JPH09189992A

JPH09189992A - 透過孔マスク、その形成方法、及び電子ビーム露光方法

Info

Publication number: JPH09189992A
Application number: JP160896A
Authority: JP
Inventors: 隆行 ▲榊▼原; Takayuki Sakakibara; Satoru Sago; 覚佐合; Satoru Yamazaki; 悟山崎; Juichi Sakamoto; 樹一坂本; Hiroshi Yasuda; 洋安田
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1996-01-09
Filing date: 1996-01-09
Publication date: 1997-07-22

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、ブロック露光方法及び装置において
スループットの低下、不安定な装置動作、複雑な処理を
伴うことなく電子ビームのクーロン相互作用の影響を軽
減することを目的とする。【解決手段】各々が少なくとも一つの透過孔を含む複数
のブロックを含み、該複数のブロックの一つを選択して
電子ビームを照射して、該少なくとも一つの透過孔を透
過した電子ビームによって試料上にパターンの露光を行
うための透過孔マスクは、電子ビームを透過しない板
と、各々がその面積より小さな面積の微細透過孔を有し
該板上で該パターンを構成する複数の微細矩形領域を含
む。これら複数の微細透過孔の総面積が所定値を越えな
いことにより、複数の微細透過孔を透過する電子ビーム
の電流量が制限されてクーロン相互作用が軽減される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は電子ビーム露光方法
及び装置に関し、特にブロックマスクを用いてブロック
露光を行う電子ビーム露光方法及び装置並びにブロック
マスク及びブロックマスク製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、集積回路の高密度化をはかるため
に、電子ビームを用いて試料上にパターンの露光を行う
電子ビーム露光方法及び装置が実現化されている。電子
ビーム露光においては、電子ビームのサイズを数オング
ストロームにまで絞ることが出来るために、１μｍ或い
はそれ以下の微細なパターンを作成できる。

【０００３】電子ビームを用いて一筆書きでパターンを
生成しようとすると、露光に要する時間は莫大なものと
なってしまう。そのため、様々なパターン形状を有した
少なくとも一つの透過孔からなるブロックを予め透過孔
マスク上に多数用意し、ある一つのブロックを選択して
電子ビームをそのブロックに照射することによって、ブ
ロック内の透過孔を通過した電子ビームが試料上にその
透過孔形状のパターンを露光する方法が提案されてい
る。このブロック露光法は、１cm²／sec 程度のスルー
プットを達成することができ、加工の微細さ、位置合わ
せ精度、ターンアランドの速度、信頼性等に於て優れて
いることが知られている。

【０００４】図８は、ブロック露光処理を行うための一
般的な電子ビーム露光装置の一例を示す。図８におい
て、電子ビーム露光装置は、大略、露光コラム部１１０
と制御部１５０とを含む。露光コラム部１１０は、カソ
ード電極１１１、グリッド電極１１２およびアノード１
１３を有する電子ビーム発生源１１４を含む。露光コラ
ム部１１０は更に、電子ビームを例えば矩形状に整形す
る第１のスリット１１５と、整形されたビームを収束さ
せる第１電子レンズ１１６と、偏向信号Ｓ1 に応じて整
形されたビームを透過孔マスク１２０上に照射する位置
を偏向する為のスリットデフレクタ１１７を含む。露光
コラム部１１０は更に、対向して設けられた第２及び第
３のレンズ１１８及び１１９と、この第２レンズと第３
レンズの間に水平方向に移動可能に装着された透過孔マ
スク１２０と、透過孔マスク１２０の上下方向に配置さ
れて各々位置情報Ｐ１〜Ｐ４に応じて第２レンズ及び第
３レンズの間でビームを偏向し、透過孔マスク１２０上
の複数の透過孔の１つを選択する第１〜第４の偏向器１
２１、１２２、１２３、及び１２４を含む。露光コラム
部１１０は更に、ブランキング信号に応じてビームを遮
断或いは通過させるブランキング１２５と、ビームを縮
小させる為の第４のレンズ１２６と、アパーチャ１２７
と、リフォーカスコイル１２８と、第５のレンズ１２９
を含む。露光コラム部１１０は更に、ダイナミックフォ
ーカスコイル１３０と、ダイナミックスティグコイル１
３１と、ビームを試料上に投影する為の第６の対物レン
ズ１３２と、露光位置決定信号Ｓ２及びＳ３の各々に応
じてウェハ上のビーム位置決めをする主偏向器（主偏向
コイル）１３３及び副偏向器１３４を含む。露光コラム
部１１０は更に、ウェハを搭載してＸ−Ｙ方向に移動可
能なステージ１３５と、第1 〜第４のアライメントコイ
ルを含む。

【０００５】制御部１５０は、集積回路装置の設計デー
タを記憶するディスクやＭＴレコーダからなる記憶媒体
１５１と、荷電粒子ビーム全体を制御するＣＰＵ１５２
を含む。制御部１５０は更に、ＣＰＵ１５２のデータバ
ス（たとえば、ＶＭＥなど）を介して接続されたデータ
管理部１５３、露光管理部１５９、マスクステージ制御
部１６０、主偏向器用偏向量設定部１６１、ステージ制
御部１６２を含む。露光するデータは、主に主偏向デー
タと副偏向データからなり、露光開始前に予めデータ管
理部１５３を介してバッファメモリ１５４に記憶され
る。このバッファメモリ１５４は、記憶媒体１５１から
のデータ読み出しが比較的低速であるので、露光データ
を高速に読み出すためのバッファとして用いられる。

【０００６】主偏向データは、露光管理部１５９を介し
て主偏向器用偏向量設定部１６１にセットされる。偏向
量が補正演算された後に偏向量Ｓ２が出力され、その値
がＤＡＣ／ＡＭＰ１７０を介して主偏向器１３３へ出力
される。次に、設定されたフィールドを露光するための
副偏向データがバッファメモリ１５３から読み出され、
パターン発生部１５６でショットデータに分解され、パ
ターン補正部１５７で補正演算が実行される。これらの
回路は、クロック設定部１５８で作成されるクロックで
パイプライン処理される。

【０００７】このパターン補正部１５７での演算の結
果、スリットサイズを設定するＳ１信号と、第１スリッ
ト１１５を通過してＳ１信号で偏向されたビームを透過
孔マスク１２０上のどの位置に偏向するかを定めるマス
ク偏向信号Ｐ１〜Ｐ4 と、透過孔マスク１２０によって
成形されたビームを試料上のどの位置に露光するかを定
めるＳ３信号と、ビームの歪みやボケを補正する為のＳ
４信号が出力される。またクロック設定部１５８は、ブ
ランキング制御用のＢ信号を、ブランキング制御部１６
５に供給する。

【０００８】ウェハの露光位置はステージ制御部１６２
によって制御される。この際、レーザー干渉計１６３に
よって検出された座標位置がステージ制御部１６２に入
力される。ステージ制御部１６２は、検出された座標位
置を参照しながら、モーター１６４を駆動してステージ
１３５を移動させる。

【０００９】このように制御部１５０が露光コラム１１
０を制御して、電子銃より放出された電子ビームは、第
１スリットで矩形形状に整形され、レンズ１１６及び１
１８で収束され、マスク偏向器１２１及び１２２によっ
て偏向されて透過孔マスク１２０上に照射される。透過
孔マスク１２０を通過した電子ビームは、ブランキング
１２５を通過し、第４レンズ１２６で縮小され、主偏向
器１３３により１００μｍ程度のサブフィールド領域中
心に偏向され、更に副偏向器１３４によってこのサブフ
ィールド領域内で偏向される。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】一般的に電子ビーム露
光法にはクーロン相互作用の問題がある。これは電子ビ
ームの電子同士が反発することにより、電流値と略比例
して電子ビームがぼける現象である。特に電子ビームの
焦点に於て、電子ビームの相互作用する確率が増加して
像がぼやけてしまう。

【００１１】ブロック露光法に於ては、透過孔マスクを
透過した電子ビームによって微細パターンを広範囲に一
括露光するので、電子ビームの電流値は多くなる傾向に
あり、クーロン相互作用の影響を受けやすい。短焦点の
レンズを用いることで、クーロン相互作用の影響を軽減
することが可能であるものの十分とはいえない。

【００１２】ブロック露光法で電子ビームの電流値を下
げるためには、１）電子ビームの電流密度を下げる、或
いは２）露光面積（透過孔マスクの透過孔面積）を小さ
くすることが考えられる。つまり電流値は、電流密度と
露光面積との積で与えられるので、これら２つのファク
ターの一方を小さくすることで電流値を下げることが出
来る。

【００１３】しかしながら１）の方法により電流密度を
下げた場合、必要な試料露光量を得るためには露光時間
を増やさねばならず、スループットが犠牲にされる。ス
ループットの低減を最小限に押さえるためには、透過孔
の面積に応じて電流密度を変化させることが好ましい。
すなわち透過孔の面積が大きいときには低い電流密度で
長時間かけて露光を行い、その代わりに、透過孔の面積
が小さいときには大きな電流密度で短時間で露光処理を
行うようにすれば良い。しかしながらこの方法は、露光
途中に電流密度を変化させる必要があり、装置の動作の
不安定化につながり現実的ではない。

【００１４】また２）の透過孔面積を小さくする方法と
しては、パターン密度が高い場合にはブロックサイズ
（一回の電子ビームで選択される範囲）を小さくし、パ
ターン密度が低い場合にはブロックサイズを大きくする
方法が考えられる。これによってスループットを犠牲に
することは避けられるが、ブロックサイズ内で有効に使
用できない部分が生じる可能性がある。またブロック抽
出処理やブロック露光処理が複雑になるという欠点があ
る。

【００１５】従って、従来のブロック露光法において
は、スループットを犠牲にして低い電流密度で露光処理
を行う方法が一般的であった。従って、本発明の目的
は、ブロック露光方法及び装置において、スループット
の低下、不安定な装置動作、複雑な処理を伴うことな
く、クーロン相互作用の影響を軽減することである。

【００１６】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明に於て
は、各々が少なくとも一つの透過孔を含む複数のブロッ
クを含み、該複数のブロックの一つを選択して電子ビー
ムを照射して、該少なくとも一つの透過孔を透過した電
子ビームによって試料上にパターンの露光を行うための
透過孔マスクは、電子ビームを透過しない板と、各々が
その面積より小さな面積の微細透過孔を有し、該板上で
該パターンを構成する複数の微細矩形領域、を含み、該
複数の微細透過孔の総面積が所定値を越えない。

【００１７】請求項２の発明に於ては、請求項１記載の
透過孔マスクに於て、前記複数の微細矩形領域は、前記
パターンをｘ方向及びｙ方向に延在する辺を有する一つ
或いはそれ以上の矩形部分に分割したときに、該矩形部
分をｘ方向及びｙ方向に一つ或いはそれ以上に分割す
る。

【００１８】請求項３の発明に於ては、請求項２記載の
透過孔マスクに於て、前記複数の微細透過孔の各々の面
積は、前記一つ或いはそれ以上の矩形部分の一つの内部
では等しい。請求項４の発明に於ては、請求項３記載の
透過孔マスクに於て、前記複数の微細透過孔は矩形であ
りそのｘ方向の辺の長さ及びｙ方向の辺の長さは、夫
々、前記一つ或いはそれ以上の矩形部分の一つの内部で
は同一である。

【００１９】請求項５の発明に於ては、請求項３記載の
透過孔マスクに於て、前記複数の微細透過孔はｘ方向及
びｙ方向に延在する辺を有する矩形であり、該複数の微
細透過孔間の梁の幅はｘ方向及びｙ方向に対して同一で
あり、更に該梁の幅は前記一つ或いはそれ以上の矩形部
分の一つの内部で同一である。

【００２０】請求項６の発明に於ては、請求項１記載の
透過孔マスクに於て、前記複数の微細透過孔間の梁の幅
は所定値以上である。請求項７の発明に於ては、請求項
１記載の透過孔マスクに於て、前記複数の微細透過孔間
の梁の幅は２μｍ以上である。

【００２１】請求項８の発明に於ては、各々が少なくと
も一つの透過孔を含む複数のブロックを含み、該複数の
ブロックの一つを選択して電子ビームを照射して、該少
なくとも一つの透過孔を透過した電子ビームによって試
料上にパターンの露光を行うための透過孔マスクを形成
する方法は、（ａ）電子ビームを透過しない板に該パタ
ーンを構成する複数の微細矩形領域を定め、（ｂ）該微
細矩形領域の面積より小さな面積の微細透過孔を該複数
の微細矩形領域の各々に形成する各段階を含み、該複数
の微細透過孔の総面積が所定値を越えない。

【００２２】請求項９の発明に於ては、請求項８記載の
方法に於て、前記段階（ａ）は、（ａ１）前記パターン
をｘ方向及びｙ方向に延在する辺を有する一つ或いはそ
れ以上の矩形部分に分割し、（ａ２）該矩形部分をｘ方
向及びｙ方向に一つ或いはそれ以上に分割することによ
り前記複数の微細矩形領域を定める各段階を含む。

【００２３】請求項１０の発明に於ては、請求項９記載
の方法に於て、前記段階（ｂ）は、前記複数の微細透過
孔の各々の面積が前記一つ或いはそれ以上の矩形部分の
一つの内部では等しいように該複数の微細透過孔を形成
する。請求項１１の発明に於ては、請求項１０記載の方
法に於て、前記段階（ｂ）は、ｘ方向の辺の長さ及びｙ
方向の辺の長さが各々、前記一つ或いはそれ以上の矩形
部分の一つの内部では同一であるような矩形として前記
複数の微細透過孔を形成する。

【００２４】請求項１２の発明に於ては、請求項１０記
載の方法に於て前記段階（ｂ）は、ｘ方向及びｙ方向
に延在する辺を有する矩形として前記複数の微細透過孔
を形成し、該複数の微細透過孔間の梁の幅がｘ方向及び
ｙ方向に対して同一でありかつ該梁の幅は前記一つ或い
はそれ以上の矩形部分の一つの内部で同一である。

【００２５】請求項１３の発明に於ては、請求項８記載
の方法に於て、前記段階（ｂ）は、前記複数の微細透過
孔間の梁の幅が所定値以上であるように該複数の微細透
過孔を形成する。請求項１４の発明に於ては、請求項８
記載の方法に於て、前記段階（ｂ）は、前記複数の微細
透過孔間の梁の幅は２μｍ以上であるように該複数の微
細透過孔を形成する。

【００２６】請求項１５の発明に於ては、請求項８記載
の方法に於て、ある矩形部分のある辺の長さが所定長以
下であった場合、前記段階（ａ）は、該矩形部分の該辺
の方向には前記複数の微細矩形領域への分割を行わず、
前記段階（ｂ）は、該矩形部分の該辺の長さに等しい長
さの透過孔を形成する。

【００２７】請求項１６の発明に於ては、請求項１５記
載の方法に於て、前記所定長は２０μｍである。請求項
１７の発明に於ては、各々が少なくとも一つの透過孔を
含む複数のブロックを含む透過孔マスクを用い、該複数
のブロックの一つを選択して電子ビームを照射して、該
少なくとも一つの透過孔を透過した電子ビームによって
試料上にパターンの露光を行う電子ビーム露光方法は、
（ａ）電子ビームを透過しない板に該パターンを構成す
る複数の微細矩形領域を定め、（ｂ）該微細矩形領域の
面積より小さな面積の微細透過孔を該複数の微細矩形領
域の各々に形成して該透過孔マスクを形成し、（ｃ）該
複数の微細透過孔を透過した該電子ビームで該試料を露
光する各段階を含み、該電子ビームの総電流量が所定の
電流値以下である。

【００２８】請求項１８の発明に於ては、請求項１７記
載の方法に於て、前記段階（ｃ）は、前記パターンの形
通りの透過孔を透過した電子ビームを用いて露光する場
合に比較して、（該パターンの面積／前記複数の微細透
過孔の総面積）倍の露光時間で露光する。

【００２９】請求項１９の発明に於ては、各々が少なく
とも一つの透過孔を含む複数のブロックを含む透過孔マ
スクを用い、該複数のブロックの一つを選択して電子ビ
ームを照射して、該少なくとも一つの透過孔を透過した
電子ビームによって試料上にパターンの露光を行う電子
ビーム露光装置は、該電子ビームを発生する電子ビーム
発生部と、該パターンを構成する複数の微細矩形領域の
各々の面積より小さな面積の微細透過孔を該複数の微細
矩形領域の各々の内部に含む透過孔マスクとを含み該複
数の微細透過孔を透過した該電子ビームの総電流量が所
定の電流値以下である。

【００３０】請求項１の発明に於ては、透過孔マスク
は、パターンを構成する微細矩形領域の各々がその面積
より小さな面積の微細透過孔を有する。従って、微細透
過孔の総面積を所定値以下に抑さえることによって、微
細透過孔を通過する電子ビームの電流量をクーロン相互
作用が無視できる程の大きさに減少させることが出来
る。

【００３１】請求項２の発明に於ては、パターンを一つ
或いはそれ以上の矩形部分に分割して、各矩形部分に対
して複数の微細矩形領域を定める。従って、微細矩形領
域の設定が容易である。請求項３の発明に於ては、複数
の微細透過孔の各々の面積は、ある一つの矩形部分の内
部では等しい。従って、所望の電流量を達成するような
微細透過孔の大きさを容易に求めることが出来る。

【００３２】請求項４の発明に於ては、複数の微細透過
孔は矩形でありそのｘ方向の辺の長さ及びｙ方向の辺の
長さは、夫々、ある一つの矩形部分の内部では等しい。
従って、所望の電流量を達成するような微細透過孔の大
きさを容易に求めることが出来る。

【００３３】請求項５の発明に於ては、複数の微細透過
孔は矩形であり、複数の微細透過孔間の梁の幅はｘ方向
及びｙ方向に対して同一であり、ある一つの矩形部分の
内部では同一である。従って、所望の電流量を達成する
ような微細透過孔の大きさを容易に求めることが出来
る。

【００３４】請求項６の発明に於ては、複数の微細透過
孔間の梁の幅は所定値以上である。従って、梁が容易に
損壊することを防ぐことが出来る。請求項７の発明に於
ては、複数の微細透過孔間の梁の幅は２μｍ以上であ
る。従って、梁が容易に損壊することを防ぐことが出来
る。

【００３５】請求項８の発明に於ては、パターンを構成
する複数の微細矩形領域を定め、その面積より小さな面
積の微細透過孔を複数の微細矩形領域の各々に形成す
る。従って、微細透過孔の総面積を所定値以下に抑さえ
ることによって、微細透過孔を通過する電子ビームの電
流量をクーロン相互作用が無視できる程の大きさに減少
させることが出来る。

【００３６】請求項９の発明に於ては、パターンを一つ
或いはそれ以上の矩形部分に分割して、各矩形部分に対
して複数の微細矩形領域を定める。従って、微細矩形領
域の設定が容易である。請求項１０の発明に於ては、複
数の微細透過孔の各々の面積は、ある一つの矩形部分の
内部では等しい。従って、所望の電流量を達成するよう
な微細透過孔の大きさを容易に求めることが出来る。

【００３７】請求項１１の発明に於ては、複数の微細透
過孔は矩形でありそのｘ方向の辺の長さ及びｙ方向の辺
の長さは、夫々、ある一つの矩形部分の内部では等し
い。従って、所望の電流量を達成するような微細透過孔
の大きさを容易に求めることが出来る。

【００３８】請求項１２の発明に於ては、複数の微細透
過孔は矩形であり、複数の微細透過孔間の梁の幅はｘ方
向及びｙ方向に対して同一であり、ある一つの矩形部分
の内部では同一である。従って、所望の電流量を達成す
るような微細透過孔の大きさを容易に求めることが出来
る。

【００３９】請求項１３の発明に於ては、複数の微細透
過孔間の梁の幅は所定値以上である。従って、梁が容易
に損壊することを防ぐことが出来る。請求項１４の発明
に於ては、複数の微細透過孔間の梁の幅は２μｍ以上で
ある。従って、梁が容易に損壊することを防ぐことが出
来る。

【００４０】請求項１５の発明に於ては、ある矩形部分
のある辺の長さが所定長以下であった場合、複数の微細
矩形領域への分割を行わずに該矩形部分の該辺の長さに
等しい長さの透過孔を形成する。従って、透過孔が細く
なり過ぎてパターンを確実に露光できないような状況を
避けることが出来る。

【００４１】請求項１６の発明に於ては、ある矩形部分
のある辺の長さが２０μｍ以下であった場合、複数の微
細矩形領域への分割を行わずに該矩形部分の該辺の長さ
に等しい長さの透過孔を形成する。従って、透過孔が細
くなり過ぎてパターンを確実に露光できないような状況
を避けることが出来る。

【００４２】請求項１７の発明に於ては、パターンを構
成する複数の微細矩形領域を定め、微細矩形領域の面積
より小さな面積の微細透過孔を複数の微細矩形領域の各
々に形成し、複数の微細透過孔を透過した電子ビームで
試料を露光する。従って、電子ビームの総電流量をクー
ロン相互作用を引き起こさないような所定の電流値以下
に抑さえることが出来る。

【００４３】請求項１８の発明に於ては、（パターンの
面積／複数の微細透過孔の総面積）倍の露光時間で露光
する。従って、電流量が減少しても、確実に試料を露光
することが出来る。請求項１９の発明に於ては、電子ビ
ームを発生する電子ビーム発生部と、小さな面積の微細
透過孔をパターンを構成する複数の微細矩形領域の各々
の内部に含む透過孔マスクとを含み、複数の微細透過孔
を透過した電子ビームの総電流量が所定の電流値以下で
ある。従ってクーロン相互作用を無視できるほどに小さ
くすることが可能であり、正確なパターン露光を行うこ
とが出来る。

【００４４】

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施例を添付の図
面を用いて説明する。図１（Ａ）は従来のブロックマス
クの例を示す。本発明に於ては図１（Ｂ）に示されるよ
うなパターンの様に透過孔と梁を入れることによって、
試料上の露光パターンを変化させることなく、透過孔を
通過する電子ビームの電流量を減少させる。

【００４５】図１（Ａ）に示される透過孔は、Ｌ₁及び
Ｌ₂の２つの矩形部分よりなり、Ｌ ₁はＬ_x（１）×Ｌ
_y（１）の大きさであり、Ｌ₂はＬ_x（２）ｘＬ
_y（２）の大きさである。本発明に於ては、実際には図
１の透過孔を形成する代わりに、この透過孔と同一パタ
ーンを形成する複数の微細透過孔を形成する。

【００４６】本発明の第１の実施例に従って図１（Ｂ）
の微細透過孔パターンを形成する手順及び形成されたブ
ロックを用いて露光する手順を図２に示す。図２に於
て、ステップＳ１で、微細透過孔の基準となる大きさＭ
_x及びＭ_yを定める。

【００４７】ステップＳ２で、Ｍ_x及びＭ_yを基に、矩
形部分Ｌ₁の各辺を等分割する数ｋ _x（１）及びｋ
_y（１）を求める。ｋ_x（１）及びｋ_y（１）は、ｋ_x（１）＝［Ｌ_x（１）／Ｍ_x］（１）ｋ_y（１）＝［Ｌ_y（１）／Ｍ_x］（２）で求められ、［・］は切り上げを示す記号である。

【００４８】ステップＳ３で、式（１）及び（２）の処
理を透過孔マスク上の一部或いは全てのパターンに対し
て繰り返す。図１（Ａ）及び（Ｂ）の例に於ては、矩形
部分Ｌ₂の各辺を等分割する数ｋ_x（２）及びｋ
_y（２）を求める（図３）。ステップＳ４で、全微細透
過孔を通過する電子ビームの電流が、クーロン相互作用
を無視できる所定の基準電流値になるように、微細透過
孔のｘ方向及びｙ方向の長さＳ_x（ｎ）及びＳ_y（ｎ）
を求める（図４）。

【００４９】ここでＳ_x（ｎ）及びＳ_y（ｎ）は以下の
ようにして求めることが出来る。クーロン相互作用を無
視できる基準電流値Ａ_refは、電流密度Ｄ及び梁のない
場合（図１（Ａ））の透過孔面積を基にして、Ａ_ref［μＡ］＝Ｄ［μＡ／μｍ²］×｛透過孔面積｝×α （３）と表される。ここでαは電流値調整のための係数であ
り、クーロン相互作用の影響を無視できる基準電流値Ａ
_refまで電流値を減少させるために、透過孔面積をどの
くらい減少させたらよいかを示す。例えば、電流密度が
０. ４μＡ／μｍ²の場合に、透過孔面積が５μｍ×５
μｍであれば、電流値は１０μＡとなる。この電流値で
はクーロン相互作用が大きく働くために、電流値を２.
５μＡ程度以下、即ち１０μＡの２５％程度にまで減少
させることが望ましい。従ってこの場合、係数αは０.
２５となる。電流値を減少させるための係数αを用い
て、Ｓ_x（ｎ）及びＳ_y（ｎ）は、Ｓ_x（ｎ）＝α^1/2・Ｌ_x（ｎ）／ｋ_x（ｎ）（４）Ｓ_y（ｎ）＝α^1/2・Ｌ_y（ｎ）／ｋ_y（ｎ）（５）として求められる。ここでＬ_x（ｎ）／ｋ_x（ｎ）×Ｌ
_y（ｎ）／ｋ_y（ｎ）の領域は、微細透過孔を形成する
矩形領域であり、ここでは微細矩形領域と呼ぶ。つまり
式（４）及び式（５）に於ては、各矩形部分Ｌ₁及びＬ
₂に対して、微細矩形領域のｘ方向及びｙ方向各々をα
^1/2倍することになる。これによって、各部分Ｌ₁及び
Ｌ₂に対して、その内部に設けられた複数の微細透過孔
の総面積は、各部分Ｌ₁及びＬ₂の面積のα倍になる。
なお、ｘ方向及びｙ方向に対する梁の太さをｄｘ及びｄ
ｙとすると、ｄｘ及びｄｙは、ｄｘ（ｎ）＝Ｌ_x（ｎ）／ｋ_x（ｎ）−Ｓ_x（ｎ）（６）ｄｙ（ｎ）＝Ｌ_y（ｎ）／ｋ_y（ｎ）−Ｓ_y（ｎ）（７）で与えられる。

【００５０】ステップＳ５で、透過孔マスク上にステッ
プＳ４で求められた大きさの微細透過孔をｋ_x（ｎ）×
ｋ_y（ｎ）個形成する（図１（Ｂ））。以上で微細透過
孔パターンを有するブロックが形成される。図２のそれ
以降のステップは形成されたブロックを用いての露光手
順を示す。

【００５１】ステップＳ６で、微細透過孔パターンを有
するブロック（梁入れされたブロック）を用いて、（透
過孔の総面積）／（全微細透過孔の総面積）倍の露光時
間で試料を露光する。つまりαが例えば０. ２５であ
り、全微細透過孔の総面積が（梁の無い）透過孔の総面
積の０. ２５倍である場合、１／０. ２５倍、即ち４倍
の露光時間で試料を露光する。

【００５２】第１の実施例に於て、αの値は各ブロック
毎に可変である。即ち、元々梁の無い状態での透過孔面
積が小さい場合にはαは１に近く、透過孔面積が大きい
場合にはクーロン相互作用も大きいのでαは小さくな
る。このように各ブロック毎に全微細透過孔の総面積を
適切な値に設定することが出来るので、露光時間の増加
によるスループットの減少を最小に押さえることが出来
る。

【００５３】このように本発明の第１の実施例に於て
は、ブロック毎に可変の係数α（面積縮小率）に応じて
微細透過孔の大きさを決定し、所定の露光パターンを形
成するような微細透過孔パターンを透過孔マスク上に形
成する。この微細透過孔パターンを用いて露光時間を所
定量だけ増加させることにより、容易にクーロン相互作
用の影響を排除した露光処理を行うことが出来る。この
露光処理は、スループットの減少を最小限に押さえ、ま
た装置の不安定な動作を招くこともない。

【００５４】本発明の第２の実施例による微細透過孔パ
ターンの形成処理を以下に説明する。第２の実施例によ
る微細透過孔パターンの形成処理は、第１の実施例によ
る微細透過孔パターンの形成処理とは、梁の太さの決定
方法が異なる。第２の実施例に於ては、ｘ方向及びｙ方
向で同一になるように梁の太さｄｈ（ｎ）が設定され
る。

【００５５】図５は、本発明の第２の実施例による微細
透過孔パターンを形成する手順及び形成されたブロック
を用いて露光する手順を示す。図５に於て、ステップＳ
１１で、微細透過孔の基準となる大きさＭ_x及びＭ_yを
定める。

【００５６】ステップＳ１２で、Ｍ_x及びＭ_yを基に、
矩形部分Ｌ₁の各辺を等分割する数ｋ_x（１）及びｋ_y
（１）を求める。ｋ_x（１）及びｋ_y（１）は、ｋ_x（１）＝［Ｌ_x（１）／Ｍ_x］（８）ｋ_y（１）＝［Ｌ_y（１）／Ｍ_x］（９）で求められ、［・］は切り上げを示す記号である。

【００５７】ステップＳ１３で、式（１）及び（２）の
処理を透過孔マスク上の一部或いは全てのパターンに対
して繰り返す。図１（Ａ）及び（Ｂ）の例に於ては、矩
形部分Ｌ₂の各辺を等分割する数ｋ_x（２）及びｋ
_y（２）を求める。ステップＳ１４で、全微細透過孔を
通過する電子ビームの電流が、クーロン相互作用を無視
できる所定の基準電流値になるように、微細透過孔間の
梁の太さを決定する。この際、梁の太さｄｈ（ｎ）はｘ
方向及びｙ方向で同一である。

【００５８】ｄｈは以下のようにして求めることが出来
る。微細矩形領域のｘ方向及びｙ方向の長さを各々ｍ_x
（ｎ）及びｍ_y（ｎ）とすると、ｍ_x（ｎ）＝Ｌ_x（ｎ）／ｋ_x（ｎ）（１０）ｍ_y（ｎ）＝Ｌ_y（ｎ）／ｋ_y（ｎ）（１１）である。電流値調整のための係数αは、ｍ_x（ｎ）、ｍ
_y（ｎ）、及びｄｈ（ｎ）を用いて、 α＝（ｍ_x（ｎ）−ｄｈ（ｎ））（ｍ_y（ｎ）−ｄｈ（ｎ））／ｍ_x（ｎ）・ｍ_y（ｎ）（１２）と表される。この式（１２）よりｄｈ（ｎ）の２次方程
式を解くと、ｄｈ（ｎ）＝｛ｍ_x（ｎ）＋ｍ_y（ｎ） ±［（ｍ_x（ｎ）＋ｍ_y（ｎ））² −４ｍ_x（ｎ）ｍ_y（ｎ）（１−α）］^1/2｝／２（１３）と求められる。式（１３）の解のうち正の実数である解
がｄｈ（ｎ）となる。

【００５９】ステップＳ１５で、透過孔マスク上にステ
ップＳ１４で求められた大きさの微細透過孔をｋ
_x（ｎ）×ｋ_y（ｎ）個形成する。以上で微細透過孔パ
ターンを有するブロックが形成される。図５のそれ以降
のステップは形成されたブロックを用いての露光手順を
示す。

【００６０】ステップＳ１６で、微細透過孔パターンを
有するブロック（梁入れされたブロック）を用いて、
（透過孔の総面積）／（全微細透過孔の総面積）倍の露
光時間で試料を露光する。つまりαが例えば０. ２５で
あり、全微細透過孔の総面積が（梁の無い）透過孔の総
面積の０. ２５倍である場合、１／０. ２５倍、即ち４
倍の露光時間で試料を露光する。

【００６１】第２の実施例に於ても第１の実施例と同様
に、αの値は各ブロック毎に可変である。従って、各ブ
ロック毎に全微細透過孔の総面積を適切な値に設定する
ことが出来るので、露光時間の増加によるスループット
の減少を最小に押さえることが出来る。

【００６２】このように本発明の第２の実施例に於て
は、ブロック毎に可変の係数α（面積縮小率）に応じて
梁の太さを決定し、所定の露光パターンを形成するよう
な微細透過孔パターンを透過孔マスク上に形成する。こ
の微細透過孔パターンを用いて露光時間を所定量だけ増
加させることにより、容易にクーロン相互作用の影響を
排除した露光処理を行うことが出来る。この露光処理
は、スループットの減少を最小限に押さえ、また装置の
不安定な動作を招くこともない。

【００６３】図６は本発明の第３の実施例による微細透
過孔生成処理のフローチャートを示す。第３の実施例
は、第１の実施例或いは第２の実施例に於て求められた
梁或いは微細透過孔の大きさが、所定の基準に満たすよ
うにする微細透過孔生成処理に関するものである。

【００６４】例えば、微細透過孔の一辺の長さがあまり
にも短いと、通過する電子ビームが非常に細くなり、試
料上に十分にパターンを露光できなくなる。従って、例
えば微細透過孔の矩形部分の一辺の長さが２０μｍ以下
（試料上では０. ２μｍ以下になる）の場合には、その
辺の方向には分割及び梁入れを行わないことが好まし
い。即ち図７（Ａ）に示されるように、矩形部分のｘ方
向の辺の長さが２０μｍ以下であるとする。この場合、
図７（Ｂ）に示されるように、ｘ方向へは梁を設けるこ
となく、もう一方の辺の方向（ｙ方向）には分割及び梁
入れを行う。

【００６５】また生成された梁の太さが余りにも細い場
合には、容易に梁が損壊する可能性が高くなる。従って
例えば、梁の太さは少なくとも２μｍ以上であることが
好ましい。図６に於て、ステップＳ２１で、梁を入れる
べき矩形部分の辺の長さが、所定値以上であるかどうか
を判定する。ＹＥＳの場合はステップＳ２２に進み、Ｎ
Ｏの場合にはステップＳ２３に進む。

【００６６】ステップＳ２２に於て、形成されるべき微
細透過孔の大きさ及び梁の太さを求める。ステップＳ２
３に於て、形成されるべき微細透過孔の大きさ及び梁の
太さを求める。この際、所定値以上の長さでない辺に対
しては、その辺の方向には分割・梁入れを行わない。

【００６７】ステップＳ２４及びＳ２５に於て、求めら
れた梁の太さが所定値以上であるかどうかを判定する。
所定値以上である場合には処理を終了する。梁の太さが
所定値以下であった場合には、基準となるピッチＭ_x或
いはＭ_yを大きくして（分割を粗くして）ステップＳ２
２或いはステップＳ２３に戻る。

【００６８】以上のような処理を行うことによって、微
細透過孔の大きさや梁の太さが基準を満たすように微細
透過孔を生成することが出来る。従って、本発明の第３
の実施例においては、第１の実施例或いは第２の実施例
によって求められた微細透過孔の大きさが露光処理に適
さない程小さくなったり、求められた梁の太さが容易に
損壊する可能性がある程細くなったりすることが避けら
れる。従って、露光処理に対して信頼性の高いブロック
マスクを生成することが出来る。

【００６９】

【発明の効果】請求項１の発明に於ては、透過孔マスク
は、パターンを構成する微細矩形領域の各々がその面積
より小さな面積の微細透過孔を有する。従って、微細透
過孔の総面積を所定値以下に抑さえることによって、微
細透過孔を通過する電子ビームの電流量をクーロン相互
作用が無視できる程の大きさに減少させることが出来
る。

【００７０】請求項２の発明に於ては、パターンを一つ
或いはそれ以上の矩形部分に分割して、各矩形部分に対
して複数の微細矩形領域を定める。従って、微細矩形領
域の設定が容易である。請求項３の発明に於ては、複数
の微細透過孔の各々の面積は、ある一つの矩形部分の内
部では等しい。従って、所望の電流量を達成するような
微細透過孔の大きさを容易に求めることが出来る。

【００７１】請求項４の発明に於ては、複数の微細透過
孔は矩形でありそのｘ方向の辺の長さ及びｙ方向の辺の
長さは、夫々、ある一つの矩形部分の内部では等しい。
従って、所望の電流量を達成するような微細透過孔の大
きさを容易に求めることが出来る。

【００７２】請求項５の発明に於ては、複数の微細透過
孔は矩形であり、複数の微細透過孔間の梁の幅はｘ方向
及びｙ方向に対して同一であり、ある一つの矩形部分の
内部では同一である。従って、所望の電流量を達成する
ような微細透過孔の大きさを容易に求めることが出来
る。

【００７３】請求項６の発明に於ては、複数の微細透過
孔間の梁の幅は所定値以上である。従って、梁が容易に
損壊することを防ぐことが出来る。請求項７の発明に於
ては、複数の微細透過孔間の梁の幅は２μｍ以上であ
る。従って、梁が容易に損壊することを防ぐことが出来
る。

【００７４】請求項８の発明に於ては、パターンを構成
する複数の微細矩形領域を定め、その面積より小さな面
積の微細透過孔を複数の微細矩形領域の各々に形成す
る。従って、微細透過孔の総面積を所定値以下に抑さえ
ることによって、微細透過孔を通過する電子ビームの電
流量をクーロン相互作用が無視できる程の大きさに減少
させることが出来る。

【００７５】請求項９の発明に於ては、パターンを一つ
或いはそれ以上の矩形部分に分割して、各矩形部分に対
して複数の微細矩形領域を定める。従って、微細矩形領
域の設定が容易である。請求項１０の発明に於ては、複
数の微細透過孔の各々の面積は、ある一つの矩形部分の
内部では等しい。従って、所望の電流量を達成するよう
な微細透過孔の大きさを容易に求めることが出来る。

【００７６】請求項１１の発明に於ては、複数の微細透
過孔は矩形でありそのｘ方向の辺の長さ及びｙ方向の辺
の長さは、夫々、ある一つの矩形部分の内部では等し
い。従って、所望の電流量を達成するような微細透過孔
の大きさを容易に求めることが出来る。

【００７７】請求項１２の発明に於ては、複数の微細透
過孔は矩形であり、複数の微細透過孔間の梁の幅はｘ方
向及びｙ方向に対して同一であり、ある一つの矩形部分
の内部では同一である。従って、所望の電流量を達成す
るような微細透過孔の大きさを容易に求めることが出来
る。

【００７８】請求項１３の発明に於ては、複数の微細透
過孔間の梁の幅は所定値以上である。従って、梁が容易
に損壊することを防ぐことが出来る。請求項１４の発明
に於ては、複数の微細透過孔間の梁の幅は２μｍ以上で
ある。従って、梁が容易に損壊することを防ぐことが出
来る。

【００７９】請求項１５の発明に於ては、ある矩形部分
のある辺の長さが所定長以下であった場合、複数の微細
矩形領域への分割を行わずに該矩形部分の該辺の長さに
等しい長さの透過孔を形成する。従って、透過孔が細く
なり過ぎてパターンを確実に露光できないような状況を
避けることが出来る。

【００８０】請求項１６の発明に於ては、ある矩形部分
のある辺の長さが２０μｍ以下であった場合、複数の微
細矩形領域への分割を行わずに該矩形部分の該辺の長さ
に等しい長さの透過孔を形成する。従って、透過孔が細
くなり過ぎてパターンを確実に露光できないような状況
を避けることが出来る。

【００８１】請求項１７の発明に於ては、パターンを構
成する複数の微細矩形領域を定め、微細矩形領域の面積
より小さな面積の微細透過孔を複数の微細矩形領域の各
々に形成し、複数の微細透過孔を透過した電子ビームで
試料を露光する。従って、電子ビームの総電流量をクー
ロン相互作用を引き起こさないような所定の電流値以下
に抑さえることが出来る。

【００８２】請求項１８の発明に於ては、（パターンの
面積／複数の微細透過孔の総面積）倍の露光時間で露光
する。従って、電流量が減少しても、確実に試料を露光
することが出来る。請求項１９の発明に於ては、電子ビ
ームを発生する電子ビーム発生部と、小さな面積の微細
透過孔をパターンを構成する複数の微細矩形領域の各々
の内部に含む透過孔マスクとを含み、複数の微細透過孔
を透過した電子ビームの総電流量が所定の電流値以下で
ある。従ってクーロン相互作用を無視できるほどに小さ
くすることが可能であり、正確なパターン露光を行うこ
とが出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）は、２つの矩形部分に分割された透過孔
マスクの透過孔パターンを示す図であり、（Ｂ）は、本
発明の第１の実施例によって形成された複数の微細透過
孔を示す図である。

【図２】本発明の第１の実施例による微細透過孔形成処
理を示すフローチャートである。

【図３】本発明の第１の実施例に従い矩形部分を分割す
ることにより得られた微細矩形領域を示す図である。

【図４】本発明の第１の実施例により微細矩形領域内に
形成される微細透過孔を示す図である。

【図５】本発明の第２の実施例による微細透過孔形成処
理を示すフローチャートである。

【図６】本発明の第３の実施例による微細透過孔形成処
理を示すフローチャートである。

【図７】（Ａ）は、細い矩形部分を分割して梁のある微
細透過孔を形成した様子を示す図であり、（Ｂ）は、細
い矩形部分の短い辺方向には梁を入れずに微細透過孔を
形成した様子を示す図である。

【図８】従来のブロック露光方式による電子ビーム露光
装置である。

【符号の説明】

１１０露光コラム部１１１カソード電極１１２グリッド電極１１３アノード１１４電子ビーム発生原１１５第１のスリット１１６第１電子レンズ１１７スリットデフレクタ１１８第２のレンズ１１９第３のレンズ１２０透過マスク１２１第１の偏向器１２２第２の偏向器１２３第３の偏向器１２４第４の偏向器１２５ブランキング１２６第４のレンズ１２７アパーチャ１２８リフォーカスコイル１２９第５のレンズ１３０ダイナミックフォーカスコイル１３１ダイナミックスティグコイル１３２第６の対物レンズ１３３主偏向器１３４復偏向器１３５ステージ１５０制御部１５１記憶媒体１５２ＣＰＵ１５３データ管理部１５４バッファメモリ１５５副偏向器用偏向量設定部１５６パターン制御部１５７パターン補正部１５８クロック設定部１５９露光管理部１６０マスクステージ制御部１６１主偏向器用偏向量設定部１６２ステージ制御部１６３レーザー干渉計１６４モータ１６５ブランキング制御部１６６ＤＡＣ／ＡＭＰ１６７ＤＡＣ／ＡＭＰ１６８ＡＭＰ１６９ＤＡＣ／ＡＭＰ１７０ＤＡＣ／ＡＭＰ１７１ＤＡＣ／ＡＭＰ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者山崎悟神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地富士通株式会社内 (72)発明者坂本樹一神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地富士通株式会社内 (72)発明者安田洋神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地富士通株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】各々が少なくとも一つの透過孔を含む複
数のブロックを含み、該複数のブロックの一つを選択し
て電子ビームを照射して、該少なくとも一つの透過孔を
透過した電子ビームによって試料上にパターンの露光を
行うための透過孔マスクであって、電子ビームを透過しない板と、各々がその面積より小さな面積の微細透過孔を有し該板
上で該パターンを構成する複数の微細矩形領域、を含
み、該複数の微細透過孔の総面積が所定値を越えないこ
とを特徴とする透過孔マスク。
【請求項２】前記複数の微細矩形領域は、前記パター
ンをｘ方向及びｙ方向に延在する辺を有する一つ或いは
それ以上の矩形部分に分割したときに、該矩形部分をｘ
方向及びｙ方向に一つ或いはそれ以上に分割するもので
あることを特徴とする請求項１記載の透過孔マスク。
【請求項３】前記複数の微細透過孔の各々の面積は、
前記一つ或いはそれ以上の矩形部分の一つの内部では等
しいことを特徴とする請求項２記載の透過孔マスク。
【請求項４】前記複数の微細透過孔は矩形でありその
ｘ方向の辺の長さ及びｙ方向の辺の長さは、夫々、前記
一つ或いはそれ以上の矩形部分の一つの内部では同一で
あることを特徴とする請求項３記載の透過孔マスク。
【請求項５】前記複数の微細透過孔はｘ方向及びｙ方
向に延在する辺を有する矩形であり、該複数の微細透過
孔間の梁の幅はｘ方向及びｙ方向に対して同一であり、
更に該梁の幅は前記一つ或いはそれ以上の矩形部分の一
つの内部で同一であることを特徴とする請求項３記載の
透過孔マスク。
【請求項６】前記複数の微細透過孔間の梁の幅は所定
値以上であることを特徴とする請求項１記載の透過孔マ
スク。
【請求項７】前記複数の微細透過孔間の梁の幅は２μ
ｍ以上であることを特徴とする請求項１記載の透過孔マ
スク。
【請求項８】各々が少なくとも一つの透過孔を含む複
数のブロックを含み、該複数のブロックの一つを選択し
て電子ビームを照射して、該少なくとも一つの透過孔を
透過した電子ビームによって試料上にパターンの露光を
行うための透過孔マスクを形成する方法であって、（ａ）電子ビームを透過しない板に該パターンを構成す
る複数の微細矩形領域を定め、（ｂ）該微細矩形領域の面積より小さな面積の微細透過
孔を該複数の微細矩形領域の各々に形成する各段階を含み、該複数の微細透過孔の総面積が所定値を
越えないことを特徴とする方法。
【請求項９】前記段階（ａ）は、（ａ１）前記パターンをｘ方向及びｙ方向に延在する辺
を有する一つ或いはそれ以上の矩形部分に分割し、（ａ２）該矩形部分をｘ方向及びｙ方向に一つ或いはそ
れ以上に分割することにより前記複数の微細矩形領域を
定める各段階を含むことを特徴とする請求項８記載の方法。
【請求項１０】前記段階（ｂ）は、前記複数の微細透
過孔の各々の面積が前記一つ或いはそれ以上の矩形部分
の一つの内部では等しいように該複数の微細透過孔を形
成することを特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項１１】前記段階（ｂ）は、ｘ方向の辺の長さ
及びｙ方向の辺の長さが各々、前記一つ或いはそれ以上
の矩形部分の一つの内部では同一であるような矩形とし
て前記複数の微細透過孔を形成することを特徴とする請
求項１０記載の方法。
【請求項１２】前記段階（ｂ）は、ｘ方向及びｙ方向
に延在する辺を有する矩形として前記複数の微細透過孔
を形成し、該複数の微細透過孔間の梁の幅がｘ方向及び
ｙ方向に対して同一でありかつ該梁の幅は前記一つ或い
はそれ以上の矩形部分の一つの内部で同一であることを
特徴とする請求項１０記載の方法。
【請求項１３】前記段階（ｂ）は、前記複数の微細透
過孔間の梁の幅が所定値以上であるように該複数の微細
透過孔を形成することを特徴とする請求項８記載の方
法。
【請求項１４】前記段階（ｂ）は、前記複数の微細透
過孔間の梁の幅は２μｍ以上であるように該複数の微細
透過孔を形成することを特徴とする請求項８記載の方
法。
【請求項１５】ある矩形部分のある辺の長さが所定長
以下であった場合、前記段階（ａ）は、該矩形部分の該
辺の方向には前記複数の微細矩形領域への分割を行わ
ず、前記段階（ｂ）は、該矩形部分の該辺の長さに等し
い長さの透過孔を形成することを特徴とする請求項８記
載の方法。
【請求項１６】前記所定長は２０μｍであることを特
徴とする請求項１５記載の方法。
【請求項１７】各々が少なくとも一つの透過孔を含む
複数のブロックを含む透過孔マスクを用い、該複数のブ
ロックの一つを選択して電子ビームを照射して、該少な
くとも一つの透過孔を透過した電子ビームによって試料
上にパターンの露光を行う電子ビーム露光方法であっ
て、（ａ）電子ビームを透過しない板に該パターンを構成す
る複数の微細矩形領域を定め、（ｂ）該微細矩形領域の面積より小さな面積の微細透過
孔を該複数の微細矩形領域の各々に形成して該透過孔マ
スクを形成し、（ｃ）該複数の微細透過孔を透過した該電子ビームで該
試料を露光する各段階を含み、該電子ビームの総電流量が所定の電流値
以下であることを特徴とする方法。
【請求項１８】前記段階（ｃ）は、前記パターンの形
通りの透過孔を透過した電子ビームを用いて露光する場
合に比較して、（該パターンの面積／前記複数の微細透
過孔の総面積）倍の露光時間で露光することを特徴とす
る請求項１７記載の方法。
【請求項１９】各々が少なくとも一つの透過孔を含む
複数のブロックを含む透過孔マスクを用い、該複数のブ
ロックの一つを選択して電子ビームを照射して、該少な
くとも一つの透過孔を透過した電子ビームによって試料
上にパターンの露光を行う電子ビーム露光装置であっ
て、該電子ビームを発生する電子ビーム発生部と、該パターンを構成する複数の微細矩形領域を含み、該複
数の微細矩形領域の各々の面積より小さな面積の微細透
過孔を該複数の微細矩形領域の各々の内部に含む透過孔
マスクと、を含み該複数の微細透過孔を透過した該電子
ビームの総電流量が所定の電流値以下であることを特徴
とする装置。