JP3101100B2 - 電子ビーム露光装置 - Google Patents
電子ビーム露光装置Info
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Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩ製造プロセスに
用いられる電子ビーム露光装置、具体的には、ＬＳＩ製
造プロセスに使用する際の電子ビーム位置の補正に関す
るものである。
用いられる電子ビーム露光装置、具体的には、ＬＳＩ製
造プロセスに使用する際の電子ビーム位置の補正に関す
るものである。
【０００２】近年ＩＣは、その集積度と機能とが向上
し、計算機・通信・機械等広く産業全般にわたる技術進
歩の核技術としての役割が期待されている。ＩＣプロセ
ス技術の大きな柱は、微細加工による高集積化である。
光リソグラフィーでは、微細加工の限界が０．３μｍ程
度とされているが、電子ビーム露光を用いれば、０．１
μｍ以下の微細加工が０．０５μｍ以下の位置合わせ精
度で可能となる。従って、１平方センチメートルを１秒
程度で露光する電子ビーム露光装置が実現すれば、微細
さ・位置合わせ精度・クイックターンアラウンド・信頼
性のいづれの点においても他のリソグラフィー手段より
も優れており、１又は４ギガビットメモリや、１メガゲ
ートＬＳＩが製造可能になる。
し、計算機・通信・機械等広く産業全般にわたる技術進
歩の核技術としての役割が期待されている。ＩＣプロセ
ス技術の大きな柱は、微細加工による高集積化である。
光リソグラフィーでは、微細加工の限界が０．３μｍ程
度とされているが、電子ビーム露光を用いれば、０．１
μｍ以下の微細加工が０．０５μｍ以下の位置合わせ精
度で可能となる。従って、１平方センチメートルを１秒
程度で露光する電子ビーム露光装置が実現すれば、微細
さ・位置合わせ精度・クイックターンアラウンド・信頼
性のいづれの点においても他のリソグラフィー手段より
も優れており、１又は４ギガビットメモリや、１メガゲ
ートＬＳＩが製造可能になる。
【０００３】
【従来の技術】図３は、従来の電子ビーム露光装置の構
造を示す図である。この図３に示す電子ビーム露光装置
では、ＬａＢ6 （ランタンヘキサボライト）カソード１
０１、ウェーネルト１０２及びアノード１０３で構成さ
れている電子銃は、加速電圧２０ｋＶ〜３０ｋＶで電子
を加速し、放出する。電子銃によって放出された電子ビ
ームは、アラインメントコイル１０４により光軸に合わ
され、矩形の第１成整形アパーチャ１０５を通過し、第
１レンズ１０６によって収束され、ビーム整形デフレク
タ（スリットデフレクタ１０７及びスリット振り戻しデ
フレクタ１０８）によって偏向され、第２整形アパーチ
ャ１１０に第１整形アパーチャ１０５の像を結像させ
る。この第２整形アパーチャ１１０を通過した部分が、
矩形電子ビームとなる。ビーム整形デフレクタ１０７、
１０８にかかる電圧を変えることによって第１整形アパ
ーチャ１０５の像の位置を移動させ、第２整形アパーチ
ャ１１０を通過する斜線部の形状を任意の矩形に整形で
きる。更に、第２整形アパーチャ１１０を通過した矩形
電子ビームは、照射レンズ（第２レンズ）１０９により
照射され、２段の縮小レンズ（第３レンズ１１１・第４
レンズ１１３）によって１／１００に縮小される。この
際、ラウンドアパーチャ１１２によって軸上から大きく
ずれた電子を除去する。最後に投影レンズ（第５レン
ズ）１１６によりウェハ１１８上に縮小した矩形電子ビ
ームを投影する。
造を示す図である。この図３に示す電子ビーム露光装置
では、ＬａＢ6 （ランタンヘキサボライト）カソード１
０１、ウェーネルト１０２及びアノード１０３で構成さ
れている電子銃は、加速電圧２０ｋＶ〜３０ｋＶで電子
を加速し、放出する。電子銃によって放出された電子ビ
ームは、アラインメントコイル１０４により光軸に合わ
され、矩形の第１成整形アパーチャ１０５を通過し、第
１レンズ１０６によって収束され、ビーム整形デフレク
タ（スリットデフレクタ１０７及びスリット振り戻しデ
フレクタ１０８）によって偏向され、第２整形アパーチ
ャ１１０に第１整形アパーチャ１０５の像を結像させ
る。この第２整形アパーチャ１１０を通過した部分が、
矩形電子ビームとなる。ビーム整形デフレクタ１０７、
１０８にかかる電圧を変えることによって第１整形アパ
ーチャ１０５の像の位置を移動させ、第２整形アパーチ
ャ１１０を通過する斜線部の形状を任意の矩形に整形で
きる。更に、第２整形アパーチャ１１０を通過した矩形
電子ビームは、照射レンズ（第２レンズ）１０９により
照射され、２段の縮小レンズ（第３レンズ１１１・第４
レンズ１１３）によって１／１００に縮小される。この
際、ラウンドアパーチャ１１２によって軸上から大きく
ずれた電子を除去する。最後に投影レンズ（第５レン
ズ）１１６によりウェハ１１８上に縮小した矩形電子ビ
ームを投影する。
【０００４】このような可変矩形露光方法において、ビ
ームサイズが小さいときに試料面上に焦点を合わせる
と、ビームサイズを大きくしたときに焦点がずれ（フォ
ーカスポイントが試料面上よりも下方となり）、ビーム
ぼけが発生する。これは、ビームサイズが大きい場合、
クーロン相互作用によって電子同士が反発して電子ビー
ムが外に広がり、焦点距離が長くなるためである。そこ
で、ビーム面積、すなわちビーム電流値に比例した量だ
け補正するようなコイル（＝リフォーカスコイル１１
４）に電流を流してフォーカスポイントを上方に移動さ
せ、シャープネスを向上させる。ビーム断面積をＳとす
ると、リフォーカスデータＲｆは、
ームサイズが小さいときに試料面上に焦点を合わせる
と、ビームサイズを大きくしたときに焦点がずれ（フォ
ーカスポイントが試料面上よりも下方となり）、ビーム
ぼけが発生する。これは、ビームサイズが大きい場合、
クーロン相互作用によって電子同士が反発して電子ビー
ムが外に広がり、焦点距離が長くなるためである。そこ
で、ビーム面積、すなわちビーム電流値に比例した量だ
け補正するようなコイル（＝リフォーカスコイル１１
４）に電流を流してフォーカスポイントを上方に移動さ
せ、シャープネスを向上させる。ビーム断面積をＳとす
ると、リフォーカスデータＲｆは、
【０００５】
【数１】 と表すことができる。ここで、αは、リフォーカス係数
であり、予め測定によって求め、制御系のレジスタ内に
格納しておく。
であり、予め測定によって求め、制御系のレジスタ内に
格納しておく。
【０００６】リフォーカスコイル１１４は、第５レンズ
１１６の上部に位置した軸対称コイルであり、１次的に
は軸対称な磁界を形成している。よって、ビームがリフ
ォーカスコイル軸に沿って真っ直ぐ入射するならば、リ
フォーカスコイル１１４を駆動することによって投影さ
れたビームの第２整形アパーチャ１１０のエッジに変動
は生じない。しかし、実際には、リフォーカスコイル１
１４の製作精度・設置精度・ビーム軸合せ精度等によ
り、リフォーカスコイル１１４を駆動したときのビーム
の位置ずれを完全に０にすることは困難である。そこ
で、リフォーカスコイル１１４に流れる電流に比例して
サブデフレクタにリフォーカス振り戻し量を加算するこ
とによって電子ビームの位置ずれを補正している。リフ
ォーカスコイル１１４に流れる電流値はビーム面積に比
例するので、ビーム面積がＳの時、リフォーカス振り戻
しデータＲＢＸＯ，ＲＢＹＯは、
１１６の上部に位置した軸対称コイルであり、１次的に
は軸対称な磁界を形成している。よって、ビームがリフ
ォーカスコイル軸に沿って真っ直ぐ入射するならば、リ
フォーカスコイル１１４を駆動することによって投影さ
れたビームの第２整形アパーチャ１１０のエッジに変動
は生じない。しかし、実際には、リフォーカスコイル１
１４の製作精度・設置精度・ビーム軸合せ精度等によ
り、リフォーカスコイル１１４を駆動したときのビーム
の位置ずれを完全に０にすることは困難である。そこ
で、リフォーカスコイル１１４に流れる電流に比例して
サブデフレクタにリフォーカス振り戻し量を加算するこ
とによって電子ビームの位置ずれを補正している。リフ
ォーカスコイル１１４に流れる電流値はビーム面積に比
例するので、ビーム面積がＳの時、リフォーカス振り戻
しデータＲＢＸＯ，ＲＢＹＯは、
【０００７】
【数２】 と表すことができる。ここで、ｂｘｏ，ｂｙｏは、リフ
ォーカス振り戻し係数であり、予め測定によって求めて
制御系のレジスタに格納しておく。算出されたリフォー
カス振り戻しデータＲＢＸＯ，ＲＢＹＯは、図３に示す
メインデフレクタＸ及びＹ又はサブデフレクタＸ及びＹ
に加算され、ビームの位置を補正する。
ォーカス振り戻し係数であり、予め測定によって求めて
制御系のレジスタに格納しておく。算出されたリフォー
カス振り戻しデータＲＢＸＯ，ＲＢＹＯは、図３に示す
メインデフレクタＸ及びＹ又はサブデフレクタＸ及びＹ
に加算され、ビームの位置を補正する。
【０００８】以上のようにリフォーカスコイル１１４を
用いて電子ビームのぼけを補正し、更にリフォーカスコ
イル１１４の駆動によって生じる電子ビームの位置ずれ
を、メインデフレクタ１１５又はサブデフレクタ１１７
にリフォーカス振り戻し量を加算して補正することによ
り、電子ビームの大きさの変化による電子ビームのぼけ
及び位置ずれを補正することができる。
用いて電子ビームのぼけを補正し、更にリフォーカスコ
イル１１４の駆動によって生じる電子ビームの位置ずれ
を、メインデフレクタ１１５又はサブデフレクタ１１７
にリフォーカス振り戻し量を加算して補正することによ
り、電子ビームの大きさの変化による電子ビームのぼけ
及び位置ずれを補正することができる。
【０００９】従来のリフォーカス振り戻し係数を決定す
る方法の一例を以下に説明する。ここでは、ビーム面積
Ｓを変更したときに、電子ビームのＸ軸及びＹ軸が同じ
になるようなリフォーカス振り戻し係数ｂｘ０，ｂｙ０
を求める。例えば、図４に示すような３つのビーム、例
えば、３×３μｍのような大きなビーム（ｓｘ1 ，ｓｙ
1 ）（図４のビーム）、１×３μｍのようなｘ方向に
のみ小さなビーム（ｓｘs ，ｓｙ1 ）、及び３×１μｍ
のようなｙ方向にのみ小さなビーム（ｓｘ1 ，ｓｙs ）
をそれぞれＸ方向に同じ始点から走査方向のビームサイ
ズよりも大きなマーク上を走査させ、反射電子信号から
微分波形を解析することによって、Ｘ方向の２つのビー
ムの左エッジの位置と、２つのビームの位置ずれ量が分
かる。Ｙ方向の左エッジの位置及び位置ずれ量も同様に
して得られる。各ビームのエッジ位置の理想的なエッジ
に対するずれ量より、ｂｘ０，ｂｙ０を算出できる。こ
こでは、大ビーム（図４の）とＸ方向のみについて小
さなビーム（図４の）との組み合わせと、大ビーム
（図４の）とＹ方向のみについて小さなビーム（図４
の）との組み合わせとで求める。測定ビームの面積
（ビームとビームの面積）が同じであれば、それぞ
れ求められたリフォーカス振り戻し係数ｂｘ０，ｂｙ０
は、式（２）より同一となるはずである。
る方法の一例を以下に説明する。ここでは、ビーム面積
Ｓを変更したときに、電子ビームのＸ軸及びＹ軸が同じ
になるようなリフォーカス振り戻し係数ｂｘ０，ｂｙ０
を求める。例えば、図４に示すような３つのビーム、例
えば、３×３μｍのような大きなビーム（ｓｘ1 ，ｓｙ
1 ）（図４のビーム）、１×３μｍのようなｘ方向に
のみ小さなビーム（ｓｘs ，ｓｙ1 ）、及び３×１μｍ
のようなｙ方向にのみ小さなビーム（ｓｘ1 ，ｓｙs ）
をそれぞれＸ方向に同じ始点から走査方向のビームサイ
ズよりも大きなマーク上を走査させ、反射電子信号から
微分波形を解析することによって、Ｘ方向の２つのビー
ムの左エッジの位置と、２つのビームの位置ずれ量が分
かる。Ｙ方向の左エッジの位置及び位置ずれ量も同様に
して得られる。各ビームのエッジ位置の理想的なエッジ
に対するずれ量より、ｂｘ０，ｂｙ０を算出できる。こ
こでは、大ビーム（図４の）とＸ方向のみについて小
さなビーム（図４の）との組み合わせと、大ビーム
（図４の）とＹ方向のみについて小さなビーム（図４
の）との組み合わせとで求める。測定ビームの面積
（ビームとビームの面積）が同じであれば、それぞ
れ求められたリフォーカス振り戻し係数ｂｘ０，ｂｙ０
は、式（２）より同一となるはずである。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ビーム
面積Ｓについての係数ｂｘ０，ｂｙ０のみでビームの位
置を補正する従来の方法では、スリットデフレクタの偏
向中心が電子ビームのクロスオーバ像と一致していない
場合、スリットデフレクタの偏向によってアパーチャ上
での光軸がずれ、試料上でのビーム位置が移動してしま
う。このため、係数ｂｘ０，ｂｙ０のみではＸ方向のみ
又はＹ方向のみについての補正をすることができず、試
料上でビームの位置ずれが生じる。また、実際の測定に
おいても、大ビーム（図４の）とＸ方向のみについて
小さなビーム（図４の）との組み合わせと、大ビーム
とＹ方向のみについて小さなビーム（図４の）との組
み合わせ（ビームの面積とビームの面積とを等しく
する）の各々で求められたリフォーカス振り戻し係数ｂ
ｘ０，ｂｙ０が異なる値となり、その信頼性に欠ける。
面積Ｓについての係数ｂｘ０，ｂｙ０のみでビームの位
置を補正する従来の方法では、スリットデフレクタの偏
向中心が電子ビームのクロスオーバ像と一致していない
場合、スリットデフレクタの偏向によってアパーチャ上
での光軸がずれ、試料上でのビーム位置が移動してしま
う。このため、係数ｂｘ０，ｂｙ０のみではＸ方向のみ
又はＹ方向のみについての補正をすることができず、試
料上でビームの位置ずれが生じる。また、実際の測定に
おいても、大ビーム（図４の）とＸ方向のみについて
小さなビーム（図４の）との組み合わせと、大ビーム
とＹ方向のみについて小さなビーム（図４の）との組
み合わせ（ビームの面積とビームの面積とを等しく
する）の各々で求められたリフォーカス振り戻し係数ｂ
ｘ０，ｂｙ０が異なる値となり、その信頼性に欠ける。
【００１１】本発明は、リフォーカス量の補正等によっ
て生じる電子ビームの位置ずれをより正確に補正可能な
電子ビーム露光装置を提供することを目的とする。
て生じる電子ビームの位置ずれをより正確に補正可能な
電子ビーム露光装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め、本発明による電子ビーム露光装置は、電子ビームの
断面積に対応する第１の補正係数と、電子ビームの断面
の第１の方向のビームサイズに対応する第２の補正係数
と、電子ビームの断面の第２の方向のビームサイズに対
応する第３の補正係数とを用いて求めたリフォーカス振
り戻し量を供給するデフレクタを更に備えていることを
特徴としている。
め、本発明による電子ビーム露光装置は、電子ビームの
断面積に対応する第１の補正係数と、電子ビームの断面
の第１の方向のビームサイズに対応する第２の補正係数
と、電子ビームの断面の第２の方向のビームサイズに対
応する第３の補正係数とを用いて求めたリフォーカス振
り戻し量を供給するデフレクタを更に備えていることを
特徴としている。
【００１３】
【作用】本発明では、電子ビームの補正係数のみなら
ず、電子ビームの断面積で規定されるビームサイズ（Ｘ
成分，Ｙ成分）の各々に関する項を用いて、スリットサ
イズを変化させたときのビームの位置ずれを更に補正す
るので、より精度の高い像を形成することができる。
ず、電子ビームの断面積で規定されるビームサイズ（Ｘ
成分，Ｙ成分）の各々に関する項を用いて、スリットサ
イズを変化させたときのビームの位置ずれを更に補正す
るので、より精度の高い像を形成することができる。
【００１４】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例につい
て説明する。図１は、本発明による電子ビーム露光装置
の補正回路を示す図である。ここで、この補正回路は、
図３のメインデフレクタ１１５又はサブデフレクタ１１
７を制御し、電子ビームを補正する回路である。すなわ
ち、図１の参照番号２０が、図３の参照番号１１５又は
１１７に相当する。
て説明する。図１は、本発明による電子ビーム露光装置
の補正回路を示す図である。ここで、この補正回路は、
図３のメインデフレクタ１１５又はサブデフレクタ１１
７を制御し、電子ビームを補正する回路である。すなわ
ち、図１の参照番号２０が、図３の参照番号１１５又は
１１７に相当する。
【００１５】まず、パターンメモリ１から電子ビームサ
イズのＸ方向情報及びＹ方向情報が読出され、その各々
がピッチメモリ２及び４に記憶される。これらピッチメ
モリ２及び４からそれぞれＸ方向及びＹ方向の電子ビー
ムサイズ情報ｓｘ及びｓｙが読出され、乗算器６に供給
される。乗算器６において、 ｓｘ×ｓｙ の乗算がなされ、ビーム面積Ｓが計算され、乗算器８及
び９にそれぞれ供給される。乗算器８及び９には、それ
ぞれメモリ回路２１及び２４から読み出されたリフォー
カス振り戻し係数ｂｘ０及びｂｙ０もそれぞれ供給され
る。乗算器８及び９においてそれぞれ ｂｘ０×Ｓ ｂｙ０×Ｓ の乗算がなされ、これらの出力が演算回路１４及び１６
に供給される。
イズのＸ方向情報及びＹ方向情報が読出され、その各々
がピッチメモリ２及び４に記憶される。これらピッチメ
モリ２及び４からそれぞれＸ方向及びＹ方向の電子ビー
ムサイズ情報ｓｘ及びｓｙが読出され、乗算器６に供給
される。乗算器６において、 ｓｘ×ｓｙ の乗算がなされ、ビーム面積Ｓが計算され、乗算器８及
び９にそれぞれ供給される。乗算器８及び９には、それ
ぞれメモリ回路２１及び２４から読み出されたリフォー
カス振り戻し係数ｂｘ０及びｂｙ０もそれぞれ供給され
る。乗算器８及び９においてそれぞれ ｂｘ０×Ｓ ｂｙ０×Ｓ の乗算がなされ、これらの出力が演算回路１４及び１６
に供給される。
【００１６】同様に、電子ビームサイズ情報ｓｘが、乗
算器１２及び１３に供給され、電子ビームサイズ情報ｓ
ｙが、乗算器１０及び１１に供給される。また、メモリ
回路２２、２３、２５及び２６から読み出されたリフォ
ーカス振り戻し係数ｂｘ１，ｂｘ２，ｂｙ１及びｂｙ２
が、それぞれ乗算器１２、１０、１３及び１１に供給さ
れる。乗算器１２、１０、１３及び１１において、それ
ぞれ ｂｘ１×ｓｘ ｂｘ２×ｓｙ ｂｙ１×ｓｘ ｂｙ２×ｓｙ の乗算がなされ、乗算器１２及び１０の出力が演算回路
１４に供給され、乗算器１３及び１１の出力が演算回路
１６に供給される。このようにして演算回路１４及び１
６においてそれぞれ計算されたリフォーカス振り戻し量
を各々ｄＸ及びｄＹとすると、
算器１２及び１３に供給され、電子ビームサイズ情報ｓ
ｙが、乗算器１０及び１１に供給される。また、メモリ
回路２２、２３、２５及び２６から読み出されたリフォ
ーカス振り戻し係数ｂｘ１，ｂｘ２，ｂｙ１及びｂｙ２
が、それぞれ乗算器１２、１０、１３及び１１に供給さ
れる。乗算器１２、１０、１３及び１１において、それ
ぞれ ｂｘ１×ｓｘ ｂｘ２×ｓｙ ｂｙ１×ｓｘ ｂｙ２×ｓｙ の乗算がなされ、乗算器１２及び１０の出力が演算回路
１４に供給され、乗算器１３及び１１の出力が演算回路
１６に供給される。このようにして演算回路１４及び１
６においてそれぞれ計算されたリフォーカス振り戻し量
を各々ｄＸ及びｄＹとすると、
【００１７】
【数３】 となる。これらのリフォーカス振り戻し量ｄＸ及びｄＹ
が、それぞれ増幅回路１５及び１７によって増幅された
後、デフレクタ２０（図３のメインデフレクタ１１５又
はサブデフレクタ１１７）に供給され、リフォーカスに
よって生じた電子ビームの位置ずれを補正し（振り戻
し）、試料中を所定方向に走査して露光できるようにす
る。
が、それぞれ増幅回路１５及び１７によって増幅された
後、デフレクタ２０（図３のメインデフレクタ１１５又
はサブデフレクタ１１７）に供給され、リフォーカスに
よって生じた電子ビームの位置ずれを補正し（振り戻
し）、試料中を所定方向に走査して露光できるようにす
る。
【００１８】本発明によるリフォーカス振り戻し係数を
計算する方法の一例を以下に説明する。一例として、図
２のような４種類のビームサイズを選択して測定を行
う。従来例と同様に、各ビームを走査して測定したエッ
ジ位置をｅｘ1 ，ｅｙ1 ，ｅｘ 2 ，ｅｙ2 ，ｅｘ3 ，ｅ
ｙ3 ，ｅｘ4 及びｅｙ4 とすると、エッジの中心からの
ずれ量は、以下のように表すことができる。
計算する方法の一例を以下に説明する。一例として、図
２のような４種類のビームサイズを選択して測定を行
う。従来例と同様に、各ビームを走査して測定したエッ
ジ位置をｅｘ1 ，ｅｙ1 ，ｅｘ 2 ，ｅｙ2 ，ｅｘ3 ，ｅ
ｙ3 ，ｅｘ4 及びｅｙ4 とすると、エッジの中心からの
ずれ量は、以下のように表すことができる。
【００１９】
【数４】 これよりｂｘ０，ｂｙ０，ｂｘ１，ｂｙ１，ｂｘ２，ｂ
ｙ２を算出すると、以下の通りとなる。
ｙ２を算出すると、以下の通りとなる。
【００２０】
【数５】 但し、 Ａ＝（ｓｌ−ｓｓ）2 ／（（ｓｌ−ｓｓ）4 ＋ｓｓ2 ＊（ｓｌ2 −ｓｓ2 ）） である。このようにして、一例として３×３μｍの電子
ビームで、ｂｘ０，ｂｙ０，ｂｘ１，ｂｙ１，ｂｘ２，
ｂｙ２を算出すると、 ｂｘ０による補正量＝−０．１９μｍ ｂｙ０による補正量＝ １．９７μｍ ｂｘ１による補正量＝ ０．７０μｍ ｂｙ１による補正量＝−０．０２μｍ ｂｘ２による補正量＝−０．１５μｍ ｂｙ２による補正量＝−０．０３μｍ となる。これを式（３）に代入すると、フォーカス振り
戻し量： ｄＸ＝−０．１９×Ｓ ＋ ０．７０×ｓｘ − ０．１５×ｓｙ ｄＹ＝ １．９７×Ｓ − ０．１２×ｓｙ − ０．０３×ｓｘ を得ることができる。
ビームで、ｂｘ０，ｂｙ０，ｂｘ１，ｂｙ１，ｂｘ２，
ｂｙ２を算出すると、 ｂｘ０による補正量＝−０．１９μｍ ｂｙ０による補正量＝ １．９７μｍ ｂｘ１による補正量＝ ０．７０μｍ ｂｙ１による補正量＝−０．０２μｍ ｂｘ２による補正量＝−０．１５μｍ ｂｙ２による補正量＝−０．０３μｍ となる。これを式（３）に代入すると、フォーカス振り
戻し量： ｄＸ＝−０．１９×Ｓ ＋ ０．７０×ｓｘ − ０．１５×ｓｙ ｄＹ＝ １．９７×Ｓ − ０．１２×ｓｙ − ０．０３×ｓｘ を得ることができる。
【００２１】
【発明の効果】以上述べた如く、本発明によれば、電子
ビームの補正係数のみならず、電子ビーム断面の２方向
におけるビームサイズ（Ｘ成分，Ｙ成分）の各々に係る
項（リフォーカス振り戻し量ｄＸ，ｄＹ）を算出し、ス
リットサイズを変化させたときのビームの位置ずれを補
正する。すなわち、リフォーカスコイルに電流を流して
フォーカスポイントを上方に上げてシャープネスを向上
させるとともに、リフォーカスコイルに流れる電流に比
例してデフレクタにリフォーカス振り戻し量を加算する
ことによって電子ビームの位置ずれを更に補正し、より
精度の高い像を形成することができる。
ビームの補正係数のみならず、電子ビーム断面の２方向
におけるビームサイズ（Ｘ成分，Ｙ成分）の各々に係る
項（リフォーカス振り戻し量ｄＸ，ｄＹ）を算出し、ス
リットサイズを変化させたときのビームの位置ずれを補
正する。すなわち、リフォーカスコイルに電流を流して
フォーカスポイントを上方に上げてシャープネスを向上
させるとともに、リフォーカスコイルに流れる電流に比
例してデフレクタにリフォーカス振り戻し量を加算する
ことによって電子ビームの位置ずれを更に補正し、より
精度の高い像を形成することができる。
【図１】本発明による電子ビーム露光装置における電子
ビーム補正装置を示すブロック図である。
ビーム補正装置を示すブロック図である。
【図２】本発明によるリフォーカス振り戻し係数の算出
方法に使用される電子ビームサイズを示す図である。
方法に使用される電子ビームサイズを示す図である。
【図３】従来の電子ビーム露光装置を示す図である。
【図４】従来のリフォーカス振り戻し係数の算出方法に
使用される電子ビームサイズを示す図である。
使用される電子ビームサイズを示す図である。
１…パターンメモリ ２，４…ピッチメモリ ６，８〜１３…乗算器 １４，１６…演算回路 １５，１７…増幅回路 ２０…デフレクタ ２１〜２６…メモリ回路 １０１…ＬａＢ6 カソード １０２…ウェネルト １０３…アノード １０４…アラインメントコイル １０５…第１整形アパーチャ １０６…第１レンズ １０７…スリットデフレクタ １０８…スリット振り戻しデフレクタ １０９…第２レンズ １１０…第２整形アパーチャ １１１…第３レンズ １１２…ラウンドアパーチャ １１３…第４レンズ １１４…リフォーカスレンズ １１５…メインデフレクタ １１６…第５レンズ １１７…サブデフレクタ １１８…ウェハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027
Claims (1)
- 【請求項１】 電子ビーム発生手段と、電子ビームの断
面形状を矩形に整形する第１アパーチャと、当該第１ア
パーチャの像を重ね合わせることで前記電子ビームのビ
ームサイズを整形する第２アパーチャと、前記電子ビー
ムの試料上における焦点を調節するフォーカスレンズ
と、当該フォーカスレンズによって調整されたビームサ
イズを変更する際に生じる電子ビームの照射位置のずれ
を補正するリフォーカスレンズとを備えている電子ビー
ム露光装置において、 前記電子ビームの断面積に対応する第１の補正係数と、
前記電子ビームの断面の第１の方向のビームサイズに対
応する第２の補正係数と、前記電子ビームの断面の第２
の方向のビームサイズに対応する第３の補正係数とを用
いて求めたリフォーカス振り戻し量を供給するデフレク
タを更に備えていることを特徴とする電子ビーム露光装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04306806A JP3101100B2 (ja) | 1992-11-17 | 1992-11-17 | 電子ビーム露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04306806A JP3101100B2 (ja) | 1992-11-17 | 1992-11-17 | 電子ビーム露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163376A JPH06163376A (ja) | 1994-06-10 |
| JP3101100B2 true JP3101100B2 (ja) | 2000-10-23 |
Family
ID=17961490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04306806A Expired - Fee Related JP3101100B2 (ja) | 1992-11-17 | 1992-11-17 | 電子ビーム露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3101100B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6864493B2 (en) * | 2001-05-30 | 2005-03-08 | Hitachi, Ltd. | Charged particle beam alignment method and charged particle beam apparatus |
| JP6756229B2 (ja) * | 2016-10-11 | 2020-09-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
-
1992
- 1992-11-17 JP JP04306806A patent/JP3101100B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06163376A (ja) | 1994-06-10 |
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