JP3157968B2

JP3157968B2 - 荷電粒子ビーム露光方法

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Publication number: JP3157968B2
Application number: JP28156593A
Authority: JP
Inventors: 克彦小林; 義久大饗
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1993-11-11
Filing date: 1993-11-11
Publication date: 2001-04-23
Anticipated expiration: 2016-04-23
Also published as: JPH07135163A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、荷電粒子ビーム露光方
法に係り、詳しくは、イオンビームや電子ビームと言っ
た所謂荷電粒子ビームを使用した露光装置に適用するこ
とができ、特に、透過マスク板（以下、ブロックマスク
と記す）を用いた露光装置のスループット及びパターン
精度を向上させることができる荷電粒子ビーム露光方法
に関する。

【０００２】近年、集積回路の高密度化に伴い、長年微
細パターン形成の主流であったフォトリソグラフィーに
代わって荷電粒子ビーム、例えば電子ビームやイオンビ
ームによる露光、あるいは、Ｘ線を用いる新しい露光方
法が検討され、実現化されてきている。このうち、電子
ビームを用いてパターンを形成する電子線露光は、ビー
ムそのものを数オングストロームにまで絞ることができ
るために、１μｍあるいはそれ以下の微細なパターンを
形成することができることに大きな特徴がある。ところ
が、電子線露光は、所謂“一筆書き”の描画方法である
ため、微細なパターンになればなる程小さなビームで露
光しなければならなくなり、露光時間は莫大に長くなっ
てしまう。この問題の解決のため、ブロック露光法が考
案された。以下、このブロック露光法については、図面
を用いて従来技術で具体的に説明する。

【０００３】

【従来の技術】ここでは、ブロック露光法について具体
的に説明する。図６は従来の露光装置の構成を示す図で
ある。図６に示す如く、露光装置は、露光部１００と制
御部１０１とに分かれる。露光部１００は、カソード電
極１０２、グリッド電極１０３及びアノード電極１０４
を有する荷電粒子ビーム発生源１０５と、荷電粒子（以
下、ビームと記す）を例えば矩形状に整形する第１のス
リット１０６と、この整形されたビームを収束させる第
１電子レンズ１０７と、偏向信号Ｓ１に応じて整形され
たビームを透過マスク１０８上に照射する位置を偏向す
るためのスリットデフレクタ１０９と、対向して設けら
れた第２、第３のレンズ１１０、１１１と、この第２、
第３レンズ１１０、１１１の間に水平方向に移動できる
ように装着されたブロックマスク１０８と、ブロックマ
スク１０８の上下方向に配置されて各々位置情報Ｐ１〜
Ｐ４に応じて第２、第３レンズ１１０、１１１の間のビ
ームを偏向し、ブロックマスク１０８の複数の透過孔の
１つを選択する第１〜第４の偏向器１１２〜１１５と、
ブランキング信号に応じてビームを遮断し、若しくは通
過させるブランキング１１６と、第４のレンズ１１７
と、アパーチャ１１８と、リフォーカスコイル１１９
と、第５のレンズ１２０と、ダイナミックフォーカスコ
イル１２１と、ダイナミックスティングコイル１２２
と、第６のレンズ１２３と、露光位置決定信号Ｓ２、Ｓ
３に応じてウェハ上にビーム位置決めをするメインデフ
コイル１２４及びサブデフレクタ１２５と、ウェハを搭
載してＸ−Ｙ方向に移動できるステージ１２６と、第１
〜第４のアライメントコイル１２７〜１３０とを有して
いる。

【０００４】一方、制御部１０１は、集積回路装置の設
計データを記憶する記憶媒体１３１と、荷電粒子ビーム
全体を制御するＣＰＵ１３２と、ＣＰＵ１３２によって
取り込まれた例えば描画情報、そのパターンを描画すべ
きウェハＷ上の描画位置情報及びブロックマスク１０８
のマスク情報等の各種情報を転送するインターフェイス
１３３と、インターフェイス１３３から転送された描画
パターン情報及びマスク情報を保持するデータメモリ１
３４と、該描画パターン情報及びマスク情報に従って例
えばブロックマスクの透過孔の１つを指定し、その指定
透過孔のブロックマスク上での位置を示すマスク照射位
置データＰ１〜Ｐ４を発生し、かつ、そのパターンを露
光するウェハ上の位置を示すウェハ露光位置データＳ３
を発生し、かつ、描画すべきパターン形状と指定透過孔
形状との形状差に応じて補正値Ｈを演算する処理を含む
各種処理を行う指定手段、保持手段、演算手段及び出力
手段としてのパターン発生部１３５と、上記補正値Ｈか
ら修正偏向信号ＨＳ１を生成するアンプ部１３６、１３
７と、必要に応じたブロックマスク１０８を移動させる
マスク移動機構１３８と、パターン発生部１３５からの
露光時間・露光待ち時間を受け、この露光装置全体が動
くシステムクロック及びブランキングクロックを発生す
るためのクロック制御回路１３９と、クロック制御回路
１３９の出力を受けてブランキングタイミングを発生す
るブランキング制御回路１４０と、ブランキング信号Ｓ
Ｂを生成するアンプ部１４１と、を備えるとともに、イ
ンターフェイス１３３から転送された露光開始／終了情
報を基に、パターン発生部１３５を介してデータメモリ
１３４にメインデフ偏向情報を出力させ、かつ、ステー
ジ制御部に対して所望するステージ位置に移動するよう
に指令する他、ステージ移動位置とメインデフ偏向との
差を補正するようにステージ補正部１４８をコントロー
ルし、かつ、クロック制御部１３９に対し、パターン発
生部１３５にクロックを発生／停止するように指令する
等、露光処理一般のシーケンスを司るシーケンスコント
ローラ１４２と、データメモリ１３４からのメインデフ
偏向情報を基にメインデフ偏向信号Ｓ２を発生する偏向
制御回路１４３と、パターン発生部１３５、偏向制御部
１４３からの出力を基に露光位置決定信号Ｓ２、Ｓ３を
生成するアンプ部１４４、１４５と、必要に応じてステ
ージを移動させるステージ制御機構１４６と、ステージ
位置を検出するレーザ干渉計１４７と、偏向制御回路１
４３からはメインデフ偏向量を、ステージ制御部からは
ステージ移動位置とを受け、メインデフ偏向との差を補
正するステージ補正部１４８とを備えている。

【０００５】従来の露光装置では、電子銃より放出され
た電子ビームを、第１スリット１０６で矩形形状に整形
した後に、レンズ１０７、１１０で収束してブロックマ
スク１０８上に照射する。ブロックマスク１０８での比
較的大きい範囲（約５ｍｍ以内）の偏向は、第１〜第４
の偏向器１１２〜１１５で行い、この偏向器１１２〜１
１５で選択した後の比較的小さい範囲の偏向（約５００
μｍ以内）は、スリットデフレクタ１０９で行う。な
お、可変矩形露光の場合は、このスリットデフレクタ１
０９を用いて任意形状サイズ（例えば３μｍ□以下の任
意の矩形サイズ）に整形する。

【０００６】次いで、透過マスク１０８を通過したビー
ムは、ブランキング１１６を通過し、そして、第４レン
ズ１１７で縮小され、しかる後、サブデフレクタ１２５
により１００μｍ程度の小偏向領域で偏向される。ま
た、メインデフコイル１２４によりサブデフレクタ偏向
領域は、２ｍｍ程度の範囲の露光フィールドで大偏向さ
れる。露光するデータは、ＣＰＵ１３２によって記憶媒
体１３１から読み出されてデータメモリ１３４に記憶さ
れる。次いで、シーケンスコントローラ１４２の信号に
より露光が開始されると、まず、記憶されたメインデフ
偏向位置が偏向制御回路１４３に送られて偏向量データ
Ｓ２が出力され、ＤＡＣ／ＡＭＰ１４４を介してメイン
デフコイル１２４に出力される。

【０００７】そして、出力値が安定した後、シーケンス
コントローラ１４２は、クロック制御回路１３９に対
し、システムクロックを発するように指令し、その結
果、データメモリ１３４は、記憶されているパターンデ
ータをパターン発生部１３５に送り出す。パターン発生
部１３５では、読み込まれたパターンデータを基にショ
ットデータを発生する。このショットデータは、マスク
上でのビーム照射位置を示すＰ１〜Ｐ４信号と、マスク
上でのビーム照射位置の偏向量を示すＨ信号と、これら
マスクにビームを透過させることで整形したビームをウ
ェハ上の所望する位置に偏向するためのＳ３信号と、シ
ョット時間データと、これらの信号を印加して静電偏向
器・電磁偏向器が整定するまでどの位待つ必要があるか
を示すショット待ち時間データ等からなる。これらの信
号は、パターン発生部１３５で発生された後、パターン
補正部に入るパターン補正部では、露光試料Ｗをステー
ジに設定した際に発生する、ウェハローティション等を
補正する。出力されたショット発生のための信号は、各
々ＤＡＣ（デジタルコンバータ）に入力して、アナログ
変換され必要に応じて設けられたアンプを通して電磁・
コイルに印加する。

【０００８】なお、電子ビーム（可変矩形用）露光装置
の場合は、ブロックマスク１０８が、第２スリット（矩
形アパーチャ）となり、更に、ブロックマスク１０８上
を偏向するための偏向器１１２〜１１５が不要となる。

【０００９】次に、ブロック露光に使用するブロックマ
スクについて説明する。図７はブロックマスク１０８を
示す全体平面図である。ブロックマスク１０８には、所
定のピッチ間隔ＥＬでマトリクス配置された多数（図で
は９個）のエリアＥ１〜Ｅ９が設けられており、１つの
エリアの大きさは、ブロックマスクにおけるビームの最
大偏向範囲に対応した大きさ、例えばおよそ１〜５ｍｍ
□である。Ｅ１〜Ｅ９の基準点系には、各々ＸＹ座標値
が与えられており、例えばエリア座標Ｅ_XY＝（１，１）
とした場合、Ｅ７を表現していることとする。

【００１０】一方、１つのエリア内には、図８に示すよ
うに、所定のピッチＢＬでマトリクス配列された多数
（図では、３６個）のブロックＢ₁〜Ｂ₃₆が設けられて
おり、１つのブロックの大きさはブロックマスク上にお
けるビーム大きさに相当し、例えば、１００〜５００μ
ｍ□程度である。そして、Ｂ₁〜Ｂ₃₆の基準点（図９に
示す）にも各々ＸＹ座標が与えられており、例えば、ブ
ロック座標Ｂ_XY＝（１，２）とした場合、Ｂ₃₂の基準点
を示していることとなる。

【００１１】すなわち、エリア座標Ｅ_XYとブロック座標
Ｂ_XYの指定によって任意のエリア内の任意のブロックを
表現することができる。例えば、Ｅ_XY＝（１，１）、Ｂ
_XY（１，２）とした場合、Ｅ７のエリアのＢ₃₂のブロッ
クを指定したこととなる。なお、１つのエリアの４隅に
位置するハッチングで示したブロックＢ₁、Ｂ₆、Ｂ₃₁、
Ｂ₃₆は、可変矩形用の透過孔である。ここで、図１０
に、ブロックに形成された透過孔（ブロックパターン）
を示す。

【００１２】次に、図１１，１２を用いてステージ連続
移動について説明する。ウェハ上に露光するＩＣパター
ン等は通常５〜２０ｍｍ程度の大きさであるが、微細な
パターンを程度良く露光することが必要になるため、ビ
ームを大偏向させて１つのＩＣパターンをステージ移動
なしに露光することができない。従って、ＩＣパターン
を複数個の露光フィールドに区切って露光を行う必要が
あるが、この場合はステージ移動を頻繁に繰り返すこと
になり、スループットの低下を招く。この問題を解決す
るために考案されたのが連続ステージ移動方式である。
これは図１１に示すように、ＩＣパターンをウェハ上に
配置し、１回の連続的なステージ移動で露光できる範囲
を１つの露光範囲としている（以下、ストライプと記
す）。ストライプの幅は、ビームを偏向できる範囲であ
り、正確には露光位置決定信号Ｓ２に応じてウェハ上の
ビーム位置決めをするメインデフコイル３３が偏向でき
る範囲に相当する。これらのステージ移動は、図１２に
示すような系で実行されている。ステージには、Ｘ・Ｙ
軸に各々ＤＣモータとレーザ測定器が設定され、ステー
ジ制御部では常にステージ移動方向、移動スピード、ヨ
ーイング量等を測定している。

【００１３】さて、従来の荷電粒子ビーム露光方法で
は、ブロックマスク上のブロックパターンを使用してビ
ームを成形する方法として、図１３（ａ）に示す如く、
ブロックマスク上に形成されているブロックパターンの
全面を照射する全面照射方法と、図１３（ｂ）に示す如
く、ブロックパターンの一部分を照射する部分照射方法
とがある。特に、可変矩形露光をブロック露光装置で行
う場合は、後者の部分照射方法が採られる。通常、繰り
返し部分の露光においては、ブロックパターン全面照射
でビームを成形し、また、周辺部の露光においては、ブ
ロックパターン部分照射を行うというように、両方のビ
ーム成形方法を同一のウェハへの露光で用いる。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】上記したような従来の
荷電粒子ビーム露光方法では、図１３（ａ）に示す如
く、ブロックパターン全面照射の場合、ブロックパター
ンのエッジによって、第１スリット１０６像のエッジ
は、ウェハ上には現れないが、図１３（ｂ）に示す如
く、部分ブロック露光の場合、第１スリット像１０６像
のエッジがウェハ上に現れる。仮に、第１スリット１０
６像がブロックマスク上に焦点がずれた状態で照射され
ると、全面照射により形成されたビームでの露光と部分
照射により成形されたビームでの露光との継ぎ目に、露
光量の斑が現れる。このため、ブロックマスク上に第１
スリット像１０６像の焦点を正確に合わせることが必須
となっている。

【００１５】従って、上記した従来の荷電粒子ビーム露
光方法では、ブロックマスク１０８上に第１スリット１
０６像の焦点を合わせる役を担う第１のレンズ１０７の
調整を、ウェハ上でのビームの状況を観察しながら、手
作業で行っていたため、正確さや調整時間の長さの両面
で問題があった。

【００１６】そこで、本発明は、ブロックマスク上に第
１スリット像の焦点を自動調整で合わせることができ、
調整時間の短縮化及び高信頼性を実現することができる
荷電粒子ビーム露光方法を提供することを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明は、荷電粒子ビー
ムが透過する位置に荷電粒子ビームを成形する多角形成
形板と、矩形透過孔パターンが１つ以上形成されてなる
透過マスク板と、該多角形成形板で成形されたビームを
該透過マスク板上に結像させる結像手段とを有する荷電
粒子ビーム露光装置の荷電粒子ビーム露光方法におい
て、該荷電粒子ビーム露光装置により露光を行う前に、
予め、該結像手段の値を設定する第１の工程と、次い
で、矩形透過孔パターンの全面を照射して、該成形ビー
ムの第１のビームシャープネスを計測する第２の工程
と、次いで、矩形透過孔パターンの一部を照射して、該
成形ビームの第２のシャープネスを計測する第３の工程
と、次いで、該第１、第２、第３の工程を該結像手段の
少なくとも２点以上の各値に対して計測して、該結像手
段の値に対する該第１、第２のビームシャープネスの値
のマップを取得する第４の工程と、次いで、取得した該
マップから、該第１のビームシャープネスと該第２のビ
ームシャープネスの違いが小さい該結像手段の値を算出
する工程とを有し、かつ該第１〜第５の工程で求めた該
結像手段への動作入力値を使用することを特徴とするも
のである。

【００１８】

【作用】本発明は、荷電粒子ビームが透過する位置に荷
電粒子ビームを成形する多角形成形板と、矩形透過孔パ
ターンが１つ以上形成されてなる透過マスク板と、該多
角形成形板で成形されたビームを該透過マスク板上に結
像させる結像手段とを有する荷電粒子ビーム露光装置の
荷電粒子ビーム露光方法において、該荷電粒子ビーム露
光装置により露光を行う前に、予め、該結像手段の値を
設定し、次いで、矩形透過孔パターンの全面を照射し
て、該成形ビームの第１のビームシャープネスを計測
し、次いで、矩形透過孔パターンの一部を照射して、該
成形ビームの第２のシャープネスを計測し、次いで、該
結像手段の少なくとも２点以上の各値に対して計測し
て、該結像手段の値に対する該第１、第２のビームシャ
ープネスの値のマップを取得した後、次いで、この取得
した該マップから該第１のビームシャープネスと該第２
のビームシャープネスの違いが小さい該結像手段の値を
算出し、更に、該求めた該結像手段への動作入力値を使
用することができるように構成する。このため、ブロッ
クマスクからウェハに至る間の光学系に依存しないよう
に評価値を定義し、その評価値を基に第１スリットから
ブロックマスクに至る間の光学系を自動調整することが
できるので、１つのブロックパターン内での電流密度均
一性を向上させることができ、ブロック全面照射でのシ
ョットとブロック部分照射でのショットとのウェハ上で
のショット繋ぎずれを生じないように露光することがで
きる。しかも、ブロックマスク上に第１スリット像の焦
点を自動調整で合わせることができるので、調整時間の
短縮化及び高信頼性を実現することができる。

【００２０】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。

【００２１】図１は本発明の実施例に適用できる露光部
の構成を示す図である。図１の露光部は、図６の従来構
成と略同様であり、電子銃１と、第１のアライメントコ
イル２と、第１のスリット３（本発明に係る多角形成形
板に該当する）と、第１のレンズ４と、スリットデフレ
クタ５と、第２のアライメントコイル６と、第１のマス
クデフレクタ７と、第２のマスクデフレクタ８と、第２
のレンズ９と、マスクステージ１０と、ブロックマスク
１１と、第３のマスクデフレクタ１２と、マスクティグ
フォーカス１３と、ブランキング１４と、第４のマスク
デフレクタ１５と、第３のレンズ１６と、アパーチャ１
７と、リフォーカス１８と、第４のレンズ１９と、及び
サブデフレクタ２０等を有している。なお、制御部は、
後述する実施例の第１のレンズ４（Ｌ１ｂ）の調整手段
以外は、従来と略同様であるので省略する。なお、図１
に示すＡが本発明に係るクロスオーバ像結像位置であ
る。

【００２２】本実施例は、図１の露光装置に適用させる
ことができる。ここでは、本発明の特徴部分を具体的に
説明する。本実施例では、矩形パターン全面照射時のビ
ームシャープネスと矩形パターン部分照射時のビームシ
ャープネスの差分を評価値とし、ウェハ上でのビームの
ぼけから、ブロックマスクからウェハに至るまでの間で
のぼけの成分を取り除くために、第１スリット３像のエ
ッジのシャープネスからブロックパターンの像のエッジ
のシャープネスを取り除くように構成する。

【００２３】ここで、本実施例の調整方法を図２、３の
フローチャートを用いて説明する。本実施例では、ま
ず、図２に示す如く、共用領域で指定されている検索ス
テップを粗調整ステップ又は微調整ステップに変えて行
い（処理Ｓ₁）、調整対象の検索ステップを指定して、
図３のサブルーチンを呼び出し（処理Ｓ₂）、Ｌ５の第
５のレンズ２１を調整した後の評価値δを計測する（処
理Ｓ₃）。この時、図４（ｂ）に示す如く方法で計測し
たビームシャープネスから図４（ａ）に示す如く方法で
計測したビームシャープネスを差し引いた値をδとす
る。なお、図４（ａ）は、全面照射した時のＭＤ（微
分）波形のビームシャープネスを示す図である。そし
て、計測した評価値δが許容範囲（粗、微各々共用領域
で指定）内に収まっていれば、検索ステップのループ処
理を行って（処理Ｓ₅）、その調整結果を記録出力す
る。

【００２４】なお、図３のサブルーチンでは、「調整対
象のレジスタの初期値」−２×「検索ステップ」の値を
検索開始点として格納し（処理Ｓ₁₁）、電流計レンジを
指定して（処理Ｓ₁₂）、例えば計５点のレジスタ値を調
整対象に与えて各計測点での評価値δを計測する（処理
Ｓ₁₃）。そして、この５点計測した評価値の挙動をＳ₁₄
の粗調整ステップ、微調整ステップの如く判定し（処理
Ｓ₁₄）、検索処理を終了する。なお、再検索、即ち再検
索回数を越えた場合は、このサブルーチンをエラー終了
させる。

【００２５】このように、本実施例では、該荷電粒子ビ
ーム露光装置により露光を行う前に、Ｌ１ｂの第１のレ
ンズ４を設定し、矩形透過孔パターンの全面を照射し、
成形ビームのビームシャープネスＢａを計測し、矩形透
過孔パターンの一部を照射し、成形ビームのビームシャ
ープネスＢｐを計測し、上記各工程をＬ１ｂの第１のレ
ンズ４の少なくとも２点以上の各値に対して計測し、Ｌ
１ｂの第１のレンズ４に対するビームシャープネスＢ
ａ、Ｂｐの値のマップを取得し、この求めたマップか
ら、ビームシャープネスＢａとビームシャープネスＢｐ
の違いが小さいＬ１ｂの第１のレンズ４を算出し、上記
工程で求めたＬ１ｂの第１のレンズ４への動作入力値を
使用するように構成している。このため、ブロックマス
ク１１からウェハに至る間の光学系に依存しないように
評価値を定義し、その評価値を基に第１スリット３から
ブロックマスク１１に至る間の光学系を自動調整するこ
とができるので、１つのブロックパターン内での電流密
度均一性を向上させることができ、ブロック全面照射で
のショットとブロック部分照射でのショットとのウェハ
上でのショット繋ぎずれを生じないように露光すること
ができる。しかも、ブロックマスク１１上に第１スリッ
ト３像の焦点を自動調整で合わせることができるので、
調整時間の短縮化及び高信頼性を実現することができ
る。

【００２６】なお、上記実施例の如く調整されたＬ１ｂ
の第１のレンズ４の値を使用して露光を行うと、この
時、ブロックパターン部分照射の露光も行うことができ
る。ブロックパターン部分照射露光は、図５に示すよう
に、パターン基準点の位置までマスクデフレクタで偏向
を行い、希望するサイズの分だけスリットデフレクタで
偏向することで好適に実現させることができる。この手
法により、ブロック全面照射でのショットと、ブロック
部分照射でのショットのウェハ上でのショット繋ぎずれ
が生じないように露光することができる。

【００２７】

【発明の効果】本発明によれば、ブロックマスク上に第
１のスリット像の焦点を自動調整で合わせることがで
き、調整時間の短縮化及び高信頼性を実現することがで
きるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例に適用できる露光部の構成を示
す図である。

【図２】本発明の実施例の調整処理フローを示すフロー
チャートである。

【図３】図２に示すサブルーチンの処理フローを示すフ
ローチャートである。

【図４】本発明の実施例の全面照射時と部分照射時にお
けるＭＤ波形でのビームシャープネスを示す図である。

【図５】本発明の実施例のパターン基準点の位置までマ
スクデフレクタで偏向を行って希望するサイズの分だけ
スリットデフレクタで偏向する様子を示す図である。

【図６】従来の露光装置の構成を示す図である。

【図７】ブロックマスクを示す全体平面図である。

【図８】ブロックマスクの１つのエリアを示す図であ
る。

【図９】１つのエリア内の各ブロックを示す図である。

【図１０】ブロックに形成された透過孔の例を示す図で
ある。

【図１１】露光試料と連続ステージ移動方式における移
動方向を示す図である。

【図１２】ステージ移動を制御する構成を示す図であ
る。

【図１３】全面照射時と部分照射時におけるウェハ上露
光状況を示す図である。

【符号の説明】

１電子銃２アライメントコイル３第１のスリット４第１のレンズ５スリットデフレクタ６第２のアライメントコイル７第１のマスクデフレクタ８第２のマスクデフレクタ９第２のレンズ１０マスクステージ１１ブロックマスク１２第３のマスクデフレクタ１３マスクティグフォーカス１４ブランキング１５第４のマスクデフレクタ１６第３のレンズ１７アパーチャ１８リフォーカス１９第４のレンズ２０サブデフレクタ２１第５のレンズ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開平５−36592（ＪＰ，Ａ) 特開平５−82430（ＪＰ，Ａ) 特開平４−360516（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/027

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】荷電粒子ビームが透過する位置に荷電粒
子ビームを成形する多角形成形板と、矩形透過孔パター
ンが１つ以上形成されてなる透過マスク板と、該多角形
成形板で成形されたビームを該透過マスク板上に結像さ
せる結像手段とを有する荷電粒子ビーム露光装置の荷電
粒子ビーム露光方法において、該荷電粒子ビーム露光装
置により露光を行う前に、予め、該結像手段の値を設定
する第１の工程と、次いで、矩形透過孔パターンの全面
を照射して、該成形ビームの第１のビームシャープネス
を計測する第２の工程と、次いで、矩形透過孔パターン
の一部を照射して、該成形ビームの第２のシャープネス
を計測する第３の工程と、次いで、該第１、第２、第３
の工程を該結像手段の少なくとも２点以上の各値に対し
て計測して、該結像手段の値に対する該第１、第２のビ
ームシャープネスの値のマップを取得する第４の工程
と、次いで、取得した該マップから、該第１のビームシ
ャープネスと該第２のビームシャープネスの違いが小さ
い該結像手段の値を算出する工程とを有し、かつ該第１
〜第５の工程で求めた該結像手段への動作入力値を使用
することを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。