CN102138106A

CN102138106A - 用于光学邻近校正的方法、使用字符投影光刻的光罩的设计和制造

Info

Publication number: CN102138106A
Application number: CN2009801342427A
Authority: CN
Inventors: 藤村晶; 兰斯·格兰瑟; 三桥隆; 萩原和之
Original assignee: D2S Inc
Current assignee: D2S Inc
Priority date: 2008-09-01
Filing date: 2009-08-10
Publication date: 2011-07-27
Also published as: WO2010025031A3; TW201015234A; EP2321701A2; JP5676449B2; WO2010025031A2; KR20110065493A; JP2012501473A

Abstract

本发明公开了用于制造具有大量微小差别图案的表面的方法和系统。所述方法包括在模板掩模上使用字符组合，用于在表面上形成图案；和通过使用字符改变技术，减小发射数或总写入时间。还公开了上述方法应用于打碎、掩模数据准备或邻近效应校正。还公开了用于在表面上的图案的设计的光学邻近校正的方法，包括为衬底输入所期望的图案；和输入可以用于在表面上形成图案的字符组合，所述字符组合中的一些是复杂字符。还公开了产生图像字符的方法。

Description

用于光学邻近校正的方法、使用字符投影光刻的光罩的设计和制造

相关申请的交叉引用

本申请要求：1)2008年9月1日递交的题为“Method and System for Manufacturing a Reticle Using Character Proj ection Particle Beam Lithography”的美国专利申请No.12/202364；2)2009年9月1日递交的题为“Method For Optical Proximity Correction Of A Reticle To Be Manufactured Using Character Proj ection Lithography”的美国专利申请No.12/202365；3)2008年9月1日递交的题为“Method And System For Design Of A Reticle To Be Manufactured Using Character Projection Lithography”的美国专利申请No.12/202366；4)2008年11月12日递交的题为“Method And System For Manufacturing A Reticle Using Character Projection Lithography”的美国专利申请No.12/269777的优先权，为了所有目的，所有这些专利申请通过引用结合于此。

技术领域

本发明涉及光刻，更具体的，涉及使用字符或单元投影光刻的表面的设计和制造，所述表面可以是光罩、晶片或任何其他表面。

背景技术

在半导体器件(例如，集成电路)的生产或制造中，可以使用光刻来制造半导体器件。光刻是使用光刻掩模(mask)或光罩(reticle)将图案转移到衬底(例如，半导体或硅晶片)以生成集成电路的印刷工艺。其他衬底可以包括平板显示屏甚至光掩模。同样，极紫外(EUV)或X射线光刻也认为是光刻的种类。光罩或多个光罩可以包含与集成电路的单独层相对应的电路图案，该图案可以成像在衬底上的已经涂覆有被称作光阻剂或阻剂的辐射敏感材料层的一定区域上。一旦图案化层被转移，则该层会经过各种其他处理，例如蚀刻、离子注入(掺杂)、金属化、氧化和抛光。采用这些处理来完成衬底中的单独层。如果需要多个层，则对于每个新层将重复整个过程或其变体。最终，多个器件或集成电路的组合将呈现在衬底上。然后，可以通过划片或切割将这些集成电路彼此分开，然后将这些集成电路安装在单独的封装中。在更普遍的情况下，衬底上的图案可以用于限定伪影，例如显示器像素或磁记录头。

在半导体器件(例如，集成电路)的生产或制造中，还可以使用无掩模直写来制造半导体器件。无掩膜直写是将图案转移到衬底(例如，半导体或硅晶片)以生成集成电路的印刷工艺。其他衬底可以包括平板显示屏、用于纳米压印的压印掩模、甚至光掩模。所期望的层的图案直接写在表面上，在此情况下所述表面也是衬底。一旦图案化层被转移，该层会经过各种其他处理，例如，蚀刻、离子注入(掺杂)、金属化、氧化和抛光。采用这些处理来完成衬底中的单独层。如果需要多个层，则对于每个新层将重复整个过程或其变体。某些层可以用光刻来写，而其他层可以用无掩模直写来写，以制造相同的衬底。最终，多个器件或集成电路的组合将呈现在衬底上。然后，可以通过划片或切割将这些集成电路彼此分开，然后将这些集成电路安装在单独的封装中。在更普遍的情况下，衬底上的图案可以用于限定伪影，例如显示器像素或磁记录头。

如上所述，光掩模或光罩包括与待集成在衬底上的电路元件相对应的几何图案。可以使用CAD(计算机辅助设计)软件或程序来产生用于制造光罩的图案。在设计图案过程中，CAD程序可以遵循一组预定设计规则，以生成光罩。通过加工、设计和最终使用限制来设置这些规则。最终使用限制的示例是不能以所需电源电压充分运行的方式限定晶体管的几何形状。具体来说，设计规则可以限定电路器件或互连线之间的空间容限。例如，设计规则用于确保电路器件或线不以不期望的方式彼此相互作用。例如，使用设计规则，使得线不以会引起短路的方式彼此太接近。除此之外，设计规则限制反映可以可靠的制造的最小尺寸。当提到这些小尺寸时，通常引入临界尺寸的概念。例如，这定义为线的最小宽度或两条线之间的最小空间，这些尺寸需要精细控制。

通过光刻的集成电路制造中的一个目的是通过使用光罩在衬底上复制原始电路设计。集成电路制造者总是试图尽量有效的使用半导体晶片基板面(real estate)。工程师持续缩小电路的尺寸，以使得集成电路包含更多的电路元件并且使用更少的功率。由于集成电路临界尺寸的大小减小了并且其电路密度增加了，所以其相应的掩模图案的临界尺寸接近光刻中所用的光学曝光工具的分辨极限。电路布图的临界尺寸变得更小，接近曝光工具的分辨率值，掩模图案和光阻剂层上所显影的实际电路图案之间的精确转移变得困难。为了进一步使用光刻来转移具有比光刻过程中所使用的光波长小的特征的图案，开发了称作光学邻近校正(OPC)的工艺。OPC改变掩模上的原始布图，以补偿由诸如光衍射、和特征与邻近特征的光学相互作用之类的效应所引起的畸变。OPC包括用光罩所执行的所有分辨率增强技术。

OPC将次分辨率光刻特征增加到掩模图案，以减小原始掩模图案(即，设计)与衬底上的最终转移电路图案之间的差别。次分辨率特征与原始掩模图案相互作用，并且彼此相互作用，补偿邻近效应，以改进最终转移电路图案。用于改进图案的转移的一个特征是次分辨率辅助特征(SRAF)。所增加的改进图案转移的另一特征称作“衬线(serifs)”。衬线是可以位于图案的拐角以使得最终转移图像中的拐角锐化的小特征。由于光刻的限制延续到次波长范围中，OPC特征必须制作的越来越复杂，以补偿更加细微的相互作用和效应。但是，由于成像系统发展的更加接近其极限，生产具有足够精细的OPC特征的光罩的能力变得很关键。尽管将衬线或其他OPC特征增加到掩模图案是有利的，但是这也实质上增加了掩模图案中的总特征数。例如，将衬线增加到正方形的每个拐角会将至少八个矩形增加到掩模或光罩图案。增加OPC特征是非常费力的任务，需要极高的计算时间，这产生了更加昂贵的光罩。不仅OPC图案复杂，而且由于与最小线和空间尺寸相比光学邻近效应是长距离的，所以给定位置上的校正OPC图案显著地取决于附近的其他几何形状。因此，例如，在光罩上线端点将根据其附近是什么而具有不同大小的衬线。即使目标是在晶片上精确生产相同形状也是如此。这些微小但关键的变化很重要，妨碍其他部分能够形成光罩图案。通常根据主特征和OPC特征讨论将要写在光罩上的OPC完成图案，所述主特征是OPC完成之前体现设计的特征，其中OPC特征可以包括衬线、jog和SRAF。为了量化微小变化的含义，邻近区域之间OPC完成中通常的微小变化可以是主特征大小的5％到80％。注意，为了清楚，OPC设计中的变化是被参考的变化。在实际的表面图案中也将存在制造变化(例如，线边缘粗糙度和倒圆角)。当这些OPC变化在晶片上生产大致相同的图案时，这意味着晶片上的几何形状定为在特定误差内相同，所述特定误差取决于几何形状设计用于执行的功能的细节，例如，晶体管或线。然而，通常的规格是主特征范围的2％-50％。存在多种同样能引起变化的制造因素，但是只列举具有总误差通常在范围内的OPC组件。

存在多种用于在光罩上形成图案的技术，包括使用光学或离子束系统。最常使用的系统是可变形状电子束(VSB)型，其中使精确电子束定型，并将精确电子束引导至光罩的光阻剂涂覆表面上。这些形状是简单形状，通常限于一定的最小和最大尺寸的矩形和一定的最小和最大尺寸的具有三个内角为45度、45度和90度的三角形。在预定位置上，大量电子以这些简单形状发射在光阻剂中。这种类型系统的总写入时间随着发射数量而增加。第二种类型的系统是字符投影系统。在这种情况下，系统中存在具有多种形状的模板，所述形状可以是直线、任意角度的直线、圆形、环形、部分圆形、部分环形或任意曲线形状，并且可以是一组连接的复杂形状或者一系列连接的复杂形状组的不连接组合。电子束可以穿过模板射出，以有效的在光罩上生成更复杂的图案(即，字符)。理论上，这样的系统可以比VSB系统快，因为其可以每次耗时发射射出更复杂的形状。因此，使用VSB系统的E发射执行四次发射，但是使用字符投影系统用一次发射就能完成。注意，定型电子束可以认为是字符投影的特殊(简单)情况，其中字符正好是简单字符，通常是矩形或45-45-90的三角形。也能够部分曝光字符。例如，这可以通过挡住粒子束的一部分来完成。例如，上述的E可以被部分曝光成为F或I，其中通过孔径(aperture)切断粒子束的不同部分。对于非常复杂的光罩，必须将图案分成近数十亿的基本形状，有时候接近数万亿的基本形状。例如，这对于VSB系统是简单矩形形状，或在字符投影系统中是有限数量的字符。图案中的基本形状(字符)的总示例越多，写入时间越长并且更加昂贵。但是，对于诸如OPC完成光罩之类的写入表面，其中在更小的图案中存在很多精细变化，这样的投影系统目前不切实际。可使用的字符的数量是有限的，其中投影机对字符的选择采取最小时间，目前只能允许约10-1000个字符。当面对需要放置在光罩上的过多微小变化的OPC图案时，还没有可以完成该任务的系统或方法。

因此，减小用来制备和制造用于衬底的光罩的时间和成本是有利的。更一般的，减小用来制造和制造任何表面的时间和成本是有利的。还期望具有包含生产或产生具有需要转移到表面的各种图案所需要的一些复杂字符的模板掩模。例如，表面可以具有彼此只有微小差别的数千个图案。为了制备表面，期望具有能够产生很多这种具有微小差别的图案的模板掩模。如在此更全面的描述，这可以通过使用包含字符组的模板掩模来实现，所述字符可以结合、修改或调整，以产生具有许多微小改变的图案。因此，需要消除了上述与制备表面相关的问题的、用于制造表面的方法和系统。

发明内容

在本发明的一个形式中，公开了一种用于制造表面的方法，所述表面具有大量微小差别图案，所述方法包括如下步骤：用字符组来写表面，用于在所述表面上形成图案；和通过使用字符改变技术，减小发射数或总写入时间。

在本发明的另一形式中，公开了一种用于制造表面的方法，所述方法包括如下步骤：设计将要形成于表面上的多个图案，所述图案具有微小差别；根据所述多个图案确定要使用的字符组；准备具有所述字符组的模板掩模；和通过使用字符改变技术，减小发射数或总写入时间。

在本发明的另一形式中，公开了一种用于制造表面的系统，所述表面具有大量微小差别图案，所述系统包括：模板掩模，其具有用于在所述表面上形成图案的字符组；和设备，其用于通过使用字符改变技术来减小发射数或总写入时间。

在本发明的另一形式中，公开了一种用于在表面上的图案的设计的光学邻近校正的方法，所述方法包括如下步骤：为衬底输入所期望的图案；和输入可以用于在所述表面上形成图案的字符组，所述字符组中的一些是复杂字符。

在本发明的另一形式中，公开了一种用于在表面上的图案的设计的光学邻近校正的方法，所述方法包括输入可能的图像字符的步骤，所述图像字符基于预定字符组中的字符，使用对所述字符组中的改变字符剂量、改变字符位置或应用字符的部分曝光的计算，确定所述图像字符。

在本发明的另一形式中，公开了一种用于在表面上的图案的设计的光学邻近校正的系统，其中所述系统包括：衬底的所期望的图案；和字符组，所述字符组中的一些是复杂字符，用于在表面上形成一些图案。

在本发明的另一形式中，公开了一种用于打碎或掩模数据准备或邻近效应校正的方法，其包括如下步骤：输入要在表面上形成的图案，图案子组彼此具有微小差别变化；和选择字符组，用于形成多个图案，所述字符组中的一些是复杂字符；和通过使用字符改变技术减小发射数或总写入时间。

在本发明的另一形式中，公开了一种用于打碎、或掩模数据准备或邻近效应校正的系统，其包括：设备，其用于输入要在表面上形成的图案，图案具有微小差别；和装置，其用于选择字符组，以用于形成多个图案，所述字符组中的一些是复杂字符；所述字符组装载模板掩模上，并且通过使用字符改变技术减小发射数或总写入时间。

在考虑下面详细的说明连同附图之后，本发明的上述和其他优点将显而易见。

附图说明

图1是用于制造表面的单元投影系统；

图2A示出了将要放置在衬底上的图案的设计；

图2B示出了根据图2A中所示的设计在光罩中形成的图案；

图2C示出了使用图2B的光罩在衬底的光阻剂中形成的图案，示出没有光学邻近校正，图像并不与图2A中所示的设计几乎相似；

图3A示出了图2A中所示的图案的光学邻近校正的版本；

图3B示出了图3A中所示的图案在形成于光罩中之后的光学邻近校正的版本；

图3C示出了使用图3B的光罩形成于硅晶片的光阻剂中的图案；

图4A示出了要放置在衬底上的理想图案；

图4B示出了两个基本模板形状；

图4C以重叠方式示出了图4B中所示的两个基本模板形状；

图4D示出了通过使用图4C中所示的重叠的模板形状在光罩中所形成的图案；

图4E示出了通过使用图4D中所示的图案在衬底上所形成的图案；

图5A以重叠方式示出了两个基本模板形状，其中一个模板形状由两个不连接的正方形组成；

图5B示出了通过使用图5A中所示的重叠的模板形状在光罩上所形成的图案；

图5C示出了通过使用图5B中所示的图案在衬底上所形成的图案；

图6A示出了用于在光罩上形成图案的模板形状；

图6B示出了通过使用图6A中所示的模板形状在光罩上所形成的图案；

图6C示出了通过使用图6B中所示的图案在衬底上所形成的图案；

图7A示出了用于在表面上形成图案的四个模板形状；

图7B示出了通过使用图7A中所示的模板形状在表面上所形成的图案；

图8A示出了在模板掩模上所形成的字符组；

图8B示出了通过使用图8A中所示的字符组在表面上所形成的图案；

图8C示出了调整字符组；

图8D使用实线和虚线形状示出了曝光剂量的变化度，通过使用图8A中所示的字符组和图8C中所示的调整字符组，在表面的光阻剂中每个字符和调整字符通过所述曝光剂量来曝光；

图8E示出了通过使用图8A中所示的字符和图8C中所示的调整字符在表面上所形成的图案。

图9示出了如何制备用于制造衬底(例如，硅晶片上的集成电路)的表面的概念流程图；

图10示出了如何制备用于制造衬底(例如，硅晶片上的集成电路)的表面的另一概念流程图；

图11示出了字符组；

图12示出了具有形状变化的字符和调整字符的组；

图13示出了具有位置变化的字符和调整字符的组；

图14示出了通过调整字符的形状变化所产生的图案组；

图15示出了通过调整字符的各种曝光剂量所产生的图案组；

图16示出了通过单一字符的各种曝光剂量所产生的图案组；

图17示出了通过调整字符的位置变化所产生的图案组；

图18示出了如何制备用于制造衬底(例如，硅晶片上的集成电路)的表面的概念流程图；

图19示出了图像字符的示例；和

图20示出了参数化图像字符的示例。

具体实施方式

现在参考附图，其中相同的数字表示相同的组件，图1的数字10表示根据本发明的采用字符投影来制造表面12的光刻系统的实施例，例如，粒子束写入系统，在这种情况下是电子束写入系统。电子束写入系统10具有朝向孔径板18发射电子束16的电子束源14。板18具有形成于其中的孔径20，所述孔径20能使得电子束16穿过。一旦电子束16穿过孔径20，其被一系列透镜(未示出)作为电子束22引导或偏转至另一矩形孔径板或模板掩模24。模板掩模24在其中形成限定了各种类型的字符28的很多孔径26。模板掩模24中所形成的每个字符28可以用于形成表面12中的图案。电子束30从一个孔径26出现，并且其被引导在表面12作图案32。表面12涂覆有光阻剂(未示出)，所述光阻剂与电子束30相互作用。通过使用电子束系统10的一次发射绘出图案32。与使用可变形状电子束(VSB)投影系统或方法相比，这减小了用来完成图案32的总写入时间。表面12可以是光罩。表面12然后可以用于另一设备或机器(例如，扫描仪)，以将图案32转移在硅晶片上，以生产集成电路或芯片。更一般的，光罩12用于另一设备或机器，以将图案32转移在衬底上。

如上所述，因为半导体和其他纳米技术制造商正在接近光刻的极限，所以很难讲理想图案转移在衬底上。例如，图2A示出了将要在衬底的光阻剂中形成的理想图案40，所述理想图案40表示电路。当生产试图在其上形成图案40的光罩时，光罩并非完美再现图案40。图2B中示出了可以形成于试图再现图案40的光罩中的图案42。与图案40相比，图案42具有更加圆润并缩短的特征。当在光刻过程中采用图案42时，如图2C所示，图案44形成于衬底上的光阻剂中。图案44并不非常接近于理想图案40，这表明为什么需要光学邻近校正。

在试图补偿图案40和44中的差别时，使用光学邻近校正。光学邻近校正改变光罩，以补偿由光学衍射、与相邻形状的光学相互作用和光阻剂工艺效应所产生的畸变。图3A-3C示出了可以如何采用光学邻近校正来改进光刻工艺，以显影出更好版本的图案44。具体来说，图3A示出了图案50，所述图案50是图案40的改变版本。图案50具有增加到不同拐角的衬线元素52，以在试图减小降低拐角的锐度的光学和工艺效应时提供额外区域。当生产了图案50的光罩时，如图3B所示，在光罩中显示为图案54。当在光刻设备中使用光学邻近校正的图案54时，如图3C所示，产生了输出图案56。图案56比图案44更相似于理想图案40，这是由于光学邻近校正。尽管使用光学邻近校正有帮助，但是这需要改变或完成每个图案，这增加了用来生产光罩或光掩模的时间和成本。另外，当应用OPC时光罩上所形成的各种图案之间可以适当的具有微小差别，这增加了制备光罩的时间和成本。此外，图案中的大量微小差别或变化会使得使用字符投影系统生产光罩难以处理，这是因为所需字符的数量将太大。

现在参考图4A，示出了将要放置在衬底上的理想图案60(例如，触点)。理想图案60是正方形形状。在试图提供将图案60更加接近的转移在衬底上的光罩时，使用下列步骤。图4B示出了可以用于将理想图案60写在光罩上的两个基本模板掩模或字符62和64。模板形状62是正方形形状66具有位于每个拐角70、72、74和76的衬线68。模板形状64是调节字符，所述调节字符可以重新放置在形状62上，以使一个或多个拐角70、72、74和76处的衬线68的形状变化或改变。例如，在图4C中，示出模板掩模64覆盖模板形状62的拐角74。当在单元投影设备(例如，图1中所示的电子束写入系统10)中使用模板掩模62和64以将图案写在光罩上时，将出现如图4D所示的图案78。图案78具有拐角80，所述拐角80比任何其他拐角更加拉长和明显。这是由于使用模板掩模64来改变拐角74。光掩模或光罩上的图案78可以用于通常的光刻设备，以将图案78转移在衬底上。例如，如果为了在衬底上生产尽量接近图案60，考虑到影响光学邻近校正的附近的形状，光罩上的图案78是适合的形状，如图4E所示的图案82将是图案78被转移在衬底上的结果。图案82与理想图案60相似或接近。

使用模板形状62和64可以形成各种其他图案。例如，形状64的两个示例可以结合在一起作为一个字符90，所述字符90用于覆盖拐角70和74以形成图案92，这在图5A中示出。模板掩模90和92是可以在光罩上产生图5B中的图案94的重叠发射。为了在衬底上生产尽量接近图案60，考虑到影响光学邻近校正的附近的形状，当光罩上的图案94是适当的形状时，当使用光罩上的图案94来发射衬底时，图5C中所示的图案96出现在衬底上。图案96大致与理想图案60相同。还能够考虑使得用于电子束写入系统10的剂量改变或变化，以进一步修改或调整形成于光罩上的各种图案。可以理解，使用少数模板形状，可以在表面(例如，光罩)上产生大量的或多种形状。

现在特别参考图12，示出了一组十六个字符400、402、404、406、408、410、412、414、416、418、420、422、424、426、428和430，作为在通过字符投影系统投影之后将出现在表面上的字符。通过其设计作为“中心CP”450在图13中示出的字符投影作为“正方形”452在图13中显示为正方形的设计上的图案，投影出字符400所示的表面上的“0耳”图案。字符414所示的“2耳”图案是由其设计作为“23处的耳”在图13中示出的字符所投影的，并且是调整字符的示例。同样的，如图14所示，结合字符400所投影的十五个字符402、404、406、408、410、412、414、416、418、420、422、424、426、428和430可以在表面上产生十五个图案472、474、476、478、480、482、484、486、488、490、492、494、496、498和500。通过用一定剂量来投影字符400，产生图案470(图14)。图14的十五个图案472、474、476、478、480、482、484、486、488、490、492、494、496、498和500是通过两个字符发射的组合所形成的图像字符，所述图像字符是可以由小的字符组产生于表面上的微小差异图案的大变化的示例。需要大变化的潜在原因是用于在表面是光罩或光掩模的情况下使用光刻的最终投影的光学邻近校正。为了在衬底上投影如图13中所示的正方形452，由于需要光学邻近校正，需要在光罩上产生微小差异的大变化(即，“0耳”400的变化)。但是，本发明不依赖于需要微小差异图案的大变化的理由。

通过改变调整字符的剂量，可以只通过这些字符发射在表面上的图案的变化进一步增加。图15示出产生从10nm到19nm的临界尺寸变化的、以0％、-30％、-60％、+50％和+100％改变剂量的情形530、532、534、536和538。此外，还可以改变由“0耳”400所表示的中心字符(图12)的剂量，以产生微小差异图案的进一步的变化。图16示出通过以-40％、-20％、0％、+25％和+50％改变剂量可以在表面上产生的不同形状550、552、554、556和558。形状560说明了形状550、552、554、556和558的重叠，以进一步证明通过改变剂量可以产生微小差异图案。每个图案550、552、554、556和558可以是已知通过组合少量的字符发射可以得到的图像字符或图案。参数化的图像字符可以更一般性的用作更紧凑的表示方法，以在单一说明中描述众多图像字符。图案560说明剂量可以是用来以一种表示方法表示多个图像字符的参数。参数化的图像字符是描述所有这些可能的图像字符550、552、554、556和558的单一说明，是更加紧凑和更加灵活的表示方法。还可以通过在不同的位置上发射调整字符的相同基本图案来产生微小差异图案。参考图17，通过将相同的1耳字符(例如，图12中的字符404)放置在距0耳字符(例如，图12中的字符400)的不同位置，组成图案580和图案582。通过很多变化的字符(在这种情况下是中心字符的变化和调整字符的变化)和改变剂量与相对位置，可以在只使用两个发射时在表面上投影非常大量的微小差异图案。使用三个或多个发射，可得到的可以投影在表面上的图像字符的数量按几何级数增长。图17中也示出了其他图案，例如，图案584、586、588和590。例如，通过使字符400(图12)与使用图12中所示的调整字符412的2耳的标准距离的字符组，形成图案584。通过使字符400与使用图12的调整字符432的2耳的长距离的字符组，形成图案586。通过使图12的字符400与使用图12的调整字符424的3耳的标准距离的字符组，形成图案588。通过使徒12的字符400与使用图12中所示的调整字符434的3耳的长距离的字符组，形成图案590。

现在参考图6A，示出了另一模板图案100，所述模板图案100可以用于试图在衬底(例如，硅晶片)上形成图案，以类似于图4A中所示的理想图案60。模板图案100包括在每个拐角106、108、110和112处具有衬线104的模板形状102。模板图案100还具有在每个拐角106、108、110和112处的对角线上的次分辨率辅助特征(SRAF)114。如图6B所示，模板图案100用于在光罩上形成图案116。现在参考图6C，图案116然后用于在衬底上形成图案118。图案118与理想图案60相似。

图7A示出了四个模板字符150、152、154和156，如图7B所示，所述四个模板字符可以用于模板掩模上组合以在光罩上形成精细形状或图案158。具体来说，第一字符150被发射或投影在光罩上，然后发射第二字符152，然后是第三字符154，最后是第四字符156。字符是曲线形状，而不是直线形状。以这种方式，可以在光罩上形成复杂图案，例如图案158。模板掩模上的形状可以称作“字符”，光罩上所形成的图案可以称作“图像字符”。除了形状改变之外，还能够使用剂量控制来产生通过使用相同的模板字符(例如，字符150、152、154和156)形成于光罩上的图案的更微小变化。使用不同剂量的变化，多个字符的组合可以彼此重叠，以增加可以产生的可能的形状或图案的变化。此外，可以改变字符的位置，以增加可以产生的可能的形状或图案的变化。因为字符150、152、154和156的形状是曲线的，所以这减少了离子束写入系统必须用来将字符150、152、154和156发射或投影在光罩上以写入图像字符(例如，图案158)的发射的数量。例如，可以只通过使用四个字符150、152、154和156来发射图案158。如果使用直线形状，则将需要使用更多的发射或VSB发射。可以看出，能够使用代替VSB发射的字符减小了制备光罩的时间。还能够使用具有曲线形状的直线形状，以在光罩上形成图案。虽然在用于投影需要很多种形状的表面的字符投影系统中可以利用字符投影的这个特征，但是可以作为单一组件使用的字符的数量不够大。本方法和系统使多种字符与剂量、位置或具有潜在的重叠发射的投影变化结合，以显著地增加可以得到的图像字符的数量。通过具有大量图像字符作为可得到的图案，代替非常有限数量的字符作为可得到的图案，可以将更加复杂的图案投影在表面上，而不会明显影响发射数量或写入时间。可选的，使用大量可得到的图像字符使得能够用少得多的发射和写入时间来发射具有高度复杂形状的表面。

现在参考图8A，示出了可以放置在模板掩模上的字符组200的示例。如图8B所示，字符组200可以用于在光罩上形成图案202。图案202可以由字符组200中的一个或多个字符形成。但是，在试图通过使用光罩更好的形成将要转移在硅晶片上的理想图案时，如图8C所示，调整字符或发射204可以用于进一步改进图案202。图8D示出了可以在光罩的光阻剂中形成的与调整字符204组合的图案202的示例。调整字符204以虚线示出，以表示与用于发射其他字符202的剂量相比，这些字符204的更小的剂量。图8E示出了通过使用改变的剂量、使用字符组200和调整字符204在光罩中形成的图案206。可以使用有限数量的字符(例如，字符组200)来形成多个不同形状的图案或多个微小差别形状的图案。

图9是如何制备光罩的概念流程图250，所述光罩用于制造诸如硅晶片上的集成电路之类的表面。在第一步骤252中，设计了物理设计，例如集成电路的物理设计。这可以包括确定需要在物理设计中(例如，集成电路中)提供的逻辑门、晶体管、金属层和其他项目。然后，在步骤254中，确定光学邻近校正。在本发明的实施例中，可以包括以预先计算的图像字符或参数化图像字符的库作为输入。可选的或附加的，还可以包括以预先设计的字符的库作为输入，所述预先设计的字符包括将在步骤262中在模板260上可得到的复杂字符。在本发明的实施例中，OPC步骤254还可以包括发射数量或写入时间的同时优化，并且还可以包括打碎操作、发射布置操作、剂量分配操作，或者还可以包括发射顺序优化操作、或其他掩模数据准备操作。一旦完成了光学邻近校正，在步骤256中使掩模设计显影。然后，在步骤258中，可以进行掩模数据准备操作或者可以进行发射顺序优化，所述掩模数据准备操作可以包括打碎操作、发射布置操作、剂量分配操作。OPC步骤254或MDP步骤258的任意步骤、或者不同于这两个步骤254或258的单独程序，可以包括用于确定需要呈现在模板上的有限数量的模板字符、或大量图像字符或参数化图像字符的程序，通过使需要呈现在模板上的字符与改变的剂量、位置、和部分曝光的程度组合，可以使用少量发射将所述大量图像字符或参数化图像字符发射在表面上，以将全部或大部分所需图案写在光罩上。应当理解，在本发明中，掩模数据准备步骤258或掩模数据准备不包括OPC。在本发明可以考虑在一个步骤中组合OPC与掩模数据准备的任意或所有的各种操作。可以包括打碎操作的掩模数据准备步骤258还可以包括图案匹配操作，以匹配图像字符，以生成紧密匹配掩模设计的掩模。掩模数据准备还可以包括使用微小差异的图案输入将要形成于表面上的图案，选择用于形成众多图案的字符组、安装在模板掩模上的字符组和基于变化的字符剂量或变化的字符位置的字符组，或在字符组内应用字符的部分曝光，以减小发射数量或总写入时间。表面上的一组微小差别图案可以设计用来在衬底上生成基本相同的图案。此外，字符组可以从预定的字符组中选择。在本发明的一个实施例中，可以为特定的掩模设计准备在掩模写入步骤262过程中可以快速选择的、在步骤270中在模板上可得到的一组字符。在该实施例中，一旦完成了掩模数据准备步骤258，在步骤260中准备模板。在本发明的另一实施例中，在步骤260中准备模板在MDP步骤258之前或同时，并且可以不依赖于特定的掩模设计。在本实施例中，在步骤272中设计在步骤270中可得到的字符和模板布局，以一般的为很多潜在的掩模设计256输出，以组合微小差别图案，所述微小差别图案可能由特定的OPC程序254、或特定的MDP程序258、或以物理设计252(例如，存储器、快闪存储器、芯片设计上的系统)为特征的特定类型的设计、或设计用于物理设计252的特定工艺技术、或物理设计252中所用的特定元件库、或可以在掩模设计256中形成不同的微小差别图案组的任何其他通用特征所输出。模板可以包括字符组，例如，包括调整字符组的在步骤258中所确定的有限数量的字符。一旦完成了模板，在掩模写入机(例如，电子束写入系统)中使用模板来产生表面。该特定步骤被认定为步骤262。如步骤264中所示，电子束写入系统将电子束通过模板投影在表面上，以在表面上形成图案。然后，完成的表面可以用于光刻系统，这在步骤266中示出。最后，在步骤268中，生成衬底，例如硅晶片。如上所述，在步骤270中，可以将字符提供给OPC步骤254或MDP步骤258。步骤270还将字符提供给字符和模板设计步骤274与图像字符产生步骤274。字符和模板设计步骤272为模板步骤260和字符步骤270提供输入。图像字符产生步骤274将信息提供给图像字符或参数化图像字符步骤276。此外，如上所述，图像字符或参数化图像字符步骤276将信息提供给OPC步骤254或MDP步骤258。

现在参考图10，示出了如何制备用于制造衬底(例如，硅晶片上的集成电路)的表面的另一概念流程图300。在第一步骤252中，设计了物理设计，例如集成电路的物理设计。这可以是设计者想要转移在衬底上的理想图案。然后，在步骤304中，确定步骤302中所生成的理想图案的光学邻近校正。这可以包括选择需要制备的图像字符。光学邻近校正还可以包括输入可能的图像字符，图像字符可以基于预定字符，可以使用改变字符剂量或改变字符位置、或应用字符的部分曝光的计算来确定图像字符。此外，光学邻近校正可以包括从可能的图像字符中选择图像字符、根据所选择的图像字符计算衬底上的图案、和如果计算的误差超过预定阈值则选择另一图像字符。预定字符可以来自一系列几何图案。一旦完成了光学邻近校正，在步骤304中使掩模设计显影。然后，在步骤306中，准备掩模设计。一旦准备了掩模设计，在掩模数据准备步骤308中进行进一步改进掩模设计。掩模数据准备步骤308可以包括用于确定有限数量的字符的程序，所述有限数量的字符需要呈现于模板上以能够将所有的所需图案写在光罩上。掩模数据准备还可以包括图案匹配，以匹配图像字符，以生成紧密匹配掩模设计的掩模。还可以执行图案匹配、剂量分配和等价性检验的迭代，可能只包括一次迭代，其中执行由构建来校正(correct-by-construction)的“确定性”计算。这些步骤将辅助制备改进等价性的掩模设计。一旦改进了掩模，在步骤310中生成等价性掩模设计。可以用于确定等价性掩模设计是否真正等价于掩模设计的检验的动机有两个。一个动机是通过掩模检验。另一个动机是确定芯片或集成电路一旦被制造后就将适当的起作用。图案匹配操作表示匹配的接近性可以由一组等价条件确定。等价标准可以至少部分的由光刻等价性(litho-equivalence)实现。光刻等价性可以由一组预定的几何规则，表示匹配、部分匹配或不匹配的一组数学方程式确定，或者通过进行表面设计上的图案的光刻模拟和图像字符的光刻模拟并通过使用一组预定的几何规则来对比两个结果、或通过表示匹配、部分匹配或不匹配的一组数学方程式来确定。在确保最终的等价性掩模设计310为等价标准所接受的同时，MDP步骤308可以使用预定的一组可得到的字符、图像字符或参数化图像字符来优化发射数量或写入时间。在另一实施例中，在由构建来校正的方法中OPC和MDP可以组合，在这种情况下，可以没有分别由等价性掩模设计310所产生的掩模设计306。如步骤312中所示，等价性掩模设计可以用于制备模板。一旦完成了模板，在掩模写入机(例如，电子束写入系统)中使用模板来制备光罩。该步骤被认定为步骤314。电子束写入系统将电子束通过模板投影在表面上，以在表面中形成图案。在步骤316中完成表面。然后，完成的表面可以用于光刻机，这在步骤318中示出，以将表面上所得到的图案转移到衬底，例如硅晶片，以制造集成电路。最后，在步骤320中，生产了衬底，例如半导体晶片。如上所述，在步骤322中，可以将字符提供给OPC步骤304或MDP步骤308。步骤322还将字符提供给图像字符产生步骤326。字符和模板设计步骤324为模板步骤312或字符步骤322提供输入。字符步骤322可以为字符和模板设计步骤324提供输入。图像字符产生步骤326将信息提供给图像字符或参数化图像字符步骤328。此外，如上所述，图像字符或参数化图像字符步骤328将信息提供给OPC步骤304或MDP步骤308。

现在参考图18，示出了如何制备直写在衬底(例如硅晶片)上的表面的另一概念流程图700。在第一步骤702中，设计了物理设计，例如集成电路的物理设计。这可以是设计者想要转移在衬底上的理想图案。然后，在步骤704中，执行邻近效应校正(PEC)和其他数据准备(DP)步骤，以准备衬底写入设备的输入数据，其中物理设计的记过包括多个微小差异的图案。步骤704还可以包括从步骤724输入可能的图像字符或参数化图像字符，图像字符基于来自步骤718的预定字符，在图像字符产生步骤722中，可以使用改变字符剂量或改变字符位置、或应用字符的部分曝光的计算来确定图像字符。步骤704还可以包括图案匹配，以匹配图像字符，以产生紧密匹步骤702中所产生的物理设计的晶片图像。还可以执行图案匹配、剂量分配和等价性检验的迭代，可能只包括一次迭代，其中执行由构建来校正(correct-by-construction)的“确定性”计算。在步骤708中制备模板，然后在步骤710中，将模板提供给晶片写入器。一旦完成了模板，在掩模写入机(例如，电子束写入系统)中使用模板来制备光罩。该步骤被认定为步骤710。电子束写入系统将电子束通过模板投影在表面上，以在表面中形成图案。在步骤712中完成表面。此外，在步骤718中，可以将字符提供给PEC和数据准备步骤704。步骤718还将字符提供给图像字符产生步骤722。字符和模板设计步骤720为模板步骤708或字符步骤718提供输入。字符步骤718可以为字符和模板设计步骤720提供输入。图像字符产生步骤722将信息提供给图像字符或参数化图像字符步骤724。图像字符或参数化图像字符步骤724将信息提供给PEC和数据准备步骤704。步骤710可以包括对于加工的每层根据需要重复应用，可能的，一些层使用结合图9和10所描述的方法来加工，其他层使用参考图18如上描述的方法来加工，或者其他层使用任何其他晶片写入方法来加工，以在硅晶片上生产集成电路。

图11示出了各种其他基本样板形状或字符350、352、354、356、358、360和362，所述基本样板形状或字符可以用作模板上的一组字符，以形成光罩上的各种图案。当使用字符投影时，模板字符可以通过三种方法略微修改。第一种方法是修改字符的形状和大小。例如，可以使用可变字符投影，其中可以通过部分的曝光字符的一部分改变单个字符。第二中方法是在发射特定形状和大小的字符时略微修改剂量。粒子投影发射的“剂量”是快门速度，在光罩的表面上投影特定发射的时间长度。“剂量校正”是例如为了邻近效应校正(PEC)，略微改变任何特定字符投影的发射的剂量的处理步骤。在本特定实施例中，附加的或者与其他剂量校正结合的，有目的的改变剂量，以略微改变投影在光罩的表面上的字符的大小和形状，以在光罩上形成图案或图像字符。还能够通过使用字符350、352、354和356的多次重叠发射来改变光罩上的图案发射，以产生多种图案或图像字符。图案或图像字符可以是直线、接近直线、线性或曲线形状。此外，还可以考虑改变剂量与使用重叠字符相结合，以产生更多种的图案或图像字符。此外，可以用VSB发射使用一组模板字符，以在表面上形成更多的图案或图像字符，所述模板字符是简单字符的示例。VSB发射和字符可以与分配的剂量结合，以产生大量的图案或图像字符。略微改变模板字符的第三种方法是使用位置变化。字符358、360和360示出了相同字符的三种位置变化。通过改变剂量以及字符的几何形状和字符彼此的相对位置，可以由特定组合的字符投影字符快速发射的掩模图像片段的数量成倍增加。可以使用需要少量字符的大量图像字符，以用减少的发射数量和写入时间投影复杂的图案。

通过使用字符组，可以形成复杂形状，所述复杂形状包括直线形状、组合了任意角度的边缘的形状和包括任意弯曲的形状的连接的或未连接的组合。任意弯曲形状可以包括圆形、半圆形和四分之一圆形。一组字符投影字符被设计并容纳于安装在写光罩的粒子束投影系统中的模板中。光学邻近校正系统可以用于选择字符投影字符的组合，所述字符能包括能改变剂量和部分投影的角度的VSB发射，以产生大量图案。具体为了特定设计、或一般的为了一组设计和将来可能的设计，可以用一些组织(例如，特定的半导体制造技术节点)预先设计一组字符。光学邻近校正系统可以用可变的剂量打碎彼此重叠的字符。这使得能够在光罩上产生复杂的形状。

还能够用预先估算或预先计算的图像字符的很大的库来开始光学邻近校正系统。然后，光学邻近校正系统在执行集成电路的原始物理设计到光罩设计的光学邻近校正变换时尝试尽量使用可得到大的图像字符。图像字符可以各自标记有相关联的发射数量和写入时间的优化值或多个优化值，光学邻近校正系统、掩模数据准备系统或一些独立的程序可以通过选择较少的发射数量或写入时间来优化发射数量或写入时间。可以以最短路径(greedy)方式或迭代优化方式来执行该优化，在最短路径方式中，以选择图像字符来匹配图案的一定顺序，选择每个图像字符，来优化为发射数量或写入时间所选择的最佳图像字符，迭代方式例如使用模拟退火算法，其中图像字符选择的交换优化了总发射数量或写入时间。通过任何可得到的图像字符，要形成于光罩上的一些所需的图案可能仍然不匹配，需要通过使用VSB发射来形成这些图案。

现在参考图19，示出了可以由光学邻近校正、打碎、邻近效应校正或掩模数据准备的任何其他步骤所使用的图像字符1000、1002、1004和1006的示例。图像字符1000、1002、1004和1006可以通过或不通过相同字符的组合产生，或者其还可以是由四个不同的字符所产生的图像字符。不考虑产生图像字符的方法，图像字符表示可能图案，该可能图案是已知的使用少量发射或写入时间而生成的表面上的可能图案。每个图像字符可以与需要用来产生图像字符的字符的说明、每个字符的部分曝光的指令、每个字符投影所需的剂量和字符的相对位置相关联。

图20示出了参数化图像字符1010和1012的示例。图像字符1010示出了用可以改变的尺寸的说明所描述的通常形状，在这种情况下，长度X在10到25长度单位值之间改变。图像字符1012以更加限制性的方式示出了相同的通常形状，其中长度X只能是其中一个具体的值，例如，10、15、20或25。参数化图像字符1010表明这些描述考虑到了使用未参数化的图像字符的列举方法不可行的大量可能的图像字符。

图像字符1010的参数化图像字符描述示例可以是如下的：

pglyph upsideDownLShape(x：nanometers，where((x＝10)or((x＞10)and(x＜2))or(x＝25)))；

rect(0，0，5，15)；

rect(0，15，x，20)；

end pglygh；

图像字符1012的参数化图像字符描述示例可以是如下的：

pglyph upsideDownLShape2(x：nanometers，where((x＝10)or(x＝15)or(x＝20)or(x＝25)))；

rect(0，0，5，15)；

rect(0，15，x，20)；

end pglygh；

这些示例描述基于服从于确定哪个参数值符合一定的条件的逻辑测试的参数，所述一定的条件例如“where((x＝10)or((x＞10)and(x＜2＝＝or(x＝25)＝”或“where((x＝10)or(x＝15)or(x＝20)or(x＝25))”。存在很多其他方式来描述参数化图像字符。表示构造方法的另一示例如下：

pglyph upsideDownLShape2(x：nanometers)；

glyphFor(x＝10，x+x+5；x＞25)

{

rect(0，0，5，15)；

rect(0，15，x，20)；

}

end pglyph；

虽然参照具体实施例详细描述了本说明书，但是应当认识到在获得上述内容的理解之后，本领域技术人员可以容易的想到这些实施例的替换、变化以及等价。在不超出特别地在权利要求中陈述的本主题的精神和范围的情况下，本领域的技术人员可以认识到对于用于使用字符投影光刻制造光罩的本系统和方法的这些和其他的修改和变化。此外，本领域的技术人员将会认识到上述描述仅为示例性的，并且不是为了进行限制。因此，意味着本主题覆盖在权利要求及其等价物范围内的这种修改和变化。

Claims

1.一种用于制造表面的方法，所述表面具有大量微小差别图案，所述方法包括如下步骤：

在模板掩模上使用字符组，用于在所述表面上形成图案；和

通过使用字符改变技术，减小发射数或总写入时间。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述字符改变技术包括改变字符剂量。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，来自所述字符组中的多个字符的发射重叠。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述字符改变技术包括改变字符位置。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述字符改变技术包括应用所述字符组中的字符的部分曝光。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述表面是光罩。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述表面上的微小差别图案在衬底上产生大致相同的图案。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，等价标准判定所述衬底上的图案是否大致相同。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述等价标准基于光刻模拟。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述表面是衬底。

11.根据权利要求1所述的方法，还包括使用字符投影光刻的步骤。

12.根据权利要求1所述的方法，还包括如下步骤：

设计将要形成于表面上的多个图案，所述图案具有微小差别；

根据所述多个图案设计要使用的字符组；和

准备具有所述字符组的模板掩模。

13.一种用于制造表面的系统，所述表面具有大量微小差别图案，所述系统包括：

模板掩模，其具有用于在所述表面上形成图案的字符组；和

设备，其用于通过使用字符改变技术来减小发射数或总写入时间。

14.根据权利要求13所述的系统，其中，所述字符改变技术包括改变字符剂量。

15.根据权利要求13所述的系统，其中，来自所述字符组中的多个字符的发射重叠。

16.根据权利要求13所述的系统，其中，所述字符改变技术包括改变字符位置。

17.根据权利要求13所述的系统，其中，所述字符改变技术包括应用所述字符组中的字符的部分曝光。

18.一种用于制造集成电路的方法，所述集成电路具有表面，所述表面具有大量微小差别图案，所述方法包括如下步骤：

在模板掩模上使用字符组，用于在所述表面上形成图案；和

通过使用字符改变技术，减小发射数或总写入时间。

19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述字符改变技术包括改变字符剂量。

20.根据权利要求18所述的方法，其中，来自所述字符组中的多个字符的发射重叠。

21.根据权利要求18所述的方法，其中，所述字符改变技术包括改变字符位置。

22.根据权利要求18所述的方法，其中，所述字符改变技术包括应用所述字符组中的字符的部分曝光。

23.根据权利要求18所述的方法，还包括使用字符投影光刻的步骤。

24.根据权利要求18所述的方法，还包括如下步骤：

根据所述多个图案设计要使用的字符组；和

准备具有所述字符组的模板掩模。

25.一种用于使用光刻工艺制造集成电路的方法，所述光刻工艺使用光罩，所述光罩具有大量微小差异图案，所述方法包括如下步骤：

在模板掩模上使用字符组，用于在所述光罩上形成图案；和

通过使用字符改变技术，减小发射数或总写入时间。

26.根据权利要求25所述的方法，其中，所述字符改变技术包括改变字符剂量。

27.根据权利要求25所述的方法，其中，来自所述字符组中的多个字符的发射重叠。

28.根据权利要求25所述的方法，其中，所述字符改变技术包括改变字符位置。

29.根据权利要求25所述的方法，其中，所述字符改变技术包括应用所述字符组中的字符的部分曝光。

30.根据权利要求25所述的方法，其中，所述光罩上的微小差别图案在衬底上产生大致相同的图案。

31.根据权利要求30所述的方法，其中，等价标准确定所述衬底上的图案是否大致相同。

32.根据权利要求31所述的方法，其中，所述等价标准基于光刻模拟。

33.根据权利要求25所述的方法，还包括使用字符投影光刻的步骤。

34.根据权利要求25所述的方法，还包括如下步骤：

设计将要形成于光罩上的多个图案，所述图案具有微小差别；

根据所述多个图案设计要使用的字符组；和

准备具有所述字符组的模板掩模。

35.一种用于在表面上包括图案组的设计的光学邻近校正的方法，所述表面用于光刻工艺，以将所述图案组转移到衬底，所述方法包括如下步骤：

为所述衬底输入所期望的图案；和

输入可以用于在所述表面上形成图案的字符组，所述字符组中的一些是复杂字符。

36.根据权利要求35所述的方法，还包括如下步骤：计算所述字符组中的字符剂量、或字符位置的变化、或字符的部分曝光。

37.根据权利要求35所述的方法，还包括如下步骤：确定发射数或总写入时间，其中减小了所述发射数或所述总写入时间。

38.根据权利要求35所述的方法，还包括如下步骤：使所述字符组中的多个字符重叠，以在所述表面上形成图案。

39.根据权利要求35所述的方法，其中，所述表面上的图案子组由彼此具有微小差别变化的图案组成。

40.根据权利要求39所述的方法，其中，所述表面上的微小差别图案在所述衬底上产生大致相同的图案。

41.根据权利要求40所述的方法，其中，等价标准确定所述衬底上的图案是否大致相同。

42.根据权利要求41所述的方法，其中，所述等价标准基于光刻模拟。

43.一种用于在表面上包括图案组的设计的光学邻近校正的方法，所述表面用于光刻工艺，以将所述图案组转移到衬底，所述方法包括输入可能的图像字符的步骤，所述图像字符基于预定字符组中的字符，使用对所述字符组中的改变字符剂量、改变字符位置或应用字符的部分曝光的计算，确定所述图像字符。

44.根据权利要求43所述的方法，还包括如下步骤：

从可能的图像字符中选择图像字符；

根据所选择的图像字符，计算所述衬底上的转移图案；和

如果来自计算步骤的误差超过预定阈值，则从可能的图像字符中选择另一图像字符。

45.根据权利要求43所述的方法，其中，所述可能的图像字符时参数化图像字符。

46.一种用于产生图像字符的方法，其包括如下步骤：

获取预定字符组，作为基础图形字符；和

计算所述预定字符组中的字符剂量的变化、字符位置的变化或字符的部分曝光的应用，以产生另外的图像字符。

47.根据权利要求46所述的方法，其中所述图像字符是参数化图像字符。

48.根据权利要求46所述的方法，其中，所述产生的图像字符包括图像字符子组，每个子组中的图像字符包括大量微小差别图案。

49.根据权利要求46所述的方法，还包括如下步骤：根据所述预定字符组中的一个或多个字符，计算多个重叠的发射。

50.一种用于在表面上包括图案组的设计的光学邻近校正的系统，所述表面用于光刻工艺，以将所述图案组转移到衬底，所述系统包括：

所述衬底的所期望的图案；和

字符组，所述字符组中的一些是复杂字符，用于在表面上形成一些图案。

51.根据权利要求50所述的系统，还包括设备，所述设备用于计算所述字符组中的字符剂量、或字符位置的变化、或字符的部分曝光。

52.根据权利要求50所述的系统，还包括设备，所述设备用于确定发射数或总写入时间，其中减小了所述发射数或所述总写入时间。

53.根据权利要求50所述的系统，其中所述字符组中的多个字符重叠。

54.一种用于在表面上包括图案组的设计的光学邻近校正的系统，所述表面用于光刻工艺，以将所述图案组转移到衬底，所述系统包括设备，所述设备用于输入可能的图像字符，所述图像字符基于预定字符组中的字符，使用对所述字符组中的改变字符剂量、改变字符位置或应用字符的部分曝光的计算，确定所述图像字符。

55.根据权利要求54所述的系统，其中，从可能的图像字符中选择图像字符，根据所选择的图像字符计算所述衬底上的转移图案，如果来自计算步骤的误差超过预定阈值，则从可能的图像字符中选择另一图像字符。

56.一种用于产生图像字符的系统，其包括：

设备，其用于获取预定字符组，作为基础图形字符；和

装置，其用于计算所述预定字符组中的字符剂量的变化、字符位置的变化或字符的部分曝光的应用，以产生图像字符。

57.根据权利要求56所述的系统，其中，所产生的图像字符是参数化图像字符。

58.根据权利要求56所述的系统，其中，所产生的图像字符包括图像字符子组，每个子组中的图像字符形成大量微小差别图案。

59.根据权利要求56所述的系统，其中，来自所述预定字符组中的一个或多个字符的多次发射重叠，以产生至少一个图像字符。

60.一种用于打碎或掩模数据准备或邻近效应校正的方法，其包括如下步骤：

输入要在表面上形成的图案，图案子组彼此具有微小差别变化；和

选择字符组，用于形成多个图案，所述字符组中的一些是复杂字符；

其中，通过使用字符改变技术减小发射数或总写入时间。

61.根据权利要求60所述的方法，其中，所述表面上的微小差别图案在衬底上产生大致相同的图案。

62.根据权利要求61所述的方法，其中，等价标准确定所述衬底上的图案是否大致相同。

63.根据权利要求62所述的方法，其中，所述等价标准基于光刻模拟。

64.根据权利要求60所述的方法，其中，所述字符组是预定的。

65.根据权利要求64所述的方法，还包括如下步骤：输入可能的图像字符，所述图像字符基于预定字符组。

66.根据权利要求65所述的方法，其中，所述图像字符时参数化图像字符。

67.根据权利要求65所述的方法，还包括如下步骤：确定使用哪个图像字符来匹配输入的图案中的一个或多个。

68.根据权利要求65所述的方法，还包括如下步骤：根据发射数或写入时间，优化打碎、或掩模数据准备或邻近效应校正。

69.根据权利要求65所述的方法，其中，所述图像字符包括图像字符子组，图像字符的每个子组包括大量微小差别图案。

70.根据权利要求60所述的方法，其中，所述述字符改变技术改变字符剂量。

71.根据权利要求60所述的方法，其中，所述述字符改变技术改变字符位置。

72.根据权利要求60所述的方法，其中，所述述字符改变技术应用所述字符组中的一个字符的部分曝光。

73.根据权利要求60所述的方法，其中，所述述字符改变技术重叠字符。

74.一种用于打碎、或掩模数据准备或邻近效应校正的系统，其包括：

设备，其用于输入要在表面上形成的图案，图案子组彼此具有微小差别变化；和

装置，其用于选择字符组，以用于形成多个图案，所述字符组中的一些是复杂字符；

其中，所述字符组装载模板掩模上，并且其中，通过使用字符改变技术减小发射数或总写入时间。

75.根据权利要求74所述的系统，其中，所述表面上的微小差别图案在衬底上产生大致相同的图案。

76.根据权利要求75所述的系统，其中，等价标准确定所述衬底上的图案是否大致相同。

77.根据权利要求76所述的系统，其中，所述等价标准基于光刻模拟。

78.根据权利要求74所述的系统，还包括用于输入可能的图像字符并确定使用哪个图像字符来匹配输入的图案中的一个或多个的设备。

79.根据权利要求78所述的系统，还包括用于根据发射数或写入时间来优化打碎、或掩模数据准备或邻近效应校正的设备。

80.根据权利要求78所述的系统，其中，所述图像字符包括图像字符子组，图像字符的每个子组包括大量微小差别图案。

81.根据权利要求74所述的方法，其中，所述述字符改变技术改变字符剂量。

82.根据权利要求74所述的方法，其中，所述述字符改变技术改变字符位置。

83.根据权利要求74所述的方法，其中，所述述字符改变技术应用所述字符组中的一个字符的部分曝光。

84.根据权利要求74所述的方法，其中，所述述字符改变技术重叠字符。