CN104134605B - 绘制装置和半导体器件的制造方法 - Google Patents

绘制装置和半导体器件的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种绘制装置和物品的制造方法，所述绘制装置用于利用带电粒子束在基板上执行绘制，包括：台架，被配置为保持所述基板并且被移动；带电粒子光学系统，被配置为照射沿着第一轴排列的多个带电粒子束；以及控制器，被配置为控制绘制，以便利用所述多个带电粒子束对基板上的目标部分执行多次照射，其中，所述控制器被配置为控制绘制，使得相对于基板上沿着所述第一轴形成的多个区域所述台架沿着所述第一轴在一个方向上移动，并且相对于所述多个区域中的每一个上的绘制执行对于带电粒子束沿着所述第一轴的移位的带电粒子束的偏转。

Description

绘制装置和半导体器件的制造方法
技术领域
本发明涉及绘制装置和物品的制造方法。
背景技术
使用诸如电子束的带电粒子束的绘制装置执行覆盖绘制(overlay drawing)(参见日本专利公开No.S62-144323)，该覆盖绘制在基板的每个射击区域(shot region)中所形成的图案(以下称为“射击图案”)上绘制覆盖的新图案。
在覆盖绘制中，首先，基于多个射击图案的设计的阵列坐标值来移动基板，并且实际测量当所述多个射击图案中的一些射击图案对准到基准位置时的位置。接着，假定射击图案的设计的阵列坐标值和要对准的实际阵列坐标值具有包括预定误差的唯一关系，则确定误差参数，使得所述多个测量值和要对准的实际阵列坐标值之间的平均偏差最小。基于误差参数和射击图案的设计的阵列坐标值来获得射击图案的实际阵列坐标值。根据实际阵列坐标值来定位基板，并且绘制新图案。
在这种覆盖绘制中，不仅测量射击图案的实际阵列坐标值，还测量射击图案的失真(例如，扩张/收缩和旋转)。射击图案的失真是由于形成图案时诸如绘制装置的光刻装置的因素、或者由于形成图案时由热处理所引起的基板的变形而发生的。
图5A是示出形成在基板SB上的5(行)×5(列)的射击图案的阵列的示图。实际的射击图案SP由实线来指示，并且设计的射击图案SP′由虚线来指示。图5B示出通过包括多个带电粒子光学系统CP1、CP2和CP3的绘制装置对基板SB(实际的射击图案SP)执行覆盖绘制的状态。参照图5B，带电粒子光学系统CP1～CP3中的每一个向基板SB发射5(行)×5(列)的带电粒子束。当保持基板SB的台架相对于带电粒子光学系统CP1、CP2和CP3向上侧移动时，带电粒子光学系统CP1、CP2和CP3分别绘制条带(stripe)区域S1、S2和S3(条带绘制)。在该条带绘制中，通过在基板移动方向上排列的带电粒子光学系统的带电粒子束来对基板的同一位置执行多次照射。对该照射进行开启/关闭控制，由此控制基板上的带电粒子束的照射剂量。
每个带电粒子光学系统包括被配置为使带电粒子束偏转的偏转器。该偏转器一起调整基板上的多个带电粒子束(所限定的绘制区域)的位置。在条带绘制中，在基于基板上的射击图案的实际位置通过偏转器调整带电粒子光学系统的绘制区域的位置的同时，在射击图案上覆盖并绘制新图案。
然而，在覆盖绘制中，当带电粒子光学系统的绘制区域扩展到(extend over)在基板移动方向上相邻的射击图案(即，位于两个相邻的射击图案上)时，出现以下问题。实际上，基板上的射击图案不总是沿着设计的阵列坐标周期性地排列(即，射击图案的位置偏移)。因此，需要在相对于射击图案调整(校正)绘制区域的位置的同时执行绘制。然而，当带电粒子光学系统的绘制区域扩展到在基板移动方向上相邻的射击图案时，可以相对于射击图案中的仅一个校正带电粒子光学系统的绘制区域的位置。因而，在针对前一射击图案的绘制完成之前，不能执行针对下一射击图案的绘制。由于该原因，在针对前一射击图案的绘制完成之后，基板需要在相反的方向上移动与在基板移动方向上排列的带电粒子束相对应的距离(绘制区域中的沿着基板移动方向的长度)，以针对下一射击图案执行绘制。结果，由于保持基板的台架断续地移动(即，台架不能在一个方向上连续移动)，因此，台架移动花费时间，并且吞吐量降低。另外，由于台架移动复杂，因此，台架位置控制的可再现性降低，并且带电粒子束和基板之间的相对对准的精度也降低。
发明内容
本发明提供例如在利用多个带电粒子束在基板上执行绘制时的覆盖精度和吞吐量方面有利的绘制装置。
根据本发明的第一方面，提供一种绘制装置，用于利用带电粒子束在基板上执行绘制，所述绘制装置包括：台架，被配置为保持所述基板并且被移动；带电粒子光学系统，其具有照射沿着第一轴排列的多个带电粒子束并且使所述多个带电粒子束的至少一部分消隐的功能，并且具有使所述多个带电粒子束偏转以执行所述多个带电粒子束在基板上的移位的功能；以及控制器，被配置为控制绘制，以便利用所述多个带电粒子束对基板上的目标部分执行多次照射，其中，所述控制器被配置为控制绘制，使得相对于基板上沿着所述第一轴形成的多个区域所述台架沿着所述第一轴在一个方向上移动，并且相对于所述多个区域中的每一个上的绘制执行对于沿着所述第一轴的移位的偏转。
根据本发明的第二方面，提供一种物品的制造方法，所述方法包括：使用绘制装置在基板上执行绘制；对其上已执行绘制的基板进行显影；以及处理显影后的基板以制造物品，其中，所述绘制装置利用带电粒子束在基板上执行绘制，并且所述绘制装置包括：台架，被配置为保持所述基板并且被移动；带电粒子光学系统，其具有照射沿着第一轴排列的多个带电粒子束并且使所述多个带电粒子束的至少一部分消隐的功能，并且具有使所述多个带电粒子束偏转以执行所述多个带电粒子束在基板上的移位的功能；以及控制器，被配置为控制绘制，以便利用所述多个带电粒子束对基板上的目标部分执行多次照射，其中，所述控制器被配置为控制绘制，使得相对于基板上沿着所述第一轴形成的多个区域所述台架沿着所述第一轴在一个方向上移动，并且相对于所述多个区域中的每一个上的绘制执行对于沿着所述第一轴的移位的偏转。
通过以下参照附图对示例性实施例的描述，本发明的其它方面将变得明显。
附图说明
图1是示出根据本发明的实施例的绘制装置的布置的示意图。
图2是示出图1所示的绘制装置的带电粒子光学系统的布置的示意图。
图3A～3C是用于解释图1所示的绘制装置的绘制处理的示图。
图4A～4C是用于解释图1所示的绘制装置的绘制处理的示图。
图5A和5B是用于解释覆盖绘制中的条带绘制的示图。
具体实施方式
以下将参照附图来描述本发明的优选实施例。注意，在整个附图中相同的附图标记表示相同的部件，并且将不给出这些部件的重复描述。
图1是示出根据本发明的实施例的绘制装置1的布置的示意图。绘制装置1是用于通过带电粒子束在基板上执行绘制的光刻装置。在本实施例中，通过使用由多个带电粒子光学系统中的每一个发射的多个带电粒子束来在基板上绘制图案。带电粒子束不限于电子束，并且可以是例如离子束。
绘制装置1包括多个带电粒子光学系统(在本实施例中，三个带电粒子光学系统，即第一带电粒子光学系统100A、第二带电粒子光学系统100B和第三带电粒子光学系统100C)、基板台架11和位置检测系统12。绘制装置1还包括消隐(blank)控制单元13、处理单元14、偏转器控制单元15、位置检测处理单元16、台架控制单元17、第一存储单元18、数据转换单元19、第二存储单元20和主控制单元21。
第一带电粒子光学系统100A、第二带电粒子光学系统100B和第三带电粒子光学系统100C中的每一个发射多个带电粒子束。第一带电粒子光学系统100A、第二带电粒子光学系统100B和第三带电粒子光学系统100C中的每一个具有使所述多个带电粒子束中的至少一些带电粒子束消隐的功能。第一带电粒子光学系统100A、第二带电粒子光学系统100B和第三带电粒子光学系统100C中的每一个还具有使多个带电粒子束偏转并且使基板上的这些带电粒子束移位(displace)的功能。
图2是示出作为第一带电粒子光学系统100A、第二带电粒子光学系统100B和第三带电粒子光学系统100C可应用的带电粒子光学系统100的布置的示意图。带电粒子光学系统100包括带电粒子源101、准直透镜102、消隐光圈(aperture)阵列103、静电透镜104、磁场透镜105、物镜106和偏转器107。
带电粒子源101是包括例如LaB6或BaO/W(扩散阴极)作为带电粒子束发射材料的热离子带电粒子源。准直透镜102是被配置为通过电场使带电粒子束会聚的静电透镜。由带电粒子源101发射的带电粒子束经由准直透镜102变为大致平行的带电粒子束。
消隐光圈阵列103通过二维排列的光圈(未示出)将来自准直透镜102的大致平行的带电粒子束分割成多个带电粒子束。消隐光圈阵列103包括能够单独(individually)驱动所述多个带电粒子束的静电消隐偏转器(未示出)，并且切换所述多个带电粒子束中的每一个在基板上的照射和非照射。注意，带电粒子束的消隐(非照射)可以通过如上所述的包括偏转器的布置来执行，但也可以通过另一已知的布置来进行。
静电透镜104和磁场透镜105协作地形成消隐光圈阵列103的所述多个光圈的中间图像。物镜106是磁场透镜并将所述多个光圈的中间图像投影到基板上。偏转器107使来自消隐光圈阵列103的所述多个带电粒子束一起在预定的方向上偏转，并且改变由所述多个带电粒子束限定的绘制区域EA的位置。
返回参照图1，基板台架11保持基板10并且移动。基板台架11包括例如在与带电粒子光学系统100的光轴垂直的X-Y平面(水平面)内可移动的X-Y台架、以及被配置为保持(吸附)基板100的静电吸盘。另外，在基板台架11上布置检测器，该检测器包括带电粒子束入射的开口图案并且被配置为检测带电粒子束的位置。
位置检测系统(检测单元)12包括被配置为利用具有抗蚀剂(光致抗蚀剂)不敏感的波长的光来照射形成在基板10上的标记(例如，对准标记)的照射系统、以及被配置为捕获由这些标记镜面反射的光的图像的图像传感器，并且检测这些标记的位置。
消隐控制单元13单独控制第一带电粒子光学系统100A、第二带电粒子光学系统100B和第三带电粒子光学系统100C的消隐光圈阵列103。处理单元14包括缓冲存储器和数据处理电路，并且生成第一带电粒子光学系统100A、第二带电粒子光学系统100B和第三带电粒子光学系统100C的控制数据。
偏转器控制单元15单独控制第一带电粒子光学系统100A、第二带电粒子光学系统100B和第三带电粒子光学系统100C的偏转器107。位置检测处理单元16基于来自位置检测系统12的输出(检测结果)来指定(计算)射击图案的实际坐标值(位置)和射击图案的失真。台架控制单元17与被配置为测量基板台架11的位置的激光干涉计(未示出)协作地控制基板台架11的定位。
第一存储单元18是被配置为存储与要绘制在基板10上的图案相对应的设计图形数据的存储器。数据转换单元19将存储在第一存储单元18中的设计图形数据分割成具有在绘制装置1中设置的宽度的条带，由此将数据转换成中间图形数据以便于绘制处理。第二存储单元20是被配置为存储中间图形数据的存储器。
主控制单元21包括CPU和存储器，并且控制绘制装置1的整体(各单元)。主控制单元21根据要绘制在基板10上的图案来将中间图形数据传送至处理单元14(的缓冲存储器)，并且经由上述绘制装置1的各单元来总体控制绘制装置1。在本实施例中，消隐控制单元13、处理单元14、偏转器控制单元15、位置检测处理单元16、台架控制单元17、第一存储单元18、数据转换单元19和第二存储单元20被单独构成。然而，主控制单元21可以具有这些功能。
图3A～3C是用于解释绘制装置1的绘制处理的示图。图3A是示出由带电粒子光学系统100发射并且限定基板上的绘制区域EA的多个带电粒子束的阵列的示例的示图。在本实施例中，所述多个带电粒子束包括5(行)×20(列)的带电粒子束。行节距为列节距的两倍。如上所述，带电粒子光学系统100发射在第一方向(列方向)和与该第一方向垂直的第二方向(行方向)上排列的多个带电粒子束。基板台架11的移动方向是如图3A的箭头所示的从图面的上侧到下侧的方向。
在这种情况下，主控制单元21在使基板台架11连续移动的同时，控制是否利用在列方向上排列的所述多个带电粒子束中的每一个照射基板上的同一位置，由此执行绘制。换句话说，主控制单元21控制绘制，以便利用所述多个带电粒子束对基板上的目标部分执行多次照射。假定如下情况：通过使用图3A所示的目标带电粒子束阵列来在基板上执行绘制，使得在基板上的位置P1～P6与基板上的位置P1～P6处的带电粒子束的照射剂量(曝光剂量)之间成立图3B所示的关系。假定所有的带电粒子束按同一时钟照射基板，则目标带电粒子束阵列的行由j、k、l、m和n来代表，并且基板台架11以如下速度在列方向上连续移动，该速度使基板台架每单位时钟移动行节距。
在这种情况下，当如图3C所示每单位时钟设置(控制)目标带电粒子束阵列的各行j～n的带电粒子束中的每一个的开启/关闭(即，是否利用带电粒子束照射基板)时，获得如图3B所示的关系。参照图3C，点线与代表照射基板上的位置P1～P6的行j～n的带电粒子束的开启(方形)和关闭(无符号)的信号相对应。这是因为，基板台架11与两个单位时钟相一致地移动了目标带电粒子束阵列的行j～n的节距。图3B所示的关系是通过将偏移了两个单位时钟的行j、k、1、m和n的带电粒子束的照射剂量相加所获得的。由于在列方向上排列的带电粒子束控制照射剂量的阶调(tone)，因此仅在列方向上排列的所有带电粒子束结束绘制之后才获得该关系。
将参照图4A～4C来解释如下情况：绘制装置1在基板上的沿着基板台架11的移动方向相邻的第一射击区域SH1和第二射击区域SH2上依次执行绘制。如图4A所示，假定基板台架11连续地移动至图面的下侧。第一射击区域SH1和第二射击区域SH2中的每一个在基板台架11的移动方向上的长度由S来代表。
图4A的左图指示在基板的第一射击区域SH1(中所形成的第一射击图案)上执行覆盖绘制的情况。通过在第一射击区域SH1上开始绘制时的多个带电粒子束CB来限定绘制区域EAs。通过基于第一射击区域SH1(第一射击图案)的实际位置使偏转器107在基板台架移动方向和与该基板台架移动方向垂直的方向上偏转所述多个带电粒子束CB来定位绘制区域EAs。更具体地，绘制区域EAs被定位，使得在所述多个带电粒子束CB中，位于基板台架11的移动方向的相对端的带电粒子束(第二带电粒子束)CB1位于第一射击区域SH1的端部EP1。注意，可以基于通过位置检测系统12检测形成在第一射击区域SH1上的对准标记的结果来指定第一射击区域SH1的实际位置。对于与基板台架11的移动方向垂直的方向，通过移动基板台架11，可以定位所述多个带电粒子束CB(可以调整所述多个带电粒子束CB的位置)。参照图4A，由实心圆指示的带电粒子束代表能够照射基板10的带电粒子束，由空心圆指示的带电粒子束代表停止(禁止)基板10的照射的带电粒子束。
绘制区域EAm是第一射击区域SH1上的绘制期间的绘制区域。限定绘制区域EAm的所有带电粒子束CB位于第一射击区域SH1中。在第一射击区域SH1的绘制期间，根据基板台架11的移动来停止所述多个带电粒子束CB中的位于第二射击区域SH2中的带电粒子束的照射。
通过在第一射击区域SH1上结束绘制时的所述多个带电粒子束CB来限定绘制区域EAe。在所述多个带电粒子束CB中，位于基板台架11的移动方向的前端的带电粒子束(第一带电粒子束)CB2位于第一射击区域SH1在第二射击区域SH2侧的端部EP2。另外，在所述多个带电粒子束CB中，除带电粒子束CB2以外的带电粒子束位于第二射击区域SH2中。
图4A的右图指示在基板的第二射击区域SH2(中所形成的第一射击图案)上执行覆盖绘制的情况。甚至在带电粒子束CB2已到达第一射击区域SH1的端部EP2之后、直到第二射击区域SH2的绘制开始为止的时间内，基板台架11也连续移动。因而，如图4A的右图所示，需要定位绘制区域EAs′，使得在开始第二射击区域SH2上的绘制时，带电粒子束CB1位于第二射击区域SH2在第一射击区域SH1侧的端部EP3。此时，在本实施例中，通过偏转器107使所述多个带电粒子束CB在基板台架11的移动方向上偏转，而不是使基板台架11在相反的方向上移动。例如，在开始第二射击区域SH2上的绘制时，偏转器107使所述多个带电粒子束CB在基板台架11的移动方向上偏转绘制区域EA在基板台架11的移动方向上的长度(图4A所示的长度B)。这样可以使带电粒子束CB1位于第二射击区域SH2在第一射击区域SH1侧的端部EP3。另外，通过基于第二射击区域SH2(第二射击图案)的实际位置来使偏转器107在基板台架11的移动方向和与该移动方向垂直的方向上偏转所述多个带电粒子束CB来定位绘制区域。注意，可以基于通过位置检测系统12检测形成在第二射击区域SH2上的对准标记的结果来指定第二射击区域SH2的实际位置。对于与基板台架11的移动方向垂直的方向，通过移动基板台架11，可以定位所述多个带电粒子束CB(可以调整所述多个带电粒子束CB的位置)。
在图4B中，实线指示在基板的第一射击区域SH1和第二射击区域SH2上依次执行绘制时带电粒子束CB1在基板上的位置。图4B采用沿着纵轴的基板上的位置和沿着横轴的时间。在图4B中，点线指示带电粒子光学系统100相对于连续移动的基板台架11的基准位置。当如图4C所示设置通过偏转器107的带电粒子束CB的偏转量即以便以锯齿图案改变时，可以获得如图4B的实线所示的带电粒子束CB1的轨迹。
如图4A所示，在所述多个带电粒子束CB中，随着基板台架11在第一射击区域SH1上的绘制期间移动而位于第二射击区域SH2的带电粒子束消隐。对绘制进行控制，使得在通过所述多个带电粒子束的第一射击区域SH1上的绘制结束之后，使基板台架11的移动方向上的所述多个带电粒子束偏转，并且然后开始第二射击区域SH2上的绘制。
在本实施例中，在基板台架11移动了射击区域在该基板台架的移动方向上的长度S的同时，偏转器107使所述多个带电粒子束在基板台架的移动方向上偏转以改变绘制区域的位置。此时，所述多个带电粒子束附加地偏转了绘制区域在基板台架的移动方向上的长度B。换句话说，在从第一射击区域SH1上的绘制结束到第二射击区域SH2上的绘制开始的时间期间，所述多个带电粒子束在基板台架11的移动方向上移位。注意，所述多个带电粒子束移位基于这些多个带电粒子束在基板台架11的移动方向上的长度的位移量。此时，也可以使所述多个带电粒子束移位基于基板上的第二射击区域SH2的位置的位移量。
如上所述，绘制装置1可以在使基板台架11在一个方向上连续移动的同时(即，在没有断续移动该台架的情况下)，在基板的沿着基板台架11的移动方向相邻的射击区域上依次执行绘制。绘制装置1因而可以在不降低吞吐量和基板台架11的位置控制的可再现性的情况下，维持带电粒子束和基板10之间的相对对准的高精度。
在本实施例中，使用基板上的一个射击区域的绘制作为单位进行描述。然而，绘制装置1的绘制的单位不限于射击区域。例如，可以使用基板上的片(chip)区域作为绘制单位。
绘制装置1在通过使用多个带电粒子束来在基板上执行覆盖绘制方面是有利的，因此适合制造例如诸如半导体器件的微型器件或具有精细结构的元件的物品。物品的制造方法包括以下步骤：使用绘制装置1利用在基板上涂敷的光致抗蚀剂来在该基板上形成潜像图案的步骤(在基板上执行绘制的步骤)；以及对在以上步骤中在其上形成潜像图案的基板进行显影的步骤(对其上已执行绘制的基板进行显影的步骤)。该制造方法还可以包括其它已知的处理(例如，氧化、沉积、气相沉积、掺杂、平坦化、蚀刻、抗蚀剂去除、切割、接合和封装)。与传统方法相比，根据本实施例的物品的制造方法在物品的性能、质量、生产率和生产成本中的至少一个方面是有利的。
尽管已参照示例性实施例描述了本发明，但应该理解，本发明不限于所公开的示例性实施例。所附权利要求书的范围应赋予最宽的解释，以包含所有这样的修改以及等同的结构和功能。

Claims (8)

1.一种绘制装置，用于利用带电粒子束在基板上执行绘制，所述绘制装置包括：
基板台架，被配置为保持所述基板并且被移动；
带电粒子光学系统，其具有照射沿着第一轴排列的多个带电粒子束、使所述多个带电粒子束单独地消隐、以及使所述多个带电粒子束的至少一部分偏转以执行所述多个带电粒子束的所述至少一部分在基板上的移位的功能；以及
控制器，被配置为控制绘制，以便利用所述多个带电粒子束的至少一部分对基板上的目标部分执行多次照射，
其中，所述控制器被配置为控制绘制，使得相对于基板上沿着所述第一轴形成的多个射击区域所述基板台架沿着所述第一轴在一个方向上移动，并且随着所述多个射击区域中的作为单位的每一个射击区域上的绘制执行对于沿着所述第一轴的移位的偏转，并且
其中，所述控制器被配置为控制绘制，使得在利用所述多个带电粒子束的至少一部分在所述多个射击区域中的第一射击区域上绘制期间，随着基板台架被移动，所述多个带电粒子束中的位于所述多个射击区域中的第二射击区域中的带电粒子束消隐，并且在利用所述多个带电粒子束的所述至少一部分在所述第一射击区域上的绘制结束之后，执行对于沿着所述第一轴的移位的偏转，然后开始利用所述多个带电粒子束的至少一部分在所述第二射击区域上绘制。
2.根据权利要求1所述的绘制装置，其中，所述控制器被配置为控制绘制，使得在从所述第一射击区域上的绘制结束到所述第二射击区域上的绘制开始的时间中，所述多个带电粒子束的至少一部分在基板上在基板台架的移动方向上移位一位移量，该位移量基于所述多个带电粒子束沿着所述第一轴的长度。
3.根据权利要求2所述的绘制装置，其中，所述控制器被配置为控制绘制，使得所述多个带电粒子束移位还基于所述基板上的第二射击区域的位置的位移量。
4.根据权利要求1所述的绘制装置，其中，所述控制器被配置为控制绘制，使得在从所述第一射击区域上的绘制结束到所述第二射击区域上的绘制开始的时间中，基于所述基板上的第二射击区域的位置来使所述多个带电粒子束的所述至少一部分沿着与所述第一轴正交的第二轴在基板上移位。
5.根据权利要求4所述的绘制装置，其中，所述控制器被配置为控制绘制，使得通过所述基板台架的移位和偏转功能中的至少一个来使所述多个带电粒子束的所述至少一部分沿着所述第二轴在基板上移位。
6.根据权利要求1所述的绘制装置，还包括检测器，所述检测器被配置为检测形成在所述基板上的标记，以获得所述多个射击区域中的每一个的位置。
7.根据权利要求1所述的绘制装置，其中，所述控制器被配置为控制绘制，使得对于沿着所述第一轴的移位的偏转的量随着所述多个射击区域中的作为单位的每一个射击区域上的绘制而随着时间以锯齿图案改变。
8.一种半导体器件的制造方法，所述制造方法包括：
使用绘制装置在基板上执行绘制；
对其上已执行绘制的基板进行显影；以及
处理显影后的基板以制造半导体器件，
其中，所述绘制装置利用带电粒子束在基板上执行绘制，并且所述绘制装置包括：
基板台架，被配置为保持所述基板并且被移动；
带电粒子光学系统，其具有照射沿着第一轴排列的多个带电粒子束、使所述多个带电粒子束单独地消隐、以及使所述多个带电粒子束的至少一部分偏转以执行所述多个带电粒子束的所述至少一部分在基板上的移位的功能；以及
控制器，被配置为控制绘制，以便利用所述多个带电粒子束的至少一部分对基板上的目标部分执行多次照射，
其中，所述控制器被配置为控制绘制，使得相对于基板上沿着所述第一轴形成的多个射击区域所述基板台架沿着所述第一轴在一个方向上移动，并且随着所述多个射击区域中的作为单位的每一个射击区域上的绘制执行对于沿着所述第一轴的移位的偏转，并且
其中，所述控制器被配置为控制绘制，使得在利用所述多个带电粒子束的至少一部分在所述多个射击区域中的第一射击区域上绘制期间，随着基板台架被移动，所述多个带电粒子束中的位于所述多个射击区域中的第二射击区域中的带电粒子束消隐，并且在利用所述多个带电粒子束的所述至少一部分在所述第一射击区域上的绘制结束之后，执行对于沿着所述第一轴的移位的偏转，然后开始利用所述多个带电粒子束的至少一部分在所述第二射击区域上绘制。
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