JP2000331906A

JP2000331906A - 図形一括電子線露光に用いる接続調整方法

Info

Publication number: JP2000331906A
Application number: JP11136081A
Authority: JP
Inventors: Takahisa Tamura; 貴央田村
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1999-05-17
Filing date: 1999-05-17
Publication date: 2000-11-30
Also published as: US6649920B1

Abstract

(57)【要約】【課題】図形一括型電子線露光装置において、図形一
括ショット間の接続精度を向上させる。【解決手段】デバイスパターン用開口群に移動し（ス
テップ１００）、図形一括ショットＡ内に含まれるパタ
ーンの最大座標ｐ1(Ｘmax,Ｙmax)と図形一括ショットＢ
内に含まれるパターンの最小座標ｐ2(Ｘmin,Ｙmin)を求
め（ステップ１１２）、ｐ1に対応するパターンＰ1とｐ
2に対応するパターンＰ2間の変位量（Ｌx,Ｌy）を求め
（ステップ１１３）、ショットＡを設計データ通り位置
に描画し（ステップ１１４）、パターンＰ1,Ｐ2が相互
に接触するように、変位量（Ｌx,Ｌy）に基づいてショ
ットＢをシフトさせて描画する（ステップ１１５）。パ
ターンＰ1とパターンＰ2の間のずれ量に基づいて、接続
オフセット値（Ｓx,Ｓy）を決定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子線によって微
細パターンを形成する電子線露光装置（電子線描画装
置）における接続調整方法に関し、特に、より高精度に
微細パターンを描画する図形一括方式の電子線露光装置
のパターン接続調整方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＬＳＩ（大規模集積回路）に代表される
半導体デバイスの進歩に伴い、半導体デバイスの製造に
おけるパターンの微細化が急速に進んでいる。半導体製
造におけるリソグラフィ工程において、電子線を用いた
露光方法は、今後必要となる０．２５μｍ以下のパター
ンを形成できる有効な露光方法である。

【０００３】図４は、電子線露光に典型的に使用される
電子線露光装置の構成を示す図である。この装置は、図
形一括描画方式による電子線露光を行うものであって、
四角形の開口３Ａを有する第１のアパーチャ３と、複数
個の開口パターン６Ａ〜６Ｆが設けられた第２のアパー
チャ６とを使用することによって、電子銃１からの電子
ビーム５０を複数個のパターンを有する電子ビーム５０
Ｂに成形し、レジストを塗布した半導体ウエハ１１上に
照射して微細パターンを形成するものである。この装置
においては、電子銃１を発した電子ビーム５０は、ブラ
ンキング電極２、第１のアパーチャ３、成形レンズ４、
成形偏向器５、第２のアパーチャ６、縮小レンズ７、主
偏向器８、副偏向器９及び投影レンズ１０をこの順で通
過し、試料台１２上の半導体ウエハ１１に照射される。

【０００４】上述したように第１のアパーチャ３には四
角形の開口３Ａが形成されており、電子ビーム５０から
矩形ビーム５０Ａが形成される。第２のアパーチャ６に
は、複数個の開口パターン６Ａ〜６Ｅが一括開口として
予め形成されている。第１のアパーチャ３によって四角
形に成形された電子ビーム５０Ａは、第２のアパーチャ
６上の一括開口上に照射される。そして、一括開口のう
ちの複数個のパターンを有する電子ビーム５０Ｂを半導
体ウエハ１１上に塗布してあるレジストに照射すること
により、複数個のパターンが一度に半導体ウエハ１１に
転写される。すなわちこの方法によれば、一回のショッ
トにより、１個もしくは複数個のパターンの潜像をレジ
ストに形成することができる。一括開口を構成する各開
口パターンは、それぞれ、デバイス設計データ（ＣＡＤ
データ）において出現頻度が高いストラクチャのコンタ
クトパターンやライン・アンド・スペース（Line and S
pace）の開口パターンである。

【０００５】半導体ウエハ１１上に形成すべきパターン
を表わすデータすなわち図形データ（ＣＡＤデータ）を
電子線露光装置特有のフォーマットに変換したパターン
データは、記憶装置１５に保存されている。計算機１４
は、記憶装置１５から図形データを図形データ用メモリ
１７に読み出した後、データの展開、ソート等の必要な
処理を実行する。計算機１４、記憶装置１５及び図形デ
ータ用メモリ１７は、データバス１３を介して接続して
いる。そして、これらのデータは、計算機１４から制御
装置１６を通してブランキング電極２、成形偏向器５、
主偏向器８および副偏向器９に転送され、これにより、
半導体ウエハ１１上の所望の位置に所望の形状の電子ビ
ーム５０Ｂを照射することができるようになる。

【０００６】また、第２のアパーチャ６には、一括開口
を構成する複数の開口パターン６Ａ〜６Ｅの他に、可変
成形用開口６Ｆも設けられている。この可変成形用開口
６Ｆを用いることによって矩形ビーム５０Ａを任意の大
きさの矩形ビーム５０Ｃに成形し、半導体ウエハ１１上
に塗布してあるレジストに照射することで、任意の大き
さのパターンを形成することもできる。

【０００７】この上述した図形一括描画方式を採用する
ことにより、同様のパターンを描画するのに必要なショ
ット数は、従来用いられてきた可変成形方式の電子ビー
ム露光装置に比べ、約１／１０〜１／１００となる。こ
の結果、電子ビーム露光を行うのに必要な時間は減少
し、スループットを改善することができる。さらに、図
形一括描画方式では、第２のアパーチャ６上に予め規定
された寸法の開口部が設けられているため、第２のアパ
ーチャ６を通過した後の電子ビーム５０Ｂのサイズが安
定しており、高寸法精度のパターンが得られる。

【０００８】図形一括描画方式の電子線露光では、上述
したように、予め複数の開口パターンを設けた第２のア
パーチャ６を使用する。そして、どの開口パターンを使
用するかを選択し、主偏向器８および副偏向器９により
電子ビーム５０Ｂを偏向することにより、第２のアパー
チャ６上に形成されている基本パターンを半導体ウエハ
１１上の所望の位置で順次接続しながら、所望の形状の
パターンを得る。このとき、各図形一括ショットの接続
オフセット値が適正でない場合、接続部でパターンのく
びれ、断線、未解像等の不具合が発生する。これらはい
ずれもデバイスの適正動作を妨げることにつながるた
め、適正な接続オフセット値を求める必要がある。

【０００９】ここで接続オフセット値を説明する。第１
の図形一括ショットＡと第２の図形一括ショットＢとに
分けて電子線露光を順次実行する場合に、設計上の両者
のショットＡ，Ｂ間のピッチに基づいて電子線露光装置
を制御して各ショットを行ったときに、種々の要因によ
って、実際にはウエハ上での描画結果において両方のシ
ョット間にずれが生じることがある。このずれを補正す
る量のことを接続オフセット値という。本来意図したよ
うな描画結果を得るためには、上述したように、適正な
接続オフセット値を求める必要がある。

【００１０】特開平１１−４０４８２号公報には、ショ
ット間でのパターン接続がないように一括セルを抽出す
ることにより、接続部でパターンのくびれ、断線などが
起こらないようにする方法が開示されている。しかしな
がら、この方法によれば、依然として、位置決め偏向器
（主偏向器８および副偏向器９）のばらつきなどによっ
て接続精度の劣化が生じる。電子線に露光した部分に注
目すれば、ショット間でのくびれや接続不良は生じない
ものの、接続精度の劣化により、電子線に露光していな
い部分の形状が意図したものと異なったり、下層との重
ね合わせ精度の劣化により、デバイスの適正動作が妨げ
られることになる。

【００１１】接続オフセット値を求めるために、従来
は、第２のアパーチャ６に、図５に示すように、実際に
デバイスパターンを生成するための開口群（デバイスパ
ターン用開口群）のほかに、接続調整に専ら使用するた
めの開口群（接続調整用開口群）を設け、この接続調整
用開口群を使用して接続オフセット値を求めていた。こ
こで接続調整用開口群は、第２のアパーチャ６におい
て、一般には、デバイスパターン用開口群からは離れて
位置しており、デバイスパターン用開口群と接続調整用
開口群との切り替えには、機械的な移動を伴うようにな
っている。

【００１２】そして、図６のフローチャートに示すよう
な手順にしたがって、接続オフセット値を求めて、実際
の描画を行っていた。まず、接続調整用開口群に移動し
（ステップ２０１）、その後、各図形一括ショット接続
調整用の描画を行う（ステップ２０２）。これは、例え
ば図７に示すように、図形一括ショットでバーニャの主
尺を、また可変成形ショットでバーニャの副尺を形成す
る描画である。この描画結果をバーニヤ付きの物差しと
見立てて、この描画結果から、各図形一括ショットの接
続オフセット値（Ｓx,Ｓy）を算出する（ステップ２０
３）。その後、デバイスパターン用開口群に移動し（ス
テップ２０４）、ステップ２０３で算出した接続オフセ
ット値（Ｓx,Ｓy）を適用して、実描画を実行する（ス
テップ２０５）。

【００１３】また、特開平６−１６３３７８号公報に
は、接続調整用開口群を使用することなく、図８のフロ
ーチャートに示すように、まず、デバイスパターン用開
口群に移動して（ステップ２１１）、ステージ上の標準
マークを走査し（ステップ２１２）、標準マークからの
反射電子信号を演算処理することで、図形一括ショット
の接続オフセット値（Ｓx,Ｓy）を算出し（ステップ２
１３）、この（Ｓx,Ｓy）を適用して実描画を行う（ス
テップ２１４）方法が開示されている。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ショッ
ト接続調整を行うための接続調整用開口群（バーニャパ
ターン等）を用いる場合には、この接続調整用開口群で
得られた接続調整量（接続オフセット量）と、実際に描
画で用いるデバイスパターン用開口群に対する適正な調
整量が異なることがあり、接続調整用開口群で得られた
接続調整量をデバイスパターン用開口群にそのまま適用
しても、高精度なショット接続精度が得られないことが
ある。その理由は、接続調整用開口群とデバイスパター
ン用開口群との間の移行に機械的移動が入るためであ
る。

【００１５】また、特開平６−１６３３７８号公報に示
すようにデバイスパターン用開口群に移動してステージ
上の標準マークを走査する方法の場合、標準マークの劣
化等のために最適な接続調整量が得られないことがあ
り、そのため、設定された接続調整量をそのまま実描画
に適用しても高精度なショット接続精度が得られないこ
とがある、という問題点がある。

【００１６】本発明の目的は、図形一括型電子線露光装
置において、ショット接続精度を高めることができる接
続調整方法を提供することにある。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明の接続調整方法
は、複数のパターンが形成されたマスクを電子光学系内
に設け、電子ビームをショットするごとに複数のパター
ンのうちの１以上のパターンに対応する潜像パターンを
レジスト上に形成し、複数回のショットを繰り返すこと
により所望の設計データに対応する潜像パターンをレジ
ストに形成する図形一括電子線露光に用いる接続調整方
法であって、第１の図形一括ショット内に含まれるパタ
ーンの中から第１のパターンを選択し、第２の図形一括
ショット内に含まれるパターンの中から第２のパターン
を選択する第１の工程と、設計データに基づいて第１の
パターンの座標と第２のパターンの座標との間の差を求
める第２の工程と、第１の図形一括ショットを設計デー
タ通りの位置に描画し、設計データ上は第１のパターン
と第２のパターンとがずれなく接触するように、第２の
図形一括ショットを設計データに基づく位置から第２の
工程で求めた差の分だけずらして描画する第３の工程
と、第３の工程での実際の描画結果での第１のパターン
と第２のパターンとのずれ量から、接続オフセット値を
求める第４の工程と、を有する。

【００１８】本発明においては、第３の工程において、
第１の図形一括ショットを設計データ通りの位置に描画
し、第２の図形一括ショットの描画位置を、設計データ
上は第１のパターンと第２のパターンとがずれなく接触
するように設計データに基づく位置から第２の工程で求
めた前記差の分だけずらして決定し、さらに決定した位
置に余剰シフト量を加えて第２の図形一括ショットを描
画するようにしてもよい。この場合は、第４の工程とし
て、余剰シフト量を変化させながら第３の工程を繰り返
し、第３の工程での実際の描画結果での第１のパターン
と第２のパターンとのずれ量が最小となったときの余剰
シフト量をもって接続オフセット値とする工程を設け
る。

【００１９】すなわち本発明は、第２のアパーチャにお
ける接続調整用開口群を用いることなく、実描画に用い
るデバイスパターン用開口群のみを用いて接続オフセッ
ト値を決定しようとするものである。そのために、第１
の図形一括ショットを設計データ通り描画するともに、
第１の図形一括ショット中のパターンから選ばれた第１
のパターンと第２の図形一括ショット中のパターンから
選ばれた第２のパターンとがずれなく接触するように、
第２の図形一括ショットをシフトさせて描画し、このと
きの第１のパターンと第２のパターンの間の実際のずれ
量に基づいて、接触オフセット値を決める。また、第１
のパターンおよび第２のパターンの選択基準としては、
第１の図形一括ショットに含まれるパターンのうち第１
のパターン以外のパターンと第２の図形一括ショットに
含まれるパターンのうち第２のパターン以外のパターン
とが、シフト描画の結果重ならないようにすることが好
ましい。具体的には、例えば、各図形一括ショットのシ
ョット領域の形状が四角形である場合には、その頂点の
いずれかに座標上の原点が設定されるものとして、第１
の図形一括ショットに含まれるパターンのうち原点から
最も遠いパターンを第１のパターンとし、第２の図形一
括ショットに含まれるパターンのうち原点から最も近い
パターンを第２のパターンとする。

【００２０】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図１は、本発明の好ましい
実施の形態のショット接続調整方法の処理手順を示すフ
ローチャートである。ここでは、図４を用いて先に説明
した電子線露光装置を用いるものとする。

【００２１】この処理手順は、大まかに言えば、電子線
に対するマスクである第２のアパーチャ６において図５
に示したようなデバイスパターン用開口群に移動し（ス
テップ１００）、その後、ショット接続調整用描画を行
い（ステップ１１０）、その結果から各図形一括ショッ
トの接続オフセット値（Ｓx,Ｓy）を算出し（ステップ
１２０)、第２のアパーチャ６上でのブロック移動を伴
わずに、そのまま、この接続オフセット値（Ｓx,Ｓy）
を適用して実描画を行う（ステップ１３０）、というも
のである。ここで、ステップ１００でのデバイスパター
ン開口群への移動からステップ１２０での接続オフセッ
ト値（Ｓx,Ｓy）の算出までが、ショット接続調整であ
る。以下、この実施の形態での処理手順を詳細に説明す
る。

【００２２】ステップ１００においてデバイスパターン
用開口群に移動後、ＣＡＤ（設計）データから図形一括
ショットＡと図形一括ショットＢとの間のピッチＸp，
Ｙpを読み出す（ステップ１１１）。ここでは図形一括
ショットの原点をショット左下点とする。図２(a)は、
ＣＡＤデータの一例を示しており、図中、Ａ，Ｂが記載
された大きな四角は、それぞれ、図形一括ショットＡ，
Ｂの範囲を示し、小さな四角は、各ショットでの露光部
分（パターン）を示している。

【００２３】続いて、同じくＣＡＤデータから、図形一
括ショットＡ内に含まれるパターンの座標の最大値ｐ1
(Ｘmax,Ｙmax)と図形一括ショットＢ内に含まれるパタ
ーンの座標の最小値ｐ2(Ｘp＋Ｘmin,Ｙp＋Ｙmin)を読み
出す（ステップ１１２）。次に、ステップ１１１とステ
ップ１１２で読み出した値から、座標ｐ1と座標ｐ2が、
設計上、離れていなければならない距離ＬxとＬyを算出
する（ステップ１１３）。図２(a)に示した例では、

【００２４】

【数１】Ｌx＝Ｘp＋Ｘmin−Ｘmax，Ｌy＝Ｙmax−(Ｙp＋Ｙmin) となる。

【００２５】次に、図形一括ショットＡを設計データ通
りに描画する（ステップ１１４）。そして図２(b)に示
すように、図形一括ショットＢを、設計データから（−
Ｌx−ｄ,−Ｌy）だけシフトさせて描画する（ステップ
１１５)。ここでｄは、座標ｐ1が属するパターンＰ1の
ｘ方向の長さである。

【００２６】このシフト描画は、座標ｐ1が属するパタ
ーンＰ1と座標ｐ2が属するパターンＰ2とが相互に接続
するように描画するものであり、接続オフセット量が０
であれば、両方のパターンはずれなく正確に接触する。
そこで、シフト描画した結果からパターンＰ1とパター
ンＰ2のずれ量を算出し、図形一括ショットの接続オフ
セット値(Ｓx,Ｓy)を求める（ステップ１２０）。これ
が図形一括ショットＢの接続オフセット値となるのでこ
れを用いて、その後、実描画を行う（ステップ１３
０）。

【００２７】結局、この実施の形態では、図形一括ショ
ットＡから、原点から最も遠いパターンであるパターン
Ｐ1を選択し、図形一括ショットＢから、原点に最も近
いパターンであるパターンＰ2を選択し、パターンＰ1と
パターンＰ2とが設計データ上は正確に接続するように
してシフト描画を行い、そのときの実際のずれ量を求め
て接続オフセット値としている。

【００２８】上述した方法によれば、実描画で用いる開
口を用いて描画した結果から接続オフセット値を算出
し、その後、算出した接続オフセット値を用いて実描画
を行うので、高い接続精度を持ったパターン形成を行う
ことができる。

【００２９】次に、本発明の別の実施の形態について図
面を参照して詳細に説明する。処理の基本的な流れは図
１に示したフローチャートと同一であるので、ここでは
その説明を省略し、具体的な例を用いてこの実施の形態
の動作を説明する。ここでは、ＣＡＤデータ（設計デー
タ）として、上述した図２(a)に示したものが用いられ
とする。ここでは、図形一括ショットの原点をショット
左下点としている。

【００３０】まず、ＣＡＤデータから、図形一括ショッ
トＡと図形一括ショットＢとの間のピッチＸp，Ｙpを読
み出す。また、同じくＣＡＤデータから、図形一括ショ
ットＡ内に含まれるパターンの座標の最大値ｐ1(Ｘmax,
Ｙmax)と図形一括ショットＢ内に含まれるパターンの座
標の最小値ｐ2(Ｘp＋Ｘmin,Ｙp＋Ｙmin)を読み出す。こ
れら読み出した値から、座標ｐ1と座標ｐ2が設計上、離
れていなければならない距離ＬxとＬyを算出する。この
例では、

【００３１】

【数２】Ｌx＝Ｘp＋Ｘmin−Ｘmax, Ｌy＝Ｙmax−(Ｙp＋Ｙmin) となる。

【００３２】次に、設計データ通りに、図形一括ショッ
トＡを設計データ通りに描画する。そして、図形一括シ
ョットＢを、設計データから（−Ｌx−ｄ,−Ｌy）だけ
シフトさせて描画する。ここまでの処理は、上述した実
施の形態でのステップ１１５までの処理と同一である。

【００３３】さらにこの実施の形態では、シフト量（−
Ｌx−ｄ,−Ｌy）に対し、余剰シフト量（Ｓ'x,Ｓ'y）を
定め、この余剰シフト量だけさらにずらして［すなわち
シフト量を（−Ｌx−ｄ＋Ｓ'x,−Ｌy＋Ｓ'y）とし
て］、描画を実行する。ここで余剰シフト量を変化させ
ながらシフト描画を繰り返し、それらの結果から、パタ
ーンＰ1（座標ｐ1を含むパターン）とパターンＰ2（座
標ｐ2を含むパターン）がずれなく接触している時の余
剰シフト量を求める。この時の余剰シフト量が、図形一
括ショットＢの接続オフセット値（Ｓ'x,Ｓ'y）となる
ので、このようにして求めた接続オフセット値（Ｓx,Ｓ
y）を用いて、実描画を行う。

【００３４】図３(a)〜(f)は、それぞれ、種々の余剰オ
フセット量に対するシフト描画の例を示している。

【００３５】以上説明したようにこの実施の形態では、
実描画に用いる開口を使用して余剰シフト量を変えなが
ら繰り返しシフト描画を実行し、パターンＰ1とパター
ンＰ2とがずれなく接触するときを求め、そのときの余
剰シフト量を接続オフセット値とするので、この接続オ
フセット値を用いて実描画を行うことにより、高い接続
精度を有するパターンを形成することができる。

【００３６】以上、本発明の好ましい実施の形態につい
て、電子ビームを用いる場合について説明したが、イオ
ンビーム等、他の荷電粒子線を用いて図形一括ショット
露光を行う場合であっても本発明の方法が有効であるこ
とは言うまでもない。

【００３７】

【発明の効果】以上説明したように本発明は、実描画で
用いる開口を用いてシフト描画を行うことによって接続
オフセット値を求め、このようにして求めた接続オフセ
ットを用いて実描画を行うことにより、高い接続精度を
持った微細パターンの形成を行うことができるという効
果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の好ましい実施の形態のショット接続調
整方法の処理手順を示すフローチャートである。

【図２】(a)はＣＡＤデータ（設計データ）の一例を示
す図、(b)はシフト描画を説明する図である。

【図３】(a)〜(f)は、それぞれ、本発明の別の実施の形
態における種々の余剰シフト量に対するシフト描画を説
明する図である。

【図４】電子線露光装置の構成を説明する図である。

【図５】第２のアパーチャの構成を示す概略平面図であ
る。

【図６】従来の図形一括ショット露光での接続調整手順
の一例を示す図である。

【図７】図形一括ショットと可変成形ショットとを説明
する図である。

【図８】従来の図形一括ショット露光での接続調整手順
の他の例を示す図である。

【符号の説明】

１電子銃２ブランキング電極３第１のアパーチャ３Ａ第１のアパーチャの開口４成形レンズ５成形偏向器６第２のアパーチャ６Ａ〜６Ｅ第２のアパーチャの開口パターン６Ｆ可変成形用開口７縮小レンズ８主偏向器９副偏向器１０投影レンズ１１半導体ウエハ１２試料台１３データバス１４計算機１５記憶装置１６制御装置１７図形データ用メモリ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数のパターンが形成されたマスクを電
子光学系内に設け、電子ビームをショットするごとに前
記複数のパターンのうちの１以上のパターンに対応する
潜像パターンをレジスト上に形成し、複数回の前記ショ
ットを繰り返すことにより所望の設計データに対応する
潜像パターンを前記レジストに形成する図形一括電子線
露光に用いる接続調整方法であって、前記第１の図形一括ショット内に含まれるパターンの中
から第１のパターンを選択し、前記第２の図形一括ショ
ット内に含まれるパターンの中から第２のパターンを選
択する第１の工程と、前記設計データに基づいて前記第１のパターンの座標と
第２のパターンの座標との間の差を求める第２の工程
と、前記第１の図形一括ショットを前記設計データ通りの位
置に描画し、前記設計データ上は前記第１のパターンと
前記第２のパターンとがずれなく接触するように、前記
第２の図形一括ショットを前記設計データに基づく位置
から前記第２の工程で求めた前記差の分だけずらして描
画する第３の工程と、前記第３の工程での実際の描画結果での前記第１のパタ
ーンと前記第２のパターンとのずれ量から、接続オフセ
ット値を求める第４の工程と、を有する接続調整方法。
【請求項２】複数のパターンが形成されたマスクを電
子光学系内に設け、電子ビームをショットするごとに前
記複数のパターンのうちの１以上のパターンに対応する
潜像パターンをレジスト上に形成し、複数回の前記ショ
ットを繰り返すことにより所望の設計データに対応する
潜像パターンを前記レジストに形成する図形一括電子線
露光に用いる接続調整方法であって、前記第１の図形一括ショット内に含まれるパターンの中
から第１のパターンを選択し、前記第２の図形一括ショ
ット内に含まれるパターンの中から第２のパターンを選
択する第１の工程と、前記設計データに基づいて前記第１のパターンの座標と
第２のパターンの座標との間の差を求める第２の工程
と、前記第１の図形一括ショットを前記設計データ通りの位
置に描画し、前記第２の図形一括ショットの描画位置
を、前記設計データ上は前記第１のパターンと前記第２
のパターンとがずれなく接触するように前記設計データ
に基づく位置から前記第２の工程で求めた前記差の分だ
けずらして決定し、さらに決定した位置に余剰シフト量
を加えて前記第２の図形一括ショットを描画する第３の
工程と、前記余剰シフト量を変化させながら前記第３の工程を繰
り返し、前記第３の工程での実際の描画結果での前記第
１のパターンと前記第２のパターンとのずれ量が最小と
なったときの前記余剰シフト量をもって接続オフセット
値とする第４の工程と、を有する接続調整方法。
【請求項３】前記第１の図形一括ショットに含まれる
パターンのうち前記第１のパターン以外のパターンと前
記第２の図形一括ショットに含まれるパターンのうち前
記第２のパターン以外のパターンとが前記第３の工程で
の描画の結果重ならないように、前記第２の工程におい
て前記第１のパターンと前記第２のパターンとを選択す
る、請求項１または２に記載の接続調整方法。
【請求項４】前記各図形一括ショットのショット領域
の形状が四角形であって、その頂点のいずれかに座標上
の原点が設定され、前記第１の工程において、前記第１の図形一括ショット
に含まれるパターンのうち前記原点から最も遠いパター
ンを前記第１のパターンとし、前記第２の図形一括ショ
ットに含まれるパターンのうち前記原点から最も近いパ
ターンを前記第２のパターンとする、請求項１または２
に記載の接続調整方法。
【請求項５】前記第１のパターン及び前記第２のパタ
ーンを、前記設計データにおいて前記パターン間で接触
がないパターンから選択する、請求項１または２に記載
の接続調整方法。
【請求項６】前記第４の工程による前記接続オフセッ
ト値を用いて、前記第１の図形一括ショットおよび前記
第２の図形一括ショットの実描画を行う工程をさらに有
する、請求項１乃至６いずれか１項に記載の接続調整方
法。