WO2006080285A1

WO2006080285A1 - 露光装置及び露光方法並びにマイクロデバイスの製造方法

Info

Publication number: WO2006080285A1
Application number: PCT/JP2006/301001
Authority: WO
Inventors: Masaki Kato; Kenji Shimizu; Manabu Toguchi; Tomoyuki Watanabe
Original assignee: Nikon Corporation
Priority date: 2005-01-25
Filing date: 2006-01-24
Publication date: 2006-08-03
Also published as: JPWO2006080285A1; US7864293B2; US20070296936A1; KR20070095268A; JP4858439B2; TW200632588A; TWI402627B; EP1843204A1; KR101240130B1

Abstract

複数の光学ユニットＬ１～Ｌ１３を有する光学系を介して投影されるパターンの像を物体Ｐ上に露光転写する露光装置であって、前記複数の光学ユニットＬ１～Ｌ１３の変動を補償するように、該複数の光学ユニットＬ１～Ｌ１３によって前記物体Ｐ上に投影される複数の像のうち、少なくとも１つの像の位置を補正する補正装置を備える。

Description

明細書

露光装置及び露光方法並びにマイクロデバイスの製造方法

技術分野

[0001] 本発明は、投影光学系を介して投影されるパターンの像を感光基板等の物体上に露光転写する露光装置及び露光方法並びに該露光装置を用いたマイクロデバイスの製造方法に関する。

背景技術

[0002] 液晶表示デバイス等のフラットパネル表示素子はマスク上に形成されたパターンを感光性の基板上に転写する、いわゆるフォトリソグラフィの手法により製造される。このフォトリソグラフイエ程で使用される露光装置は、マスクを支持するマスクステージと、基板を支持する基板ステージとを有し、マスクステージ及び基板ステージを逐次移動しながら、マスクのパターンを投影光学系を介して基板に転写するものである。このうち、液晶表示デバイスを製造する際には、基板として大型のガラス基板 (プレート）が用いられ、表示領域の大型化の要求力マスクステージと基板ステージとを同期走查しつつマスクのパターンを連続的に基板上に転写する走査型露光装置であって、投影光学系として複数並んだ投影光学ユニットを有する走査型露光装置、所謂マルチレンズスキャン型露光装置が主に用いられて、る（例えば、日本国特開平 7— 579 86号公報参照)。

[0003] 複数の投影光学ユニットは、オートフォーカス検出系を挟んで走査方向両側のそれぞれに配置されている構成である。そして、走査方向前方側に配置された投影光学ユニットと、後方側に配置された投影光学ユニットとは異なる支持体を介してコラム（露光装置のボディ）に支持されていた力マスクステージや基板ステージが移動した際に、僅かではあるがコラムに歪み変形が生じる場合があり、投影光学ユニットの光学特性 (結像特性)が変化して高精度の露光処理を行うことができなくなると、う問題が生じていた。特に、複数の投影光学ユニットのそれぞれを互いに異なる支持体で支持する構成では、複数の投影光学ユニットの互、の相対位置が変化して高精度の露光処理を行うことができなくなる。また、液晶表示デバイスを製造するための走査型露光装置の投影光学系は正立等倍系が一般であり、走査露光の際に、マスクステージと基板ステージとは同じ方向に移動するため、コラムに対する偏荷重が大きくなり、上記問題が顕著に現れる。更に、基板の大型化の要求に伴って装置全体 (コラム全体)も大型化し、コラムの十分な剛性が得られず、上記問題が更に顕著になった。そこで、走査方向前方側に配置された投影光学ユニットと後方側に配置された投影光学ユニットとを 1つの定盤 (支持体)を介してコラムに支持する露光装置が提案されている（日本国特開 2004 - 177468号公報参照）。

[0004] 上述の日本国特開 2004— 177468号公報に開示されている露光装置においては、走査方向前方側に配置された投影光学ユニットと、後方側に配置された投影光学ユニットとが載置された定盤を、支持部が有する球状部材を介してコラムに支持している。ここで、定盤には、投影像を基板上に形成するための開口部が設けられており、かつ支持部が有する球状部材に作用する摩擦力と、投影光学ユニット自体の重さにより、定盤にねじれ成分が発生し、走査方向前方側に配置された投影光学ユニットと、後方側に配置された投影光学ユニットとの間において投影位置にずれ (走査方向におけるずれ、走査方向と交差する方向におけるずれ、及び投影光学系の光軸方向を軸とする回転方向におけるずれ)が発生するおそれがあった。

[0005] ところで、プレートは液晶表示素子の大型化に伴い大型化しており、現在では lm 角以上のプレート (ガラス基板)も用いられており、同時にマスクも大型化している。露光装置に要求されるデバイスのパターンルールが一定であれば、大型のマスクにも小型のマスクと同様の平面度が要求される。このため、大型のマスクのたわみやうねりを小型のマスクのたわみやうねりと同程度に抑えるために、大型のマスクの厚さを小型のマスクよりも大幅に厚くする必要がある。また、一般に TFT (Thin Film Transistor )型の液晶ディスプレイ (パネル）の製造で使用されてヽるマスクは、コスト高の石英ガラスであるため、大型化すれば製造コストが増大する。更に、マスクの平面度を維持するためのコスト、マスクパターンの検査時間の拡大等によるコスト等が増大して!/、る

[0006] そこで、マスクの代わりに、 DMD (Digital Micro-mirror Deviceまたは Deformable Mi cro-mirror Device)等を用いて、パターンを基板上に露光転写するマスクレス露光装置が提案されている。このマスクレス露光装置においては、従来のマスクを用いた投影露光装置と同様に、走査方向前方側に配置された投影光学ユニットと後方側に配置された投影光学ユニットとが載置された定盤はコラムで支持されているため、上述した通常のマスクを用いる投影露光装置と同様の問題を生じていた。

発明の開示

[0007] よって本発明の目的は、複数の光学ユニット間において発生する光学性能の変化（例えば、投影位置のずれなど）を補正することができる露光装置及び露光方法並びに該露光装置を用いたマイクロデバイスの製造方法を提供することである。

[0008] 本発明の第 1の観点によると、複数の光学ユニットを有する光学系を介して投影されるパターンの像を物体上に露光転写する露光装置であって、前記複数の光学ュニットの変動を補償するように、該複数の光学ユニットによって前記物体上に投影される複数の像のうち、少なくとも 1つの像の位置を補正する補正装置を備える露光装置が提供される。

[0009] 本発明の第 2の観点によると、複数の光学ユニットを有する光学系を介して投影されるパターンの像を物体上に露光転写する露光方法であって、前記複数の光学ュニットの変動を補償するように、該複数の光学ユニットによって前記物体上に投影される複数の像のうち、少なくとも 1つの像の位置を補正しつつ、露光を行うようにした露光方法が提供される。

[0010] 本発明の第 1の観点に係る露光装置又は第 2の観点に係る露光方法では、複数の光学ユニットの変動を補償するように、複数の光学ユニットにより形成される複数の像のうち少なくとも 1つの像の位置を補正することができるため、隣り合う光学ユニットにより形成される像の位置ずれを補正することができる。従って、複数の光学ユニットを支持する部材の変形等により像の位置ずれが生じた場合においても、隣り合う光学ユニットの継ぎ部を正確に一致させることができ、物体上に所定のパターンを精度良く転写することがでさる。

[0011] 本発明の第 3の観点によると、本発明の第 1の観点に係る露光装置を用いて前記パターンの像を感光基板等の物体上に露光転写する露光工程と、前記露光工程により露光転写された前記物体上のパターンを現像する現像工程とを含むマイクロデバイスの製造方法が提供される。

[0012] 本発明の第 3の観点に係るマイクロデバイスの製造方法では、本発明の第 1の観点に係る露光装置を用いて露光処理を行うため、物体上に所定のパターンを精度良く転写することができ、高性能、高品質、高信頼なマイクロデバイスを得ることができる。

[0013] なお、本発明は、マスクに形成されたパターンを、複数の光学ユニットを有する光学系を介して物体に露光転写する露光装置は勿論のこと、任意のパターンを生成する可変成形マスク (例えば、前述の DMDなどを含む非発光型画像表示素子 (空間光変調器)など）により生成されたパターンを、複数の光学ユニットを有する光学系を介して物体に露光転写する露光装置等にも適用することができる。

図面の簡単な説明

[0014] [図 1]本発明の第 1実施形態に係る走査型露光装置の概略構成を示す斜視図である

[図 2]本発明の第 1実施形態の露光光学系の構成を示す図である。

[図 3]本発明の第 1実施形態の DMDの構成を示す図である。

[図 4]本発明の第 1実施形態の DMD力も点像視野絞りまでの構成を示す図である。

[図 5]本発明の第 1実施形態のマイクロレンズアレイ及び点像視野絞りの一部の構成を示す図である。

[図 6]本発明の第 1実施形態の投影光学モジュールの構成を示す図である。

[図 7]本発明の第 1実施形態のプレート上における各投影光学モジュールによる投影領域を示す平面図である。

[図 8]本発明の第 1実施形態の走査型露光装置の概略構成を示す図である。

[図 9]本発明の第 1実施形態の走査型露光装置の概略構成を示す図である。

[図 10]本発明の第 1実施形態の支持部の構成を示す図である。

[図 11]本発明の第 1実施形態の露光光学系と定盤の上面図である。

[図 12]本発明の第 1実施形態のセンサの構成を示す上面図である。

[図 13]本発明の第 1実施形態のセンサの構成を示す正面図である。

[図 14]本発明の第 1実施形態のセンサの構成を示す側面図である。

[図 15]本発明の第 1実施形態の走査型露光装置のシステム構成を示すブロック図である。

圆 16]本発明の第 1実施形態の点像視野絞りの各開口部を通過した光ビームがプレート上に到達する位置を説明するための図である。

圆 17]本発明の第 1実施形態の点像視野絞りの各開口部を通過した光ビームがプレート上に到達する位置を説明するための図である。

圆 18]本発明の第 1実施形態のくさびプリズムの構成を示す図である。

圆 19]本発明の第 1実施形態のくさびプリズムが X軸方向を軸として回転したときの状態を説明するための図である。

圆 20]本発明の第 1実施形態のくさびプリズムが X軸方向を軸として回転したときの状態を説明するための図である。

圆 21]本発明の第 1実施形態のくさびプリズムが X軸方向を軸として回転したときの状態を説明するための図である。

圆 22]本発明の第 1実施形態のくさびプリズムが X軸方向を軸として回転したときの状態を説明するための図である。

圆 23]本発明の第 1実施形態のくさびプリズムが X軸方向を軸として回転したときの投影領域について説明するための図である。

圆 24]本発明の第 1実施形態の定盤の変形例を示す図である。

圆 25]本発明の第 1実施形態の定盤が変形したときの露光光学系の状態を示す図である。

圆 26]本発明の第 1実施形態の定盤の変形例を示す図である。

圆 27]本発明の第 1実施形態の他の投影光学モジュールの構成を示す図である。圆 28]本発明の第 1実施形態の他の投影光学モジュールの構成を示す図である。圆 29]本発明の第 1実施形態の他の露光光学系の構成を示す図である。

[図 30a]本発明の第 1実施形態の他の露光光学系の構成を示す図である。

圆 30b]本発明の第 1実施形態の他の露光光学系の構成を示す図である。

[図 31]本発明の第 2実施形態に係る露光装置の概略構成図である。

[図 32]本発明の第 2実施形態に係る露光装置の概略斜視図である。

圆 33]本発明の第 2実施形態の投影光学モジュールを支持している定盤の斜視図である。

[図 34]本発明の第 2実施形態の投影光学モジュールを支持している定盤の平面図である。

[図 35a]本発明の第 2実施形態の支持部を示す拡大図である。

[図 35b]本発明の第 2実施形態の支持部を示す拡大図である。

[図 36]本発明の第 2実施形態のセンサの配置状態を示す図である。

[図 37a]本発明の第 2実施形態のセンサが相対的な距離を測定する第 1投影光学ュニットと第 2投影光学ユニットにおける位置を説明するための図である。

[図 37b]本発明の第 2実施形態のセンサが相対的な距離を測定する第 1投影光学ュニットと第 2投影光学ユニットにおける位置を説明するための図である。

[図 37c]本発明の第 2実施形態のセンサが相対的な距離を測定する第 1投影光学ュニットと第 2投影光学ユニットにおける位置を説明するための図である。

[図 38a]本発明の第 2実施形態の定盤の変形例を示す図である。

[図 38b]本発明の第 2実施形態の定盤の変形例を示す図である。

[図 39]本発明の第 2実施形態の投影光学モジュールの構成図である。

[図 40]本発明の第 2実施形態のマスクホルダの位置を計測するレーザ干渉システムの構成図である。

[図 41]本発明の第 2実施形態の基板ホルダの位置を計測するレーザ干渉システムの構成図である。

[図 42]本発明の第 2実施形態の他のセンサの配置状態を示す図である。

[図 43]本発明の実施形態に係るマイクロデバイスとしての半導体デバイスの製造方法を説明するフローチャートである。

[図 44]本発明の実施形態に係るマイクロデバイスとしての液晶表示素子の製造方法を説明するためのフローチャートである。

発明を実施するための最良の形態

[第 1実施形態]

以下、図面を参照して、本発明の第 1実施形態について説明する。図 1は、本発明の第 1実施形態に係る走査型露光装置の概略構成を示す斜視図である。この実施形態においては、複数 (本例では 13個）の露光光学系 L1〜L13に対して、感光性材料 (レジスト）が塗布された感光基板としてのプレート Pを相対的に移動させつつ、液晶表示素子等のパターンをプレート P上に転写するステップアンドスキャン方式の走査型投影露光装置を例に挙げて説明する。

[0016] また、以下の説明においては、図 1中に示した直交座標系を設定し、この XYZ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。 XYZ直交座標系は、 X 軸及び Y軸がプレート Pに対して平行となるように設定され、 Z軸がプレート Pに対して直交する方向に設定されている。図中の XYZ座標系は、実際には XY平面が水平面に平行に設定され、 Z軸が鉛直方向に設定される。また、この実施形態では、プレート Pを移動させる方向（走査方向）を X方向に設定して、る。

[0017] この走査型露光装置は、外径が 500mmよりも大きいプレート Pを支持するプレートステージ (基板ステージ) PSTと、プレート P上に任意のパターンを露光するための複数の露光光学系 L1〜L13と、露光光学系 L1〜L13を定盤 9 (図 8参照）を介して支持するコラム 1と、露光処理に関する動作を統括制御する制御装置 CONT1 (図 15 参照）とを備えている。複数の露光光学系 L1〜L13は、それぞれ筐体に収容されており、コラム： Uこ搭載されてヽる。露光光学系 LI, L3, L5, L7, L9, Ll l, L13iま、走査方向の後方側（一 X方向側）であって、 Y方向（非走査方向）に並んで配置されている。露光光学系 L2, L4, L6, L8, LIO, L12は、走査方向の前方側（+X方向側）であって、 Y方向に並んで配置されている。

[0018] 図示しない LD光源部力射出した光ビームは、ファイバに入射する。この実施形態においては、各露光光学系 L1〜L13に対応して複数の LD光源部及びファイバが設けられている。なお、 1つの LD光源部及び 1つのファイバを設け、ファイバが各露光光学系 L1〜L13に対応した複数のファイバ射出端を有するようにしてもよい。

[0019] 図 2は、露光光学系（第 1露光ユニット) L1の概略構成を示す図である。図示しない LD光源部力射出され、ファイバ 2に入射した光ビームは、ファイバ 2の射出端から射出する。ファイバ 2の射出端力も射出した光ビームは、コリメート光学系 4及びミラー 6を介して、露光光学系 L1を構成する DMD (Digital Micro-mirror Deviceまたは Def ormable Micro-mirror Device) 8を均一に照明する。なお、 DMD8を露光光学系 L1 とは別に設けるようにしてもょ、。

[0020] 図 3は、 DMD (補正装置） 8の構成を示す図である。 DMD8は、図 3に示すように、微小領域に区分されたデバイスとしての多数のマイクロミラー (反射部材) 8aを有している。各マイクロミラー 8aはその角度をそれぞれ独立に変更可能に構成されており、 DMD8は各マイクロミラー 8aの角度を変化させることにより光ビームを所定の画像データに応じて変調する可変成形マスク (第 1の可変成形マスク）として機能する。即ち、プレート Pの走査に同期して、反射光が後述するリレー光学系 10に導かれるように一部のマイクロミラー 8aの角度を変化させ、反射光がリレー光学系 10とは異なる方向に進行するように他部のマイクロミラー 8aの角度を変化させることにより、対応する露光領域に投影される任意のパターンを順次生成する。

[0021] DMD8 (一部のマイクロミラー 8a)により反射された光ビームは、リレー光学系 10に入射する。図 4は、リレー光学系 10の構成を示す図である。リレー光学系 10は、リレ一レンズ群 12a、絞り 14、リレーレンズ群 12b及びリレーレンズ群 12cを備えている。光ビームは、リレーレンズ群 12a、絞り 14、リレーレンズ群 12b及びリレーレンズ群 12 cを介することにより拡大されて、マイクロレンズアレイ 16に入射する。

[0022] 図 5は、マイクロレンズアレイ 16及び後述する点像視野絞り 18の一部の構成を示す図である。マイクロレンズアレイ 16は、図 5に示すように、 DMD8を構成するマイクロミラー 8aのそれぞれに対応する多数の要素レンズ 16aを有しており、プレート Pと光学的に共役な位置またはその近傍に配置されている。また、マイクロレンズアレイ 16は、 XY平面に平行な方向及び Z方向に移動可能、かつ XY平面に対して傾斜可能に構成されている。

[0023] マイクロレンズアレイ 16の各要素レンズ 16aを通過した光ビームは、点像視野絞り 1 8を通過する。点像視野絞り 18は、図 5に示すように、マイクロレンズアレイ 16を構成する要素レンズ 16aのそれぞれに対応して設けられた多数の開口部 18aを有している。点像視野絞り 18の各開口部 18aを通過することにより、露光光学系 L1内で発生するゴースト、及び DMD8のオンオフ時に発生する像流れによる露光への悪影響を防止することができる。また、点像視野絞り 18は多数の開口部 18aの大きさを変更可能に構成されており、開口部 18aの大きさを変更することにより露光光学系 L1の解像度を調整することができる。

[0024] なお、点像視野絞り 18は、多数の開口部 18aの代わりに、マイクロレンズアレイ 16 の要素レンズ 16aのそれぞれに対応して設けられた多数の光透過部を有するようにしてもよい。また、他の露光光学系（第 2〜第 13の露光ユニット) L2〜L13もそれぞれ、 DMD (可変成形マスク）、リレー光学系、マイクロレンズアレイ及び点像視野絞りを備えており、これら DMD、リレー光学系、マイクロレンズアレイ及び点像視野絞りは、 DMD8、リレー光学系 10、マイクロレンズアレイ 16、点像視野絞り 18と同様の構成を有している。

[0025] 点像視野絞り 18の各開口部 18aを通過した光ビームは、図 2に示すように、投影光学モジュール PL1に入射する。図 6は、露光光学系 L1を構成する投影光学モジユール PL1及び露光光学系 L2を構成する投影光学モジュール PL2の構成を示す図である。図 6に示すように、投影光学モジュール PL1に入射した光ビームは、投影光学モジュール PL1を構成するフォーカス調整機構 (補正光学系） 20に入射する。フォーカス調整機構 20は、第 1光学部材 20aと第 2光学部材 20bを備えている。第 1光学部材 20a及び第 2光学部材 20bは、光ビームを透過可能な、くさび状のガラス板であり、一対のくさび型光学部材を構成している。また、第 1光学部材 20a及び第 2光学部材 20bは、相対的に移動可能に構成されている。第 2光学部材 20bに対して第 1光学部材 20aを X方向にスライド (移動）させることにより、投影光学モジュール PL 1の像面位置が Z方向に移動する。

[0026] フォーカス調整機構 20を通過した光ビームは、シフト調整機構 (補正光学系） 22に入射する。シフト調整機構 22は、 Y軸回りに回転可能に構成されている平行平面ガラス板 22aと、 X軸回りに回転可能に構成されている平行平面ガラス板 22bを備えている。平行平面ガラス板 22aが Y軸回りに回転することにより、プレート P上におけるノターンの像は X軸方向にシフトする。平行平面ガラス板 22bが X軸回りに回転することにより、プレート P上におけるパターンの像は Y軸方向にシフトする。

[0027] シフト調整機構 22を通過した光ビームは、回転調整機構としての直角プリズム (補正光学系） 24に入射する。直角プリズム 24は、 Z軸回りに回転可能に構成されている。直角プリズム 24力 ¾軸回りに回転することにより、プレート P上におけるパターンの像は Z軸回りに回転する。直角プリズム 24により反射された光ビームは、レンズ群 26 を介してミラー 28により反射される。ミラー 28により反射された光ビームは、再びレンズ群 26及び直角プリズム 24を介して、倍率調整機構 (補正光学系） 30に入射する。

[0028] 倍率調整機構 30は、 3つのレンズ 30a, 30b, 30cを備えている。 3つのレンズ 30a 〜30cは、例えば凹レンズ 30a、凸レンズ 30b、凹レンズ 30cから構成されており、凸レンズ 30bを Z方向に移動させることにより、プレート P上に形成されるパターン像の倍率の調整を行なうことができる。倍率調整機構 30を通過した光ビームは、外径の一辺が 500mmよりも大きい、つまり一辺もしくは対角線が 500mmよりも大きい液晶表示素子等のフラットパネルディスプレイ用のプレート (大型の矩形基板) P上の所定の露光領域に所定のパターン像を形成する。なお、他の露光光学系 L2〜L13を構成する投影光学モジュール (以下、投影光学モジュール PL2〜PL13という）は、投影光学モジュール PL 1と同一の構成を有する。

[0029] 図 7は、プレート P上における投景光学モジュール PL1〜PL13のそれぞれによる投影領域 (前述の露光領域に対応) 48a〜48mを示す平面図である。各投影領域 4 8a〜48mは、投影光学モジュール PL1〜PL13の視野領域に対応して所定の形状 (六角形、菱形、平行四辺形、あるいは円弧状等）に設定されており、この実施形態【こおヽて ίま台形形状を有してヽる。投影領域 48a、 48c, 48e, 48g, 48i, 48k, 48 mと、投影領域 48b, 48d, 48f, 48h, 48j, 481とは、 X方向に所定間隔だけ離れて配置されている。さらに、投影領域 48a〜48mのそれぞれは隣り合う投影領域の端部 (境界部）どうしが Y方向に重ね合わせるように並列配置されている。即ち、露光光学系 L1〜L13によってプレート P上に隣接して形成される像のそれぞれが互いに像の一部を重複して形成される。

[0030] 図 1に示すように、プレート Pを載置するプレートステージ PSTは、防振台 32a, 32b 及び防振台 32c, 32d (図 8及び図 9参照）に支持されているベース 34上に設けられている。防振台 32a〜32dは、外部からの振動を露光装置に伝えないようにし、通常 3つ以上（この実施形態においては 4つ）設置される。プレートステージ PSTは、リニァモータ 36により走査方向（X方向）に移動可能に構成されており、ガイド 37に対してエアギャップで浮上させる、所謂エアステージの構成を有している。また、プレートステージ PSTは、非走査方向（Y方向）に微量移動可能に構成されている図示しな V、微動ステージを有して、る。

[0031] また、コラム 1には、後に詳述するレーザ干渉計が設けられ、露光光学系 L1〜L13 のそれぞれを収容する筐体の所定位置には参照鏡（図示せず)が設けられ、プレートステージ PSTには X移動鏡 40a, 40b及び Y移動鏡 42が設けられている。図 8及び図 9は、この実施形態にかかる走査型露光装置の概略構成を示す図である。図 8及び図 9に示すように、露光光学系 L1〜L13を支持する定盤 9は、コラム 1上に支持部 19を介してキネマティックに支持されている。支持部 19は、定盤 9の 3箇所（図 10参照）の所定位置にそれぞれ設けられている。なお、コラム 1は、ベース 34を支持する防振台 32a〜32dと同じ設置面 (床またはベースプレートなど）に設けてもよいが、コラム 1 (及び定盤 9)を介した露光光学系 L1〜L13への振動の伝達が抑制されるボディ構造とする、例えばコラム 1をベース 34に設ける、あるいは防振台 32a〜32dとは別の防振台を介してその設置面上にコラム 1を設けることが好ましい。

[0032] 図 1に示すように、複数の露光光学系 L1〜L13のうち露光光学系 Ll、 L3, L5, L

7, L9, Ll l, L13は、 Y方向（走査方向と交差する方向）に並んでおり、 X方向（走查方向）の後方側に配置されている（以下、第 1露光ユニット群という。 ) o第 1露光ュニット群は、筐体 U1 (図 11参照）内に収容されている。また、露光光学系 L2, L4, L 6, L8, LIO, L12は、 Y方向に並んでおり、 X方向の前方側に配置されている（以下、第 2露光ユニット群という。 )₀第 2露光ユニット群は、筐体 U2 (図 11参照）内に収容されている。また、第 1露光ユニット群と第 2露光ユニット群とは X方向において対向するように配置されており、第 1露光ユニット群を構成する各露光光学系 Ll、 L3, L5, L7, L9, Ll l, L13と、第 2露光ユニット群を構成する各露光光学系 L2、 L4, L6, L

8, LIO, L12とは千鳥状に配置されている。すなわち、千鳥状に配置されている露光光学系 L1〜L13のそれぞれは、隣り合う光学系（例えば、露光光学系 L1と L2、 L 3と L4など）を Y方向に所定量変位させて配置されている。これにより、露光光学系 L 1〜L13 (投影光学モジュール PL1〜PL13)はその投影領域 48a〜48mがプレート P上で入れ子状に配置される（図 7参照)。

[0033] 図 10は、支持部 19の拡大図である。図 10に示すように、支持部 19は、コラム 1の上部に設けられ、球面状凹部 80aを有する部材 80と、球面状凹部 80aに接する球面 82Aを有する球状部材 82とを備えている。部材 80は、コラム 1の上部に固定されている。また、定盤 9の下面には球状部材 82を配置可能な V状凹部 84が形成されており、定盤 9の V状凹部 84の内面と球状部材 82の球面 82Aとが接している。球状部材 82は部材 80の球面状凹部 80a内に載置された状態であって、球面状凹部 80aの内面に対して球状部材 82の表面 82Aは摺動可能である。更に、定盤 9は V状凹部 84 を介して球状部材 82に載置された状態であって、 V状凹部 84の内面と球状部材 82 の表面 82Aとは摺動可能となっている。これら面どうしが摺動可能であることにより、例えばコラム 1が僅かに変形した際、これら面どうしが摺動することでコラム 1の変形の定盤 9への影響が抑制されて、る。

[0034] 図 11は、筐体 U1及び筐体 U2に収容されている露光光学系 L1〜L13と定盤 9の上面図である。図 11に示すように、支持部 19は定盤 9の面方向（XY方向）における 3箇所の所定の位置にそれぞれ設けられている。図 11中に破線で示すように、 3つの支持部 19を結ぶ三角形の中心部と、定盤 9の中心部とがほぼ同一となるように、支持部 19のそれぞれが配置されている。従って、コラム 1が変形しても中心部が大きく移動しない構成となっている。そして、これら支持部 19により、所謂キネマティック支持構造が構成される。これにより、コラム 1が変形しても、露光光学系 L1〜L13を収容する筐体 Ul, U2ゃ定盤 9は大きく移動せず、複数の露光光学系 L1〜L13の互いの相対位置の変化を小さく抑えることができる。

[0035] また、この走査型露光装置には、図 8及び図 9 (図 1においては図示せず）に示すように、露光光学系 L12及び L13側（一 Y方向側）であって、筐体 U1及び筐体 U2側面に、第 1露光ユニット群と第 2露光ユニット群との相対的な位置関係を計測するセンサ (計測装置) Cが設けられている。センサ Cは、キネマティック支持構造を構成する支持部 19等により抑えることができない第 1露光ユニット群と第 2露光ユニット群との相対位置の変動量を測定する。即ち、第 1露光ユニット群と第 2露光ユニット群との相対的な並進量 (X方向における相対的なずれ量)及び姿勢差 (Y方向における相対的なずれ量)を測定する。センサ Cとしては、例えば静電容量センサ、変位センサ、干渉計等が用いられる。センサ Cは、図 12に示すように、第 1露光ユニット群と第 2露光ユニット群との X方向（走査方向）における相対的な第 1の距離 XIを測定する。また、図 13に示すように、第 1露光ユニット群と第 2露光ユニット群との X方向における相対的な第 2の距離 X2を測定する。センサ Cにより測定された距離 XI及び X2は、制御装置 CONT1に対して出力される。

[0036] また、センサ Cは、図 12及び図 14に示すように、第 1露光ユニット群と第 2露光ュ- ット群との Y方向（走査方向と交差する方向）における相対的な第 1の距離 Y1を測定する。また、図 14に示すように、第 1露光ユニット群と第 2露光ユニット群との Y方向における相対的な第 2の距離 Y2を測定する。センサ Cにより測定された距離 Y1及び Y 2は、制御装置 CONT1に対して出力される。

[0037] また、この走査型露光装置は、図 1に示すように、プレートステージ PSTの位置を計測するレーザ干渉計システムを備えて、る。プレートステージ PSTの X側の端縁には Y軸方向に延びる X移動鏡 40a, 40b力設けられ、プレートステージ PSTの Y側の端縁には X軸方向に延びる Y移動鏡 42が設けられている。 X移動鏡 42a, 42b〖こ対向する位置には、 Xレーザ干渉計 38がベース 34上に設けられている。

[0038] 露光光学系 L1〜L13の筐体にはそれぞれ X参照鏡（図示せず)及び Y参照鏡（図示せず）が取り付けられている。 Xレーザ干渉計 38は、 X移動鏡 40a, 40bそれぞれに測長ビームを照射するとともに、対応する X参照鏡それぞれに参照ビームを照射する。照射した測長ビーム及び参照ビームに基づく X移動鏡 40a, 40b及び X参照鏡それぞれからの反射光は Xレーザ干渉計 38の受光部で受光される。 Xレーザ干渉計 38は、干渉光を検出し、検出結果を制御装置 CONT1に対して出力する。制御装置 CONT1は、 Xレーザ干渉計 38による検出結果に基づいて、参照ビームの光路長を基準とした測長ビームの光路長の変化量、ひいては、 X参照鏡を基準とした X移動鏡 40a, 40bの位置 (座標）を計測する。制御装置 CONT1は、その計測結果に基づいて、プレートステージ PSTの X軸方向における位置を求める。

[0039] また、 Yレーザ干渉計は、 Y移動鏡 42に測長ビームを照射するとともに、 Y参照鏡それぞれに参照ビームを照射する。照射した測長ビーム及び参照ビームに基づく Y 移動鏡 42及び Y参照鏡それぞれからの反射光は Yレーザ干渉計の受光部で受光される。 Yレーザ干渉計は、干渉光を検出し、検出結果を制御装置 CONT1に対して出力する。制御装置 CONT1は、参照ビームの光路長を基準とした測長ビームの光路長の変化量、ひいては、 Y参照鏡を基準とした Y移動鏡 42の位置 (座標)を計測する。制御装置 CONT1は、その計測結果に基づいて、プレートステージ PSTの Y軸方向における位置を求める。

[0040] 制御装置 CONT1は、定盤 9の姿勢計測結果に基づいて、プレートステージ PST の姿勢を制御し、定盤 9に支持されている露光光学系 L1〜L13とプレートステージ P ST (プレート P)との相対位置を調整する。

[0041] また、この走査型露光装置は、図 1に示すように、露光光学系 L1〜L13の走査方向の後方側（一X方向側）に、プレート Pに設けられているァライメントマークを検出する複数のァライメント系 AL1〜AL6、及びプレート Pの Z方向における位置を検出するオートフォーカス系 AF1〜AF6を備えている。また、プレートステージ PSTの X 方向の端部には、 Y方向に複数並んだ計測用マーク（以下では AISマークとも呼ぶ）を有する基準部材 44が設けられている。また、基準部材 44の下方には不図示の空間像計測センサ (AIS)が設けられており、空間像計測センサはプレートステージ PS Tに埋設されている。

[0042] 空間像計測センサは、各 DMDの位置と、各 DMDにより形成される転写パターンの像がプレート P上に投影される位置との関係を求めるために用いられる。即ち、 D MDにより形成される基準マークと AISマークが一致するようにプレートステージ PST を移動し、基準マークの像と AISマークとを空間像計測センサで検出し、この検出結果に基づいて DMDの位置と DMDにより形成される転写パターンの像がプレート P 上に投影される位置との関係を求める。なお、この場合に DMDにより形成される基準マークは、後述するパターン記憶部 74 (図 15参照）に記憶されているものであり、プレートステージ PSTの位置は Xレーザ干渉計 38及び Yレーザ干渉計により検出される。

[0043] また、空間像計測センサは、ァライメント系 AL1〜AL6の位置とプレートステージ P STの位置との関係（各ァライメント系の計測中心の XY座標系上での位置）を求めるために用いられる。即ち、プレートステージ PSTを移動し、ァライメント系 AL1〜AL6 の計測領域中心 (具体的には各ァライメント系に設けられている指標マーク）に AIS マークを一致させ、このときのプレートステージ PSTの位置を Xレーザ干渉計 38及び Yレーザ干渉計で検出する。この検出結果に基づいて、ァライメント系 AL1〜AL6の位置とプレートステージ PST位置の関係を求める。

[0044] また、プレートステージ PSTの近傍には、各露光光学系 L1〜L13を介した光ビームの強度、特に第 1露光ユニット群及び第 2露光ユニット群によりオーバラップ露光が行なわれる領域における光ビームの強度を計測する少なくとも 1つの強度センサ（ビーム強度計測系、図示せず)が設けられている。強度センサは、 XY平面上を移動可能に構成されており、各露光光学系 L 1〜L 13から射出される光ビームを計測できる位置に移動し、各露光光学系 L1〜L13から射出される光ビームの強度を計測する。強度センサによる計測結果は、制御装置 CONT1に対して出力される。なお、この強度センサは、プレートステージ PSTに設けてもよいし、あるいはプレートステージ PST とは独立に可動な構成としてもよい。

[0045] 図 15は、この実施形態にかかる走査型露光装置のシステム構成を示すブロック図である。図 15に示すように、この走査型露光装置は、露光処理に関する動作を総括制御する制御装置 CONT1を備えている。制御装置 CONT1には、露光光学系 L1 の DMD8の各マイクロミラー 8aを個別に駆動する DMD駆動部 60が接続されて!、る。 DMD駆動部 60は、制御装置 CONT1からの制御信号に基づいて DMD8の各マイク口ミラー 8aの角度を変更する。同様に、制御装置 CONT1には露光光学系 L2〜 L 13を構成する DMDの各マイクロミラーを個別に駆動する DMD駆動部（図示せず )が接続されており、 DMD駆動部は制御装置 CONT1からの制御信号に基づいて DMDの各マイクロミラーの角度を変更する。

[0046] また、制御装置 CONT1には、露光光学系 L1のマイクロレンズアレイ 16を駆動するレンズアレイ駆動部 62が接続されている。レンズアレイ駆動部 62は、制御装置 CON T1からの制御信号に基づいてマイクロレンズアレイ 16を XY平面内もしくは Z方向に移動、または XY平面に対して傾斜させる。同様に、制御装置 CONT1には露光光学系 L2〜L13を構成するマイクロレンズアレイを駆動するレンズアレイ駆動部（図示せず）が接続されており、レンズアレイ駆動部は制御装置 CONT1からの制御信号に基づいてマイクロレンズアレイを XY平面もしくは Z方向に移動、または XY平面に対して傾斜させる。

[0047] また、制御装置 CONT1には、投影光学モジュール PL 1のフォーカス調整機構 20 を駆動するフォーカス調整機構駆動部 64、シフト調整機構 22を駆動するシフト調整機構駆動部 66、直角プリズム 24を駆動する直角プリズム駆動部 68、及び倍率調整機構 30を駆動する倍率調整機構駆動部 70が接続されてヽる。フォーカス調整機構駆動部 64、シフト調整機構駆動部 66、直角プリズム駆動部 68、及び倍率調整機構駆動部 70は、制御装置 CONT1からの制御信号に基づいてフォーカス調整機構 20 、シフト調整機構 22、直角プリズム 24、及び倍率調整機構 30を駆動させる。同様に、各投影光学モジュール PL2〜PL13を構成するフォーカス調整機構を駆動するフオーカス調整機構駆動部（図示せず)、シフト調整機構を駆動するシフト調整機構駆動部（図示せず)、直角プリズムを駆動する直角プリズム駆動部（図示せず)、及び倍率調整機構を駆動する倍率調整機構駆動部（図示せず)が接続されて!ヽる。フォーカス調整機構駆動部、シフト調整機構駆動部、直角プリズム駆動部、及び倍率調整機構駆動部は、制御装置 CONT1からの制御信号に基づいてフォーカス調整機構、シフト調整機構、直角プリズム、及び倍率調整機構を駆動させる。

[0048] また、制御装置 CONT1には、プレートステージ PSTを走査方向である X方向に沿つて移動させ、かつ Y方向に微小移動させるプレートステージ駆動部 72が接続されている。また、制御装置 CONT1には、ァライメント系 AL1〜AL6、オートフォーカス系 AF1〜AF6、空間像計測センサ、強度センサ、 Xレーザ干渉計 38及び Yレーザ干渉計が接続されている。また、制御装置 CONT1には、 DMD8において形成する転写パターンや、ァライメントや空間像計測に用いられる基準マークを記憶するバターン記憶部 74が接続されている。また、制御装置 CONT1には、露光データが記憶されて、る露光データ記憶部 76が接続されて、る。

[0049] この実施形態にかかる走査型露光装置においては、 DMD8のマイクロミラー 8a、マイクロレンズアレイ 16の各要素レンズ 16a及び点像視野絞り 18の各開口部 18aは、 XY平面内にぉ、て X方向及び Y方向に平行な方向に二次元的に配列されて！ヽる。点像視野絞り 18の各開口部 18aを通過した光ビームのそれぞれが X方向及び Y方向に平行な位置に到達する状態で走査露光した場合、 X方向に平行な線状のバターンを形成することができるが、 Y方向に平行な線状のパターンを形成することができない。従って、 Υ方向に平行な線状のパターンも形成することができるように、例えば点像視野絞り 18を Ζ軸回りに所定角度 α回転させて設置し、図 16に示すように、回転させた点像視野絞り 18の各開口部 18aを通過した光ビームがプレート Ρ上に到達するようにする。なお、点像視野絞り 18の回転に伴い、マイクロレンズアレイ 16も Z 軸回りに所定角度 α回転させて設置する。

[0050] 即ち、制御装置 CONT1は、レンズアレイ駆動部 62に対して制御信号を出力し、レンズアレイ駆動部 62を介してマイクロレンズアレイ 16を、 Ζ軸を軸として回転駆動させる。また、制御装置 CONT1は、マイクロレンズアレイ 16と同様に、図示しない駆動部を介して点像視野絞り 18を、 Ζ軸を軸として回転駆動させる。また、制御装置 CONT 1は、 DMD駆動部 60に対して制御信号を出力し、マイクロレンズアレイ 16の各要素レンズ 16及び点像視野絞り 18の各開口部 18aに対応するように、 DMD駆動部 60を介して DMD8の各マイクロミラー 8aの角度を調整する。マイクロレンズアレイ 16及び点像視野絞り 18が回転することにより、点像視野絞り 18の各開口部 18aを通過した光ビームが Z軸回りに所定角度 α回転されてプレート P上に到達する。この状態で走查露光した場合、 X方向及び Υ方向に平行な線状のパターンを形成することができる

[0051] なお、直角プリズム駆動部 68を介して直角プリズム 24を Ζ軸回りに回転駆動させることにより、点像視野絞り 18の各開口部 18aを通過した光ビームが Ζ軸回りに所定角度回転されてプレート P上に到達するようにしてもよい。また、この実施形態においては、 XY平面内にお、て X方向及び Y方向に平行な方向に二次元的に配列された点像視野絞り 18の開口部 18aを備えている力 XY平面内において X方向及び Y方向に対して 45度傾斜した方向に二次元的に配列された点像視野絞りの開口部を備えてもよい。この場合おいても、点像視野絞りの各開口部を通過した光ビームが、例えば図 17に示すように、 Z軸回りに所定角度 α回転させてプレート P上に到達するようにする。

[0052] なお、制御装置 CONT1は、他の露光光学系 L2〜L13のそれぞれが備えるマイク口レンズアレイ及び点像視野絞りを Z軸回りに回転駆動させ、 DMDの各マイクロミラ一の角度を調整する、または、直角プリズムを Z軸回りに回転駆動させる。こうすることにより、点像視野絞りの各開口部を通過した光ビームが、点像視野絞り 18の各開口部 18aを通過した光ビームと同様に、 Z軸回りに所定角度 α回転させてプレート P上に到達するようにする。

[0053] また、点像視野絞り 18の各開口部 18aを通過した光ビームを Ζ軸回りに所定角度 a回転させる代わりに、露光光学系 L1により形成される投影領域 48aの形状を変形させてもよい。即ち、投影領域 48aの変形前において X方向に平行な線状のパターンのみを形成することができ、 Y方向に平行な線状のパターンを形成することができな、場合にぉ、ても、投影領域 48aの変形後にお、て X方向及び Y方向に平行な線状のパターンを形成することができる。次に、投影領域 48aの変形方法について説明する。ここで、この実施形態においては露光光学系 L1により形成される投影領域 4 8aの形状は台形形状であるが、説明を分力りやすくするために、投影領域 48aが矩形状であると仮定して説明する。

[0054] 図 18は、投影領域 48aの形状を変形するくさびプリズム (補正光学系） 90, 92の構成を示す図である。くさびプリズム 90, 92は、点像視野絞り 18と投影光学モジュール PL 1との間の光路中または投影光学モジュール PL 1とプレート Pとの間の光路中に配置される。図 18に示すように、くさびプリズム 90の入射面 90a及び射出面 90bは平面を有し、入射面 90aと射出面 90bとは所定の楔角（以下、第 1楔角という。）を有している。くさびプリズム 90は、入射面 90aの平面と射出面 90bの平面との交線の方向が Y方向となるように配置されている。また、くさびプリズム 90は、 X軸及び Y軸回りに回転可能に構成されている。

[0055] くさびプリズム 92の入射面 92a及び射出面 92bは平面を有し、入射面 92aと射出面 92bとは第 1楔角と同一の楔角（以下、第 2楔角という。）を有している。くさびプリズム 92は、入射面 92aの平面と射出面 92bの平面との交線の方向が Y方向となるように配置されており、第 1楔角と第 2楔角とが略反対方向を向くように配置されている。また、くさびプリズム 90は、 X軸及び Y軸回りに回転可能に構成されている。

[0056] くさびプリズム 90, 92の少なくとも 1つを Y軸回りに回転させることにより X方向における投影倍率を調整することができる。また、くさびプリズム 90, 92の少なくとも 1つを X軸回りに回転させることにより、投影光学モジュール PL 1の X方向及び Y方向における投影位置をシフトさせることができる。図 19は、くさびプリズム 90を、 X軸方向を軸として反時計回りに微少量回転させたときの Y方向側からみた場合のくさびプリズム 90, 92の位置を示す図、図 20は、 +Y方向側からみた場合のくさびプリズム 90 , 92の位置を示す図である。図 19に示すように、最も Y方向側を通過する光ビームは X方向に tlシフトされ、図 20に示すように最も +Y方向側を通過する光ビームは X方向に t2シフトされる。

[0057] また、くさびプリズム 90を、 X軸方向を軸として回転させることにより、露光光学系 L1 の X方向における投影位置もシフトされる。図 21は、くさびプリズム 90を、 X軸方向を軸として反時計回りに微少量回転させたときの—X方向側力みた場合のくさびプリズム 90, 92の位置を示す図、図 22は、 +X方向側からみた場合のくさびプリズム 90 , 92の位置を示す図である。図 21に示すように、最も—X方向側を通過する露光光は Y方向に siシフトされ、図 22に示すように、最も +X方向側を通過する露光光は Y 方向に s2シフトされる。

[0058] 即ち、くさびプリズム 90を回転させない場合に露光光学系 L1によりプレート P上に形成される投影領域 48aの形状が図 23中に破線で示すように矩形状 (長方形状)である場合、くさびプリズム 90を、 X軸方向を軸として反時計回りに微少量回転させた場合に露光光学系 L1によりプレート P上に形成される投影領域 48aは図 23中に実線で示すように平行四辺形状となる。これにより、投影領域 48aの形状を変形させることができ、投影領域 48aの変形前においては X方向に平行な線状のパターンのみを形成することができ、 Y方向に平行な線状のパターンを形成することができな、場合にぉ、ても、投影領域 48aの変形後にお、ては X方向及び Y方向に平行な線状のパターンを形成することができる。なお、他の投影領域 48b〜48mについても、露光光学系 L2〜L13のそれぞれにくさびプリズム 90, 92の構成と同一の構成を有するくさびプリズムを設けることにより、その形状を変形させることができる。

[0059] なお、 3つのくさびプリズムを備えるようにしてもよぐこの 3つのくさびプリズムを X軸方向または Y軸方向を軸として回転駆動させることにより、像のフォーカス位置、回転、倍率を調整することができる。 [0060] また、くさびプリズム 90, 92を用いて、 X軸方向または Y軸方向を軸として回転駆動させることにより、点像視野絞り 18の開口部 18aに到達する光ビームの位置の微調整を行なうことができる。この際、くさびプリズム 90, 92は、 DMD8とリレーレンズ群 1 2aとの間の光路中またはリレーレンズ群 12cとマイクロレンズアレイ 16との間の光路中に配置する。

[0061] この場合においては、 DMD8の露光データを調整することにより点像視野絞り 18 に到達する光ビームの位置をデジタル的に調整するのと比較して、アナログ的に調整することができ、より微細なパターンを形成する場合に有効である。

[0062] 次に、第 1露光ユニット群と第 2露光ユニット群との相対的な位置ずれを補正する方法について説明する。例えば、図 24に示すように、定盤 9が破線で示す形状から実線で示す形状に変形した場合、図 25に示すように、第 1露光ユニット群と第 2露光ュニット群とが実線で示す位置から破線で示す位置となる。即ち、第 1露光ユニット群と第 2露光ユニット群との X方向における相対的な位置ずれが生じ、第 1露光ユニット群によりプレート P上に投影される像と、第 2露光ユニット群によりプレート P上に投影される像との X方向におけるずれが生じる。制御装置 CONT1は、センサ Cにより測定された距離 XI, X2に基づいて、第 1露光ユニット群と第 2露光ユニット群との X方向における相対的な変位量を検出する。即ち、第 1露光ユニット群と第 2露光ユニット群との相対的な並進量 (X方向における相対的なずれ量)を検出する。

[0063] また、例えば、図 26に示すように、定盤 9が破線で示す形状から実線で示す形状に変形した場合、第 1露光ユニット群と第 2露光ユニット群との Y方向における相対的なずれが生じる。即ち、第 1露光ユニット群によりプレート P上に投影される像と、第 2露光ユニット群によりプレート p上に投影される像との γ方向におけるずれが生じる。制御装置 CONT1は、センサ Cにより測定された距離 Yl, Y2に基づいて、第 1露光ュニット群と第 2露光ユニット群との相対的な変位量を検出する。即ち、第 1露光ユニット群と第 2露光ユニット群との相対的な姿勢差 (Y方向における相対的なずれ量)を検出する。

[0064] ここで、上述の投影光学モジュール PL1〜PL13をそれぞれ構成するフォーカス調整機構、シフト調整機構、回転調整機構としての直角プリズム、及び倍率調整機構は、第 1露光ユニット群の投影位置及び第 2露光ユニット群の投影位置の少なくとも 1つを補正する補正装置として機能する。また、露光光学系 L1〜L13をそれぞれ構成する DMDの露光データを変更することにより、第 1露光ユニット群と第 2露光ユニット群とにより形成される像の位置 (投影位置)の少なくとも 1つを補正することができる。即ち、この補正装置は、制御装置 CONT1からの制御信号に基づいて、露光光学系 L 1〜L13により形成される像の回転、シフト、倍率及びフォーカス位置の少なくとも 1 つを補正する。

[0065] 即ち、制御装置 CONT1は、センサ Cにより測定された 4つの距離 XI, X2, Yl, Y 2に基づいて検出した第 1露光ユニット群と第 2露光ユニット群との相対的な変位量（相互の変動）から、各露光光学系 L1〜L13を構成する DMDの露光データの調整量 (補正量）、または各投影光学モジュール PL 1〜PL 13を構成するフォーカス調整機構、シフト調整機構、回転調整機構、及び倍率調整機構の調整量 (駆動量)を算出する。制御装置 CONT1は、算出した調整量 (補正量また駆動量)の情報を含む制御信号を、各露光光学系 L1〜L13を構成する DMD駆動部、各投影光学モジュール PL1〜PL13を構成するフォーカス調整機構駆動部、シフト調整機構駆動部、直角プリズム駆動部、及び倍率調整機構駆動部に対して出力する。各露光光学系 L 1〜L 13を構成する DMD駆動部、各投影光学モジュール PL 1〜PL 13を構成するフォーカス調整機構駆動部、シフト調整機構駆動部、直角プリズム駆動部、及び倍率調整機構駆動部は、制御装置 CONT1からの調整量 (補正量または駆動量)の情報を含む制御信号に基づいて、各露光光学系 L1〜L13を構成する DMDのマイク口ミラー、各投影光学モジュール PL 1〜PL 13を構成するフォーカス調整機構、シフト調整機構、直角プリズム (回転調整機構)及び倍率調整機構を駆動する。これにより、第 1露光ユニット群または第 2露光ユニット群による転写パターンのプレート P上における投影位置 48a〜48mの補正を行う。

[0066] なお、制御装置 CONT1は、各露光光学系 L1〜L13を構成する DMD、各投影光学モジュール PL1〜PL13を構成するフォーカス調整機構、シフト調整機構、回転調整機構、及び倍率調整機構のうちの少なくとも 1つの調整量 (駆動量)を算出し、第 1 露光ユニット群または第 2露光ユニット群の投影位置 48a〜48mのずれの補正を行う [0067] ここで、センサ Cにより測定される 4つの距離 XI, X2, Yl, Y2は第 1露光ユニット群と第 2露光ユニット群との相対的な変位量であるため、第 1露光ユニット群の投影位置のずれ量、及び第 2露光ユニット群の投影位置のずれ量を個々に検出することができない。従って、制御装置 CONT1は、例えばレーザ干渉計システムにより計測されるプレートステージ PSTの位置、及びセンサ Cにより測定される 4つの距離 XI, X2 , Yl, Y2に基づいて、第 1露光ユニット群の投影位置のずれ量と第 2露光ユニット群の投影位置のずれ量とを個々に算出してもよい。即ち、制御装置 CONT1は、レーザ干渉計システムにより計測されるプレートステージ PSTの位置に基づいて第 2露光ユニット群の投影位置を検出する。次に、検出された第 2露光ユニット群の投影位置と、センサ Cにより測定される 4つの距離 XI, X2, Yl, Y2とに基づいて第 1露光ュ- ット群の投影位置を検出する。

[0068] また、制御装置 CONT1は、レーザ干渉計システムにより計測されるプレートステージ PSTの位置に基づいて、露光光学系 L1〜L13の全体の変動を検出することができる。また、制御装置 CONT1は、センサ Cにより測定される 4つの距離 XI, X2, Y1 , Y2に基づいて、露光光学系 L1〜L13の相互の変動を検出することができる。

[0069] 制御装置 CONT1は、検出された第 1露光ユニット群の投影位置に基づいて、第 1 露光ユニット群を構成する露光光学系 LI, L3, L5, L7, L9, Ll l, L13の少なくとも 1つにおける、 DMD、フォーカス調整機構、シフト調整機構、回転調整機構、及び倍率調整機構の少なくとも 1つの調整量 (駆動量)を算出する。また、検出された第 2 露光ユニット群の投影位置に基づいて、第 2露光ユニット群を構成する露光光学系 L 2, L4, L6, L8, LIO, L12の少なくとも 1つにおける、 DMD、フォーカス調整機構、シフト調整機構、回転調整機構、及び倍率調整機構の少なくとも 1つの調整量 (駆動量)を算出する。そして、算出された第 1露光ユニット群の投影位置を補正するための調整量、及び第 2露光ユニット群の投影位置を補正するための調整量に基づ、て、各投影光学モジュール PL1〜PL13のフォーカス調整機構、シフト調整機構、回転調整機構、及び倍率調整機構を駆動することにより補正を行う。

[0070] また、制御装置 CONT1は、第 1露光ユニット群 (または第 2露光ユニット群）の投影位置を基準（固定)として第 2露光ユニット群 (または第 1露光ユニット群)の投影位置の補正を行うこともできる。この場合には、第 1露光ユニット群の投影位置のずれ量と第 2露光ユニット群の投影位置のずれ量とを個々に算出することはしないが、第 1露光ユニット群の投影位置と第 2露光ユニット群の投影位置との相対的なずれ量を補正することができるため、第 1露光ユニット群の投影位置と第 2露光ユニット群の投影位置との継ぎ部を正確に一致させることができる。

[0071] また、制御装置 CONT1は、センサ Cにより測定された 4つの距離 XI, X2, Yl, Y 2に基づいて検出した第 1露光ユニット群と第 2露光ユニット群との相対的な変位量に基づいて、第 1露光ユニット群の投影位置を補正するための調整量と、第 1露光ュニット群の投影位置を補正するための調整量と同量の第 2露光ユニット群の投影位置を補正するための調整量を算出するようにしてもよい。即ち、第 1露光ユニット群と第 2露光ユニット群との相対的な変位量に基づいて算出された調整量の 2分の 1 (半分) ずつを、第 1露光ユニット群と第 2露光ユニット群の調整量とする。この場合には、第 1 露光ユニット群の投影位置のずれ量と、第 2露光ユニット群の投影位置のずれ量とを個々に算出することはないが、第 1露光ユニット群の投影位置と第 2露光ユニット群の投影位置との相対的なずれ量を補正することができるため、第 1露光ユニット群の投影位置と第 2露光ユニット群の投影位置との継ぎ部を正確に一致させることができる。

[0072] 以上説明したように、複数並んだ露光光学系 L1〜L13を 1つの定盤 9で支持することにより、コラム 1が歪み変形を生じたとしても、このコラム 1の歪み変形の露光光学系 L1〜L13に対する影響を小さく抑えることができる。そして、複数の露光光学系 L 1〜L13は 1つの定盤 9により支持されているので、コラム 1に歪み変形が生じても、露光光学系 L1〜L13どうしの相対位置の変化を小さく抑えることができる。従って、露光光学系 L1〜L13の結像特性 (光学性能)の変動を小さく抑えることができる。

[0073] また、センサにより第 1露光ユニット群と第 2露光ユニット群との相対的な 4つの距離を測定し、その測定結果に基づいて第 1露光ユニット群と第 2露光ユニット群との相対的な変位量、即ちキネマティック支持構造を構成する支持部等により抑制することができない第 1露光ユニット群と第 2露光ユニット群との相対位置の変化量を検出することができる。また、その検出結果に基づいて可変成形マスクにより生成されるパターンのプレート上における投影位置を前述の補正装置により補正することができるため、第 1露光ユニット群の投影位置と第 2露光ユニット群の投影位置とのずれを補正することができる。従って、第 1露光ユニット群と第 2露光ユニット群とが載置される定盤またはコラムの変形等により投影位置のずれが生じた場合においても、その投影位置のずれを補正することができるため、第 1露光ユニット群と第 2露光ユニット群との継ぎ部を正確に一致させることができ、高精度に露光を行うことができる。

[0074] また、この実施形態においては、センサ Cを投影光学モジュール PL 12及び PL 13 側（一 Y方向側）に配置している力投影光学モジュール PL1及び PL2側（+Y方向側）に配置してもよい。また、センサ Cを定盤 9の下側（—Z方向側）に配置しているが、定盤 9の上側（+Z方向側）に配置してもよい。

[0075] また、本実施形態においては、 X方向における 2つの距離 XI, X2、及び Y方向における 2つの距離 Yl, Y2を測定するようにセンサ Cを構成している力 X方向及び Y 方向の、ずれか一方における 1つ以上の距離を測定するように構成してもよ!/、。

[0076] また、本実施形態においては、前述の補正装置 (DMD、フォーカス調整機構、シフト調整機構、回転調整機構、及び倍率調整機構の少なくとも 1つ）により、第 1露光ユニット群の投影位置と第 2露光ユニット群の投影位置とのずれを補正しているが、補正装置としてプレート Pが載置されているプレートステージ PSTの姿勢を制御することにより、第 1露光ユニット群の投影位置と第 2露光ユニット群の投影位置とのずれを補正してもよい。即ち、プレートステージ PSTの位置を調整することにより、第 1露光ユニット群と第 2露光ユニット群との投影位置のずれを補正することが可能となる。

[0077] また、センサ Cの計測結果に基づいて第 1露光ユニット群と第 2露光ユニット群との投影位置のずれの補正を行なっているが、センサ Cを設けないで、第 1露光ユニット群と第 2露光ユニット群との投影位置のずれの補正を行うことも可能である。例えば、所定の気温 (露光装置内の温度など)や経過時間に基づく定盤 9の変形を予め再現することができる場合には、定盤 9の変形に基づく第 1露光ユニット群と第 2露光ュ- ット群との投影位置のずれの調整量を露光データ記憶部 76に記憶させておく。そして、所定の気温になったとき、または所定の時間が経過したとき、制御装置 CONT1 は、露光データ記憶部 76に記憶されている調整量に基づいて、第 1露光ユニット群と第 2露光ユニット群との投影位置のずれの調整を行なう。なお、図 1の露光装置が、プレートステージ PSTの移動に起因して定盤 9に歪みが生じる、即ち第 1及び第 2露光ユニット群の相対的な位置ずれが生じるボディ構造である場合、上記気温または経過時間と組み合わせて、あるいはそれらとは独立に、例えばプレートステージ PST の移動に関する情報（一例として、位置及び加速度の少なくとも一方を含む）に対応して、定盤 9の変形 (歪みなど）に関する情報、第 1及び第 2露光ユニット群の投影位置のずれに関する情報、もしくはその位置ずれの調整量を、事前に求めて露光データ記憶部 76に格納しておく。そして、プレートの露光動作中、例えばレーザ干渉計システムなど力得られるプレートステージ PSTの移動に関する計測情報 (または、プレートステージ PSTの駆動に関する指令値)などに応じた露光データ記憶部 76の格納情報に基づいて、前述の補正装置により第 1及び第 2露光ユニット群による投影像の相対的な位置ずれを補正してもよヽ。

[0078] また、補正装置としての DMDをラフ補正装置とし、補正装置としてのフォーカス調整機構、シフト調整機構、回転調整機構及び倍率調整機構をファイン補正装置として、両者を連動させて上記補正を行ってもよい。また、補正装置としてのフォーカス調整機構、シフト調整機構、回転調整機構及び倍率調整機構をラフ補正装置とし、補正装置としての DMDをファイン補正装置として、両者を連動させて上記補正を行つてもよい。

[0079] また、補正装置として DMD、フォーカス調整機構、シフト調整機構、回転調整機構及び倍率調整機構による第 1露光ユニット群の投影位置と第 2露光ユニット群の投影位置とのずれの補正は、露光光学系のキャリブレーション時、露光時、または常時行なうようにする。

[0080] この実施形態においては、各露光光学系 L1〜L13を透過する光ビームの強度 (露光量)、特に隣り合う露光光学系の継ぎ部に到達する光ビームの強度を計測し、その計測結果に基づいて継ぎ部に到達する光ビームの強度 (露光量)を調整することができる。即ち、例えば露光光学系 L1により形成される投影領域 48aと、露光光学系 L 2により形成される投影領域 48bとの継ぎ部に到達する光ビームであって、露光光学系 L1を透過した光ビームと、露光光学系 L2を透過した光ビームの各強度を強度センサにより計測する。具体的には、制御装置 CONT1は、露光光学系 L1を透過し、投影領域 48aと投影領域 48bとの継ぎ部に到達する光ビームの強度を計測できる位置に、強度センサを移動する。強度センサは、計測結果を制御装置 CONT1に対して出力する。

[0081] また、制御装置 CONT1は、露光光学系 L2を透過し、投影領域 48aと投影領域 48 bとの継ぎ部に到達する光ビームの強度を計測できる位置に、強度センサを移動する。強度センサは、計測結果を制御装置 CONT1に対して出力する。制御装置 CONT 1は、強度センサにより計測された露光光学系 L1を透過した光ビームの強度と、露光光学系 L2を透過した光ビームの強度とを比較する。露光光学系 L1を透過した光ビームの強度と露光光学系 L2を透過した光ビームの強度との差が大き、場合、投影領域 48aと投影領域 48bとの継ぎ部における露光量に対する線幅精度が低下する。従って、制御装置 CONT1は、図示しない光源の電圧等の調整を行なうことにより、露光光学系 L1を透過する光ビームの強度と、露光光学系 L2を透過する光ビームの強度とをほぼ同一にする。

[0082] なお、制御装置 CONT1は、他の継ぎ部に到達する光ビームの強度を強度センサにより計測し、その計測結果に基づいて光ビームの強度の調整を行なう。また、上記光ビームの強度 (露光量)の調整は、複数の露光光学系 L1〜L13の少なくとも 1つでそのパターン像の位置を補正する際に行うことが好ましい。なお、この実施形態にお V、ては、 XY平面内を移動可能に構成されて、る 1つの強度センサを備えて、るが、複数の強度センサを備えるようにしてもよい。また、この実施形態に力かる強度センサは、光ビームの単一のビームスポットの強度を計測している力所定の単位に分割された光ビームの強度 (例えば、 1つまたは複数の投影領域内に到達する光ビームの強度、 1つの投影領域を分割した領域内に到達する光ビームの強度)を計測するようにしてもよい。

[0083] また、露光光学系 L1〜L13により形成される投影領域 48a〜48mの継ぎ部と継ぎ部でない部分とのディストーションの影響を同一にすることが望ましい。具体的には、第 1露光ユニット群側の継ぎ部の転写パターンと第 2露光ユニット群側の継ぎ部の転写パターンとが偏重せずほぼ均一に分散されるように、 DMDによるパターン形成を行なう。この際、転写パターンの走査方向における長さについて、継ぎ部どうしの積算された長さを継ぎ部でない部分の長さと同一にする。

[0084] なお、可変成形マスクにより形成されたパターンをプレート上に形成する際に、プレ一トを載置したプレートステージを移動させることにより、プレートステージの走り誤差、露光光学系を支持しているコラムの変形が生じ、結果として第 1露光ユニットと第 2 の露光ユニットとの相対的な位置誤差が生じ、プレート上のパターンに位置誤差が発生する場合がある。この場合には、例えば試し露光を行うことにより、プレートステージの走り誤差等によるパターンの配列誤差を計測する。この計測した計測値を用いて、各投影像の位置を直接補正する補正テーブルを作成し、プレートの各位置における補正テーブルを持つことにより、像の位置の補正を逐次行うようにしてもよい。また、走査方向ごとの補正値を持つようにしてもよい。なお、本実施形態では、一回のスキャンでプレートの露光が完結するものを示した力複数の走査露光の合間にプレートステージをステップ動作させるステップアンドスキャン方式を用いてもょ、。また、露光光学系に対してプレートステージを走査させるものを示したが、露光光学系をプレートに対して走査するようにしてもよいことは言うまでもない。その際にも、露光光学系の移動による装置の変形が考えられ、プレートの各露光位置における像の位置補正値を設定するようにしてもょ、。

[0085] この実施形態にかかる走査型投影露光装置によれば、プレートステージの走査に同期して DMDにより形成される転写パターンを変化させることができるため、所望のパターンを容易に生成することができる。また、転写パターンが形成されるマスクの使用時に必要であったマスクステージを備える必要がなぐ露光装置のコストダウン及び小型化を可能とする。また、この走査型投影露光装置によれば、露光光学系が転写パターンの像の位置の補正を行ことができるため、 DMDより形成される転写パタ一ンの像を正確に投影露光することができる。

[0086] また、この実施形態にかかる走査型露光装置によれば、複数の露光光学系 L1〜L 13の変動を補償するように、複数の露光光学系 L1〜L13により形成される複数の像のうち少なくとも 1つの像の位置を補正することができるため、隣り合う露光光学系により形成される像の位置ずれを補正することができる。従って、複数の露光光学系 L1 〜L13を支持する部材の変形等により像の位置ずれが生じた場合においても、隣り合う露光光学系の継ぎ部を正確に一致させることができ、プレート P上に DMD8により形成される所定のパターンを精度良く露光することができる。

[0087] また、この実施形態にかかる走査型露光装置によれば、強度センサにより各露光光学系 L1〜L13を透過する光ビームの強度を測定し、その測定結果に基づいて露光光学系 L1〜L13の少なくとも 1つを透過する光ビームの強度を調整するため、隣り合う露光光学系の光ビームの強度の差を補正することができる。従って、隣り合う露光光学系を透過する光ビームの強度に差が生じた場合においても、その光ビームの強度の差を補正することができるため、隣り合う露光光学系の継ぎ部の露光を良好に行なうことができ、プレート P上に DMD8により形成される所定のパターンを精度良く露光することができる。

[0088] なお、この実施形態では、第 1露光ユニット群と第 2露光ユニット群との相対的な関係が変化することを示したが、各ユニット群を構成する各露光光学系のそれぞれに位置検出用のセンサを設けることにより、各露光光学系の位置'姿勢を計測し、その計測結果に応じて像の位置を補正するように前述の補正装置を制御するようにしてもよい。

[0089] また、この実施形態にかかる走査型露光装置においては、図 6に示す投影光学モジュールを備えている力図 27または図 28に示すような構成を有する投影光学モジユールを備えるようにしてもよい。図 27に示す投影光学モジュールは、プリズム 24a、レンズ群 26a、及びミラー 28aにより構成されている。図 28に示す投影光学モジユールは、ビームスプリッタ 24b、 1Z4波長板 25、レンズ群 26b、及びミラー 28bにより構成されている。

[0090] また、この実施形態にかかる走査型露光装置においては、図 2に示した点像視野絞り 18及び投影光学モジュール PL 1〜PL 13を介した光ビームによりパターン像をプレート P上に形成している力図 29に示すように、マイクロレンズアレイ 16を通過した光ビームによりパターン像をプレート P上に形成するようにしてもよい。即ち、点像視野絞り及び投影光学モジュールを備えない構成にしてもよい。この場合には、装置本体をコンパクトィ匕及び低コストィ匕することができる。 [0091] また、この実施形態においては、ファイバの射出端力も射出した略正方形の光束断面形状を有する光ビームを DMDに入射させている力例えば図 30a、図 30bに示すようなプリズム 5a, 5bを、コリメート光学系 4とミラー 6 (または DMD8)との間の光路中に挿入することにより、光束断面形状を DMD8 (マイクロミラー）と同様の矩形状に整形し、 DMD8に入射させるようにしてもよい。この場合においては、図 3に示す矩形状の DMD8に正方形状の光束を入射させた場合と比較して、光ビームを無駄なく使用することができる。

なお、上記実施形態ではその全ての光学部材 (構成要素）がー体に保持される露光光学系を定盤 9に設置するものとしたが、露光光学系の一部 (例えば、少なくとも投影光学モジュールを含む）を定盤 9に設置し、残りは定盤 9と異なる架台（コラム、フレームなど）に設けるようにしてもよい。さらに、上記実施形態では DMD8と点像視野絞り 18とにより任意のパターンをプレート P上に形成するものとした力例えば点像視野絞りを設けず DMDのみでパターンを形成してもよい。また、上記実施形態では可変成形マスク (電子マスク）として、基板上に形成すべきパターンの電子データ (露光データ）に基づいてマイクロミラーの角度が制御される DMDを用いるものとした力例えば光の振幅、位相または偏光の状態を空間的に変調する素子である、 DMD以外の非発光型画像表示素子 (空間光変調器 (Spatial Light Modulator)とも呼ばれる）を用いてもよい。さらに、上記実施形態における露光光学系は図 2に示した構成などに限られるものでなく任意で構わない。例えば、 DMDの代わりに自発光型画像表示素子を用いてもよぐこの場合には投影光学モジュールに関して基板 (プレート）と実質的に共役にその自発光型画像表示素子を配置するだけでよいので、露光光学系は自発光型画像表示素子、及び投影光学モジュールのみを有することになる。なお、自発光型画像表示素子には、例えば複数の発光点を有する固体光源チップ、チップを複数個アレイ状に配列した固体光源チップアレイ、あるいは複数の発光点を 1枚の基板に作り込んだ固体光源アレイ（例えば LED (Light Emitting Diode)ディスプレイ、 O LED (Organic Light Emitting Diode)ディスプレイ、 LD (Laser Diode)ディスプレイなど）などが含まれる。

[0092] 上述した第 1実施形態に係る走査型露光装置によれば、並列的に配置された複数の光学ユニット（露光光学系 L1〜L13の全部（2, 4, 6, 8, 10, 16, 18, PL1〜PL 13等)又は一部（例えば、投影光学モジュール PL 1〜PL 13) )の変動を補償するように、複数の光学ユニットにより形成される複数の像のうち少なくとも 1つの像の位置を補正することができるため、隣り合う光学ユニットにより形成される像の位置ずれを補正することができる。従って、複数の光学ユニットを支持する部材の変形等により像の位置ずれが生じた場合にお!、ても、隣り合う光学ユニットの継ぎ部を正確に一致させることができ、感光基板 (例えば、ガラス基板、ウェハ)等の物体上に可変成形マスクにより形成される所定のパターンを精度良く露光転写することができる。

[0093] また、この第 1実施形態の走査型露光装置によれば、ビーム強度計測系により第 1 露光ユニット及び第 2露光ユニットのビーム強度を測定し、その測定結果に基づ！/、て第 1露光ユニット及び第 2露光ユニットの少なくとも一方のビーム強度を調整するため、第 1露光ユニットのビーム強度と第 2露光ユニットのビーム強度との差を補正することができる。従って、第 1露光ユニットと第 2露光ユニットとのビーム強度に差が生じた場合においても、そのビーム強度の差を補正することができるため、第 1露光ユニットと第 2露光ユニットの継ぎ部の露光を良好に行なうことができ、感光基板上に可変成形マスクにより形成される所定のパターンを精度良く露光転写することができる。

[0094] [第 2実施形態]

次に、図面を参照して、本発明の第 2実施形態の説明を行う。図 31は、本発明の第 2実施形態に係る露光装置の概略構成図、図 32は、概略斜視図である。図 31及び図 32において、露光装置 EXは、パターンが形成されたマスク Mを支持するマスクステージ MSTと、外径が 500mmよりも大きい感光基板 (プレート) Pを支持する基板ステージ（プレートステージ） PSTと、マスクステージ MSTに支持されたマスク Mを露光光 ELで照明する照明光学系 ILと、露光光 ELで照明されたマスク Mのパターンの像を基板ステージ PSTに支持されてヽる感光基板 Pに投影する投影光学系 PLと、投影光学系 PLを定盤 101を介して支持するコラム 100と、露光処理に関する動作を統括制御する制御装置 CONT2とを備えている。コラム 100は、上部プレート部 100A と、上部プレート部 100Aの 4隅のそれぞれより下方に延びる脚部 100Bとを有しており、床面に水平に載置されたベースプレート 110上に設置されている。本実施形態にぉ、て、投影光学系 PLは複数 (本例では 7つ）並んだ投影光学モジュール PLa〜P Lgを有しており、照明光学系 ILも投影光学モジュールの数及び配置に対応して複数 (7つ）の照明光学モジュールを有している。感光基板 Pはガラス基板等のフラットパネルディスプレイに用いられる基板に感光剤（フォトレジスト）を塗布したものである

[0095] ここで、本実施形態に係る露光装置 EXは、投影光学系 PLに対してマスク Mと感光基板 Pとを同期移動して走査露光する走査型露光装置であって、所謂マルチレンズスキャン型露光装置を構成している。以下の説明において、マスク M及び感光基板 P の同期移動方向を X軸方向（走査方向）、水平面内において X軸方向と直交する方向を Y軸方向（非走査方向）、 X軸方向及び Y軸方向と直交する方向を Z軸方向とする。また、 X軸、 Y軸、及び Z軸回りのそれぞれの方向を 0 X、 0 Y、及び 0 Ζ方向とする。

[0096] 照明光学系 ILは、不図示ではあるが、複数の光源と、複数の光源力射出された光束を一旦合成した後に均等分配して射出する複数の射出部を有するライトガイドと、ライトガイドの各射出部からの光束を均一な照度分布を有する光束 (露光光）に変換するオプティカルインテグレータと、オプティカルインテグレータからの露光光をスリット状に整形するための開口を有するブラインド部と、ブラインド部を通過した露光光をマスク Μ上に結像するコンデンサレンズとを備えている。コンデンサレンズからの露光光の照射によって、マスク Μは複数のスリット状の照明領域で照明される。本実施形態における光源には水銀ランプが用いられ、露光光としては、不図示の波長選択フィルタにより、露光に必要な波長である g線 (436nm)、 h線 (405nm)、 i線（365η m)などが用いられる。

[0097] マスクステージ MSTは、コラム 100の上部プレート部 100A上に設けられている。マスクステージ MSTは、マスク Mを保持するマスクホルダ 120と、上部プレート部 100A 上においてマスクホルダ 120を X軸方向に所定ストロークで移動可能な一対のリニアモータ 121と、上部プレート部 100Aに設けられ、 X軸方向に移動するマスクホルダ 1 20を案内する一対のガイド部 122とを備えている。なお、図 32には— Y側のリニアモータ 121及びガイド部 122は図示されて!ヽな、。マスクホルダ 120はバキュームチヤックを介してマスク Mを保持する。マスクホルダ 120の中央部にはマスク Mからの露光光が通過する開口部 120Aが形成されている。一対のリニアモータ 121のそれぞれは、上部プレート部 100A上において支持部材 123で支持され、 X軸方向に延びるように設けられた固定子 121Aと、この固定子 121Aに対応して設けられ、マスクホルダ 120の Y軸方向両側に固定された可動子 121 Bとを備えて、る。リニアモータ 12 1は、固定子 121Aをコイルユニット（電機子ユニット)で構成し、可動子 121Bを磁石ユニットで構成した、所謂ムービングマグネット型リニアモータでもよいし、固定子 121 Aを磁石ユニットで構成し、可動子 121Bをコイルユニットで構成した、所謂ムービングコイル型リニアモータでもよい。そして、可動子 121Bが固定子 121Aとの間の電磁気的相互作用により駆動することでマスクホルダ 120が X軸方向に移動する。

[0098] 一対のガイド部 122のそれぞれは X軸方向に移動するマスクホルダ 120を案内するものであって、 X軸方向に延びるように設けられ、コラム 100の上部プレート部 100A に固定されて、る。マスクホルダ 120の下部にはガイド部 122と係合する凹部を有する一対の被ガイド部材 124が固定されて、る。被ガイド部材 124とガイド部 122との間には非接触ベアリングである不図示のエアベアリングが設けられており、マスクホルダ 120はガイド部 122に対して非接触で支持されつつ、 X軸方向に移動する。また、マスクステージ MSTは、不図示ではあるが、マスク Mを保持するマスクホルダ 120を Y 軸方向及び Θ Z方向に移動する移動機構も有している。そして、上記リニアモータ及び移動機構によりマスクホルダ 120 (マスクステージ MST)の姿勢が調整可能である。以下の説明では、マスクホルダ 120 (マスクステージ MST)の姿勢を調整可能な上記リニアモータ及び移動機構を適宜「マスクステージ駆動装置 MSTD」と総称する。

[0099] また、コラム 100には、後に詳述するレーザ干渉計が設けられ、定盤 101上には参照鏡が設けられ、マスクホルダ 120には移動鏡が設けられている。なお、図 31に示すように、レーザ干渉計 174から参照鏡 177に照射されるレーザビームの光路は符号 125に示すように確保されている。

[0100] 基板ステージ PSTは、ベースプレート 110上に設けられている。基板ステージ PST は、感光基板 Pを保持する基板ホルダ 130と、基板ホルダ 130を Y軸方向に案内しつつ移動自在に支持するガイドステージ 135と、ガイドステージ 135に設けられ、基板ホルダ 130を Y軸方向に移動するリニアモータ 36と、ベースプレート 110上にお!、て基板ホルダ 130をガイドステージ 135とともに X軸方向に所定ストロークで移動可能な一対のリニアモータ 131と、ベースプレート 110上に設けられ、 X軸方向に移動するガイドステージ 135 (及び基板ホルダ 130)を案内する一対のガイド部 132とを備えている。基板ホルダ 130は、バキュームチャックを介して感光基板 Ρを保持する。一対のリニアモータ 131のそれぞれは、ベースプレート 110上において支持部材 133で支持され、 X軸方向に延びるように設けられた固定子 131Aと、この固定子 131Aに対応して設けられ、ガイドステージ 135の長手方向両端部に固定された可動子 131Bとを備えている。リニアモータ 131は、固定子 131Aをコイルユニット（電機子ユニット）で構成し、可動子 131Bを磁石ユニットで構成した、所謂ムービングマグネット型リニァモータでもよいし、固定子 131Aを磁石ユニットで構成し、可動子 131Bをコイルュニットで構成した、所謂ムービングコイル型リニアモータでもよい。そして、可動子 131 Βが固定子 131Aとの間の電磁気的相互作用により駆動することで基板ホルダ 130 がガイドステージ 135とともに X軸方向に移動する。一対のガイド部 132のそれぞれは、 X軸方向に移動するガイドステージ 135及び基板ホルダ 130を案内するものであつて、 X軸方向に延びるように設けられ、ベースプレート 110に固定されている。

ガイドステージ 135の下部には、ガイド部 132と係合する凹部を有する被ガイド部材 134が固定されて、る。被ガイド部材 134とガイド部 132との間には非接触ベアリングである不図示のエアベアリングが設けられており、ガイドステージ 135はガイド部 132 に対して非接触で支持されつつ X軸方向に移動する。同様に、リニアモータ 136も、ガイドステージ 135に設けられた固定子 136Aと、基板ホルダ 130に設けられた可動子 136Bとを有しており、基板ホルダ 130はリニアモータ 136の駆動によりガイドステージ 135に案内されつつ Υ軸方向に移動する。また、一対のリニアモータ 131のそれぞれの駆動を調整することで、ガイドステージ 135は θ Ζ方向にも回転可能となっている。従って、この一対のリニアモータ 131により基板ホルダ 130がガイドステージ 13 5とほぼ一体的に X軸方向及び θ Ζ方向に移動可能となっている。更に、基板ステージ PSTは基板ホルダ 130を Ζ軸方向、 θ X及び θ Υ方向に移動する移動機構も有している。そして、上記リニアモータ及び移動機構により基板ホルダ 130 (基板ステージ PST)の姿勢が調整可能である。以下の説明では、基板ホルダ 130 (基板ステージ P ST)の姿勢を調整可能な上記リニアモータ及び移動機構を適宜「基板ステージ駆動装置 PSTD」と総称する。

[0102] コラム 100には、後に詳述するレーザ干渉計が設けられ、投影光学モジュール PLa 〜PLgの鏡筒の所定位置には参照鏡が設けられ、基板ホルダ 130には移動鏡が設けられて、る。投影光学系 PLは複数（7つ）並んだ投影光学モジュール PLa〜PLg を有しており、これら複数の投影光学モジュール PLa〜PLgは 1つの定盤 101に支持されている。そして、図 31に示すように、投影光学モジュール PLa〜PLgを支持している定盤 101は、コラム 100の上部プレート部 100Aに対して支持部 102を介して支持されている。ここで、上部プレート部 100Aの中央部には開口部 100Cが設けられており、定盤 101は上部プレート部 100Aのうち開口部 100Cの周縁部上に支持されている。そして、投影光学モジュール PLa〜PLgの下部が開口部 100Cに配置されている。なお、図 31では、開口部 100Cの周縁部に段部が形成され、この段部に支持部 102が設けられている力上部プレート部 100Aは平坦面であってもよい。

[0103] 図 33は投影光学モジュール PLa〜PLgを支持している定盤 101を示す概略斜視図であり、図 34は平面図である。図 33及び図 34に示すように、投影光学系 PLは複数の投影光学モジュール PLa〜PLgで構成されており、これら投影光学モジュール PLa〜PLgは定盤 101に支持されている。定盤 101は、コラム（支持構造体） 100の上部プレート部 100Aに支持部 102を介してキネマティックに支持されている。支持部 102は、定盤 101の 3箇所の所定位置にそれぞれ設けられている。複数の投影光学モジュール PLa〜PLgのうち投景光学モジュール PLa、 PLc、 PLe、 PLgは、 Y方向（走査方向と交差する方向）に並んでおり、 X方向（走査方向）の前方側に配置されている（以下、第 1投影光学ユニットという。 ) οまた、投影光学モジュール PLb、 PL d、 PLfは、 Y方向に並んでおり、 X方向の後方側に配置されている（以下、第 2投影光学ユニットという。 )₀また、第 1投影光学ユニットと第 2投影光学ユニットとは X方向に所定間隔だけ離れて配置されており、第 1投影光学ユニットを構成する各投影光学モジュール PLa、 PLc, PLe、 PLgと、第 2投影光学ユニットを構成する各投影光学モジュール PLb、 PLd、 PLfとは千鳥状に配置されている。すなわち、千鳥状に配置されて!、る投影光学モジュール PLa〜PLgのそれぞれは、隣り合う投影光学モジユール（例えば、投影光学モジュール PLaと PLb、 PLbと PLc)を Y方向に所定量変位させて配置されている。

[0104] 定盤 101は、例えばメタルマトリクス複合材（MMC : Metal Matrix Composites)により形成されている。メタルマトリクス複合材は、金属をマトリクス材としてその中にセラミックス強化材を複合した複合材であり、ここでは金属としてアルミニウムを含むものが用いられている。定盤 101の中央部には開口部 101Aが形成されており、この開口部 101Aにより投影光学モジュール PLa〜PLgそれぞれの露光光 ELの光路が確保されている。ここで、定盤 101は平面視において左右対称な六角形状 (ホームベース状）に形成されており、第 1投影光学ユニットは定盤 101の幅の広い部分で支持され、第 2投影光学ユニットは定盤 101の幅の狭い部分で支持されている。すなわち、複数並んだ投影光学モジュールの数に応じて定盤 101の形状が設定されており、投影光学モジュール PLa〜PLgを支持するのに十分な強度を得られる範囲において、使用材料が最小限に抑えられて、る。

[0105] 投影光学モジュール PLa〜PLgのそれぞれは、鏡筒 PKと、鏡筒 PKの内部に配置されている複数の光学素子（レンズ)とを有している。そして、投影光学モジュール PL a〜PLgのそれぞれは、定盤 101に対して互いに独立して接続されており、又分離可能である。これにより、投影光学モジュールをモジュール単位で増減させることが可能となり、その場合において、投影光学モジュールの定盤 101に対する取り付け、及び取り外し作業を容易に行うことができる。更に、投影光学モジュール PLa〜PLgのそれぞれを定盤 101に対して互いに独立して接続及び分離可能としたことにより、定盤 101の所定の基準位置 (例えば、開口部 101Aの中心位置）に対してそれぞれ独立して位置決め可能であり、各投影光学モジュール PLa〜PLgの互、の相対位置を任意に設定することができる。

[0106] 図 35aは支持部 102の拡大図である。図 35aに示すように、支持部 102は、コラム 1 00の上部プレート部 100Aに設けられ、 V状内面 103を有する V溝部材 104と、 V溝部材 104の V状内面 103に接する球面 105Aを有する球状部材 105とを備えている。 V溝部材 104はコラム 100の上部プレート部 100Aに固定されている。また、定盤 1 01の下面には球状部材 105を配置可能な球面状凹部 106が形成されており、定盤 101の球面状凹部 106の内面 106Aと球状部材 105の球面 105Aとが接している。球状部材 105は V溝部材 104の V状内面 103に載置された状態であって、 V状内面 103に対して球状部材 105の表面 105Aは V字稜線方向（図 34中の矢印 y参照）に摺動可能となっている。更に、定盤 101は球面状凹部 106を介して球状部材 105に載置された状態であって、球面状凹部 106の内面 106Aと球状部材 105の表面 105 Aとは摺動可能となっている。これら面どうしが摺動可能であることにより、例えばコラム 100が僅かに変形した際、これら面どうしが摺動することで、コラム 100の変形の定盤 101への影響が抑制されている。

[0107] V溝部材 104の V状内面 103及び球状部材 105の表面 105Aのそれぞれには、低摩擦部としての低摩擦材料膜がコーティングにより設けられて、る。低摩擦材料膜としては、例えばダイヤモンドライクカーボンが挙げられる。これにより、 V溝部材 104の V状内面 103と球状部材 105の表面 105Aとの摩擦力が低減される。同様に、球面状凹部 106の内面 106Aにも低摩擦材料膜が設けられており、これにより、球面状凹部 106の内面 106Aと球状部材 105の表面 105Aとの摩擦力も低減されている。そして、これら面を低摩擦処理したことにより静止摩擦係数が抑えられ、例えばコラム 100 が僅かに変形して前記面どうしが摺動する際に生じる応力が抑えられ、コラム 100の変形の定盤 101への影響を良好に抑えることができる。

[0108] なお、ここでは、 V状内面 103及び球状部材 105の表面 105Aのそれぞれに低摩擦材料膜が設けられている構成である力 V状内面 103又は球状部材 105の表面 1 05Aのいずれか一方に低摩擦材料膜を設ける構成でも構わない。同様に、球面状凹部 106の内面 106A及び球状部材 105の表面 105Aのそれぞれに低摩擦材料膜を設ける構成の他に、球面状凹部 106の内面 106A又は球状部材 105の表面 105 Aのいずれか一方に低摩擦材料膜を設ける構成でもよい。更に、図 35bに示すように、コラム 100に球面状凹部 106を有する部材を設けるとともに、定盤 101の下面に V状内面 103を設け、これらの間に球状部材 105を配置する構成であっても構わない。

[0109] 図 34に戻って、支持部 102は定盤 101の面方向（XY方向）における 3箇所の所定の位置にそれぞれ設けられている。そして、 V溝部材 104の V字稜線 Lの延長線のそれぞれが、複数並んだ投影光学モジュール PLa〜PLgの XY方向におけるほぼ中央部 Oで交わるように、 V溝部材 104のそれぞれが配置されている。これにより、コラム 1 00が変形しても中央部 Oが大きく移動しない構成となっている。そして、これら支持部 102により所謂キネマティック支持構造が構成される。これにより、コラム 100が変形しても、投影光学系 PLゃ定盤 101は大きく移動せず、複数の投影光学モジュール PLa〜PLgの互いの相対位置の変化を小さく抑えることができる。

[0110] また、投影光学系 PLには、図 36に示すように、投影光学モジュール PLa及び PLb 側（一 Y方向側)であって定盤 101の下側（一 Z方向側）に、第 1投影光学ユニットと第 2投影光学ユニットとの相対的な変位量を測定するセンサ (変位量測定装置、計測装置) Cが設けられている。センサ Cは、キネマティック支持構造を構成する支持部 102 等により抑えることができない第 1投影光学ユニットと第 2投影光学ユニットとの相対位置の変化量を測定する。センサ Cとしては、例えば静電容量センサ、変位センサ、干渉計等が用いられる。センサ Cは、図 37aに示すように、第 1投影光学ユニットと第 2投影光学ユニットとの X方向（走査方向）における相対的な第 1の距離 XIを測定する。また、図 37bに示すように、第 1投影光学ユニットと第 2投影光学ユニットとの X方向における相対的な第 2の距離 X2を測定する。センサ Cにより測定された距離 XI及び X2は、制御装置 CONT2に対して出力される。

[0111] 例えば、図 38aに示すように、定盤 101が破線で示す形状から実線で示す形状に変形した場合、第 1投影光学ユニットと第 2投影光学ユニットとの X方向における相対的なずれが生じる。即ち、第 1投影光学ユニットにより感光基板 P上に投影される像と、第 2投影光学ユニットにより感光基板 P上に投影される像との X方向におけるずれが生じる。制御装置 CONT2は、センサ Cにより測定された距離 XI, X2に基づいて、第 1投影光学ユニットと第 2投影光学ユニットとの X方向における相対的な変位量を検出する。即ち、第 1投影光学ユニットと第 2投影光学ユニットとの相対的な並進量（ X方向における相対的なずれ量)を検出する。

[0112] また、センサ Cは、図 37aに示すように、第 1投影光学ユニットと第 2投影光学ュ-ットとの Y方向（走査方向と交差する方向）における相対的な第 1の距離 Y1を測定する。また、図 37cに示すように、第 1投影光学ユニットと第 2投影光学ユニットとの Y方向における相対的な第 2の距離 Y2を測定する。センサ Cにより測定された距離 Y1及び Y2は、制御装置 CONT2に対して出力される。

[0113] 例えば、図 38bに示すように、定盤 101が破線で示す形状から実線で示す形状に変形した場合、第 1投影光学ユニットと第 2投影光学ユニットとの Y方向における相対的なずれが生じる。即ち、第 1投影光学ユニットにより感光基板 P上に投影される像と、第 2投影光学ユニットにより感光基板 P上に投影される像との Y方向におけるずれが生じる。制御装置 CONT2は、センサ Cにより測定された距離 Yl, Y2に基づいて、第 1投影光学ユニットと第 2投影光学ユニットとの相対的な変位量を検出する。即ち、第 1投影光学ユニットと第 2投影光学ユニットとの相対的な姿勢差 (Y方向における相対的なずれ量)を検出する。

[0114] 図 39は、投影光学系（投影光学モジュール)の構成図である。投影光学モジユール PLa〜PLgのそれぞれは、照明光学モジュールにより露光光 ELで照明されたマスク Mの照明領域に存在するパターン像を感光基板 Pに投影するものであり、シフト調整機構 150と、二組の反射屈折型光学系 151、 152と、像面調整機構 153と、不図示の視野絞りと、スケーリング調整機構 154とを備えている。以下では投影光学モジユール PLfについて説明する力他の投景光学モジュール PLa、 PLb、 PLc、 PLd、 PLe、 PLgも投影光学モジュール PLfと同様の構成である。

[0115] マスク Mを透過した光束は、シフト調整機構 150に入射する。シフト調整機構 150 は、 Y軸回りに回転可能に設けられた平行平面ガラス板 150Aと、 X軸回りに回転可能に設けられた平行平面ガラス板 150Bとを有してヽる。平行平面ガラス板 150Aはモータなどの駆動装置 150Adにより Y軸回りに回転し、平行平面ガラス板 150Bはモータなどの駆動装置 150Bdにより X軸回りに回転する。平行平面ガラス板 150Aが Y 軸回りに回転することにより感光基板 P上におけるマスク Mのパターンの像は X軸方向にシフトし、平行平面ガラス板 150Bが X軸回りに回転することにより感光基板 P上におけるマスク Mのパターンの像は Y軸方向にシフトする。駆動装置 150Ad, 150B dの駆動速度及び駆動量は制御装置 CONT2によりそれぞれ独立して制御されるようになつている。駆動装置 150Ad, 150Bdのそれぞれは制御装置 CONT2の制御に基づいて、平行平面ガラス板 150A, 150Bのそれぞれを所定速度で所定量 (所定角度）回転する。シフト調整機構 150を透過した光束は、 1組目の反射屈折型光学系 151に入射する。

[0116] 反射屈折型光学系 151は、マスク Mのパターンの中間像を形成するものであって、直角プリズム (補正機構） 155と、レンズ 156と、凹面鏡 157とを備えている。直角プリズム 155は Z軸回りに回転可能に設けられており、モータなどの駆動装置 155dにより Z軸回りに回転する。直角プリズム 155が Z軸回りに回転することにより感光基板 P上におけるマスク Mのパターンの像は Z軸回りに回転する。すなわち、直角プリズム 155 はローテーション調整機構としての機能を有している。駆動装置 155dの駆動速度及び駆動量は制御装置 CONT2により制御されるようになっている。駆動装置 155dは制御装置 CONT2の制御に基づ、て、直角プリズム 155を所定速度で所定量 (所定角度）回転する。反射屈折型光学系 151により形成されるパターンの中間像位置には不図示の視野絞りが配置されている。視野絞りは、感光基板 P上における投影領域を設定するものであって、例えば感光基板 P上での投影領域を台形状に設定する。視野絞りを透過した光束は、 2組目の反射屈折型光学系 152に入射する。

[0117] 反射屈折型光学系 152は、反射屈折型光学系 151と同様に、ローテーション調整機構としての直角プリズム (補正機構） 158と、レンズ 159と、凹面鏡 160とを備えている。直角プリズム 158もモータなどの駆動装置 158dの駆動により Z軸回りに回転するようになっており、その回転により感光基板 P上におけるマスク Mのパターンの像を Z 軸回りに回転する。駆動装置 158dの駆動速度及び駆動量は制御装置 CONT2により制御されるようになっており、駆動装置 158dは制御装置 CONT2の制御に基づいて、直角プリズム 158を所定速度で所定量 (所定角度）回転する。

[0118] 反射屈折型光学系 152から射出した光束は、スケーリング調整機構 (補正機構) 15 4を通り、感光基板 P上にマスク Mのパターンの像を正立等倍で結像する。スケーリング調整機構 154は、図 39のようにレンズを Z軸方向に移動させたり、又は 3枚のレンズ構成で、例えば凹レンズ、凸レンズ、凹レンズから構成され、凹レンズと凹レンズとの間に位置する凸レンズを Z軸方向に移動させることにより、マスク Mのパターンの像の倍率 (スケーリング)調整を行うようになっている。図 39の場合、凸レンズは駆動装置 154dにより移動するようになっており、駆動装置 154dは制御装置 CONT2により制御される。駆動装置 154dは制御装置 CONT2の制御に基づいて、凸レンズを所定速度で所定量移動させる。なお、凸レンズは、両凸レンズでも平凸レンズでもよい。

[0119] 二組の反射屈折型光学系 151, 152の間の光路上には、投影光学モジュール PLf の結像位置及び像面の傾斜を調整する像面調整機構 153が設けられている。像面調整機構 153は反射屈折型光学系 151による中間像が形成される位置近傍に設けられている。すなわち、像面調整機構 153はマスク M及び感光基板 Pに対してほぼ共役な位置に設けられている。像面調整機構 153は、第 1光学部材 153Aと、第 2光学部材 153Bと、第 1光学部材 153A及び第 2光学部材 153Bを非接触状態に支持する不図示のエアベアリングと、第 2光学部材 153Bに対して第 1光学部材 153Aを移動する駆動装置 153Ad、 153Bdとを備えている。第 1光学部材 153A及び第 2光学部材 153Bのそれぞれは、露光光 ELを透過可能な、くさび状のガラス板であり、一対のくさび型光学部材を構成している。露光光 ELはこの第 1光学部材 153A及び第 2光学部材 153Bのそれぞれを通過する。駆動装置 153Ad、 153Bdの駆動量及び駆動速度、すなわち第 1光学部材 153Aと第 2光学部材 153Bとの相対的な移動量及び移動速度は制御装置 CONT2により制御される。第 2光学部材 153Bに対して第 1光学部材 153Aが X軸方向にスライド (移動)することにより投影光学モジュール P Lfの像面位置力 ¾軸方向に移動し、第 2光学部材 153Bに対して第 1光学部材 153 Aが θ Z方向に回転することにより投影光学モジュール PLfの像面が傾斜する。

[0120] 上記シフト調整機構 150、ローテーション調整機構 155、 158、スケーリング調整機構 154、及び像面調整機構 153は、投影光学モジュール PLfの光学特性 (結像特性 )を調整する調整装置として機能する。なお、光学特性の調整装置としては、一部の光学素子 (レンズ)間を密封して内部圧力を調整する機構であってもよい。また、各投影光学モジュール PLa〜PLgを構成するシフト調整機構、ローテーション調整機構、スケーリング調整機構及び像面調整機構は、第 1投影光学ユニットの投影位置と第 2 投影光学ユニットの投影位置とのずれを補正する補正装置 (光学特性調整装置)としても機能する。即ち、この補正装置 (光学特性調整装置）は、制御装置 CONT2からの制御信号に基づいて、第 1投影光学ユニットまたは第 2投影光学ユニットによるマスク Mのパターンの感光基板 P上における投影位置の補正を行う。

[0121] 即ち、制御装置 CONT2は、センサ Cにより測定された 4つの距離 XI, X2, Yl, Y 2に基づいて検出した第 1投影光学ユニットと第 2投影光学ユニットとの相対的な変位量から、各投影光学モジュール PLa〜PLgを構成するシフト調整機構、ローテーション調整機構、スケーリング調整機構及び像面調整機構の調整量 (駆動量)を算出する。制御装置 CONT2は、その算出した調整量 (駆動量)の情報を含む制御信号を、各投影光学モジュール PLa〜PLgを構成するシフト調整機構、ローテーション調整機構、スケーリング調整機構及び像面調整機構に出力する。各投影光学モジュール PLa〜PLgを構成するシフト調整機構、ローテーション調整機構、スケーリング調整機構及び像面調整機構は、制御装置 CONT2からの調整量 (駆動量)の情報を含む制御信号に基づいて、第 1投影光学ユニットまたは第 2投影光学ユニットによるマスク Mのパターンの感光基板 P上における投影位置の補正を行う。ここで、投影位置とは、 X方向（走査方向）における位置、 Y方向（走査方向と直交する方向）における位置及び投影光学系 PLの光軸方向を軸とする回転方向における位置の少なくとも 1つを示している。

[0122] なお、制御装置 CONT2は、各投影光学モジュール PLa〜PLgを構成するシフト調整機構、ローテーション調整機構、スケーリング調整機構及び像面調整機構のうちの少なくとも 1つの調整量 (駆動量)を算出し、第 1投影光学ユニットまたは第 2投影光学ユニットの投影位置のずれの補正を行う。

[0123] ここで、センサ Cにより測定される 4つの距離 XI, X2, Yl, Y2は第 1投影光学ュ- ットと第 2投影光学ユニットとの相対的な変位量であるため、第 1投影光学ユニットの投影位置のずれ量及び第 2投影光学ユニットの投影位置のずれ量を個々に検出することができない。従って、制御装置 CONT2は、例えば後述するレーザ干渉計システムにより計測されるマスクホルダ 120 (マスクステージ MST)または基板ホルダ 130 (基板ステージ PST)の位置、及びセンサ Cにより測定される 4つの距離 XI, X2, Y1 , Y2に基づいて、第 1投影光学ユニットの投影位置のずれ量と第 2投影光学ユニットの投影位置のずれ量を個々に算出してもよい。

[0124] 即ち、制御装置 CONT2は、レーザ干渉計システムにより計測されるマスクホルダ 1 20または基板ホルダ 130の位置に基づいて第 2投影光学ユニットの投影位置を検出する。次に、検出された第 2投影光学ユニットの投影位置とセンサ Cにより測定される 4つの距離 XI, X2, Yl, Y2に基づいて第 1投影光学ユニットの投影位置を検出する。次に、検出された第 1投影光学ユニットの投影位置に基づいて、第 1投影光学ュニットを構成する投影光学モジュール PLa, PLc, PLe, PLgの少なくとも 1つにおける、シフト調整機構、ローテーション調整機構、スケーリング調整機構及び像面調整機構の少なくとも 1つの調整量 (駆動量)を算出する。また、検出された第 2投影光学ユニットの投影位置に基づ、て、第 2投影光学ユニットを構成する投影光学モジユール PLb, PLd, PLfの少なくとも 1つにおける、シフト調整機構、ローテーション調整機構、スケーリング調整機構及び像面調整機構の少なくとも 1つの調整量 (駆動量)を算出する。算出された第 1投影光学ユニットの投影位置を補正するための調整量及び第 2投影光学ユニットの投影位置を補正するための調整量に基づヽて、各投影光学モジュール PLa〜PLgのシフト調整機構、ローテーション調整機構、スケーリング調整機構及び像面調整機構を駆動することにより補正を行う。

[0125] また、制御装置 CONT2は、第 1投影光学ユニットの投影位置を基準（固定)として第 2投影光学ユニットの投影位置の補正を行うこともできる。この場合には、第 1投影光学ユニットの投影位置のずれ量と第 2投影光学ユニットの投影位置のずれ量とを個々に算出することはしないが、第 1投影光学ユニットの投影位置と第 2投影光学ュニットの投影位置との相対的なずれ量を補正することができるため、第 1投影光学ュニットの投影位置と第 2投影光学ユニットの投影位置との継ぎ部を正確に一致させることができる。なお、第 2投影光学ユニットの投影位置を基準（固定)として第 1投影光学ユニットの投影位置の補正を行うこともできる。

[0126] また、制御装置 CONT2は、センサ Cにより測定された 4つの距離 XI, X2, Yl, Y 2に基づいて検出した第 1投影光学ユニットと第 2投影光学ユニットとの相対的な変位量に基づいて、第 1投影光学ユニットの投影位置を補正するための調整量と、第 1投影光学ユニットの投影位置を補正するための調整量と同量の第 2投影光学ユニットの投影位置を補正するための調整量とを算出するようにしてもよい。即ち、第 1投影光学ユニットと第 2投影光学ユニットとの相対的な変位量に基づいて算出された調整量の 2分の 1 (半分)ずつを第 1投影光学ユニットと第 2投影光学ユニットの調整量とする。この場合には、第 1投影光学ユニットの投影位置のずれ量と第 2投影光学ユニットの投影位置のずれ量とを個々に算出することはないが、第 1投影光学ユニットの投影位置と第 2投影光学ユニットの投影位置との相対的なずれ量を補正することができるため、第 1投影光学ユニットの投影位置と第 2投影光学ユニットの投影位置との継ぎ部を正確に一致させることができる。

[0127] なお、— X側の投影光学モジュール PLa、 PLc、 PLe、 PLgと、 +X側の投影光学モジュール PLb、 PLd、 PLfとの間には、マスク Mのパターン形成面及び感光基板 P の被露光面の Z軸方向における位置を検出するオートフォーカス検出系 200が設けられている。オートフォーカス検出系 200を構成する光学素子はハウジング内部に配置されており、これら光学素子及びノヽウジングによりオートフォーカスユニット (AFュニット) Uが形成されている。

[0128] 図 40はマスクホルダ 120 (マスクステージ MST)の位置を計測するレーザ干渉計システムの概略構成図である。図 40において、マスクホルダ 120の— X側の端縁には Y軸方向に延びる X移動鏡 170が設けられ、マスクホルダ 120の— Y側の端縁には X 軸方向に延びる Y移動鏡 171が設けられている。 X移動鏡 170に対向する位置には 2つのレーザ干渉計 172、 173が Y軸方向に並んで設けられている。また、 Y移動鏡 171に対向する位置にはレーザ干渉計 174が設けられている。レーザ干渉計 172、 173、 174はコラム 100の上部プレート部 100Aに設置されている（図 32参照）。また、定盤 101には参照鏡 175、 176、 177が取り付けられている。参照鏡 175はレーザ干渉計 172に対向する位置に設けられ、参照鏡 176はレーザ干渉計 173に対向する位置に設けられ、参照鏡 177はレーザ干渉計 174に対向する位置に設けられている。 2つのレーザ干渉計 172、 173のうち、 +Y側に設けられているレーザ干渉計 17 2は、 X移動鏡 170に測長ビーム（レーザビーム） 170aを照射するとともに、参照鏡 1 75に参照ビーム（レーザビーム） 175a、 175bを照射する。同様に、—Y側に設けられているレーザ干渉計 173は、 X移動鏡 170に測長ビーム 170bを照射するとともに、参照鏡 176に参照ビーム 176a、 176bを照射する。照射した測長ビーム及び参照ビームに基づく X移動鏡 170及び参照鏡 175、 176それぞれ力もの反射光はレーザ干渉計 172、 173の受光部で受光され、レーザ干渉計 172、 173はこれら光を干渉し、参照ビームの光路長を基準とした測長ビームの光路長の変化量、ひいては、参照鏡 175、 176を基準とした X移動鏡 170の位置 (座標)を計測する。レーザ干渉計 1 72、 173の計測結果は制御装置 CONT2に出力され、制御装置 CONT2はレーザ干渉計 172、 173の計測結果に基づいて、マスクホルダ 120 (マスクステージ MST) の X軸方向における位置を求める。

[0129] また、レーザ干渉計 174は、 Y移動鏡 171に測長ビーム 171a、 171bを照射するとともに、参照鏡 177に参照ビーム 177a、 177bを照射する。照射した測長ビーム及び参照ビームに基づく Y移動鏡 171及び参照鏡 177それぞれ力もの反射光はレーザ干渉計 174の受光部で受光され、レーザ干渉計 174はこれら光を干渉し、参照ビームの光路長を基準とした測長ビームの光路長の変化量、ひいては、参照鏡 177を基準とした Y移動鏡 171の位置 (座標)を計測する。レーザ干渉計 174の計測結果は制御装置 CONT2に出力され、制御装置 CONT2はレーザ干渉計 174の計測結果に基づいて、マスクホルダ 120 (マスクステージ MST)の Y軸方向における位置を求める。

[0130] また、制御装置 CONT2は、移動鏡 170に照射された Y軸方向に並ぶ測長ビーム 170a, 170bの計測結果に基づいて、マスクホルダ 120の θ Z方向における姿勢を求めることができる。ここで、マスクホルダ 120の一 X側に設けられたレーザ干渉計 17 2は、参照鏡 175に対して Z軸方向に並ぶ 2つの参照ビーム 175a、 175bを照射する。同様に、マスクホルダ 120の— X側に設けられたレーザ干渉計 173は、参照鏡 176 に対して Z軸方向に並ぶ 2つの参照ビーム 176a、 176bを照射する。レーザ干渉計 1 72、 173の計測結果は制御装置 CONT2に出力され、制御装置 CONT2は、 Z軸方向に並ぶ、例えば参照ビーム 175a及び 175bそれぞれの光路長測定結果 (あるいは参照ビーム 176a及び 176bそれぞれの光路長測定結果）に基づいて、投影光学モジュール PLa〜PLgを支持した定盤 101の θ Y方向における姿勢を求めることができる。また、制御装置 CONT2は、 Y軸方向に並ぶ、例えば参照ビーム 175a及び 17 6aそれぞれの光路長測定結果 (あるいは参照ビーム 175b及び 176bそれぞれの光路長測定結果）に基づいて、定盤 101の Θ Z方向における姿勢を求めることができる [0131] また、マスクホルダ 120の一 Y側に設けられたレーザ干渉計 174は、参照鏡 177に対して Ζ軸方向に並ぶ 2つの参照ビーム 177a、 177bを照射する。レーザ干渉計 17 4の計測結果は制御装置 CONT2に出力され、制御装置 CONT2は、 Z軸方向に並ぶ参照ビーム 177a及び 177bそれぞれの光路長測定結果に基づいて、定盤 101の Θ X方向における姿勢を求めることができる。

[0132] こうして、制御装置 CONT2は、レーザ干渉計 172、 173、 174により参照鏡 175、 176、 177に照射した参照ビームによる計測結果に基づいて、投影光学モジュール PLa〜PLgを支持した定盤 101の姿勢、すなわち、 X軸、 Y軸、 0 X、 0 Y、及び 0 Z 方向における位置を求めることができる。制御装置 CONT2は、定盤 101の姿勢計測結果に基づいて、マスクホルダ 120の姿勢を、マスクステージ駆動装置 MSTDを介して制御する。例えば、制御装置 CONT2は、定盤 101の θ Y方向の傾斜量を補正量として、マスクホルダ 120の姿勢を補正する。これ〖こより、定盤 101の姿勢が変化した場合でも、定盤 101に支持されてヽる投影光学モジュール PLa〜PLgとマスクホルダ 120 (及びこのマスクホルダ 120に保持されて!、るマスク M)との相対位置を維持することができる。

[0133] 図 41は基板ホルダ 130 (基板ステージ PST)の位置を計測するレーザ干渉計システムの概略構成図である。図 41において、基板ホルダ 130の— X側の端縁には Y軸方向に延びる X移動鏡 180が設けられ、基板ホルダ 130の— Y側の端縁には X軸方向に延びる Y移動鏡 181が設けられている。 X移動鏡 180に対向する位置には、 3つのレーザ干渉計 182、 183、 184が Y軸方向に並んで設けられている。また、 Y移動鏡 181に対向する位置には、 3つのレーザ干渉計 185、 186、 187が X軸方向に並んで設けられている。レーザ干渉計 182, 183、 184はベースプレート 110に設置されている（図 32参照）。また、レーザ干渉計 185、 186、 187はコラム 100の上部プレート部 100Aから垂下するように設けられて、る（図 32参照)。

[0134] 投景光学モジユーノレの鏡筒 PKに ίま参照鏡 188、 189、 190、 191、 192、 193力 S 取り付けられている。参照鏡 188は、 Υ軸方向に 3つ並んだレーザ干渉計 182、 183 、 184のうち +Υ側のレーザ干渉計 182に対向する位置に設けられ、参照鏡 189は中央のレーザ干渉計 183に対向する位置に設けられている。参照鏡 190は Y側のレーザ干渉計 184に対向する位置に設けられている。参照鏡 191は、 X軸方向に 3 つ並んだレーザ干渉計 185、 186、 187のうち X側のレーザ干渉計 185に対向する位置に設けられ、参照鏡 192は中央のレーザ干渉計 186に対向する位置に設けられ、参照鏡 193は +X側のレーザ干渉計 187に対向する位置に設けられている。

[0135] レーザ干渉計 182は、 X移動鏡 180に測長ビーム（レーザビーム） 180aを照射するとともに、参照鏡 188に参照ビーム（レーザビーム） 188aを照射する。レーザ干渉計 1 83は、参照鏡 189に参照ビーム 189a、 189bを照射する。レーザ干渉計 184は、 X 移動鏡 180に測長ビーム 180b、 180cを照射するとともに、参照鏡 190に参照ビーム 190a、 190bを照射する。照射した測長ビーム及び参照ビームに基づく X移動鏡 1 80及び参照鏡 188、 190それぞれ力もの反射光はレーザ干渉計 182、 184の受光部で受光され、レーザ干渉計 182、 184はこれら光を干渉し、参照ビームの光路長を基準とした測長ビームの光路長の変化量、ひいては、参照鏡 188、 190を基準とした X移動鏡 180の位置 (座標）を計測する。レーザ干渉計 182、 184の計測結果は制御装置 CONT2に出力され、制御装置 CONT2はレーザ干渉計 182、 184の計測結果に基づ、て基板ホルダ 130 (基板ステージ PST)の X軸方向における位置を求める。

[0136] また、レーザ干渉計 185は、 Y移動鏡 181に測長ビーム 181aを照射するとともに、参照鏡 191に参照ビーム 191aを照射する。レーザ干渉計 186は、 Y移動鏡 181に測長ビーム 181b、 181cを照射するとともに、参照鏡 192に参照ビーム 192a、 192b を照射する。レーザ干渉計 187は、 Y移動鏡 181に測長ビーム 181dを照射するとともに、参照鏡 193に参照ビーム 193aを照射する。照射した測長ビーム及び参照ビームに基づく Y移動鏡 181及び参照鏡 191、 192、 193それぞれからの反射光はレーザ干渉計 185、 186、 187の受光部で受光され、レーザ干渉計 185、 186、 187はこれら光を干渉し、参照ビームの光路長を基準とした測長ビームの光路長の変化量、ひいては、参照鏡 191、 192、 193を基準とした Y移動鏡 181の位置 (座標）を計測する。レーザ干渉計 185、 186、 187の計測結果は制御装置 CONT2に出力され、制御装置 CONT2はレーザ干渉計 185、 186、 187の計測結果に基づいて基板ホルダ 130 (基板ステージ PST)の Y軸方向における位置を求める。

[0137] また、制御装置 CONT2は、移動鏡 180に照射された Υ軸方向に並ぶ測長ビーム 180a, 180b (180c)の計測結果に基づいて、基板ホルダ 130の θ Z方向における姿勢を求めることができる。更に、 X軸方向に 3つのレーザ干渉計 185、 186、 187力 S 並んでいることにより、基板ホルダ 130の Y軸方向における位置を計測する際に、走查移動する基板ホルダ 130の X軸方向における位置に応じて使用するレーザ干渉計を切り替えて位置検出することもできる。

[0138] ここで、レーザ干渉計 183は、参照鏡 189に対して Z軸方向に並ぶ 2つの参照ビーム 189a、 189bを照射する。レーザ干渉計 183の計測結果は制御装置 CONT2に出力され、制御装置 CONT2は、参照ビーム 189a及び 189bそれぞれの光路長測定結果に基づいて、定盤 101に支持されている投影光学モジュール PLa〜PLgの θ Y 方向における姿勢を求めることができる。また、制御装置 CONT2は、 Y軸方向に並ぶ、例えば参照ビーム 188a及び 190a (190b)それぞれの光路長測定結果に基づいて、定盤 101に支持された投影光学モジュール PLa〜PLgの θ Z方向における姿勢を求めることができる。

[0139] マスクホルダ 120と同様、制御装置 CONT2は、定盤 101の姿勢計測結果に基づいて、基板ホルダ 130の姿勢を、基板ステージ駆動装置 PSTDを介して制御し、定盤 101に支持されている投影光学モジュール PLa〜PLgと基板ホルダ 130 (及びこの基板ホルダ 130に保持されて、る感光基板 P)との相対位置を維持する。

[0140] 上述した構成を有する露光装置 EXを組み立てる際には、投影光学モジュール PL a〜PLgを定盤 101に取り付ける前に、投影光学モジュール PLa〜PLgそれぞれの光学特性調整が上記調整装置 150、 153、 154、 155、 158により調整される。そして、投影光学モジュール PLa〜PLgの光学特性調整が終わったら、投影光学モジュール PLa〜PLgのそれぞれが定盤 101の基準位置に対して位置決めされつつ定盤 101に取り付けられる。

[0141] 露光処理を行う際には、マスクホルダ 120にマスク Mがロードされるとともに、基板ホルダ 130に感光基板 Pがロードされる。制御装置 CONT2は、マスク Mを保持したマスクホルダ 120と、感光基板 Pを保持した基板ホルダ 130とを X軸方向に同期移動しつつ、マスク Mを照明光学系 ILにより露光光 ELで照明する。

[0142] マスクホルダ 120及び基板ホルダ 130の移動により、コラム 100に歪み変形が生じる場合がある。しかしながら、投影光学モジュール PLa〜PLgは 1つの定盤 101により支持されているので、投影光学モジュール PLa〜PLgに対するコラム 100の変形の影響は、コラム 100にキネマティックに支持されている定盤 101により小さく抑えることができる。また、投影光学モジュール PLa〜PLgのそれぞれは 1つの定盤 101により支持されて、るので、互、の相対位置の変化を小さく抑えることができる。

[0143] また、定盤 101はコラム 100に対して支持部 102によりキネマティックに支持されているので、コラム 100ゃ定盤 101自体が仮に熱変形しても、キネマティック支持構造力の変形分をほとんど吸収するため、投影光学系 PLの結像特性に与える影響を /J、さく抑免ることができる。

[0144] 以上説明したように、複数並んだ投影光学モジュール PLa〜PLgを 1つの定盤 101 で支持したことにより、マスクホルダ 120や基板ホルダ 130の移動などによりコラム 10 0が歪み変形を生じたとしても、投影光学モジュール PLa〜PLgに対するこのコラム 1 00の歪み変形の影響を、定盤 101により小さく抑えることができる。そして、複数の投影光学モジュール PLa〜PLgは 1つの定盤 101により支持されているので、コラム 10 0に歪み変形が生じても、投影光学モジュール PLa〜PLgどうしの相対位置の変化を小さく抑えることができる。従って、投影光学モジュール PLa〜PLgの結像特性の変動を小さく抑えることができる。

[0145] また、センサ Cにより第 1投影光学ユニットと第 2投影光学ユニットとの相対的な 4つの距離を測定し、その測定結果に基づいて第 1投影光学ユニットと第 2投影光学ュニットとの相対的な変位量、即ちキネマティック支持構造を構成する支持部等により抑制することができない第 1投影光学ユニットと第 2投影光学ユニットとの相対位置の変化量を検出することができる。また、その検出結果に基づいてマスクのパターンの感光基板上における投影位置を補正装置により補正することができるため、第 1投影光学ユニットの投影位置と第 2投影光学ユニットの投影位置とのずれを補正することができる。従って、第 1投影光学ユニットと第 2投影光学ユニットとを載置している定盤またはコラムの変形等により投影位置のずれが生じた場合においても、その投影位置のずれを補正することができるため、第 1投影光学ユニットと第 2投影光学ユニットとの継ぎ部を正確に一致させることができ、高精度に露光を行うことができる。

[0146] また、本実施形態にぉ、ては、センサ Cを投影光学モジュール PLa及び PLb側（― Y方向側）に配置している力投影光学モジュール PLf及び PLg側（+Y方向側）に配置してもよい。また、センサ Cを定盤 101の下側（一 Z方向側）に配置しているが、定盤 101の上側（+Z方向側）に配置してもよい。また、図 41に示すように、第 1投影光学ユニット及び第 2投影光学ユニットが載置されている定盤 101、例えば定盤 101 の開口部 101Aの近傍にセンサ C1を配置してもよい。この場合には、制御装置 CO NT2は、センサ C1の測定結果に基づいて、第 1投影光学ユニットと第 2投影光学ュニットとの相対的な変位量を検出する。

[0147] また、本実施形態においては、 X方向における 2つの距離 XI, X2及び Y方向における 2つの距離 Yl, Y2を測定するようにセンサ Cを構成している力 X方向及び Y方向の、ずれか一方における 1つ以上の距離を測定するように構成してもよ!/、。

[0148] また、本実施形態においては、制御装置 CONT2が X方向における 2つの距離 XI , X2に基づいて第 1投影光学ユニットと第 2投影光学ユニットとの相対的な並進量、 Y方向における 2つの距離 Yl, Y2に基づいて第 1投影光学ユニットと第 2投影光学ユニットとの相対的な姿勢差を検出しているが、 X方向における距離 XI, X2及び Y 方向における距離 Yl, Y2に基づいて第 1投影光学ユニット及び第 2投影光学ュ-ットの傾斜量の差を検出するようにしてもよい。この場合には、本実施形態に力かる投影光学系のように正立正像を形成する投影光学系を備えているため、露光時にマスクステージと基板ステージとが同一方向に走査することにより、第 1投影光学ユニット及び第 2投影光学ユニットが傾斜した場合においても、第 1投影光学ユニット及び第 2投影光学ユニットの傾斜量の差を測定することができるため、測定結果に基づいて第 1投影光学ユニットと第 2投影光学ユニットの投影位置のずれを補正することができる。

[0149] また、本実施形態においては、第 1投影光学ユニット及び第 2投影光学ユニットの傾斜量を直接測定しているが、第 1投影光学ユニットと第 2投影光学ユニットとでその光学素子群を一体として、光学定盤自体の変形量を測定してもよい。例えば、 Y方向に離れた 2箇所の Z方向の変位を測定して、その測定結果に基づいて Y方向における傾きを求めるようにしてもょ、。

[0150] また、本実施形態においては、センサ Cにより第 1投影光学ユニットと第 2投影光学ユニットとの相対的な距離を測定しているが、第 1投影光学ユニットを構成する投影光学モジュール PLa, PLc, PLe, PLgと、これらに対向して設けられている第 2投景光学ユニットを構成する投影光学モジュール PLb, PLd, PLfとの相対的な距離を測定してもよい。即ち、投景光学モジュール PLaと PLb、 PLbと PLc、 PLcと PLd、 PLd と PLe、 PLeと PLf、 PLfと PLgとの相対的な距離を測定できるようにセンサを構成する。この場合には、制御装置 CONT2がセンサによる測定結果に基づいて投影光学モジュール PLa〜PLgの個々の投影位置のずれを検出し、投影光学モジュール PL a〜PLgのそれぞれが備える、前述の補正装置 (光学特性調整装置)としての光学調整機構 (即ち、シフト調整機構、ローテーション調整機構、スケーリング調整機構、像面調整機構の少なくとも 1つ）により個々の投影位置のずれを補正することができるため、第 1投影光学ユニットの投影位置と第 2投影光学ユニットの投影位置とのずれをより高精度に補正することができる。

[0151] 更に、投景光学モジュール PLaと PLb、 PLbと PLc、 PLcと PLd、 PLdと PLe、 PLe と PLf、 PLfと PLgとの継ぎ部における相対的な距離を測定できるようにセンサを構成してもよい。この場合には、制御装置 CONT2がセンサにより測定結果に基づいて、各投影光学モジュール PLa〜PLgの投影位置の個々の継ぎ部のずれを直接検出することができるため、投影光学モジュール PLa〜PLgのそれぞれが備える前述の光学調整機構により個別に投影位置の継ぎ部のずれを的確に補正することができ、第 1投影光学ユニットの投影位置と第 2投影光学ユニットの投影位置とのずれをより高精度に補正することができる。

[0152] また、本実施形態においては、制御装置 CONT2がセンサ Cにより計測された 4つの距離 XI, X2, Yl, Y2に基づいて第 1投影光学ユニットと第 2投影光学ユニットとの相対的な変位量を検出している力センサ Cを備えないで、例えば、図 40に示すマスクホルダ 120の X側に設けられて、るレーザ干渉計（2つの変形量測定装置または計測装置） 172, 173から定盤 101上に設けられている参照鏡 175, 176に照射した参照ビーム 175a, 175b, 176a, 176bの光路長測定結果に基づいて定盤 101 の変形量を測定し、測定された変形量に基づいて制御装置 (算出装置) CONT2が第 1投影光学ユニットと第 2投影光学ユニットとの相対的な変位量を算出するようにしてもよい。

[0153] 例えば、図 38aに示すように、定盤 101が破線で示す形状から実線で示す形状に変形した場合、参照ビーム 175aの光路長は参照ビーム 175bの光路長より長くなり、参照ビーム 176aの光路長は参照ビーム 176bの光路長より長くなる。また、例えば、図 38bに示すように、定盤 101が破線で示す形状から実線で示す形状に変形した場合、参照ビーム 175aの光路長は参照ビーム 175bの光路長より短くなり、参照ビーム 176aの光路長は参照ビーム 176bの光路長より長くなる。このように、参照ビーム 17 5a, 175b, 176a, 176bの光路長測定結果に基づいて定盤 101の X方向及び Y方向における変形量を検出することができ、この変形量に基づく第 1投影光学ユニットによる投影像と第 2投影光学ユニットによる投影像との位置ずれ量、即ち X方向及び Υ方向における相対的な変位量を算出することができる。

[0154] 具体的には、参照ビーム 175a, 175b, 176a, 176bの光路長測定結果に基づく X 方向及び Y方向における相対的な変位量に基づいて、第 1投影光学ユニットによる投影像と第 2投影光学ユニットによる投影像との X方向における位置ずれ量 (補正量 )X1、及び第 1投影光学ユニットによる投影像と第 2投影光学ユニットによる投影像との Y方向における位置ずれ量 (補正量) Y1を、数式 1により算出することができる。 (数式 1)

Xl =kl{(IMXTR2-IMXTRl)-(IMXTL2-IMXTLl)}

+k2{(IMXTR2-IMXTRl)+(IMXTL2-IMXTLl)}

Yl =k3{(IMXTR2- IMXTR1)- (IMXTL2- IMXTL1)}

+k4{(IMXTR2-IMXTRl)+(IMXTL2-IMXTLl)}

[0155] ここで、 kl及び k2は、参照ビーム 175a, 175b, 176a, 176bの光路長測定結果から、第 1投影光学ユニットにより感光基板 P上に形成される投影像の位置と、第 2投影光学ユニットにより感光基板 P上に形成される投影像の位置との X方向における位置ずれ量 (補正量) XIを算出するための係数である。また、 k3及び k4は、参照ビーム 1 75a, 175b, 176a, 176bの光路長測定結果から、第 1投影光学ユニットにより感光基板 P上に形成される投影像の位置と、第 2投影光学ユニットにより感光基板 P上に形成される投影像の位置との Y方向における位置ずれ量 (補正量) Y1を算出するための係数である。また、 IMXTR2は参照ビーム 176aの光路長、 IMXTR1は参照ビーム 176bの光路長、 IMXTL2は参照ビーム 175aの光路長、 IMXTL1は参照ビーム 175b の光路長を示している。

[0156] 数式 1により算出された補正量に基づいて、各投影光学モジュール PLa〜PLgが備える前述の光学調整機構により、第 1投影光学ユニットの投影位置と第 2投影光学ユニットの投影位置の補正、または、第 1投影光学ユニットにより投影される第 1の投影位置及び第 2投影光学ユニットにより投影される第 2の投影位置の少なくとも一方の補正を行う。ここで、投影位置とは、 X方向（走査方向）における位置、 Y方向（走査方向と直交する方向）における位置及び投影光学系 PLの光軸方向を軸とする回転方向における位置の少なくとも 1つを示して、る。

[0157] この場合においては、レーザ干渉計 172, 173による計測結果に基づいて、第 1投影光学系ユニットと第 2投影光学ユニットとの相対的な変位量を算出するため、高価なセンサを搭載する必要がなぐ第 1投影光学ユニットと第 2投影光学ユニットとの変位量を容易に検出することができる。また、レーザ干渉計 172, 173により検出することができる定盤 101 (投影光学系 PL)とコラム 100との間の相対的な変形量と、コラム 100が変形することにより変形する定盤 101の変形量とは相似関係にあるため、レーザ干渉計 172, 173により定盤 101 (投影光学系 PL)とコラム 100との間の相対的な変形量を正確に計測することにより、定盤 101 (投影光学系 PL)の変形量を正確に計測することができ、高精度な補正を行うことができる。

[0158] また、本実施形態においては、前述の補正装置 (シフト調整機構、ローテーション調整機構、スケーリング調整機構及び像面調整機構の少なくとも 1つ）により、第 1投影光学ユニットの投影位置と第 2投影光学ユニットの投影位置とのずれを補正している力補正装置としてマスク Mが載置されて、るマスクステージ MST及び感光基板 P が載置されている基板ステージ PSTのうちの少なくとも一方の姿勢を制御することにより、第 1投影光学ユニットの投影位置と第 2投影光学ユニットの投影位置とのずれを補正するステージ制御装置を用いてもよい。即ち、マスクステージ MSTまたは基板ステージ PSTの位置を調整することにより、第 1投影光学ユニットと第 2投影光学ュ-ットの投影位置のずれを補正することが可能となる。

[0159] なお、第 1投影光学ユニットと第 2投影光学ユニットとの相対位置が変化した際、例えば、第 1投影光学ユニットの光軸に対して第 2投影光学ユニットの光軸が斜めになるように傾斜した際には、感光基板上に投影される投影領域には、傾斜量に応じた位置シフトが発生し、シフタ調整機構等により補正されることになる。し力しながら、投影するためのマスクのパターン領域も同時にシフトすることも予測される。その際には、第 1投影光学ユニットを基準とした場合、第 2投影光学ユニットのマスク及び感光基板と共役な位置である中間結像位置に設けられた不図示の視野絞りの位置を調整することにより、投影するためのマスクのパターン領域を調整するようにしてもよい。なお、その際には、センサ Cの出力値のみならず、調整された視野絞りの位置情報も加味して、第 2投影光学ユニットの前述した光学調整機構により補正することで、感光基板上でのマスクのパターンの像位置を調整するようにしてもょ、。

また、本実施形態ではセンサ C又はレーザ干渉計 172, 173を変形量測定装置として用いるものとした力必ずしも変位量測定装置を用いなくてもよい。即ち、例えばマスクステージ MSTと基板ステージ PSTの両方、又はいずれか一方における移動に関する情報 (一例として、位置及び加速度の少なくとも一方を含む）に対応して、定盤 101の変形 (歪みなど）に関する情報、第 1及び第 2投影光学ユニットの相対的な位置関係 (位置ずれ)に関する情報、もしくはその位置ずれの補正量を事前に求めておき、感光基板 Pの露光動作中は、例えばレーザ干渉計システムによるマスクステージ MSTや基板ステージ PSTの移動に関する計測情報 (またはその駆動に関する指令値)などに基づき、前述の補正装置により第 1及び第 2投影光学ユニットによる投影像の相対的な位置ずれを補正するようにしてもょ、。

[0160] また、投影位置の補正方法として、定盤 101の変形をもとに戻す駆動機構や、第 1 投影光学ユニットまたは第 2投影光学ユニットを変形させる駆動機構により相対的にネ ΐ正してちょい。

[0161] この第 2の実施形態に係る露光装置によれば、変位量測定装置により第 1投影光学ユニットと第 2投影光学ユニットとの相対的な変位量を測定し、その測定結果に基づいてマスクパターンの感光基板上における投影位置を補正装置により補正するため、第 1投影光学ユニットの投影位置と第 2投影光学ユニットの投影位置とのずれ (走查方向におけるずれ、走査方向と交差する方向におけるずれ、及び投影光学系の光軸方向を軸とする回転方向におけるずれ)を補正することができる。従って、第 1投影光学ユニットと第 2投影光学ユニットとを載置している部材の変形等により投影位置のずれが生じた場合にぉ、ても、その投影位置のずれを補正することができるため、第 1投影光学ユニットと第 2投影光学ユニットとの継ぎ部を正確に一致させることができ、高精度に露光を行うことができる。

[0162] [デバイス製造方法]

上述の各実施形態に係る露光装置を用いて、マスク又はレチクルに形成された転写用のパターン、又は可変成形マスクにより生成された転写用のパターンを、感光性基板 (半導体ウェハ等）に露光転写する露光工程を実施することにより、マイクロデバイス (半導体素子、撮像素子 (CCD等)、薄膜磁気ヘッド、液晶表示素子等)を製造することができる。

[0163] 以下、上述の各実施形態に係る露光装置を用いて、半導体ウェハに所定の回路ノターンを形成することによって、マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法の一例につき、図 43のフローチャートを参照して説明する。先ず、図 43のステツプ S301において、 1ロットのウェハ上に金属膜が蒸着される。次のステップ S30 2において、その 1ロットのウェハの金属膜上にフォトレジストが塗布される。その後、ステップ S303において、上述の第 1又は第 2実施形態の露光装置を用いて、マスク上のパターン又は可変成形マスクにより生成されたパターンの像が投影光学系を介して、その 1ロットのウェハ上の各ショット領域に順次露光転写される。

[0164] その後、ステップ S304において、その 1ロットのウェハ上のフォトレジストの現像が行われた後、ステップ S305において、その 1ロットのウェハ上でレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことによって、マスク上のパターンに対応する回路パターン力各ウェハ上の各ショット領域に形成される。その後、更に上のレイヤの回路パターンの形成等を行うことによって、半導体素子等のデバイスが製造される。上述の半導体デバイス製造方法によれば、投影光学系の投影位置のずれを正確に補正することができるため、高精度な露光処理を行うことができ、高精度な半導体デバイスを製造することができる。

[0165] また、上述の各実施形態の露光装置では、プレート (ガラス基板)上に所定のバターン（回路パターン、電極パターン等）を形成することによって、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得ることもできる。以下、図 44のフローチャートを参照して、このときの手法の一例につき説明する。図 44において、パターン形成工程 S401では、上述の第 1又は第 2実施形態の露光装置を用いてマスク上のパターン又は可変成形マスクにより生成されたパターンの像を、感光性基板 (レジストが塗布されたガラス基板等）に転写露光する、所謂光リソグラフィー工程が実行される。この光リソグラフィー工程によって、感光性基板上には多数の電極等を含む所定パターンが形成される。その後、露光された基板は、現像工程、エッチング工程、レジスト剥離工程等の各ェ程を経ることによって、基板上に所定のパターンが形成され、次のカラーフィルター形成工程 S402へ移行する。

[0166] 次に、カラーフィルター形成工程 S402では、 R(Red)、 G (Green)、 B (Blue)に対応した 3つのドットの組がマトリックス状に多数配列されたり、または R、 G、 Bの 3本のストライプのフィルターの組を複数水平走査線方向に配列したカラーフィルターを形成する。そして、カラーフィルター形成工程 S402の後に、セル組み立て工程 S403が実行される。セル組み立て工程 S403では、例えば、パターン形成工程 S401にて得られた所定パターンを有する基板と、カラーフィルター形成工程 S402にて得られた力ラーフィルターとの間に液晶を注入して、液晶パネル (液晶セル)を製造する。その後、モジュール組み立て工程 S404にて、組み立てられた液晶パネル（液晶セル）の表示動作を行わせる電気回路、バックライト等の各部品を取り付けて液晶表示素子として完成させる。上述の液晶表示素子の製造方法によれば、投影光学系の投影位置のずれを正確に補正することができるため、高精度な露光処理を行うことができ、高精度な液晶表示素子を製造することができる。

[0167] [その他]

ところで、感光基板の大型化が進み、それに伴い基板ステージの大型化、基板ステージの重量が増える傾向にある。従って、基板ステージが移動する際に荷重移動が大きくなり、基板ステージの移動に伴う荷重移動に対応するために装置本体の剛性が要求されており、装置本体も大型化及び重量ィ匕している。しかしながら、装置本体の高剛性ィ匕を図ったとしても基板ステージの移動に伴う露光装置の振動 (又は偏荷重)を完全に抑えることは難しい。これに対し、本発明が適用された露光装置は、装置が振動することにより光学ユニットが振動した場合においても、光学ユニットの振動による光学性能の変動を有効に補正することができるので、露光精度を向上することができる。また、装置振動に対する許容値が大きくなるため、装置本体の剛性をそれ程高くする必要もなくなり、露光装置の小型化、軽量ィ匕を図ることも可能である。本発明は、外径が 500mmよりも大きい感光基板、つまり一辺もしくは対角線が 500mmよりも大きい感光基板に対して露光する露光装置に特に有効である。

[0168] また、本発明の露光装置は、高精細のパターンを露光する際にも有効である。また、本発明の露光装置は、より広いデバイスパターンを製造する露光装置として、投影光学系の数を増やした場合での継ぎ部の増大、及び各投影光学系の画角を大きくして各投影光学系の投影領域を広げた際の投影光学系の中心から離れた周辺部における像歪み、倍率変動の増大により継ぎ精度の向上が要求される場合においても有効である。

[0169] なお、以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。従って、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。

例えば、上述した各実施形態では、複数の光学ユニット（上記第 1実施形態では露光光学系、上記第 2実施形態では投影光学モジュール)を 1つの定盤（9又は 101) で支持するものとしたが、複数の光学ユニットを異なるグループに分けてそれぞれ定盤で支持するボディ構造の露光装置に対して本発明を適用してもよい。また、上述した各実施形態では、それぞれ非走査方向 (Y方向）に投影領域が配列される複数の光学ユニットからなる 2組の露光ユニット群または投影光学ユニットを用いるものとした力その数は 2組に限られるものでなぐ 1組あるいは 3組以上でもよい。さらに、上述した各実施形態における投影光学モジュール、及び上述した第 2実施形態における照明光学系はそれぞれ上記開示された構成に限られるものでなく任意で構わない。また、上述した各実施形態では、複数の光学ユニットによる投影像 (パターン像)の相対的な位置関係の変化に関する情報として、複数組の露光ユニット群または投影光学ユットの相対的な位置関係 (位置ずれ)を計測し、この計測情報に基づ、て少なくとも 1つのパターン像の位置を補正するものとした。し力しながら、その計測情報は、複数組の露光ユニット群または投影光学ユニットの相対的な位置ずれに限られるものでなぐその代わりに、あるいはそれと組み合わせて、露光ユニット群または投影光学ユニットの位置、光学ユニットの位置、及び複数の光学ユニットの相対的な位置関係の少なくとも 1つを用いてもよい。さらに、上記計測情報として、例えば複数の光学ユニットが設けられる支持部材 (定盤など)の変形に関する情報、及びステージ (上記第 1実施形態では基板ステージ、上記第 2実施形態ではマスクステージと基板ステージとの少なくとも一方）の移動に関する情報の少なくとも一方を用いてもよい。このとき、例えば変形情報と移動情報の少なくとも一方と、複数の光学ユニットによるパターン像の補正情報 (パターン像の位置を補正すべき光学ユニット、及びその補正量など）とを対応付けた補正テーブルを用意しておくことが好ましい。そして、露光時に、計測装置による計測情報と補正テーブルとに基づいて、少なくとも 1つのパターン像の位置を補正する。なお、上記変形情報は支持部材の歪み情報などを含み、上記移動情報はステージの位置及び加速度の少なくとも一方を含む。

また、上述した各実施形態ではステージ、定盤、鏡筒などの部材に、レーザ干渉計力のビームを反射する移動鏡や参照鏡を設けるものとしたが、それら部材の一部を鏡面加工してビームの反射面を形成してもよい。さらに、上述した各実施形態ではレ一ザ干渉計を用いてステージの位置計測を行うものとした力レーザ干渉計の代わりに、あるいはそれと組み合わせて、他の計測センサ、例えばエンコーダなどを用いてちょい。

なお、上述した各実施形態で用いた光源は例示であり、 KrFエキシマレーザ (波長 248nm)、 ArFエキシマレーザ（波長 193nm)、又は Fレーザ（波長 157nm)、その

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他の光源を用いることができる。また、レーザプラズマ光源、又は SORから発生する軟 X線領域、例えば波長 13. 4nm、又は 11. 5nmの EUV(Extreme Ultra Violet)光を用いるようにしてもよい。さらに、電子線又はイオンビームなどの荷電粒子線を用いてもよい。加えて、 DFB半導体レーザ又はファイバーレーザ力発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザを、例えばエルビウム（又はエルビウムとイツトリビゥムの両方）がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いてもょ、。

[0171] また、本発明が適用可能な露光装置としては、半導体素子、撮像素子、薄膜磁気ヘッド、液晶表示素子の製造に用いられるものに限られず、マイクロマシン、 DNAチップ、マスク若しくはレチクル等を製造するための露光装置にも広く適用できる。

[0172] 投影光学系（投影光学モジュール)の倍率は等倍系のみならず、縮小系及び拡大系のいずれでもよいとともに、反射光学系、屈折光学系、及び反射屈折光学系のいずれを用いてもよい。

[0173] 基板ステージやマスクステージにリニアモータを用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型、及びローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもよい。また、ステージは、ガイドに沿って移動するタイプでもよいし、ガイドを設けな、ガイドレスタイプでもよ、。

[0174] ステージの駆動装置として平面モ―タを用いる場合には、磁石ユニットと電機子ュニットの!、ずれか一方をステージに接続し、磁石ユニットと電機子ユニットの他方をステージの移動面側（ベース）に設ければよい。

[0175] 基板ステージの移動により発生する反力は、特開平 8— 166475号公報 (及び対応する米国特許 5,528, 118号）に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。また、マスクステージの移動により発生する反力は、特開平 8— 330224号公報 (及び対応する米国特許 6, 188,195号）に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。さらに、例えば米国特許第 6,969,966号に記載されているように、運動量保存則を利用してステージの移動時に発生する反力を相殺するカウンターマス方式を採用してもよい。なお、本国際出願で指定した指定国又は選択した選択国の国内法令が許す限りにおいて、上記公報及び米国特許の開示を援用して本明細書の記載の一部とする。 [0176] 上述した各実施形態に係る露光装置は、各種サブシステムを所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系につ、ては電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステム力露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることは、うまでもな、。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

[0177] 本開示は、 2005年 1月 25日に提出された日本国特許出願第 2005— 16843号、 2005年 2月 18日に提出された日本国特許出願第 2005— 43103号、及び 2005年 8月 17日に提出された日本国特許出願第 2005— 236940号に含まれた主題に関連し、その開示の全てはここに参照事項として明白に組み込まれる。

Claims

請求の範囲

[1] 複数の光学ユニットを有する光学系を介して投影されるパターンの像を物体上に露光転写する露光装置であって、

前記複数の光学ユニットの変動を補償するように、該複数の光学ユニットによって前記物体上に投影される複数の像のうち、少なくとも 1つの像の位置を補正する補正装置を備える露光装置。

[2] 前記補正装置は、前記複数の光学ユニットの全体の変動、もしくは前記複数の光学ユニット間の相互の変動を補償するように、前記少なくとも 1つの像の位置を補正する請求項 1記載の露光装置。

[3] 前記物体を載置するステージを更に備え、前記ステージによって前記光学系と前記物体とを相対移動させて、前記物体上に前記パターンの像を露光するとともに、前記補正装置は、前記複数の像の相対的な位置変化に関する情報に基づいて前記少なくとも 1つの像の位置を補正する請求項 1又は請求項 2記載の露光装置。

[4] 前記情報を計測する計測装置を更に備え、前記補正装置は、前記計測された情報に基づいて前記少なくとも 1つの像の位置を補正する請求項 3記載の露光装置。

[5] 前記計測された情報は、前記複数の光学ユニットの位置または相対的な位置関係に関する情報を含む請求項 4記載の露光装置。

[6] 前記計測された情報は、前記複数の光学ユニットが設けられる本体部の変形に関する情報と、前記ステージの移動に関する情報との少なくとも一方を含む請求項 4記載の露光装置。

[7] 前記補正装置は、前記複数の像の相対的な位置変化の補正情報を格納し、該補正情報に基づいて前記少なくとも 1つの像の位置を補正する請求項 3記載の露光装置。

[8] 前記補正情報は、前記ステージの移動に関する情報と対応付けられている請求項 7記載の露光装置。

[9] 前記パターンの像の形成に用いられる空間光変調器を含む可変成形マスクと、該可変成形マスクに光ビームを照射する照明系と、を更に備え、前記可変成形マスクからの光ビームと前記物体との相対移動に応じて前記空間光変調器を制御することにより前記物体上に前記パターンの像を露光する請求項 1乃至請求項 3の何れか一項に記載の露光装置。

[10] 前記補正装置は、前記可変成形マスクと前記光学系との少なくとも一方によって前記少なくとも 1つの像の位置を補正する請求項 9記載の露光装置。

[11] 前記補正装置は、前記空間光変調器の制御によって前記少なくとも 1つの像の位置を補正する請求項 10記載の露光装置。

[12] 前記空間光変調器は、前記複数の光学ユニットにそれぞれ対応して設けられ、前記補正装置は、前記複数の空間光変調器の制御によって前記複数の像の位置を個別に補正可能である請求項 10又は請求項 11記載の露光装置。

[13] 前記複数の光学ユニットの少なくとも 1つは、前記物体上に投影する像の位置を補正する補正光学系を有し、前記補正装置は、前記補正光学系によって前記少なくとも 1つの像の位置を補正する請求項 9乃至請求項 12に記載の露光装置。

[14] 前記パターンの像の形成に用いられる可変成形マスクを更に備え、前記光学系と前記物体との相対移動に応じて前記可変成形マスクを制御することにより前記物体上に前記パターンの像を露光する請求項 1乃至請求項 3の何れか一項に記載の露光装置。

[15] 前記補正装置は、前記可変成形マスクと前記光学系との少なくとも一方によって前記少なくとも 1つの像の位置を補正する請求項 14記載の露光装置。

[16] 前記補正装置は、前記可変成形マスクによって形成される前記複数の像の位置を、前記複数の光学ユニット毎に個別に補正するようにした請求項 14又は請求項 15 記載の露光装置。

[17] 前記複数の光学ユニットの少なくとも 1つは、前記物体上に投影する像の位置を補正する補正光学系を有し、前記補正装置は、前記補正光学系によって前記少なくとも 1つの像の位置を補正する請求項 14乃至請求項 16に記載の露光装置。

[18] 前記補正装置により前記少なくとも 1つの像の位置補正を行った際に、前記複数の光学ユニットを透過する露光量を調整するようにした請求項 9乃至請求項 17の何れか一項に記載の露光装置。

[19] 前記補正光学系は、前記像の回転、シフト、倍率及びフォーカス位置の少なくとも 1 つを補正する機構を備える請求項 13又は請求項 17記載の露光装置。

[20] 前記補正光学系は、前記複数の光学ユニットの解像度を調整するようにした請求項 13、請求項 17及び請求項 19の何れか一項に記載の露光装置。

[21] 前記補正装置は、前記可変成形マスク及び前記補正光学系の少なくとも一方をラフ補正装置、他方をファイン補正装置として、前記少なくとも 1つの像の位置を補正する請求項 13、請求項 17、請求項 19及び請求項 20の何れか一項に記載の露光装置。

[22] 前記複数の光学ユニットの位置または相対的な位置関係に関する情報を計測する計測装置を更に備え、前記補正装置は、前記計測された情報に基づいて前記少なくとも 1つの像の位置を補正する請求項 1乃至請求項 3及び請求項 9乃至請求項 21 の何れか一項に記載の露光装置。

[23] 前記計測された情報は、前記複数の光学ユニットの姿勢、または前記複数の光学ユニット間の相対的な姿勢に関する情報を含む請求項 22記載の露光装置。

[24] 前記姿勢に関する情報は、前記複数の光学ユニットが設けられる本体部の変形に関する情報、または前記複数の光学ユニットに対する前記物体の相対位置に関する情報に基づ!、て求められる請求項 23記載の露光装置。

[25] 前記複数の光学ユニットによって前記物体上に投影される複数の像のうち、隣接する像は互いにその一部が重複するように形成される請求項 1乃至請求項 24の何れか一項に記載の露光装置。

[26] 光源力照射された光ビームを画像データに応じて変調する第 1の可変成形マスクを有する第 1露光ユニットと、

光源力照射された光ビームを画像データに応じて変調する第 2の可変成形マスクを有し、前記第 1露光ユニットとは異なる第 2露光ユニットと、

前記第 1の可変成形マスク及び前記第 2の可変成形マスクに対し、物体を載置したステージを相対的に走査することによって前記物体上に前記第 1露光ユニット及び前記第 2露光ユニットにより生成される像を露光転写する走査型の露光装置において、前記ステージ上に、前記第 1露光ユニット及び前記第 2露光ユニットによりオーバラップ露光が行なわれる領域における、前記第 1露光ユニット及び前記第 2露光ュニットのビーム強度を測定するビーム強度計測系を備え、

前記ビーム強度計測系の計測結果に基づいて、前記第 1露光ユニット及び前記第 2露光ユニットの少なくとも一方の前記ビーム強度を調整するようにした露光装置。

[27] 前記光学系と前記物体との相対移動によって前記物体上に前記パターンの像を露光し、前記複数の光学ユニットの一部を有する第 1光学ユニットと、該第 1光学ュニットと異なる光学ユニットを有する第 2光学ユニットとは前記相対移動される走査方向に関して前記光学ユニットによる像の位置が異なるように配置され、

前記第 1及び第 2光学ユニットの相対的な変位量を測定する変位量測定装置を更に備え、前記補正装置は、前記測定された相対的な変位量に基づいて前記第 1及び第 2光学ユニットの少なくとも一方における前記像の位置を補正する請求項 1乃至請求項 3及び請求項 9乃至請求項 21の何れか一項に記載の露光装置。

[28] 前記変位量測定装置は、前記第 1及び第 2光学ユニットの相対的な並進量及び姿勢差の少なくとも一方を測定する請求項 27記載の露光装置。

[29] 前記変位量測定装置は、前記走査方向、及び前記走査方向と交差する方向の少なくとも一方に関する前記第 1及び第 2光学ユニットの相対的な変位量を測定する請求項 27又は請求項 28記載の露光装置。

[30] 前記光学系は、正立正像を形成する光学系であり、前記変位量測定装置は、前記第 1及び第 2光学ユニットの傾斜量の差を測定する請求項 27乃至請求項 29の何れか一項に記載の露光装置。

[31] 前記光学系と前記物体との相対移動によって前記物体上に前記パターンの像を露光し、

前記複数の光学ユニットの一部を有する第 1光学ユニットと、該第 1光学ユニットと異なる光学ユニットを有する第 2光学ユニットとが、前記相対移動される走査方向に関して前記光学ユニットによる像の位置が異なるように設けられる支持部材と、該支持部材の変形に関する情報を計測する計測装置と、を更に備え、

前記補正装置は、前記計測された変形に関する情報に基づいて前記第 1及び第 2 光学ユニットの少なくとも一方における前記像の位置を補正する請求項 1乃至請求項 3及び請求項 9乃至請求項 21の何れか一項に記載の露光装置。

[32] 前記補正装置は、前記計測された変形に関する情報に基づいて前記第 1及び第 2 光学ユニットの相対的な変位量を算出し、前記像の位置補正では前記算出した相対的な変位量を用いる請求項 31記載の露光装置。

[33] 前記計測装置は、前記走査方向、及び前記走査方向と交差する方向の少なくとも一方に関する、前記支持部材の変形に関する情報を計測する請求項 31又は請求項

32記載の露光装置。

[34] 前記補正装置は、前記物体の姿勢制御によって前記第 1及び第 2光学ユニットの少なくとも一方における前記像の位置を補正する請求項 27乃至請求項 33の何れか一項に記載の露光装置。

[35] 前記物体は、外径が 500mmよりも大きい感光基板である請求項 1乃至請求項 34 の何れか一項に記載の露光装置。

[36] 請求項 1乃至請求項 35の何れか一項に記載の露光装置を用いて前記パターンの像を前記物体上に露光転写する露光工程と、

前記露光工程により露光転写された前記物体上のパターンを現像する現像工程と

、を含むマイクロデバイスの製造方法。

[37] 複数の光学ユニットを有する光学系を介して投影されるパターンの像を物体上に露光転写する露光方法であって、

前記複数の光学ユニットの変動を補償するように、該複数の光学ユニットによって前記物体上に投影される複数の像のうち、少なくとも 1つの像の位置を補正しつつ、露光を行うようにした露光方法。