JP6087570B2 - 描画装置、および物品の製造方法 - Google Patents
描画装置、および物品の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6087570B2 JP6087570B2 JP2012228446A JP2012228446A JP6087570B2 JP 6087570 B2 JP6087570 B2 JP 6087570B2 JP 2012228446 A JP2012228446 A JP 2012228446A JP 2012228446 A JP2012228446 A JP 2012228446A JP 6087570 B2 JP6087570 B2 JP 6087570B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- blanker
- charged particle
- timing
- supplied
- drawing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
- H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/045—Beam blanking or chopping, i.e. arrangements for momentarily interrupting exposure to the discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/043—Beam blanking
- H01J2237/0432—High speed and short duration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/043—Beam blanking
- H01J2237/0435—Multi-aperture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31761—Patterning strategy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
本発明の第1実施形態における描画装置100について、図1を参照して説明する。第1実施形態の描画装置100は、荷電粒子線を基板に照射してパターンを描画する描画部10と、描画部10の各部を制御する制御部30とで構成される。描画部10は、例えば、荷電粒子源11、コリメータレンズ12、第1アパーチャアレイ部材13、コンデンサーレンズ14、第2アパーチャアレイ部材15、ブランカアレイ16、ブランキングアパーチャ17、偏向器18および対物レンズアレイ19を含む。また、描画部10は、基板20を保持して移動可能な基板ステージ21を含む。
DX=−V×T+M×GX (Mは整数) ・・・(1)
時間間隔Tを時間TGX/aに設定した場合、ブランカアレイ16の各グループには、各荷電粒子線が寸法GXを走査する間に、a回に時分割して制御信号が供給される。例えば、図2において、ブランカアレイ16の第1グループ22aに制御信号が供給される第1タイミングから、第2グループ22bに制御信号が供給される第2タイミングまでに、荷電粒子線は走査方向(x方向)にGX/aだけ走査されてしまう。即ち、複数のグループにおけるグループの数aで前記走査方向における寸法GXを除した値(GX/a)が距離DXとなり、距離DXは式(2)によっても表される。ここで、式(2)におけるM×GXは、式(1)と同様に、サブアレイ15aの各グループにおいて、走査グリッドのx方向における寸法GXの倍数(整数倍)だけ走査方向に更にずらしても許容できることを意味する。第1実施形態のサブアレイでは、上述したように、Mは0に設定している。
DX=(M−1/a)×GX (Mは整数) ・・・(2)
上述したように、第1実施形態のサブアレイ15aは、ブランカアレイ16の複数のグループ22a〜23dに制御信号が供給されるタイミングの差に応じて、複数のグループ23a〜23dが走査方向に距離DXだけ互いにずらして配置されている。そして、このようにサブアレイ15aの各グループを配置することによって、サブアレイ15aの各グループで分割された荷電粒子線によって描画可能な基板上の領域24が走査方向の目標位置になるように補正することができる。
N2=K×L+1 (K、Lは自然数) ・・・(3)
BY=GY×K ・・・(4)
DP=(K×L+1)×GY=N2×GY ・・・(5)
式(3)を満たすKとLとを設定することによって、式(4)を用いてサブアレイ15aにおけるy方向の間隔BYを、および式(5)を用いて基板ステージ21の移動量DPを決定することができる。例えば、第1実施形態の描画装置100において、N=4、K=5、L=3、GY=5nmと設定した場合、間隔BYは25nmおよび基板ステージ21の移動量DPは80nmとなる。また、第1実施形態の描画装置100では、ストライプ幅SWは、2μmに設定されている。ここで、描画装置のスループットを向上させるためには、描画に利用されない領域、即ちストライプ領域SA以外の領域を少なくする必要がある。ストライプ領域SA以外の領域を少なくするには、サブアレイ15aにおける間隔BXを、N×By>Bxを満たすように小さくするとよい。
第2実施形態の描画装置について説明する。第2実施形態の描画装置は、第1実施形態の描画装置100と比較して、ブランカアレイ16における複数のブランカ16aの構成が異なる。図7は、第2実施形態の描画装置において、1つのサブアレイ15a(例えば4×4個の開口15bを有する)によって分割された荷電粒子線をそれぞれ偏向する複数のブランカ16aの構成を示す図である。複数のブランカ16aは、例えば、走査方向(x方向)に間隔BXだけ互いに離隔して配置された4つのグループ25a〜25dを含み、各グループは、y方向に4×BYの間隔で並んだ4つのブランカ16aを含む。また、第1実施形態における複数のブランカ16aの構成とは、ゲートドライバ45とデータドライバ46とが入れ替わっている。そして、第2実施形態の描画装置では、走査方向(x方向)に配列した複数のグループ25a〜25dに異なるタイミングで制御信号が供給される。
本発明の実施形態における物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の描画装置を用いて潜像パターンを形成する工程(基板に描画を行う工程)と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
Claims (17)
- 複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、
前記複数の荷電粒子線のうちの第1荷電粒子線、第2荷電粒子線のブランキングをそれぞれ制御する第1ブランカ、第2ブランカを含むブランカアレイと、
前記複数の荷電粒子線のうち前記ブランカアレイを通過してきた荷電粒子線を偏向して前記基板上で走査方向に走査させる偏向器と、
第1タイミングで前記第1ブランカに制御信号を供給し、前記第1タイミングと異なる第2タイミングで前記第2ブランカに制御信号を供給する制御部と、を含み、
前記第1タイミングと前記第2タイミングとの間の時間間隔は、前記偏向器によって1つの荷電粒子線で1つの画素の寸法が前記走査方向に走査される期間より短く、
前記走査方向における前記第1ブランカの位置と前記走査方向における前記第2ブランカの位置との間にずれがあり、前記ずれは、前記第1タイミングと前記第2タイミングとの間の前記時間間隔において前記偏向器によって前記荷電粒子線が走査される距離に相当する、ことを特徴とする描画装置。 - 前記複数の荷電粒子線を生成するための複数の開口が形成されたアパーチャアレイ部材を更に含み、
前記アパーチャアレイ部材における前記複数の開口の配置は、前記第1ブランカおよび前記第2ブランカの配置と整合している、ことを特徴とする請求項1に記載の描画装置。 - 前記第1ブランカおよび前記第2ブランカは、前記偏向器によって各荷電粒子線が走査される速度と前記時間間隔とに基づいた値だけ互いにずれて配置されている、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の描画装置。
- 前記ブランカアレイは、前記第1ブランカを有する第1グループおよび前記第2ブランカを有する第2グループを含む複数のグループを含み、少なくとも1つのブランカをそれぞれ含む複数のグループを含み、
前記第1グループおよび前記第2グループは、前記複数のグループにおけるグループの数で前記走査方向における画素ピッチを除した値の倍数だけ互いにずれて配置されている、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の描画装置。 - 前記第1ブランカおよび前記第2ブランカは、前記走査方向とは直交する方向に互いに離れて配置されている、ことを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれか1項に記載の描画装置。
- 前記第1ブランカおよび前記第2ブランカは、前記走査方向に互いに離れて配置されている、ことを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれか1項に記載の描画装置。
- 各ブランカと並列に接続されたコンデンサを含み、
前記コンデンサは、前記制御信号が供給されている期間に、該制御信号に応じて電荷を蓄積することにより、前記制御信号が供給されていない期間に、対応するブランカに印加される電圧を維持する、ことを特徴とする請求項1乃至6のうちいずれか1項に記載の描画装置。 - 前記第1ブランカおよび前記第2ブランカは、前記第1タイミングに前記第1荷電粒子線が前記基板に入射する前記走査方向における位置と前記第2タイミングに前記第2荷電粒子線が前記基板に入射する前記走査方向における位置とが同じになるように配置されている、
ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の描画装置。 - 前記ブランカアレイは、前記複数の荷電粒子線のうちの第3荷電粒子線のブランキングを制御する第3ブランカを含み、
前記制御部は、前記第1タイミングの後の前記第2タイミングで前記第2ブランカに前記制御信号を供給し、前記第1タイミングおよび前記第2タイミングの後の第3タイミングで前記第3ブランカに制御信号を供給し、
前記走査方向において、前記第1ブランカと前記第3ブランカとの距離は、前記第1ブランカと前記第2ブランカとの距離より大きい、
ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の描画装置。 - 前記第1ブランカおよび前記第2ブランカは、前記第1タイミングに前記第1荷電粒子線が前記基板に入射する前記走査方向における位置と前記第2タイミングに前記第2荷電粒子線が前記基板に入射する前記走査方向における位置とが異なるように配置されている、
ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の描画装置。 - 前記第1ブランカに前記制御信号を供給する第1期間と前記第2ブランカに前記制御信号を供給する第2期間とが重複しておらず、
前記第1期間と前記第2期間との和が、前記偏向器によって1つの荷電粒子線で1つの画素が前記走査方向に走査される期間より短かい、
ことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の描画装置。 - 前記第1ブランカに並列に接続された第1コンデンサおよび前記第2ブランカに並列に接続された第2コンデンサを更に含み、
前記第1期間は、前記第1コンデンサに電圧が供給される期間であり、前記第2期間は、前記第2コンデンサに電圧が供給される期間である、
ことを特徴とする請求項11に記載の描画装置。 - 前記第1コンデンサおよび前記第2コンデンサに供給される電圧は、共通の信号線を介して供給される、
ことを特徴とする請求項12に記載の描画装置。 - 前記第1ブランカおよび前記第2ブランカに信号を供給する共通の信号線を更に含み、
前記制御信号は、前記信号線を介して前記第1ブランカに信号が供給される前記第1タイミングを規定するように前記第1ブランカに供給される第1制御信号と、前記信号線を介して前記第2ブランカに信号が供給される前記第2タイミングを規定するように前記第2ブランカに供給される第2制御信号を含み、
前記第1ブランカに供給すべき信号が前記信号線に供給されている状態で前記第1制御信号が前記第1ブランカに供給され、
前記第2ブランカに供給すべき信号が前記信号線に供給されている状態で前記第2制御信号が前記第2ブランカに供給される、
ことを特徴とする請求項1乃至13のいずれか1項に記載の描画装置。 - 複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、
前記複数の荷電粒子線のうちの第1荷電粒子線、第2荷電粒子線のブランキングをそれぞれ制御する第1ブランカ、第2ブランカを含むブランカアレイと、
前記複数の荷電粒子線のうち前記ブランカアレイを通過してきた荷電粒子線を偏向して前記基板上で走査方向に走査させる偏向器と、を含み、
前記ブランカアレイは、前記第1ブランカおよび前記第2ブランカに供給すべき信号を伝達する共通の信号線と、前記共通の信号線に伝達された前記第1ブランカのための信号を第1タイミングで前記第1ブランカに供給させる第1制御信号線と、前記共通の信号線に伝達された前記第2ブランカのための信号を第2タイミングで前記第2ブランカに供給させる第2制御信号線と、を更に含み、
前記走査方向における前記第1ブランカの位置と前記走査方向における前記第2ブランカの位置との間にずれがあり、前記ずれは、前記第1タイミングと前記第2タイミングとの間の時間間隔において前記偏向器によって前記荷電粒子線が走査される距離に相当する、ことを特徴とする描画装置。 - 前記ブランカアレイは、前記第1ブランカを含む複数の第1ブランカを有する第1グループおよび前記第2ブランカを含む複数の第2ブランカを有する第2グループと含み、
前記ブランカアレイは、前記共通の信号線を含む複数の共通の信号線を含み、
前記複数の第1ブランカおよび前記複数の第2ブランカを制御するために提供される信号に基づいて、前記複数の共通の信号線にそれぞれ供給すべき複数の信号が生成される、
ことを特徴とする請求項15に記載の描画装置。 - 請求項1乃至16のうちいずれか1項に記載の描画装置を用いて基板に描画を行う工程と、
前記工程で描画を行われた前記基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012228446A JP6087570B2 (ja) | 2012-10-15 | 2012-10-15 | 描画装置、および物品の製造方法 |
US14/054,314 US9245715B2 (en) | 2012-10-15 | 2013-10-15 | Drawing apparatus, and method of manufacturing article |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012228446A JP6087570B2 (ja) | 2012-10-15 | 2012-10-15 | 描画装置、および物品の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014082289A JP2014082289A (ja) | 2014-05-08 |
JP2014082289A5 JP2014082289A5 (ja) | 2015-11-26 |
JP6087570B2 true JP6087570B2 (ja) | 2017-03-01 |
Family
ID=50475619
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012228446A Active JP6087570B2 (ja) | 2012-10-15 | 2012-10-15 | 描画装置、および物品の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9245715B2 (ja) |
JP (1) | JP6087570B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012055936A1 (en) * | 2010-10-26 | 2012-05-03 | Mapper Lithography Ip B.V. | Lithography system, modulation device and method of manufacturing a fiber fixation substrate |
NL2010760C2 (en) * | 2013-05-03 | 2014-11-04 | Mapper Lithography Ip Bv | Beam grid layout. |
JP2015035563A (ja) * | 2013-08-09 | 2015-02-19 | キヤノン株式会社 | 描画データの生成方法、処理装置、プログラム、描画装置、および物品の製造方法 |
KR102387713B1 (ko) | 2014-06-13 | 2022-04-19 | 인텔 코포레이션 | 즉각적인 e 빔 정렬 |
US10191376B2 (en) | 2014-08-19 | 2019-01-29 | Intel Corporation | Cross scan proximity correction with ebeam universal cutter |
TWI578364B (zh) | 2014-09-03 | 2017-04-11 | Nuflare Technology Inc | Inspection method of masking device with multiple charged particle beam |
JP6847886B2 (ja) * | 2018-03-20 | 2021-03-24 | 株式会社東芝 | 荷電粒子ビーム偏向デバイス |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0508151B1 (en) * | 1991-03-13 | 1998-08-12 | Fujitsu Limited | Charged particle beam exposure system and charged particle beam exposure method |
JP2751717B2 (ja) * | 1991-03-13 | 1998-05-18 | 富士通株式会社 | 荷電粒子ビーム露光方法及び荷電粒子ビーム露光装置 |
JP3121098B2 (ja) * | 1992-03-17 | 2000-12-25 | 富士通株式会社 | 荷電粒子ビーム露光の方法と装置 |
US5369282A (en) * | 1992-08-03 | 1994-11-29 | Fujitsu Limited | Electron beam exposure method and system for exposing a pattern on a substrate with an improved accuracy and throughput |
GB2408383B (en) * | 2003-10-28 | 2006-05-10 | Ims Nanofabrication Gmbh | Pattern-definition device for maskless particle-beam exposure apparatus |
GB2412232A (en) * | 2004-03-15 | 2005-09-21 | Ims Nanofabrication Gmbh | Particle-optical projection system |
GB2414111B (en) * | 2004-04-30 | 2010-01-27 | Ims Nanofabrication Gmbh | Advanced pattern definition for particle-beam processing |
GB2413694A (en) * | 2004-04-30 | 2005-11-02 | Ims Nanofabrication Gmbh | Particle-beam exposure apparatus |
JP4843679B2 (ja) * | 2005-10-28 | 2011-12-21 | カール ツァイス エスエムエス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 荷電粒子ビーム曝露システム |
EP2297766B1 (en) | 2008-06-04 | 2016-09-07 | Mapper Lithography IP B.V. | Writing strategy |
JP5744564B2 (ja) * | 2011-02-25 | 2015-07-08 | キヤノン株式会社 | 描画装置、描画方法、および、物品の製造方法 |
-
2012
- 2012-10-15 JP JP2012228446A patent/JP6087570B2/ja active Active
-
2013
- 2013-10-15 US US14/054,314 patent/US9245715B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9245715B2 (en) | 2016-01-26 |
JP2014082289A (ja) | 2014-05-08 |
US20140106279A1 (en) | 2014-04-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6087570B2 (ja) | 描画装置、および物品の製造方法 | |
CN103226292B (zh) | 描画方法和制造物品的方法 | |
JP3796317B2 (ja) | 電子ビーム露光方法及びそれを用いたデバイス製造方法 | |
US6784442B2 (en) | Exposure apparatus, control method thereof, and device manufacturing method | |
JP5744564B2 (ja) | 描画装置、描画方法、および、物品の製造方法 | |
JP3728015B2 (ja) | 電子ビーム露光システム及びそれを用いたデバイス製造方法 | |
US8759797B2 (en) | Drawing apparatus, drawing method, and method of manufacturing article | |
US6274877B1 (en) | Electron beam exposure apparatus | |
US20130078577A1 (en) | Charged particle beam drawing apparatus, drawing data generation method, drawing data generation program storage medium, and article manufacturing method | |
JP2013016744A (ja) | 描画装置及びデバイスの製造方法 | |
US9171698B2 (en) | Drawing apparatus, and method of manufacturing article | |
JP2007329220A (ja) | マルチビーム荷電粒子線装置及びマルチビーム荷電粒子線の制御方法およびデバイス製造方法 | |
US20150311035A1 (en) | Lithography apparatus, and method of manufacturing an article | |
US9001387B2 (en) | Drawing apparatus, data processing method, and method of manufacturing article that transform partially overlapping regions using different transformation rules | |
JP6193611B2 (ja) | 描画装置、及び物品の製造方法 | |
US20130344443A1 (en) | Lithography apparatus, and method of manufacture of product | |
KR20140130029A (ko) | 묘화 장치 및 물품의 제조 방법 | |
US20160118221A1 (en) | Lithography system and method of manufacturing articles | |
JP3913250B2 (ja) | 電子ビーム露光装置とその露光方法 | |
US20150303025A1 (en) | Lithography apparatus, and method of manufacturing an article | |
JPH09330870A (ja) | 電子ビーム露光装置及びその露光方法 | |
JP4143204B2 (ja) | 荷電粒子線露光装置及び該装置を用いたデバイス製造方法 | |
JP3976835B2 (ja) | 電子ビーム露光方法及び電子ビーム露光装置 | |
JP2014110307A (ja) | 描画装置、および、物品の製造方法 | |
JP2004153294A (ja) | 電子ビーム露光装置、電子ビーム露光方法、および、デバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151007 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151007 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160620 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160701 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160826 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170106 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170202 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6087570 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |