TW201441758A

TW201441758A - 繪圖裝置及物件之製造方法

Info

Publication number: TW201441758A
Application number: TW103113857A
Authority: TW
Inventors: Masato Muraki; Yoshihiro Hirata
Original assignee: Canon Kk
Priority date: 2013-04-30
Filing date: 2014-04-16
Publication date: 2014-11-01
Also published as: KR101790829B1; TWI516858B; JP2014216630A; CN104134605A; KR20140130028A; CN104134605B; US9455124B2; US20140322653A1; JP6193611B2

Abstract

本發明提供一種用於使用帶電粒子束在基板上實施繪圖的繪圖裝置，包括組態成保持該基板並移動的台、組態成照射沿著第一軸排列之複數個帶電粒子束的帶電粒子光學系統、及組態成控制該繪圖以使用該複數個帶電粒子束實施該基板上的靶材部分的多重照射的控制器，其中該控制器組態成控制該繪圖，使得該台對照沿著該第一軸形成在該基板上的複數個區域在沿著該第一軸的一方向上移動，且對照該複數個區域各者上的繪圖實施用於帶電粒子束沿著該第一軸的位移之帶電粒子束的偏轉。

Description

繪圖裝置及物件之製造方法

本發明相關於繪圖裝置，及製造物件的方法。

使用帶電粒子束，諸如，電子束的繪圖裝置實施將新型樣重疊繪圖在形成在基板之各照射區域中的型樣(下文稱為「照射型樣」)上的重疊繪圖(參閱日本特許公開專利編號第S62-144323號)。

在該重疊繪圖中，首先，基板基於複數個照射型樣的設計陣列座標值移動，且位置係在部分該複數個照射型樣對準基準位置時實際地量測。其次，假設對準的照射型樣的設計陣列座標值及實質陣列座標值具有包括決定預定誤差、誤差參數的獨特關係，使得對準的該複數個經量測值及實際陣列座標值之間的平均偏差最小化。照射型樣的實際陣列座標值係基於誤差參數及照射型樣的設計陣列座標值得到。該基板依據實際陣列座標值定位，並繪圖新型樣。

在此種重疊繪圖中，也量測照射型樣的扭曲(例如，膨脹/收縮及旋轉)以及照射型樣的實際陣列座標值。當形成型樣時，由於光微影裝置，諸如，繪圖裝置的因素，或當形成型樣時，由於熱處理所導致的基板變形，照射型樣的扭曲發生。

圖5A係顯示形成在基板SB上之5(列)×5(行)的照射型樣陣列的視圖。以實線指示實際照射型樣SP，並以虛線指示設計照射型樣SP’。圖5B顯示藉由包括複數個帶電粒子光學系統CP1、CP2、及CP3之繪圖裝置對基板SB實施重疊繪圖(實際照射型樣SP)的狀態。參考圖5B，帶電粒子光學系統CP1至CP3各者對基板SB發射5(列)×5(行)的帶電粒子束。當保持基板SB之台對照於帶電粒子光學系統CP1、CP2、及CP3移至上側時，帶電粒子光學系統CP1、CP2、及CP3分別繪圖條形區域S1、S2、及S3(條形繪圖)。在此條形繪圖中，藉由排列在基板移動方向上之帶電粒子光學系統的帶電粒子束對基板的相同位置實施多重照射。該照射係開/關控制的，因此控制帶電粒子束在該基板上的照射劑量。

各帶電粒子光學系統包括組態成偏轉帶電粒子束的偏轉器。此偏轉器立即調整複數個帶電粒子束(由該等帶電粒子束界定之繪圖區域)在該基板上的位置。在該條形繪圖中，將新型樣重疊及繪圖在該照射型樣上，同時基於照射型樣在該基板上的實際位置藉由偏轉器調整帶電粒子光學系統之繪圖區域的位置。

然而，在重疊繪圖中，當帶電粒子光學系統的繪圖區域延伸至在基板移動方向上相鄰的照射型樣上方時(亦即，位於二相鄰照射型樣二者上)，引起下列問題。實際上，基板上的照射型樣並不總是沿著設計陣列座標週期地排列的(亦即，照射型樣的位置偏移)。因此必需在對照照射型樣調整(校正)繪圖區域的位置的同時實施繪圖。然而，當帶電粒子光學系統的繪圖區域延伸至在基板移動方向上相鄰的照射型樣上方時，帶電粒子光學系統之繪圖區域的位置可僅對照於照射型樣的一者校正。因此，在前一照射型樣的繪圖完成之前，不能實施次一照射型樣的繪圖。因此，在前一照射型樣的繪圖完成之後，基板必需在相反方向上移動與排列在基板移動方向上之帶電粒子束對應的距離(在繪圖區域中沿著基板移動方向的長度)，以實施次一照射型樣的繪圖。結果，因為保持基板的台不連續地移動(亦即，該台不能在一方向上連續地移動)，台移動消耗時間，且處理量降低。此外，因為台移動係複雜的，台位置控制的可再生性降低，且帶電粒子束及基板之間的相對對準準確度也降低。

本發明提供，例如，在以複數個帶電粒子束在基板上實施繪圖時，在重疊準確性及處理量的角度上係有利的一種繪圖裝置。

根據本發明的一實施樣態，提供一種用於使用帶電粒子束在基板上實施繪圖的繪圖裝置，包括組態成保持該基板並移動的台、具有照射沿著第一軸排列之複數個帶電粒子束及遮蔽至少一部分該複數個帶電粒子束的功能，及將該複數個帶電粒子束偏轉以實施該複數個帶電粒子束在該基板上位移之功能的帶電粒子光學系統、及組態成控制該繪圖以使用該複數個帶電粒子束實施該基板上的靶材部分之多重照射的控制器，其中將該控制器組態成控制該繪圖，使得該台對照沿著該第一軸形成在該基板上的複數個區域在沿著該第一軸的一方向上移動，且對照該複數個區域各者上的繪圖實施用於沿著該第一軸之該位移的該偏轉。

本發明之其他實施樣態將從以下對示範實施例的描述及對該等隨附圖式的參考而變得更明顯。

1‧‧‧繪圖裝置

10、SB‧‧‧基板

11‧‧‧基板台

12‧‧‧位置偵測系統

13‧‧‧遮蔽控制單元

14‧‧‧處理單元

15‧‧‧偏轉器控制單元

16‧‧‧位置偵測處理單元

17‧‧‧台控制單元

18‧‧‧第一儲存單元

19‧‧‧資料轉換單元

20‧‧‧第二儲存單元

21‧‧‧主控制單元

100‧‧‧帶電粒子光學系統

100A‧‧‧第一帶電粒子光學系統

100B‧‧‧第二帶電粒子光學系統

100C‧‧‧第三帶電粒子光學系統

101‧‧‧帶電粒子源

102‧‧‧準直透鏡

103‧‧‧遮蔽孔徑陣列

104‧‧‧靜電透鏡

105‧‧‧磁場透鏡

106‧‧‧物鏡

107‧‧‧偏轉器

B、S‧‧‧長度

CB、CB1、CB2‧‧‧帶電粒子束

CP1、CP2、CP3‧‧‧帶電粒子光學系統

EA、EAe、EAm、EAs、EAs’‧‧‧繪圖區域

EP1、EP2、EP3‧‧‧端

P1、P2、P3、P4、P5、P6‧‧‧位置

S1、S2、S3‧‧‧條形區域

SH1‧‧‧第一照射區域

SH2‧‧‧第二照射區域

SP‧‧‧實際照射型樣

SP’‧‧‧設計照射型樣

圖1係顯示根據本發明之實施例的繪圖設備之配置的概要圖。

圖2係顯示圖1所示之繪圖裝置的帶電粒子光學系統之配置的概要圖。

圖3A至3C係用於解釋圖1所示之繪圖裝置的繪圖處理的視圖。

圖4A至4C係用於解釋圖1所示之繪圖裝置的繪圖處理的視圖。

圖5A及5B係用於解釋重疊繪圖中之條形繪圖的視圖。

茲參考該等附隨圖式於下文中描述本發明之較佳實施例。須注意相同的參考數字在各該等圖式中指示相同的構件，且將不提供彼等的重複描述。

圖1係顯示根據本發明之實施例的繪圖設備1之配置的概要圖。繪圖裝置1係藉由帶電粒子束在基板上實施繪圖的光微影裝置。在此實施例中，使用由複數個帶電粒子光學系統各者發射的複數個帶電粒子束將型樣繪圖在基板上。帶電粒子束並未受限於電子束，並可能係，例如，離子束。

繪圖裝置1包括複數個帶電粒子光學系統(在此實施例中，三個帶電粒子光學系統，亦即，第一帶電粒子光學系統100A、第二帶電粒子光學系統100B、及第三帶電粒子光學系統100C)、基板台11、及位置偵測系統12。繪圖裝置1也包括遮蔽控制單元13、處理單元14、偏轉器控制單元15、位置偵測處理單元16、台控制單元17、第一儲存單元18、資料轉換單元19、第二儲存單元20、及主控制單元21。

第一帶電粒子光學系統100A、第二帶電粒子光學系統100B、及第三帶電粒子光學系統100C各者發射複數個帶電粒子束。第一帶電粒子光學系統100A、第二帶電粒子光學系統100B、及第三帶電粒子光學系統100C 各者具有遮蔽至少部分該複數個帶電粒子束的功能。第一帶電粒子光學系統100A、第二帶電粒子光學系統100B、及第三帶電粒子光學系統100C各者也具有偏轉該複數個帶電粒子束並在基板上位移彼等的功能。

圖2係顯示可應用為第一帶電粒子光學系統100A、第二帶電粒子光學系統100B、及第三帶電粒子光學系統100C的帶電粒子光學系統100之配置的概要圖。帶電粒子光學系統100包括帶電粒子源101、準直透鏡102、遮蔽孔徑陣列103、靜電透鏡104、磁場透鏡105、物鏡106、及偏轉器107。

帶電粒子源101係包括，例如，作為帶電粒子束發射材料之LaB₆或BaO/W(儲備式陰極)的熱離子帶電粒子源。準直透鏡102係組態成藉由電場收斂帶電粒子束的靜電透鏡。由帶電粒子源101發射的帶電粒子束經由準直透鏡102改變成幾乎平行的帶電粒子束。

遮蔽孔徑陣列103藉由二維排列的孔徑(未圖示)將來自準直透鏡102之幾乎平行的帶電粒子束分割為複數個帶電粒子束。遮蔽孔徑陣列103包括能個別地驅動該複數個帶電粒子束，並切換該複數個帶電粒子束各者在基板上的照射及非照射的靜電遮蔽偏轉器(未圖示)。如上文所述，須注意帶電粒子束的遮蔽(非照射)可藉由包括偏轉器的配置實施，但可能藉由其他已知配置完成。

靜電透鏡104及磁場透鏡105合作地形成遮蔽孔徑陣列103之複數個孔徑的中間影像。物鏡106係磁場透鏡並將該複數個孔徑的中間影像投影在基板上。偏轉器107立即將來自遮蔽孔徑陣列103的該複數個帶電粒子束偏轉在一預定方向上，並改變由該複數個帶電粒子束界定之繪圖區域EA的位置。

參考回圖1，基板台11保持基板10並移動。基板台11包括，例如，可在垂直於帶電粒子光學系統100之光學軸的X-Y平面(水平平面)內移動的X-Y台、及組態成保持(吸引)基板10的靜電夾。此外，將包括帶電粒子束於該處進入之開口型樣並組態成偵測帶電粒子束之位置的偵測器配置在基板台11上。

位置偵測系統(偵測單元)12包括組態成以具有光阻不對其敏感之波長的光照射形成在基板10上之標示(例如，調正標示)的照射系統，及組態成擷取由該等標示鏡面地反射之光的影像並偵測該等標示之位置的影像感測器。

遮蔽控制單元13獨立地控制第一帶電粒子光學系統100A、第二帶電粒子光學系統100B、及第三帶電粒子光學系統100C的遮蔽孔徑陣列103。處理單元14包括緩衝記憶體及資料處理電路，並產生第一帶電粒子光學系統100A、第二帶電粒子光學系統100B、及第三帶電粒子光學系統100C的控制資料。

偏轉器控制單元15獨立地控制第一帶電粒子光學系統100A、第二帶電粒子光學系統100B、及第三帶電粒子光學系統100C的偏轉器107。位置偵測處理單元 16基於來自位置偵測系統12的輸出(偵測結果)指定(計算)照射型樣的實際座標值(位置)及照射型樣的扭曲。台控制單元17協同組態成量測基板台11之位置的雷射干涉儀(未圖示)控制基板台11的定位。

第一儲存單元18係組態成儲存與待繪圖在基板10上之型樣對應的設計圖形資料的記憶體。資料轉換單元19將儲存在第一儲存單元18中的設計圖形資料分割為具有設定在繪圖裝置1中之寬度的條形，從而將該資料轉換為中間圖形資料以協助繪圖處理。第二儲存單元20係組態成儲存該中間圖形資料的記憶體。

主控制單元21包括CPU及記憶體，並控制繪圖裝置1之整體(個別單元)。主控制單元21依據待繪圖在基板10上的型樣將中間圖形資料轉移至處理單元14(的緩衝記憶體)，並通常經由繪圖裝置1的上述個別單元控制繪圖裝置1。在此實施例中，遮蔽控制單元13、處理單元14、偏轉器控制單元15、位置偵測處理單元16、儲存控制單元17、第一儲存單元18、資料轉換單元19、及第二儲存單元20係獨立構成的。然而，主控制單元21可能具有此等功能。

圖3A至3C係用於解釋繪圖裝置1之繪圖處理的視圖。圖3A係顯示藉由帶電粒子光學系統100發射並在基板上界定繪圖區域EA之複數個帶電粒子束的陣列之範例的視圖。在此實施例中，該複數個帶電粒子束包括5(列)×20(行)的帶電粒子束。列間距係行間距的二倍大。如上文所述，帶電粒子光學系統100發射排列在第一方向(行方向)上及垂直於該第一方向之第二方向(列方向)上的複數個帶電粒子束。基板台11的移動方向係從繪圖表面的上側至下側的方向，如圖3A中的箭號所示。

在此情形中，主控制單元21控制在連續地移動基板台11的同時，是否以排列在行方向上的該複數個帶電粒子束各者照射基板上的相同位置，從而實施繪圖。換言之，主控制單元21控制繪圖而以該複數個帶電粒子束對基板上之靶材部分實施多重照射。假設繪圖係使用圖3A所示之目標帶電粒子束陣列在基板上實施，使得圖3B所示的關係保持在基板上的位置P1至P6之間，並保持帶電粒子束在基板上之位置P1至P6的照射劑量(曝光劑量)的情形。假設所有帶電粒子束以相同時鐘照射基板，目標帶電粒子束陣列的列以j、k、l、m、及n表示，且基板台11在行方向上以在單位時鐘的基礎上將基板台移動該列間距的此種速度連續地移動。

在此情形中，當如圖3C所示地在單位時鐘的基礎上設定(控制)目標帶電粒子束陣列之個別列j至n的各帶電粒子束的開/關(亦即，是否以帶電粒子束照射基板)時，得到如圖3B所示的關係。參考圖3C，點虛線對應於代表照射基板上的位置P1至P6之列j至n的帶電粒子束之開(方塊)及關(無符號)的訊號。此係因為基板台11對應於二單位時鐘移動目標帶電粒子束陣列之列j至n的間距。圖3B所示的關係係藉由將偏移二單位時鐘之列j、 k、l、m、及n的帶電粒子束的照射劑量相加而得到。因為排列在行方向上的帶電粒子束控制照射劑量的調，該關係僅在排列在行方向上的所有帶電粒子束結束繪圖之後得到。

將參考圖4A至4C解釋一情形，其中繪圖裝置1循序地在基板上之沿著基板台11之移動方向相鄰的第一照射區域SH1及第二照射區域SH2上實施繪圖。假設基板台11連續地移動至繪圖表面的下側，如圖4A所示。以S代表第一照射區域SH1及第二照射區域SH2各者在基板台11之移動方向上的長度。

圖4A的左側描繪指示重疊繪圖在基板之第一照射區域SH1(形成於其中之第一照射型樣)上實施的情形。當第一照射區域SH1上的繪圖開始時，繪圖區域EAs係由複數個帶電粒子束CB界定。藉由導致偏轉器107基於第一照射區域SH1的實際位置(第一照射型樣)在基板台移動方向及垂直於其的方向上偏轉該複數個帶電粒子束CB，將繪圖區域EAs定位。更具體地說，將繪圖區域EAs定位成使得出自該複數個帶電粒子束CB之位於基板台11的移動方向之相反端的帶電粒子束(第二帶電粒子束)CB1位於第一照射區域SH1的端EP1。須注意第一照射區域SH1的實際位置可基於由位置偵測系統12對形成在第一照射區域SH1上之調正標示的偵測結果而指定。針對垂直於基板台11之移動方向的該方向，該複數個帶電粒子束CB可能藉由移動基板台11而定位(可能調整該複數個帶電粒子束CB的位置)。參考圖4A，由完整圓形指示的帶電粒子束代表能照射基板10的帶電粒子束，且由開口圓指示的帶電粒子束代表其對基板10的照射受停止(禁止)的帶電粒子束。

繪圖區域EAm係在第一照射區域SH1上繪圖期間的繪圖區域。界定繪圖區域EAm的所有帶電粒子束CB位在第一照射區域SH1中。依據基板台11的移動，在第一照射區域SH1上繪圖的期間，將使用出自該複數個帶電粒子束CB之位在第二照射區域SH2中之帶電粒子束的照射停止。

當第一照射區域SH1上的繪圖結束時，繪圖區域EAe係由該複數個帶電粒子束CB界定。使出自該複數個帶電粒子束CB之位於基板台11的移動方向之前端的帶電粒子束(第一帶電粒子束)CB2位於在該第二照射區域SH2之該側上的第一照射區域SH1的端EP2。此外，使帶電粒子束CB2以外之出自該複數個帶電粒子束CB的帶電粒子束位於第二照射區域SH2中。

圖4A的右側描繪指示重疊繪圖在基板之第二照射區域SH2(形成於其中之第一照射型樣)上實施的情形。基板台11甚至在帶電粒子束CB2已到達第一照射區域SH1的端EP2之後的時間期間仍連續地移動，直到在第二照射區域SH2上的繪圖開始為止。因此，如圖4A之右側繪圖所示，繪圖區域EAs’必需定位成使得當在第二照射區域SH2上的繪圖開始時，帶電粒子束CB1位於在第一照射區域SH1之該側上的第二照射區域SH2的端EP3。此時，在此實施例中，藉由偏轉器107使該複數個帶電粒子束CB在基板台11的移動方向上偏轉，取代在相反方向上移動基板台11。例如，當開始在第二照射區域SH2上繪圖時，偏轉器107在基板台11的移動方向上將該複數個帶電粒子束CB偏轉繪圖區域EA在基板台11之移動方向上的長度(顯示於圖4A中的長度B)。此可使帶電粒子束CB1位於在第一照射區域SH1之該側上的第二照射區域SH2的端EP3。此外，該繪圖區域係藉由導致偏轉器107基於第二照射區域SH2的實際位置(第二照射型樣)在基板台11之移動方向及垂直於其的方向上偏轉該複數個帶電粒子束CB而定位。須注意第二照射區域SH2的實際位置可基於由位置偵測系統12對形成在第二照射區域SH2上之調正標示的偵測結果而指定。針對垂直於基板台11之移動方向的該方向，該複數個帶電粒子束CB可能藉由移動基板台11而定位(可能調整該複數個帶電粒子束CB的位置)。

在圖4B中，實線指示當在基板上的第一照射區域SH1及第二照射區域SH2上實施繪圖時，帶電粒子束CB1在基板上的位置。圖4B沿著縱座標具現基板上的位置並沿著橫座標具現時間。在圖4B中，點虛線指示帶電粒子光學系統100對照於連續移動的基板台11的參考位置。當帶電粒子束CB之藉由偏轉器107的偏轉量如圖4C所示地設定，亦即，以鋸齒型樣改變時，可得到如圖 4B中之實線所指示的帶電粒子束CB1的軌跡。

如圖4A所示，在第一照射區域SH1上繪圖的期間，當基板台11移動時，出自該複數個帶電粒子束CB之位於第二照射區域SH2中的帶電粒子束受遮蔽。將該繪圖控制成使得在第一照射區域SH1上之藉由該複數個帶電粒子束的繪圖結束之後，將在基板台11之移動方向上的該複數個帶電粒子束偏轉，然後在第二照射區域SH2上的繪圖開始。

在此實施例中，當基板台在基板台之移動方向上移動照射區域的長度S的同時，偏轉器107在基板台的移動方向上偏轉該複數個帶電粒子束，以改變繪圖區域的位置。此時，在基板台的移動方向上將該複數個帶電粒子束額外地偏轉繪圖區域的長度B。換言之，在從第一繪圖區域SH1上的繪圖結束至第二繪圖區域SH2上的繪圖開始的時間期間，該複數個帶電粒子束在基板台11的移動方向上位移。須注意該複數個帶電粒子束在基板台11的移動方向上以基於該複數個帶電粒子束之長度的位移量位移。此時，該複數個帶電粒子束也可能以基於第二照射區域SH2之位置的位移量位移。

如上文所述，繪圖裝置1可循序地在沿著基板台11的移動方向上相鄰之基板上的照射區域上實施繪圖，同時連續地在一方向上移動基板台11(亦即，不會不連續地移動該台)。繪圖裝置1可因此在帶電粒子束及基板10之間維持相對對準的高準確性，而不降低處理量及基板台11之位置控制的可再生性。

在此實施例中，描述係將在基板上之一照射區域上的繪圖使用為一單位而提供。然而，繪圖裝置1的繪圖單位並未受限於一照射區域。例如，可能將基板上的晶片區域使用為繪圖單位。

繪圖裝置1在使用複數個帶電粒子束在基板上實施重疊繪圖上係有利的，且因此適於製造物件，例如，微裝置，諸如，具有精細結構的半導體裝置或元件。製造物件的方法包括使用繪圖裝置1將潛像型樣形成在具有光阻施用於其上的基板上的步驟(在基板上實施繪圖的步驟)，及將潛像型樣已在以上步驟中形成於其上的基板顯影的步驟(將已於其上實施繪圖之基板顯影的步驟)。該製造方法也可包括其他已知處理(例如，氧化、沈積、氣相沈積、摻雜、平坦化、蝕刻、光阻移除、切塊、壓焊、及封裝)。相較於習知方法，根據此實施例之製造物件的方法在效能、品質、生產力、及物件的製造成本的至少一者上係有利的。

當已參考模範實施例而描述本發明後，待理解本發明並未受限於該等已揭示之模範實施例。下文之申請專利範圍待受最廣泛之解釋以包含所有此種修改及等效結構與功能。

S‧‧‧長度

CB、CB1、CB2‧‧‧帶電粒子束

EAe、EAm、EAs、EAs’‧‧‧繪圖區域

EP1、EP2、EP3‧‧‧端

SH1‧‧‧第一照射區域

SH2‧‧‧第二照射區域

Claims

一種用於使用帶電粒子束在基板上實施繪圖的繪圖裝置，包含：台，組態成保持該基板以及被移動；帶電粒子光學系統，具有照射沿著第一軸排列之複數個帶電粒子束及遮蔽至少一部分該複數個帶電粒子束的功能，及將該複數個帶電粒子束偏轉以實施該複數個帶電粒子束在該基板上位移的功能；及控制器，組態成控制該繪圖以使用該複數個帶電粒子束實施該基板上的靶材部分的多重照射，其中將該控制器組態成控制該繪圖，使得該台對照沿著該第一軸形成在該基板上的複數個區域在沿著該第一軸的一方向上移動，且對照該複數個區域各者上的繪圖實施用於沿著該第一軸之該位移的該偏轉。
如申請專利範圍第1項的裝置，其中將該控制器組態成控制該繪圖使得在使用該複數個帶電粒子束在該複數個區域的第一區域上繪圖的期間，當該台移動時，該複數個帶電粒子束之位於該複數個區域的第二區域中的帶電粒子束受遮蔽，且在使用該複數個帶電粒子束在該第一區域上的該繪圖結束之後，實施用於沿著該第一軸之該位移的該偏轉，然後使用該複數個帶電粒子束在該第二區域上的該繪圖開始。
如申請專利範圍第2項的裝置，其中將該控制器組態成控制該繪圖使得在從該第一區域上的該繪圖結束到該第二區域上之該繪圖開始的時間期間，該複數個帶電粒子束在該台的移動方向上在該基板上以基於沿著該第一軸的該複數個帶電粒子束之長度的位移量位移。
如申請專利範圍第3項的裝置，其中將該控制器組態成控制該繪圖使得該複數個帶電粒子束以更基於該第二區域在該基板上的位置的該位移量位移。
如申請專利範圍第2項的裝置，其中將該控制器組態成控制該繪圖使得在從該第一區域上的該繪圖結束到該第二區域上之該繪圖開始的時間期間，該複數個帶電粒子束基於該第二區域在該基板上的位置沿著垂直於該第一軸的第二軸在該基板上位移。
如申請專利範圍第5項的裝置，其中將該控制器組態成控制該繪圖使得該複數個帶電粒子束沿著該第二軸在該基板上以該台的位移及該偏轉函數之至少一者位移。
如申請專利範圍第1項的裝置，更包含組態成偵測形成在該基板上的標記以得到該複數個區域各者之位置的偵測器。
如申請專利範圍第1項的裝置，其中該複數個區域各者包括形成在該基板上的照射區域。
如申請專利範圍第1項的裝置，其中將該控制器組態成控制該繪圖使得用於沿著該第一軸之該位移的該偏轉量以對照該複數個區域各者上之繪圖的鋸齒型樣隨時間改變。
一種製造物件的方法，該方法包含：使用如申請專利範圍第1至9項之任一項的繪圖裝置在基板上實施繪圖；顯影該繪圖已於其上實施的該基板；及處理該已顯影基板以製造該物件。