JP3121098B2 - 荷電粒子ビーム露光の方法と装置 - Google Patents
荷電粒子ビーム露光の方法と装置Info
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Description
し、特にブランキングアパーチャアレイ(BAA)を用
いた荷電粒子ビーム露光方法に関する。
としての役割が期待されているICは、2〜3年で約4
倍の高集積化を達成している。たとえば、DRAMで
は、1M、4M、16M、64M、256M、1Gとそ
の集積化が進んでいる。
術の進歩によっている。光技術は、0.5μmの微細加
工が可能になるように進歩を続けている。しかし、光技
術の限界は約0.3μm程度にある。また、コンタクト
ホールの窓開けや下層のパターンとの位置合わせ等にお
いて、精度を確保することが次第に困難になりつつあ
る。
下の微細加工が、0.05μm以下の位置合わせ精度で
実現できる。また、近年、本発明者らによるブロック露
光やブランキングアパーチャアレイ方式の露光により、
1cm2 /1sec程度のスループットが期待できるよ
うになった。
ックターンアラウンド、信頼性、ソフトの向上による将
来性のどれをとっても、電子ビーム露光は他のリソグラ
フィ技術と比較して卓越した利点がある。
ム、可変矩形ビーム、ブロックパターンビーム等を用い
て行われる。いずれの場合にも、ウエハ上の所望の領域
を所望形状に露光するためには、露光すべきパターンに
合わせて電子ビームを制御することが必要である。
電子ビーム露光装置の説明を行なう。露光装置は、露光
部10と制御部50とに大きく分けられる。露光部10
は、電子ビームを発生し、スポット状もしくはパターン
状に整形し、露光対象物の所望位置に露光する部分であ
る。制御部50は、露光部10を制御する信号を形成す
る部分である。なお、露光部10の下には露光対象物W
を載置するステージ35がある。
ード電極11から発生した電子は、グリッド電極12お
よびアノード電極13によって引出される。これらの電
極11、12、13が荷電粒子ビーム発生源14を構成
する。
子ビームは、たとえば矩形状開口を有する第1のスリッ
ト15によって整形され、電子ビームを集束する第1の
電子レンズ16を通過し、透過マスク20上のビーム照
射位置を修正偏向するためのスリットデフレクタ17に
入射する。スリットデフレクタ17は、修正偏向信号S
1によって制御される。
めに、矩形開口や所定パターンのブロックパターン開口
等の複数の透過孔を有する透過マスク(ステンシルマス
ク)20を用いる。スリットデフレクタ17を通過した
電子ビームは、対向して設けられた第2の電子レンズ1
8、第3の電子レンズ19、これらの電子レンズ間に水
平方向に移動可能に装着された透過マスク20、透過マ
スク20の上および下に配置され、それぞれ位置情報P
1〜P4に応じて、電子ビームを偏向し、透過マスク2
0上の透過孔の1つを選択する第1〜第4の偏向器21
〜24を含む電子ビーム整形部を通って所望パターンに
整形される。
号SBを印加されるブランキング電極25によって遮
断、もしくは通過される。ブランキング電極25を通過
した電子ビームは、第4の電子レンズ26、アパーチャ
27、リフォーカスコイル28、第5の電子レンズ29
によって調整され、フォーカスコイル30に入射する。
フォーカスコイル30は、電子ビームを露光対象面上に
フォーカスさせる機能を有する。また、スティグコイル
31は、非点収差を修正する。
2、露光位置決定信号S2、S3に応じて露光対象物W
上の位置決めを行なう電磁偏向器であるメインデフレク
タ33、および静電偏向器であるサブデフレクタ34に
よってその位置を制御され、露光対象物W上の所望位置
に照射される。
能なステージ35に載置され、移動される。また、露光
部10には、さらに第1〜第4のアラインメントコイル
36、37、38、39が設けられている。
有する。集積回路装置の設計データは、メモリ51に記
憶され、CPU52によって読み出され、処理される。
CPU52は、その他荷電粒子ビーム露光装置全体を制
御する。
って取り込まれた描画情報、たとえばパターンを描画す
べきウエハW上の描画位置情報、および透過マスク20
のマスク情報等の各種情報等を転送する。データメモリ
54は、インターフェイス53から転送された描画パタ
ーン情報およびマスク情報を記憶保持する。
メモリ54から描画パターン情報およびマスク情報を受
け、それらに従って透過マスクの透過孔の1つを指定
し、その指定透過孔の透過マスク上での位置を示す位置
信号P1〜P4を発生すると共に、描画すべきパターン
形状と指定透過孔形状との形状差に応じた補正値Hを演
算する処理を含む各種処理を行なう指定手段、保持手
段、演算手段および出力手段を有する。
器機能を有するアンプ部56は、補正値Hを受け、修正
偏向信号S1を生成する。マスク移動機構57は、パタ
ーン制御コントローラ55からの信号に従い、必要に応
じて透過マスク20を移動させる。
御コントローラ55からの信号に応じて、デジタル・ア
ナログ変換器機能、および増幅器機能を有するアンプ部
59を制御し、ブランキング信号SBを発生させる。
フェイス53から描画位置情報を受け、描画処理シーケ
ンスを制御する。ステージ移動機構61は、シーケンス
コントローラ60からの信号に応じて、必要に応じてス
テージ35を移動させる。
62によって検出され、偏向制御回路63に供給され
る。偏向制御回路63は、ウエハW上の露光位置を演算
し、露光位置決定信号S2、S3を発生するアンプ部6
4、65に信号を供給すると共に、シーケンスコントロ
ーラ60にも信号を供給する。なお、アンプ部64、6
5は、それぞれデジタル・アナログ変換器機能、および
増幅器機能を有する。
向器であるメインデフレクタ33によって2〜10mm
□の偏向フィールドをビーム偏向し、静電偏向器である
サブデフレクタ34によって、100μm□程度のサブ
フィールドを偏向する。
モリ51から読み出され、データメモリ54に転送さ
れ、ここに蓄積される。データメモリ54から読み出さ
れたパターンデータによって、パターン制御コントロー
ラ55はパターンを各ショットごとに分解する。
は、メインデフレクタ33用のデータ、サブデフレクタ
34用のデータ、スリットデフレクタ17用のデータ、
ブランキング信号SB等に分離され、電子ビームを偏向
制御する。
よって電子ビームの断面形状を制御するブロックパター
ン露光方式に代え、同一形状の多数の開口をそれぞれ独
立に制御しつつ露光を行なうブランキングアパーチャア
レイ露光方式を提案した。露光画面を微小領域で埋め尽
くし、各微小領域への電子ビーム照射のオン/オフを制
御して任意のパターンを描画する。
を概略的に示す。図14(A)は、ブランキングアパー
チャアレイの概略平面図を示す。遮光性基板80内に多
数の開口81が形成されている。
は、開口81が64個並べられ、次の行LB1には千鳥
状にずれた位置に64個の開口81が並べられている。
また、2列の開口列LA1とLB1を合わせて1組とし
た時、図中縦方向には8組の開口列が配置されている。
いて1/500に縮小される。マスク上においては、各
開口81は、25μm□の大きさを有し、横方向に50
μmピッチで並べられ、縦方向ピッチは100μmに設
定されている。ただし、縦方向に関しては100μmピ
ッチの中間に千鳥状にずれた他の1行の開口列が配置さ
れる。
は、図中横方向に約3200μm、図中縦方向に約80
0μmの寸法となる。なお、25μm□の開口は、対象
物上では0.05μm□の大きさとなる。
を図中縦方向に移動させつつ、開口81を通して荷電粒
子ビームを照射すれば、1組の開口列LA1、LB1に
よって対象物上の全面積を露光できる。8組の開口列に
よれば全面を8重に多重露光することができる。
極82a、82bが形成されており、これらの電極82
a、82bに印加する電圧によって開口81を通過する
電子ビームを対象物外の領域に偏向させることができ
る。
を通過する電子ビームに対してシャッタの役目を果たす
ことができる。開口81およびその両側辺に形成された
電極82a、82bによって1つのブランキングアパー
チャBAが形成される。
ランキングアパーチャBAが形成される。縦方向に見る
と、8個のブランキングアパーチャBAが同一横位置に
配置されるため、対象物上の同一位置を8重に露光する
ことができる。
なブランキングアパーチャアレイを用いて試料面上に露
光を行なう場合の露光方式を説明するグラフである。図
14(B)において、横軸は時間をnsecで示し、縦
軸は試料面上の距離をμmで示す。ステージ移動速度は
25mm/secであるとする。
試料は0.5μm/50nsecで等速度に移動してい
るものとする。LA1で示した曲線は、図14(A)に
示す列LA1に属する1つのブランキングアパーチャB
Aの露光対象を示す。
位置から0.05μmまでの位置を露光し、5nsec
から10nsecまでの時間に、試料面上の0.05μ
mから0.1μmの間の領域を露光する。
ンキングアパーチャの下に露出される領域を露光するこ
とにより、試料面上に1列の露光ストライプを形成する
ことができる。
上方から下方に移動しているとした場合、試料面上の同
一縦位置が、10nsec後には千鳥状にずれた他のブ
ランキングアパーチャの下に現れる。
列LA1で露光できる面積は、0.05μm幅ピッチ
0.1μmの領域であり、露光後形成されるのは等ピッ
チのラインアンドスペースである。
キングアパーチャ列LA1と相補的に配置された次段の
ブランキングアパーチャ列LB1でも露光する必要があ
る。この2段目のブランキングアパーチャ列LB1の下
に現れる領域を破線LB1で示した。
ブランキングアパーチャ列LA1下に露出された領域が
第3列目のブランキングアパーチャ列LA2下に露出さ
れる。同様に、40nsec、60nsec、…にも、
同一位置が引き続く位置に配置されたブランキングアパ
ーチャBA下に露出される。それぞれの時点において露
光を行なうことにより、同一位置が多重露光される。
secの場合、露光速度は0.5cm2 /secであ
る。1cm2 /secの露光速度とするには、ステージ
移動速度を50mm/secとすることになる。
域の露光が、たとえば8段に分割される。電流のオン/
オフの単位が小さくなり、全体としても電子ビームが徐
々に増大し、徐々に減少することになる。すなわち、露
光電流の急激な変化が防止され、クーロン相互作用を補
償するためのリフォーカスが容易になる。
による露光を説明するための概略図である。なお、簡単
のため、対象とするパターンが1回露光のみによって露
光される場合を説明する。多重露光の場合には、同様の
露光を繰り返せばよい。
アパーチャBA1〜BA5が2列に亘って千鳥状に配置
されているとする。露光すべきパターンは図15(B)
に示すような図形であるとする。すなわち、対象物の上
に図15(B)に示すような領域を露光することを考え
る。ここで、対象物は図15(A)に示すブランキング
アパーチャの上方から下方に向かって移動するとする。
キングアパーチャBA1とBA2の下に露光すべき領域
の下端が到達する。ここで、ブランキングアパーチャB
A1とBA2をオンとし、対応する領域を露光する。
に示すように、上段の3つのブランキングアパーチャB
A1、BA2、BA3の下に露光すべき領域が現れる。
そこでこれらの領域を露光する。
に示すように上段のブランキングアパーチャBA1、B
A2の下に露光すべき領域が現れる。そこで、これらの
領域を露光する。
A1、BA2に隣接する領域に露光すべき領域が配置さ
れるが、これらに対応する領域にはブランキングアパー
チャが存在しないため、露光は行なわれない。
BAの下を対象となる試料が下方に順次移動するのにし
たがい、ブランキングアパーチャ下に露出される領域が
選択的に露光される。
後、図15(G)に進むと図15(E)で露光されなか
った2つの領域がブランキングアパーチャBA4、BA
5の下に配置される。そこでこの段階において、これら
の領域はブランキングアパーチャBA4、BA5によっ
て露光される。
5列は図15(A)の上段に示すブランキングアパーチ
ャBA1、BA2、BA3を用いて露光され、第2列、
第4列に対応する領域は、タイミングをずらしてブラン
キングアパーチャBA4、BA5によって露光される。
(J)と順次対象物が移動するにつれ、露光できる領域
が露光され、図15(B)に示すパターンが形成され
る。このように、ブランキングアパーチャアレイによれ
ば、任意の図形を露光することができる。
ロック露光と対立するものではなく、両立するものであ
る。すなわち、ステンシルマスク上にブロックパターン
とブランキングアパーチャアレイとを共に設け、出現頻
度の多いパターンはブロック露光によって露光し、出現
頻度の少ないパターンはブランキングアパーチャアレイ
によって露光してもよい。
ブランキングアパーチャアレイによれば、試料上の所定
領域に荷電粒子ビームを照射しつつ、ブランキングアパ
ーチャ各々を制御することにより、任意のパターンを露
光することができる。
レイ(BAA)方式では、上述の仕様の場合、128個
のデータを5nsecないし2.5nsec毎に転送
し、かつ2000列、すなわち256Kビットのオン/
オフ情報(ビットマップ)を10μsecないし5μs
ecで消費するために、データの消費量が膨大になる。
プの状態で用意しておくことは、現在では困難である。
何故なら、0.05μm□の細胞は、20mm□の中に
4×105 ×4×105 =160Gあり、このような大
容量の高速メモリを2.5nsec毎にアクセスするこ
とは容易ではない。
アレイ方式のような、複数の荷電粒子ビームを独立にオ
ン/オフ制御して対象面上にパターンを露光する露光技
術において、パターンデータを実用レベルで作成するこ
とのできる技術を提供することである。
の露光方法は、m行×n列のビット行列を単位パターン
データとし、複数個の単位パターンデータを並列に準備
し、単位パターンデータ毎に、走査方向に対してほぼ垂
直に並んだn個の荷電粒子ビーム開閉手段に行単位でビ
ット情報を供給し、n個の荷電粒子ビームを各々独立に
オン/オフ制御して対象面上に照射し、対象面を列方向
に走査することによって2次元パターンを露光する方法
であって、複数個のパターンをそれぞれnビットより広
いビット幅を有する2次元ビットマップとして記憶する
パターンメモリからnビット幅の所望パターンを行方向
ビット位置を選択して読み出し、nビットの幅とmビッ
トの長さを有する単位パターンデータを作成する工程
と、前記単位パターンデータを順次前記n個の荷電粒子
ビーム開閉手段に供給し、単位パターンデータ毎の露光
を順次行なう工程とを含む。
多い。たとえば、ブロック露光ではステンシルマスクパ
ターン上に数十個から数百個までのブロックを用意して
おくことにより、LSIパターンの大部分を露光するこ
とが可能である。メモリにビットマップとして記憶する
場合は、数千個のブロックパターンの記憶もそれほど大
変なことではない。
荷電粒子ビームの走査の幅と、ブロックパターンの周期
とは必ずしも一致せず、整数比で割り切れないことも多
い。結果として得られるパターンが同一でも、パターン
の分割の仕方が異なるものを全て異なるパターンとして
記憶するとすれば、必要とされるメモリ容量は膨大なも
のとなってしまう。
次元ビットマップを用意し、その中から走査幅分のパタ
ーンを任意に選択して読みだすことにより、同一パター
ンメモリを様々に共用して利用することができ、必要と
されるメモリ容量を大幅に低減することが可能となる。
矩形パターン情報から任意の矩形パターンを作り出すこ
とにより、配線パターン等の規則性を有さないパターン
を作成することができる。
り、パターンデータの作成が格段に効率的になる。
光装置の構成を示すブロック図である。電子ビーム露光
装置の露光系10は、ブランキングアパーチャアレイ8
を含み、このブランキングアパーチャアレイ8の各ブラ
ンキングアパーチャに遅延回路Dを介してパターンデー
タが供給される。すなわち、ブランキングアパーチャア
レイの1列の開口には、同一データがタイミングをずら
せて供給される。
するため、遅延回路Dには2組のシフトレジスタ1A、
1Bが接続されている。一方のシフトレジスタを使用し
ている間、他方のシフトレジスタはデータの準備を行な
える。これら2組のシフトレジスタ1A、1Bには、た
とえば16組のスクローラS1、S2、…S16が接続
され、シフトレジスタ1A、1Bに交互に1組のデータ
を供給する事ができる。
スタ1と同様の構成を有する回路である。スクローラS
にパターンデータを供給するために、各スクローラにそ
れぞれ4組のパターンデータ展開装置PDとSRAM等
のメモリSMとの組み合わせが接続されている。すなわ
ち、パターンデータ展開装置PDとスタティックRAM
の組み合わせは全部で4×16=64組設けられてい
る。
メモリからパターンデータを受け取り、露光すべき1単
位のパターンデータを作成し、SRAMで形成されたメ
モリSMにパターンデータを蓄積する。4組のメモリS
M1〜SM4は、交互に対応するスクローラSにパター
ンデータを供給する。
反転回路2A、2Bが接続され、各シフトレジスタの出
力信号を反転し、シフトレジスタ入力に帰還することが
できる。
装置PDからスクローラSを介してシフトレジスタ1に
供給され、シフトレジスタ1から遅延回路Dに供給され
ると、自動的にそのパターンデータの反転データが反転
回路2によって形成され、シフトレジスタ1に帰還さ
れ、パターンデータに続いて反転パターンデータが出力
される。この反転パターンデータはゴースト露光に利用
できる。
な露光系にブランキングアパーチャアレイを設けたもの
で構成することができる。ブランキングアパーチャアレ
イが図14で示したように、128×8のブランキング
アパーチャを有するものである場合、ブランキングアパ
ーチャアレイ8に供給するパターンデータは128×m
を単位とするものとなる。ここで、mはサブデフレクタ
の走査による単位ストリップ領域4の長さを規定する数
であり、たとえば2000である。
ターンデータを高速に伝達することのできるスクローラ
の構成例を示す。図2(A)はスクローラの回路構成を
示すブロック図である。128個のパターンデータIN
0〜IN127を並列に受け、直列に2000収容する
ことのできるスクローラは、128×2000のシフト
レジスタsrを図示のように接続したものである。
rの直列接続が並列に128組配置されている。128
個の入力信号IN0〜IN127を並列に受け、128
個の出力信号EX0〜EX127を並列に供給すること
ができる。
成例を示す回路図である。トランジスタTr1の出力信
号は、トランジスタTrAで形成されたゲートを介して
2段目のトランジスタTr2のゲート電極に印加され
る。
圧がハイであれば、トランジスタTr1の出力はローと
なり、ゲートTrAが開いた時、この信号を受けたトラ
ンジスタTr2はオフとなり、その出力はハイとなる。
このように、2つのトランジスタTr1、Tr2によっ
て1段のシフトレジスタが形成される。なお、トランジ
スタTr1、Tr2の出力信号は、それぞれゲートTr
A、TrBによって出力側に選択的に伝えられる。
よる露光を実用速度で行なうための動作例を簡単に説明
する。1つの電子ビームの寸法が0.05μm□である
として、1cm2 /secで露光を行なう場合を考え
る。1cm2 の面積の中には、0.05μm□のビーム
が4×1010個含まれることになる。1秒間に4×10
10の露光を行なうために、ビームの数はたとえば128
×8本を用いる。
0mm/secで進行するとし、メインデフレクタによ
り電子ビームは全体としてX方向に2mm/2msec
で移動できるとする。
移動を5μsecで行なう。このとき、走査速度として
は100μm/5μsecであり、1μm当たりの走査
に必要な時間は50nsecとなる。この値は、ビーム
1つ当たりの長さである0.05μmに対して2.5n
secの長さとなり、1ショットを2.5nsecで処
理する必要がある。
ャアレイが八重に配置された前述の構成の場合、1つの
点を露光するのに8ショットが行なわれる。同一位置に
対して露光が完了するまでには8ショット、すなわち2
0nsecの時間がかかる。したがって、電子ビーム強
度に対してリフォーカスをかける場合、リフォーカスに
必要な時間は2.5nsecではなく、20nsecと
なる。
場合は、ステージ移動速度を半分にすることができ、サ
ブデフレクタは前述と同一の面積を露光するのに5μs
ecの2倍の10μsecを使用することができるよう
になる。この場合、1ショットに必要な時間も2倍の5
nsecとなる。
デフレクタ1走査分を5μsecで消費する場合、スク
ローラを16個設けると、スクローラからのデータ転送
の周期は5×16=80μsecとなり、各スクローラ
へのデータ転送は75μsecかかってもよいことにな
る。2000行のデータの各々は、37.5nsecで
転送できればよいことになる。
られており、データ展開装置のデータ展開の周期は5×
64=320μsecとなる。したがって、各データ展
開装置PDは、約300μsecでデータを展開できれ
ばよい。SRAMへのデータ書込みは、約50nsec
で可能であるので、単位パターンデータ展開に6000
ステップかかってもよい。
図3に示す回路は、図1に示す1つのSRAM等のメモ
リSMと1つのパターンデータ展開装置PDに対応する
ものである。
繰り返しパターンを記憶するパターンメモリPMと、矩
形パターンを描画するのに適した矩形パターン用行メモ
リPRMを有する。
み出しレジスタREG1に読みだされ、メモリ読み出し
レジスタREG1からビットマップデータシフタDSF
に供給される。ビットマップデータシフタDSFは、読
みだされた1行分の情報を行方向に任意ビット数シフト
することができる。シフトされた行情報は、ビットマッ
プデータシフタから中間レジスタREG2に転送され
る。
ン行メモリから所定フォーマットで記憶された矩形パタ
ーン情報から復元した矩形パターン行データを受け取る
ことができる。
器ADおよび減算器SBに供給し、OR回路を経て重ね
書き可能なレジスタREG3に供給される。レジスタR
EG3の情報は、SRAM 等のメモリSMに供給され
る。
は、アドレスカウンタADRCによってその書込み/読
み出しアドレスを制御されている。アドレスカウンタA
DRCは、シーケンスデータ格納メモリSQDMから読
みだされた情報に基づき、制御装置CNTLによって制
御される。制御装置CNTLは、他の回路要素を制御す
るための制御信号も発生する。
リSMからレジスタREG3に格納した最終行の情報を
フィードバックするためのフィードバック手段FBが設
けられている。
ターンを全てビットマップとして記憶しており、パター
ンメモリPMから読みだされたパターンデータは、ビッ
トマップデータシフタDSFでその行方向位置を修正さ
れた後は、そのままレジスタREG3に送られ、スタテ
ィックランダムアクセスメモリSMに書き込まれる。
に、始点(X1、Y1)と終点(X2、Y2)、または
始点(X1、Y1)と大きさ(ΔX、ΔY)で表すこと
ができる。この場合、矩形パターン内のデータを全てビ
ットマップとして所有してもよいが、矩形パターンの場
合は、ある行で一旦現れたパターンは後続行で再現する
確率が高い。
て変化がおきたところの情報のみを伝達するほうが効率
的である。矩形パターンの最初の行がレジスタREG3
に供給され、スタティックランダムアクセスメモリSM
に供給されると、同一パターンはフィードバック手段F
Bを介してレジスタREG3に再び戻される。
ータは変化の生じたところのみを表すものとし、新たに
パターンとして加入する場合には加算器ADを介してレ
ジスタREG3に重ね書きされ、今まであったパターン
が消滅するときは、パターンデータが減算器SBを介し
てレジスタREG3に供給され、前行のデータから供給
されたデータで示されたビットが消滅する。
ば1つの矩形パターンにおいては2回データを送ればよ
いことになる。レジスタREG3は、制御装置CMTL
から供給される制御信号に基づき、これらの加算、減算
を行なう。
ップデータの読み出しと矩形パターン行メモリからの矩
形パターンの作成をより詳細に説明する。図4は、ビッ
トマップメモリであるパターンメモリPMからのビット
マップの読み出しを説明するための図である。
であるDRAM等における配線パターンの例を示す。こ
の繰り返しパターンは、図4(A)上部に示すように、
単位模様Uの2次元方向への繰り返しパターンである。
返しパターンの周期とは異なっており、図に示すよう
に、走査幅によって繰り返しパターンを区切ると、スト
ライプ模様SPA、SPB、SPCのように分割される
とする。この場合、ストライプ模様SPA、SPB、S
PCをそれぞれ異なるパターンとしてメモリに記憶する
と、必要とされる記憶容量は膨大なものになる。
ように、1つの走査幅(たとえば128ビット)よりも
十分広い幅(たとえば220ビット)を有し、ここに繰
り返しパターンの模様を記憶する。ストライプ模様SP
Aを読みだすときは、パターンメモリに記憶されたビッ
トマップを所定ビット数行方向(横方向)にシフトし、
必要とされるビット幅SPAの部分を読み出す。
読み出しにおいても、適当数の行方向シフトを行なった
後、ビットマップを読みだすことにより必要部分のビッ
トマップを送り出すことができる。
ーンメモリの例を示す。4つの三角パターンTr1、T
r2、Tr3、Tr4は、合同な三角形であるが、その
向きが異なる。これらの三角形と相似な三角形を描画す
る場合、たとえば三角パターンTr1を右方向にシフト
させれば次第に小さくなる相似な三角形が得られる。こ
のようにして、種々の大きさを有する相似な三角形をこ
のパターンメモリから読みだすことができる。
例を示す。データ読み出しレジスタREG4は、パター
ンメモリPMから1行分のデータを読み出す。1ビット
シフタ101は、入力する1行分のデータを右方向に1
ビットシフトさせるか、またはそのまま出力する回路で
ある。同様、2ビットシフタ102、4ビットシフタ1
03、8ビットシフタ104、16ビットシフタ10
5、32ビットシフタ106、64ビットシフタ107
は、それぞれ入力する信号を右方向に2ビット、4ビッ
ト、8ビット、16ビット、32ビット、64ビット長
シフトさせるか、またはそのまま出力する。
たが、同様に左方向にシフトする回路も設けることがで
きる。上下にシフトさせる回路があってもよい。このよ
うなシフト回路を組み合わせることにより、読み出した
1行分のデータを行方向、列方向に任意ビット数シフト
させることができる。
1行分の入力信号がA1、A2、A3、A4、…である
とする。信号A、−Aは、ビットシフトを行なうか行な
わないことを示す1ビット信号である。ビットシフトを
行なう場合にはA=1となり、ビットシフトを行なわな
い場合はA=0となる。−AはAの反転信号である。
れたときは、奇数番目のアンド回路ANDに1が供給さ
れ、各入力信号A1、A2、…は、右隣のアンド回路を
通ってオア回路ORに供給される。このとき、−A=0
のため、偶数番目のアンド回路ANDはデータの通過を
禁止する。A=0でビットシフトを行なわない場合は、
偶数番目のアンド回路ANDに1が供給され、各データ
A1、A2、…はその直下のアンド回路を通ってオア回
路に供給される。
が、アンド回路への結線を変えることにより、基本的に
同一構成でnビットシフタが構成できる。図5に示すよ
うな各ビットシフタ回路は、基本的には直列に接続すれ
ばよいが、各段の遅延が問題となるときには、図7に示
すように適当に途中にレジスタを入れてパイプライン化
することが好ましい。
読みだされた1行分のデータがレジスタREG4に一旦
格納され、1ビットシフタ101、2ビットシフタ10
2に供給される。2ビットシフタ102と4ビットシフ
タ103の間にはレジスタREG6が挿入され、同様8
ビットシフタ104と16ビットシフタ105の間には
レジスタREG7が挿入され、32ビットシフタ106
と64ビットシフタ107の間にもレジスタREG8が
挿入される。64ビットシフタ107の出力はレジスタ
REG9に格納される。パイプラインの段数は、遅延時
間に応じて変化させるものとする。
メモリSQDMに格納されるビットマット用のデータフ
ォーマットを示す。シーケンスデータは、たとえば2つ
の32ビット信号で構成される。
ンスデータであることを示す1ビット信号111、XY
方向データであることを示す1ビット信号112、メモ
リのカウントアップの有無を示す1ビットデータ11
3、加算/減算を表す1ビットデータ114を含む。次
の14ビットデータ115は、Y座標を示し、次の14
ビットデータ116は、Y方向に何行のデータメモリで
あるかを示す。図示の場合、Yの第659行から80行
のデータであることを示している。
あることはカウンタをカウントアップさせないことを意
味しており、加算/減算データ114が0であることは
加算を示している。
ンスデータ121、X/Y方向のデータであることを示
す1ビットデータ122、カウントアップデータ12
3、加算/減算データ124を含む。この場合、以下の
データはXデータであり、メモリはカウントアップし、
加算を行なうことが示されている。
たデータを何ビットシフトするかを示す。図示の場合、
36ビットシフトを行なう。次の14ビットデータ12
6は、読みだすべきビットマップのアドレスを示してい
る。たとえば、図示のアドレス10000は、図4
(A)に示すような繰り返し配線パターンである。
例を示す。図中、横方向にX方向をとり、縦方向にY方
向をとる。矩形パターンR1は、(4,0)を始点と
し、(18,12)を終点とする矩形パターンである。
同様に矩形パターンR2は、(32,0)を始点とし、
(40,28)を終点とする。矩形パターンR3は、
(4,18)を始点とし、(18,28)を終点とす
る。
たは始点と大きさを情報として与え、ビットマップを形
成することもできるが、電子ビームの走査方向がたとえ
ばY軸方向の場合、同一行パターンが繰り返し現れる。
この点に着目し、行パターンを単位とし、行パターンに
変化の生じるところのみを情報として与えることもでき
る。
128ビット×2000ビットであるので、基本行パタ
ーンは128ビットの行で表すことができる。図10
は、行パターンを基本としたパターン形成のためのシー
ケンスデータの例を示す。シーケンスデータは、たとえ
ば2つの32ビット信号130、140によって表示さ
れる。
ンスデータであることを表示する1ビット信号131、
XYデータであることを表示する1ビット信号132、
カウントアップの有無を表す1ビットデータ133、加
算/減算を表示する1ビットデータ134を先頭部に含
む。
に対しては1が続き、1行のデータが終了すると0に変
化する。X/Yを表示する1ビットデータ132は、1
のときYデータであることを表し、0のときXデータで
あることを示す。カウントアップデータ133は、0の
ときカウントアップがないことを表し、1のときカウン
タをカウントアップすることを表す。
0、減算のとき1となる。これら4つの1ビットデータ
は、他の32ビットデータ140の先頭部の4つの1ビ
ットデータ141〜144についても同様である。Y座
標データ135は、たとえば14ビットで構成され、Y
座標を表す。
ビットで構成され、Y方向に何行分のデータであるかを
示す。第2の32ビットデータのシフト量データ145
は、たとえば8ビットで表され、X方向のシフト量を表
す。次の初期番地データ146は、たとえば20ビット
で表され、メモリ内の番地を表し、その番地には所定の
行パターンが蓄積されているとする。
データについてはシフト量は考慮しないものとして説明
する。図11は、組み合わせ矩形パターンデータの表示
の例を示す。
X方向の行を単位とし、Y方向に座標を進めるときの変
化を観察すると、Y=0からY=12までは同一パター
ンが続き、Y=13からY=17まで同一パターンとな
り、またY=18からY=28までが同一パターンとな
る。
らY=12までのデータであることを表す。この中にど
のようなパターンを表示するかを次の2つの32ビット
データ151、155が表す。32ビットデータ151
は、1ビットデータ152が0であり、Xデータである
ことを表している。アドレスADR(1)は、X=4か
らX=18まで1となるパターンが記憶されているメモ
リの番地を示す。すなわち、図9(B)のパターンR1
の行パターンがこの情報によって指定される。
ADR(2)を指定し、図9(B)の第2の矩形パター
ンR2に対応し、X=32からX=40まで1のパター
ンが記憶されているメモリアドレスを表示する。また、
シーケンスデータ156が0であり、1行のデータがこ
こで終了することが示されている。したがって、これら
の情報によってX=4からX=18まで、およびX=3
2からX=40までが1となる行パターンが形成され、
12行繰り返し実行される。
R1分の減算を行なって、パターンR2のみを残し、Y
=17まで継続する。Y=18の行においては、パター
ンR3に対応する加算を行ない、Y=28の行まで同一
パターンを継続する。
描画する場合を説明したが、行パターンを用いて任意の
パターンを描画することもできる。このような矩形パタ
ーン描画と、ビットパターンからの読み出しとを合わせ
行なうことにより、たとえば図12に示すように、領域
DAはビットパターンメモリから繰り返しパターンを読
み込むことによって描画し、領域DBにおいては、矩形
パターンを作成し、合成することによって描画すること
ができる。
合に限らない。たとえば、矩形パターンの始点、終点の
情報に基づき、ビットマップ上に矩形パターンを形成
し、繰り返しパターン同様に読みだしてもよい。
が、同様の構成方法が荷電粒子ビーム露光に適用できる
ことは当業者に自明であろう。以上実施例に沿って本発
明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものでは
ない。たとえば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可
能なことは当業者に自明であろう。
複数の荷電粒子ビームを露光情報にしたがって独立にオ
ン/オフ制御して露光を行なうブランキングアパーチャ
アレイ方式において、簡単な構成で必要とされる莫大な
パターンデータを効率的に迅速に作成することができ
る。
ロック図である。
示す概略平面図および単位回路図である。
成を示すブロック図である。
すブロック図である。
る。
の例を示すブロック図である。
図である。
ある。図9(A)は単一矩形パターン、図9(B)は組
み合わせ矩形パターンを示す。
図である。
の例を示す概念図である。
面図である。
ック図である。
めの概略平面図およびグラフである。
説明するための概略平面図である。
Claims (6)
- 【請求項1】 m行×n列のビット行列を単位パターン
データとし、複数個の単位パターンデータを並列に準備
し、単位パターンデータ毎に、走査方向に対してほぼ垂
直に並んだn個の荷電粒子ビーム開閉手段に行単位でビ
ット情報を供給し、n個の荷電粒子ビームを各々独立に
オン/オフ制御して対象面上に照射し、対象面を列方向
に走査することによって2次元パターンを露光する方法
であって、 複数個のパターンをそれぞれnビットより広いビット幅
を有する2次元ビットマップとして記憶するパターンメ
モリからnビット幅の所望パターンを行方向ビット位置
を選択して読み出し、nビットの幅とmビットの長さを
有する単位パターンデータを作成する工程と、 前記単位パターンデータを順次前記n個の荷電粒子ビー
ム開閉手段に供給し、単位パターンデータ毎の露光を順
次行なう工程とを含む荷電粒子ビーム露光方法。 - 【請求項2】 前記単位パターンデータの作成は、矩形
パターン情報から復元した矩形パターンを読み出すこと
を含む請求項1記載の荷電粒子ビーム露光方法。 - 【請求項3】 前記復元した矩形パターンの読み出し
は、各行に関して前行に対して変化が生じる個所のみを
読みだすことを含み、前記単位パターンデータの作成は
各行について前行のデータを修正することを含む請求項
1ないし2記載の荷電粒子ビーム露光方法。 - 【請求項4】 m行×n列のビット行列を単位パターン
データとし、複数個の単位パターンデータを並列に準備
し、単位パターンデータを行単位で走査方向に対してほ
ぼ垂直に並んだn個の荷電粒子ビーム開閉手段に供給し
てn個の荷電粒子ビームを各々独立にオン/オフ制御し
て対象面上に照射し、対象面を列方向に走査することに
よって2次元パターンを露光する荷電粒子ビーム露光装
置であって、 走査方向に対して、ほぼ垂直に並び、各々独立に荷電粒
子ビームのオン/オフを制御できるn個のブランキング
アパーチャを有するブランキングアパーチャアレイと、 それぞれがmビット×nビットのデータを収納、転送で
きる容量を有し、前記ブランキングアパーチャアレイに
対してn個組の行データを順次供給することのできるデ
ータ転送手段と、 それぞれがmビット×nビットのデータを収納できる容
量を有し、前記各データ転送手段に複数個接続され、そ
れぞれ選択的に前記データ転送手段にデータ転送を行な
うことのできるデータ格納転送手段と、 前記各データ格納転送手段に接続され、パターン情報に
基づいて単位パターンデータを作成し、前記データ格納
転送手段に供給することのできるパターン発生手段であ
って、複数個のパターンデータを2次元ビットマップの
形で有するメモリと、前記メモリからパターンデータを
読み出し、所定ビット数行方向にずらすシフタとシフト
後の列単位のパターンデータをnビット幅格納すること
のできるデータ格納手段とを含むパターン発生手段とを
有する荷電粒子ビーム露光装置。 - 【請求項5】 前記シフタは1行分のビット情報をシフ
トする回路であり、前記データ格納手段はnビットの1
行のビット情報を格納する行データ格納手段とnビット
×mビットのビット情報を格納できる単位パターンデー
タ格納手段を含む請求項4記載の荷電粒子ビーム露光装
置。 - 【請求項6】 さらに、前記データ格納転送手段から格
納した最終行のパターンデータを前記行データ格納手段
へフィードバックするフィードバック手段を含み、前記
パターン発生手段が行単位のパターンデータに基づいて
行のビットマップ情報を提供する手段と、前記フイード
バックされた最終行のパターンデータに対して前記行の
ビットマップ情報を加算/減算する手段とを含む請求項
5記載の荷電粒子ビーム露光装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04060164A JP3121098B2 (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | 荷電粒子ビーム露光の方法と装置 |
US08/327,810 US5430304A (en) | 1992-03-17 | 1994-10-24 | Blanking aperture array type charged particle beam exposure |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04060164A JP3121098B2 (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | 荷電粒子ビーム露光の方法と装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05267135A JPH05267135A (ja) | 1993-10-15 |
JP3121098B2 true JP3121098B2 (ja) | 2000-12-25 |
Family
ID=13134245
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP04060164A Expired - Fee Related JP3121098B2 (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | 荷電粒子ビーム露光の方法と装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5430304A (ja) |
JP (1) | JP3121098B2 (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0786124A (ja) * | 1993-09-09 | 1995-03-31 | Fujitsu Ltd | 電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光方法 |
JPH07191199A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Fujitsu Ltd | 荷電粒子ビーム露光システム及び露光方法 |
US5546319A (en) * | 1994-01-28 | 1996-08-13 | Fujitsu Limited | Method of and system for charged particle beam exposure |
US5528048A (en) * | 1994-03-15 | 1996-06-18 | Fujitsu Limited | Charged particle beam exposure system and method |
JP3461076B2 (ja) * | 1995-12-28 | 2003-10-27 | 富士通株式会社 | 高速データ読み出し可能な荷電粒子ビーム露光装置及び方法 |
JPH11329322A (ja) * | 1998-05-11 | 1999-11-30 | Advantest Corp | 電子ビーム露光方法及び電子ビーム露光装置 |
JP2001015421A (ja) | 1999-07-01 | 2001-01-19 | Canon Inc | データ作成方法およびそれを用いた荷電粒子ビーム描画装置 |
US6768125B2 (en) * | 2002-01-17 | 2004-07-27 | Ims Nanofabrication, Gmbh | Maskless particle-beam system for exposing a pattern on a substrate |
US20040051053A1 (en) * | 2002-05-22 | 2004-03-18 | Barletta William A. | Universal pattern generator with multiplex addressing |
DE102004052994C5 (de) * | 2004-11-03 | 2010-08-26 | Vistec Electron Beam Gmbh | Multistrahlmodulator für einen Partikelstrahl und Verwendung des Multistrahlmodulators zur maskenlosen Substratsstrukturierung |
TWI323004B (en) * | 2005-12-15 | 2010-04-01 | Nuflare Technology Inc | Charged particle beam writing method and apparatus |
JP4995261B2 (ja) * | 2006-04-03 | 2012-08-08 | イーエムエス ナノファブリカツィオン アーゲー | パターン化ビームの総合変調を持つ粒子ビーム露光装置 |
JP6087570B2 (ja) * | 2012-10-15 | 2017-03-01 | キヤノン株式会社 | 描画装置、および物品の製造方法 |
US20150069260A1 (en) * | 2013-09-11 | 2015-03-12 | Ims Nanofabrication Ag | Charged-particle multi-beam apparatus having correction plate |
WO2015138130A1 (en) * | 2014-03-10 | 2015-09-17 | Applied Materials, Inc. | Pixel blending for multiple charged-particle beam lithography |
KR102389365B1 (ko) | 2014-06-13 | 2022-04-22 | 인텔 코포레이션 | E 빔 범용 커터 |
KR102373197B1 (ko) * | 2014-06-13 | 2022-03-11 | 인텔 코포레이션 | E 빔 비범용 커터 |
WO2015191103A1 (en) * | 2014-06-13 | 2015-12-17 | Intel Corporation | Data compression for ebeam throughput |
KR102459585B1 (ko) | 2014-08-19 | 2022-10-27 | 인텔 코포레이션 | E 빔 범용 커터를 이용한 교차 스캔 근접 보정 |
WO2016028335A1 (en) * | 2014-08-19 | 2016-02-25 | Intel Corporation | Corner rounding correction for electron beam (ebeam) direct write system |
JP6493049B2 (ja) * | 2015-07-16 | 2019-04-03 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画データ作成方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
KR102358009B1 (ko) | 2015-11-10 | 2022-02-04 | 삼성전자주식회사 | 빔 투사 장치 및 빔 투사 장치를 이용하여 빔을 투사하는 방법 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA1100237A (en) * | 1977-03-23 | 1981-04-28 | Roger F.W. Pease | Multiple electron beam exposure system |
US4980567A (en) * | 1988-03-30 | 1990-12-25 | Fujitsu Limited | Charged particle beam exposure system using line beams |
EP0404608B1 (en) * | 1989-05-19 | 1995-02-22 | Fujitsu Limited | Blanking aperture array, method of producing blanking aperture array, charged particle beam exposure apparatus and charged particle beam exposure method |
JP2523931B2 (ja) * | 1990-04-16 | 1996-08-14 | 富士通株式会社 | ブランキングアパ―チャアレ―の製造方法 |
EP0508151B1 (en) * | 1991-03-13 | 1998-08-12 | Fujitsu Limited | Charged particle beam exposure system and charged particle beam exposure method |
US5194741A (en) * | 1991-03-20 | 1993-03-16 | Fujitsu Limited | Method for writing a pattern on an object by a focused electron beam with an improved efficiency |
-
1992
- 1992-03-17 JP JP04060164A patent/JP3121098B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-10-24 US US08/327,810 patent/US5430304A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH05267135A (ja) | 1993-10-15 |
US5430304A (en) | 1995-07-04 |
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Date | Code | Title | Description |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081020 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081020 Year of fee payment: 8 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081020 Year of fee payment: 8 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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