CN104040434A - 光刻装置、用于提供设置点数据的装置、设备制造方法、用于提供设置点数据的方法和计算机程序 - Google Patents
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Abstract
一种装置或者方法,用于计算多个辐射束在多个不同时间施加的目标剂量值以便在目标上形成希望的剂量图案,每个目标剂量值定义目标剂量值被施加到的辐射束所形成的光斑曝光的剂量分布,其中在光斑曝光中的每个光斑曝光的剂量分布中的特性点的标称位置落在光斑曝光栅格的点处,并且通过以下操作以光斑曝光栅格的分辨率提供目标剂量值:计算在更低分辨率栅格上的栅格点处的目标剂量值,更低分辨率栅格具有比光斑曝光栅格更低的分辨率,并且对于计算的目标剂量值中的每个目标剂量值,推导在光斑曝光栅格中的多点中的每点处的目标剂量值。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求对提交于2012年1月12日并且通过引用而全文结合于此的美国临时申请61/586,053的权益。
技术领域
本发明涉及一种光刻或者曝光装置、用于提供设置点数据的装置、设备制造方法、用于提供设置点数据的方法和计算机程序。
背景技术
光刻或者曝光装置是向衬底或者衬底的部分上涂敷希望的图案的机器。可以例如在集成电路(IC)、平板显示器和具有细微特征的其它设备或者结构的制造中使用该装置。在常规光刻或者曝光装置中,可以称为掩模或者刻线的图案化设备可以用来生成与IC、平板显示器或者其它设备的个别层对应的电路图案。这一图案可以被转移到衬底(例如硅晶片或者玻璃板)(的部分)上、例如经由成像被转移到在衬底上提供的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。相似而言,曝光装置是在衬底(或者其部分)上或者中形成希望的图案时使用辐射束的机器。
取代电路图案,图案化设备可以用来生成其它图案、例如滤色器图案或者点阵矩阵。取代常规掩模。图案化设备可以包括图案化阵列,该图案化阵列包括生成电路或者其它可涂敷图案的单独可控元件的阵列。这样的“无掩模”系统与常规的基于掩模的系统比较的优点是可以更快和用更少成本提供和/或改变图案。
因此,无掩模系统包括可编程图案化设备(例如空间光调制器、对比度器件等)。可编程图案化设备被(例如电子或者光)编程为使用单独可控元件的阵列来形成希望的图案化的光束。可编程图案化设备的类型包括微镜阵列、液晶显示器(LCD)阵列、光栅光阀阵列、自发射对比度器件阵列、快门元件/矩阵等。可编程图案化设备也可以由例如被配置为移动向衬底上投影的辐射光斑或者从衬底间歇地引开辐射束例如到辐射束吸收器的光电偏转器形成。在任何这样的布置中,辐射束可以连续。
发明内容
可以使用矢量设计包、比如GDSII来定义将在目标、比如衬底上形成的希望的器件图案。来自这样的设计包的输出文件可以称为希望的器件图案的基于矢量的表示。在无掩模系统中,将处理基于矢量的表示以提供用于驱动可编程图案化设备的控制信号。控制信号可以例如包括将向多个自发射对比度器件或者微镜阵列应用的设置点(例如电压或者电流)序列。
用于将基于矢量的表示转换成控制信号的处理可以包括将基于矢量的表示转换成剂量图案的光栅化的表示一个或者多个步骤。处理可以包括衬底和/或在衬底上的先前形成的图案相对于图案化设备的对准变化的一个或者多个校正步骤。处理可以包括将光栅化的表示转换成设置点值序列的一个或者多个步骤。处理可以涉及到复杂计算和/或大数据容量。例如可能有必要执行在光栅化栅格与光斑曝光栅格(定义标称位置,个别辐射束在这些标称位置形成光斑曝光)之间的映射。光斑曝光栅格可以复杂和/或不规则。对于在处理中的实时(例如在衬底被曝光的相同时间)执行的步骤,可能重要的是快速完成计算。
光斑曝光栅格的分辨率将依赖于应用。对于高分辨率应用,光斑曝光栅格的分辨率通常将由待产生的剂量图案的分辨率确定。对于更低分辨率应用,光斑曝光栅格的分辨率将通常由用于在指定的时间段内照射整个衬底的总功率确定。
在低分辨率应用中,光斑曝光栅格的分辨率因此可以显著高于剂量图案的分辨率。提供适合用于与能够产生高分辨率光斑曝光栅格的系统使用的控制信号一般将涉及到比提供适合用于与更低分辨率系统使用的控制信号更多的计算资源,这增加成本和/或限制吞吐量。
有可能重新配置可编程图案化设备,从而可以在低分辨率光斑曝光栅格的情境中提供高功率。然而改变可编程图案化设备的性质减少在低与高分辨率系统之间公共的部件的数目,这是不希望的。
例如希望提供一种允许被标称地配置用于高分辨率光刻的系统被用于更低分辨率应用而减少或者最小化与提供用于可编程图案化设备的控制信号关联的成本的方法和/或装置。
根据一个实施例,提供一种曝光装置,该曝光装置包括:可编程图案化设备,被配置为产生用于向目标施加单独可控剂量的多个辐射束;投影系统,被配置为向在目标上的相应位置上投影辐射束中的每个辐射束;以及控制器,被配置为计算多个辐射束为了在目标上形成希望的剂量图案而将在多个不同时间施加的目标剂量值,每个目标剂量值定义目标剂量值被施加到的辐射束所形成的光斑曝光的剂量分布,其中装置能够产生的光斑曝光中的每个光斑曝光的剂量分布中的特性点的标称位置落在光斑曝光栅格的点;并且控制器被配置为通过以下操作以光斑曝光栅格的分辨率提供目标剂量值:计算在更低分辨率栅格上的栅格点的目标剂量值,更低分辨率栅格具有比光斑曝光栅格更低的分辨率;并且对于计算的目标剂量值中的每个目标剂量值,推导在光斑曝光栅格中的多点中的每点处的目标剂量值。
根据一个实施例,提供一种用于向曝光装置提供设置点数据的装置,该曝光装置具有可编程图案化设备,该可编程图案化设备被配置为产生用于向目标施加单独可控剂量的多个辐射束并且被配置为向在目标上的相应位置上投影辐射束中的每个辐射束,该装置包括:数据处理单元,被配置为:计算多个辐射束为了在目标上形成希望的剂量图案而将在多个不同时间施加的目标剂量值,每个目标剂量值定义目标剂量值被施加到的辐射束所形成的光斑曝光的剂量分布;并且计算用于控制可编程图案化设备以提供施加目标剂量值的光束的设置点数据序列,其中:装置能够产生的光斑曝光中的每个光斑曝光的剂量分布中的特性点的标称位置落在光斑曝光栅格的点;并且数据处理单元被配置为通过以下操作以光斑曝光栅格的分辨率提供目标剂量值:计算在更低分辨率栅格上的栅格点的目标剂量值,更低分辨率栅格具有比光斑曝光栅格更低的分辨率;并且对于计算的目标剂量值中的每个目标剂量值,推导在光斑曝光栅格中的多点中的每点的目标剂量值。
根据一个实施例,提供一种其中将用希望的剂量图案辐射目标的设备制造方法,该方法包括:为将用来辐射目标的多个辐射束中的每个辐射束计算目标剂量值,每个目标剂量值定义目标剂量值被施加到的辐射束所形成的光斑曝光的剂量分布;并且投影具有计算的目标剂量值的辐射束以形成光斑曝光,其中:能够被产生的光斑曝光中的每个光斑曝光的剂量分布中的特性点的标称位置落在光斑曝光栅格的点;并且通过以下操作提供以光斑曝光栅格的分辨率的目标剂量值:计算在更低分辨率栅格上的栅格点的目标剂量值,更低分辨率栅格具有比光斑曝光栅格更低的分辨率;并且对于计算的目标剂量值中的每个目标剂量值,推导在光斑曝光栅格中的多点中的每点的目标剂量值。
根据一个实施例,提供一种提供用于曝光装置的设置点数据的装置,该曝光装置具有可编程图案化设备,所述可编程图案化设备被配置为产生用于向目标施加单独可控剂量的多个辐射束的并且被配置为向在目标上的相应位置上投影辐射束中的每个辐射束,该方法包括:计算多个辐射束为了在目标上形成希望的剂量图案而将在多个不同时间施加的目标剂量值,每个目标剂量值定义目标剂量值被施加到的辐射束所形成的光斑曝光的剂量分布;并且计算用于控制可编程图案化设备以提供施加目标剂量值的光束的设置点数据序列,其中:装置能够产生的光斑曝光中的每个光斑曝光的剂量分布中的特性点的标称位置落在光斑曝光栅格的点;并且通过以下操作提供以光斑曝光栅格的分辨率的目标剂量值:计算在更低分辨率栅格上的栅格点的目标剂量值,更低分辨率栅格具有比光斑曝光栅格更低的分辨率;并且对于计算的目标剂量值中的每个目标剂量值,推导在光斑曝光栅格中的多点中的每点处的目标剂量值。
根据一个实施例,提供一种用于计算用于曝光装置的设置点数据的计算机程序,该曝光装置具有可编程图案化设备,所述可编程图案化设备被配置为产生用于向目标施加单独可控剂量的多个辐射束并且被配置为向在目标上的相应位置上投影辐射束中的每个辐射束,该计算机程序包括指令处理器执行以下操作的代码:计算多个辐射束为了在目标上形成希望的剂量图案而将在多个不同时间施加的目标剂量值,每个目标剂量值定义目标剂量值被施加到的辐射束所形成的光斑曝光的剂量分布;并且计算用于控制可编程图案化设备以提供施加目标剂量值的光束的设置点数据序列,其中:装置能够产生的光斑曝光中的每个光斑曝光的剂量分布中的特性点的标称位置落在光斑曝光栅格的点;并且通过以下操作提供以光斑曝光栅格的分辨率的目标剂量值:计算在更低分辨率栅格上的栅格点的目标剂量值,更低分辨率栅格具有比光斑曝光栅格更低的分辨率;并且对于计算的目标剂量值中的每个目标剂量值,推导在光斑曝光栅格中的多点中的每点处的目标剂量值。
附图说明
现在将参照示意附图仅通过示例描述本发明的实施例,在附图中,对应标号指示对应部分,并且在附图中:
图1描绘根据本发明的一个实施例的光刻或者曝光装置的一部分;
图2描绘本发明的一个实施例的图1的装置的一部分的俯视图;
图3描绘本发明的一个实施例的光刻或者曝光装置的一部分的高度示意的透视图;
图4描绘本发明的一个实施例的根据图3的装置向衬底上的投影的示意俯视图;
图5在横截面中描绘本发明的一个实施例的一部分;
图6描绘用于将希望的器件图案的基于矢量的表示转换成控制信号的数据路径的一部分;
图7描绘光斑曝光栅格的一部分;
图8描绘光栅化栅格的一部分;
图9描绘具有棋盘格状镶嵌(tessellating)超像素区域的更低分辨率栅格的一部分;
图10描绘具有重叠(非棋盘格状镶嵌(non-tessellating))超像素区域的图10的更低分辨率栅格的一部分;
图11图示在经由在超像素区域中布置的光斑曝光形成希望的剂量图案时的序列;并且
图12描绘本地计算单元。
具体实施方式
本发明的一个实施例涉及一种可以包括可编程图案化设备的装置,该可编程图案化设备可以例如由自发射对比度器件的一个或者多个阵列组成。可以在通过完全引用而结合于此的PCT专利申请公开文本第WO2010/032224A2号、美国专利申请公开文本第US2011-0188016号、美国专利申请第61/473636号和美国专利申请第61/524190号中发现关于这样的装置的更多信息。然而本发明的一个实施例可以与例如包括以上讨论的任何形式的可编程图案化设备使用。
图1示意地描绘光刻或者曝光装置的部分的示意横截面侧视图。在这一实施例中,装置如以下进一步讨论的那样具有在X-Y平面中基本上静止的单独可控元件,但是不必是这种情况。装置1包括用于保持衬底的衬底台2和用于以多达6个自由度移动衬底台2的定位设备3。衬底可以是抗蚀剂涂覆的衬底。在一个实施例中,衬底是晶片。在一个实施例中,衬底是多边形(例如矩形)衬底。在一个实施例中,衬底是玻璃板。在一个实施例中,衬底是塑料衬底。在一个实施例中,衬底是箔。在一个实施例中,装置适合用于卷到卷(roll to roll)制造。
装置1还包括被配置为发射多个光束的多个单独可控自发射对比度器件4。在一个实施例中,自发射对比度器件4是发射辐射二极管、比如发光二极管(LED)、有机LED(OLED)、聚合物LED(PLED)或者激光二极管(例如固态激光二极管)。在一个实施例中,单独可控元件4中的每个单独可控元件是蓝色-紫色激光二极管(例如Sanyo型号DL-3146-151)。这样的二极管可以由比如Sanyo、Nichia、Osram和Nitride的公司供应。在一个实施例中,二极管发射例如具有约365nm或者约405nm的波长的UV辐射。在一个实施例中,二极管可以提供从范围0.5-200mW选择的输出功率。在一个实施例中,从范围100-800微米选择激光二极管(裸管芯)大小。在一个实施例中,激光二极管具有从范围0.5-5微米2的选择的发射面积。在一个实施例中,激光二极管具有从范围5-44度选择的发散角度。在一个实施例中,二极管具有用于提供多于或者等于6.4x108W/(m2.sr)的总亮度的配置(例如发射面积、发散角度、输出功率等)。
自发射对比度器件4被布置于框架5上并且可以沿着Y方向和/或X方向延伸。尽管示出一个框架5,但是装置可以具有多个如图2中所示的框架5。在框架5上进一步布置透镜12。框架5并且因此自发射对比度器件4和透镜12在X-Y平面中基本上静止。框架5、自发射对比度器件4和透镜12可以在Z方向上被致动器7移动。备选地或者附加地,透镜12可以在Z方向上被与这一特定透镜有关的致动器移动。可选地,每个透镜12可以具有致动器。
自发射对比度器件4可以被配置为发射光束,并且投影系统12、14和18可以被配置为向衬底的目标部分上投影光束。自发射对比度器件4和投影系统形成光柱。装置1可以包括用于相对于衬底移动光柱或者其部分的致动器(例如马达)11。在其上布置场透镜14和成像透镜18的框架8可以随着致动器可旋转。场透镜14和成像透镜18的组合形成可移动光学器件9。在使用中,框架8例如在图2中的箭头所示方向上绕着它自己的轴10旋转。框架8使用致动器(例如马达)11来绕着轴10旋转。另外,框架8可以在Z方向上被马达7移动,从而可移动光学器件9可以相对于衬底台2被位移。
其中具有孔的孔结构13可以在透镜12与自发射对比度器件4之间位于透镜12上方。孔结构13可以限制透镜12、关联自发射对比度器件4和/或相邻透镜12/自发射对比度器件4的衍射效应。
可以通过旋转框架8并且在光柱下面在衬底台2上同时移动衬底来使用描绘的装置。自发射对比度器件4可以在透镜相互基本上对准时发射光束经过透镜12、14和18。通过移动透镜14和18,在衬底的部分之上扫描光束在衬底上的图像。通过在光柱下面在衬底台2上同时移动衬底,衬底的受自发射对比度器件4的图像影响的部分也移动。通过在控制器的控制之下高速切换自发射对比度器件4“接通”和“关断”(例如在它“关断”时无输出或者具有在阈值以下的输出而在它“接通”时具有在阈值以上的输出)、控制光柱或者其部分的旋转、控制自发射对比度器件4的强度并且控制衬底的速度,希望的图案可以在衬底上的抗蚀剂层中被成像。
图2描绘具有自发射对比度器件4的图1的装置的示意俯视图。如同图1中所示装置1,装置1包括用于保持衬底17的衬底台2、用于以多达6个自由度移动衬底台2的定位设备3、用于确定在自发射对比度器件4与衬底17之间的对准并且确定衬底17是否处在关于自发射对比度器件4的投影的水平的对准/水平传感器19。如描绘的那样,衬底17具有矩形形状,然而也可以或者备选地处理圆形衬底。
自发射对比度器件4被布置于框架15上。自发射对比度器件4可以是发射辐射二极管、例如激光二极管、比如蓝色-紫色激光二极管。如图2中所示,自发射对比度器件4可以被布置成在X-Y平面中延伸的阵列21。
阵列21可以是伸长线。在一个实施例中,阵列21可以是自发射对比度器件4的单维阵列。在一个实施例中,阵列21可以是自发射对比度器件4的二维阵列。
可以提供可在箭头描绘的方向上旋转的旋转框架8。旋转框架可以具有用于提供自发射对比度器件4中的每个自发射对比度器件的图像的透镜14、18(图1中所示)。装置可以具有用于相对于衬底旋转包括框架8和透镜14、18的光柱的致动器。
图3描绘旋转框架8的高度示意的透视图,该旋转框架在它的周界具有透镜14、18。多个光束、在这一示例中为10个光束向透镜之一上入射并且被投影到衬底台2所保持的衬底的17的目标部分上。在一个实施例中,多个光束被布置成直线。可旋转框架借助致动器(未示出)绕着轴10可旋转。作为可旋转框架8的旋转的结果,光束如将参照图4更具体说明的那样将在相继的透镜14、18(场透镜14和成像透镜18)上入射并且将在每个相继的透镜上入射时被该透镜偏转以便沿着衬底17的表面的部分行进。在一个实施例中,每个光束由相应源、即自发射对比度器件、例如激光二极管(在图3中未示出)生成。在图3中描绘的布置中,光束被分段镜30偏转并且带到一起以便减少在光束之间的距离以由此使更大数目的光束被投影通过相同透镜并且实现以下将讨论的分辨率要求。
在可旋转框架旋转时,光束在相继透镜上入射,并且每当透镜被光束辐射时,光束在透镜的表面上入射的地点移动。由于光束根据光束在透镜上的入射地点而在衬底上被不同地投影(例如具有不同偏转),所以光束(在到达衬底时)将随着每次通过后继透镜而进行扫描移动。参照图4进一步说明这一原理。图4描绘可旋转框架8的部分的高度示意的俯视图。第一组光束由B1表示,第二组光束由B2表示,并且第三组光束由B3表示。每组光束被投影通过可旋转框架8的相应透镜组14、18。在可旋转框架8旋转时,光束B1在扫描移动中被投影到衬底17上、由此扫描区域A14。相似地,光束B2扫描区域A24,并且光束B3扫描区域A34。在对应致动器旋转可旋转框架8的同时,衬底17和衬底台在可以如在图2中描绘的那样沿着X轴的方向D上被移动、由此与光束在区域A14、A24、A34中的扫描方向基本上垂直。作为第二致动器在方向D上移动(通过对应衬底台致动器移动衬底台)的结果,光束在被可旋转框架8的相继透镜投影时的相继扫描被投影以便基本上相互邻接,从而产生用于光束B1的每个相继扫描的基本上邻接区域A11、A12、A13、A14(如图4中所示,区域A11、A12、A13先前被扫描并且A14当前被扫描)、用于光束B2的区域A21、A22、A23和A24(如图4中所示,区域A21、A22、A23先前被扫描并且A24当前被扫描)以及用于光束B3的区域A31、A32、A33和A34(如图4中所示,区域A31、A32、A33先前被扫描并且A34当前被扫描)。由此,衬底表面的区域A1、A2和A3可以在旋转可旋转框架8的同时在方向D上被衬底的移动覆盖。经过相同透镜投影多个光束允许(在可旋转框架8的相同旋转速度)以更短时间线处理整个衬底,因为对于每次通过透镜,多个光束随着每个透镜扫描衬底、由此允许对于相继扫描在方向D上增加的位移。换个角度看,对于给定的处理时间,在多个光束经由相同透镜被投影到衬底上时可以减少可旋转框架的旋转速度、由此有可能减少由于高旋转速度所致的影响、比如可旋转框架变形、磨损、振动、湍流等。在一个实施例中,如图4中所示与透镜14、18的旋转的切线成角度布置多个光束。在一个实施例中,光束布置成使得每个光束重叠或者邻接相邻光束的扫描路径。
多个光束一次被相同透镜投影方面的另一效果可以被发现在于放宽容差。由于透镜的容差(定位、光投影等),相继区域A11、A12、A13、A14的(和/或区域A21、A22、A23和A14的和/或区域A31、A32、A33和A34的)位置可能表现相对于彼此的某种程度的定位不准确。因此,可能需要在相继区域A11、A12、A13、A14之间的某种程度的重叠。在一个光束的例如10%为重叠的情况下,处理速度将由此在单个光束一次经过相同透镜的情况下被减少相同倍率10%。在有5个或者更多光束一次经过相同透镜投影的情形中,将为每5个或者更多投影的线提供10%的相同重叠(相似地参照以上一个光束的示例)、因此将总重叠减少大约5倍或者更多地至2%或者更少的倍率、由此对总处理速度具有显著更低的影响。相似地,投影至少10个光束可以将总重叠减少大约10倍。因此,容差对衬底的处理时间的影响可以被多个光束一次被相同透镜投影这样的特征所减少。附加地或者备选地,如果多个光束一次被相同透镜投影,由于其对处理的影响低,则可以允许更多重叠(因此更大容差带)。
代替一次经由相同透镜投影多个光束或者除此之外,还可以使用交错(interlacing)技术,然而这可能需要在透镜之间的相对更严格的匹配。因此,经由透镜中的相同透镜一次投影到衬底上的至少两个光束具有相互间距,并且装置可以被布置为操作第二致动器以便相对于光柱移动衬底以使得光束的后继投影被投影在间距中。
为了减少在组中的相继光束之间在方向D上的距离(由此例如实现在方向D上的更高分辨率),可以相对于方向D相互对角地布置光束。可以通过在光路中提供分段镜30进一步减少间距,每段用于反射光束中的相应光束,段被布置成使得相对于在镜上入射的光束之间的间距减少被镜所反射的光束之间的间距。这样的效果也可以由多个光纤实现,光束中的每个光束入射在光纤中的相应光纤上,光纤被布置以便相对于在光纤上游的光束之间的间距沿着光路减少在光纤下游的光束之间的间距。
另外,可以使用具有多个输入的集成光波导电路来实现这样的效果,每个输入用于接收光束中的相应光束。集成光波导电路被布置以便相对于在集成光波导电路上游的光束之间的间距沿着光路减少在集成光波导电路下游的光束之间的间距。
可以提供一种用于控制向衬底上投影的图像的聚焦的系统。可以提供用于在如以上讨论的布置中调整光柱的部分或者全部所投影的图像的聚焦的布置。
在一个实施例中,投影系统将至少一个辐射束投影到将在其上形成器件的衬底17上方的由材料层形成的衬底上,以便引起激光诱发的材料转移所导致的材料(例如金属)的小滴的局部沉积。
参照图5,描绘激光诱发的材料转移的物理机制。在一个实施例中,辐射束200被以在基本上透明材料202(例如玻璃)的等离子体击穿以下的强度聚焦通过材料202。表面热吸收在由覆盖在材料202上面的施主材料层204(例如金属膜)形成的衬底上出现。热吸收引起施主材料204熔化。另外,加热引起在向前方向上的诱发的压力梯度从而产生施主材料小滴206从施主材料层204并且因此从施主结构(例如板)208的向前加速。因此,施主材料小滴206从施主材料层204被释放并且朝着将在其上形成器件的衬底17移动(借助或者未借助重力)并且被移动到衬底17上。通过将光束200指向在施主板208上的适当位置,施主材料图案可以在衬底17上被沉积。在一个实施例中,光束在施主材料层204上被聚焦。
在一个实施例中,一个或者多个短脉冲用来引起施主材料的转移。在一个实施例中,脉冲可以是长到获得熔化的材料的准一维向前热量和质量转移的数皮秒或者飞秒。这样的短脉冲有助于在材料层204中的很少到无横向热流、因此有助于在施主结构208上的很少或者无热负荷。短脉冲实现材料的迅速熔化和向前加速(例如蒸发的材料、比如金属将失去它的向前方向性从而造成飞溅沉积)。短脉冲实现加热材料至仅在加热温度以上、但是在蒸发温度以下。例如对于铝,约900至1000摄氏度的温度是希望的。
在一个实施例中,通过使用激光脉冲,以100-1000nm小滴的形式从施主结构208向衬底17转移某一数量的材料(例如金属)。在一个实施例中,施主材料包括或者实质上由金属构成。在一个实施例中,金属是铝。在一个实施例中,金属层204是以膜的形式。在一个实施例中,膜被附着到另一本体或者层。如以上讨论的那样,本体或者层可以是玻璃。
可以提供构成数据处理系统100(也可以称为“数据路径”)的硬件和/或软件以将在衬底上形成的希望的器件图案的基于矢量的表示转换为适合于以以下方式驱动可编程图案化设备的控制信号,该方式使得适合于形成希望的器件图案的辐射剂量图案被涂敷到目标(例如衬底)。图6是示出根据一个实施例的被包括在这样的数据路径中的示例处理级的示意图示。在一个实施例中,级中的每级直接连接到它的邻近级。然而无需是这种情况。在一个实施例中,在所示级中的任何级之间提供一个或者多个附加处理级。附加地或者备选地,级中的一级或者多级中的每级包括多级。在一个实施例中,使用单个物理处理单元(例如可以执行计算操作的计算机或者硬件)或者不同处理单元来实施级。
在图6中所示示例中,在存储级102中提供希望的器件图案的基于矢量的表示。在一个实施例中,使用矢量设计包、比如GDSII来构造基于矢量的表示。从存储级102直接或者经由中间级向光栅化级104转发基于矢量的表示。中间级的示例包括矢量预处理级和/或低通滤波器级。在一个实施例中,低通滤波器级例如执行防混叠处理。
光栅化级104将希望的器件图案的基于矢量的表示(或者基于矢量的表示的处理的版本)转换成与希望的器件图案对应的希望的剂量图案的光栅化的表示(例如适合用于例如通过衬底的曝光后处理来形成希望的器件图案)。在一个实施例中,光栅化的表示包括位图数据。位图数据可以称为“像素映射”数据。在一个实施例中,像素映射数据包括一组值,这些值指示在点栅格上的每点的希望的剂量(例如每单位面积的剂量)。点栅格可以称为光栅化栅格。
在一个实施例中,向控制信号生成级106供应(如直接或者在进一步处理之后从光栅化级104输出的)光栅化的表示。实施控制信号生成级106为单级(如图所示)或者多个分离级。
在一个实施例中,控制信号生成级106执行在光栅化栅格与定义如下“位置”的栅格(可以称为“光斑曝光栅格”)之间的映射操作,图案化设备可以在这些“位置”可以以目标(例如衬底)级别形成光斑曝光。每个光斑曝光包括剂量分布。剂量分布指定光斑向目标施加的每单位面积的能量(例如每单位面积的剂量)如何根据在光斑内的位置变化。剂量分布可以称为“点扩散函数(point spreadfuntion)”。在一个实施例中,通过参照在剂量分布中的特性点来定义光斑曝光的位置。在一个实施例中,特性点是每单位面积的最大剂量的位置。在一个实施例中,每单位面积的最大剂量的位置在光斑的中心区域中。在一个实施例中,每单位面积的最大剂量的位置未在光斑的中心区域中。在一个实施例中,剂量分布为圆形对称。在这样的实施例中,光斑可以称为圆斑。在这样的实施例中,每单位面积的最大剂量的位置可以位于圆心。在一个实施例中,剂量分布不是圆形。在一个实施例中,在剂量分布中的特性点是剂量分布的“质心”(通过直接类比具有可变密度的平坦物体的质心进行定义,其中例如光斑曝光的每单位面积的剂量是平坦物体的每单位面积的质量的等效值)。剂量分布的“质心”因此代表剂量的平均位置。在一个实施例中,在光斑曝光栅格中的每个栅格点代表图案化设备(和/或投影系统)可以向目标施加的光斑曝光中的不同光斑曝光的位置(例如特性点的位置)。
在一个实施例中,装置被配置为产生由离散“光斑”(例如圆斑)构成的光斑曝光。在这样的实施例的示例中,给定的辐射束在目标级别的强度在该辐射束对不同光斑的曝光之间的时间达到零。在一个实施例中,装置被配置为在连续线中产生光斑曝光。连续线可以视为光斑曝光序列,在该光斑曝光序列中,给定的辐射束在衬底级别的强度在该辐射束对在序列中的不同光斑的曝光之间未达到零。以上参照图4描述这一类型的一个示例实施例。
在一个实施例中,每个光斑曝光例如对应于在基本上恒定功率驱动的单个自发射对比度器件的单个时段期间从该对比度器件始发的在目标上的辐射剂量区域。在一个实施例中,每个光斑曝光对应于从单个镜或者在微镜阵列中的一组镜始发的在衬底上的辐射剂量区域。在一个实施例中,映射操作包括在光栅化栅格与光斑曝光栅格之间的插值。在一个实施例中,映射操作被配置为从度量数据存储级108接收度量数据。在一个实施例中,度量数据指定装配的衬底的和/或在装配的衬底上的先前形成的器件图案的相对于图案化设备的位置和/或定向。在一个实施例中,度量数据也指定装配的衬底或者先前形成的器件图案的测量的失真。在一个实施例中,失真包括以下各项中的一项或者多项:移位、旋转、偏斜和/或放大。度量数据因此提供关于应当如何执行在光栅化栅格与光斑曝光栅格之间的插值/映射的信息以便保证希望的剂量图案在目标上的恰当定位。
在一个实施例中,控制信号生成级106计算一组目标剂量值,这些目标剂量值代表光斑曝光中的每个光斑曝光将施加的总剂量(或者能量)。在一个实施例中,目标剂量值被转换成用于驱动可编程图案化设备的设置点值。
在一个实施例中,可编程图案化设备被配置为例如通过多个自发射对比度器件产生具有单独可控强度的多个辐射束,每个自发射对比度器件具有依赖于输入信号的大小的输出强度。在这样的实施例的示例中,控制信号生成级106计算一组目标强度值,这些目标强度值代表适合用于实现该组目标剂量值的强度。在光斑曝光的总剂量仅依赖于形成光斑曝光的辐射束的强度的情况下,可以可互换地使用术语“目标剂量值”和“目标强度值”。在一个实施例中,通过向辐射源、比如自发射对比度器件施加驱动信号(例如电压或者电流)持续某个时间来产生每个光斑曝光。在一个实施例中,设置点值定义将施加的信号电平。在一个实施例中,信号电平确定辐射源、比如自发射对比度器件的功率输出。在其中图案化设备包括微镜阵列的一个实施例中,设置点值定义微镜阵列中的镜的致动状态。在其中微镜阵列是灰度数字微镜器件(DMD)的一个实施例中,设置点值定义镜将施加的灰度级别。在一个实施例中,通过控制个别镜在至少两个不同倾斜位置之间的高速切换过程来定义灰度级别。在其中微镜阵列包括各自选择性地可致动成多个不同倾斜角度之一的镜的一个实施例中,设置点值定义将向镜施加的倾斜角度。
在一个实施例中,可编程图案化设备被配置为产生具有单独可控曝光时间的多个辐射束。每个曝光时间对应于与给定的光斑曝光对应的辐射被施加的时间段。在这样的实施例的示例中,控制信号生成级106计算适合于实现目标剂量值的一组目标曝光时间。在光斑曝光的总剂量仅依赖于曝光时间的情况下,可以可互换地使用术语“目标剂量值”和“目标曝光时间值”。在一个实施例中,使用定位于一个或者多个辐射源(例如一个或者多个自发射对比度器件)与目标之间的快门元件或者快门元件矩阵来控制曝光时间。在这样的实施例的示例中,辐射源可以被配置为在不同光斑的曝光之间保持“接通”。曝光时间由快门元件或者快门元件矩阵的相关部分“打开”的时间长度确定。备选地或者附加地,通过控制辐射源(例如自发射对比度元件)的驱动持续时间来控制曝光时间。
在一个实施例中,可编程图案化设备被配置为产生具有单独可控强度和单独可控曝光时间的多个辐射束。在这样的实施例的示例中,控制信号生成级106计算适合于实现目标剂量值的目标强度值和目标曝光时间的组合。
在一个实施例中,该组目标剂量值(强度和/或曝光时间值)的计算考虑光投影系统的性质、因此可以称为“逆光学”计算。在一个实施例中,该计算考虑个别光斑的大小和/或形状。在一个实施例中,个别光斑的大小和/或形状至少部分由光投影系统的性质规定。在一个实施例中,对于用于光斑的给定的一组可能施加的强度或者曝光时间中的每个强度或者曝光时间定义大小和/或形状。光斑大小和/或形状如以上描述的那样由光斑的剂量分布或者点扩散函数定义。在一个实施例中,该计算也考虑光斑的位置从理想(即无工程误差和/或无制造误差)光斑曝光栅格几何形状定义的标称位置的偏离。
在一个实施例中,光斑在目标级别相互重叠(即一个或者多个光斑的剂量分布延伸以便与一个或者多个其它光斑的剂量分布重叠),从而在光斑曝光栅格中的参考位置实现的每单位面积的最终剂量依赖于与多个邻近光斑关联的施加的剂量。这一效果可以在数学上通过卷积(或者去卷积)来描述(操纵/建模)。在一个实施例中,控制信号生成级106执行反向过程以确定将对于给定的希望的剂量图案在每个位置施加的光斑曝光剂量(例如通过为形成多个光斑曝光的多个辐射束中的每个辐射束确定目标强度和/或曝光时间值)。因此,在这样的实施例中,控制信号生成级106执行去卷积(或者卷积)操作。以下将这一操作称为(去)卷积操作以反映可以等效地描述它为卷积操作和为去卷积操作这样的事实。在一个实施例中,(去)卷积操作由(去)卷积内核定义。在一个实施例中,(去)卷积内核由(去)卷积矩阵代表。在一个实施例中,解释这样的(去)卷积矩阵的系数为权值,这些权值定义将在计算用于在光斑曝光栅格中的对应点形成光斑曝光的光斑曝光剂量值(例如强度和/或曝光时间值)时对在希望的剂量图案中的参考点的区域中的点的每单位面积的剂量进行考虑的程度。
图7和8高度地示意地图示在这样的(去)卷积操作中的步骤。
图7图示高度示意的示例光斑曝光栅格120的部分。在栅格120中的每点124代表图案化设备控制的多个光束之一将形成的光斑在衬底上的标称位置(例如特性点在光斑的剂量分布中的位置)。(去)卷积操作以确定形成光斑曝光的辐射束在点125中的每点的光斑曝光剂量值(强度和/或曝光时间)为目标。光斑曝光栅格120将具有与图案化设备能够在目标上形成的光斑曝光图案对应的几何形状。在一个实施例中,光斑曝光栅格的几何形状不规则。在不规则栅格中,在本申请的含义内,栅格点的密度根据位置变化,从而不可能通过棋盘格状镶嵌仅包含单个栅格点的单个单位单元来完整地构造栅格。图7以高度地示意方式图示不规则栅格的几何形状。描绘的栅格120的几何形状未必类似于可能明显更复杂的与商用设备关联的光斑曝光栅格。
图8图示光栅化栅格132的示例部分。实心栅格点127示意地代表栅格点,这些栅格点可能参与(去)卷积操作以确定用于在图7的栅格中的位置123(随机选择)的光斑曝光的目标剂量值。应用(去)卷积操作以推导用于在实心栅格点123的光斑曝光的剂量值将涉及希望的剂量图案在光栅化栅格的区域中的、与参考栅格点123的位置对应的光栅化栅格中的多个栅格点的采样(“剂量值”)的加权的贡献。在一个实施例中,表达为矩阵的(去)卷积内核将定义涉及到哪些栅格点126(按照非零系数在矩阵中的位置)和栅格点被涉及到的程度(按照非零系数在矩阵中的值)。
在一个实施例中,(去)卷积操作的性质对于在光斑曝光栅格中的不同点(或者甚至在不同点之间)不同。在一个实施例中,这样的变化例如考虑图案化设备的光性能的变化。在一个实施例中,使用校准测量来获得光性能变化。在一个实施例中,存储和根据需要访问可选地从校准测量中获得的(去)卷积内核库。
在一个实施例中,控制信号生成级106将用于辐射束的目标剂量值序列转换成设置点值以便生成控制信号。在一个实施例中,设置点值考虑图案化设备的性质。例如在图案化设备包括多个自发射对比度器件时,设置点在这样的实施例中考虑在自发射对比度器件的响应的非线性(例如输出功率随着施加的设置点/电压/电流而变化的非线性)。在一个实施例中,设置点值例如通过校准测量来考虑标称相同对比度器件的性质中的一个或者多个性质的变化。在其中图案化设备包括微镜阵列的一个实施例中,设置点值考虑镜的响应(例如在用于给定的镜或者一组镜的施加的设置点与关联辐射束的强度之间的关系)。
控制信号输出级110从控制信号生成级接收控制信号并且向图案化设备供应信号。控制信号生成级106和控制信号输出级110可以称为“控制器”,该控制器用于控制装置的可编程图案化设备以发射光束,这些光束施加为了在目标上产生希望的剂量图案而必需的目标剂量值。
如以上在介绍性的发明内容中提到的那样,在低分辨率应用中,光斑曝光栅格的分辨率可以显著高于为了在目标上定义希望的剂量图案而需要的分辨率。在本文中,可以通过计算更少独立目标剂量值来减少计算要求。
在一个实施例中,通过在两级中在光斑曝光栅格的分辨率提供目标剂量值来减少计算要求。在第一级中,在具有比光斑曝光栅格更低的分辨率的栅格上的栅格点计算目标剂量值。在第二级中,相对于更低分辨率栅格定义的目标剂量值中的每个目标剂量值用来推导多个目标剂量值。以这一方式获得充分目标剂量值以在光斑曝光栅格的分辨率提供目标剂量值(即针对在光斑曝光栅格中的每个位置的一个目标剂量值)。在一个实施例中,获得的目标剂量值的数目大于在光斑曝光栅格中的栅格点的数目。在这样的实施例中,组合(例如求和)获得的目标剂量值的子集以在光斑曝光栅格上的每个位置产生单个“最终”目标剂量值。
在一个实施例中,在更低分辨率栅格中的栅格点中的每个栅格点落在多个超像素区域中的不同超像素区域内。在一个实施例中,每个超像素区域具有相同形状。
图9和10示意地描绘包括栅格点300和超像素区域302的示例更低分辨率栅格的部分。在所示示例中,更低分辨率栅格就矩形单位单元而言规则。在一个实施例中,更低分辨率栅格规则、但是并非矩形。在一个实施例中,更低分辨率栅格不规则。
在一个实施例中,超像素区域302为棋盘格状镶嵌(tesselate)。超像素区域302一起相配而无任何间隙并且无任何重叠。图9示出这样的实施例的示例。在图9的实施例中,棋盘格状镶嵌的超像素区域302是正方形,但是可以使用其它棋盘格状镶嵌形状。
在一个实施例中,配置超像素区域302,从而在邻近超像素区域之间有重叠。图10示出这样的实施例的示例。标注的示例超像素区域302之一的四边被标注为304。紧接邻近超像素区域302的四边被标注为305以图示重叠。
在一个实施例中,每个超像素区域302包含光斑曝光栅格的多个栅格点。从为更低分辨率栅格的落在超像素区域302内的栅格点300计算的单个目标剂量值推导用于在该超像素区域302内的所有栅格点的目标剂量值。在一个实施例中,从单个计算的目标剂量值推导的目标剂量值对于在超像素区域302中的所有光斑曝光栅格点相同。在一个实施例中,从单个计算的目标剂量值推导的目标剂量值对于在超像素区域302中的光斑曝光栅格点中的至少两个光斑曝光栅格点不同。在一个实施例中,推导的目标剂量值朝着超像素区域302的中心区域更高并且朝着超像素区域302的横向外围区域逐渐衰减。在一个实施例中,衰减可以近似于高斯函数。
在一个实施例中,可以使用内核来实施从在更低分辨率栅格上的计算的目标剂量值推导用于光斑曝光栅格点的目标剂量值。在一个实施例中,实施内核为矩阵。在一个实施例中,矩阵的元素定义落在内核被应用于的超像素区域302内的多个光斑曝光栅格点中的每个光斑曝光栅格点处将要施加的相对加权。
例如可以使用以下矩阵内核,其中超像素区域302各自包含光斑曝光栅格点的3x3阵列(如在以下讨论的图11的示例中那样):
这样的矩阵内核将在中心光斑曝光栅格点施加为超像素区域计算的目标剂量值的4/16、在四个拐角位置施加为超像素区域计算的目标剂量值的1/16等。矩阵内核的元素有效地定义与超像素区域中的每个超像素区域关联的剂量分布。布置元素在矩阵的中间更大而在拐角更小以提供圆化分布。元素可以被定制为满足具体成像性能要求。
在一个实施例中,在光斑曝光栅格中的邻近栅格点未被依次曝光。在图11中示出这样的配置的简化示意图示。例如目标(例如衬底)相对于支撑可编程图案化设备的“刷”310被移动。在一个实施例中,目标在刷310被保持基本上静止之时被移动。在一个实施例中,目标在刷310被移动之时被保持基本上静止。在一个实施例中,目标和刷310二者被移动。在这一类型的一个示例实施例中,刷310被旋转框架(例如参见图2的布置)移动而目标在框架下面被线性移动。相对移动允许刷向目标表面的延伸的区域施加光斑曝光。刷的倾斜角度使在光斑曝光栅格点之间的间距能够在任何给定时间小于在从刷始发的个别辐射束之间的间距。箭头314图示在这一实施例中的移动方向。例如如以上参照图4描述的其它几何形状是可能的。在所示布置中,影线栅格点306描绘已经曝光的光斑曝光栅格点,干净栅格点308描绘尚未曝光的光斑曝光栅格点,并且影线粗体栅格点312描绘当前曝光的光斑曝光栅格点。影线粗体栅格点312的位置对应于多个辐射束在给定的时间点在目标上入射的位置。光斑曝光栅格在这一示例中被划分成棋盘格状镶嵌超像素区域302。每个超像素区域302包括在3x3阵列中的九个光斑曝光栅格点。
仅用于参考目的,影线粗体栅格点312中的四个影线粗体栅格点被标注为321、322、323和324。在一个实施例中,这些影线粗体栅格点312中的每个影线粗体栅格点对应于来自刷/可编程图案化设备310的个别辐射束的位置。在超像素区域之一内曝光光斑曝光时,提供与影线粗体栅格点324对应的辐射束的器件(例如自发射对比度器件)将先曝光在刷310的三个依次位置的顶部三个栅格点。随后,中间三个栅格点将在刷310的后续三个依次位置被提供与影线粗体栅格点323对应的辐射束的器件曝光。最后,最低三个栅格点将在刷310的后续三个依次位置被提供与影线粗体栅格点322对应的辐射束的器件曝光。在刷310的这些九个依次位置期间,在影线粗体栅格点322、323和324提供辐射束的器件也将曝光在左侧两个超像素区域和右侧两个超像素区域中的光斑曝光栅格点。可以通过避免或者减少反复发送和/或处理涉及相同超像素区域的目标剂量数据(例如通过分离地发送和/或处理将在相同超像素区域中的不同光斑曝光栅格位置施加的目标剂量数据)来提高处理效率。
在图12中图示用于实现这一功能的示例配置。这里,本地计算单元334被配置为接收包含目标剂量值、目标强度值、目标曝光时间值和/或设置点值的输入数据流336并且在可编程图案化设备所需要的定时提供包含目标剂量值、目标强度值、目标曝光时间值和/或设置点值的输出数据流338。本地计算单元334包括本地存储器330和用于控制对本地存储器330的访问的本地控制器332。
本地存储器330和本地控制器332配合以使为在超像素区域中的一个光斑曝光栅格点推导的所接收的目标剂量值、目标强度值、目标曝光时间值和/或设置点值能够被暂时存储并且在需要时被重用来输出在超像素区域中的在以后时间曝光的其它曝光光斑栅格点的目标剂量值、目标强度值、目标曝光时间值和/或设置点值。以这一方式,可以减少用于供应输入数据流336的带宽和/或处理要求。在以上参照图11描述的示例中,例如为在超像素区域之一中的左上光斑曝光栅格点推导的目标剂量值、目标强度值、目标曝光时间值和/或设置点值可以被存储并且在需要时被重用来推导用于在相同行中的下两个曝光光斑栅格点的目标剂量值、目标强度值、目标曝光时间值和/或设置点值。随后,相同数据可以被重用于在相同超像素区域中的下两行。在一个实施例中,用于给定的超像素区域的数据在该超像素区域已经被完整曝光时被删除。
在一个实施例中,本地存储器330备选地或者附加地存储可选地以内核形式的信息,该信息定义用于一个超像素区域(即在更低分辨率栅格上的一个位置)的计算的目标剂量值如何可以用来推导在超像素区域内的所有光斑曝光栅格位置的目标剂量值。
在图6中所示示例中,级102和104在数据路径的离线部分112中操作,并且级106-110在数据路径的在线(即实时)部分114中操作。然而在一个实施例中,在线执行与级104关联的功能的全部或者部分。备选地或者附加地,离线执行级106和/或108的功能的全部或者部分。
根据设备制造方法,可以从已经在其上提供图案的衬底制造设备、比如显示器、集成电路或者任何其它项目。
虽然可以在本文中具体参照在IC的制造中光刻或者曝光装置的使用,但是应当理解这里描述的装置可以具有其它应用、比如制造集成光学系统、用于磁域存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。本领域技术人员将理解在这样的备选应用的情境中,这里对术语“晶片”或者“管芯”的任何使用可以视为分别与更一般术语“衬底”或者“目标部分”同义。可以在曝光之前或者之后例如在轨道(通常向衬底涂敷抗蚀剂层的工具)、度量工具和/或检查工具中处理这里引用的衬底。在适用时,这里的公开内容可以应用于这样的和其它衬底处理工具。另外,可以多于一次处理衬底例如以便创建多层IC,从而这里所用术语衬底也可以指代已经包含多个处理的层的衬底。
尽管以上已经描述本发明的具体实施例,但是将理解可以用除了如描述的方式之外的方式实现本发明。例如本发明的实施例可以采用计算机程序(该计算机程序包含描述如以上公开的方法的一个或者多个机器可读指令序列)或者具有在其中存储这样的计算机程序数据存储介质(例如半导体存储器、磁盘或光盘)的形式。另外,可以在两个或者更多计算机程序中体现机器可读指令。可以在一个或者多个不同存储器和/或数据存储介质上存储两个或者更多计算机程序。
术语“透镜”在上下文允许时可以是指各种类型的光学部件、包括折射、衍射、反射、磁、电磁和静电光学部件或者其组合中的任何类型的光学部件。
以上描述旨在于举例说明而不是限制。因此,本领域技术人员将清楚可以对如描述的本发明进行修改而未脱离所附权利要求的范围。
Claims (30)
1.一种曝光装置,包括:
可编程图案化设备,被配置为产生用于向目标施加单独可控剂量的多个辐射束;
投影系统,被配置为向在所述目标上的相应位置上投影所述辐射束中的每个辐射束;以及
控制器,被配置为计算所述多个辐射束在多个不同时间要施加的目标剂量值以便在所述目标上形成希望的剂量图案,每个目标剂量值定义所述目标剂量值被施加到的所述辐射束所形成的光斑曝光的剂量分布,其中:
所述装置能够产生的所述光斑曝光中的每个光斑曝光的剂量分布中的特性点的标称位置落在光斑曝光栅格的点处;并且
所述控制器被配置为通过以下操作以所述光斑曝光栅格的分辨率提供目标剂量值:
计算在更低分辨率栅格上的栅格点处的目标剂量值,所述更低分辨率栅格具有比所述光斑曝光栅格更低的分辨率;并且
对于所述计算的目标剂量值中的每个目标剂量值,推导在所述光斑曝光栅格中的多点中的每点处的目标剂量值。
2.根据权利要求1所述的装置,其中所述可编程图案化设备被配置为产生具有单独可控强度的多个辐射束,所述控制器被配置为计算目标强度值作为所述目标剂量值。
3.根据权利要求1所述的装置,其中所述可编程图案化设备被配置为产生具有单独可控曝光时间的多个辐射束,所述控制器被配置为计算目标曝光时间值作为所述目标剂量值。
4.根据权利要求1所述的装置,其中所述可编程图案化设备被配置为产生具有单独可控强度和单独可控曝光时间的多个辐射束,所述控制器被配置为计算目标曝光时间和目标强度值的组合作为所述目标剂量值。
5.根据权利要求3或者权利要求4所述的装置,其中所述可编程图案化设备被配置为通过以下操作中的一个或者多个操作来个别控制曝光时间:控制定位于辐射源与所述目标之间的快门元件或者快门元件矩阵中的元件的部分的打开和关闭或者控制辐射源的驱动持续时间。
6.根据前述权利要求中的任一权利要求所述的装置,其中在所述更低分辨率栅格中的所述点中的每点落在多个超像素区域中的不同超像素区域内。
7.根据权利要求6所述的装置,其中所述多个超像素区域为棋盘格状镶嵌。
8.根据权利要求6或者权利要求7所述的装置,其中所述多个超像素区域包括与至少一个其它超像素区域重叠的一个或者多个超像素区域。
9.根据权利要求6-8中的任一权利要求所述的装置,其中所述控制器被配置为在所述光斑曝光栅格中的落在相同超像素区域内的每个栅格点处施加相同目标剂量值。
10.根据权利要求6-8中的任一权利要求所述的装置,其中所述控制器被配置为在所述光斑曝光栅格中的落在相同超像素区域内的所述栅格点中的两个或者更多栅格点处施加不同目标剂量值。
11.根据权利要求10所述的装置,其中所述不同目标剂量值定义用于所述超像素区域中的朝着所述超像素区域的横向外围区域衰减的至少一个超像素区域的剂量分布。
12.根据权利要求11所述的装置,其中所述衰减至少在一个方向上近似于高斯函数。
13.根据权利要求6-12中的任一权利要求所述的装置,其中在两个或者更多超像素区域重叠的所述光斑曝光栅格中的栅格点处施加的最终目标剂量值是从重叠的超像素区域在该栅格点处定义的所述目标剂量值之和推导的。
14.根据前述权利要求中的任一权利要求所述的装置,其中所述控制器被配置为向在所述更低分辨率栅格上计算的所述目标剂量值中的每个目标剂量值应用内核,所述内核定义所述目标剂量值应当如何用来推导在所述光斑曝光栅格中的所述多点处的目标剂量值。
15.根据权利要求14所述的装置,其中所述内核向在所述光斑曝光栅格中的所述多点施加加权。
16.根据权利要求15所述的装置,其中所述加权定义近似于高斯函数的剂量分布。
17.根据前述权利要求中的任一权利要求所述的装置,还包括本地计算单元,所述本地计算单元包括本地存储器和用于控制对所述本地存储器的访问的本地控制器,其中所述本地存储器和本地控制器被配置使得为一个光斑曝光栅格点推导的目标剂量值被暂时存储于所述本地存储器中并且被重用以推导用于至少一个其它光斑曝光栅格点的所述目标剂量值。
18.根据前述权利要求中的任一权利要求所述的装置,其中所述光斑曝光的子集在序列中被形成,在所述序列中,形成每个序列的所述辐射束的强度在所述目标的级别在所述序列中在不同时间形成的光斑曝光之间未达到零。
19.根据前述权利要求中的任一权利要求所述的装置,其中所述目标是在衬底上的目标部分。
20.根据前述权利要求中的任一权利要求所述的装置,其中所述目标是从将在其上形成器件的衬底间隔开的施主材料层。
21.根据前述权利要求中的任一权利要求所述的装置,其中所述可编程图案化设备包括被配置为提供所述多个辐射束的辐射源。
22.根据权利要求21所述的装置,其中所述可编程图案化设备包括用于选择性地提供所述辐射束的可控元件。
23.根据权利要求21或者权利要求22所述的装置,其中所述可编程图案化设备包括多个自发射对比度器件。
24.根据前述权利要求中的任一权利要求所述的装置,其中所述投影系统包括静止部分和活动部分。
25.根据权利要求24所述的装置,其中所述活动部分被配置为相对于所述静止部分旋转。
26.根据前述权利要求中的任一权利要求所述的装置,其中所述可编程图案化设备包括微镜阵列。
27.一种用于向曝光装置提供设置点数据的装置,所述曝光装置具有可编程图案化设备,所述可编程图案化设备被配置为产生用于向目标施加单独可控剂量的多个辐射束并且被配置为向在所述目标上的相应位置上投影所述辐射束中的每个辐射束,所述装置包括:
数据处理单元,被配置为:
计算所述多个辐射束在多个不同时间要施加的目标剂量值以便在所述目标上形成希望的剂量图案,每个目标剂量值定义所述目标剂量值被施加到的所述辐射束所形成的光斑曝光的剂量分布;并且
计算设置点数据序列以控制所述可编程图案化设备来提供施加所述目标剂量值的光束,其中:
所述装置能够产生的所述光斑曝光中的每个光斑曝光的剂量分布中的特性点的标称位置落在光斑曝光栅格的点处;并且
所述数据处理单元被配置为通过以下操作以所述光斑曝光栅格的分辨率提供目标剂量值:
计算在更低分辨率栅格上的栅格点处的目标剂量值,所述更低分辨率栅格具有比所述光斑曝光栅格更低的分辨率;并且
对于所述计算的目标剂量值中的每个目标剂量值,推导在所述光斑曝光栅格中的多点中的每点的目标剂量值。
28.一种其中将用希望的剂量图案辐射目标的设备制造方法,所述方法包括:
为将用来辐射所述目标的多个辐射束中的每个辐射束计算目标剂量值,每个目标剂量值定义所述目标剂量值被施加到的所述辐射束所形成的光斑曝光的剂量分布;并且
投影具有所述计算的目标剂量值的所述辐射束以形成所述光斑曝光,其中:
在能够被产生的所述光斑曝光中的每个光斑曝光的剂量分布中的特性点的标称位置落在光斑曝光栅格的点处;并且
通过以下操作以所述光斑曝光栅格的分辨率提供目标剂量值:
计算在更低分辨率栅格上的栅格点处的目标剂量值,所述更低分辨率栅格具有比所述光斑曝光栅格更低的分辨率;并且
对于所述计算的目标剂量值中的每个目标剂量值,推导在所述光斑曝光栅格中的多点中的每点处的目标剂量值。
29.一种提供用于曝光装置的设置点数据的方法,所述曝光装置具有可编程图案化设备,所述可编程图案化设备被配置为产生用于向目标施加单独可控剂量的多个辐射束并且被配置为向在所述目标上的相应位置上投影所述辐射束中的每个辐射束,所述方法包括:
计算所述多个辐射束在多个不同时间施加的目标剂量值以便在所述目标上形成希望的剂量图案,每个目标剂量值定义所述目标剂量值被施加到的所述辐射束所形成的光斑曝光的剂量分布;并且
计算设置点数据序列用于控制所述可编程图案化设备以提供施加所述目标剂量值的光束,其中:
所述装置能够产生的所述光斑曝光中的每个光斑曝光的剂量分布中的特性点的标称位置落在光斑曝光栅格的点处;并且
通过以下操作以所述光斑曝光栅格的分辨率提供目标剂量值:
计算在更低分辨率栅格上的栅格点处的目标剂量值,所述更低分辨率栅格具有比所述光斑曝光栅格更低的分辨率;并且
对于所述计算的目标剂量值中的每个目标剂量值,推导在所述光斑曝光栅格中的多点中的每点处的目标剂量值。
30.一种用于计算用于曝光装置的设置点数据的计算机程序,所述曝光装置具有可编程图案化设备,所述可编程图案化设备被配置为产生用于向目标施加单独可控剂量的多个辐射束并且被配置为向在所述目标上的相应位置上投影所述辐射束中的每个辐射束,所述计算机程序包括发指令给处理器以执行以下操作的代码:
计算所述多个辐射束在多个不同时间施加的目标剂量值以便在所述目标上形成希望的剂量图案,每个目标剂量值定义所述目标剂量值被施加到的所述辐射束所形成的光斑曝光的剂量分布;并且
计算设置点数据序列用于控制所述可编程图案化设备以提供施加所述目标剂量值的光束,其中:
所述装置能够产生的所述光斑曝光中的每个光斑曝光的剂量分布中的特性点的标称位置落在光斑曝光栅格的点处;并且
通过以下操作以所述光斑曝光栅格的分辨率提供目标剂量值:
计算在更低分辨率栅格上的栅格点处的目标剂量值,所述更低分辨率栅格具有比所述光斑曝光栅格更低的分辨率;并且
对于所述计算的目标剂量值中的每个目标剂量值,推导在所述光斑曝光栅格中的多点中的每点处的目标剂量值。
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