CN101427184A - 光刻系统和投影方法 - Google Patents

光刻系统和投影方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101427184A
CN101427184A CNA2007800141794A CN200780014179A CN101427184A CN 101427184 A CN101427184 A CN 101427184A CN A2007800141794 A CNA2007800141794 A CN A2007800141794A CN 200780014179 A CN200780014179 A CN 200780014179A CN 101427184 A CN101427184 A CN 101427184A
Authority
CN
China
Prior art keywords
feature
probe
edge
grid
grid cell
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2007800141794A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101427184B (zh
Inventor
彼得·克勒伊特
马尔科·扬-哈科·威兰
斯泰恩·威廉·卡雷尔·赫尔曼·斯腾布林克
雷姆科·亚赫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Netherlands BV
Original Assignee
Mapper Lithopraphy IP BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mapper Lithopraphy IP BV filed Critical Mapper Lithopraphy IP BV
Publication of CN101427184A publication Critical patent/CN101427184A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101427184B publication Critical patent/CN101427184B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
    • G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70508—Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
    • H01J37/3023—Programme control
    • H01J37/3026—Patterning strategy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67282—Marking devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31761—Patterning strategy
    • H01J2237/31764—Dividing into sub-patterns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31761—Patterning strategy
    • H01J2237/31766—Continuous moving of wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31769—Proximity effect correction
    • H01J2237/31771—Proximity effect correction using multiple exposure

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

本发明涉及一种形成光刻系统的探针，该用于光刻系统使用黑白记录策略，即，记录或不记录栅格单元，而在诸如晶片的目标表面上产生图形，从而在包括栅格单元的栅格上划分该图形，该图形包括尺寸大于栅格单元的尺寸的特征，在每个单元中探针被“接通”或“断开”，其中，探针在目标上覆盖了明显大于栅格单元的表面区域，并且其中，在特征内，在探针尺寸的范围内实现了位置取决于黑白记录的分布，本发明还涉及基于上述系统的方法。

Description

光刻系统和投影方法
技术领域
本发明涉及一种形成光刻系统的探针，该光刻系统用于使用“接通”和“断开”记录策略(strategy)在目标表面(诸如晶片)上投影映像图形，从而在包括栅格单元的栅格上划分所述图形，在每个栅格单元中所述探针被“接通”或“断开”。
背景技术
这些具有所谓的黑白记录策略的系统在现有技术中是众所周知的，并且例如可以是以激光器为基础的，并且以使用直接记录装置为特征，因此被称做无掩模系统。通过将所述探针转换为接通或断开，每个栅格单元相应地或被记录或不记录。该探针的特征在于目标表面中的探针效应，该探针效应通常又被描述为所谓的点扩散函数。点扩散函数(PSF)通常具有高斯分布。通常将来自该分布的探针尺寸作为其中存在有所述探针的50％能量的分布的尺寸。
从本申请人名下的公开号为WO2004038509的国际专利申请中获知了一种特殊类型的基于这种探针的光刻系统，并且所述光刻系统涉及带电粒子束柱中产生的带电粒子束的多样性，所述粒子束柱用于在所述目标上记录所述图形，为此，所述记录射束在所述目标上扫描，所述目标能够在横切于所述射束的扫描方向的方向上移动，并且为此目的而调节所述记录射束，基于此，利用所述目标上的虚拟栅格并且利用用于调节一个或者多个带电射束的记录信息来将系统图形特征定位在所述目标上。
因此，由已知的光刻系统来记录图形通过目标表面的相对移动与记录射束的定时“接通”和“断开”转换的组合来实现，所述记录射束的定时“接通”和“断开”转换由所述光学熄灭装置(blankeroptics)基于所述控制单元(更具体地，控制单元的所谓的图形射束)发出的信号来实现。
通过虚拟栅格的操作使用，已知的系统能够判定将记录射束变为“接通”方式还是“断开”方式，该“接通”方式和“断开”方式在具体的示例性系统中相应地是指将射束熄灭(blank)还是不熄灭。例如在具体已知的实施方式中，这种所使用的栅格的尺寸是由以下问题来确定的：即，斑点(spot)的意外(即，不必要的)落下(现今在多记录射束系统中出现斑点意外落下的可能性是很大的)是否会扰乱待记录在衬底上的图形。因此，存在选择尽可能小的栅格的趋势。这个趋势是由设计者期望在设计行宽或物体宽度时或在确定定位位置时具有虚拟无限选择而引起的。根据对本发明的基本认识，定位位置意味着在记录时纠正邻近效应的额外可能性。另一方面，在多记录射束系统中，尤其希望栅格尽可能得大，以便限制待处理和传送到光刻系统的记录装置部分的数据量，以及使得熄灭装置能够及时地转换，以便进行特征的正确记录，而无需能够快速转换的高度复杂和/或相对昂贵的熄灭装置结构。
作为上述条件之间的平衡以及作为当代技术状况的反映，已知的光刻机辨别所谓的临界尺寸单元(典型地例如45nm)，所述单元由具有相应规格探针尺寸(例如30nm)的记录射束来记录，并且所述单元被划分为多个栅格单元，例如20乘20个栅格单元，因此，栅格单元相对于探针尺寸具有小的尺寸，例如2.25nm。在这样的设置中，仅一个栅格单元的意外熄灭或不熄灭对电子的沉积剂量只会存在很小的影响(例如只是0.25％)，实际上这个影响被认为是可忽略的。
现在，本发明处理以下问题：即，在基于光栅的光刻系统中，如何在没有上述缺点的情况下将图形特征更精确地定位在待图形化的衬底表面上。除了前面提及的原因以外，尤其在多射束记录射束系统中，精确地定位特征或边缘是非常重要的，这具体地是因为衬底的待曝光的不同部分可以通过不同的探针(诸如多射束系统中的不同带电粒子束)来图形化，并且还因为这会提供在熄灭装置中通过特征的亚像素再定位来校正邻近效应的另一种方法。
在其他现有技术中，一种通过射束使衬底图形化的广泛使用的方法也是光栅扫描。为了在衬底上精确地记录图形，图形被光栅化。每个带电粒子束在待图形化的衬底上执行其记录操作，所述衬底被定位在以连续方式移动的电机驱动平台上。同时，射束沿垂直于平台移动的方向扫描。通过在合适的时间向射束提供记录信息，图形被记录在栅格上，所述栅格不一定必须是笛卡尔栅格(Cartesiangrid)。这种现有技术的主要问题在于，特征只能被定位在单个栅格单元的尺寸中。发布图形设计标准没有解决这个问题，这是因为在曝光之前，需要对图形设计的多个分辨率扰乱现象(例如邻近效应)进行校正。这些校正可以将特征的边缘移动得远离栅格行。
从US5103101中获知了一种有助于改进在多射束光刻系统的现有技术中研发出的记录的精确度的方法，其中，通过采用多通道来记录图形，图形首先被光栅化。在光栅化以后，像素被分成可选择数量的“相”。每个相在单独的光栅扫描中被印刷。这导致所选数量的光栅扫描构成特征。由于像素之间的间距在两个方向上被扩大，因此能够以更高的速度执行每次扫描。因此，在这种方法中，在第一次曝光期间图形被部分地记录。整个栅格在单个栅格单元的尺寸内移动，然后图形的第二部分被记录。如此，特征边缘因此能够比之前精确两倍地定位。通过采用更多的通道，能够获得更精确的图形布置。这种方法的一个相当严重的缺点是，多通道所意味的生产量的巨大损失，尤其是在精确度的等级提高时。
另一个应用光栅的已知技术已知为灰色记录(grey writing)，并且例如在早期的美国专利5393987中所描述的。在这种方法中，使用了相对少量的栅格单元。然而，每个栅格单元中所应用的剂量可通过改变照射的持续时间而改变为例如0％、30％、70％和100％。沿着特征边缘使用了30％和70％像素，以便在笛卡尔光栅的行(line)间记录时定位边缘。因此，能够在不需要多通道的情况下精确地调整特征的位置。此外，需要较少的数据来得到同样的结果。然而，这个已知的技术和系统伴随有多个缺点。例如，剂量等级通过部分的熄灭或通过控制曝光时间而产生。在这样的设置中，所需的对不连续步骤的控制要求以非常精确的方式来操作。尤其对于高生产量应用，这样的要求导致光刻系统的设计非常困难并且相应地导致高成本。另外，像这样的系统的产量损失很大。由于相对大的栅格尺寸，图形控制数据中的一个位误差会对系统中的相关曝光产生相对大的影响。因此，已处理的衬底(如掩模或晶片)的相对大的范围存在需要修补的风险，或者更坏地，存在报废(即，变得无法修补)的风险。
为了克服对光栅或栅格系统的限制而设计的又一种方法和机器由术语虚拟地址指出，并且例如在美国专利4498010中所披露的。根据这个系统，其中，栅格单元的尺寸等于探针的尺寸，可通过在所选特征之前或之后记录附加像素而将特征边缘几乎定位在两个栅格行之间，从而在交替的探针位置中熄灭射束。这个方法将会损坏已记录特征的边缘平滑度，但减少了系统的定位误差，并且有利地维持了系统的产量。然而，该系统受限于边缘位移的一个特定距离，即，栅格单元尺寸的一半，在这个系统中，栅格单元尺寸的一半对应于探针尺寸的一半，实际上这不仅意味着定位位置的延伸受限于一个像素中间的单个位置，而且如本公开所指出的，也意味着这一移动的边缘在形状上会是相当粗糙的。这个已知的系统既没有说明如何实现光滑边缘的虚拟无限亚像素布置，也没有涉及到探针尺寸明显大于像素尺寸的同时期系统。
在如US2002/0104970中所披露的所谓向量扫描记录策略和光栅扫描策略的组合中，待记录的图形被光栅化并且一组像素被组合，从而形成一个单元。在这个单元中，可得到有限数量的可能图形结构。每种可得到的结构均被赋予一个形状码。随后，在以光栅扫描的方式从某一位置移动到另一位置的同时，通过在期望的位置处照射每个单元来记录图形。能够通过应用合适的形状码来调整边缘相对于光栅化的栅格的位置。因此，可以确定这个具体专利公开披露了一种利用已图形化的单元的灰色记录形式。除仅使用有限数量的单元结构之外，还可显而易见的是，这个构思不是如光刻系统中所讨论的那样基于单个像素的贡献来考虑。
本发明的目的在于克服如现有技术中通过光栅方法将特征定位在衬底上所带来的限制，或者涉及实际上独立于这种光栅或者栅格在期望的位置处定位特征的边缘。更具体地，本发明的目的在于，在采用传统的黑白记录策略的同时，通过养护相对非常细小的栅格结构，使得至少实际上光刻系统的生产量没有损失，并使得实际上特征的边缘平滑度没有降低。通过这样的形成光刻系统的探针(其中，事实上，特征的定位不再、至少几乎不限于栅格单元的有限尺寸到它的一半尺寸)，获得了高度先进的临界尺寸控制，更具体地，甚至以一种相对经济的方式获得，临界尺寸控制使得实质上独立于所应用的栅格对目标上的边缘进行实质上无阻碍布置成为可能。
发明内容
本发明通过特征和/或其边缘的虚拟无限亚像素定位而实质上甚至更进一步减小像素尺寸来提高了当今光刻系统示出的栅格尺寸明显小于探针尺寸的可能性，没有损失边缘平滑度，并且可应用在诸如无掩模的多射束系统中，没有与进一步减小栅格尺寸相关的缺点，即，没有增加系统中待处理和待传送的数据，并且无需如与小栅格尺寸相关的快速转换所需的技术上复杂且相对昂贵的熄灭系统。
以上的效果通过用于在目标表面(诸如晶片)上投影映像图形的系统来实现，其中，利用虚拟栅格将光刻系统图形特征定位在所述目标上，在所述系统中，记录射束探针在所述目标表面上的点扩散函数明显大于栅格单元的尺寸，由于探针覆盖了至少多个栅格单元，并且在所述系统中，通过调节所述特征中的至少多个栅格单元中的至少一组的方法来定位待记录的特征边缘。通过本发明，现在以空前的精确程度和边缘平滑度来定位特征和/或其边缘成为可能。明显地，本发明的范围延伸到各种基于光栅的光刻系统。此外，应注意到本发明涉及记录尺寸大于栅格单元的尺寸的特征。
通过具有当今特性的光刻系统并且因此通过以下说明书，在无需多通道的情况下，即，在保持生产量的情况下，通过相对小的栅格尺寸方法并且在无需改变传统的黑白记录工具的情况下，实现特征的高精度图形化。根据本发明的方法的一个具体优点是，在尺寸和定位上控制光刻系统的特征的新可能性。本发明的一个特殊优点是，能够在点扩散函数明显大于所应用的栅格尺寸的应用中进行这种精确定位。根据对本发明的根本的进一步认识，后者是理想的，至少对于减小对行宽的不准确度和行宽粗糙度的灵敏度是优选的。
另外，对于本发明，无需使系统的熄灭部分的成本和技术复杂性受到过分细微的限制。例如，在典型的当前光刻系统中，省去定向在机械或平台移动方向Mm上、而不是在扫描方向Sd上的一整行，这现在将要求熄灭装置能够以一定像素频率接通和断开，并且因此将要求上升/下落时间，由于满足这个要求的熄灭装置的相关成本和结构复杂性，该时间实际上不会被实现。因此，除了熄灭装置的经济但却有限的操作频率外，期望在成本和结构复杂性方面有所降低，有利地，可以根据本发明的两种方法的组合来调整待投影的图形，如此，系统的单独熄灭装置不需比这一限制频率转换得更快。简而言之，这些方法(它们也可以分开应用)包括除已投影的图形边缘以外的其他已记录的像素并且省去(即，不记录)图形的已投影边界中的这一边界附近的像素。
然而，根据本发明的另一方面，可以在几个特征直到全部图形的大部分的范围内执行局部剂量调节，以便克服其他存在的邻近效应。
对于其中的特征密度具有较大差别的图形，所述图形的不同部分可以不分享共同的显影水平，这意味着已曝光图形的一部分在显影以后将不显示出任何特征。通过在具有不同图形密度的区域之间应用剂量调节(即，对于图形的稠密部分应用较少的剂量)，因此，通过本发明产生了共同的显影水平。为了特征边缘的准确定位，这个剂量调节与记录或省去边缘处的像素或者省去平行于所述边缘的全部行相结合。
事实上，本发明也可被表示为具有所述当前特征的光刻系统，出于移动特征或其边缘的位置的目的，本发明使用了一套方法中的至少一个，所述方法包括：
-以在每次接通/断开转换之间都有多于一个连续接通/断开像素的方式在特征的外侧且在特征的边缘附近记录另外的像素；
-省去(即，不记录)所述特征的边界中的所述特征的边缘附近的像素或全部行；
-对于待通过不记录特征所围绕的像素的一部分(包括邻接特征的已投影边缘的单元)来记录的一个或多个完整特征，降低图形中的能量剂量；
-应用前面三种方法中的两种或全部的组合。
本发明的特征还在于，其提出了一种用于不能仅通过命令设计者仅可在栅格尺寸的多倍范围内设计特征就解决的这一问题的解决方案，具体地是一种高质量的解决方案。因为现有技术中通常已知的邻近效应，待记录的结构附近的特征可以在任意的距离上移动特征的边缘。因此，存在经济地且有利地在预见位置处定位特征的边缘的高需求，即，至少实质上独立于实际所应用的栅格。
在前述方面中，对本发明的基本认识提供了，射束(具体地是电子束)的探针尺寸远大于通常应用在当前光刻系统中的栅格尺寸。因此，当像素被直接添加在特征的边缘附近时，例如，优选地，在每对添加的单元之间的两个或更多个空白栅格单元存在中断，因此所产生的边缘的粗糙度将至少实质上在最后的特征中不是显而易见的。然而，特征的边缘在最后的图形中已经朝向特征的外侧移动了这样一个数值，该数值是用已记录的像素的数量除以添加这一数量的像素时的系数而得到的。例如，如果第1行在宽度方向上延伸到n+1像素，第2行也如此，第3行保持在由所应用的栅格定义的宽度n处，那么相关特征的实际边缘将实际上变成位于栅格位置n+2/3处。应注意到，在最终获得的特征形状没有出现明显的粗糙度效应的情况下，可以容易地将另外的像素定位在与所应用探针尺寸的一半左右相对应的栅格距离处。然而，以这样的方式可以获得栅格单元的尺寸中明显的再分图形位置(例如，以系数10)。在这点上，在栅格尺寸为2.25nm处，并且具有9个已记录行而留有另一不记录单元，当临界尺寸控制为0.11nm时，可以实现边缘清晰度为0.22nm的再分。还应进一步注意到，根据本发明，本方法的可替换应用和效果是增大了所应用光栅的单元宽度，从而减小了所需的如通常包含在图形光束亚系统中的电子存储器的数量。本发明的这个效果可以例如在所谓的多射束光刻系统(例如，具有10000个记录射束或更多)中尤其变得引人关注。
其次，上述根据本发明的解决方案，并且它的一部分涉及省去(即，不记录)特征(即，已记录结构)内的栅格点。根据对本发明的又一基本认识，公认的是探针的点扩散函数大于地址栅格，并且公认的是这种状况能够产生积极的效用。具体地，因为边缘附近的栅格点的影响，出于移动特征的边缘位置的目的，本发明提出了省去结构内的点的构思和方法，然而内部的特征展开到这个边缘。这一移动距离取决于距离相关特征边缘多远的栅格点被删除(即，不被记录)。删除的栅格点的效用在于，在边缘处局部有效地降低剂量并且因此移动特征的边缘位置。
根据本发明的又一方面，省去照明的方法，即，不在特征(可替换地为指定结构)内的栅格点上进行记录也被用作通过剂量校正而用于邻近效应的额外校正。因为其有效地去除了曝光量，因此可相对容易地计算出哪个附近结构已经沉积了剂量。有效地，其利用了灰度等级。在例如20乘20的栅格处，半临界尺寸正方形有100个栅格点，因此有效地，用100灰度等级加上自由度来选择哪些栅格点将被留下而不被记录。
根据本发明的又一方面，有利地，边缘定位能够通过结合上述定位边缘的方式(即，通过以具体的方式添加像素或者通过去除像素)中的两种来实现。
根据对本发明的进一步认识，特征和/或其边缘的亚像素布置中的可能步骤的最大数值不仅因为探针尺寸的限制范围，而且还因为熄灭装置约束，即，目的在于保持经济上可实现的具有技术上有限复杂性的熄灭装置。在光栅扫描(诸如，无掩模、多射束系统中的偏转扫描)的情况下，这个约束只存在于最快扫描方向上。这意味着对于位于平台(包括将在其上进行记录的所述目标)的机械移动方向上的特征边缘来说，可以记录各种类型的“粗糙边缘”，然而，由于所述熄灭装置约束，不记录相关特征的边界中在相同方向上的仅单个行或其一部分实际上是不可行的。因此，与用于主要定向在电子扫描方向上的边缘的策略相比，用于应用在定位沿机械移动方向的边缘中的边缘的亚像素位置的策略稍有不同。
从光刻设备的实际用途中，在该领域中变得显而易见的是，对设计用于芯片的栅格的需求是不期望的。因此，为了这个效果，预计了对于临界尺寸控制(CDC)和覆盖的贡献。通过提及的粗糙边缘方法，这很可能小于栅格尺寸的十分之一。
应注意到，根据本发明的范围和目的，不仅特征的边缘要在亚像素精度水平下定位，而且全部特征在尺寸上也可被精确地定位、脱位或调整。实际上，这意味着在图形化时有利地实现了更多的灵活性，除此之外图像还包括：防止由于待定位在目标上的特征之间的邻近效应而导致的行宽误差的新方式。
本发明进一步包括一种限制用于待投影的图像的全部能量剂量的构思和方法，以使得上述布置特征及其边缘的目的被实现。根据本发明，这是通过不记录落入待记录的特征的边界内的一部分单元来实现的，包括直接与特征的边缘相邻的单元阵列。优选但非必需的，这种不记录单元在特征的边界内的主要规则图形中执行。以这种方式，不仅可以定位或移动特征及其边缘，而且根据本发明，可以操纵特征的尺寸(例如，宽度)。
以上所述的根据本发明的所有三种方法均可以组合地应用，然而也可以单独地应用。一个常用的组合是邻近边缘且在特征外添加已记录单元的方法与邻近边缘且在特征内不记录单元的方法。在如上所述的用于定位或操纵特征的计算机程序中，三种方法的可能组合的全部范围都是可利用的。
附图说明
将在以下根据本发明的无掩模光刻系统的实施例中以实例的方式进一步阐明本发明，附图中：
图1是现有技术光刻系统的示意图，本发明是以该光刻系统为基础的；
图2A和图2B示出了具有笛卡儿栅格的已知光刻系统的对齐问题；
图3示出了利用高斯射束的图形沉积的构思；
图4示出了高斯射束原理的俯视图，以及边缘定位图形的第三实例；
图5示出了根据本发明的光刻实施例的结果；
图6示出了利用“粗糙边缘”方法的根据本发明的亚像素行宽调节方法；
图7示出了出于移动边缘的目的而在特征内不记录整行单元的原理方法；
图8示出了对于以每临界尺寸的单元数量表示的几个栅格尺寸来说，单行“粗糙边缘”的最大允许调节步骤尺寸，即，通过在单元边缘附近的最后一行待记录单元之外记录附加单元的特征边缘的位移。
在这些附图中，相应(即，至少在功能上相应)的结构特征以相同的参考标号指出。
具体实施方式
图1示出了能通过本发明进行改进的一个现有技术光刻系统的整体侧视图。在这个系统中，在此作为一个实例描述了本发明可以应用的地方，在光发射器处或者光载体Fb的调节装置端2，在以光纤Fb作为实施例的情况下，利用以透镜54表示的光学系统将光束8投影到调节器阵列24上。来自每个光纤端的已调节的光束8被投影到光敏元件(即，所述调节器阵列24的一个调节器的光敏部分)上。具体地，光纤Fb的端部被投影到调节器阵列上。每个光束8保持用于控制一个或多个调节器的图形数据的一部分，对调节器的调节构成了用于基于调节器阵列指示来传送图形数据以在所述目标表面上实现期望的图像的信号系统。图1还示出了一个射束发生器50，该发生器产生发散的带电粒子束51(在该实例中是电子束)。利用光学系统52(在该实例中是电子光学系统)，该射束51成形为平行射束。平行射束51撞击在带孔板53上，从而产生多个基本上平行的记录射束22，该射束射向调节阵列24(可选择地被称为熄灭装置阵列)。利用调节阵列24(包括静电偏转元件)中的调节器使得记录射束27偏离光刻系统的光轴，并且使得记录射束28未偏转地通过调节器。利用射束阻挡阵列25来阻挡偏转的记录射束27。穿过阻挡阵列25的记录射束28在偏转阵列56处沿着第一记录方向偏转，并且利用投射透镜55来减小每个细光束(beamlet)的横截面。在记录期间，目标表面49相对于系统的其余部分沿第二记录方向移动。
此外，光刻系统包括控制单元60，该控制单元包括数据存储器61、读出单元62和数据变换器63，包括所谓的图形光束。控制单元60被定位在远离系统的其余部分处，例如位于无尘室中心部分的外面。利用光纤Fb将保持图形数据的已调节的光束8传送到投射器54，该投射器将光纤的端部投射到调节阵列24上。
首先将概括地示出由例如上述类型的光刻系统改进而来的本发明的主题，之后将更详细地论述本发明。图2A和图2B示出了根据栅格约束设计的特征因而无阻碍设计的特征，这正是系统的用户所期望的，并且是现在本发明可能做到的。图2A示出了完全与所应用的栅格对齐的图形。每个栅格单元或是完全曝光或是一点也没曝光。图2B示出了相同的图形，该图形现在与所应用的栅格未对准。图形的边缘没有落到与曝光设备的记录栅格对应的栅格线上，然而，仍然示出了实际上相同的平滑度。这是期望通过本发明获得的效果，然而这不能通过传统的黑白记录策略获得，所述黑白记录策略限于实现栅格线内部(co-inside)的特征边缘。
通过图3，它示出了当记录细光束的中心被定位在单元中心的顶部上时栅格单元被曝光在目标上。入射时在期望的光刻目标上产生的探针的直径远大于单元尺寸。出于清楚的目的，如图3A中所示的高斯探针的宽度与实际相比小很多。实际上，探针通常至少覆盖在约十个栅格单元的长度上。因此，某些单元的完全曝光也导致邻近已曝光单元的单元中的部分曝光(具有较低密度的曝光)。那么，当多个邻近的栅格单元被完全曝光时，沉积在单独的栅格单元中的电子的数量构成从单元自身的曝光中直接地接收的剂量以及通过相邻单元的曝光间接地接收的剂量的总和。结果，当仅栅格单元曝光时，总剂量超出每个栅格单元的剂量，因此，形成一个更宽且更大的结构，如能从图3A中大体上顶帽状的图形中所得到的。然而，可以通过选择合适的切断剂量水平(图3A中以虚线示出)来重建所期望的特征尺寸。图3B中示出了这种重建的结果。
图4示出了本发明实施例的第一效果。在图4B中，以粗体示出(线Ee)了期望的待绘制图形。特征的顶部边缘没有与已光栅化图形的栅格线对齐。通过调节单元的顶部阵列而绘制出的粗体线Ee示出了已光栅化图形及其通过根据本发明方法的细光束而有效地记录的边缘。在记录时，期望的未与栅格线对齐的边缘具有粗糙的形状。在图4A中，在具有以下尺寸的正方形光栅部分中表示出由记录射束实现的探针Ss，该光栅部分的尺寸与对于45nm的临界尺寸CD的典型宽度一致。因为记录细光束的探针尺寸Ss远大于单个栅格单元的尺寸Ps(可选择地称为像素尺寸)，在显影已曝光的图形之后，边缘的形状是不可见的。已光栅化图形中的阴影线(即，粗糙边缘)有效地将最后的特征边缘向外移动到期望的位置。这个布置技术的可能精确度取决于与细光束的探针尺寸Ss相比的粗糙边缘像素长度的尺寸。通过仔细地选择，获得了小于栅格单元尺寸的1/10的精确度。一种用于亚像素调节的解决方案是利用粗糙边缘。特征边缘的亚像素布置通过使得特征的外部像素线中的一些像素接通以及使得一些像素断开来实现。例如，对于具有一系列2个接通像素、3个断开像素的外部行来说，光刻胶(即，用于在其上记录图形的目标)中的边缘将位于像素的2/5处。通过选择正确的接通/断开比，将特征的边缘有效地布置得比所应用的像素尺寸Ps(例如，为2.25nm)更精细。因为电子束的探针尺寸Ss远大于栅格尺寸，因此实质上行的粗糙度在最终的图形中是不可见的。根据对本发明的认识，特征边缘的亚像素布置中的可能步骤的最大数值不仅限于探针尺寸而且由于熄灭装置约束，即，目的在于保持经济上可实现的具有技术上有限复杂性的熄灭装置。然而，这个约束只存在于偏转扫描的方向。在图6B中，这些不可能的调节由周围的圆圈Np指出。这也可以通过省去特征中的像素来克服，例如，如图6A中的那样。
图5示出了根据本发明的进一步方法的光刻系统的第二方法和效果，它基于省去(即，不记录)已光栅化边缘附近的像素。在这点上，图5B示出了待记录的期望图形，而图5A示出了适合于实现特征的准确布置的已光栅化图形。在这个实施例中，改变了特征中的栅格单元的内容，而不是修改了图形的边缘。出于定位被执行在邻近已光栅化图形中的特征边缘的特征边缘的目的，去除了多个内部单元(即，在最后偏转行前面的偏转行中的单元)，并且如图中所示，有效地向内移动特征的边缘。通过亚像素分辨率来移动特征边缘的另一方法是省去(即，不记录)特征中的、这一边缘附近的完整行。图7中示出了这个方法。
因为记录探针Ss的点扩散函数PSF远大于地址栅格(addressgrid)，因此删除结构中的行或其一部分的影响扩散到边缘上。在此，点扩散函数PSF被定义为高斯曲线的斜线的倾斜角，所述高斯曲线表示记录射束在光刻目标上的冲击。在特征的边缘处，这一删除有效地降低了剂量并且因此移动边缘位置。边缘移动的距离取决于删除的像素距离边缘多远并且取决于删除像素的数量。然而，省去机械移动方向Mm上的一整行而不是扫描方向Sd上的一整行，将要求光刻系统的熄灭装置能够以一定像素频率接通和断开，并且因此需要很快的上升/下降时间(通常在纳秒的十分之一以内)，由于符合这样要求的熄灭装置的相关成本和结构复杂性，这实际上不会被实现。然而，在原理上，也可以例如通过删除(即，不记录)一个或两个单元的宽度上的像素来移动定向在机械移动的方向上的边缘，如图7所示的。
实际上，根据本发明，待曝光的图形不仅会通过单独地使用每个方法来调节，而且有利地还使用如图6A中所示的所述两种方法的组合。在如用在许多光刻工具中的熄灭策略中，每个栅格单元的曝光通过利用熄灭装置在合适的时间及时遮蔽记录细光束来控制。当熄灭装置的操作频率被限制时(出于减小熄灭装置的成本和结构复杂性的目的经常期望这样)，以这样的方式根据所述两种方法的适当组合来调节图形，即，使得每个单独的熄灭装置不一定转换得比所述限制频率快。在另一具体实施例中，出于移动所述特征边缘的位置的目的，熄灭了粗糙边缘内部的一整个偏转行。
在图6和图7所示的实例中，用于在晶片上记录图形的记录策略是具有的像素尺寸为2.25nm的光栅扫描。对于选择栅格尺寸为2.25nm的栅格的一个约束是安放设计栅格。可以影响所选的像素尺寸的两个原因是：因为期望的设计自由度，2.25nm的尺寸对于芯片制造商来说是不实际的；并且其次，在邻近效应处需要用偏置设计来校正，产生对于亚像素布置的需求，对此的解决方案需要由本发明来提供。增大栅格尺寸的优点是以下事实，即，在所谓的无掩模光刻设备的图形光束亚系统(PSS)中将需要较少的存储器，这可以明显地降低设备的成本。另外，像素比率(即，像素信息供应至系统的比率)可以保持相对低。因此，本发明的优点也在于，在通过使用上述粗糙边缘调节来保持设计自由度的同时增大了栅格尺寸。图6示出了因为出于经济上的原因本熄灭装置约束如沿运送待处理的晶片或目标的平台的机械运动方向Mm采取的探针调节，该探针调节与沿偏转扫描方向Sd所采取的调节的类型略有不同。被圈起的位置Np表示“断开”调节难以执行，该调节取决于系统的具体布置，尤其是熄灭装置转换的可用率。当Fr表示期望特征的区域时，阴影区域D1表示根据布置数据的区域。
图7以阴影区域LO示出了特征或图像布置，而灰色区域REQ反应了曝光后所需要的特征。其表明通过根据本发明的方法，已记录特征的边缘的位置在省去内部行时向内移动。这个移动涉及省去的行与待移动的平行边缘的距离。通过本发明应理解，对于具有偏置布置的邻近效应校正(PEC)，即，基于局部背景剂量水平来调节特征尺寸，将需要更细小的栅格，出于经济上的原因，这是不期望的。通过根据本发明的粗糙边缘方法，能够获得小于栅格尺寸的十分之一的一半的栅格，并且CD或额定值的行宽粗糙程度的最大误差处于相同量级中。根据这个结果，有依据来增大设置上述实例中的栅格尺寸。优点在于减小了像素的数量并且因此也减小了光刻机的图形光束亚系统(PSS)中的未压缩存储器的数量。在图8中，对于单行的接通/断开组合的计算结果，粗糙边缘调节用于多种栅格尺寸，如以适合应用于系统中的临界尺寸(CD)的像素的数量来表示。其表明按照这些栅格尺寸的范围的最大调节步长。可以看到，从每CD的15个像素及以上(而不是如以上实例中20个像素)，通过上述粗糙边缘方法定位的一部分边缘的位置的误差小于0.1nm，即，实际上是不存在的，至少是完全可接受的，即使是对于当今光刻中已投影特征的高精度尺寸。
除了如前面所述的构思和所有相关细节之外，本发明还涉及如以下的权利要求书中所限定的所有特征以及本领域技术人员可以从上述与本发明有关的附图中直接地毫无疑义地得到的内容。在以下的权利要求书中，注意前述术语的含义，任何与附图中的结构对应的参考标号都是出于支持阅读权利要求的目的，包括只作为所述前述术语的示例性含义。

Claims (13)

1.一种形成光刻系统的探针，所述光刻系统用于使用黑白记录策略，即，记录或不记录栅格单元，而在诸如晶片的目标表面上产生图形，从而在包括栅格单元的栅格上划分所述图形，所述图形包括尺寸大于栅格单元的尺寸的特征，在每个单元中所述探针被“接通”或“断开”，其中，探针在所述目标上覆盖了明显大于栅格单元的表面区域，并且其中，在特征内，在探针尺寸的范围内实现了位置取决于黑白记录的分布。
2.根据权利要求1所述的系统，其中，这种位置取决于分布在待记录在所述目标上的特征的边缘附近执行。
3.根据权利要求1所述的系统，其中，执行这种位置取决于布置以实现特征边缘在所述目标上的亚像素布置。
4.根据权利要求1所述的系统，其中，特征边缘的定位通过不记录平行于所述边缘定向的、并且距离所述边缘一定距离的栅格单元行的一部分来实现。
5.根据权利要求1所述的系统，其中，在所述特征外且邻近特征边缘的像素阵列的至少一行中记录有另外的像素，因此所述栅格单元行被定向成平行于所述边缘。
6.根据前述权利要求所述的系统，其中，在所述行中另外地记录有多个单元中的至少一组。
7.根据权利要求1所述的系统，其中，通过接通和断开在规则图形中记录的所述探针来实现对所述特征的总体剂量调节。
8.根据前述权利要求所述的系统，其中，所述特征的边缘被移动，具体地用于避开邻近效应。
9.根据权利要求1所述的系统，其中，记录射束的接通/断开比像素比率慢。
10.根据权利要求1所述的系统，其中，特征的有效边缘位置通过不记录距离边缘一定探针尺寸范围中的一个或一组像素来控制。
11.根据权利要求1所述的系统，其中，探针尺寸是地址栅格尺寸的5倍到20倍范围内的某一值。
12.操作一种形成光刻系统的探针的方法，所述光刻系统用于使用“接通”及“断开”记录策略，即，记录或不记录栅格单元，而在诸如晶片的目标表面上投影图形，从而在包括栅格单元的栅格上划分所述图形，在每个单元中所述探针被“接通”或“断开”，其中，探针在所述目标上被设置成覆盖了明显大于栅格单元的表面区域，并且其中，在特征内，在探针尺寸的范围内实现了位置取决于黑白记录的分布。
13.用于操作光刻系统的方法，其中，图形待投影到诸如晶片的目标表面上，所述方法涉及使用以形成射束的探针形式的大量记录射束，所述射束产生在所述系统的带电粒子束柱部分中，并且在所述目标表面上扫描以记录所述图形，通过单独地熄灭或不熄灭所述柱内的每个记录射束而在所述柱中调节所述射束；记录所述图形通过在横切所述目标相对于所述柱的机械移动的方向上扫描每个单独的记录射束来执行，其中，使用被划分为尺寸远小于探针尺寸的单元的虚拟栅格来将系统图形特征定位在所述目标上，并且通过不记录用于记录所述特征的至少最后一扫描行中的至少一组栅格单元而实际上独立于所述栅格尺寸来定位特征的边缘，所述组大于栅格单元的数量而小于用于记录所述探针的尺寸所需的栅格单元的数量，具体地，小于用于记录所述探针的一半尺寸所需的栅格单元的数量。
CN2007800141794A 2006-03-10 2007-03-09 光刻系统和投影方法 Active CN101427184B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US78104006P 2006-03-10 2006-03-10
US60/781,040 2006-03-10
PCT/NL2007/000065 WO2007105939A1 (en) 2006-03-10 2007-03-09 Lithography system and projection method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101427184A true CN101427184A (zh) 2009-05-06
CN101427184B CN101427184B (zh) 2013-07-17

Family

ID=38180404

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007800141794A Active CN101427184B (zh) 2006-03-10 2007-03-09 光刻系统和投影方法

Country Status (7)

Country Link
US (2) US7842936B2 (zh)
EP (2) EP1994447B1 (zh)
JP (1) JP5528796B2 (zh)
KR (1) KR101444958B1 (zh)
CN (1) CN101427184B (zh)
TW (1) TWI432908B (zh)
WO (1) WO2007105939A1 (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104040434A (zh) * 2012-01-12 2014-09-10 Asml荷兰有限公司 光刻装置、用于提供设置点数据的装置、设备制造方法、用于提供设置点数据的方法和计算机程序
CN104170054A (zh) * 2012-01-18 2014-11-26 株式会社尼康 空间光调制器的驱动方法、曝光用图案的生成方法、以及曝光方法和装置
TWI490661B (zh) * 2009-05-20 2015-07-01 Mapper Lithography Ip Bv 產生二級圖案以供微影處理的方法和使用其的圖案產生器
CN105474100A (zh) * 2013-07-16 2016-04-06 卡尔蔡司Smt有限责任公司 光学部件

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8537416B2 (en) * 2009-03-06 2013-09-17 Micronic Laser Systems Ab Rotor optics imaging method and system with variable dose during sweep
EP2228817B1 (en) * 2009-03-09 2012-07-18 IMS Nanofabrication AG Global point spreading function in multi-beam patterning
EP3144955A1 (en) 2009-05-20 2017-03-22 Mapper Lithography IP B.V. Method for exposing a wafer
KR101614460B1 (ko) 2009-05-20 2016-04-21 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. 리소그래피 시스템을 위한 패턴 데이터 전환
US9164372B2 (en) 2009-08-26 2015-10-20 D2S, Inc. Method and system for forming non-manhattan patterns using variable shaped beam lithography
KR101042195B1 (ko) * 2009-09-01 2011-06-16 한국과학기술원 대규모 폴리곤의 래스터화를 통한 마스크리스 노광
KR101964407B1 (ko) * 2010-09-27 2019-04-01 가부시키가이샤 니콘 공간 광변조기의 구동 방법, 노광용 패턴의 생성 방법, 노광 방법, 및 노광 장치
EP2633545B1 (en) * 2010-10-26 2018-01-24 Mapper Lithography IP B.V. Modulation device and charged particle multi-beamlet lithography system using the same
US9305747B2 (en) 2010-11-13 2016-04-05 Mapper Lithography Ip B.V. Data path for lithography apparatus
KR101474894B1 (ko) 2010-12-20 2014-12-19 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치의 프로그램가능 패터닝 디바이스를 제어하는 방법, 디바이스 제조방법, 및 리소그래피 장치
WO2012148606A2 (en) 2011-04-26 2012-11-01 D2S, Inc. Method and system for forming non-manhattan patterns using variable shaped beam lithography
NL2009817A (en) 2011-12-06 2013-06-10 Asml Netherlands Bv A lithography apparatus, an apparatus for providing setpoint data, a device manufacturing method, a method of calculating setpoint data and a computer program.
KR101883842B1 (ko) * 2011-12-26 2018-08-01 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 이를 포함하는 조명시스템
US8822106B2 (en) * 2012-04-13 2014-09-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Grid refinement method
JP2013165121A (ja) * 2012-02-09 2013-08-22 Canon Inc 描画装置、生成方法、プログラム及び物品の製造方法
US8510687B1 (en) * 2012-03-01 2013-08-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Error diffusion and grid shift in lithography
WO2013132064A2 (en) 2012-03-08 2013-09-12 Mapper Lithography Ip B.V. Charged particle lithography system with alignment sensor and beam measurement sensor
US8949749B2 (en) 2012-10-23 2015-02-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Layout design for electron-beam high volume manufacturing
US9501600B2 (en) * 2013-05-02 2016-11-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Standard cells for predetermined function having different types of layout
NL2010760C2 (en) 2013-05-03 2014-11-04 Mapper Lithography Ip Bv Beam grid layout.
US20150013901A1 (en) * 2013-07-11 2015-01-15 Hsio Technologies, Llc Matrix defined electrical circuit structure
US9460260B2 (en) 2014-02-21 2016-10-04 Mapper Lithography Ip B.V. Enhanced stitching by overlap dose and feature reduction
JP6353278B2 (ja) 2014-06-03 2018-07-04 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
EP2993684B1 (en) * 2014-09-05 2017-03-08 IMS Nanofabrication AG Correction of short-range dislocations in a multi-beam writer
US9484188B2 (en) 2015-03-11 2016-11-01 Mapper Lithography Ip B.V. Individual beam pattern placement verification in multiple beam lithography
KR102556509B1 (ko) * 2016-03-25 2023-07-18 삼성전자주식회사 마스크 레이아웃의 래스터화 방법 및 이를 이용한 포토 마스크의 제조방법
US9981293B2 (en) 2016-04-21 2018-05-29 Mapper Lithography Ip B.V. Method and system for the removal and/or avoidance of contamination in charged particle beam systems
KR101720595B1 (ko) * 2016-07-27 2017-03-29 주식회사 리텍 Ｄｍｄ 기반의 노광 장치에서 이용가능한 래스터 이미지 생성 방법 및 장치, 및 래스터 이미지 생성 방법을 실행하기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체
WO2018061960A1 (ja) * 2016-09-29 2018-04-05 大日本印刷株式会社 マルチビーム電子線描画装置における露光強度分布を求める方法および装置
JP6881168B2 (ja) * 2016-09-29 2021-06-02 大日本印刷株式会社 マルチビーム電子線描画装置における露光強度分布を求める方法および装置
NL2022156B1 (en) 2018-12-10 2020-07-02 Asml Netherlands Bv Plasma source control circuit
CN111508535B (zh) * 2020-03-13 2021-08-13 华为技术有限公司 一种数据写入读取方法、装置及系统

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5710236A (en) * 1980-06-23 1982-01-19 Toshiba Corp Pattern drawing device
US4498010A (en) * 1983-05-05 1985-02-05 The Perkin-Elmer Corporation Virtual addressing for E-beam lithography
US5369282A (en) * 1992-08-03 1994-11-29 Fujitsu Limited Electron beam exposure method and system for exposing a pattern on a substrate with an improved accuracy and throughput
US20020027198A1 (en) * 2000-08-10 2002-03-07 Koji Nagata Method and apparatus for charged particle beam exposure

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5103101A (en) * 1991-03-04 1992-04-07 Etec Systems, Inc. Multiphase printing for E-beam lithography
US5393987A (en) 1993-05-28 1995-02-28 Etec Systems, Inc. Dose modulation and pixel deflection for raster scan lithography
US20020104970A1 (en) 1999-01-06 2002-08-08 Winter Stacey J. Raster shaped beam, electron beam exposure strategy using a two dimensional multipixel flash field
US6498685B1 (en) * 1999-01-11 2002-12-24 Kenneth C. Johnson Maskless, microlens EUV lithography system
US6316164B1 (en) 1999-03-16 2001-11-13 N. William Parker Proximity effect correction method through uniform removal of fraction of interior pixels
US6433348B1 (en) * 2000-07-25 2002-08-13 Applied Materials, Inc. Lithography using multiple pass raster-shaped beam
JP5144863B2 (ja) * 2001-06-29 2013-02-13 株式会社オーク製作所 多重露光描画方法及び多重露光描画装置
JP4273291B2 (ja) * 2001-08-17 2009-06-03 株式会社オーク製作所 多重露光描画装置および多重露光描画方法
US7302111B2 (en) 2001-09-12 2007-11-27 Micronic Laser Systems A.B. Graphics engine for high precision lithography
TW520088U (en) 2001-12-26 2003-02-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Electrical connector
JP3940310B2 (ja) 2002-04-04 2007-07-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子ビーム描画方法及び描画装置、並びにこれを用いた半導体製造方法
US6870604B2 (en) * 2002-04-23 2005-03-22 Ball Semiconductor, Inc. High resolution point array
CN1467517A (zh) * 2002-06-07 2004-01-14 ��ʿ��Ƭ��ʽ���� 光布线电路制造方法及具有该光布线电路的光布线基板
EP2302460A3 (en) * 2002-10-25 2011-04-06 Mapper Lithography Ip B.V. Lithography system
TWI356973B (en) 2003-04-11 2012-01-21 Tadahiro Ohmi Pattern drawing apparatus and pattern drawing meth
JP4502596B2 (ja) * 2003-05-26 2010-07-14 財団法人国際科学振興財団 パターン描画方法及びパターン描画装置
JP2005055881A (ja) * 2003-07-22 2005-03-03 Fuji Photo Film Co Ltd 描画方法および描画装置
CN102709143B (zh) * 2003-09-05 2016-03-09 卡尔蔡司Smt有限责任公司 电子光学排布结构、多电子分束检验系统和方法
GB2408143B (en) * 2003-10-20 2006-11-15 Ims Nanofabrication Gmbh Charged-particle multi-beam exposure apparatus
GB2414111B (en) * 2004-04-30 2010-01-27 Ims Nanofabrication Gmbh Advanced pattern definition for particle-beam processing
US7209216B2 (en) 2005-03-25 2007-04-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing dynamic correction for magnification and position in maskless lithography

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5710236A (en) * 1980-06-23 1982-01-19 Toshiba Corp Pattern drawing device
US4498010A (en) * 1983-05-05 1985-02-05 The Perkin-Elmer Corporation Virtual addressing for E-beam lithography
US5369282A (en) * 1992-08-03 1994-11-29 Fujitsu Limited Electron beam exposure method and system for exposing a pattern on a substrate with an improved accuracy and throughput
US20020027198A1 (en) * 2000-08-10 2002-03-07 Koji Nagata Method and apparatus for charged particle beam exposure

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI490661B (zh) * 2009-05-20 2015-07-01 Mapper Lithography Ip Bv 產生二級圖案以供微影處理的方法和使用其的圖案產生器
CN104040434A (zh) * 2012-01-12 2014-09-10 Asml荷兰有限公司 光刻装置、用于提供设置点数据的装置、设备制造方法、用于提供设置点数据的方法和计算机程序
US9354502B2 (en) 2012-01-12 2016-05-31 Asml Netherlands B.V. Lithography apparatus, an apparatus for providing setpoint data, a device manufacturing method, a method for providing setpoint data and a computer program
CN104040434B (zh) * 2012-01-12 2016-10-19 Asml荷兰有限公司 光刻装置、用于提供设置点数据的装置、设备制造方法、用于提供设置点数据的方法
CN104170054A (zh) * 2012-01-18 2014-11-26 株式会社尼康 空间光调制器的驱动方法、曝光用图案的生成方法、以及曝光方法和装置
CN104170054B (zh) * 2012-01-18 2018-11-02 株式会社尼康 空间光调制器的驱动方法、曝光用图案的生成方法、以及曝光方法和装置
CN105474100A (zh) * 2013-07-16 2016-04-06 卡尔蔡司Smt有限责任公司 光学部件

Also Published As

Publication number Publication date
EP1994447B1 (en) 2012-12-26
KR20080113400A (ko) 2008-12-30
JP5528796B2 (ja) 2014-06-25
KR101444958B1 (ko) 2014-11-03
WO2007105939A1 (en) 2007-09-20
EP1994447A1 (en) 2008-11-26
US7842936B2 (en) 2010-11-30
TW200741364A (en) 2007-11-01
EP2323158A3 (en) 2012-01-04
JP2009529802A (ja) 2009-08-20
CN101427184B (zh) 2013-07-17
EP2323158A2 (en) 2011-05-18
US20080073588A1 (en) 2008-03-27
TWI432908B (zh) 2014-04-01
USRE45552E1 (en) 2015-06-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101427184B (zh) 光刻系统和投影方法
EP2443647B1 (en) Pattern data conversion for lithography system
JP2009529802A5 (zh)
US6313476B1 (en) Charged beam lithography system
US5885747A (en) Charged beam lithography method
US9373424B2 (en) Electron beam writing apparatus and electron beam writing method
KR100416131B1 (ko) 이차원 다중 픽셀 플래쉬 필드를 이용한 래스터 형상 비임 및 전자 비임 노출 방법
US8859997B2 (en) Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method
US20160126062A1 (en) Drawing apparatus, lithography system, pattern data creation method, drawing method, and method of manufacturing articles
JPH11233401A (ja) 電子線描画方法及び電子線描画装置
US9053548B2 (en) Lithography apparatus including display unit for updating data and article manufacturing method using same
JP2003338460A (ja) 電子ビーム描画装置および電子ビーム描画方法
US6259106B1 (en) Apparatus and method for controlling a beam shape
JP3930411B2 (ja) 荷電ビーム描画装置及び描画方法
US6200710B1 (en) Methods for producing segmented reticles
JPH06302506A (ja) 電子ビーム露光方法および露光装置
EP4095882A1 (en) Pattern data processing for programmable direct-write apparatus
US9989860B2 (en) Method of generating a pattern on a photomask using a plurality of beams and pattern generator for performing the same
JP2008311311A (ja) 荷電粒子ビーム露光方法及び荷電粒子ビーム露光装置
Belledent et al. Matching of beams on the MAPPER MATRIX tool: a simulation study
JP2004071690A (ja) 電子ビーム描画装置
US20050082496A1 (en) Method and apparatus for image formation
JP2008288360A (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
Platzgummer et al. Results of proof-of-concept 50keV electron multi-beam mask exposure tool (eMET POC)
JP2000331906A (ja) 図形一括電子線露光に用いる接続調整方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20190428

Address after: Holland Weide Eindhoven

Patentee after: ASML Holland Co., Ltd.

Address before: Delft

Patentee before: Mapper Lithography IP B. V.

TR01 Transfer of patent right