JP2015128132A - 描画データの作成方法、描画装置、描画方法、及び物品の製造方法 - Google Patents
描画データの作成方法、描画装置、描画方法、及び物品の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015128132A JP2015128132A JP2014146008A JP2014146008A JP2015128132A JP 2015128132 A JP2015128132 A JP 2015128132A JP 2014146008 A JP2014146008 A JP 2014146008A JP 2014146008 A JP2014146008 A JP 2014146008A JP 2015128132 A JP2015128132 A JP 2015128132A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mark
- area
- substrate
- irradiating
- predetermined
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 55
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 25
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 59
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 37
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 36
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 20
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 12
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
- H01J37/3023—Programme control
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
- H01J37/3023—Programme control
- H01J37/3026—Patterning strategy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31761—Patterning strategy
- H01J2237/31762—Computer and memory organisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
Abstract
【課題】同一のアライメントマークを複数回計測して基板に対するビームの照射位置を補正する場合であっても、アライメントマークの位置計測精度の低下を低減することが可能な描画装置を提供する。
【解決手段】基板にビームを照射するタイミングを示す描画データの作成方法に関する。基板上の所定領域内において、ビームを照射予定のマークが有るか無いかを判断するステップS101を有する。さらに、所定領域内にマークが有る場合に、そのマークを含むマーク領域を除いた領域にビームを照射した後の所定のタイミングでマーク領域にビームを照射する描画データを作成するステップS102、S106を有する。
【選択図】図5
【解決手段】基板にビームを照射するタイミングを示す描画データの作成方法に関する。基板上の所定領域内において、ビームを照射予定のマークが有るか無いかを判断するステップS101を有する。さらに、所定領域内にマークが有る場合に、そのマークを含むマーク領域を除いた領域にビームを照射した後の所定のタイミングでマーク領域にビームを照射する描画データを作成するステップS102、S106を有する。
【選択図】図5
Description
本発明は、描画データの作成方法、描画装置、描画方法、及び物品の製造方法に関する。
半導体デバイスを製造するためのリソグラフィ工程では、n層目のパターンに対して、(n+1)層目のパターンを精度良く重ね合わせる必要がある。そこで、新しい層のパターンを形成する前にグローバルアライメント方式による位置合わせを行っている。グローバルアライメント方式とは、基板上に形成されている複数の位置合わせ用のアライメントマークを検出し、アライメントマークの位置に基づいて新しい層のパターンの位置を決定する方式である。
ところが、パターンを形成する際に基板に対する入熱量が大きく、パターンを形成している最中にも基板の熱変形が進行する場合には重ね合わせ精度が低下しやすい。特許文献1は、重ね合わせ精度の低下を低減するために、1層のパターンを描画する最中もアライメントマークの位置を計測し、その計測結果に基づいて基板に対する電子線の照射位置を補正する技術を開示している。
基板に塗布するレジストとしてネガレジストを使用しており、かつアライメントマークを残したい場合、あるいはポジレジストを使用しており、かつアライメントマークを除去したい場合には、アライメントマーク上にビームを照射することがある。しかし、アライメントマークに対してビームを照射し、かつビームの照射後に再び同じアライメントマークの位置計測をする場合には、その位置計測の精度が低下する恐れがある。
例えば、ビームの照射前は図14(A)に示すような信号強度が得られたとしても、ビームの照射でレジストの光学特性が変化すると、図14(B)に示すように信号強度が低下する可能性がある。これによりアライメントマークの計測精度が低下する恐れがある。
そこで、本発明は上記課題を鑑みてなされたものであり、同一のアライメントマークを複数回計測して基板に対するビームの照射位置を補正する場合でも、アライメントマークの位置計測精度の低下を低減することが可能とする。
本発明に係る描画データの作成方法は、基板にビームを照射するタイミングを示す描画データの作成方法であって、前記基板上の所定領域内において、前記ビームを照射予定のマークが有るか無いかを判断するステップと、前記所定領域内に前記マークが有る場合に、前記マークを含むマーク領域を除いた領域にビームを照射した後の所定のタイミングで前記マーク領域に前記ビームを照射する描画データを作成するステップと、を有することを特徴とする。
本発明の描画データの作成方法、描画装置、及び描画方法によれば、複数回アライメントマークを計測して基板に対するビームの照射位置を補正する場合でも、アライメントマークの位置計測精度の低下を低減することが可能となる。
まず、各実施形態に共通する描画装置の装置構成、描画方法、及びグローバルアライメント計測について説明する。各実施形態では電子線(ビーム)を用いてウエハ上(基板上)にパターンを描画する描画装置を例に説明をするが、本発明は、集束したレーザビームやイオンビームをビームとして用いてパターン形成を行う描画装置にも適用可能である。特に、本発明はビームの照射によってウエハへの入熱が大きくなる場合に好適である。
(装置構成)
図1に各実施形態に共通する描画装置1の構成図を示す。電子銃2から発散し出てくる電子線を、電子光学系3を介してウエハ4の表面に照射する。電子光学系3は、電子線を結像するための電子レンズ系3a及び電子線を偏向する偏向器3bを有している。制御部21は、電子銃2のON/OFFの制御をし、かつ電子光学系3を制御して電子線の集束位置や偏向量を調整する。
図1に各実施形態に共通する描画装置1の構成図を示す。電子銃2から発散し出てくる電子線を、電子光学系3を介してウエハ4の表面に照射する。電子光学系3は、電子線を結像するための電子レンズ系3a及び電子線を偏向する偏向器3bを有している。制御部21は、電子銃2のON/OFFの制御をし、かつ電子光学系3を制御して電子線の集束位置や偏向量を調整する。
ステージ5はYステージ5aと、Yステージ上に載置されているXステージ5b、及び不図示のZステージにより構成されている。ウエハ4はステージ5上の不図示のウエハチャックにより保持されている。ステージ5を制御する制御部23からの指示を受けて、Xステージ5bはX軸方向に、Yステージ5aはY軸方向に、ZステージはZ軸方向に移動する。Xステージ5b上にはウエハ4の他に、基準マークが形成されている基準板6とX軸用の移動鏡7とが設けられている。基準マークは、後述のアライメント検出系9と電子光学系3との光軸間距離を計測するためのマークである。
干渉計8はレーザビームを測定光と参照光とに分割し、測定光をX軸用の移動鏡7に参照光を干渉計8の内部に設けられている参照鏡(不図示)にそれぞれ入射する。
各々の鏡から反射された光を干渉させ、検出部24がその干渉光の強度を検出することにより、参照鏡を基準としたX軸用の移動鏡7の位置、すなわちステージ5のX軸方向の位置を検出する。Yステージ5a上に設けられている不図示のY軸用の移動鏡を用いて、同様の手法でステージ5のY軸方向の位置を検出する。検出系24は主制御部20に計測値を送り、主制御部20と接続されている制御部23がその計測値に基づいてステージ5の位置を制御する。
各々の鏡から反射された光を干渉させ、検出部24がその干渉光の強度を検出することにより、参照鏡を基準としたX軸用の移動鏡7の位置、すなわちステージ5のX軸方向の位置を検出する。Yステージ5a上に設けられている不図示のY軸用の移動鏡を用いて、同様の手法でステージ5のY軸方向の位置を検出する。検出系24は主制御部20に計測値を送り、主制御部20と接続されている制御部23がその計測値に基づいてステージ5の位置を制御する。
ウエハ4には不図示のレジストが塗布されている。ウエハ4上に形成されているアライメントマーク(マーク)10(以下、マーク10と称す)の位置を、位置計測器である、アライメント検出系9及び制御部22を用いて計測する。
アライメント検出系9は、ウエハ4上に形成されている複数のマーク10に対してレジストが感光しない波長帯域の光を照射して、基準板6上の基準マークやマーク10を検出する。制御部22がアライメント検出系9のセンサ上に結像されたマークの画像信号を処理することでマーク10の位置を求める。あるいは、マーク10からの回折光の強度を検出し、検出信号の強度変化からマーク10の位置を求める。
フォーカスセンサ11は、ウエハ4のZ軸方向の高さ計測を行う。フォーカスセンサ11は、光学式のセンサや静電容量センサ等、真空中で使用可能なセンサであることが好ましい。真空チャンバ12内には、電子銃2、電子光学系3、ステージ5、干渉計8、フォーカス計測系11等の照射に関わる部材や計測機器が配置されている。不図示の真空ポンプが真空チャンバ12内を真空に排気している。
主制御部(制御部)20は、電子銃2や電子光学系3を制御する制御部21、アライメント検出系9を制御する制御部22、ステージ5の駆動を制御する制御部23、干渉計8の計測結果を検出する検出部24、及びメモリ25と接続されている。
主制御部20が有するCPUは、メモリ25に記憶されている図5や図7のフローチャートに示す処理内容のプログラムを実行する。すなわち、描画に先立ち、ウエハ4に電子線を照射するタイミングを示すパターンデータ(描画データ)を作成する工程と、作成したパターンデータを用いてウエハ4に電子線を照射してパターンを描画する工程とを実行する。
これらのプログラムの実行とともに、主制御部20は制御部21〜23、及び検出部24を制御する。ウエハ4に対する電子線の照射位置やステージ5の位置を制御することによってウエハ4上に潜像パターンを形成する。また、主制御部20は、メモリ25に各種計測値を記憶させ、これらの計測値に基づく演算を実行する。
本発明における制御部は、少なくとも、マーク10の位置計測値に基づいて、ウエハ4に対するビームの照射位置と当該ビームを照射するタイミングとを制御する(照射を制御する)機能を有する。よって本実施形態では、主制御部20、制御部21〜23及び検出部24が該当する。メモリ25は後述の図5、図7のフローチャートに示す処理内容のプログラムや、描画パターンのデータ、作成されたパターンデータを記憶している。さらに、アライメント検出系9が検出したマーク10の位置計測値を記憶していく。
描画パターンのデータとはユーザがウエハ4上に描画したいと所望するパターンを示すデータを示す。描画パターンのデータは、CADデータやビットマップ形式のデータである。パターンデータとは、描画パターンのデータに基づいて作成される、電子線をウエハ4に照射するタイミングを示すデータである。例えば、時間軸に対して照射又は被照射の指令を示す制御データである。
図1では、1本の電子線をウエハ4に照射する様子を示しているが、電子銃2や電子光学系3を内包している1つのカラム13から、複数本の電子線が照射されても構わない。複数の電子線で描画することでスループットを向上させることが可能となる。カラム13の本数や、アライメント検出系9の個数は各実施形態で異なる。
(基本的な描画方法)
図2は1つのカラム13でウエハ4に対して電子線を照射している様子を示している。カラム13の中央部はスリット形状の照射領域(単位照射領域)30を表している。描画装置1は、一度に最大で、照射領域30を通過した複数の電子線をウエハ4上に照射する。照射領域30のY軸方向の幅は、例えば、50〜100μmである。ウエハ4をX軸方向及びY軸方向に往復移動することで、ウエハ4上にパターンを描画していく。
図2は1つのカラム13でウエハ4に対して電子線を照射している様子を示している。カラム13の中央部はスリット形状の照射領域(単位照射領域)30を表している。描画装置1は、一度に最大で、照射領域30を通過した複数の電子線をウエハ4上に照射する。照射領域30のY軸方向の幅は、例えば、50〜100μmである。ウエハ4をX軸方向及びY軸方向に往復移動することで、ウエハ4上にパターンを描画していく。
実線の矢印は照射領域30が基板上を走査しながら電子線を照射するスキャン描画の、破線は電子線が照射されずにウエハ4が移動するステップ移動の様子を示している。これらを組み合わせたステップアンドスキャン動作を繰り返し行う。また、主制御部20が、必要に応じて偏向器3bに電子線を偏向させてウエハ4に対する電子線の照射位置を制御することで、ウエハ4上に所望のパターンを描画する。
(グローバルアライメント計測について)
グローバルアライメント計測のためのマーク10は、各ショット領域31の付近に形成されている。各ショット領域31のうちの、ユーザの選択により設定されたサンプルショット領域32(以下、ショット領域32と称す)付近のマーク10の位置に基づいて、制御部22は新しく形成する層の位置を決定する。
グローバルアライメント計測のためのマーク10は、各ショット領域31の付近に形成されている。各ショット領域31のうちの、ユーザの選択により設定されたサンプルショット領域32(以下、ショット領域32と称す)付近のマーク10の位置に基づいて、制御部22は新しく形成する層の位置を決定する。
ショット領域32は、プロセスに起因する位置計測誤差が生じにくい位置であることが望ましいため、露光工程以外の工程で歪みが生じやすいウエハ4の最外周を避けて設定される。倍率変形を精度良く検出するためにショット領域32同士の位置がなるべく離れるように設定されることが好ましい。また、計測点が多いほうが位置合わせの精度は高まるが、多すぎるマーク10の位置計測によるスループットの低下を抑制することも鑑みる必要がある。図2は、好ましいショット領域32の配置形態を示している。
図3はグローバルアライメント計測について説明するための図である。図3(A)は図2に示すショット領域32周囲の拡大図を示している。描画対象であるショット領域31同士の間には、約80〜100μmの幅のスクライブライン33がある。図3(A)に示す通り、スクライブライン33に収まるように、X軸方向の幅が約40〜60μmのマーク10が形成されている。
マーク10には図3(B)〜(E)に示すような種類があり、計測方法に応じて使用するマーク形状が異なる。
ステージ5が静止している状態で、アライメント検出系9がマーク10からの反射光をセンサに結像させる方式の場合は、図3(B)と(C)のマークが適している。特に図3(C)のマーク形状は、X軸方向、Y軸方向の位置を一度に計測することができ、かつステージ5の駆動も不要であるという利点がある。
一方、マーク10からの回折光の強度を検出して検出信号の強度変化から位置を計測する方法もある。この方法はステージ5が走査している状態でも計測可能である。例えば、アライメント検出系9がTDI(Time Delay Integration)センサを備えていることが好ましい。
この場合、図3(D)や(E)のマーク形状が適用される。マーク10を構成している直線がアライメント検出系9が走査する方向に対して角度α傾いている形状であるため、スキャン描画の最中にX軸方向、Y軸方向の位置を同時に取得することができる。ステージ5を静止させずにマーク10の位置計測が可能であることから、スループットの低下を抑制できるという利点がある。
続いて、マーク10の位置計測結果に基づく重ね合わせ位置の決定方法について説明する。主制御部20が、干渉計8を用いて計測したステージ5の位置情報と、ショット領域32のマーク10の位置計測結果とに基づいて統計演算処理を行い、ウエハ4に形成するパターンの格子配列を決定する。
補正後のショット領域31の位置座標(x’、y’)は補正前のショット領域31の位置座標(x、y)を用いて式(1)で表され、主制御部20は式(1)で得られる補正後位置(x’、y’)にパターンを描画する。なお、複数のアライメントマークの計測値から求まる、格子配列のシフト成分をSx、Sy、倍率成分をmx、my、回転成分をθx、θyとしている。
(第1の実施形態)
第1の実施形態に係る描画装置1は、図4に示すように6つのカラム13と1つのアライメント検出系9が一体となった構成である。
第1の実施形態に係る描画装置1は、図4に示すように6つのカラム13と1つのアライメント検出系9が一体となった構成である。
カラム13a〜13fの有する照射領域30に対して、ウエハ4が、図4におけるX軸方向(一方向)に一度走査することで短冊状のパターンが描画される。この1回のスキャン描画分の領域を、以下スリット(所定領域)と称す。カラム13aによって最初に描画するスリットをスリットL1a、次に描画するスリットをスリットL2aとする。同様にして、カラム13b〜13fが最初に描画するスリットをスリットL1b〜L1fとする。また、カラム13a〜13fが最初に描画するスリットを第1スリット群(L1a〜L1f)と示す。
以下同様に、m回目に描画するスリットを第mスリット群と称す。仮に、ウエハ4の直径を300mm、照射領域30の幅を100μm、カラム間隔を50mmとすると、描画装置1はm=500の時にウエハ4上の描画対象の領域を描画し終える。
メモリ25に記憶されている所望の描画パターンのデータを元に、主制御部20はパターンデータを作成する。本実施形態の場合は、主制御部20はスリット群単位でパターンデータを作成する。図5に示すフローチャートを用いて、パターンデータの作成手順について説明する。これらの処理は、主制御部20がメモリ25に記憶されているプログラムを実行することにより行われる。
図5に示すフローチャートの開始前に、主制御部20は、描画パターンのデータ、ショット領域31の配列、形成済みのマーク10の位置、及び少なくともそのマーク10を含む領域(以下、マーク領域35と称す)のサイズに関する情報を取得しているとする。すなわち、ウエハ4に形成するパターンの配置が決まっている状態である。
S100では、主制御部20は第1スリット群をパターンデータ作成の対象スリットとして設定する。S101では、主制御部20は対象スリットとして設定したスリット群の中にマーク10が有るか無いか(ビームを照射予定のマークが有るか無いか)を判断する。
S101において主制御部20がマーク10を含むスリットがある(YES)と判断した場合は、マーク領域35を除いた領域を描画対象としてパターンデータを作成する。図6はマーク領域35の例である。マーク領域35はマーク10を囲む矩形形状をしている。S101において主制御部20が、マーク10が無い(NO)と判断した場合は、対象スリット群の全てのスリットで描画すべき領域を描画対象としてパターンデータを作成する(S103)。
対象スリット群のパターンデータを作成し終えたら、S104では、全てのスリット群(本実施形態の場合はm=1〜500)分のパターンデータを作成したかどうかを判断する。まだ作成していないパターンデータがある(NO)と判断した場合には、次に描画対象となるスリット群を対象スリットとして設定し(S105)、再びS101〜S104の動作を繰り返す。
S104において、全てのスリット群のパターンデータを作成した(YES)と判断した場合には、最後に照射すべきパターンデータを設定する(S106)。すなわちS106において作成されるパターンは、S102の処理において対象外とされた、全てのマーク領域35に対して照射をするパターンとなる。このようにして、マーク領域を除いた領域に電子線を照射した後の所定のタイミングでマーク領域に対して電子線を照射をするように照射のタイミングが設定されたパターンデータを作成する。
次に、図6に示すフローチャートを用いて、作成したパターンデータに基づいてパターンを描画する工程について説明する。S200では、主制御部20が不図示のウエハ搬送機構に指示をしてウエハ4をカラム13まで搬入する。S201では、グローバルアライメント計測を実行する。すなわち、ショット領域32付近に形成されているマーク10をアライメント検出系9が検出して、計測結果と前述の式(1)を用いて描画すべきパターンの格子配列を決定する。
S202では、図5に示す工程で作成したパターンデータに基づいて、第1スリット群から順にスキャン描画を行う。すなわち、描画対象のスリット内にマーク10が含まれている場合には、第1スリット群のうちマーク領域35上を除いた領域に電子線を照射する。
S203では、主制御部20がアライメント検出系9にマーク10を検出させる所定の計測のタイミングかどうかを判断する。所定の計測タイミングとは予め設定したタイミングであり、全ショット領域31を通じて描画すべきパターン密度が比較的均一である場合にはnスリット毎、一定の時間毎等と設定すれば良い。一方、描画すべきパターンの密度差が大きい場合は、総照射量がある値に達した時を所定の計測タイミングとして定めると良い。
S203において計測のタイミングではない(NO)と主制御部20が判断した場合には、引き続きスキャン描画を続ける。所定の計測タイミングとなった(YES)と主制御部20が判断した場合には、一度描画を中断する。そして、ウエハ4を移動させてから、アライメント検出系9がマーク10を計測する(S204)。
主制御部20は、S204における計測結果に基づいて電子線の照射位置とウエハ4の相対位置を補正する(S205)。具体的には、S201とS204の、異なるタイミングで計測したマーク10の位置計測値の差分から得られるウエハ4の変形量を求めて、S204での計測以降の照射領域に対する電子線の照射位置とウエハ4の相対位置の補正をする。主制御部20の指示により描画中にも電子線の照射位置とウエハ4の相対位置を補正することで、ウエハ4が熱変形する場合であってもパターンの重ね合わせ精度の低下を低減することができる。
位置ずれを補正後、再びマーク領域35を避けながら描画を行う(S206)。スキャン描画を行いながら、S207ではマーク領域35を除く領域に対する描画が終了したかどうかを判断する。
主制御部20が描画が終了していないと判断した(NO)場合には、S202で引き続き描画を続け、描画が終了するまでS202〜S207の処理を繰り返す。
S207において主制御部20が描画が終了した(YES)と判断した場合、S208で、スキャン描画の際に照射を行わなかったマーク領域35に対して照射を行う。マーク領域35への照射時には、次の層を形成する際に用いるためのマーク10のパターンを描画する。マーク領域35に対する照射終了後、S209ではウエハ4を搬出して本プログラムを終了し、次のウエハ4に対する描画処理を行う。
本実施形態は、1枚のウエハ4の処理中に、複数カラム13によってスキャン描画を行いつつアライメント検出系9が同一のマーク10の位置を複数回計測する実施形態である。真空チャンバ12内は、ウエハ4への入熱量が多く、かつ真空系ゆえに排熱が困難であるが、位置合わせを複数回行うことにより精度良くパターンを描画することができる。さらに前述のように描画することで、複数回マーク10の位置を計測する場合であっても信号強度の低下や信号位置のずれに起因する計測誤差を低減させて、安定した精度で電子線の照射位置とウエハ4の相対位置を補正することができる。
なお、S201で計測したマーク10の位置と、S204で計測したマーク10の位置の差分を求めた結果、変形量が所定量以下であればS205における相対位置の補正処理を行わずにスキャン描画を続けてしまうほうが好ましい。このようにすることで、スループットの面で有利となる。要求されている重ね合わせ精度の度合いによっては、S208におけるマーク10のパターンの描画は必須ではなく、単にマーク領域35に対して全面的に照射しても構わない。
本実施形態のようにマーク領域35が少なくともマーク10を囲む大きさの場合は、マーク領域35の数が少ない場合や、ウエハ4の熱歪みの影響が大きい場合に適している。マーク領域35とマーク領域35の周囲の領域とのつなぎ合わせを気にする領域が少ないことにより、マーク領域35を最後に描画する際に、マーク領域35と接する他の領域とのパターンのつなぎ合わせ精度の悪化を軽減できる効果がある。
マーク10の位置を計測するタイミングが決められている場合、マーク領域35に電子線を照射する所定のタイミングは、マーク領域35以外の全ての領域に電子線を照射した後でなくても構わない。所定のタイミングを、スリット内の領域のうち照射予定であったマーク領域35を除いた領域に電子線を照射した後、マーク10の位置計測を所定回数終えた後、最後の位置計測を終えた後等としてパターンデータを作成しても構わない。
さらに、S101のようにマーク10を含むスリットが有るかを判断するのではなく、所定領域内、例えば1度マーク10の位置を計測してから再び同じマーク10の位置を計測する間に描画される予定の領域内にマーク10が有るかどうかを判断しても良い。
なお、S101で主制御部20が、マーク10を含むスリットが有る(YES)と判断した場合に、前述とは異なるパターンデータを作成することもできる。例えば、マーク領域35には所定値より低いエネルギーで照射するようにし、スリット内の領域のうちのマーク領域35を除いた領域には所定値より高いエネルギーを含むように照射をするパターンデータを作成してもよい。所定値は、例えば、ウエハ4上に塗布したフォトレジストの照射による溶解度の変化が現像後の膜厚換算で20%となるエネルギー量とする。
これにより、所定値より低いエネルギーで照射した領域を現像しても、レジストの化学特性の変化は電子線を照射しなかった場合とほとんど変わらない。そのため、本手法によっても、アライメントマークの位置計測精度の低下を低減することができる。
(第2の実施形態)
第2の実施形態に係る描画装置1は図8に示すように、6つのカラム13a〜13fと6つのアライメント検出系9a〜9fを備えている。さらに、図9のフローチャートに示すプログラムがメモリ25に記憶されている点において第1の実施形態とは異なる。
第2の実施形態に係る描画装置1は図8に示すように、6つのカラム13a〜13fと6つのアライメント検出系9a〜9fを備えている。さらに、図9のフローチャートに示すプログラムがメモリ25に記憶されている点において第1の実施形態とは異なる。
図9のフローチャートを用いて第2の実施形態における描画方法について説明をする。図9のフローチャートに示すプログラムを、主制御部20が制御部21〜23や検出部24を制御しながら実行する。S300及びS301の処理は図7のフローチャートにおけるS200及びS201の説明と同様であるため説明を省略する。
マーク領域35を含む場合(YES)と含まない場合(NO)とで、パターンデータは場合分けできる(S302)。マーク領域35を含む場合(YES)、S303においてカラム13はマーク領域35を避けてスキャン描画をする。さらに、そのスキャン範囲内にマーク10が有る場合は、アライメント検出系9が随時マーク10の位置を計測する。
一方、マーク領域35を含まない場合(NO)は、そのスリットの全範囲をスキャン描画する(S304)。さらに、そのスキャン描画の範囲内にマーク10が有る場合は、アライメント検出系9は随時マーク10の位置を計測する。そのため、全てのマーク10が計測されるとも限らないし、全てのマーク10の計測回数が同一回数になるとも限らない。
同一のマーク10を複数回計測した位置計測値に基づいて電子線とウエハ4の相対位置の補正処理をする際は、これらの位置計測値は同一の又は異なるアライメント検出系9によって計測されたものである。
S304やS304において計測したマーク10の位置はメモリ25に記憶されていく。S305では、主制御部20が補正のタイミングか否かを判断する。補正のタイミングとは、S303やS304における処理中に蓄積されたマーク10の位置計測値に基づいて、ウエハ4が所定量以上変形したタイミングである。あるいは、前述の所定のタイミングと同様の判断基準で設定しても構わない。
主制御部20が、S305において補正のタイミングである(YES)と判断した場合は、S306で熱ひずみによる変形量に応じて電子線とウエハ4の相対位置を補正する。補正のタイミングではない(NO)と判断した場合は、S302〜S305までの処理を繰り返す。
S307でマーク領域35を除く領域に対する描画が終了したかどうかを主制御部20は判断し、終了したと判断した場合は、S308でマーク領域35に対してマーク10の描画しつつ電子線を照射する。最後に、S309でウエハ4の搬出を行う。
本実施形態に係る描画装置1は複数のアライメント検出系9を有しているため、アライメント検出系9は一度に多くのマーク10を検出することができる。これにより、マーク10の計測に要する時間を短縮することが可能となる。また、スキャン描画中に高い頻度でマーク10の位置計測を実行することができるため、描画位置の補正精度を向上させることもできる。
(第3の実施形態)
次に、第3の実施形態について説明する。図6のようにマーク10の周囲を局所的にマーク領域35として設定するのではなく、図10のようにそのマーク10を含む1スリット(ビームの単位照射領域に対して基板が一方向に走査したときの、単位照射領域の通過領域)を全てマーク領域35とする点で第1及び第2の実施形態とは異なる。
次に、第3の実施形態について説明する。図6のようにマーク10の周囲を局所的にマーク領域35として設定するのではなく、図10のようにそのマーク10を含む1スリット(ビームの単位照射領域に対して基板が一方向に走査したときの、単位照射領域の通過領域)を全てマーク領域35とする点で第1及び第2の実施形態とは異なる。
本実施形態ではそれに伴い、図5及び図7に示すフローチャート中のマーク領域35も1つのスリットであるとする。すなわち、カラム13a〜13fの描画対象スリット内にマーク10が含まれている場合には、そのスリットを除いて描画するようなパターンデータを作成する。図7に示すフローチャートにおけるS208では、マーク領域35となっているスリットに対して電子線を照射する。
照射領域30が一方向に一度走査した時の通過領域である1スリットをマーク領域35として設定する本実施形態は、マーク領域35のあるスリット上をカラム13が走査する回数が1度で済むという効果がある。つまり、第1及び第2の実施形態のように、マーク領域35以外の領域の描画とマーク領域25の描画との2回に分けて、同一スリット上をカラム13が走査する必要が無いためスループットが向上する。
本実施形態はショット領域32の数が多く、それらの位置を示すマーク10が同一スリット上にある場合に、より効果が高まる。さらに、マーク領域35となるスリットが同一スリット群となるように設定しておけば、最後にマーク領域35であるスリットに対して照射をするための時間が、1スリット分のスキャン描画を行う時間だけで済ませることが可能となる。
(第4の実施形態)
図11(A)に示すように、スリットの幅とマーク10の大きさによっては、マーク領域35が複数のスリットにかかってしまう場合がある。
図11(A)に示すように、スリットの幅とマーク10の大きさによっては、マーク領域35が複数のスリットにかかってしまう場合がある。
この場合は図11(B)に示すように、スリットを全体的にΔ分シフトすることでマーク領域35を1つのスリット内におさめると良い。具体的には、主制御部20がウエハ4に対するカラム13の位置をずらすようにパターンデータ作成しなおす方法や、カラム13の位置はずらさずに偏向器3bを用いて、電子線が照射するスリットの位置を変更する方法などある。
先に描画した領域と後で描画するマーク領域35では、熱の影響の受け方が異なる。そのため、なるべくマーク領域35が1つのスリット内に収まるようにすることで、2回に分けて描画した場合に生じる恐れがあるつなぎ合わせ精度の低下を防ぐことができる。
さらに、マーク領域35を避けて描画するデータを2つのスリット分作成する必要がなくなる。そのため、主制御部20がパターンデータを作成する際のデータ処理の複雑化を防ぐ効果がある。
(その他の実施形態)
カラム13とアライメント検出系9の配置として、例えば図12に示す形態がある。図12(A)のようにカラム13とアライメント検出系9が走査方向(X軸方向)に対して並んで配置されている構成は、熱に起因して生じる変形が戻りにくく、かつ1度の照射による熱歪みの量が大きいことも考慮しながら描画したい場合に適用される。
カラム13とアライメント検出系9の配置として、例えば図12に示す形態がある。図12(A)のようにカラム13とアライメント検出系9が走査方向(X軸方向)に対して並んで配置されている構成は、熱に起因して生じる変形が戻りにくく、かつ1度の照射による熱歪みの量が大きいことも考慮しながら描画したい場合に適用される。
一方、図12(B)のようにカラム13とアライメント検出系9が走査方向に対して並んでいない構成は、熱に起因して生じるひずみが戻りやすい場合に適している。一時的に、局所的な熱歪みが生じている位置から少し離れた領域にあるマーク10を計測の位置を計測することで、ウエハ4の平均的な変形量に基づいて描画位置を補正することが可能になるからである。
また図12(A)(B)の配置を組み合わせて構成することで、描画時に使用するアライメント検出系9を選択できるようにしても構わない。第1〜第4の実施形態において、同一ロットのウエハを処理する場合には、最初のウエハで計測したマーク10の計測結果や位置ずれ補正の結果を他のウエハに対して適用しても構わない。このように処理を行うことで、アライメント計測に要する時間の低減や、主制御部20が実行するデータ処理の負荷を低減させる効果がある。
マーク領域35は図6や図10に示した形状に限られるわけではないが、少なくともマーク10よりも大きく、かつマーク領域35がスクライブライン33の領域内(スクライブライン内)にあることが好ましい。マーク領域35がショット領域31に含まれていないため、後でマーク領域35に照射を行う際の、つなぎ合わせ精度の許容値を低くすることができる。
複数の真空チャンバ12を有しており一度に複数枚のウエハ4に対して描画処理を行うクラスタ型の描画装置の場合、1つの主制御部20で一括してパターンデータを作成しても良いし、各真空チャンバ12に対応する複数の主制御部20で作成しても良い。
また、主制御部20がパターンデータを作成する機能を有していない場合であっても、他の場所で作成されたパターンデータを用いて制御部21〜23や検出部24を制御しながら描画する描画装置であっても良い。
パターンデータの作成処理が速い場合には、描画に先立ちパターンデータを作成せずに数スリット分の描画をしながら随時作成していっても構わない。これにより、描画によるマーク10の位置変動も考慮しながらパターンデータを作成することができる。
(各実施形態の適用場面)
ウエハ4に塗布しているレジストがネガレジストであっても、ポジレジストであっても、マーク10上が描画対象領域となる場合がある。マーク10上に対して電子線を照射する必要がある場合であり、かつマーク10を複数回計測する場合に前述の各実施形態が適用される。レジストの種類に応じて本発明を適用する場面が異なるため、図13を用いて本発明の適用場面例を説明する。
ウエハ4に塗布しているレジストがネガレジストであっても、ポジレジストであっても、マーク10上が描画対象領域となる場合がある。マーク10上に対して電子線を照射する必要がある場合であり、かつマーク10を複数回計測する場合に前述の各実施形態が適用される。レジストの種類に応じて本発明を適用する場面が異なるため、図13を用いて本発明の適用場面例を説明する。
図13はパターン形成済みの下地層40の上にパターンを形成対象であるターゲット層41、レジスト層42が形成されている状態から、アライメント計測及び描画を行った照射後、現像後、エッチング後、アッシング後の状態を示している。
図13(A)はターゲット層41として酸化膜や窒化膜等の絶縁層が、レジスト層42としてネガ型レジストが成膜されている様子を示す。ネガ型レジストはビームが照射された領域が現像後も残る性質を有している。この性質を利用して、ターゲット層42の成膜前に形成したマーク10を残したまま、ターゲット層42にパターンを形成する場合に適用する。
一方、図13(B)はターゲット層41としてアルミやタングステン等の金属層が、レジスト層42としてポジ型レジストが成膜されている様子を示す。ポジ型レジストはビームが照射された領域が現像によって溶解する性質を有している。この性質を利用して、ターゲット層42の成膜前に形成したマーク10除去して、ターゲット層42にパターンを形成する場合に適用する。これにより、マーク10を残すことでマーク10の周囲の金属層がはがれてコンタミが生じ、デバイスの特性に悪影響を及ぼすことを抑制することが可能となる。
(物品の製造方法)
本発明の、物品(半導体集積回路素子、液晶表示素子、撮像素子、磁気ヘッド、CD−RW、光学素子、フォトマスク等)の製造方法は、基板(ウエハやガラス板等)上にパターンを描画する工程と、パターンの描画された基板を現像する工程と、現像後の基板に対してエッチング処理及びイオン注入処理の少なくともいずれか一方を施す工程とを含む。さらに、他の周知の処理工程(酸化、成膜、蒸着、平坦化、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含んでも良い。
本発明の、物品(半導体集積回路素子、液晶表示素子、撮像素子、磁気ヘッド、CD−RW、光学素子、フォトマスク等)の製造方法は、基板(ウエハやガラス板等)上にパターンを描画する工程と、パターンの描画された基板を現像する工程と、現像後の基板に対してエッチング処理及びイオン注入処理の少なくともいずれか一方を施す工程とを含む。さらに、他の周知の処理工程(酸化、成膜、蒸着、平坦化、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含んでも良い。
1 描画装置
4 ウエハ
9 アライメント検出系
10 マーク
20 主制御部
21 制御部(電子光学系用)
22 制御部(アライメント検出系用)
23 制御部(ステージ用)
24 検出部(干渉計用)
30 照射領域
33 スクライブライン
35 マーク領域
4 ウエハ
9 アライメント検出系
10 マーク
20 主制御部
21 制御部(電子光学系用)
22 制御部(アライメント検出系用)
23 制御部(ステージ用)
24 検出部(干渉計用)
30 照射領域
33 スクライブライン
35 マーク領域
Claims (13)
- 基板にビームを照射するタイミングを示す描画データの作成方法であって、
前記基板上の所定領域内において、前記ビームを照射予定のマークが有るか無いかを判断するステップと、
前記所定領域内に前記マークが有る場合に、前記マークを含むマーク領域を除いた領域にビームを照射した後の所定のタイミングで前記マーク領域に前記ビームを照射する描画データを作成するステップと、
を有することを特徴とする描画データの作成方法。 - 基板にビームを照射するタイミングを示す描画データの作成方法であって、
前記基板上の所定領域内において、前記ビームを照射予定のマークが有るか無いかを判断するステップと、
前記所定領域内に前記マーク領域が有る場合に、前記マークを含むマーク領域に所定値より低いエネルギーで照射し、かつ前記マーク領域を除いた領域に前記所定値より高いエネルギーを含むように照射をした後の所定のタイミングで、前記マーク領域に前記ビームを照射する描画データを作成するステップと、を有することを特徴とする描画データの作成方法。 - 前記所定のタイミングは、前記マークに対する位置計測を所定回数終えた後であることを特徴とする請求項1又は2に記載の描画データの作成方法。
- 複数の前記マークがある場合に、前記所定回数は複数の前記マークに応じて異なることを特徴とすることを特徴とする請求項3に記載の描画データの作成方法。
- 前記所定のタイミングは前記マークに対する最後の前記位置計測を終えた後であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の描画データの作成方法。
- 前記マーク領域がスクライブライン内にあることを特徴とすることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の描画データの作成方法。
- 前記マーク領域は、前記ビームの単位照射領域に対して前記基板が一方向に走査したときの、前記単位照射領域の通過領域であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の描画データの作成方法。
- 基板にビームを照射しパターンを描画する描画装置であって、
前記基板上に形成されているマークの位置を計測する位置計測器と、
前記基板に対する前記ビームの照射を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、所定領域内に前記マークが有る場合に、前記マークを含むマーク領域を除いてビームを照射した後の所定のタイミングで前記マーク領域に前記ビームを照射するように、前記ビームの照射を制御することを特徴とする描画装置。 - 基板にビームを照射しパターンを描画する描画装置であって、
前記基板上に形成されているマークの位置を計測する位置計測器と、
前記基板に対する前記ビームの照射を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、所定領域内に前記マーク領域が有る場合に、前記マークを含むマーク領域に所定値より低いエネルギーで照射し、かつ前記マーク領域を除いた領域に前記所定値より高いエネルギーを含むように照射をした後の所定のタイミングで、前記マーク領域に前記ビームを照射するように、前記ビームの照射を制御することを特徴とする描画装置。 - 前記位置計測器は前記マークの位置を複数回計測し、
前記制御部は、前記位置計測器による計測結果を用いて、前記基板と前記ビームの照射位置との相対位置を補正することを特徴とする請求項8又は9に記載の描画装置。 - 複数の前記位置計測器を有し、同一の又は異なる前記位置計測器によって、前記マークの位置を複数回計測することを特徴とする請求項8乃至10のいずれか1項に記載の描画装置。
- 請求項1乃至7のいずれか1項に記載の描画データの作成方法により作成した描画データを用いて、基板にビームを照射して前記基板上にパターンを描画するステップを有することを特徴とする描画方法。
- 請求項8乃至11のいずれか1項に記載の描画装置を用いて基板にビームを照射する工程と、
前記基板を現像する工程と、
前記基板に対してエッチング処理及びイオン注入処理の少なくともいずれか一方を施す工程と、を有することを特徴とする物品の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014146008A JP2015128132A (ja) | 2013-11-28 | 2014-07-16 | 描画データの作成方法、描画装置、描画方法、及び物品の製造方法 |
US14/552,438 US20150144807A1 (en) | 2013-11-28 | 2014-11-24 | Drawing data creating method, drawing apparatus, drawing method, and article manufacturing method |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013245898 | 2013-11-28 | ||
JP2013245898 | 2013-11-28 | ||
JP2014146008A JP2015128132A (ja) | 2013-11-28 | 2014-07-16 | 描画データの作成方法、描画装置、描画方法、及び物品の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015128132A true JP2015128132A (ja) | 2015-07-09 |
Family
ID=53181825
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014146008A Pending JP2015128132A (ja) | 2013-11-28 | 2014-07-16 | 描画データの作成方法、描画装置、描画方法、及び物品の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20150144807A1 (ja) |
JP (1) | JP2015128132A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190041516A (ko) * | 2016-09-14 | 2019-04-22 | 캐논 가부시끼가이샤 | 검출 장치, 검출 방법, 패터닝 장치 및 물품의 제조 방법 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001168013A (ja) * | 1999-12-10 | 2001-06-22 | Nec Corp | 電子線露光方法 |
US6762421B2 (en) * | 2001-03-09 | 2004-07-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Charged particle beam exposure apparatus and exposure method |
US7897942B1 (en) * | 2007-12-20 | 2011-03-01 | Kla-Tencor Corporation | Dynamic tracking of wafer motion and distortion during lithography |
JP2013140846A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-18 | Canon Inc | 描画装置及び物品の製造方法 |
JP2014220262A (ja) * | 2013-04-30 | 2014-11-20 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ装置、リソグラフィ方法、及びデバイスの製造方法 |
-
2014
- 2014-07-16 JP JP2014146008A patent/JP2015128132A/ja active Pending
- 2014-11-24 US US14/552,438 patent/US20150144807A1/en not_active Abandoned
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190041516A (ko) * | 2016-09-14 | 2019-04-22 | 캐논 가부시끼가이샤 | 검출 장치, 검출 방법, 패터닝 장치 및 물품의 제조 방법 |
KR102214771B1 (ko) | 2016-09-14 | 2021-02-10 | 캐논 가부시끼가이샤 | 검출 장치, 검출 방법, 패터닝 장치 및 물품의 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20150144807A1 (en) | 2015-05-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5744601B2 (ja) | 電子線描画装置及びデバイス製造方法 | |
JP5835892B2 (ja) | 荷電粒子線描画装置及びデバイス製造方法 | |
TW202032624A (zh) | 微影製程和設備及檢測製程和設備 | |
JP6391337B2 (ja) | リソグラフィ装置、リソグラフィ方法、および物品の製造方法 | |
JP2008053618A (ja) | 露光装置及び方法並びに該露光装置を用いたデバイス製造方法 | |
JP2014225428A (ja) | 荷電粒子線照射装置、荷電粒子線の照射方法及び物品の製造方法 | |
US20130216954A1 (en) | Drawing apparatus, and method of manufacturing article | |
JP2014168031A (ja) | リソグラフィ装置、リソグラフィ方法及び物品製造方法 | |
KR102078079B1 (ko) | 노광 장치, 노광 방법, 및 물품의 제조 방법 | |
JP6267530B2 (ja) | 露光装置、および物品の製造方法 | |
TWI685655B (zh) | 檢測工具及檢測方法 | |
TW200839842A (en) | Position measurement apparatus, imaging apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
KR20150107619A (ko) | 리소그래피 장치 및 물품의 제조 방법 | |
JP2016001708A (ja) | リソグラフィ装置、及び物品の製造方法 | |
TWI516858B (zh) | 使用帶電粒子束在基板上實施繪圖的繪圖裝置及物件之製造方法 | |
US20140320836A1 (en) | Lithography apparatus, lithography method, and method for manufacturing device | |
TWI622860B (zh) | 用於控制微影裝置之方法、微影裝置及元件製造方法 | |
JP2014216631A (ja) | 描画装置、及び物品の製造方法 | |
US9606460B2 (en) | Lithography apparatus, and method of manufacturing article | |
JP2015128132A (ja) | 描画データの作成方法、描画装置、描画方法、及び物品の製造方法 | |
JP6243927B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP2010074043A (ja) | 半導体製造方法および半導体製造装置 | |
JP5684168B2 (ja) | フレア計測方法、反射型マスクおよび露光装置 | |
KR20150142607A (ko) | 리소그래피 장치 및 제품을 제조하는 방법 | |
US20160124322A1 (en) | Lithography apparatus, lithography method, and article manufacturing method |