JP6193611B2 - 描画装置、及び物品の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、描画装置、及び物品の製造方法に関する。

電子線などの荷電粒子線を用いた描画装置においては、基板上の各ショット領域に形成されたパターン（以下、「ショットパターン」と称する）に対して新たなパターンを重ね合わせて描画する重ね合わせ描画が行われている（特許文献１参照）。

重ね合わせ描画では、まず、複数のショットパターンの設計上の配列座標値に基づいて基板を移動させて、複数のショットパターンのうち幾つかのショットパターンを基準位置に位置合わせしたときの各位置を実測（計測）する。次いで、ショットパターンの設計上の配列座標値と、位置合わせすべき実際の配列座標値とが所定の誤差を含んで一義的な関係にあると仮定して、複数の実測値と位置合わせすべき実際の配列座標値との平均的な偏差が最小になるように誤差パラメータを決定する。そして、誤差パラメータ及びショットパターンの設計上の配列座標値に基づいて、ショットパターンの実際の配列座標値を求め、かかる実際の配列座標値に応じて基板を位置決めして新たなパターンの描画を行う。

このような重ね合わせ描画においては、ショットパターンの実際の配列座標値とともに、ショットパターンの歪み（伸縮や回転など）も計測される。ショットパターンの歪みは、パターンを形成する際の描画装置などのリソグラフィ装置の要因で発生する場合や、パターンを形成する際の熱プロセスに起因する基板の変形で発生する場合がある。

図５（ａ）は、基板ＳＢに形成された５行×５列のショットパターンの配列を示す図である。ここでは、実際のショットパターンＳＰを実線で示し、設計上のショットパターンＳＰ’を破線で示している。このような基板ＳＢ（実際のショットパターンＳＰ）に対して、複数の荷電粒子光学系ＣＰ１、ＣＰ２及びＣＰ３を有する描画装置で重ね合わせ描画を行う様子を図５（ｂ）に示す。図５（ｂ）を参照するに、荷電粒子光学系ＣＰ１乃至ＣＰ３のそれぞれは、基板ＳＢに対して５行×５列の荷電粒子線を射出する。そして、荷電粒子光学系ＣＰ１、ＣＰ２及びＣＰ３に対して、基板ＳＢを保持したステージを上方向に移動させることで、荷電粒子光学系ＣＰ１、ＣＰ２及びＣＰ３のそれぞれがストライプ状の領域Ｓ１、Ｓ２及びＳ３を描画（ストライプ描画）する。このようなストライプ描画では、各荷電粒子光学系の基板の移動方向に配列された荷電粒子線は、基板の同一の位置を多重に照射し、その照射のオン／オフによって基板上の荷電粒子線の照射量が制御される。

荷電粒子光学系は、荷電粒子線を偏向する偏向器を有し、かかる偏向器は、基板上での複数の荷電粒子線（によって規定される描画領域）の位置を一括して調整する。ストライプ描画では、基板上のショットパターンの実際の位置に基づいて、各荷電粒子光学系の描画領域の位置を偏向器で調整しながら、ショットパターンに新たなパターンを重ね合わせて描画している。

特開昭６２−１４４３２３号公報

しかしながら、重ね合わせ描画においては、荷電粒子光学系の描画領域が基板の移動方向に隣接するショットパターンを跨ぐ（即ち、隣接する２つのショットパターンの両方に位置する）場合、以下のような問題を生じてしまう。基板上の各ショットパターンは、実際には、設計上の配列座標に沿って規則的に配列されているとは限らない（即ち、各ショットパターンで位置がずれている）ため、各ショットパターンに対して描画領域の位置を調整（補正）しながら描画を行う必要がある。但し、荷電粒子光学系の描画領域が基板の移動方向に隣接するショットパターンを跨ぐ場合には、一方のショットパターンに対してしか荷電粒子光学系の描画領域の位置を補正することができない。従って、先のショットパターンに対する描画が完了するまで、次のショットパターンに対する描画を行うことができない。そのため、先のショットパターンに対する描画が完了した後、基板の移動方向に配列された荷電粒子線に応じた距離（描画領域における基板の移動方向に沿った長さ）だけ基板を逆方向に移動させて次のショットパターンに対する描画を行わなければならない。その結果、基板を保持するステージを不連続に移動させることになる（即ち、ステージを一方向に連続的に移動させることができなくなる）ため、ステージの移動に時間を要し、スループットが低下してしまう。また、ステージの移動が複雑になるため、ステージの位置制御の再現性が低下し、荷電粒子線と基板との相対的な位置合わせ精度も低下してしまう。

本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、複数の荷電粒子線で基板に重ね合わせ描画を行うのに有利な描画装置を提供することを例示的目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の一側面としての描画装置は、荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、前記基板を保持して移動するステージと、前記基板上における第１方向に沿って配列された複数の荷電粒子線を射出し、且つ、前記複数の荷電粒子線の少なくとも一部をブランキングする機能と、前記複数の荷電粒子線を偏向して前記基板上における前記複数の荷電粒子線を変位させる機能とを有する荷電粒子光学系と、前記第１方向に沿って形成された複数のショット領域に関して、前記第１方向において前記ステージの一方向の移動が連続的に行われ、前記一方向の移動中に前記基板上の目標部位に対して前記複数の荷電粒子線が選択的に多重に照射されるように前記ステージおよび前記荷電粒子光学系の制御を行う制御部と、を有し、前記制御部は、前記複数の荷電粒子線の少なくとも一部による前記複数のショット領域のうちの第１ショット領域の描画中に前記第１方向とは逆方向における前記偏向がなされ、前記第１ショット領域の描画中に前記ステージの移動に伴って前記複数のショット領域のうちの第２ショット領域に位置する前記複数の荷電粒子線のうちの荷電粒子線をブランキングし、且つ前記複数の荷電粒子線の前記少なくとも一部による前記第１ショット領域の描画を終了した後に前記第１方向における前記偏向を行って前記複数の荷電粒子線の少なくとも一部による前記第２ショット領域の描画を開始するように、前記制御を行う、ことを特徴とする。

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。

本発明によれば、例えば、複数の荷電粒子線で基板に重ね合わせ描画を行うのに有利な描画装置を提供することができる。

本発明の一側面としての描画装置の構成を示す概略図である。 図１に示す描画装置の荷電粒子光学系の構成を示す概略図である。 図１に示す描画装置における描画処理を説明するための図である。 図１に示す描画装置における描画処理を説明するための図である。 重ね合わせ描画におけるストライプ描画を説明するための図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。

図１は、本発明の一側面としての描画装置１の構成を示す概略図である。描画装置１は、荷電粒子線で基板に描画を行うリソグラフィ装置であって、本実施形態では、複数の荷電粒子光学系のそれぞれから射出される複数の荷電粒子線を用いて基板にパターンを描画する。ここで、荷電粒子線は、電子線に限定されるものではなく、例えば、イオンビームなどであってもよい。

描画装置１は、複数の荷電粒子光学系（本実施形態では、３つの荷電粒子光学系、即ち、第１荷電粒子光学系１００Ａ、第２荷電粒子光学系１００Ｂ及び第３荷電粒子光学系１００Ｃ）と、基板ステージ１１と、位置検出系１２とを有する。また、描画装置１は、ブランキング制御部１３と、処理部１４と、偏向器制御部１５と、位置検出処理部１６と、ステージ制御部１７と、第１記憶部１８と、データ変換部１９と、第２記憶部２０と、主制御部２１とを有する。

第１荷電粒子光学系１００Ａ、第２荷電粒子光学系１００Ｂ及び第３荷電粒子光学系１００Ｃのそれぞれは、複数の荷電粒子線を射出する。また、第１荷電粒子光学系１００Ａ、第２荷電粒子光学系１００Ｂ及び第３荷電粒子光学系１００Ｃのそれぞれは、複数の荷電粒子線の少なくとも一部をブランキングする機能を有する。更に、第１荷電粒子光学系１００Ａ、第２荷電粒子光学系１００Ｂ及び第３荷電粒子光学系１００Ｃのそれぞれは、複数の荷電粒子線を偏向して基板上における複数の荷電粒子線を変位させる機能を有する。

図２は、第１荷電粒子光学系１００Ａ、第２荷電粒子光学系１００Ｂ及び第３荷電粒子光学系１００Ｃとして適用可能な荷電粒子光学系１００の構成を示す概略図である。荷電粒子光学系１００は、荷電粒子源１０１と、コリメータレンズ１０２と、ブランキングアパーチャアレイ１０３と、静電型レンズ１０４と、磁界型レンズ１０５と、対物レンズ１０６と、偏向器１０７とを含む。

荷電粒子源１０１は、例えば、ＬａＢ_６やＢａＯ／Ｗ（ディスペンサカソード）などを荷電粒子線放出材として含む熱電子型の荷電粒子源である。コリメータレンズ１０２は、電界によって荷電粒子線を収束させる静電型レンズである。荷電粒子源１０１から放射された荷電粒子線は、コリメータレンズ１０２を介して、略平行な荷電粒子線となる。

ブランキングアパーチャアレイ１０３は、コリメータレンズ１０２からの略平行な荷電粒子線を、２次元に配列された開孔（不図示）で複数の荷電粒子線に分割する。また、ブランキングアパーチャアレイ１０３は、複数の荷電粒子線のそれぞれを個別に駆動可能な静電型のブランキング偏向器（不図示）を含み、複数の荷電粒子線のそれぞれの基板への照射と非照射とを切り替える。なお、荷電粒子線のブランキング（非照射）は、上述したように偏向器を含む構成によって行いうるが、それ以外の公知の構成によって行ってもよい。

静電型レンズ１０４及び磁界型レンズ１０５は、協同して、ブランキングアパーチャアレイ１０３の複数の開孔の中間像を形成する。対物レンズ１０６は、磁界型レンズであって、複数の開孔の中間像を基板に投影する。偏向器１０７は、ブランキングアパーチャアレイ１０３からの複数の荷電粒子線を一括して所定の方向に偏向して、複数の荷電粒子線によって規定される描画領域ＥＡの位置を変更する。

図１に戻って、基板ステージ１１は、基板１０を保持して移動する。基板ステージ１１は、例えば、荷電粒子光学系１００の光軸と直交するＸ−Ｙ平面（水平面）内で移動可能なＸ−Ｙステージと、基板１０を保持する（引き付ける）ための静電チャックとを含む。また、基板ステージ１１には、荷電粒子線が入射する開口パターンを含み、荷電粒子線の位置を検出する検出器が配置されている。

位置検出系（検出部）１２は、基板１０の上に形成されたマーク（例えば、アライメントマーク）にレジスト（感光剤）が感光しない波長の光を照射する照射系と、マークで正反射された光の像を撮像する撮像素子とを含み、マークの位置を検出する。

ブランキング制御部１３は、第１荷電粒子光学系１００Ａ、第２荷電粒子光学系１００Ｂ及び第３荷電粒子光学系１００Ｃのそれぞれのブランキングアパーチャアレイ１０３を個別に制御する。処理部１４は、バッファメモリやデータ処理回路を含み、第１荷電粒子光学系１００Ａ、第２荷電粒子光学系１００Ｂ及び第３荷電粒子光学系１００Ｃのそれぞれの制御データを生成する。

偏向器制御部１５は、第１荷電粒子光学系１００Ａ、第２荷電粒子光学系１００Ｂ及び第３荷電粒子光学系１００Ｃのそれぞれの偏向器１０７を個別に制御する。位置検出処理部１６は、位置検出系１２からの出力（検出結果）に基づいて、ショットパターンの実際の座標値（位置）及びショットパターンの歪みを特定（算出）する。ステージ制御部１７は、基板ステージ１１の位置を計測するレーザ干渉計（不図示）と協同して、基板ステージ１１の位置決めを制御する。

第１記憶部１８は、基板１０に描画すべきパターンに対応する設計図形データを記憶するメモリである。データ変換部１９は、第１記憶部１８に記憶された設計図形データを、描画装置１で設定されている幅のストライプ単位に分割して、描画処理を容易に行えるようにするための中間図形データに変換する。第２記憶部２０は、中間図形データを記憶するメモリである。

主制御部２１は、ＣＰＵやメモリなどを含み、描画装置１の全体（各部）を制御する。主制御部２１は、基板１０に描画すべきパターンに応じて、中間図形データを処理部１４（のバッファメモリ）に転送し、上述した描画装置１の各部を介して、描画装置１を統括的に制御する。また、本実施形態では、ブランキング制御部１３、処理部１４、偏向器制御部１５、位置検出処理部１６、ステージ制御部１７、第１記憶部１８、データ変換部１９及び第２記憶部２０が個別に構成されているが、これらの機能を主制御部２１が有してもよい。

図３（ａ）乃至図３（ｃ）は、描画装置１における描画処理を説明するための図である。図３（ａ）は、荷電粒子光学系１００から射出され、基板上の描画領域ＥＡを規定する複数の荷電粒子線の配列の一例を示す図である。本実施形態では、複数の荷電粒子線は、５行×２０列の荷電粒子線で構成され、列ピッチに対して行ピッチが２倍になっている。このように、荷電粒子光学系１００は、第１方向（列方向）及び第１方向に直交する第２方向（行方向）に配列された複数の荷電粒子線を射出する。基板ステージ１１の移動方向は、図３（ａ）で矢印に示すように、紙面の上から下に向かう方向とする。

ここで、主制御部２１は、基板ステージ１１を連続的に移動させながら、基板上の同一の位置に対して、列方向に配列された複数の荷電粒子線のそれぞれを照射するか否かを制御することで描画を行う。換言すれば、主制御部２１は、基板上の目標部位に対して複数の荷電粒子線を多重に照射するように描画を制御する。図３（ａ）に示す対象荷電粒子線列で、基板上の位置（Ｐｏｓｉｔｉｏｎ）Ｐ１乃至Ｐ６と、基板上の位置Ｐ１乃至Ｐ６のそれぞれにおける荷電粒子線の照射量（露光量（Ｄｏｓｅ））との関係が図３（ｂ）に示す関係となるように、基板に描画を行う場合を考える。全ての荷電粒子線は同一のクロックで基板に照射され、対象荷電粒子線列の各行をｊ、ｋ、ｌ、ｍ、ｎとし、基板ステージ１１は単位クロック当たりに行ピッチ分移動する速度で列方向に連続的に移動させるものとする。

この場合、対象荷電粒子線列の各行（ｊ乃至ｎ）の荷電粒子線の単位クロック当たりのオン／オフ（即ち、基板に荷電粒子線を照射するか否か）を、図３（ｃ）に示すように設定（制御）すると、図３（ｂ）に示すような関係が得られる。図３（ｃ）において、点線は、基板上の各位置（Ｐ１乃至Ｐ６）に照射される各行（ｊ乃至ｎ）の荷電粒子線のオン（四角）／オフ（無印）を表す信号に相当する。これは、基板ステージ１１が、単位クロックの２個分で、対象荷電粒子線列の各行（ｊ乃至ｎ）のピッチ分移動するからである。図３（ｂ）に示す関係は、単位クロック２個分ずらしたｊ、ｋ、ｌ、ｍ、ｎの荷電粒子線の照射量を加算したものであり、列方向に配列された荷電粒子線が照射量の階調を制御するため、列方向に配列された全ての荷電粒子線が描画を終了しないと得られない。

図４（ａ）乃至図４（ｃ）を参照して、描画装置１において、基板ステージ１１の移動方向に沿って隣接する基板上の第１ショット領域ＳＨ１及び第２ショット領域ＳＨ２のそれぞれに順に描画を行う場合について説明する。基板ステージ１１は、図４（ａ）に示すように、紙面下方向に連続的に移動させるものとする。また、第１ショット領域ＳＨ１及び第２ショット領域ＳＨ２のそれぞれにおける基板ステージ１１の移動方向の長さをＳとする。

図４（ａ）の左図は、基板上の第１ショット領域ＳＨ１（に形成された第１ショットパターン）に重ね合わせ描画を行う場合を示している。描画領域ＥＡｓは、第１ショット領域ＳＨ１における描画を開始するときの複数の荷電粒子線ＣＢによって規定される描画領域である。描画領域ＥＡｓは、第１ショット領域ＳＨ１（第１ショットパターン）の実際の位置に基づいて、偏向器１０７によって複数の荷電粒子線ＣＢを基板ステージの移動方向及びそれに直交する方向のそれぞれに偏向することで位置決めされる。具体的には、複数の荷電粒子線ＣＢのうち最も基板ステージ１１の移動方向の反対側に位置する荷電粒子線（第２荷電粒子線）ＣＢ１が第１ショット領域ＳＨ１における端部ＥＰ１に位置するように、描画領域ＥＡｓは位置決めされる。なお、第１ショット領域ＳＨ１の実際の位置は、第１ショット領域ＳＨ１に形成されたアライメントマークを位置検出系１２で検出した検出結果に基づいて特定することができる。また、基板ステージ１１の移動方向に直交する方向に関しては、基板ステージ１１を移動させることで複数の荷電粒子線ＣＢを位置決め（複数の荷電粒子線ＣＢの位置を調整）してもよい。図４（ａ）において、黒丸で示す荷電粒子線は、基板１０に照射可能な荷電粒子線を示し、白丸で示す荷電粒子線は、基板１０への照射を停止（禁止）する荷電粒子線を示している。

描画領域ＥＡｍは、第１ショット領域ＳＨ１の描画中の描画領域であり、描画領域ＥＡｍを規定する全ての荷電粒子線ＣＢは第１ショット領域ＳＨ１に位置している。そして、複数の荷電粒子線ＣＢのうち第１ショット領域ＳＨ１の描画中に基板ステージ１１の移動に応じて第２ショット領域ＳＨ２に位置する荷電粒子線の照射を停止する。

描画領域ＥＡｅは、第１ショット領域ＳＨ１における描画を終了するときの複数の荷電粒子線ＣＢによって規定される描画領域である。複数の荷電粒子線ＣＢのうち最も基板ステージ１１の移動方向に位置する荷電粒子線（第１荷電粒子線）ＣＢ２が第１ショット領域ＳＨ１における第２ショット領域ＳＨ２の側の端部ＥＰ２に位置している。また、複数の荷電粒子線ＣＢのうち荷電粒子線ＣＢ２を除く荷電粒子線は、第２ショット領域ＳＨ２に位置している。

図４（ａ）の右図は、基板上の第２ショット領域ＳＨ２（に形成された第１ショットパターン）に重ね合わせ描画を行う場合を示している。荷電粒子線ＣＢ２が第１ショット領域ＳＨ１における端部Ｐ２に位置した後、第２ショット領域ＳＨ２の描画を開始するまでの間にも、基板ステージ１１は連続的に移動している。従って、図４（ａ）の右図に示すように、第２ショット領域ＳＨ２の描画を開始するときに、荷電粒子線ＣＢ１が第２ショット領域ＳＨ２における第１ショット領域ＳＨの側の端部ＥＰ３に位置するように、描画領域ＥＡｓ’を位置決めする必要がある。この際、本実施形態では、基板ステージ１１を逆方向に移動させるのではなく、偏向器１０７によって複数の荷電粒子線ＣＢを基板ステージ１１の移動方向に偏向する。例えば、第２ショット領域ＳＨ１の描画を開始するときに、描画領域ＥＡの基板ステージ１１の移動方向（第１方向）の長さ分（図４（ａ）に示す長さＢ）だけ偏向器１０７によって複数の荷電粒子線ＣＢを基板ステージ１１の移動方向に偏向する。これにより、荷電粒子線ＣＢ１を第２ショット領域ＳＨ２における第１ショット領域ＳＨの側の端部ＥＰ３に位置させることができる。また、第２ショット領域ＳＨ２（第２ショットパターン）の実際の位置に基づいて、偏向器１０７によって複数の荷電粒子線ＣＢを基板ステージ１１の移動方向及びそれに直交する方向のそれぞれに偏向することで位置決めするとよい。なお、第２ショット領域ＳＨ２の実際の位置は、第２ショット領域ＳＨ２に形成されたアライメントマークを位置検出系１２で検出した検出結果に基づいて特定することができる。但し、基板ステージ１１の移動方向に直交する方向に関しては、基板ステージ１１を移動させることで複数の荷電粒子線ＣＢを位置決め（複数の荷電粒子線ＣＢの位置を調整）してもよい。

図４（ｂ）は、基板上の第１ショット領域ＳＨ１及び第２ショット領域ＳＨ２のそれぞれに順に描画を行う場合における荷電粒子線ＣＢ１の基板上の位置を実線で示している。図４（ｂ）では、縦軸に基板上の位置を採用し、横軸に時刻を採用している。図４（ｂ）には、連続的に移動する基板ステージ１１に対する荷電粒子光学系１００の基準位置を点線で示している。また、偏向器１０７による荷電粒子線ＣＢの偏向の量を、図４（ｃ）に示すように、即ち、鋸歯状に変化するように設定することで、図４（ｂ）に実線で示すような荷電粒子線ＣＢ１の軌跡を得ることができる。

図４（ａ）に示すように、複数の荷電粒子線ＣＢのうち第１ショット領域ＳＨ１の描画中に基板ステージ１１の移動に伴って第２ショット領域ＳＨ２に位置する荷電粒子線をブランキングする。そして、複数の荷電粒子線による第１ショット領域ＳＨ１の描画を終了した後に基板ステージ１１の移動方向における複数の荷電粒子線の偏向を行って第２ショット領域ＳＨ１の描画を開始するように、描画を制御する。

本実施形態では、基板ステージがショット領域の基板ステージの移動方向の長さ（Ｓ）分移動する間に、偏向器１０７によって複数の荷電粒子線を基板ステージの移動方向に偏向させて描画領域の位置を変更している。この際、複数の荷電粒子線は、描画領域の基板ステージの移動方向の長さ（Ｂ）分だけ付加させて偏向される。換言すれば、第１ショット領域ＳＨ１の描画の終了から第２ショット領域ＳＨ２の描画の開始までの間に、基板ステージ１１の移動方向に複数の荷電粒子線を変位させている。なお、複数の荷電粒子線は、複数の荷電粒子線の基板ステージ１１の移動方向における長さに基づく変位量だけ変位させる。この際、複数の荷電粒子線は、基板上における第２ショット領域ＳＨ２の位置にも基づく変位量だけ変位させてもよい。

このように、描画装置１では、基板ステージ１１を一方向に連続的に移動させながら（即ち、ステージを不連続に移動させることなく）、基板ステージ１１の移動方向に沿って隣接する基板上のショット領域のそれぞれに順に描画を行うことができる。これにより、描画装置１は、スループットや基板ステージ１１の位置制御の再現性が低下することなく、荷電粒子線と基板１０との相対的な位置合わせ精度を高い精度で維持することができる。

また、本実施形態では、基板上の１つのショット領域の描画を単位として説明したが、描画装置１における描画の単位はショット領域に限定されるものではない。例えば、基板上のチップ領域を描画の単位としてもよい。

描画装置１は、複数の荷電粒子線で基板に重ね合わせ描画を行うのに有利であるため、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に描画装置１を用いて潜像パターンを形成する工程（基板に描画を行う工程）と、かかる工程で潜像パターンを形成された基板を現像する工程（描画を行われた基板を現像する工程）とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。

Claims (8)

1. 荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、
   前記基板を保持して移動するステージと、
   前記基板上における第１方向に沿って配列された複数の荷電粒子線を射出し、且つ、前記複数の荷電粒子線の少なくとも一部をブランキングする機能と、前記複数の荷電粒子線を偏向して前記基板上における前記複数の荷電粒子線を変位させる機能とを有する荷電粒子光学系と、
   前記第１方向に沿って形成された複数のショット領域に関して、前記第１方向において前記ステージの一方向の移動が連続的に行われ、前記一方向の移動中に前記基板上の目標部位に対して前記複数の荷電粒子線が選択的に多重に照射されるように前記ステージおよび前記荷電粒子光学系の制御を行う制御部と、を有し、
   前記制御部は、前記複数の荷電粒子線の少なくとも一部による前記複数のショット領域のうちの第１ショット領域の描画中に前記第１方向とは逆方向における前記偏向がなされ、前記第１ショット領域の描画中に前記ステージの移動に伴って前記複数のショット領域のうちの第２ショット領域に位置する前記複数の荷電粒子線のうちの荷電粒子線をブランキングし、且つ前記複数の荷電粒子線の前記少なくとも一部による前記第１ショット領域の描画を終了した後に前記第１方向における前記偏向を行って前記複数の荷電粒子線の少なくとも一部による前記第２ショット領域の描画を開始するように、前記制御を行う、ことを特徴とする描画装置。
2. 前記制御部は、前記第１ショット領域の描画の終了から前記第２ショット領域の描画の開始までの間に、前記基板上において、前記複数の荷電粒子線の前記第１方向における長さに基づく変位量だけ前記ステージの移動方向に前記複数の荷電粒子線が変位するように、前記制御を行う、ことを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
3. 前記制御部は、前記基板上における前記第２ショット領域の位置にも基づく前記変位量だけ前記複数の荷電粒子線が変位するように、前記制御を行う、ことを特徴とする請求項２に記載の描画装置。
4. 前記制御部は、前記第１ショット領域の描画の終了から前記第２ショット領域の描画の開始までの間に、前記第１方向に直交する第２方向に前記基板上において前記複数の荷電粒子線が変位するように、前記基板上における前記第２ショット領域の位置に基づいて前記制御を行う、ことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の描画装置。
5. 前記制御部は、前記第２方向における前記基板上での前記複数の荷電粒子線の変位が前記荷電粒子光学系の前記偏向の機能及び前記ステージの変位の少なくとも一方によりなされるように、前記制御を行う、ことを特徴とする請求項４に記載の描画装置。
6. 前記複数のショット領域それぞれの位置を得るために前記基板に形成されたマークを検出する検出部を有する、ことを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の描画装置。
7. 前記制御部は、前記第１ショット領域の描画を開始してから前記第２ショット領域の描画を開始するまでの間に前記第１方向における前記偏向の量が鋸歯状に変化するように、前記制御を行う、ことを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の描画装置。
8. 請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の描画装置を用いて基板に描画を行う工程と、
   前記工程で描画を行われた前記基板を現像する工程と、
   を有することを特徴とする物品の製造方法。

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