JP3511548B2 - 電子ビーム露光方法及び装置 - Google Patents
電子ビーム露光方法及び装置Info
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
- G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
- G03F7/704—Scanned exposure beam, e.g. raster-, rotary- and vector scanning
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
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- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子ビーム露光方法
及び装置に関し、特にブロックマスクを用いてブロック
露光を行う電子ビーム露光方法及び装置並びにブロック
マスク及びブロックマスク製造方法に関する。
及び装置に関し、特にブロックマスクを用いてブロック
露光を行う電子ビーム露光方法及び装置並びにブロック
マスク及びブロックマスク製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、集積回路の高密度化をはかるため
に、電子ビームを用いて試料上にパターンの露光を行う
電子ビーム露光方法及び装置が実現化されている。電子
ビーム露光においては、電子ビームのサイズを数オング
ストロームにまで絞ることが出来るために、１μｍ或い
はそれ以下の微細なパターンを作成できる。
に、電子ビームを用いて試料上にパターンの露光を行う
電子ビーム露光方法及び装置が実現化されている。電子
ビーム露光においては、電子ビームのサイズを数オング
ストロームにまで絞ることが出来るために、１μｍ或い
はそれ以下の微細なパターンを作成できる。
【０００３】電子ビームを用いて一筆書きでパターンを
生成しようとすると、露光に要する時間は莫大なものと
なってしまう。そのため、様々なパターン形状を有した
少なくとも一つの透過孔からなるブロックを予め透過孔
マスク上に多数用意し、ある一つのブロックを選択して
電子ビームをそのブロックに照射することによって、ブ
ロック内の透過孔を通過した電子ビームが試料上にその
透過孔形状のパターンを露光する方法が提案されてい
る。このブロック露光法は、１cm2 ／sec 程度のスルー
プットを達成することができ、加工の微細さ、位置合わ
せ精度、ターンアランドの速度、信頼性等に於て優れて
いることが知られている。
生成しようとすると、露光に要する時間は莫大なものと
なってしまう。そのため、様々なパターン形状を有した
少なくとも一つの透過孔からなるブロックを予め透過孔
マスク上に多数用意し、ある一つのブロックを選択して
電子ビームをそのブロックに照射することによって、ブ
ロック内の透過孔を通過した電子ビームが試料上にその
透過孔形状のパターンを露光する方法が提案されてい
る。このブロック露光法は、１cm2 ／sec 程度のスルー
プットを達成することができ、加工の微細さ、位置合わ
せ精度、ターンアランドの速度、信頼性等に於て優れて
いることが知られている。
【０００４】図６は、ブロック露光処理を行うための一
般的な電子ビーム露光装置の一例を示す。図６におい
て、電子ビーム露光装置は、大略、露光コラム部１１０
と制御部１５０とを含む。露光コラム部１１０は、カソ
ード電極１１１、グリッド電極１１２およびアノード１
１３を有する電子ビーム発生源１１４を含む。露光コラ
ム部１１０は更に、電子ビームを例えば矩形状に整形す
る第１のスリット１１５と、整形されたビームを収束さ
せる第１電子レンズ１１６と、偏向信号Ｓ1 に応じて整
形されたビームを透過孔マスク１２０上に照射する位置
を偏向する為のスリットデフレクタ１１７を含む。露光
コラム部１１０は更に、対向して設けられた第２及び第
３のレンズ１１８及び１１９と、この第２レンズと第３
レンズの間に水平方向に移動可能に装着された透過孔マ
スク１２０と、透過孔マスク１２０の上下方向に配置さ
れて各々位置情報Ｐ１〜Ｐ４に応じて第２レンズ及び第
３レンズの間でビームを偏向し、透過孔マスク１２０上
の複数の透過孔の１つを選択する第１〜第４の偏向器１
２１、１２２、１２３、及び１２４を含む。露光コラム
部１１０は更に、ブランキング信号に応じてビームを遮
断或いは通過させるブランキング１２５と、ビームを縮
小させる為の第４のレンズ１２６と、アパーチャ１２７
と、リフォーカスコイル１２８と、第５のレンズ１２９
を含む。露光コラム部１１０は更に、ダイナミックフォ
ーカスコイル１３０と、ダイナミックスティグコイル１
３１と、ビームを試料上に投影する為の第６の対物レン
ズ１３２と、露光位置決定信号Ｓ２及びＳ３の各々に応
じてウェハ上のビーム位置決めをする主偏向器（主偏向
コイル）１３３及び副偏向器１３４を含む。露光コラム
部１１０は更に、ウェハＷを搭載してＸ−Ｙ方向に移動
可能なステージ１３５と、第1〜第４のアライメントコ
イルを含む。
般的な電子ビーム露光装置の一例を示す。図６におい
て、電子ビーム露光装置は、大略、露光コラム部１１０
と制御部１５０とを含む。露光コラム部１１０は、カソ
ード電極１１１、グリッド電極１１２およびアノード１
１３を有する電子ビーム発生源１１４を含む。露光コラ
ム部１１０は更に、電子ビームを例えば矩形状に整形す
る第１のスリット１１５と、整形されたビームを収束さ
せる第１電子レンズ１１６と、偏向信号Ｓ1 に応じて整
形されたビームを透過孔マスク１２０上に照射する位置
を偏向する為のスリットデフレクタ１１７を含む。露光
コラム部１１０は更に、対向して設けられた第２及び第
３のレンズ１１８及び１１９と、この第２レンズと第３
レンズの間に水平方向に移動可能に装着された透過孔マ
スク１２０と、透過孔マスク１２０の上下方向に配置さ
れて各々位置情報Ｐ１〜Ｐ４に応じて第２レンズ及び第
３レンズの間でビームを偏向し、透過孔マスク１２０上
の複数の透過孔の１つを選択する第１〜第４の偏向器１
２１、１２２、１２３、及び１２４を含む。露光コラム
部１１０は更に、ブランキング信号に応じてビームを遮
断或いは通過させるブランキング１２５と、ビームを縮
小させる為の第４のレンズ１２６と、アパーチャ１２７
と、リフォーカスコイル１２８と、第５のレンズ１２９
を含む。露光コラム部１１０は更に、ダイナミックフォ
ーカスコイル１３０と、ダイナミックスティグコイル１
３１と、ビームを試料上に投影する為の第６の対物レン
ズ１３２と、露光位置決定信号Ｓ２及びＳ３の各々に応
じてウェハ上のビーム位置決めをする主偏向器（主偏向
コイル）１３３及び副偏向器１３４を含む。露光コラム
部１１０は更に、ウェハＷを搭載してＸ−Ｙ方向に移動
可能なステージ１３５と、第1〜第４のアライメントコ
イルを含む。
【０００５】制御部１５０は、集積回路装置の設計デー
タを記憶するディスクやＭＴレコーダからなる記憶媒体
１５１と、荷電粒子ビーム全体を制御するＣＰＵ１５２
を含む。制御部１５０は更に、ＣＰＵ１５２のデータバ
ス（たとえば、ＶＭＥなど）を介して接続されたデータ
管理部１５３、露光管理部１５９、マスクステージ制御
部１６０、主偏向器用偏向量設定部１６１、ステージ制
御部１６２を含む。露光するデータは、主に主偏向デー
タと副偏向データからなり、露光開始前に予めデータ管
理部１５３を介してバッファメモリ１５４に記憶され
る。このバッファメモリ１５４は、記憶媒体１５１から
のデータ読み出しが比較的低速であるので、露光データ
を高速に読み出すためのバッファとして用いられる。
タを記憶するディスクやＭＴレコーダからなる記憶媒体
１５１と、荷電粒子ビーム全体を制御するＣＰＵ１５２
を含む。制御部１５０は更に、ＣＰＵ１５２のデータバ
ス（たとえば、ＶＭＥなど）を介して接続されたデータ
管理部１５３、露光管理部１５９、マスクステージ制御
部１６０、主偏向器用偏向量設定部１６１、ステージ制
御部１６２を含む。露光するデータは、主に主偏向デー
タと副偏向データからなり、露光開始前に予めデータ管
理部１５３を介してバッファメモリ１５４に記憶され
る。このバッファメモリ１５４は、記憶媒体１５１から
のデータ読み出しが比較的低速であるので、露光データ
を高速に読み出すためのバッファとして用いられる。
【０００６】主偏向データは、露光管理部１５９を介し
て主偏向器用偏向量設定部１６１にセットされる。偏向
量が補正演算された後に偏向量Ｓ２が出力され、その値
がＤＡＣ／ＡＭＰ（ＤＡ変換器及び増幅器）１７０を介
して主偏向器１３３へ出力される。次に、設定されたフ
ィールドを露光するための副偏向データがバッファメモ
リ１５３から読み出され、パターン発生部１５６でショ
ットデータに分解され、パターン補正部１５７で補正演
算が実行される。これらの回路は、クロック設定部１５
８で作成されるクロックでパイプライン処理される。
て主偏向器用偏向量設定部１６１にセットされる。偏向
量が補正演算された後に偏向量Ｓ２が出力され、その値
がＤＡＣ／ＡＭＰ（ＤＡ変換器及び増幅器）１７０を介
して主偏向器１３３へ出力される。次に、設定されたフ
ィールドを露光するための副偏向データがバッファメモ
リ１５３から読み出され、パターン発生部１５６でショ
ットデータに分解され、パターン補正部１５７で補正演
算が実行される。これらの回路は、クロック設定部１５
８で作成されるクロックでパイプライン処理される。
【０００７】このパターン補正部１５７での演算の結
果、スリットサイズを設定するＳ１信号と、第１スリッ
ト１１５を通過してＳ１信号で偏向されたビームを透過
孔マスク１２０上のどの位置に偏向するかを定めるマス
ク偏向信号Ｐ１〜Ｐ4 と、透過孔マスク１２０によって
成形されたビームを試料上のどの位置に露光するかを定
めるＳ３信号と、ビームの歪みやボケを補正する為のＳ
４信号が出力される。これらＳ１信号、マスク偏向信号
Ｐ１〜Ｐ４、Ｓ３信号、及びＳ４信号は各々、ＤＡＣ／
ＡＭＰ１６６、ＤＡＣ／ＡＭＰ１６７、ＤＡＣ／ＡＭＰ
１７１、及びＤＡＣ／ＡＭＰ１６９を介して露光コラム
部１１０に供給される。またクロック設定部１５８は、
ブランキング制御用のＢ信号を、ブランキング制御部１
６５に供給する。ブランキング制御部１６５からのブラ
ンキングを制御するＢＬＫ信号は、ＡＭＰ１６８を介し
てブランキング１２５に供給される。
果、スリットサイズを設定するＳ１信号と、第１スリッ
ト１１５を通過してＳ１信号で偏向されたビームを透過
孔マスク１２０上のどの位置に偏向するかを定めるマス
ク偏向信号Ｐ１〜Ｐ4 と、透過孔マスク１２０によって
成形されたビームを試料上のどの位置に露光するかを定
めるＳ３信号と、ビームの歪みやボケを補正する為のＳ
４信号が出力される。これらＳ１信号、マスク偏向信号
Ｐ１〜Ｐ４、Ｓ３信号、及びＳ４信号は各々、ＤＡＣ／
ＡＭＰ１６６、ＤＡＣ／ＡＭＰ１６７、ＤＡＣ／ＡＭＰ
１７１、及びＤＡＣ／ＡＭＰ１６９を介して露光コラム
部１１０に供給される。またクロック設定部１５８は、
ブランキング制御用のＢ信号を、ブランキング制御部１
６５に供給する。ブランキング制御部１６５からのブラ
ンキングを制御するＢＬＫ信号は、ＡＭＰ１６８を介し
てブランキング１２５に供給される。
【０００８】ウェハの露光位置はステージ制御部１６２
によって制御される。この際、レーザー干渉計１６３に
よって検出された座標位置がステージ制御部１６２に入
力される。ステージ制御部１６２は、検出された座標位
置を参照しながら、モーター１６４を駆動してステージ
１３５を移動させる。
によって制御される。この際、レーザー干渉計１６３に
よって検出された座標位置がステージ制御部１６２に入
力される。ステージ制御部１６２は、検出された座標位
置を参照しながら、モーター１６４を駆動してステージ
１３５を移動させる。
【０００９】このように制御部１５０が露光コラム１１
０を制御して、電子銃より放出された電子ビームは、第
１スリットで矩形形状に整形され、レンズ１１６及び１
１８で収束され、マスク偏向器１２１及び１２２によっ
て偏向されて透過孔マスク１２０上に照射される。透過
孔マスク１２０を通過した電子ビームは、ブランキング
１２５を通過し、第４レンズ１２６で縮小され、主偏向
器１３３により１００μｍ程度のサブフィールド領域中
心に偏向され、更に副偏向器１３４によってこのサブフ
ィールド領域内で偏向される。
０を制御して、電子銃より放出された電子ビームは、第
１スリットで矩形形状に整形され、レンズ１１６及び１
１８で収束され、マスク偏向器１２１及び１２２によっ
て偏向されて透過孔マスク１２０上に照射される。透過
孔マスク１２０を通過した電子ビームは、ブランキング
１２５を通過し、第４レンズ１２６で縮小され、主偏向
器１３３により１００μｍ程度のサブフィールド領域中
心に偏向され、更に副偏向器１３４によってこのサブフ
ィールド領域内で偏向される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述のブロック露光法
による電子ビーム露光装置に於ては、様々なパターン形
状を有した少なくとも一つの透過孔からなるブロックを
予め透過孔マスク１２０上に多数用意する。そして、あ
る一つのブロックを選択して電子ビームをそのブロック
に照射して、ブロック内の透過孔を通過した電子ビーム
が試料上にその透過孔形状のパターンを露光する。
による電子ビーム露光装置に於ては、様々なパターン形
状を有した少なくとも一つの透過孔からなるブロックを
予め透過孔マスク１２０上に多数用意する。そして、あ
る一つのブロックを選択して電子ビームをそのブロック
に照射して、ブロック内の透過孔を通過した電子ビーム
が試料上にその透過孔形状のパターンを露光する。
【００１１】各ブロックは異なるパターン形状の透過孔
を有しており、またブロック内の透過孔を通過した電子
ビームの電流量は透過孔の面積に依存する。従って、異
なるブロックを選択したときには、異なる電流量の電子
ビームが試料に照射されることになる。図７（Ａ）及び
（Ｂ）は、異なる透過孔面積を有するブロックの例を示
す。
を有しており、またブロック内の透過孔を通過した電子
ビームの電流量は透過孔の面積に依存する。従って、異
なるブロックを選択したときには、異なる電流量の電子
ビームが試料に照射されることになる。図７（Ａ）及び
（Ｂ）は、異なる透過孔面積を有するブロックの例を示
す。
【００１２】図７（Ａ）に示されるパターンの透過孔に
比較して、図７（Ｂ）に示されるパターンの透過孔の面
積は小さい。この２つのパターンを同一の露光量で露光
しようとすると、図７（Ａ）のパターンが適切に露光さ
れる露光量では図７（Ｂ）のパターンが露光不足にな
り、逆に図７（Ｂ）のパターンが適切に露光される露光
量では図７（Ａ）の露光量が過剰になる。即ち、同一の
露光量では図７（Ａ）及び２（Ｂ）のパターンの両方を
適切に描画することが出来ない。そこで一般には、図７
（Ｂ）のように透過孔面積の小さなパターンを露光する
際には、図７（Ａ）のように透過孔面積の大きなパター
ンを露光する際と比較して、露光量を増やす処置が取ら
れる。ここで露光量を増やすためには、露光時間を長く
するか或いは電子ビームの電流密度を増加させればよ
い。
比較して、図７（Ｂ）に示されるパターンの透過孔の面
積は小さい。この２つのパターンを同一の露光量で露光
しようとすると、図７（Ａ）のパターンが適切に露光さ
れる露光量では図７（Ｂ）のパターンが露光不足にな
り、逆に図７（Ｂ）のパターンが適切に露光される露光
量では図７（Ａ）の露光量が過剰になる。即ち、同一の
露光量では図７（Ａ）及び２（Ｂ）のパターンの両方を
適切に描画することが出来ない。そこで一般には、図７
（Ｂ）のように透過孔面積の小さなパターンを露光する
際には、図７（Ａ）のように透過孔面積の大きなパター
ンを露光する際と比較して、露光量を増やす処置が取ら
れる。ここで露光量を増やすためには、露光時間を長く
するか或いは電子ビームの電流密度を増加させればよ
い。
【００１３】上述のように異なる透過孔面積を有するパ
ターンに対しては異なる露光量が設定されるが、この方
法では解決できない問題が露光量調整に関して存在す
る。図８は、露光量調整に関する問題を説明するための
図であり、ブロック及びブロック内の透過孔パターンを
示す。
ターンに対しては異なる露光量が設定されるが、この方
法では解決できない問題が露光量調整に関して存在す
る。図８は、露光量調整に関する問題を説明するための
図であり、ブロック及びブロック内の透過孔パターンを
示す。
【００１４】図８に於て、ブロック２００は透過孔２０
１及び２０２を含む。透過孔２０１の面積をＡ１及び透
過孔２０２の面積をＡ２として、Ａ１＜＜Ａ２である。
上述の露光量調節の方法は、ブロック内の透過孔面積に
応じてそのブロックに対応する露光量を決定する。従っ
て、ブロック２００に対応する露光量は総面積（Ａ１＋
Ａ２）によって設定される。しかしながらこのように露
光量を決定すると、透過孔２０２に対する露光は適切に
行われるが、透過孔２０１に対しては露光量不足となり
適切なパターンが描画されない。即ち、露光量調整は各
ブロック単位で行われるので、一つのブロック内に極端
に面積の異なる複数の透過孔が存在する場合には、面積
の小さな透過孔が露光不足になるという問題がある。
１及び２０２を含む。透過孔２０１の面積をＡ１及び透
過孔２０２の面積をＡ２として、Ａ１＜＜Ａ２である。
上述の露光量調節の方法は、ブロック内の透過孔面積に
応じてそのブロックに対応する露光量を決定する。従っ
て、ブロック２００に対応する露光量は総面積（Ａ１＋
Ａ２）によって設定される。しかしながらこのように露
光量を決定すると、透過孔２０２に対する露光は適切に
行われるが、透過孔２０１に対しては露光量不足となり
適切なパターンが描画されない。即ち、露光量調整は各
ブロック単位で行われるので、一つのブロック内に極端
に面積の異なる複数の透過孔が存在する場合には、面積
の小さな透過孔が露光不足になるという問題がある。
【００１５】上述の問題に加えて、ブロック露光方式の
電子ビーム露光装置には、クーロン電子作用の問題が存
在する。これは電子ビームの電子同士が反発することに
より、電流値と略比例して電子ビームがぼける現象であ
る。特に電子ビームの焦点に於て、電子ビームの相互作
用する確率が増加して像がぼやけてしまう。
電子ビーム露光装置には、クーロン電子作用の問題が存
在する。これは電子ビームの電子同士が反発することに
より、電流値と略比例して電子ビームがぼける現象であ
る。特に電子ビームの焦点に於て、電子ビームの相互作
用する確率が増加して像がぼやけてしまう。
【００１６】ブロック露光法に於ては、透過孔マスクを
透過した電子ビームによって微細パターンを広範囲に一
括露光するので、電子ビームの電流値は多くなる傾向に
あり、クーロン相互作用の影響を受けやすい。特に、透
過孔面積がある一定以上の値になると、クーロン相互作
用の影響が顕著に現われて露光パターンがぼけてしま
う。
透過した電子ビームによって微細パターンを広範囲に一
括露光するので、電子ビームの電流値は多くなる傾向に
あり、クーロン相互作用の影響を受けやすい。特に、透
過孔面積がある一定以上の値になると、クーロン相互作
用の影響が顕著に現われて露光パターンがぼけてしま
う。
【００１７】クーロン相互作用を抑さえるためには、電
子ビームの電流密度を減少させ、露光量を保つために露
光時間を長くする方法が考えられる。しかしながら、ク
ーロン相互作用の心配のないブロックも含めて全てのブ
ロックに対して一括して電流密度を減らすことは、スル
ープットの減少をまねくので好ましくない。また、各ブ
ロックに対して異なった電流密度を設定しようとする
と、必要以上に電流密度を変化させることになり装置の
動作の不安定化につながる。
子ビームの電流密度を減少させ、露光量を保つために露
光時間を長くする方法が考えられる。しかしながら、ク
ーロン相互作用の心配のないブロックも含めて全てのブ
ロックに対して一括して電流密度を減らすことは、スル
ープットの減少をまねくので好ましくない。また、各ブ
ロックに対して異なった電流密度を設定しようとする
と、必要以上に電流密度を変化させることになり装置の
動作の不安定化につながる。
【００１８】従って本発明の目的は、ブロック露光方法
及び装置において、小面積の透過孔による細かなパター
ンを適切な露光量で露光し、またクーロン相互作用の影
響を軽減することである。
及び装置において、小面積の透過孔による細かなパター
ンを適切な露光量で露光し、またクーロン相互作用の影
響を軽減することである。
【００１９】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に於て
は、各々が少なくとも一つの透過孔を含む複数のブロッ
クを有する透過孔板を用い、該透過孔板の該複数のブロ
ックの一つを選択して電子ビームを照射して、該少なく
とも一つの透過孔を透過して断面形状が成形された該電
子ビームによって試料上にパターンの露光を行う方法
は、ａ）該少なくとも一つの透過孔のうちで最も露光不
足になりやすい第１の透過孔を基準として該電子ビーム
の露光量を決定し、ｂ）該少なくとも一つの透過孔のう
ちの他の透過孔に対して該露光量では露光過多となる場
合に、該他の透過孔を通過する該電子ビームが適切な露
光量となるように該他の透過孔に梁を挿入し、ｃ）該露
光量で該試料上に該パターンを露光する各段階を含むこ
とを特徴とする。
は、各々が少なくとも一つの透過孔を含む複数のブロッ
クを有する透過孔板を用い、該透過孔板の該複数のブロ
ックの一つを選択して電子ビームを照射して、該少なく
とも一つの透過孔を透過して断面形状が成形された該電
子ビームによって試料上にパターンの露光を行う方法
は、ａ）該少なくとも一つの透過孔のうちで最も露光不
足になりやすい第１の透過孔を基準として該電子ビーム
の露光量を決定し、ｂ）該少なくとも一つの透過孔のう
ちの他の透過孔に対して該露光量では露光過多となる場
合に、該他の透過孔を通過する該電子ビームが適切な露
光量となるように該他の透過孔に梁を挿入し、ｃ）該露
光量で該試料上に該パターンを露光する各段階を含むこ
とを特徴とする。
【００２０】従って、この発明に於ては、最も露光不足
になりやすい透過孔を基準として電子ビームの露光量を
決定し、更にその露光量では露光過多となる透過孔に梁
を挿入して露光量を調整するので、同一ブロック内にあ
る大きな透過孔及び小さな透過孔を適切な露光量で露光
することが出来る。
になりやすい透過孔を基準として電子ビームの露光量を
決定し、更にその露光量では露光過多となる透過孔に梁
を挿入して露光量を調整するので、同一ブロック内にあ
る大きな透過孔及び小さな透過孔を適切な露光量で露光
することが出来る。
【００２１】請求項２の発明に於ては、請求項１記載の
方法に於て、前記梁の幅は、前記試料上への前記他の透
過孔の投影パターンに対する影響が無視できる大きさで
あることを特徴とする。従って、この発明に於ては、挿
入された梁が投影パターンに現われることなく、所望の
パターンを試料上に露光することが出来る。
方法に於て、前記梁の幅は、前記試料上への前記他の透
過孔の投影パターンに対する影響が無視できる大きさで
あることを特徴とする。従って、この発明に於ては、挿
入された梁が投影パターンに現われることなく、所望の
パターンを試料上に露光することが出来る。
【００２２】請求項３の発明に於ては、請求項２記載の
方法に於て、前記梁の幅は、約0.02μm から約0.06μm
の範囲であることを特徴とする。従って、この発明に於
ては、挿入された梁が投影パターンに現われることなく
所望のパターンを試料上に露光することが出来ると共
に、挿入された梁は十分な強度を保つので容易に損壊す
ることがない。
方法に於て、前記梁の幅は、約0.02μm から約0.06μm
の範囲であることを特徴とする。従って、この発明に於
ては、挿入された梁が投影パターンに現われることなく
所望のパターンを試料上に露光することが出来ると共
に、挿入された梁は十分な強度を保つので容易に損壊す
ることがない。
【００２３】請求項４の発明に於ては、請求項１記載の
方法に於て、ｄ）前記第１の透過孔及び前記梁の挿入さ
れた前記他の透過孔を透過する前記電子ビームの電流量
が所定値以上である場合には、該第１の透過孔及び該梁
の挿入された該他の透過孔に対して梁を挿入して透過孔
面積を減少させることにより該電流量を該所定値以下に
し、ｅ）該所定値以下の該電流量で前記パターンに対し
て適切な露光量を与えるように該電子ビームの露光時間
を決定する各段階を更に含むことを特徴とする。
方法に於て、ｄ）前記第１の透過孔及び前記梁の挿入さ
れた前記他の透過孔を透過する前記電子ビームの電流量
が所定値以上である場合には、該第１の透過孔及び該梁
の挿入された該他の透過孔に対して梁を挿入して透過孔
面積を減少させることにより該電流量を該所定値以下に
し、ｅ）該所定値以下の該電流量で前記パターンに対し
て適切な露光量を与えるように該電子ビームの露光時間
を決定する各段階を更に含むことを特徴とする。
【００２４】従って、この発明に於ては、梁が挿入され
た透過孔を有するブロックを用いたとき透過電子ビーム
が依然としてクーロン相互作用の影響を受ける場合に、
更に梁入れを行って透過孔面積を減少させることにより
透過電子ビームの電流量を削減するので、クーロン相互
作用の影響を少なくすることが出来る。
た透過孔を有するブロックを用いたとき透過電子ビーム
が依然としてクーロン相互作用の影響を受ける場合に、
更に梁入れを行って透過孔面積を減少させることにより
透過電子ビームの電流量を削減するので、クーロン相互
作用の影響を少なくすることが出来る。
【００２５】請求項５の発明に於ては、請求項４記載の
方法に於て、前記所定値以下の前記電流量は、前記電子
ビームのクーロン相互作用を無視できる大きさであるこ
とを特徴とする。従って、この発明に於ては、クーロン
相互作用の影響を無視できる大きさにまで削減すること
が出来る。
方法に於て、前記所定値以下の前記電流量は、前記電子
ビームのクーロン相互作用を無視できる大きさであるこ
とを特徴とする。従って、この発明に於ては、クーロン
相互作用の影響を無視できる大きさにまで削減すること
が出来る。
【００２６】請求項６の発明に於ては、請求項４記載の
方法に於て、前記段階ｅ）は、該透過孔面積に基づいて
前記露光時間を決定することを特徴とする。従って、こ
の発明に於ては、あるブロックを用いた場合の露光時間
は、そのブロック内の透過孔の総面積に応じて自動的に
決定することが出来る。
方法に於て、前記段階ｅ）は、該透過孔面積に基づいて
前記露光時間を決定することを特徴とする。従って、こ
の発明に於ては、あるブロックを用いた場合の露光時間
は、そのブロック内の透過孔の総面積に応じて自動的に
決定することが出来る。
【００２７】請求項７の発明に於ては、請求項４記載の
方法に於て、ｆ）前記複数のブロックの各々に対して、
梁が存在するか否かを示す露光情報データを生成し、
ｇ）該複数のブロックの各々に対して、対応するパター
ンを適切な露光量で前記試料上に露光するための露光量
補正データを生成する各段階を更に含み、前記段階ｃ）
は該露光情報データ及び該露光量補正データを用いて前
記試料上に前記パターンを露光することを特徴とする。
方法に於て、ｆ）前記複数のブロックの各々に対して、
梁が存在するか否かを示す露光情報データを生成し、
ｇ）該複数のブロックの各々に対して、対応するパター
ンを適切な露光量で前記試料上に露光するための露光量
補正データを生成する各段階を更に含み、前記段階ｃ）
は該露光情報データ及び該露光量補正データを用いて前
記試料上に前記パターンを露光することを特徴とする。
【００２８】従って、この発明に於ては、あるブロック
が梁を含んでいる場合に、梁が存在する条件での適切な
露光量を用いて、試料上にそのブロックのパターンを露
光することが出来る。請求項８の発明に於ては、各々が
少なくとも一つの透過孔を含む複数のブロックを有する
透過孔板を用い、該透過孔板の該複数のブロックの一つ
を選択して電子ビームを照射して、該少なくとも一つの
透過孔を透過して断面形状が成形された該電子ビームに
よって試料上にパターンの露光を行うためのデータを生
成する方法は、ａ）該複数のブロックの少なくとも一つ
に対して、該少なくとも一つの透過孔のうちで、最も露
光不足になりやすい第１の透過孔を基準として該電子ビ
ームの露光量を決定した場合に露光過多となる第２の透
過孔に梁を挿入し、該第１及び第２の透過孔を透過する
該電子ビームの電流量が所定値以上である場合に該第１
及び第２の透過孔に対して梁を挿入し、ｂ）該複数のブ
ロックの各々に対して、該梁が存在するか否かを示す露
光情報データを生成し、ｃ）該複数のブロックの各々に
対して、対応するパターンを適切な露光量で該試料上に
露光するための露光量補正データを生成する各段階を含
むことを特徴とする。
が梁を含んでいる場合に、梁が存在する条件での適切な
露光量を用いて、試料上にそのブロックのパターンを露
光することが出来る。請求項８の発明に於ては、各々が
少なくとも一つの透過孔を含む複数のブロックを有する
透過孔板を用い、該透過孔板の該複数のブロックの一つ
を選択して電子ビームを照射して、該少なくとも一つの
透過孔を透過して断面形状が成形された該電子ビームに
よって試料上にパターンの露光を行うためのデータを生
成する方法は、ａ）該複数のブロックの少なくとも一つ
に対して、該少なくとも一つの透過孔のうちで、最も露
光不足になりやすい第１の透過孔を基準として該電子ビ
ームの露光量を決定した場合に露光過多となる第２の透
過孔に梁を挿入し、該第１及び第２の透過孔を透過する
該電子ビームの電流量が所定値以上である場合に該第１
及び第２の透過孔に対して梁を挿入し、ｂ）該複数のブ
ロックの各々に対して、該梁が存在するか否かを示す露
光情報データを生成し、ｃ）該複数のブロックの各々に
対して、対応するパターンを適切な露光量で該試料上に
露光するための露光量補正データを生成する各段階を含
むことを特徴とする。
【００２９】従って、この発明に於ては、あるブロック
が梁を含んでいる場合に、梁が存在する条件での適切な
露光量を用いて、試料上にそのブロックのパターンを露
光することが出来る。請求項９の発明に於ては、請求項
８記載の方法に於て、ｆ）前記適切な露光量を、前記複
数のブロックの各々に対して、前記少なくとも一つの透
過孔の総面積に基づいて決定する段階を更に含むことを
特徴とする。
が梁を含んでいる場合に、梁が存在する条件での適切な
露光量を用いて、試料上にそのブロックのパターンを露
光することが出来る。請求項９の発明に於ては、請求項
８記載の方法に於て、ｆ）前記適切な露光量を、前記複
数のブロックの各々に対して、前記少なくとも一つの透
過孔の総面積に基づいて決定する段階を更に含むことを
特徴とする。
【００３０】従って、この発明に於ては、あるブロック
が梁を含んでいる場合の適切な露光量を、そのブロック
内の透過孔の総面積に応じて自動的に決定することが出
来る。請求項１０の発明に於ては、請求項８記載の方法
に於て、ｆ）所定幅の透過孔に対して、該所定幅の透過
孔に挿入された前記梁の寸法及び本数と適切な露光量と
の関係を予め求めておく段階を更に含むことを特徴とす
る。
が梁を含んでいる場合の適切な露光量を、そのブロック
内の透過孔の総面積に応じて自動的に決定することが出
来る。請求項１０の発明に於ては、請求項８記載の方法
に於て、ｆ）所定幅の透過孔に対して、該所定幅の透過
孔に挿入された前記梁の寸法及び本数と適切な露光量と
の関係を予め求めておく段階を更に含むことを特徴とす
る。
【００３１】従って、この発明に於ては、様々な寸法及
び数の梁が挿入された場合の適切な露光量を、様々な幅
の透過孔に対して、予め実験的或いは理論的に求めてお
くことで、適切で正確な露光量を用いることが出来る。
請求項１１の発明に於ては、各々が少なくとも一つの透
過孔を含む複数のブロックを有する透過孔板を用い、該
透過孔板の該複数のブロックの一つを選択して電子ビー
ムを照射して、該少なくとも一つの透過孔を透過して断
面形状が成形された該電子ビームによって試料上にパタ
ーンの露光を行う装置は、該少なくとも一つの透過孔の
うちで最も露光不足になりやすい第１の透過孔を基準と
して該電子ビームの露光量を決定する手段と、該少なく
とも一つの透過孔のうちの他の透過孔に対して該露光量
では露光過多となる場合に、該他の透過孔を通過する該
電子ビームが適切な露光量となるように該他の透過孔に
梁を挿入する手段と、該露光量で該試料上に該パターン
を露光する露光手段を含むことを特徴とする。
び数の梁が挿入された場合の適切な露光量を、様々な幅
の透過孔に対して、予め実験的或いは理論的に求めてお
くことで、適切で正確な露光量を用いることが出来る。
請求項１１の発明に於ては、各々が少なくとも一つの透
過孔を含む複数のブロックを有する透過孔板を用い、該
透過孔板の該複数のブロックの一つを選択して電子ビー
ムを照射して、該少なくとも一つの透過孔を透過して断
面形状が成形された該電子ビームによって試料上にパタ
ーンの露光を行う装置は、該少なくとも一つの透過孔の
うちで最も露光不足になりやすい第１の透過孔を基準と
して該電子ビームの露光量を決定する手段と、該少なく
とも一つの透過孔のうちの他の透過孔に対して該露光量
では露光過多となる場合に、該他の透過孔を通過する該
電子ビームが適切な露光量となるように該他の透過孔に
梁を挿入する手段と、該露光量で該試料上に該パターン
を露光する露光手段を含むことを特徴とする。
【００３２】従って、この発明に於ては、最も露光不足
になりやすい透過孔を基準として電子ビームの露光量を
決定し、更にその露光量では露光過多となる透過孔に梁
を挿入して露光量を調整するので、同一ブロック内にあ
る大きな透過孔及び小さな透過孔を適切な露光量で露光
することが出来る。
になりやすい透過孔を基準として電子ビームの露光量を
決定し、更にその露光量では露光過多となる透過孔に梁
を挿入して露光量を調整するので、同一ブロック内にあ
る大きな透過孔及び小さな透過孔を適切な露光量で露光
することが出来る。
【００３３】請求項１２の発明に於ては、請求項１１記
載の装置に於て、前記梁の幅は、前記試料上への前記他
の透過孔の投影パターンに対する影響が無視できる大き
さであることを特徴とする。従って、この発明に於て
は、挿入された梁が投影パターンに現われることなく、
所望のパターンを試料上に露光することが出来る。
載の装置に於て、前記梁の幅は、前記試料上への前記他
の透過孔の投影パターンに対する影響が無視できる大き
さであることを特徴とする。従って、この発明に於て
は、挿入された梁が投影パターンに現われることなく、
所望のパターンを試料上に露光することが出来る。
【００３４】請求項１３の発明に於ては、請求項１２記
載の装置に於て、前記梁の幅は、約0.02μm から約0.06
μm の範囲であることを特徴とする。従って、この発明
に於ては、挿入された梁が投影パターンに現われること
なく所望のパターンを試料上に露光することが出来ると
共に、挿入された梁は十分な強度を保つので容易に損壊
することがない。
載の装置に於て、前記梁の幅は、約0.02μm から約0.06
μm の範囲であることを特徴とする。従って、この発明
に於ては、挿入された梁が投影パターンに現われること
なく所望のパターンを試料上に露光することが出来ると
共に、挿入された梁は十分な強度を保つので容易に損壊
することがない。
【００３５】請求項１４の発明に於ては、請求項１１記
載の装置に於て、前記第１の透過孔及び前記梁の挿入さ
れた前記他の透過孔を透過する前記電子ビームの電流量
が所定値以上である場合には、該第１の透過孔及び該梁
の挿入された該他の透過孔に対して梁を挿入して透過孔
面積を減少させることにより該電流量を該所定値以下に
する手段と、該所定値以下の該電流量で前記パターンに
対して適切な露光量を与えるように該電子ビームの露光
時間を決定する露光時間決定手段を更に含むことを特徴
とする。
載の装置に於て、前記第１の透過孔及び前記梁の挿入さ
れた前記他の透過孔を透過する前記電子ビームの電流量
が所定値以上である場合には、該第１の透過孔及び該梁
の挿入された該他の透過孔に対して梁を挿入して透過孔
面積を減少させることにより該電流量を該所定値以下に
する手段と、該所定値以下の該電流量で前記パターンに
対して適切な露光量を与えるように該電子ビームの露光
時間を決定する露光時間決定手段を更に含むことを特徴
とする。
【００３６】従って、この発明に於ては、梁が挿入され
た透過孔を有するブロックを用いたとき透過電子ビーム
が依然としてクーロン相互作用の影響を受ける場合に、
更に梁入れを行って透過孔面積を減少させることにより
透過電子ビームの電流量を削減するので、クーロン相互
作用の影響を少なくすることが出来る。
た透過孔を有するブロックを用いたとき透過電子ビーム
が依然としてクーロン相互作用の影響を受ける場合に、
更に梁入れを行って透過孔面積を減少させることにより
透過電子ビームの電流量を削減するので、クーロン相互
作用の影響を少なくすることが出来る。
【００３７】請求項１５の発明に於ては、請求項１４記
載の装置に於て、前記所定値以下の前記電流量は、前記
電子ビームのクーロン相互作用を無視できる大きさであ
ることを特徴とする。従って、この発明に於ては、クー
ロン相互作用の影響を無視できる大きさにまで削減する
ことが出来る。
載の装置に於て、前記所定値以下の前記電流量は、前記
電子ビームのクーロン相互作用を無視できる大きさであ
ることを特徴とする。従って、この発明に於ては、クー
ロン相互作用の影響を無視できる大きさにまで削減する
ことが出来る。
【００３８】請求項１６の発明に於ては、請求項１４記
載の装置に於て、前記露光時間決定手段は、該透過孔面
積に基づいて前記露光時間を決定することを特徴とす
る。従って、この発明に於ては、あるブロックを用いた
場合の露光時間は、そのブロック内の透過孔の総面積に
応じて自動的に決定することが出来る。
載の装置に於て、前記露光時間決定手段は、該透過孔面
積に基づいて前記露光時間を決定することを特徴とす
る。従って、この発明に於ては、あるブロックを用いた
場合の露光時間は、そのブロック内の透過孔の総面積に
応じて自動的に決定することが出来る。
【００３９】請求項１７の発明に於ては、請求項１４記
載の装置に於て、前記複数のブロックの各々に対して、
梁が存在するか否かを示す露光情報データを生成する手
段と、該複数のブロックの各々に対して、対応するパタ
ーンを適切な露光量で前記試料上に露光するための露光
量補正データを生成する手段を更に含み、前記露光手段
は該露光情報データ及び該露光量補正データを用いて前
記試料上に前記パターンを露光することを特徴とする。
載の装置に於て、前記複数のブロックの各々に対して、
梁が存在するか否かを示す露光情報データを生成する手
段と、該複数のブロックの各々に対して、対応するパタ
ーンを適切な露光量で前記試料上に露光するための露光
量補正データを生成する手段を更に含み、前記露光手段
は該露光情報データ及び該露光量補正データを用いて前
記試料上に前記パターンを露光することを特徴とする。
【００４０】従って、この発明に於ては、あるブロック
が梁を含んでいる場合に、梁が存在する条件での適切な
露光量を用いて、試料上にそのブロックのパターンを露
光することが出来る。請求項１８の発明に於ては、各々
が少なくとも一つの透過孔を含む複数のブロックを有す
る透過孔板を用い、該透過孔板の該複数のブロックの一
つを選択して電子ビームを照射して、該少なくとも一つ
の透過孔を透過して断面形状が成形された該電子ビーム
によって試料上にパターンの露光を行う装置は、該複数
のブロックの少なくとも一つに対して、該少なくとも一
つの透過孔のうちで、最も露光不足になりやすい第１の
透過孔を基準として該電子ビームの露光量を決定した場
合に露光過多となる第２の透過孔に梁を挿入し、該第１
及び第２の透過孔を透過する該電子ビームの電流量が所
定値以上である場合に該第１及び第２の透過孔に対して
梁を挿入する手段と、該複数のブロックの各々に対し
て、該梁が存在するか否かを示す露光情報データを生成
する手段と、該複数のブロックの各々に対して、対応す
るパターンを適切な露光量で該試料上に露光するための
露光量補正データを生成する手段とを含むことを特徴と
する。
が梁を含んでいる場合に、梁が存在する条件での適切な
露光量を用いて、試料上にそのブロックのパターンを露
光することが出来る。請求項１８の発明に於ては、各々
が少なくとも一つの透過孔を含む複数のブロックを有す
る透過孔板を用い、該透過孔板の該複数のブロックの一
つを選択して電子ビームを照射して、該少なくとも一つ
の透過孔を透過して断面形状が成形された該電子ビーム
によって試料上にパターンの露光を行う装置は、該複数
のブロックの少なくとも一つに対して、該少なくとも一
つの透過孔のうちで、最も露光不足になりやすい第１の
透過孔を基準として該電子ビームの露光量を決定した場
合に露光過多となる第２の透過孔に梁を挿入し、該第１
及び第２の透過孔を透過する該電子ビームの電流量が所
定値以上である場合に該第１及び第２の透過孔に対して
梁を挿入する手段と、該複数のブロックの各々に対し
て、該梁が存在するか否かを示す露光情報データを生成
する手段と、該複数のブロックの各々に対して、対応す
るパターンを適切な露光量で該試料上に露光するための
露光量補正データを生成する手段とを含むことを特徴と
する。
【００４１】従って、この発明に於ては、あるブロック
が梁を含んでいる場合に、梁が存在する条件での適切な
露光量を用いて、試料上にそのブロックのパターンを露
光することが出来る。請求項１９の発明に於ては、請求
項１８記載の装置に於て、前記適切な露光量を、前記複
数のブロックの各々に対して、前記少なくとも一つの透
過孔の総面積に基づいて決定する手段を更に含むことを
特徴とする。
が梁を含んでいる場合に、梁が存在する条件での適切な
露光量を用いて、試料上にそのブロックのパターンを露
光することが出来る。請求項１９の発明に於ては、請求
項１８記載の装置に於て、前記適切な露光量を、前記複
数のブロックの各々に対して、前記少なくとも一つの透
過孔の総面積に基づいて決定する手段を更に含むことを
特徴とする。
【００４２】従って、この発明に於ては、あるブロック
が梁を含んでいる場合の適切な露光量を、そのブロック
内の透過孔の総面積に応じて自動的に決定することが出
来る。請求項２０の発明に於ては、請求項１８記載の装
置に於て、所定幅の透過孔に対して、該所定幅の透過孔
に挿入された前記梁の寸法及び本数と適切な露光量との
関係を予め求めておく段階を更に含むことを特徴とす
る。
が梁を含んでいる場合の適切な露光量を、そのブロック
内の透過孔の総面積に応じて自動的に決定することが出
来る。請求項２０の発明に於ては、請求項１８記載の装
置に於て、所定幅の透過孔に対して、該所定幅の透過孔
に挿入された前記梁の寸法及び本数と適切な露光量との
関係を予め求めておく段階を更に含むことを特徴とす
る。
【００４３】従って、この発明に於ては、様々な寸法及
び数の梁が挿入された場合の適切な露光量を、様々な幅
の透過孔に対して、予め実験的或いは理論的に求めてお
くことで、適切で正確な露光量を用いることが出来る。
び数の梁が挿入された場合の適切な露光量を、様々な幅
の透過孔に対して、予め実験的或いは理論的に求めてお
くことで、適切で正確な露光量を用いることが出来る。
【００４４】
【発明の実施の形態】以下に本発明の原理と実施例を添
付の図面を用いて説明する。図１（Ａ）及び（Ｂ）は、
本発明の原理を示す図である。本発明の原理に於ては、
あるブロック内の特定の透過孔（最も露光不足になりや
すいパターン）に対する適切な露光量を、そのブロック
全体に対する露光量として設定する。但し、このように
設定された露光量では、面積の比較的大きな他の透過孔
が露光過剰となり適切なパターンが描画されない。これ
を避けるために、本発明の原理に従えば、面積の比較的
大きな透過孔に対しては透過孔内に梁を挿入することに
より、それらの透過孔を通過する電子ビームの電流値を
減少させる。
付の図面を用いて説明する。図１（Ａ）及び（Ｂ）は、
本発明の原理を示す図である。本発明の原理に於ては、
あるブロック内の特定の透過孔（最も露光不足になりや
すいパターン）に対する適切な露光量を、そのブロック
全体に対する露光量として設定する。但し、このように
設定された露光量では、面積の比較的大きな他の透過孔
が露光過剰となり適切なパターンが描画されない。これ
を避けるために、本発明の原理に従えば、面積の比較的
大きな透過孔に対しては透過孔内に梁を挿入することに
より、それらの透過孔を通過する電子ビームの電流値を
減少させる。
【００４５】図１（Ａ）のブロック１０は、透過孔１１
及び１２、透過孔１２内に挿入された梁１３を含む。ブ
ロック１０に対する露光量は、最も露光不足になりやす
いパターンである透過孔１１を基準として設定される。
この設定された露光量で、他の透過孔である透過孔１２
が適切に露光されるように、梁１３が透過孔１２内部に
挿入される。梁１３は十分に細いので、設定された露光
量では梁１３は試料上に露光パターンとして描画される
ことなく、透過孔１２に対応する露光パターンが試料上
に描画される。
及び１２、透過孔１２内に挿入された梁１３を含む。ブ
ロック１０に対する露光量は、最も露光不足になりやす
いパターンである透過孔１１を基準として設定される。
この設定された露光量で、他の透過孔である透過孔１２
が適切に露光されるように、梁１３が透過孔１２内部に
挿入される。梁１３は十分に細いので、設定された露光
量では梁１３は試料上に露光パターンとして描画される
ことなく、透過孔１２に対応する露光パターンが試料上
に描画される。
【００４６】図１（Ｂ）に於ては、透過孔１１にも梁１
４が挿入されている。これはクーロン相互作用の影響を
無くすために挿入されるものである。本発明の原理に従
って図１（Ａ）のブロック１０を設定された露光量で露
光した場合、透過孔１１及び１２を通過する電子ビーム
の電流値が、依然としてクーロン相互作用の影響を強く
受けるほど大きいものである可能性がある。この場合、
図１（Ｂ）のように、梁１４を透過孔１１に挿入し、透
過孔１２の梁１３を増やすことにより、電子ビームの電
流値の電流密度を減少させることが出来る。
４が挿入されている。これはクーロン相互作用の影響を
無くすために挿入されるものである。本発明の原理に従
って図１（Ａ）のブロック１０を設定された露光量で露
光した場合、透過孔１１及び１２を通過する電子ビーム
の電流値が、依然としてクーロン相互作用の影響を強く
受けるほど大きいものである可能性がある。この場合、
図１（Ｂ）のように、梁１４を透過孔１１に挿入し、透
過孔１２の梁１３を増やすことにより、電子ビームの電
流値の電流密度を減少させることが出来る。
【００４７】ここで、透過孔１２の梁１３を増やすだけ
ではなく、透過孔１１にも梁１４を挿入するのは以下の
理由による。上述のように図１（Ａ）に於ては、透過孔
１１及び透過孔１２が、共に適切な露光量となるように
設定されている。仮にクーロン相互作用の影響を無くす
ために透過孔１２の梁１３を増やすと、透過孔１１と透
過孔１２とのバランスが崩れ、露光時間を調整してもど
ちらか一方の露光量が不適切となる。従って本発明の原
理に於ては、クーロン相互作用の影響が存在する場合に
は、透過孔１１及び１２の両方に梁を挿入して、通過す
る電子ビームの電流値を減少させる。
ではなく、透過孔１１にも梁１４を挿入するのは以下の
理由による。上述のように図１（Ａ）に於ては、透過孔
１１及び透過孔１２が、共に適切な露光量となるように
設定されている。仮にクーロン相互作用の影響を無くす
ために透過孔１２の梁１３を増やすと、透過孔１１と透
過孔１２とのバランスが崩れ、露光時間を調整してもど
ちらか一方の露光量が不適切となる。従って本発明の原
理に於ては、クーロン相互作用の影響が存在する場合に
は、透過孔１１及び１２の両方に梁を挿入して、通過す
る電子ビームの電流値を減少させる。
【００４８】以上のように本発明の原理に従えば、最も
露光不足となりやすいパターンの透過孔に合わせて露光
量が設定されるので、細かなパターンでも露光不足とな
ることなく適切に描画され、また、この設定された露光
量では露光過剰となるパターンの透過孔に対しては梁が
挿入されるので、大きなパターンでも露光過剰となるこ
となく適切に描画される。また更に、クーロン相互作用
の影響が大きい場合には、透過孔間のバランスを崩すこ
となく全ての透過孔に梁を入れてクーロン相互作用の影
響を軽減するので、露光パターンを適切に描画すること
が出来る。従って、本発明の原理に従えば、小面積の透
過孔の細かなパターンを適切な露光量で露光し、またク
ーロン相互作用の影響を軽減することが出来る。
露光不足となりやすいパターンの透過孔に合わせて露光
量が設定されるので、細かなパターンでも露光不足とな
ることなく適切に描画され、また、この設定された露光
量では露光過剰となるパターンの透過孔に対しては梁が
挿入されるので、大きなパターンでも露光過剰となるこ
となく適切に描画される。また更に、クーロン相互作用
の影響が大きい場合には、透過孔間のバランスを崩すこ
となく全ての透過孔に梁を入れてクーロン相互作用の影
響を軽減するので、露光パターンを適切に描画すること
が出来る。従って、本発明の原理に従えば、小面積の透
過孔の細かなパターンを適切な露光量で露光し、またク
ーロン相互作用の影響を軽減することが出来る。
【００４９】なお本発明の原理はブロック内に透過孔が
２つある例を用いて説明されたが、透過孔が３つ以上あ
る場合についても同様であることは言うまでもない。図
２は、本発明の第１の実施例による梁入れ及び露光量調
整に基づく露光処理のフローチャートである。図２の露
光処理は、本発明の第１の実施例に従って図６の装置に
おいて実行される。図３に梁入れを行うパターンの例を
示す。図２及び図３を参照して、第１の実施例による梁
入れ及び露光量調整に基づく露光処理を説明する。
２つある例を用いて説明されたが、透過孔が３つ以上あ
る場合についても同様であることは言うまでもない。図
２は、本発明の第１の実施例による梁入れ及び露光量調
整に基づく露光処理のフローチャートである。図２の露
光処理は、本発明の第１の実施例に従って図６の装置に
おいて実行される。図３に梁入れを行うパターンの例を
示す。図２及び図３を参照して、第１の実施例による梁
入れ及び露光量調整に基づく露光処理を説明する。
【００５０】ステップＳ１に於て、あるブロック内に存
在する複数の透過孔間での面積差が所定値以上であり、
そのために透過孔に対する梁入れが必要であるか否かが
判断される。梁入れの必要がある場合にはステップＳ２
に進み、梁入れの必要がない場合にはステップＳ４に進
む。
在する複数の透過孔間での面積差が所定値以上であり、
そのために透過孔に対する梁入れが必要であるか否かが
判断される。梁入れの必要がある場合にはステップＳ２
に進み、梁入れの必要がない場合にはステップＳ４に進
む。
【００５１】図３（Ａ）にあるブロック２０において、
透過孔２１は幅0.2 μm 、長さ4.0μm であり、透過孔
２２は4.0 μm 平方であるとする。この場合、２つの透
過孔２１及び２２間の面積差が大きいために、透過孔２
１を適切に露光するためには透過孔２２に対して梁入れ
を行う必要がある。一般的に、小さいほうの透過孔（透
過孔２１）の幅が約0.3 μm 以下であり、大きいほうの
透過孔（透過孔２２）の面積が小さいほうの透過孔の面
積の約３倍以上である場合には、大きいほうの透過孔に
梁入れを行う必要がある。
透過孔２１は幅0.2 μm 、長さ4.0μm であり、透過孔
２２は4.0 μm 平方であるとする。この場合、２つの透
過孔２１及び２２間の面積差が大きいために、透過孔２
１を適切に露光するためには透過孔２２に対して梁入れ
を行う必要がある。一般的に、小さいほうの透過孔（透
過孔２１）の幅が約0.3 μm 以下であり、大きいほうの
透過孔（透過孔２２）の面積が小さいほうの透過孔の面
積の約３倍以上である場合には、大きいほうの透過孔に
梁入れを行う必要がある。
【００５２】ステップＳ２に於て、ブロックに対する露
光量を決定する。この場合の露光量の決定は、小さいほ
うの透過孔を適切に露光できる量に露光量を定めること
で行われる。なお露光量を決定するためには、電流密度
と露光時間との両方を決定する必要がある。従って、露
光時の電子ビーム電流密度が一定の場合には、露光時間
を変化させることによって露光量を定める。
光量を決定する。この場合の露光量の決定は、小さいほ
うの透過孔を適切に露光できる量に露光量を定めること
で行われる。なお露光量を決定するためには、電流密度
と露光時間との両方を決定する必要がある。従って、露
光時の電子ビーム電流密度が一定の場合には、露光時間
を変化させることによって露光量を定める。
【００５３】図３（Ａ）の例では、透過孔２１を精度良
く適切に露光できる露光量を、ブロック２０に対する露
光量とする。一般に、大きいほうの透過孔に対する適切
露光量に対して、小さいほうの透過孔に対する露光量は
４倍から５倍程度大きくする必要がある。実際の露光量
は試料に用いるレジストの感度に依存するため、一概に
規定することは難しく、レジストの感度等を含めた条件
を考慮して例えば実験的に定められる。
く適切に露光できる露光量を、ブロック２０に対する露
光量とする。一般に、大きいほうの透過孔に対する適切
露光量に対して、小さいほうの透過孔に対する露光量は
４倍から５倍程度大きくする必要がある。実際の露光量
は試料に用いるレジストの感度に依存するため、一概に
規定することは難しく、レジストの感度等を含めた条件
を考慮して例えば実験的に定められる。
【００５４】ステップＳ３に於て、梁入れ処理を行う。
即ち、大きいほうの透過孔が露光過剰とならないよう
に、大きいほうの透過孔に梁を入れて通過電流量を適切
な値に制限する。この例では、図３（Ｂ）に示されるよ
うに、透過孔２２に梁２３を入れることになる。一般に
挿入される梁２３の太さは、約0.02μm から約0.06μm
の間である。梁の太さがこのような範囲に制限されるの
は、梁が太すぎると梁の投影が露光パターンに現われて
しまうからであり、また梁が細すぎると梁が損壊しやす
くなるからである。
即ち、大きいほうの透過孔が露光過剰とならないよう
に、大きいほうの透過孔に梁を入れて通過電流量を適切
な値に制限する。この例では、図３（Ｂ）に示されるよ
うに、透過孔２２に梁２３を入れることになる。一般に
挿入される梁２３の太さは、約0.02μm から約0.06μm
の間である。梁の太さがこのような範囲に制限されるの
は、梁が太すぎると梁の投影が露光パターンに現われて
しまうからであり、また梁が細すぎると梁が損壊しやす
くなるからである。
【００５５】ステップＳ４に於て、ブロックの透過孔総
面積が所定値以上であって透過孔を透過する電流にクー
ロン相互作用の影響が存在し、そのために透過孔に対す
る梁入れが必要であるか否かが判断される。梁入れの必
要がある場合にはステップＳ５に進み、梁入れの必要が
ない場合にはステップＳ７に進む。
面積が所定値以上であって透過孔を透過する電流にクー
ロン相互作用の影響が存在し、そのために透過孔に対す
る梁入れが必要であるか否かが判断される。梁入れの必
要がある場合にはステップＳ５に進み、梁入れの必要が
ない場合にはステップＳ７に進む。
【００５６】図３（Ａ）の例に於て、例えば電流密度が
0.4 μＡ／μm2であるとすると、ブロック２０の透過孔
２１及び２２を透過する電流量は6.72μＡ（0.4 μＡ x
4.0μm x 4.0 μm + 0.4 μＡ x 0.2μm x 4.0 μm ）
となる。一般に、クーロン相互作用の影響を無視できる
ほど小さくするためには、透過電流量を2.5 μＡ程度以
下に抑さえる必要がある（例えばブロックの大きさが5
μm 平方である場合、透過孔総面積がブロック面積の２
５％を越えるとクーロン相互作用の影響が無視できない
ことになる）。従って、梁挿入後の図３（Ｂ）のブロッ
ク２０に対しても透過電流量が2.5 μＡを超過する場合
には、クーロン相互作用の影響を小さくするために、更
に梁入れを行う必要がある。
0.4 μＡ／μm2であるとすると、ブロック２０の透過孔
２１及び２２を透過する電流量は6.72μＡ（0.4 μＡ x
4.0μm x 4.0 μm + 0.4 μＡ x 0.2μm x 4.0 μm ）
となる。一般に、クーロン相互作用の影響を無視できる
ほど小さくするためには、透過電流量を2.5 μＡ程度以
下に抑さえる必要がある（例えばブロックの大きさが5
μm 平方である場合、透過孔総面積がブロック面積の２
５％を越えるとクーロン相互作用の影響が無視できない
ことになる）。従って、梁挿入後の図３（Ｂ）のブロッ
ク２０に対しても透過電流量が2.5 μＡを超過する場合
には、クーロン相互作用の影響を小さくするために、更
に梁入れを行う必要がある。
【００５７】ステップＳ５に於て、梁入れ処理を行う。
この場合、小さいほうの透過孔及び大きいほうの透過孔
共に適切な露光条件となっているので、両方の透過孔に
梁を挿入する。この例では図３（Ｃ）に示されるよう
に、透過孔２１及び２２に梁２４及び２３が挿入され
る。これにより、図３（Ｃ）のブロック２０を通過した
電流量は2.5 μＡ以下に制限されて、クーロン相互作用
の影響が無視できるほど小さくなる。
この場合、小さいほうの透過孔及び大きいほうの透過孔
共に適切な露光条件となっているので、両方の透過孔に
梁を挿入する。この例では図３（Ｃ）に示されるよう
に、透過孔２１及び２２に梁２４及び２３が挿入され
る。これにより、図３（Ｃ）のブロック２０を通過した
電流量は2.5 μＡ以下に制限されて、クーロン相互作用
の影響が無視できるほど小さくなる。
【００５８】ステップＳ６に於て、露光量の調整を行
う。ステップＳ５に於て更なる梁入れが行われたことに
より、ステップＳ２に於て決定された露光量では、小さ
いほうの透過孔のパターン及び大きいほうの透過孔のパ
ターンが共に露光量不足となる。従って露光量を増やし
て、適切な露光量を両パターンに対して設定する必要が
ある。この場合、電流密度を増やしたのではクーロン相
互作用の影響が再生されてしまうので、電流密度は変化
させずに露光時間を増大させることにより適切な露光量
を実現する。
う。ステップＳ５に於て更なる梁入れが行われたことに
より、ステップＳ２に於て決定された露光量では、小さ
いほうの透過孔のパターン及び大きいほうの透過孔のパ
ターンが共に露光量不足となる。従って露光量を増やし
て、適切な露光量を両パターンに対して設定する必要が
ある。この場合、電流密度を増やしたのではクーロン相
互作用の影響が再生されてしまうので、電流密度は変化
させずに露光時間を増大させることにより適切な露光量
を実現する。
【００５９】図３（Ｃ）の例において、透過孔総面積
が、例えば図３（Ｂ）の透過孔総面積の0.4 倍であった
とする。このとき一般には、露光時間を1/0.4 倍にすれ
ばよい。 ステップＳ７に於て、露光処理を行う。即
ち、図３（Ｃ）のブロックを用いてブロックマスクを作
成し、ステップＳ２で決定された電流密度とステップＳ
６で決定された露光時間とを用いて試料を露光する。以
上で処理を終了する。
が、例えば図３（Ｂ）の透過孔総面積の0.4 倍であった
とする。このとき一般には、露光時間を1/0.4 倍にすれ
ばよい。 ステップＳ７に於て、露光処理を行う。即
ち、図３（Ｃ）のブロックを用いてブロックマスクを作
成し、ステップＳ２で決定された電流密度とステップＳ
６で決定された露光時間とを用いて試料を露光する。以
上で処理を終了する。
【００６０】以上のように本発明の第１の原理による露
光方法によれば、あるブロック内に存在する複数の透過
孔間で透過孔面積が大きく異なる場合であっても、梁を
挿入することにより、全ての透過孔を適切な露光量で精
度良く露光することが出来る。またクーロン相互作用の
影響を削減することによって更に精度良い露光パターン
を得ることが出来る。
光方法によれば、あるブロック内に存在する複数の透過
孔間で透過孔面積が大きく異なる場合であっても、梁を
挿入することにより、全ての透過孔を適切な露光量で精
度良く露光することが出来る。またクーロン相互作用の
影響を削減することによって更に精度良い露光パターン
を得ることが出来る。
【００６１】なお本発明の第１の実施例は、ブロック内
に透過孔が２つある例を用いて説明されたが、透過孔が
３つ以上ある場合についても同様であることは言うまで
もない。また上記処理のうちで、ステップＳ７の露光処
理は図６の装置全体の動作によって実行され、それ以外
のステップの処理は図６のＣＰＵ１５２によって実行さ
れる。透過孔への梁入れは、梁を入れた透過孔を作成す
るためのマスク作成データを生成することに対応し、こ
のマスク作成データを用いて実際のマスクが作成され
る。
に透過孔が２つある例を用いて説明されたが、透過孔が
３つ以上ある場合についても同様であることは言うまで
もない。また上記処理のうちで、ステップＳ７の露光処
理は図６の装置全体の動作によって実行され、それ以外
のステップの処理は図６のＣＰＵ１５２によって実行さ
れる。透過孔への梁入れは、梁を入れた透過孔を作成す
るためのマスク作成データを生成することに対応し、こ
のマスク作成データを用いて実際のマスクが作成され
る。
【００６２】図４は、本発明の第１の実施例の変形例を
説明するためのデータテーブルを示す。この変形例にお
いては、図２のステップＳ６に於ける露光量の調整が、
あらかじめ実験的に定められた値によって行われる。そ
れ以外の処理は図２に示されるフローチャートと同一で
あり説明を省略する。
説明するためのデータテーブルを示す。この変形例にお
いては、図２のステップＳ６に於ける露光量の調整が、
あらかじめ実験的に定められた値によって行われる。そ
れ以外の処理は図２に示されるフローチャートと同一で
あり説明を省略する。
【００６３】図４は、例えば透過孔の幅が0.16μm であ
る場合に、幅が0.02、0.03、0.04、及び0.05の梁を１乃
至５本入れた場合の露光量を示す。なお挿入する梁の本
数は透過孔の長さで決定される。図４に示されるよう
に、例えば、0.02μm の梁を２本挿入した場合には、梁
の無い場合の1.017 倍に露光量を設定することになる。
このようなテーブルを様々な透過孔幅に対して用意して
おくことによって、様々な透過孔に対する露光量を適切
に決定することが出来る。
る場合に、幅が0.02、0.03、0.04、及び0.05の梁を１乃
至５本入れた場合の露光量を示す。なお挿入する梁の本
数は透過孔の長さで決定される。図４に示されるよう
に、例えば、0.02μm の梁を２本挿入した場合には、梁
の無い場合の1.017 倍に露光量を設定することになる。
このようなテーブルを様々な透過孔幅に対して用意して
おくことによって、様々な透過孔に対する露光量を適切
に決定することが出来る。
【００６４】上述のように本発明の第１の実施例の変形
例においては、様々な幅の透過孔に対して様々な幅及び
数の梁を挿入した場合の適切な露光量をテーブルとして
用意しておくことによって、梁が挿入された透過孔に対
する露光量を適切に決定することが出来る。従って、よ
り精度の良いパターンを露光することが出来る。
例においては、様々な幅の透過孔に対して様々な幅及び
数の梁を挿入した場合の適切な露光量をテーブルとして
用意しておくことによって、梁が挿入された透過孔に対
する露光量を適切に決定することが出来る。従って、よ
り精度の良いパターンを露光することが出来る。
【００６５】図５は、本発明の第２の実施例による梁入
れ及び露光量調整に対するデータ作成処理のフローチャ
ートである。図５のデータ作成処理は、本発明の第２の
実施例に従って図６の装置において実行される。図５の
データ作成処理は、図６の装置が梁挿入時の露光に関す
るデータを保持して適切な露光処理を実行可能にするた
めのものであり、図２に示される第１の実施例と共に行
われる。図５を参照して、第２の実施例による梁入れ及
び露光量調整に対するデータ作成処理を説明する。
れ及び露光量調整に対するデータ作成処理のフローチャ
ートである。図５のデータ作成処理は、本発明の第２の
実施例に従って図６の装置において実行される。図５の
データ作成処理は、図６の装置が梁挿入時の露光に関す
るデータを保持して適切な露光処理を実行可能にするた
めのものであり、図２に示される第１の実施例と共に行
われる。図５を参照して、第２の実施例による梁入れ及
び露光量調整に対するデータ作成処理を説明する。
【００６６】図２に示される第１の実施例は、梁入れ処
理及び露光処理に関するものであるが、図６の装置にお
いて実際に露光処理を実行するためには、図６の装置が
梁挿入時の露光に関するデータを保持している必要があ
る。図６の装置に於ては、透過孔マスク１２０の特定の
ブロックを露光用に選択した場合に、そのブロックを露
光するための露光量（露光時間）は露光管理部１５９に
よって管理される。露光量は記憶媒体１５１に格納され
た露光量データに基づいて決定されるが、この露光量デ
ータは透過孔マスク１２０を作成する際のマスク作成デ
ータに基いて予め作成されるものである。従って、図２
の示される梁入れ処理により梁の挿入された透過孔マス
ク１２０を作成した場合には、梁挿入による透過孔の面
積減少を補償するように、露光量データを補正する必要
がある。
理及び露光処理に関するものであるが、図６の装置にお
いて実際に露光処理を実行するためには、図６の装置が
梁挿入時の露光に関するデータを保持している必要があ
る。図６の装置に於ては、透過孔マスク１２０の特定の
ブロックを露光用に選択した場合に、そのブロックを露
光するための露光量（露光時間）は露光管理部１５９に
よって管理される。露光量は記憶媒体１５１に格納され
た露光量データに基づいて決定されるが、この露光量デ
ータは透過孔マスク１２０を作成する際のマスク作成デ
ータに基いて予め作成されるものである。従って、図２
の示される梁入れ処理により梁の挿入された透過孔マス
ク１２０を作成した場合には、梁挿入による透過孔の面
積減少を補償するように、露光量データを補正する必要
がある。
【００６７】即ち、図６の装置に於て本発明による梁入
れ露光処理を行う場合、透過孔マスク１２０のあるブロ
ックを露光用に選択したとき、そのブロックが梁入れさ
れたブロックであるのか否かを判断する必要がある。そ
してそのブロックが梁入れされたブロックである場合に
は、露光量を補正するための露光量補正データを用いる
必要がある。図５のフローチャートは、あるブロックが
梁入れされたブロックであるか否かを示す補正情報デー
タ、及び露光量を補正するための露光量補正データを作
成するための処理を示す。なおこの処理は図６のＣＰＵ
１５２に於て実行される。
れ露光処理を行う場合、透過孔マスク１２０のあるブロ
ックを露光用に選択したとき、そのブロックが梁入れさ
れたブロックであるのか否かを判断する必要がある。そ
してそのブロックが梁入れされたブロックである場合に
は、露光量を補正するための露光量補正データを用いる
必要がある。図５のフローチャートは、あるブロックが
梁入れされたブロックであるか否かを示す補正情報デー
タ、及び露光量を補正するための露光量補正データを作
成するための処理を示す。なおこの処理は図６のＣＰＵ
１５２に於て実行される。
【００６８】図５のステップＳ１１に於て、マスク作成
データが読み込まれる。ステップＳ１２に於て、マスク
作成データの一つのブロックが選択される。ステップＳ
１３に於て、選択されたブロックに対して梁入れ処理が
行われるか否かが判断される。この判断は、図２のフロ
ーチャートのステップＳ１及びステップＳ４の判断基準
に基づいてなされることが出来る。梁入れ処理が行われ
る場合はステップＳ１４に進み、梁入れ処理が行われな
い場合はステップＳ１７に進む。
データが読み込まれる。ステップＳ１２に於て、マスク
作成データの一つのブロックが選択される。ステップＳ
１３に於て、選択されたブロックに対して梁入れ処理が
行われるか否かが判断される。この判断は、図２のフロ
ーチャートのステップＳ１及びステップＳ４の判断基準
に基づいてなされることが出来る。梁入れ処理が行われ
る場合はステップＳ１４に進み、梁入れ処理が行われな
い場合はステップＳ１７に進む。
【００６９】ステップＳ１４に於て、補正情報データ
を、梁入れを示す「１」に設定する。ステップＳ１５に
於て、露光量補正データを作成する。即ち図２のフロー
チャートのステップＳ２或いはＳ７で決定された露光量
に基づいて露光量補正データを作成する。
を、梁入れを示す「１」に設定する。ステップＳ１５に
於て、露光量補正データを作成する。即ち図２のフロー
チャートのステップＳ２或いはＳ７で決定された露光量
に基づいて露光量補正データを作成する。
【００７０】ステップＳ１６に於て、作成された露光量
補正データを記憶領域に格納する。ステップＳ１７に於
て、ステップＳ１３で梁入れ処理が行われないと判断さ
れた場合には、補正情報データを「０」に設定する。ス
テップＳ１８に於て、マスク作成データ中の全てのブロ
ックが選択されたかどうかを判断する。まだ選択されて
いないブロックが存在する場合には、ステップＳ１２に
戻る。全てのブロックが選択されステップＳ１３乃至Ｓ
１６或いはステップＳ１３及びＳ１７の処理が終了した
場合には、処理を終了する。
補正データを記憶領域に格納する。ステップＳ１７に於
て、ステップＳ１３で梁入れ処理が行われないと判断さ
れた場合には、補正情報データを「０」に設定する。ス
テップＳ１８に於て、マスク作成データ中の全てのブロ
ックが選択されたかどうかを判断する。まだ選択されて
いないブロックが存在する場合には、ステップＳ１２に
戻る。全てのブロックが選択されステップＳ１３乃至Ｓ
１６或いはステップＳ１３及びＳ１７の処理が終了した
場合には、処理を終了する。
【００７１】上述された図５の処理手順は図２の処理手
順と平行して実行されてもよい。即ち、例えば図５のス
テップＳ１５に於て、図２のステップＳ２乃至Ｓ６を実
行することが出来る。以上のように、本発明の第２の実
施例による梁入れ及び露光量調整に対するデータ作成処
理によれば、あるブロックが梁入れされたブロックであ
るか否かを示す補正情報データ、及び露光量を補正する
ための露光量補正データを作成する。これにより、本発
明による梁入れ露光処理を行う場合、透過孔マスクのあ
るブロックが露光用に選択されたとき、そのブロックが
梁入れされたブロックであるのか否かを判断し、更にそ
のブロックが梁入れされたブロックである場合には、露
光量を補正するための露光量補正データを用いて露光を
行うことが出来る。
順と平行して実行されてもよい。即ち、例えば図５のス
テップＳ１５に於て、図２のステップＳ２乃至Ｓ６を実
行することが出来る。以上のように、本発明の第２の実
施例による梁入れ及び露光量調整に対するデータ作成処
理によれば、あるブロックが梁入れされたブロックであ
るか否かを示す補正情報データ、及び露光量を補正する
ための露光量補正データを作成する。これにより、本発
明による梁入れ露光処理を行う場合、透過孔マスクのあ
るブロックが露光用に選択されたとき、そのブロックが
梁入れされたブロックであるのか否かを判断し、更にそ
のブロックが梁入れされたブロックである場合には、露
光量を補正するための露光量補正データを用いて露光を
行うことが出来る。
【００７２】以上、本発明を実施例により説明したが、
本発明はこれらの実施例に限定されるものではなく、本
発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは
言うまでもない。
本発明はこれらの実施例に限定されるものではなく、本
発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは
言うまでもない。
【００７３】
【発明の効果】請求項１の方法及び請求項１１の装置に
於ては、最も露光不足になりやすい透過孔を基準として
電子ビームの露光量を決定し、更にその露光量では露光
過多となる透過孔に梁を挿入して露光量を調整するの
で、同一ブロック内にある大きな透過孔及び小さな透過
孔を適切な露光量で露光することが出来る。従って、高
精度の露光パターンを形成することが出来る。
於ては、最も露光不足になりやすい透過孔を基準として
電子ビームの露光量を決定し、更にその露光量では露光
過多となる透過孔に梁を挿入して露光量を調整するの
で、同一ブロック内にある大きな透過孔及び小さな透過
孔を適切な露光量で露光することが出来る。従って、高
精度の露光パターンを形成することが出来る。
【００７４】請求項２の方法及び請求項１２の装置に於
ては、挿入された梁が投影パターンに現われることな
く、所望のパターンを試料上に露光することが出来る。
従って、高精度の露光パターンを形成することが出来
る。請求項３の方法及び請求項１３の装置に於ては、挿
入された梁が投影パターンに現われることなく所望のパ
ターンを試料上に露光することが出来ると共に、挿入さ
れた梁は十分な強度を保つので容易に損壊することがな
い。従って、高精度の露光パターンを形成することが出
来る。
ては、挿入された梁が投影パターンに現われることな
く、所望のパターンを試料上に露光することが出来る。
従って、高精度の露光パターンを形成することが出来
る。請求項３の方法及び請求項１３の装置に於ては、挿
入された梁が投影パターンに現われることなく所望のパ
ターンを試料上に露光することが出来ると共に、挿入さ
れた梁は十分な強度を保つので容易に損壊することがな
い。従って、高精度の露光パターンを形成することが出
来る。
【００７５】請求項４の方法及び請求項１４の装置に於
ては、梁が挿入された透過孔を有するブロックを用いた
とき透過電子ビームが依然としてクーロン相互作用の影
響を受ける場合に、更に梁入れを行って透過孔面積を減
少させることにより透過電子ビームの電流量を削減する
ので、クーロン相互作用の影響を少なくすることが出来
る。従って、高精度の露光パターンを形成することが出
来る。
ては、梁が挿入された透過孔を有するブロックを用いた
とき透過電子ビームが依然としてクーロン相互作用の影
響を受ける場合に、更に梁入れを行って透過孔面積を減
少させることにより透過電子ビームの電流量を削減する
ので、クーロン相互作用の影響を少なくすることが出来
る。従って、高精度の露光パターンを形成することが出
来る。
【００７６】請求項５の方法及び請求項１５の装置に於
ては、クーロン相互作用の影響を無視できる大きさにま
で削減することが出来る。従って、高精度の露光パター
ンを形成することが出来る。請求項６の方法及び請求項
１６の装置に於ては、あるブロックを用いた場合の露光
時間は、そのブロック内の透過孔の総面積に応じて自動
的に決定することが出来る。従って、高精度の露光パタ
ーンを形成することが出来る。
ては、クーロン相互作用の影響を無視できる大きさにま
で削減することが出来る。従って、高精度の露光パター
ンを形成することが出来る。請求項６の方法及び請求項
１６の装置に於ては、あるブロックを用いた場合の露光
時間は、そのブロック内の透過孔の総面積に応じて自動
的に決定することが出来る。従って、高精度の露光パタ
ーンを形成することが出来る。
【００７７】請求項７の方法及び請求項１７の装置に於
ては、あるブロックが梁を含んでいる場合に、梁が存在
する条件での適切な露光量を用いて、試料上にそのブロ
ックのパターンを露光することが出来る。従って、高精
度の露光パターンを形成することが出来る。
ては、あるブロックが梁を含んでいる場合に、梁が存在
する条件での適切な露光量を用いて、試料上にそのブロ
ックのパターンを露光することが出来る。従って、高精
度の露光パターンを形成することが出来る。
【００７８】請求項８の方法及び請求項１８の装置に於
ては、あるブロックが梁を含んでいる場合に、梁が存在
する条件での適切な露光量を用いて、試料上にそのブロ
ックのパターンを露光することが出来る。従って、高精
度の露光パターンを形成することが出来る。
ては、あるブロックが梁を含んでいる場合に、梁が存在
する条件での適切な露光量を用いて、試料上にそのブロ
ックのパターンを露光することが出来る。従って、高精
度の露光パターンを形成することが出来る。
【００７９】請求項９の方法及び請求項１９の装置に於
ては、あるブロックが梁を含んでいる場合の適切な露光
量を、そのブロック内の透過孔の総面積に応じて自動的
に決定することが出来る。従って、高精度の露光パター
ンを形成することが出来る。請求項１０の方法及び請求
項２０の装置に於ては、様々な寸法及び数の梁が挿入さ
れた場合の適切な露光量を、様々な幅の透過孔に対し
て、予め実験的或いは理論的に求めておくことで、適切
で正確な露光量を用いることが出来る。従って、高精度
の露光パターンを形成することが出来る。
ては、あるブロックが梁を含んでいる場合の適切な露光
量を、そのブロック内の透過孔の総面積に応じて自動的
に決定することが出来る。従って、高精度の露光パター
ンを形成することが出来る。請求項１０の方法及び請求
項２０の装置に於ては、様々な寸法及び数の梁が挿入さ
れた場合の適切な露光量を、様々な幅の透過孔に対し
て、予め実験的或いは理論的に求めておくことで、適切
で正確な露光量を用いることが出来る。従って、高精度
の露光パターンを形成することが出来る。
【図１】（Ａ）及び（Ｂ）は、複数の透過孔に対して適
切な露光量を達成するための本発明の原理を説明する図
である。
切な露光量を達成するための本発明の原理を説明する図
である。
【図２】本発明の第１の実施例による梁入れ及び露光量
調整に基づく露光処理のフローチャートである。
調整に基づく露光処理のフローチャートである。
【図３】（Ａ）乃至（Ｃ）は、本発明の第１の実施例に
よって梁入れされる透過孔の例を示す図である。
よって梁入れされる透過孔の例を示す図である。
【図４】図４は、本発明の第１の実施例の変形例に於て
用いられるデータテーブルを示す図である。
用いられるデータテーブルを示す図である。
【図５】本発明の第２の実施例による梁入れ及び露光量
調整に対するデータ作成処理のフローチャートである。
調整に対するデータ作成処理のフローチャートである。
【図６】ブロック露光処理を行うための一般的な電子ビ
ーム露光装置の構成を示す構成図である。
ーム露光装置の構成を示す構成図である。
【図７】（Ａ）及び（Ｂ）は、異なる透過孔面積を有す
るブロックの例を示す図である。
るブロックの例を示す図である。
【図８】露光量調整に関する問題を説明するためにブロ
ック及びブロック内の透過孔パターンを示す図である。
ック及びブロック内の透過孔パターンを示す図である。
１０ ブロック
１１ 透過孔
１２ 透過孔
１３ 梁
１４ 梁
２０ ブロック
２１ 透過孔
２２ 透過孔
２３ 梁
２４ 梁
１１０ 露光コラム部
１１１ カソード電極
１１２ グリッド電極
１１３ アノード
１１４ 電子ビーム発生原
１１５ 第１のスリット
１１６ 第１電子レンズ
１１７ スリットデフレクタ
１１８ 第２のレンズ
１１９ 第３のレンズ
１２０ 透過マスク
１２１ 第１の偏向器
１２２ 第２の偏向器
１２３ 第３の偏向器
１２４ 第４の偏向器
１２５ ブランキング
１２６ 第４のレンズ
１２７ アパーチャ
１２８ リフォーカスコイル
１２９ 第５のレンズ
１３０ ダイナミックフォーカスコイル
１３１ ダイナミックスティグコイル
１３２ 第６の対物レンズ
１３３ 主偏向器
１３４ 復偏向器
１３５ ステージ
１５０ 制御部
１５１ 記憶媒体
１５２ ＣＰＵ
１５３ データ管理部
１５４ バッファメモリ
１５５ 副偏向器用偏向量設定部
１５６ パターン制御部
１５７ パターン補正部
１５８ クロック設定部
１５９ 露光管理部
１６０ マスクステージ制御部
１６１ 主偏向器用偏向量設定部
１６２ ステージ制御部
１６３ レーザー干渉計
１６４ モータ
１６５ ブランキング制御部
１６６ ＤＡＣ／ＡＭＰ
１６７ ＤＡＣ／ＡＭＰ
１６８ ＡＭＰ
１６９ ＤＡＣ／ＡＭＰ
１７０ ＤＡＣ／ＡＭＰ
１７１ ＤＡＣ／ＡＭＰ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 山崎 悟
神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地
富士通株式会社内
(72)発明者 安田 洋
神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地
富士通株式会社内
(56)参考文献 特開 平７−142360（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−140312（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−160010（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−160009（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−314121（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−129541（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/027
Claims (20)
- 【請求項１】 各々が少なくとも一つの透過孔を含む複
数のブロックを有する透過孔板を用い、該透過孔板の該
複数のブロックの一つを選択して電子ビームを照射し
て、該少なくとも一つの透過孔を透過して断面形状が成
形された該電子ビームによって試料上にパターンの露光
を行う方法であって、 ａ）該少なくとも一つの透過孔のうちで最も露光不足に
なりやすい第１の透過孔を基準として該電子ビームの露
光量を決定し、 ｂ）該少なくとも一つの透過孔のうちの他の透過孔に対
して該露光量では露光過多となる場合に、該他の透過孔
を通過する該電子ビームが適切な露光量となるように該
他の透過孔に梁を挿入し、 ｃ）該露光量で該試料上に該パターンを露光する各段階
を含むことを特徴とする方法。 - 【請求項２】 前記梁の幅は、前記試料上への前記他の
透過孔の投影パターンに対する影響が無視できる大きさ
であることを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 前記梁の幅は、約0.02μm から約0.06μ
m の範囲であることを特徴とする請求項２記載の方法。 - 【請求項４】 ｄ）前記第１の透過孔及び前記梁の挿入
された前記他の透過孔を透過する前記電子ビームの電流
量が所定値以上である場合には、該第１の透過孔及び該
梁の挿入された該他の透過孔に対して梁を挿入して透過
孔面積を減少させることにより該電流量を該所定値以下
にし、 ｅ）該所定値以下の該電流量で前記パターンに対して適
切な露光量を与えるように該電子ビームの露光時間を決
定する各段階を更に含むことを特徴とする請求項１記載
の方法。 - 【請求項５】 前記所定値以下の前記電流量は、前記電
子ビームのクーロン相互作用を無視できる大きさである
ことを特徴とする請求項４記載の方法。 - 【請求項６】 前記段階ｅ）は、該透過孔面積に基づい
て前記露光時間を決定することを特徴とする請求項４記
載の方法。 - 【請求項７】 ｆ）前記複数のブロックの各々に対し
て、梁が存在するか否かを示す露光情報データを生成
し、 ｇ）該複数のブロックの各々に対して、対応するパター
ンを適切な露光量で前記試料上に露光するための露光量
補正データを生成する各段階を更に含み、前記段階ｃ）
は該露光情報データ及び該露光量補正データを用いて前
記試料上に前記パターンを露光することを特徴とする請
求項４記載の方法。 - 【請求項８】各々が少なくとも一つの透過孔を含む複数
のブロックを有する透過孔板を用い、該透過孔板の該複
数のブロックの一つを選択して電子ビームを照射して、
該少なくとも一つの透過孔を透過して断面形状が成形さ
れた該電子ビームによって試料上にパターンの露光を行
うためのデータを生成する方法であって、 ａ）該複数のブロックの少なくとも一つに対して、該少
なくとも一つの透過孔のうちで、最も露光不足になりや
すい第１の透過孔を基準として該電子ビームの露光量を
決定した場合に露光過多となる第２の透過孔に梁を挿入
し、該第１及び第２の透過孔を透過する該電子ビームの
電流量が所定値以上である場合に該第１及び第２の透過
孔に対して梁を挿入し、 ｂ）該複数のブロックの各々に対して、該梁が存在する
か否かを示す露光情報データを生成し、 ｃ）該複数のブロックの各々に対して、対応するパター
ンを適切な露光量で該試料上に露光するための露光量補
正データを生成する各段階を含むことを特徴とする方
法。 - 【請求項９】 ｆ）前記適切な露光量を、前記複数のブ
ロックの各々に対して、前記少なくとも一つの透過孔の
総面積に基づいて決定する段階を更に含むことを特徴と
する請求項８記載の方法。 - 【請求項１０】 ｆ）所定幅の透過孔に対して、該所定
幅の透過孔に挿入された前記梁の寸法及び本数と適切な
露光量との関係を予め求めておく段階を更に含むことを
特徴とする請求項８記載の方法。 - 【請求項１１】 各々が少なくとも一つの透過孔を含む
複数のブロックを有する透過孔板を用い、該透過孔板の
該複数のブロックの一つを選択して電子ビームを照射し
て、該少なくとも一つの透過孔を透過して断面形状が成
形された該電子ビームによって試料上にパターンの露光
を行う装置であって、 該少なくとも一つの透過孔のうちで最も露光不足になり
やすい第１の透過孔を基準として該電子ビームの露光量
を決定する手段と、 該少なくとも一つの透過孔のうちの他の透過孔に対して
該露光量では露光過多となる場合に、該他の透過孔を通
過する該電子ビームが適切な露光量となるように該他の
透過孔に梁を挿入する手段と、 該露光量で該試料上に該パターンを露光する露光手段を
含むことを特徴とする装置。 - 【請求項１２】 前記梁の幅は、前記試料上への前記他
の透過孔の投影パターンに対する影響が無視できる大き
さであることを特徴とする請求項１１記載の装置。 - 【請求項１３】 前記梁の幅は、約0.02μm から約0.06
μm の範囲であることを特徴とする請求項１２記載の装
置。 - 【請求項１４】 前記第１の透過孔及び前記梁の挿入さ
れた前記他の透過孔を透過する前記電子ビームの電流量
が所定値以上である場合には、該第１の透過孔及び該梁
の挿入された該他の透過孔に対して梁を挿入して透過孔
面積を減少させることにより該電流量を該所定値以下に
する手段と、 該所定値以下の該電流量で前記パターンに対して適切な
露光量を与えるように該電子ビームの露光時間を決定す
る露光時間決定手段を更に含むことを特徴とする請求項
１１記載の装置。 - 【請求項１５】 前記所定値以下の前記電流量は、前記
電子ビームのクーロン相互作用を無視できる大きさであ
ることを特徴とする請求項１４記載の装置。 - 【請求項１６】 前記露光時間決定手段は、該透過孔面
積に基づいて前記露光時間を決定することを特徴とする
請求項１４記載の装置。 - 【請求項１７】 前記複数のブロックの各々に対して、
梁が存在するか否かを示す露光情報データを生成する手
段と、 該複数のブロックの各々に対して、対応するパターンを
適切な露光量で前記試料上に露光するための露光量補正
データを生成する手段を更に含み、前記露光手段は該露
光情報データ及び該露光量補正データを用いて前記試料
上に前記パターンを露光することを特徴とする請求項１
４記載の装置。 - 【請求項１８】各々が少なくとも一つの透過孔を含む複
数のブロックを有する透過孔板を用い、該透過孔板の該
複数のブロックの一つを選択して電子ビームを照射し
て、該少なくとも一つの透過孔を透過して断面形状が成
形された該電子ビームによって試料上にパターンの露光
を行う装置であって、 該複数のブロックの少なくとも一つに対して、該少なく
とも一つの透過孔のうちで、最も露光不足になりやすい
第１の透過孔を基準として該電子ビームの露光量を決定
した場合に露光過多となる第２の透過孔に梁を挿入し、
該第１及び第２の透過孔を透過する該電子ビームの電流
量が所定値以上である場合に該第１及び第２の透過孔に
対して梁を挿入する手段と、 該複数のブロックの各々に対して、該梁が存在するか否
かを示す露光情報データを生成する手段と、 該複数のブロックの各々に対して、対応するパターンを
適切な露光量で該試料上に露光するための露光量補正デ
ータを生成する手段とを含むことを特徴とする装置。 - 【請求項１９】 前記適切な露光量を、前記複数のブロ
ックの各々に対して、前記少なくとも一つの透過孔の総
面積に基づいて決定する手段を更に含むことを特徴とす
る請求項１８記載の装置。 - 【請求項２０】 所定幅の透過孔に対して、該所定幅の
透過孔に挿入された前記梁の寸法及び本数と適切な露光
量との関係を予め求めておく段階を更に含むことを特徴
とする請求項１８記載の装置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06353596A JP3511548B2 (ja) | 1996-03-19 | 1996-03-19 | 電子ビーム露光方法及び装置 |
| US08/685,958 US5824437A (en) | 1996-01-09 | 1996-07-22 | Mask and method of creating mask as well as electron-beam exposure method and electron-beam exposure device |
| TW085109334A TW324070B (en) | 1996-01-09 | 1996-08-02 | Mask, mask production method, and electron beam exposure method and device |
| DE19631401A DE19631401C2 (de) | 1996-01-09 | 1996-08-04 | Maske und Verfahren zur Herstellung einer Maske sowie Elektronenstrahl-Belichtungsverfahren und Elektronenstrahl-Belichtungsvorrichtung |
| KR1019960032697A KR100196543B1 (ko) | 1996-01-09 | 1996-08-06 | 마스크 및 그 형성방법, 전자빔노광방법 및 그장치 |
| US09/119,593 US5952155A (en) | 1996-01-09 | 1998-07-21 | Mask and method of creating mask as well as electron-beam exposure method and electron-beam exposure device |
| KR1019980050518A KR100241975B1 (ko) | 1996-03-19 | 1998-11-25 | 전자빔노광방법 및 그 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06353596A JP3511548B2 (ja) | 1996-03-19 | 1996-03-19 | 電子ビーム露光方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09260244A JPH09260244A (ja) | 1997-10-03 |
| JP3511548B2 true JP3511548B2 (ja) | 2004-03-29 |
Family
ID=13232014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06353596A Expired - Lifetime JP3511548B2 (ja) | 1996-01-09 | 1996-03-19 | 電子ビーム露光方法及び装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3511548B2 (ja) |
| KR (1) | KR100241975B1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100307223B1 (ko) * | 1998-04-24 | 2002-01-19 | 박종섭 | 전자빔을 이용한 반도체소자의 제조방법 |
| KR100437542B1 (ko) * | 1999-04-09 | 2004-06-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 전자빔을 이용한 반도체소자의 제조방법 |
-
1996
- 1996-03-19 JP JP06353596A patent/JP3511548B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-11-25 KR KR1019980050518A patent/KR100241975B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100241975B1 (ko) | 2000-03-02 |
| JPH09260244A (ja) | 1997-10-03 |
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