン像を該副視野毎に分割して試料面に転写す
る電子線露光装置における電子線光学系であって； 電
子銃、電子銃の放射する電子ビームを調整してレチクル
に導く複数のコンデンサレンズ、複数のコンデンサレン
ズ間に配置された副視野制限開口、電子銃とレチクル間
に配置された副視野選択偏向器、及び、レチクル像を試
料面上に縮小結像させる複数の投影レンズ、を備え；
上記偏向器が、上記レチクル直前のコンデンサレンズの
軸を電子ビームの主光線の軌道に合わせる機能を有する
ことを特徴とする。
は、 光学系の主視野を複数の副視野に分割し、レチク
ルのパターン像を該副視野毎に分割して試料面に転写す
る電子線露光装置における電子線光学系であって； 電
子銃、電子銃の放射する電子ビームを調整してレチクル
に導く複数のコンデンサレンズ、複数のコンデンサレン
ズ間に配置された副視野制限開口、電子銃とレチクル間
に配置された副視野選択偏向器、及び、レチクル像を試
料面上に縮小結像させる複数の投影レンズ、を備え；
上記偏向器が、上記レチクル直前のコンデンサレンズの
軸を電子ビームの主光線の軌道に合わせる機能を有する
ことを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１の実施例に対応させて説明す
る。本発明においては、レチクル９の直前のコンデンサ
レンズ８の焦点距離１３は、レチクル直後の投影レンズ
１０の焦点距離１４よりも小さい（より好ましくは、１
／２より小さい）ので、電子銃１とレチクル９までの距
離を、レチクル９から試料面１２までの距離に近付ける
ことができる。例えば、レチクル９の直前のコンデンサ
レンズ８の焦点距離１３が、レチクル直後の投影レンズ
１０の焦点距離１４の１／２程度の場合、レチクル９か
ら試料１２までの距離を８０cmとすると、電子銃から試
料面までは１．５ｍ程度となり、クリーンルームに十分
収まる。また、副視野制限アパーチャからレチクル９ま
での光学系は副視野制限開口６の寸法１５とレチクルの
副視野寸法１６の比で決まる縮小系となる。
る。本発明においては、レチクル９の直前のコンデンサ
レンズ８の焦点距離１３は、レチクル直後の投影レンズ
１０の焦点距離１４よりも小さい（より好ましくは、１
／２より小さい）ので、電子銃１とレチクル９までの距
離を、レチクル９から試料面１２までの距離に近付ける
ことができる。例えば、レチクル９の直前のコンデンサ
レンズ８の焦点距離１３が、レチクル直後の投影レンズ
１０の焦点距離１４の１／２程度の場合、レチクル９か
ら試料１２までの距離を８０cmとすると、電子銃から試
料面までは１．５ｍ程度となり、クリーンルームに十分
収まる。また、副視野制限アパーチャからレチクル９ま
での光学系は副視野制限開口６の寸法１５とレチクルの
副視野寸法１６の比で決まる縮小系となる。
【００１０】さらに、副視野選択偏向器を１７と１８の
２段とし、偏向器１８に、レチクル直前のコンデンサレ
ンズ８の軸を電子ビームの主光線の軌道に合わせる機能
（ＭＯＬ機能）を持たせるから、コンデンサレンズ８の
クロスオーバー１９での収差はあまり大きくならず、光
学系の解像度は良好に保たれる。
２段とし、偏向器１８に、レチクル直前のコンデンサレ
ンズ８の軸を電子ビームの主光線の軌道に合わせる機能
（ＭＯＬ機能）を持たせるから、コンデンサレンズ８の
クロスオーバー１９での収差はあまり大きくならず、光
学系の解像度は良好に保たれる。
【００１１】図１は、本発明の１実施例に係る電子線露
光装置の電子線光学系の結像図である。電子銃１は、下
方に向けて電子線を放射する。電子銃１の下方には２段
のコンデンサレンズ２、３が備えられており、電子線
は、これらのコンデンサレンズ２、３を通ってブランキ
ング開口７にクロスオーバーを結像する。これら２つの
コンデンサレンズ２、３をズームレンズとして作用さ
せ、レチクル９を照射する電流密度を可変にできる。
光装置の電子線光学系の結像図である。電子銃１は、下
方に向けて電子線を放射する。電子銃１の下方には２段
のコンデンサレンズ２、３が備えられており、電子線
は、これらのコンデンサレンズ２、３を通ってブランキ
ング開口７にクロスオーバーを結像する。これら２つの
コンデンサレンズ２、３をズームレンズとして作用さ
せ、レチクル９を照射する電流密度を可変にできる。
【００１２】コンデンサレンズ３の直下には、矩形開口
６が備えられている。この矩形開口（副視野制限開口）
６は、一つの副視野に相当する領域分の電子線のみを通
過させる。矩形開口６の上面にはヒートシンク５が置か
れており、矩形開口６のエッジを冷却してその寸法変化
を防止している。矩形開口６と同一レベルにはブランキ
ング偏向器４が置かれており、ブランキング（電子線遮
断）が必要な時は、電子線を偏向させてブランキング開
口７を通過させないようにしている。
６が備えられている。この矩形開口（副視野制限開口）
６は、一つの副視野に相当する領域分の電子線のみを通
過させる。矩形開口６の上面にはヒートシンク５が置か
れており、矩形開口６のエッジを冷却してその寸法変化
を防止している。矩形開口６と同一レベルにはブランキ
ング偏向器４が置かれており、ブランキング（電子線遮
断）が必要な時は、電子線を偏向させてブランキング開
口７を通過させないようにしている。
【００１３】矩形開口６の下方には、上述のブランキン
グ開口７と並んで副視野選択偏向器の一段目１７が配置
されている。一段目副視野選択偏向器１７の下方には、
二段目副視野選択偏向器１８が配置されている。二段目
副視野選択偏向器１８と同レベルの位置には、コンデン
サレンズ８が配置されている。コンデンサレンズ８は、
電子線を平行ビーム化し、レチクル９に当て、レチクル
９に副視野制限開口６を結像させる。ここで二段目の副
視野選択偏向器１８とレンズ８は、ＭＯＬ機能を有し、
それ自体が二段の偏向器である。ここでは、副視野制限
開口６からレチクル９への縮小率は１／２とした。
グ開口７と並んで副視野選択偏向器の一段目１７が配置
されている。一段目副視野選択偏向器１７の下方には、
二段目副視野選択偏向器１８が配置されている。二段目
副視野選択偏向器１８と同レベルの位置には、コンデン
サレンズ８が配置されている。コンデンサレンズ８は、
電子線を平行ビーム化し、レチクル９に当て、レチクル
９に副視野制限開口６を結像させる。ここで二段目の副
視野選択偏向器１８とレンズ８は、ＭＯＬ機能を有し、
それ自体が二段の偏向器である。ここでは、副視野制限
開口６からレチクル９への縮小率は１／２とした。
【００１４】レチクル９は、図１では、光軸上の１副視
野のみが示されているが、実際には図の水平方向（Ｘ−
Ｙ方向）に広がっており、多くの副視野を有する。光軸
から離れた副視野を選択する場合は、偏向器１７でビー
ムを偏向させる。この際、ビームは、コンデンサレンズ
８の軸外を通るため、一般的には収差を発生させる。特
に、本実施例ではレチクル直前のコンデンサレンズ８の
焦点距離が短いため、開口角の変化が大きく収差も大き
くなる。そこで、収差が大きくなるのを避けるため、コ
ンデンサレンズ８に、ＭＯＬ機能（Moving Objective L
ens)あるいはＶＡＬ機能（Variable Axis Lens) といわ
れる機能を持たせて、ビームの軌道とレンズ８の光軸を
一致させる。すなわち、コンデンサレンズ８の軸上磁場
分布の光軸方向（Ｚ方向）に関して微分した分布を、偏
向器１８の偏向磁場のＺ方向分布に一致させて、上記Ｍ
ＯＬ機能をコンデンサレンズ８に与えている。
野のみが示されているが、実際には図の水平方向（Ｘ−
Ｙ方向）に広がっており、多くの副視野を有する。光軸
から離れた副視野を選択する場合は、偏向器１７でビー
ムを偏向させる。この際、ビームは、コンデンサレンズ
８の軸外を通るため、一般的には収差を発生させる。特
に、本実施例ではレチクル直前のコンデンサレンズ８の
焦点距離が短いため、開口角の変化が大きく収差も大き
くなる。そこで、収差が大きくなるのを避けるため、コ
ンデンサレンズ８に、ＭＯＬ機能（Moving Objective L
ens)あるいはＶＡＬ機能（Variable Axis Lens) といわ
れる機能を持たせて、ビームの軌道とレンズ８の光軸を
一致させる。すなわち、コンデンサレンズ８の軸上磁場
分布の光軸方向（Ｚ方向）に関して微分した分布を、偏
向器１８の偏向磁場のＺ方向分布に一致させて、上記Ｍ
ＯＬ機能をコンデンサレンズ８に与えている。
【００１５】レチクル９の下方には２段の投影レンズ１
０及び投影レンズ１１（対物レンズ）が設けられてい
る。図１に示されているように、レチクル９の一つの副
視野に相当する部分が電子線照射され、レチクル９でパ
ターン化された電子線は、２段の投影レンズ１０、１１
によって縮小され、試料１２上に結像される。試料１２
上には、適当なレジストが塗布されており、レジストに
電子線のドーズが与えられてレチクル像の縮小パターン
が試料１２上に転写される。
０及び投影レンズ１１（対物レンズ）が設けられてい
る。図１に示されているように、レチクル９の一つの副
視野に相当する部分が電子線照射され、レチクル９でパ
ターン化された電子線は、２段の投影レンズ１０、１１
によって縮小され、試料１２上に結像される。試料１２
上には、適当なレジストが塗布されており、レジストに
電子線のドーズが与えられてレチクル像の縮小パターン
が試料１２上に転写される。
【００１６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
は以下の効果を発揮する。 本発明の第１態様においては、副視野制限開口とレ
チクル間のレンズ系の焦点距離が、レチクル直後の投影
レンズの焦点距離よりも小さいので、電子銃とレチクル
までの距離を短くでき、露光装置の高さを低くすること
ができる。 同じく、副視野制限開口からレチクルへは縮小光学
系となり、副視野制限開口への精度要求を緩和すること
ができる。 本発明の第２態様においては、光軸から離れた位置
にある副視野を選択した場合にも開口角が実質的に増加
しない光学系を提供できる。
は以下の効果を発揮する。 本発明の第１態様においては、副視野制限開口とレ
チクル間のレンズ系の焦点距離が、レチクル直後の投影
レンズの焦点距離よりも小さいので、電子銃とレチクル
までの距離を短くでき、露光装置の高さを低くすること
ができる。 同じく、副視野制限開口からレチクルへは縮小光学
系となり、副視野制限開口への精度要求を緩和すること
ができる。 本発明の第２態様においては、光軸から離れた位置
にある副視野を選択した場合にも開口角が実質的に増加
しない光学系を提供できる。
【図１】本発明の１実施例に係る電子線露光装置の電子
線光学系の結像図である。
線光学系の結像図である。
１ 電子銃 ２、３ コンデン
サレンズ ４ ブランキング偏向器 ５ ヒートシンク ６ 矩形アパーチャ ７ ブランキング
アパーチャ ８ コンデンサレンズ ９ レチクル １０ 投影レンズ １１ 対物レンズ １２ 試料 １３、１４ 焦点
距離 １５ 副視野制限アパーチャ １６ レチクルの
副視野寸法 １７、１８ 副視野選択偏向器 １９ クロスオー
バー
サレンズ ４ ブランキング偏向器 ５ ヒートシンク ６ 矩形アパーチャ ７ ブランキング
アパーチャ ８ コンデンサレンズ ９ レチクル １０ 投影レンズ １１ 対物レンズ １２ 試料 １３、１４ 焦点
距離 １５ 副視野制限アパーチャ １６ レチクルの
副視野寸法 １７、１８ 副視野選択偏向器 １９ クロスオー
バー
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｊ 37/147 Ｈ０１Ｊ 37/147 Ｃ 37/305 37/305 Ｂ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５４１Ｓ
Claims (5)
- 【請求項１】 光学系の主視野を複数の副視野に分割
し、レチクルのパターン像を該副視野毎に分割して試料
面に転写する電子線露光装置における電子線光学系であ
って；電子銃、電子銃の放射する電子ビームを調整して
レチクルに導く複数のコンデンサレンズ、複数のコンデ
ンサレンズ間に配置された副視野制限開口、電子銃とレ
チクル間に配置された副視野選択偏向器、及び、レチク
ル像を試料面上に縮小結像させる複数の投影レンズ、を
備え；副視野制限開口とレチクル間のレンズ系の焦点距
離が、レチクル直後の投影レンズの焦点距離よりも短い
ことを特徴とする電子線光学系。 - 【請求項２】 上記視野制限開口とレチクル間のレンズ
系の焦点距離が、上記レチクル直後の投影レンズの焦点
距離の１／２以下であることを特徴とする請求項１記載
の電子線光学系。 - 【請求項３】 光学系の主視野を複数の副視野に分割
し、レチクルのパターン像を該副視野毎に分割して試料
面に転写する電子線露光装置における電子線光学系であ
って；電子銃、電子銃の放射する電子ビームを調整して
レチクルに導く複数のコンデンサレンズ、複数のコンデ
ンサレンズ間に配置された副視野制限開口、電子銃とレ
チクル間に配置された副視野選択偏向器、及び、レチク
ル像を試料面上に縮小結像させる複数の投影レンズ、を
備え；上記偏向器が、上記レチクル直前のコンデンサレ
ンズの軸を電子ビームの主光線の軌道に合わせる機能を
有することを特徴とする電子線光学系。 - 【請求項４】 光学系の主視野を複数の副視野に分割
し、レチクルのパターン像を該副視野毎に分割して試料
面に転写する電子線露光装置における電子線光学系であ
って；電子銃、電子銃の放射する電子ビームを調整して
レチクルに導く複数のコンデンサレンズ、複数のコンデ
ンサレンズ間に配置された副視野制限開口、電子銃とレ
チクル間に配置された副視野選択偏向器、及び、レチク
ル像を試料面上に縮小結像させる複数の投影レンズ、を
備え；副視野制限開口とレチクル間のレンズ系の焦点距
離が、レチクル直後の投影レンズの焦点距離よりも短
く、かつ、 上記偏向器が、上記副視野制限開口とレチクル間のレン
ズ系の軸を電子ビームの主光線の軌道に合わせる機能を
有することを特徴とする電子線光学系。 - 【請求項５】 上記副視野制限開口とレチクル間のレン
ズ系の焦点距離が、上記レチクル直後の投影レンズの焦
点距離の１／２以下であることを特徴とする請求項４記
載の電子線光学系。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9124721A JPH10303117A (ja) | 1997-04-30 | 1997-04-30 | 電子線光学系 |
| US09/069,712 US5977550A (en) | 1997-04-30 | 1998-04-29 | Charged-particle-beam optical systems |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9124721A JPH10303117A (ja) | 1997-04-30 | 1997-04-30 | 電子線光学系 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10303117A true JPH10303117A (ja) | 1998-11-13 |
Family
ID=14892468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9124721A Pending JPH10303117A (ja) | 1997-04-30 | 1997-04-30 | 電子線光学系 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5977550A (ja) |
| JP (1) | JPH10303117A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10044199B9 (de) | 2000-09-07 | 2005-07-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Ablenkanordnung und Projektionssystem für geladene Teilchen |
| DE10109965A1 (de) | 2001-03-01 | 2002-09-12 | Zeiss Carl | Teilchenoptische Linsenanordnung und Verfahren unter Einsatz einer solchen Linsenanordnung |
| US6763316B2 (en) * | 2002-03-21 | 2004-07-13 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Method for measurement of beam emittance in a charged particle transport system |
| ATE424037T1 (de) * | 2005-07-20 | 2009-03-15 | Zeiss Carl Sms Gmbh | Teilchenstrahlbelichtungssystem und vorrichtung zur strahlbeeinflussung |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5770863A (en) * | 1995-10-24 | 1998-06-23 | Nikon Corporation | Charged particle beam projection apparatus |
-
1997
- 1997-04-30 JP JP9124721A patent/JPH10303117A/ja active Pending
-
1998
- 1998-04-29 US US09/069,712 patent/US5977550A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5977550A (en) | 1999-11-02 |
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